KR920015628A - 집적 회로 디바이스용 칩상 변화 검출회로 및 방법 - Google Patents

집적 회로 디바이스용 칩상 변화 검출회로 및 방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

집적 회로 디바이스용 칩상 변화 검출회로 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 예시적인 변화 검출 바이폴라 회로의 개략도, 제2도는 예시적인 변화 검출 MOSFET 회로의 개략도, 제3도는 변화 검출 바이폴라 회로를 갖고 있는 예시적인 변화 보상 전압 레귤레이터의 개략도, 제4도는 변화 보상 전류원 제어 회로를 갖고 있는 예시적인 TTL/MOS 출력 셀의 개략도, 제5도는 제4도의 출력 셀에 변화 보상 바이어스 전압을 제공하기 위한 예시적인 변화 검출 및 보상 MOSFET 회로의 개략도, 제6a도 내지 제6c도는 제조 공정 변화를 검출하기 위해 상이한 구성 부품들을 사용하는 예시적인 변화 검출 회로의 개략도.

Claims (27)

  1. 제조공정 변화로부터의 결과와 같은 선택된 집적 회로(IC)구성부품의 변화를 검출하기 위한 칩상 변화 검출 방법에 있어서, 검출 회로의 동작 응답이 공칭 및 크기 증가 검출 구성부품의 각각의 변화 효과에 좌우되도록 최소한 1개의 공칭 검출 구성부품 및 최소한 1개의 크기 증가 검출 구성부품을 포함하는 IC 검출 회로를 제조하는 단계, 및 상기 검출회로의 동작 응답을 검출하고 상기 응답과 대응하는 IC 구성부품과 관련된 변화를 표시하는 변화 지시 신호로 변환시키는 단계를 포함하고, 상기 공칭 검출 구성부품이 대응하는 IC 구성부품에 대한 공칭 크기에 대응하는 크기로 제조되며, 상기 크기 증가 검출 구성부품이 상기 공칭 검출 구성부품 보다 IC 구성부품 변화에 의해 상당히 덜 영향을 받는 대응하는 IC 구성부품에 대한 대응 공칭 크기보다 상당히 큰 최소한 한 크기로 제조되는 것을 특징으로 하는 칩상 변화 검출 방법.
  2. 제1항에 있어서, IC 구성부품 변화가 상기 공칭 및 크기 증가 검출 구성부품에 대응하는 IC 구성부품과 관련된 제조공정 변화로부터 최초로 발생하는 것을 특징으로 하는 변화 검출 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 최소한 1개의 공칭 검출 구성부품이 공칭 크기를 갖는 저항기이고, 상기 크기 증가 검출 구성부품이 공칭 너비 보다 상당히 긴 저항기 너비를 갖는 저항기인 것을 특징으로 하는 변화 검출 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 최소한 1개의 공칭 검출 구성부품이 공칭 게이트 길이를 갖는 MOSFET 트랜지스터이고, 상기 최소한 1개의 크기 증가 검출 구성부품이 공칭 길이 보다 상당히 긴 게이트 길이를 갖는 MOSFET 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 변화 검출 방법.
  5. 제1항에 있어서, 변화 지시 신호에 응답하여 상기 집적 회로에 관련된 변화를 보상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 변화 검출 방법.
  6. 제조공정 변화로부터의 결과와 같은 직접회로(IC) 구성부품의 변화를 검출하기 위한 칩상 변화 검출 회로에 있어서, 최소한 1개의 공칭 검출 구성부품 및 최소한 1개의 크기 증가 검출 구성부품을 포함하고 IC 구성부품과 관련된 변화를 표시하는 변화 지시 신호를 발생시키는 검출 회로를 포함하고, 상기 공칭 검출 구성부품이 유사한 IC 구성부품의 공칭 크기에 대응하는 크기를 갖고, 상기 검출 회로의 동작 응답이 공칭 및 크기 증가 검출 구성부품의 각각의 변화 효과에 좌우되도록, 상기 크기 증가 검출 구성부품이 상기 공정 검출 구성부품 보다 IC 구성부품 변화에 의해 상당히 덜 영향을 받는 유사한 IC 구성부품에 대한 대응 공칭 크기 보다 상당히 큰 최소한 한 크기로 제조되는 것을 특징으로 하는 칩상 변화 검출 회로.
