KR920018755A - 반도체 기억장치 - Google Patents

반도체 기억장치 Download PDF

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KR920018755A
KR920018755A KR1019920002569A KR920002569A KR920018755A KR 920018755 A KR920018755 A KR 920018755A KR 1019920002569 A KR1019920002569 A KR 1019920002569A KR 920002569 A KR920002569 A KR 920002569A KR 920018755 A KR920018755 A KR 920018755A
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KR
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semiconductor memory
serial access
mode setting
setting means
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KR1019920002569A
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Inventor
준꼬 고가와
Original Assignee
시기 모리야
미쓰비시뎅끼 가부시끼가이샤
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1075Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 이 발명의 한실시예에 의한 듀얼포트 메모리(dual boad memory)의 구성을 표시한 블록도면,
제5도는 이 발명의 실시예에 의한 듀얼포트 메모리를 사용하여 화상처리를 행했을때의 구성을 표시한 블록도.

Claims (1)

  1. 랜덤 액세스포트와 시리얼 액세스포트로 이루어진 듀얼포트를 갖고있는 반도체 기억장치에 있어서, 전기 시리얼 엑세스포트를 판독동작에 사용하도록 설정하는 판독모드 설정수단과, 전기시리얼 엑세스포트를 써넣기 동작으로 사용하도록 설정하는 써넣기모드 설정수단과, 하나의 신호를 발생하는 신호발생수단과, 전기발생된 하나의 신호에 응답하여, 설정되고 있는 전기시리얼 액세스포트의 모드를 절환하도록 전기판독모드 설정수단과 전기써넣기모드 설정수단과를 제어하는 제어수단과를 설비한, 반도체 기억장치이다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920002569A 1991-03-01 1992-02-20 듀얼포트 메모리와 그 제어방법 KR950009076B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP91-35795 1991-03-01
JP3035795A JPH04274082A (ja) 1991-03-01 1991-03-01 半導体記憶装置

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KR920018755A true KR920018755A (ko) 1992-10-22
KR950009076B1 KR950009076B1 (ko) 1995-08-14

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100921852B1 (ko) * 2001-06-28 2009-10-13 소니 가부시끼 가이샤 전자 장치, 정보 처리 장치, 어댑터 장치 및 정보 교환 시스템
CN101515263B (zh) * 2001-07-25 2011-05-25 索尼公司 接口装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4541075A (en) * 1982-06-30 1985-09-10 International Business Machines Corporation Random access memory having a second input/output port

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DE4205054A1 (de) 1992-09-03
JPH04274082A (ja) 1992-09-30
KR950009076B1 (ko) 1995-08-14
DE4205054C2 (de) 1994-05-11

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