KR910016064A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

반도체 집적회로 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR910016064A
KR910016064A KR1019910002245A KR910002245A KR910016064A KR 910016064 A KR910016064 A KR 910016064A KR 1019910002245 A KR1019910002245 A KR 1019910002245A KR 910002245 A KR910002245 A KR 910002245A KR 910016064 A KR910016064 A KR 910016064A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wiring
redundant
integrated circuit
logic gate
semiconductor integrated
Prior art date
Application number
KR1019910002245A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0156531B1 (ko
Inventor
미끼 마스모또
히로시 가와모또
Original Assignee
미다 가쓰시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미다 가쓰시게, 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼 filed Critical 미다 가쓰시게
Publication of KR910016064A publication Critical patent/KR910016064A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0156531B1 publication Critical patent/KR0156531B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/118Masterslice integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 게이트어레이 집적회로의 제1실시예를 도시한 부분적인 확대배치도, 제2도는 제1도의 게이트어레이 집적회로에서의 결합구제의 1예를 도시한 접속도, 제3도는 제1도의 게이트어레이 집적회로에서의 결함구제의 다른 1예를 도시한 접속도.

Claims (17)

  1. 반도체기판의 주표면에 형성되는 다수의 논리게이트 회로, 상기 다수의 논리게이트회로중 소정의 논리게이트회로를 서로 결합하기위해 형성되는 배선및 상기 배선중 결함이 있는 배선대신에 사용되는 제1의 용장배선을 포함하고, 상기 배선 및 용장배선은 상기 반도체기판의 주표면에 형성되는 반도체 집적회로장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 배선은 제1의 좌표축방향에 따라서 형성되는 제1의 배선군과 상기 제1의 좌표축 방향과 직교하는 방향인 제2의 좌표축방향에 따라서 형성되는 제2의 배선군을 갖고, 상기 제1의 배선군을 구성하는 각 배선은 각각 대응하는 논리게이트회로의 입력단자 또는 출력단자에 결합되고, 상기 제2의 배선군을 구성하는 각 배선은 상기 제1의 배선군을 구성하는 각 배선중 다수의 배선에 결합되는 반도체 집적회로장치.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 제1의 용장배선은 상기 제2의 좌표축방향에 따라서 형성되고, 상기 제1의 배선군을 구성하는 배선중 결함이 있는 배선대신에 사용되는 반도체 집적회로 장치.
  4. 특허청구의 범위 제3항에 있어서, 상기 제1의 용장배선은 상기 제1의 배선군과 교차에서 형성되는 반도체 집적회로 장치.
  5. 특허청구의 범위 제4항에 있어서, 또 상기 제1의 좌표축방향에 따라서 형성되고, 상기 제1의 배선군을 구성하는 배선중 결함이 있는 배선대신에 사용되는 제2의 용장배선을 포함하는 반도체 집적회로 장치.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 제2의 용장배선은 상기 제1의 용장배선과 교차해서 형성되는 반도체 집적회로 장치.
  7. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 또 상기 제1의 용장배선에 따라서 형성되는 제3의 용장배선 및 상기 제2의 용장배선에 따라서 형성되는 제4의 용장배선을 포함하는 반도체 집적회로장치.
  8. 특허청구의 범위 제7항에 있어서, 상기 반도체 기판의 주표면에는 상기 다수의 논리게이트회로가 형성되는 제1의 영역과 상기 배선이 형성되는 제2의 영역을 갖는 반도체 집적회로장치.
  9. 반도체기판의 주표면에 형성되는 다수의 논리 게이트회로, 상기 다수의 논리게이트회로중 소정의 논리게이트회로를 서로 결합하기위해 형성되는 배선, 상기 다수의 논리게이트회로중 결함이 있는 논리게이트회로 대신에 사용되는 용장논리게이트회로 및 상기 다수의 논리게이트회로중 소정의 논리게이트회로와 상기 용장 논리게이트회로를 결합하기 위해 형성되는 제1의 용장배선을 포함하는 반도체 집적회로장치.
  10. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 배선은 제1의 좌표측방향에 따라서 형성되는 제1의 배선군과 상기 제1의 좌표축방향과 직교하는 방향인 제2의 좌표축방향에 따라서 형성되는 제2의 배선군을 갖고, 상기 제1의 배선군을 구성하는 각 배선은 각각 대응하는 논리게이트회로의 입력단자 또는 출력단자에 결합되고 상기 제2의 배선군을 구성하는 각 배선은 상기 제1의 배선군을 구성하는 각 배선중의 다수의 배선에 결합되는 반도체 집적회로장치.
  11. 특허청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 제1의 용장배선은 상기 제2의 좌표축방향에 따라서 형성되는 반도체 집적회로장치.
  12. 특허청구의 범위 제11항에 있어서, 상기 제1의 용장배선은 상기 제1의 배선군과 교차해서 형성되는 반도체 집적회로장치.
  13. 특허청구의 범위 제12항에 있어서, 또 상기 제1의 좌표축방향에 따라서 형성되고, 상기 용장 논리게이트회로의 입력단자 또는 출력단자에 결합되는 제2의 용장배선을 포함하는 반도체 집적회로장치.
  14. 특허청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 제2의 용장배선은 상기 제1의 용장배선과 교차해서 형성되는 반도체 집적회로장치.
  15. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 또 결함이 있는 워드선 또는 데이타선 대신에 사용되는 용장워드선 또는 용장데이타선을 마련하는 메모리를 포함하는 반도체 집적회로장치.
  16. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 또 결함이 있는 메모리셀 대신에 사용되는 용장메모리셀을 마련하는 메모리를 포함하는 반도체 집적회로장치.
  17. 특허청구의 범위 제9항에 있어서, 상기 반도체기판의 주표면에는 상기 다수의 논리게이트회로가 형성되는 제1의 영역과 상기 배선이 형성되는 제2의 영역을 갖는 반도체 집적회로장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910002245A 1990-02-14 1991-02-11 반도체 집적회로 장치 KR0156531B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2-33428 1990-02-14
JP2033428A JPH03236263A (ja) 1990-02-14 1990-02-14 半導体集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR910016064A true KR910016064A (ko) 1991-09-30
KR0156531B1 KR0156531B1 (ko) 1998-12-01

