KR910001516A - 반도체 장치 및 정보를 판독 또는 기입하기 위한 판독 또는 기입장치 - Google Patents

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KR910001516A
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페트루스 마리아 비에르호프 마르티누스
프란시스쿠스 페트루스 반 밀 욥
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프레데릭 얀 스미트
엔.브이.필립스 글로아이람펜파브리켄
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치 및 정보를 판독 또는 기입하기 위한 판독 또는 기입장치 [도면의 간단한 설명]
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1 도는 본 발명에 따른 반도체 장치 제1실시예의 사시도,
제 2 도는 제 1 도의 반도체 장치를 라인 Ⅱ-Ⅱ에 따라 자른 단면도,
제 3 도는 본 발명의 사시도에 따른 반도체 장치의 제2실시도예 도시도.

Claims (10)

  1. 에미터 영역 및 제1전도성 타입의 콜렉터 영역과 제2역전도성 타입의 층간 배치된 베이스 영역을 갖는 트랜지스터를 구비하고 상기 트랜지스터의 베이스 영역과 전도적으로 접속되어 있는 정류 접합을 갖는 방사 감지 영역을 구비하는 방사 감지 소자로 제공된 반도체 본체를 가진 반도체 장치에 있어서, 상기 방사 감지 영역은 적어도 제1보조 영역과 제2보조 영역을 구비하는 것과, 상기 트랜지스터는 베이스 영역이 보조 영역과 분리적으로 접속되고 콜렉터 영역 C.q. 에미터 영역이 층간 접속되어 있는 적어도 두 개의 서브 트랜지스터로 재분활되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 제2방사 감지 보조 영역은 제1방사 감지 보조 영역보다 작은 면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 반도체 장치는 유사한 제2방사 감지 소자를 가지며, 양쪽 소자의 방사 감지 보조 영역은 열로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 2 및 3항에 있어서, 열에 있어서, 외부 보조 영역은 제1보조영역이고 내부 보조 영역은 제2보조 영역으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  5. 제 2,3 또는 4항에 있어서, 세로축상의 열과 반대로 제3 및 제4 방사 감지소자에 대해 방사 감지 보조영역의 적어도 거의 유사한 제2열이 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 방사 감지 소자의 베이스 영역은 방사 감지 보조 영역을 구비하는 것과 에미터 영역은 베이스 영역내의 열의 포커싱 세로측상에 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  7. 선행항중 한항에 있어서, 상기 장치는 제2방사 감지 보조 영역이 위치되어 있는 중심 부분을 제1방사 감지 보조 영역이 둘러싸고 있는 적어도 4개의 방사 감지 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  8. 제 1내지 5항 또는 제 7항중 한 항에 있어서, 상기 장치는 베이스 영역 및 방사 감지 보조 영역이 상호적으로 분리되도록, 반도체 본체에 위치되어 있는 적어도 2개의 방사 감지 소자를 구비하며, 상기 베이스 영역이 방사 감지 베이스 영역보다 많이 서로 밀접하게 평균하여 위치되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  9. 선행항중 한항에 있어서, 제2방사 감지 보조 영역은 상호적으로 절연된 또한 서브 트랜지스터의 베이스 영역에 각각 분리적으로 접속된 또한 서브 영역으로 재분활되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  10. 광학 또는 자기 광학 기록 시스템내의 정보를 판독 또는 기입하기 위한 판독 또는 기입 장치에 있어서, 상기 장치는 선행항중 한항으로 청구된 바와 같은 반도체 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 정보를 판독 또는 기입하기 위한 판독 또는 기입 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900007834A 1989-06-02 1990-05-30 트랜지스터 및 감광 영역을 포함하는 감광 소자가 반도체 몸체부에 제공된 반도체 장치 KR100197772B1 (ko)

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