  7. 제6항에 있어서, IC 구성부품 변화가 상기 공칭 및 크기 증가 검출 구성부품에 대응하는 IC 구성부품과 관련된 제조공정 변화로부터 최초로 방생하는 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  8. 제6항에 있어서, 상기 최소한 1개의 공칭 검출 구성부품이 공칭 크기를 갖는 저항기이고, 상기 크기 증가 검출 구성부품이 공칭 너비 보다 상당히 긴 저항기 너비를 갖는 저항기인 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 검출 회로가 상기 변화 지시 신호를 제공하는 상기 크기 증가 검출 저항기에 대하여 상기 공칭 검출 저항기 양단에 걸린 전압에 응답하는 전압원을 포함하는 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  10. 제8항에 있어서, 상기 검출 회로가, 상기 검출 저항기의 너비 변화가 상기 공칭 및 크기 증가 검출 저항기 양단에 걸린 각각의 전압 변화를 발생하도록 구성된 상기 공칭 검출 저항기 및 상기 크기 증가 검출 저항기를 포함하는 저항기 브리지를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  11. 제6항에 있어서, 상기 최소한 1개의 공칭 검출 구성부품이 공칭 게이트 길이를 갖는 MOSFET 트랜지스터이고, 상기 최소한 1개의 크기 증가 검출 구성부품이 공칭 길이 보다 상당히 긴 게이트 길이를 갖는 MOSFET 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 검출 회로가 구성부품 변화에 의해 발생되는 상기 공칭 및 크기 증가 검출 MOSFET 양단에 걸친 게이트/소오스 전압의 상대 차이에 응답하여 상기 변화지시 신호를 제공하는 전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  13. 제11항에 있어서, 상기 검출 회로가, 게이트 길이 변화가 상기 검출 트랜지스터에 대한 게이트/소오스 전압의 각각의 차이를 발생하도록 구성된 상기 공칭 검출 MOSFET 트랜지스터 및 상기 크기 증가 검출 MOSFET 트랜지스터를 포함하는 트랜지스터 회로망을 포함하는 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  14. 제6항에 있어서, IC 구성부품 변화에 대한 선택적 보상도를 표시하는 출력을 제공하기 위해 변화 지시 신호에 응답하는 보상 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  15. 제14항에 있어서, 상기 보상 회로가 변화 보상 전압 출력을 제공하기 위해 상기 변화 지시 신호에 응답하는 전압원을 포함하는 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  16. 제14항에 있어서, 상기 보상 회로가 변화 보상 전류 출력을 제공하기 위해 상기 변화 지시 신호에 응답하는 전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 변화 검출 회로.
  17. 각각의 HL 및 LH MOSFET 전유원에 의해 제어되는 HI/LO 및 LO/HI 바이폴라 출력 트랜지스터를 포함하는 집적 회로 기판 상에 제조되는 최소한 1개의 출력 셀, 및 MOSFET 구성부품의 변화를 검출하고 상기 HL 및 LH 전류원을 제어하도록 각각의 HL 및 LH변화 보상 신호를 제공하기 위한 변화 보상 회로를 포함하고, 상기 변화 보상 회로가, 상기 변화 보상 회로의 변화 보상 신호 출력이 상기 공칭 및 크기 증가 검출 MOSFET의 각각의 변화 효과에 좌우되도록, 상기 크기 증가 MOSFET가 상기 공칭 MOSFET 보다 IC 구성부품 변화에 의해 상당히 덜 영향을 받는 공칭 길이보다 상당히 긴 크기 증가 게이트 길이를 갖는 최소한 1개의 크기 증가 검출 MOSFET 및 공칭 게이트 길이를 갖는 최소한 1개의 공칭 검출 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 변화 보상 출력셀을 갖고 있는 집적회로.