Family

ID=12386283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910002245A KR0156531B1 (ko) 1990-02-14 1991-02-11 반도체 집적회로 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5323033A (ko)
JP (1) JPH03236263A (ko)
KR (1) KR0156531B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003060049A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
DE102006047388A1 (de) * 2006-10-06 2008-04-17 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung
DE102009009442A1 (de) 2009-02-18 2010-09-09 Polylc Gmbh & Co. Kg Organische Elektronikschaltung
US8276105B2 (en) * 2009-09-18 2012-09-25 International Business Machines Corporation Automatic positioning of gate array circuits in an integrated circuit design

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6047441A (ja) * 1983-08-26 1985-03-14 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPH0817039B2 (ja) * 1988-08-19 1996-02-21 株式会社東芝 半導体メモリセル
US4974048A (en) * 1989-03-10 1990-11-27 The Boeing Company Integrated circuit having reroutable conductive paths
US5166556A (en) * 1991-01-22 1992-11-24 Myson Technology, Inc. Programmable antifuse structure, process, logic cell and architecture for programmable integrated circuits

Also Published As

Publication number Publication date
US5323033A (en) 1994-06-21
KR0156531B1 (ko) 1998-12-01
JPH03236263A (ja) 1991-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960009059A (ko) 집적회로의 페어를 이루는 라인 도전체들의 단일 트위스트 레이아웃 및 방법
KR890004321A (ko) 로직마크로 및 랜덤억세스메모리 마크로를 구비한 반도체 집적회로장치
KR950024348A (ko) 반도체 집적회로
KR950010093A (ko) 다이나믹형 반도체 기억장치
KR840003146A (ko) 다이나믹(Dynamic) RAM 집적회로 장치
KR970063679A (ko) 집적회로내에 금속 상호 접속선을 배선하는 방법 및 이에 의해 제조된 집적회로
KR900003889A (ko) 반도체 메모리회로
US6272061B1 (en) Semiconductor integrated circuit device having fuses and fuse latch circuits
KR930020447A (ko) 반도체 메모리 장치의 비트라인 프리차아지방식
KR950010098A (ko) 반도체 기억장치
KR970051163A (ko) 반도체 메모리장치
KR910016064A (ko) 반도체 집적회로 장치
KR860004408A (ko) 반도체 메모리 장치
US5195054A (en) Semiconductor memory
KR900017165A (ko) 스탠다드셀방식의 반도체집적회로
KR940018985A (ko) 테스트 회로를 갖는 반도체 메모리 장치(Semiconductor Memory Device Having Test Circuit)
KR930006731A (ko) 반도체 메모리
KR100211768B1 (ko) 삼중 금속층을 가지는 반도체 메모리 장치
US4924440A (en) MOS gate array devices
KR930003164A (ko) 반도체메모리 리던던시 장치
KR970008173A (ko) 수율개선을 위하여 배치된 워드라인을 갖는 반도체 기억장치
JP3020614B2 (ja) 半導体記憶装置
JP3037020B2 (ja) 半導体集積回路装置
KR890002888A (ko) 반도체 집적회로장치
KR940012639A (ko) 스태틱램(ram)

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee