KR920022295A - 높은 출력 이득을 얻는 데이타 출력 드라이버 - Google Patents
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Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 데이타 출력 드라이버의 실시예,
제4도는 본 발명에 따른 데이타 출력 드라이버의 타이밍도,
제5도는 본 발명에 따른 데이타 출력 드라이버의 수직 단면도.
Claims (6)
- 서로 상보적인 논리레벨을 가지는 한쌍의 신호를 각각의 게이트로 받는 제1 및 제2출력 트랜지스터를 가지는 데이타 출력 드라이버에 있어서, 상기 신호가 제1상태에 있는 경우에는 상기 제1출력 트랜지스터의 벌크에 제1신호를 공급하고 상기 신호가 제2상태에 있는 경우에는 상기 제1출력 트랜지스터의 벌크에 제2신호를 공급하는 정전압 수단을 구비함을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
- 제1항에 있어서, 상기 제1신호가 상기 제1상태에 있으며, 상기 제2신호가 상기 제2상태에 있음을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
- 제1항에 있어서, 상기 정전압 수단이 상기 제1출력 트랜지스터의 게이트에 연결된 입력라인과, 상기 입력라인에 게이트가 접속되고 전원전압단과 상기 제1출력 트랜지스터의 벌크 사이에 채널이 연결된 풀업 트랜지스터와, 상기 입력라인에 게이트가 연결되고 상기 벌크의 접지전압단 사이에 채널이 연결된 풀다운 트랜지스터를 구비함을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
- 제3항에 있어서, 상기 입력라인과 접지전압단 사이에 연결되고 상기 입력라인의 전위가 소정 레벨 이하인 경우에 소정의 바이어스를 상기 입력라인에 공급하는 수단이 더 구비됨을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
- 서로 상보적인 논리레벨을 가지는 한쌍의 신호를 각각의 게이트로 받는 제1 및 제2출력 트랜지스터를 가지는 데이타 출력 드라이버에 있어서, 상기 제1출력 트랜지스터의 게이트에 연결된 입력라인과, 상기 입력라인에 게이트가 접속되고 전원전압단과 상기 제1출력 트랜지스터의 벌크 사이에 채널이 연결된 풀업 트랜지스터와, 상기 입력라인에 게이트가 연결되고 상기 벌크와 접지전압단 사이에 채널이 연결된 풀다운 트랜지스터와, 상기 입력라인과 접지전압단 사이에 연결되고 상기 입력라인의 전위가 소정 레벨 이하인 경우에 소정의 바이어스를 상기 입력 라인에 공급하는 수단을 구비함을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.
- 제5항에 있어서, 상기 수단이, 상기 입력라인의 전위가 TTL레벨 2.4V이하인 경우에 상기 입력라인의 전위를 접지전압단으로 방전시킴을 특징으로 하는 데이타 출력 드라이버.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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US5491432A (en) * | 1992-08-07 | 1996-02-13 | Lsi Logic Corporation | CMOS Differential driver circuit for high offset ground |
US5338978A (en) * | 1993-02-10 | 1994-08-16 | National Semiconductor Corporation | Full swing power down buffer circuit with multiple power supply isolation |
US5406140A (en) * | 1993-06-07 | 1995-04-11 | National Semiconductor Corporation | Voltage translation and overvoltage protection |
JP3085130B2 (ja) * | 1995-03-22 | 2000-09-04 | 日本電気株式会社 | ドライバ回路 |
DE19622646B4 (de) * | 1995-06-06 | 2005-03-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki | Integrierte Halbleiterschaltungsvorrichtung |
US6097223A (en) * | 1996-12-11 | 2000-08-01 | Micron Technology, Inc. | Drive-current modulated output driver |
US5933047A (en) * | 1997-04-30 | 1999-08-03 | Mosaid Technologies Incorporated | High voltage generating circuit for volatile semiconductor memories |
US5939936A (en) * | 1998-01-06 | 1999-08-17 | Intel Corporation | Switchable N-well biasing technique for improved dynamic range and speed performance of analog data bus |
JPH11355123A (ja) * | 1998-06-11 | 1999-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 動的しきい値mosトランジスタを用いたバッファ |
US6239649B1 (en) * | 1999-04-20 | 2001-05-29 | International Business Machines Corporation | Switched body SOI (silicon on insulator) circuits and fabrication method therefor |
JP3501705B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2004-03-02 | 沖電気工業株式会社 | ドライバー回路 |
US6680650B2 (en) | 2001-01-12 | 2004-01-20 | Broadcom Corporation | MOSFET well biasing scheme that migrates body effect |
US6804502B2 (en) | 2001-10-10 | 2004-10-12 | Peregrine Semiconductor Corporation | Switch circuit and method of switching radio frequency signals |
JP4321678B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2009-08-26 | パナソニック株式会社 | 半導体集積回路 |
US20050062511A1 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-24 | International Business Machines Corporation | Electronic delay element |
WO2006002347A1 (en) | 2004-06-23 | 2006-01-05 | Peregrine Semiconductor Corporation | Integrated rf front end |
TWI263404B (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-01 | Novatek Microelectronics Corp | Electronic switch and the operating method of transistor |
US7910993B2 (en) | 2005-07-11 | 2011-03-22 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink |
US8742502B2 (en) | 2005-07-11 | 2014-06-03 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
USRE48965E1 (en) | 2005-07-11 | 2022-03-08 | Psemi Corporation | Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge |
US20080076371A1 (en) | 2005-07-11 | 2008-03-27 | Alexander Dribinsky | Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches |
US9653601B2 (en) | 2005-07-11 | 2017-05-16 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction |
JP4498398B2 (ja) * | 2007-08-13 | 2010-07-07 | 株式会社東芝 | 比較器及びこれを用いたアナログ−デジタル変換器 |
EP3346611B1 (en) | 2008-02-28 | 2021-09-22 | pSemi Corporation | Method and apparatus for use in digitally tuning a capacitor in an integrated circuit device |
US20100102872A1 (en) * | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dynamic Substrate Bias for PMOS Transistors to Alleviate NBTI Degradation |
US8723260B1 (en) | 2009-03-12 | 2014-05-13 | Rf Micro Devices, Inc. | Semiconductor radio frequency switch with body contact |
US20100321094A1 (en) * | 2010-08-29 | 2010-12-23 | Hao Luo | Method and circuit implementation for reducing the parameter fluctuations in integrated circuits |
US9590674B2 (en) | 2012-12-14 | 2017-03-07 | Peregrine Semiconductor Corporation | Semiconductor devices with switchable ground-body connection |
US20150236748A1 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-20 | Peregrine Semiconductor Corporation | Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction |
US9406695B2 (en) | 2013-11-20 | 2016-08-02 | Peregrine Semiconductor Corporation | Circuit and method for improving ESD tolerance and switching speed |
US9831857B2 (en) | 2015-03-11 | 2017-11-28 | Peregrine Semiconductor Corporation | Power splitter with programmable output phase shift |
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US10886911B2 (en) | 2018-03-28 | 2021-01-05 | Psemi Corporation | Stacked FET switch bias ladders |
US10236872B1 (en) | 2018-03-28 | 2019-03-19 | Psemi Corporation | AC coupling modules for bias ladders |
US10505530B2 (en) | 2018-03-28 | 2019-12-10 | Psemi Corporation | Positive logic switch with selectable DC blocking circuit |
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---|---|---|---|---|
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