KR920022295A - 높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버 - Google Patents

높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버 Download PDF

Info

Publication number
KR920022295A
KR920022295A KR1019910008756A KR910008756A KR920022295A KR 920022295 A KR920022295 A KR 920022295A KR 1019910008756 A KR1019910008756 A KR 1019910008756A KR 910008756 A KR910008756 A KR 910008756A KR 920022295 A KR920022295 A KR 920022295A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
input line
data output
transistor
signal
output driver
Prior art date
Application number
KR1019910008756A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940006998B1 (ko
Inventor
이승근
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019910008756A priority Critical patent/KR940006998B1/ko
Priority to US07/724,889 priority patent/US5157279A/en
Priority to JP3244105A priority patent/JPH0746511B2/ja
Publication of KR920022295A publication Critical patent/KR920022295A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940006998B1 publication Critical patent/KR940006998B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0175Coupling arrangements; Interface arrangements
    • H03K19/0185Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
    • H03K19/018507Interface arrangements
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00369Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters
    • H03K19/00384Modifications for compensating variations of temperature, supply voltage or other physical parameters in field effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K5/00Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
    • H03K5/01Shaping pulses
    • H03K5/02Shaping pulses by amplifying
    • H03K5/023Shaping pulses by amplifying using field effect transistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 데이타 출력 드라이버의 실시예,
제4도는 본 발명에 따른 데이타 출력 드라이버의 타이밍도,
제5도는 본 발명에 따른 데이타 출력 드라이버의 수직 단면도.

Claims (6)

  1. 서로 상보적인 논리레벨을 가지는 한쌍의 신호를 각각의 게이트로 받는 제1 및 제2출력 트랜지스터를 가지는 데이타 출력 드라이버에 있어서, 상기 신호가 제1상태에 있는 경우에는 상기 제1출력 트랜지스터의 벌크에 제1신호를 공급하고 상기 신호가 제2상태에 있는 경우에는 상기 제1출력 트랜지스터의 벌크에 제2신호를 공급하는 정전압 수단을 구비함을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1신호가 상기 제1상태에 있으며, 상기 제2신호가 상기 제2상태에 있음을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
  3. 제1항에 있어서, 상기 정전압 수단이 상기 제1출력 트랜지스터의 게이트에 연결된 입력라인과, 상기 입력라인에 게이트가 접속되고 전원전압단과 상기 제1출력 트랜지스터의 벌크 사이에 채널이 연결된 풀업 트랜지스터와, 상기 입력라인에 게이트가 연결되고 상기 벌크의 접지전압단 사이에 채널이 연결된 풀다운 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
  4. 제3항에 있어서, 상기 입력라인과 접지전압단 사이에 연결되고 상기 입력라인의 전위가 소정 레벨 이하인 경우에 소정의 바이어스를 상기 입력라인에 공급하는 수단이 더 구비됨을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
  5. 서로 상보적인 논리레벨을 가지는 한쌍의 신호를 각각의 게이트로 받는 제1 및 제2출력 트랜지스터를 가지는 데이타 출력 드라이버에 있어서, 상기 제1출력 트랜지스터의 게이트에 연결된 입력라인과, 상기 입력라인에 게이트가 접속되고 전원전압단과 상기 제1출력 트랜지스터의 벌크 사이에 채널이 연결된 풀업 트랜지스터와, 상기 입력라인에 게이트가 연결되고 상기 벌크와 접지전압단 사이에 채널이 연결된 풀다운 트랜지스터와, 상기 입력라인과 접지전압단 사이에 연결되고 상기 입력라인의 전위가 소정 레벨 이하인 경우에 소정의 바이어스를 상기 입력 라인에 공급하는 수단을 구비함을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
  6. 제5항에 있어서, 상기 수단이, 상기 입력라인의 전위가 TTL레벨 2.4V이하인 경우에 상기 입력라인의 전위를 접지전압단으로 방전시킴을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910008756A 1991-05-28 1991-05-28 높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버 KR940006998B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910008756A KR940006998B1 (ko) 1991-05-28 1991-05-28 높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버
US07/724,889 US5157279A (en) 1991-05-28 1991-07-02 Data output driver with substrate biasing producing high output gain
JP3244105A JPH0746511B2 (ja) 1991-05-28 1991-08-30 高い出力利得を得るデータ出力ドライバー

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910008756A KR940006998B1 (ko) 1991-05-28 1991-05-28 높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR920022295A true KR920022295A (ko) 1992-12-19
KR940006998B1 KR940006998B1 (ko) 1994-08-03

Family

ID=19315075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910008756A KR940006998B1 (ko) 1991-05-28 1991-05-28 높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5157279A (ko)
JP (1) JPH0746511B2 (ko)
KR (1) KR940006998B1 (ko)

