KR890015028A - 전류 측정회로 - Google Patents

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KR890015028A
KR890015028A KR1019890002733A KR890002733A KR890015028A KR 890015028 A KR890015028 A KR 890015028A KR 1019890002733 A KR1019890002733 A KR 1019890002733A KR 890002733 A KR890002733 A KR 890002733A KR 890015028 A KR890015028 A KR 890015028A
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resistor
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resistors
inverter
current
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KR1019890002733A
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English (en)
Inventor
나드 브뤼노
Original Assignee
엘리자베드 아삐쯔
에스지에스-톰슨 마이크로일렉트로닉스에스.에이.
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Publication date
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
    • G01R19/145—Indicating the presence of current or voltage
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    • G—PHYSICS
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    • G01R19/00—Arrangements for measuring currents or voltages or for indicating presence or sign thereof
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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

전류 측정회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 해결코저하는 문제점을 예시한 도면,
제2도는 및 제3도는 선행기술이 당면한 문제점에 대한 해결책을 나타낸 도면,
제4도는 본 발명의 회로에 대한 예시도.

Claims (3)

  1. 비반전 입력단이 값(RB)을 갖는 제1저항(23)과 값(R2)을 갖는 제2저항(21)을 통해 접지되고, 상기 두저항의 접합부가(20)가 측정전류(INL)를 받고, 반전 입력단이 값(RA)을 갖는 제3저항(24)과 그리고 공급전압(V2)과 접지사이에 연결된 값(RB)을 갖는 제4저항(25)으로 구성된 분할 브리지로 바이어스되며, 출력이 인버터(26)의 입력단에 연결된 하나의 연산증폭기(22)와; 게이트가 인버터(26)의 출력단에 연결되고, 드레인이 값(R1)을 갖는 제5저항(29)을 통해 전압원(VDD)과 그리고값(RA)을 갖는 제6저항(30)을 통해 연산증폭기의 제1입력단에 열결되고, 소오스가 값(RS)을 갖는 측정저항을 통해 접지되는 하나의 MOS트랜지스터(27)로 구성되고, 제2 및 제4저항은 제1, 제3, 제4 및 제6저항에 비해 낮은 값을 갖고, 연산증폭기의 바이어스 전압과 인버터의 특성이 선택되어 MOS트랜지스터가 측정전류의 부재시에 그 드레시홀드로 바이어스되며, 그 출력전압이 K=RB/(RA+RB)에서 VS=[(1-K)/K][R2/R1][INLRS]인 선형함수로 측정전류와 상관관계를 이루도록 한 것을 특징으로 하는 집적회로용 전류 측정장치.
  2. 제1항에 있어서, 고값을 갖는 저항들은 소오스와 게이트가 서로 연결된 공핍 MOS트랜지스터로 그리고 저값을 갖는 저항들은 다결정 실리콘 저항으로 구성된 것을 특징으로 하는 집접회로용 전류측정장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 측정저항(RS)이 집적회로외부체 연결된 것을 특징으로 하는 집적회로용 전류측정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890002733A 1988-03-07 1989-03-06 전류 측정회로 KR890015028A (ko)

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FR88/03239 1988-03-07
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KR1019890002733A KR890015028A (ko) 1988-03-07 1989-03-06 전류 측정회로

