KR920015377A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR920015377A
KR920015377A KR1019910022211A KR910022211A KR920015377A KR 920015377 A KR920015377 A KR 920015377A KR 1019910022211 A KR1019910022211 A KR 1019910022211A KR 910022211 A KR910022211 A KR 910022211A KR 920015377 A KR920015377 A KR 920015377A
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잇세이 이노우에
유꼬 오세끼
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시기 모리야
미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤
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    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
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    • GPHYSICS
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 하나의 실시예인 더미사이클 발생회로의 구성을 기능적으로 표시한 블럭도. 제2도는 제1도에 표시한 더미사이클 발생회로의 동작을 표시한 신호파형도. 제3도는 이 발명에 있어서 더미사이클 실행에 있어서 외부 제어신호의 상태를 표시한 파형도.

Claims (1)

  1. 내부회로를 초기화하기 위한 더미사이클(dummy cyde)을 비치한 반도체 기억장치로서, 외부로부터 주어지는 예정된 적어도1개의 신호에 응답하여 더미사이클 지시신호를 발생하기 위한 수단과, 전기더미사이클 지정신호에 응답하여 예정한 회수전기 내부회로를 구동하기 위한 제어신호를 발생하기 위한 수단과를 비치한 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910022211A 1991-01-28 1991-12-05 반도체 기억장치 KR950001428B1 (ko)

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JP91-8653 1991-01-28

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