  18. 제17항에 있어서, 상기 변화 보상 회로가 구성부품 변화에 의해 발생되는 상기 공칭 및 크기 증가 검출 MOSFET 양단에 걸린 게이트/소오스 전압의 상대 차이에 응답하여 상기 변화 보상 신호를 제공하기 위해 상기 공칭 및 크기 증가 검출 MOSFET에 결합된 변화 보상 전류원을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  19. 제18항에 있어서, 상기 변화 보상 전류원이 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  20. 제18항에 있어서, 상기 변화 보상 회로가, 상기 변화 보상 전류원에 결합된 전류 미러 구성부품, 및 MOSFET가 상기 전류 미러 구성부품에 전류를 공급하고 그것의 게이트 전압이 변화 보상 신호를 제공하도록 상기 전류 미러 구성부품에 결합된 게이트 및 드레인을 갖고 있는 출력 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  21. 제20항에 있어서, 상기 전류 미러 구성부품이 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  22. 제20항에 있어서, 상기 전류 미러 구성부품에 공급되는 전류의 변하를 발생시키는 MOS 공정 및 전압 공급 변화가 게이트 전압의 변화로 미러화시켜 변화 보상 신호를 제공하는 상기 출력 MOSFET에 의해 공급되는 반대 전류의 변화로써 평형을 이루도록 그라운드에 결합된 게이트 및 상기 전류 미러 구성부품에 결합된 드레인을 갖고 있는 분로 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  23. 저항기 구성부품의 변화를 검출하고 집적 회로용 변화 보상 전압을 제공하기 위해 변화 보상 전압원을 갖고 있는 집적 회로에 있어서, 최소한 1개의 바이폴 라 트랜지스터, 및 콜렉터 전압이 변화 보상 전압을 제공하도록상기 바이폴라 트랜지스터에 결합된 변화 검출 저항기 브리지를 포함하고, 상기 변화 검출 저항기 브리지가, 상기 변화 보상 회로의 변화 보상 신호 출력이 공칭 및 크기 증가 검출 저항기의 각각의 변화 효과에 좌우되도록, 상기 크기 증가 저항기가 상기 공칭 저항기 보다 IC 구성부품 변화에 의해 상당히 덜 영향을 받는 공칭 너비보다 상당히 큰 너비를 갖는 최소한 1개의 크기 증가 검출 저항기 및 최소한 1개의 공칭 검출 저항기를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  24. MOSFET 구성부품의 변화를 검출하고 집적 회로용 변화 보상 전압을 제공하기 위해 변화 보상 전압원을 갖고 있는 집적 회로에 있어서, 집적회로 기판 상에 제조되는 전류원, 및 MOSFET가 상기 전류원으로부터 전류를 공급받고 그것의 게이트 전압이 변화 보상 전압을 제공하도록 상기 전류원에 결합된 게이트 및 게이트를 갖고 있는 출력 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  25. 제24항에 있어서, 상기 전류 미러 구성부품이 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  26. 제24항에 있어서, 상기 전류원에 공급되는 전류의 변화를 발생시키는 변화가 게이트 전압의 변화로 미러화시켜 변화 보상 전압을 제공하는 상기 출력 MOSFET에 의해 공급되는 반대 전류의 변화로써 평형을 이루도록 그라운드에 결합된 게이트 및 상기 전류원에 결합된 드레인을 갖고 있는 분로 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로.
  27. 제조 공정 변화로부터의 결과와 같은 집적회로(IC) 구성부품의 변화를 검출하기 위한 칩상 변화 검출 회로에 있어서, 최소한 제1 및 제2검출 구성부품을 포함하고 대응하는 변화 지시 신호를 발생시키는 검출 회로, 및 상기 검출 회로의 동작응답이 상기 제1 및 제2검출 구성부품의 각각의 변화 효과에 좌우되도록 제조공정 변화에 의한 예견가능한 상대 변화를 갖는 각각의 검출 부품을 포함하는 것을 특징으로 하는 칩상 변화 검출 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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