KR950006858A - 반도체 기억회로 - Google Patents

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KR950006858A
KR950006858A KR1019940017681A KR19940017681A KR950006858A KR 950006858 A KR950006858 A KR 950006858A KR 1019940017681 A KR1019940017681 A KR 1019940017681A KR 19940017681 A KR19940017681 A KR 19940017681A KR 950006858 A KR950006858 A KR 950006858A
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KR
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line pair
potential difference
semiconductor memory
memory circuit
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Application number
KR1019940017681A
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나오끼 미우라
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가나미야지 준
오끼뎅끼 고오교오 가부시끼가이샤
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Dram (AREA)
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Abstract

비트선쌍이 충분히 활성화 되는 것을 감지하여 Y 데토더를 활성화 시키므로서 고속 액세스를 가능케 하고, 또한 셀정보의 파괴를 일으키는 일이 없는 반도체 기억회로를 제공한다.
비트선쌍 BLm,－BLm와 이 비트선상의 전위차를 검지하고 증폭하는 센스앰프(50)과, 소정의 비트선쌍을 선택하는 Y 데코더(ADY)와를 갖는 반도체 기억 회로에 있어서, 상기 센스앰프(50)의 활성화 신호 ΦA, ΦB에 의해 기동하고, 상기 비트선쌍의 전위차가 소정의 크기로 됐을 때 검지신호 P1을 출력하는 비트선쌍 전위차 감지회로(150)을 상기 비크선쌍 BLm,－BLm간에 각각 설치하고, 상기 검지신호 P1에 의해 상기 Y 데코더(ADY)의 선택동작을 제어하는 것이다.

Description

반도체 기억회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도의 (a) 본 발명의 일실시예의 메모리셀 어레이와 그 관련회로의 개략 구성도, (b) Y 데코더와 회로열을 표시하는 도면.
제2도는 비트선상 전위차 감지회로의 회로도.

Claims (1)

  1. 비트선쌍과, 이 비트선쌍의 전위차를 검지하고 증폭하는 센스앰프와, 소정의 비트선쌍을 선택하는 Y 데코더와를 가지는 반도체 기억회로에 있어서, 상기 센스앰프의 활성화 신호에 의해 기동하고, 상기 비트선쌍의 전위차가 소정의 크기로 됐을 때 검지신호를 출력하는 비트선상 전위차 감지회로를 상기 비트선쌍간에 각각 설치하고, 상기 검지신호에 의해 Y 데코더의 선택동작을 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940017681A 1993-08-10 1994-07-21 반도체 기억회로 KR950006858A (ko)

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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0172368B1 (ko) * 1995-09-29 1999-03-30 김광호 저전력 반도체 메모리 장치
US5883838A (en) * 1996-01-19 1999-03-16 Stmicroelectronics, Inc. Device and method for driving a conductive path with a signal
US5684750A (en) * 1996-03-29 1997-11-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device with a sense amplifier including two types of amplifiers
JP2927243B2 (ja) * 1996-07-11 1999-07-28 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US6032274A (en) * 1997-06-20 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for compressed data testing of more than one memory array
US5935263A (en) * 1997-07-01 1999-08-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for memory array compressed data testing
US5809038A (en) * 1997-07-24 1998-09-15 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reading compressed test data from memory devices
US5959921A (en) * 1997-07-24 1999-09-28 Micron Technology, Inc. Sense amplifier for complement or no-complementary data signals
FR2774209B1 (fr) * 1998-01-23 2001-09-14 St Microelectronics Sa Procede de controle du circuit de lecture d'un plan memoire et dispositif de memoire correspondant
US6295618B1 (en) 1998-08-25 2001-09-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for data compression in memory devices
DE19963502B4 (de) * 1999-12-28 2008-01-03 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung für einen integrierten Halbleiterspeicher mit Spaltenzugriff

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4952826A (en) * 1985-07-05 1990-08-28 Nec Corporation Signal input circuit utilizing flip-flop circuit
JPH07111823B2 (ja) * 1986-03-18 1995-11-29 三菱電機株式会社 半導体記憶装置
US5132930A (en) * 1986-07-31 1992-07-21 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha CMOS dynamic memory device having multiple flip-flop circuits selectively coupled to form sense amplifiers specific to neighboring data bit lines
US4807195A (en) * 1987-05-18 1989-02-21 International Business Machines Corporation Apparatus and method for providing a dual sense amplifier with divided bit line isolation
JP2618938B2 (ja) * 1987-11-25 1997-06-11 株式会社東芝 半導体記憶装置
JPH03207088A (ja) * 1990-01-09 1991-09-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ
JP2611504B2 (ja) * 1990-06-15 1997-05-21 日本電気株式会社 半導体メモリ

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