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3321188B2 (ja) * 1991-07-26 2002-09-03 株式会社東芝 出力回路
US5491432A (en) * 1992-08-07 1996-02-13 Lsi Logic Corporation CMOS Differential driver circuit for high offset ground
US5338978A (en) * 1993-02-10 1994-08-16 National Semiconductor Corporation Full swing power down buffer circuit with multiple power supply isolation
US5406140A (en) * 1993-06-07 1995-04-11 National Semiconductor Corporation Voltage translation and overvoltage protection
JP3085130B2 (ja) * 1995-03-22 2000-09-04 日本電気株式会社 ドライバ回路
DE19622646B4 (de) * 1995-06-06 2005-03-03 Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung
US6097223A (en) * 1996-12-11 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Drive-current modulated output driver
US5933047A (en) * 1997-04-30 1999-08-03 Mosaid Technologies Incorporated High voltage generating circuit for volatile semiconductor memories
US5939936A (en) * 1998-01-06 1999-08-17 Intel Corporation Switchable N-well biasing technique for improved dynamic range and speed performance of analog data bus
JPH11355123A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Mitsubishi Electric Corp 動的しきい値mosトランジスタを用いたバッファ
US6239649B1 (en) * 1999-04-20 2001-05-29 International Business Machines Corporation Switched body SOI (silicon on insulator) circuits and fabrication method therefor
JP3501705B2 (ja) * 2000-01-11 2004-03-02 沖電気工業株式会社 ドライバー回路
US6680650B2 (en) 2001-01-12 2004-01-20 Broadcom Corporation MOSFET well biasing scheme that migrates body effect
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
JP4321678B2 (ja) * 2003-08-20 2009-08-26 パナソニック株式会社 半導体集積回路
US20050062511A1 (en) * 2003-09-18 2005-03-24 International Business Machines Corporation Electronic delay element
EP1774620B1 (en) 2004-06-23 2014-10-01 Peregrine Semiconductor Corporation Integrated rf front end
TWI263404B (en) * 2005-03-30 2006-10-01 Novatek Microelectronics Corp Electronic switch and the operating method of transistor
US20080076371A1 (en) 2005-07-11 2008-03-27 Alexander Dribinsky Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
US8742502B2 (en) 2005-07-11 2014-06-03 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US7910993B2 (en) 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
USRE48965E1 (en) 2005-07-11 2022-03-08 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US9653601B2 (en) 2005-07-11 2017-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
JP4498398B2 (ja) * 2007-08-13 2010-07-07 株式会社東芝 比較器及びこれを用いたアナログ−デジタル変換器
JP5417346B2 (ja) 2008-02-28 2014-02-12 ペレグリン セミコンダクター コーポレーション 集積回路素子内でキャパシタをデジタル処理で同調するときに用いられる方法及び装置
US20100102872A1 (en) * 2008-10-29 2010-04-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dynamic Substrate Bias for PMOS Transistors to Alleviate NBTI Degradation
US8723260B1 (en) 2009-03-12 2014-05-13 Rf Micro Devices, Inc. Semiconductor radio frequency switch with body contact
US20100321094A1 (en) * 2010-08-29 2010-12-23 Hao Luo Method and circuit implementation for reducing the parameter fluctuations in integrated circuits
US9590674B2 (en) 2012-12-14 2017-03-07 Peregrine Semiconductor Corporation Semiconductor devices with switchable ground-body connection
US20150236748A1 (en) 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction
US9406695B2 (en) 2013-11-20 2016-08-02 Peregrine Semiconductor Corporation Circuit and method for improving ESD tolerance and switching speed
US9831857B2 (en) 2015-03-11 2017-11-28 Peregrine Semiconductor Corporation Power splitter with programmable output phase shift
US9948281B2 (en) 2016-09-02 2018-04-17 Peregrine Semiconductor Corporation Positive logic digitally tunable capacitor
US10886911B2 (en) 2018-03-28 2021-01-05 Psemi Corporation Stacked FET switch bias ladders
US10236872B1 (en) 2018-03-28 2019-03-19 Psemi Corporation AC coupling modules for bias ladders
US10505530B2 (en) 2018-03-28 2019-12-10 Psemi Corporation Positive logic switch with selectable DC blocking circuit
KR102105945B1 (ko) * 2018-12-10 2020-04-29 포항공과대학교 산학협력단 의사 상보성 로직 네트워크
US11476849B2 (en) 2020-01-06 2022-10-18 Psemi Corporation High power positive logic switch

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5241175B2 (ko) * 1974-05-09 1977-10-17
DE3226339C2 (de) * 1981-07-17 1985-12-19 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa Analoge Schaltervorrichtung mit MOS-Transistoren
EP0297276B1 (de) * 1987-06-10 1992-03-18 Siemens Aktiengesellschaft Generatorschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
KR940006998B1 (ko) 1994-08-03
JPH0746511B2 (ja) 1995-05-17
JPH04355298A (ja) 1992-12-09
US5157279A (en) 1992-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920022295A (ko) 높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버
KR910017773A (ko) 버퍼 회로
KR930003540A (ko) 노이즈가 억제되는 데이타 출력 버퍼
KR940017201A (ko) 데이타 출력 버퍼
KR900002558A (ko) 출력회로
KR910001746A (ko) 메모리 소자내의 센스 앰프 드라이버
KR970051131A (ko) 반도체 메모리의 센스 앰프 출력 제어 회로
KR940017190A (ko) 입력버퍼
KR910002127A (ko) 전원절환회로
KR950013042A (ko) 역 턴-오프장치를 포함하는 점진적으로 온되어지는 출력버퍼회로
KR890007430A (ko) 반도체 장치의 출력회로
KR940025178A (ko) 데이터 출력회로
KR970072379A (ko) 신호 전송용의 긴 내부 배선을 구비한 cmos 논리 집적 회로
KR940020690A (ko) 저전력소모 및 고속 노아게이트 집적회로
KR100422821B1 (ko) 출력 버퍼 장치
KR850004690A (ko) 펄스 발신 회로
KR910002083A (ko) 출력회로
KR930001208A (ko) 저잡음 데이타 출력 버퍼
KR970008891A (ko) 반도체 소자의 출력버퍼 회로
KR940010511A (ko) 반도체 장치의 출력 포트회로
KR970013727A (ko) 출력버퍼 회로
KR960043517A (ko) 외부전압에 능동적인 입력버퍼
KR960030548A (ko) 입/출력버퍼회로
KR970078009A (ko) 반도체 메모리 장치의 입력 버퍼
KR950022111A (ko) 고속 칩 선택 버퍼

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J2X1 Appeal (before the patent court)

Free format text: APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL

G160 Decision to publish patent application
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080729

Year of fee payment: 15

LAPS Lapse due to unpaid annual fee