KR930005170A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR930005170A
KR930005170A KR1019920012675A KR920012675A KR930005170A KR 930005170 A KR930005170 A KR 930005170A KR 1019920012675 A KR1019920012675 A KR 1019920012675A KR 920012675 A KR920012675 A KR 920012675A KR 930005170 A KR930005170 A KR 930005170A
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도시유끼 사꾸다
가즈유끼 미야자와
사또시 오구찌
아이조 가네다
마사오 미따니
쇼조 나가무라
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미다 가쓰시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
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    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Abstract

내용 없음.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 의한 수지봉지 DIP패키지의 전체구성을 도시한 사시도.

Claims (1)

  1. 장방형상의 반도체칩, 상기 칩의 주면상에 상기 장방형상의 칩의 긴변에 따라서 배치된 여러개의 본딩패드, 상기 본딩패드와 상기 장방형상의 칩의 긴변과의 사이로써, 상기 본딩패드의 양측의 각각의 영역에 상기 긴변에 따라서 1열로 배치된 여러개의 4각형상의 메모리셀 어레이영역, 상기 긴변에 따라서 1열로 배치된 여러개의 메모리셀 어레이영역사이에 배치된 여러개의 주변회로영역, 상기 칩의 주면상에 가로놓여 있고, 상기 칩의 변을 가로질러서 칩의 외부로 연장하는 여러개의 리이드, 상기 리이드의 일부분과 상기 반도체칩의 주면과의 사이에 개재하는 절연막을 갖고, 상기 여러개의 리이드와 상기 여러개의 본딩패드는 전기적으로 접속되고, 상기 반도체칩은 수지에 의해서 봉지된 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920012675A 1987-06-30 1992-07-16 반도체 기억장치 KR970004216B1 (ko)

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JP62161333A JPH0777226B2 (ja) 1987-06-30 1987-06-30 半導体装置およびその製造方法
JP87-161333 1987-06-30
JP62234654A JP2567870B2 (ja) 1987-09-17 1987-09-17 半導体記憶装置
JP87-234654 1987-09-17
KR1019880007311A KR960013778B1 (ko) 1987-06-30 1988-06-17 반도체 기억장치

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KR930005170A true KR930005170A (ko) 1993-03-23
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230092429A (ko) * 2021-12-17 2023-06-26 포스코홀딩스 주식회사 이차 전지용 음극재의 제조 방법

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230092429A (ko) * 2021-12-17 2023-06-26 포스코홀딩스 주식회사 이차 전지용 음극재의 제조 방법

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KR890001183A (ko) 1989-03-18
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