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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5206553A (en) * 1988-06-17 1993-04-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Clamping circuit
JPH01317077A (ja) * 1988-06-17 1989-12-21 Toshiba Corp クランプ回路
JPH03122588A (ja) * 1989-10-05 1991-05-24 Hitachi Medical Corp 放射線検出器，データ収集装置およびこれを用いる放射線ｃｔ装置
FR2656427B1 (fr) * 1989-12-22 1992-03-13 Cit Alcatel Circuit de mesure du niveau d'un signal electrique comprenant des moyens de correction de decalage et application aux amplificateurs a commande automatique de gain.
US5498972A (en) * 1990-08-15 1996-03-12 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson Device for monitoring the supply voltage on integrated circuits
US5175451A (en) * 1990-10-08 1992-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha Biasing circuit for sense amplifier
DE4101492A1 (de) * 1991-01-19 1992-07-23 Telefunken Electronic Gmbh Stromdetektor
KR940004408B1 (ko) * 1991-08-23 1994-05-25 삼성전자 주식회사 반도체 메모리 장치의 자동 스트레스 모드 테스트장치
US5202590A (en) * 1991-11-06 1993-04-13 Intel Corporation Subthreshold sense circuit for clamping an injected current
US5374857A (en) * 1992-05-29 1994-12-20 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Circuit for providing drive current to a motor using a sensefet current sensing device and a fast amplifier
GB2272300B (en) * 1992-11-05 1995-12-13 Smiths Industries Plc Current measurement circuits
GB9223219D0 (en) * 1992-11-05 1992-12-16 Smiths Industries Plc Current measurement cricuits
US5510739A (en) * 1994-03-28 1996-04-23 Motorola, Inc. Circuit and method for enhancing logic transitions appearing on a line
DE19520735C2 (de) * 1995-06-07 1999-07-01 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Erfassen des Laststroms eines Leistungs-Halbleiterbauelementes mit sourceseitiger Last
JPH098637A (ja) * 1995-06-21 1997-01-10 Fujitsu Ltd 半導体装置
DE19729904A1 (de) * 1997-07-12 1999-02-11 Kammerer Gmbh M Schaltungsanordnung zur Überwachung von durch eine Last fließenden Strömen
JP3053006B2 (ja) * 1997-07-15 2000-06-19 日本電気株式会社 フィルタ回路
DE19908635B4 (de) * 1999-02-27 2004-03-25 GKR Gesellschaft für Fahrzeugklimaregelung mbH Anordnung zum Erfassen des Stromes durch einen Meßwiderstand eines Laststromkreises
DE10200650A1 (de) * 2002-01-10 2003-05-28 Infineon Technologies Ag Vorrichtung und Verfahren zur Erfassung eines Laststromes durch eine Last
FR2861179B1 (fr) * 2003-10-21 2006-01-20 Thales Sa Dispositif de mesure non dissipatif du courant dans une inductance
TWI276311B (en) * 2005-07-19 2007-03-11 Wistron Neweb Corp Current detector with variable output voltage level
DE102005051848B4 (de) * 2005-10-28 2008-08-21 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung zur temperaturdriftkompensierten Strommessung
US7532448B2 (en) 2006-10-13 2009-05-12 Advanced Analogic Technologies, Inc. Current limit detector
US7957116B2 (en) 2006-10-13 2011-06-07 Advanced Analogic Technologies, Inc. System and method for detection of multiple current limits
US7672107B2 (en) * 2006-10-13 2010-03-02 Advanced Analogic Technologies, Inc. Current limit control with current limit detector
EP2628236B1 (en) * 2010-10-14 2016-01-06 Koninklijke Philips N.V. Operational state determination apparatus
JP2012251830A (ja) * 2011-06-01 2012-12-20 Toshiba Corp 半導体装置、ｅｃｕ、ｅｃｕを備えた自動車
CN102955070A (zh) * 2011-08-17 2013-03-06 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 电阻测量电路

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3814957A (en) * 1973-02-22 1974-06-04 Beckman Instruments Inc Precision temperature controller
DE2827959C3 (de) * 1978-06-26 1981-01-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Schaltungsanordnung zur Auswertung der von einem Taktgeber abgegebenen glockenförmigen Taktgebersignale verschiedener Amplituden
JPS6012580B2 (ja) * 1980-08-04 1985-04-02 株式会社デンソー 入力バツフア回路装置
JPS5884522A (ja) * 1981-11-16 1983-05-20 Toshiba Corp レベル比較器

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Publication number Publication date
FR2628217A1 (fr) 1989-09-08
DE68904664T2 (de) 1993-09-09
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DE68904664D1 (de) 1993-03-18
JPH0210269A (ja) 1990-01-16
US4910455A (en) 1990-03-20
EP0332547A1 (fr) 1989-09-13

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