KR900018656A - 반도체 온도검출회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

반도체 온도검출회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 구성도, 제4도는 본 발명에 의한 일실시예의 회로도, 제5도는 본 발명에 의한 바람직한 실시예의 회로도.

Claims (27)

  1. 제1전원공급선 및 제2전원공급선의 사이에 서로 직렬로 연결된 전류공급수단과 다결성 실리콘 저항수단을 구비하고, 주변온도의 변화에 대응하여 변하는 상기 다결성 실리콘 저항수단의 양단전압을 온도검출신호로 출력하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 저항수단에 불순물이 미약하게 도우핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 다결정 실리콘의 불순물 도우핑은 이온 주입법으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 불순물은 안티몬, 인, 비소 또는 붕소로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  5. 제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 저항수단은 불순물이 도우핑되지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  6. 제1항 내지 제5항의 어느 한 항에 있어서, 상기 전류공급단은 문턱이하 영역에서 동작되도록 된 MOS트랜지스터로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 MOS트랜지스터의 드레인 전류를 설정하기 위한 전류설정수단을 부가적으로 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전류설정 수단은 제1전원공급선과 결합되는 제1전류전극, 상기 제2전원공급선과 결합되는 제어전극 및 제1노드와 결합되는 제2전류전극을 가지는 제1전도형의 제1MOS트랜지스터; 상기 제1노드에 함께 결합되는 제1전류전극 및 제어전극과 상기 제2전원공급선과 결합되는 제2전류전극을 가지며, 문턱이하 영역에서 동작되도록 상기 제1MOS트랜지스터의 가하학적 크기에 대해 충분히 큰기하학적 크기를 갖도록 형성되는 제2전도형의 제2MOS트랜지스터; 상기 제2MOS트랜지스터의 제어전극과 결합되는 제어전극, 상기 제2전원공급선과 결합되는 제1전류전극 및 제2노드와 결합되는 제2전류전극을 가지며, 상기 제2MOS트랜지스터의 가하학적 크기에 대해 충분히 작은 기하학적 크기로 형성되는 제2전도형의 제3MOS트랜지스터; 상기 제1전원공급선과 결합되는 제1전류전극, 상기 제2노드에 함께 결합되는 제어전극 및 제2전류전극을 가지며, 문턱이하 영역에서 동작되도록 상기 제3MOS트랜지스터의 기하학적 크기에 대해 충분히 큰 기하학적 크기로 형성되고 상기 그의제어전극이 상기 전류공급수단의 MOS트랜지스터의 제어전극과 공통으로 결합되는 제1전도형의 제4MOS트랜지스터;로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전류공급수단의 MOS트랜지스터는 상기 제4MOS트랜지스터의 기하학적 크기보다 충분히 작은 기하학적 크기를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  10. 제1전원공급선과 제2전원공급선의 사이에 서로 직렬로 연결된 전류공급수단과 다결정 실리콘 저항수단을 각각 가지는 복수의 온도감지수단을 구비하고, 상기 각온도감지수단들은 각각의 다결정 실리콘 저항수단의 임의의 주변온도에 대응하여 서로 다른 전기적 출력신호를 발생하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  11. 제10항에 있어서, 상기 온도감지수단들의 전기적 출력신호를 디지탈신호로 변환하는 디지탈변환수단이 부가되는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 디지탈 변환수단들은 각각 상기 전류공급수단과 다결정 실리콘 저항수단의 공통점 속점에 그의 입력단이 결합되는 인버터 수단으로 구성하고, 각 인버터수단의 출력단의 논리 "0" 및 "1"상태의 조합으로 온도를 검출하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 온도감지수단들의 각다결정 실리콘 저항수단은 불순물이 미약하게 도우핑되는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  14. 제13항에 있어서, 상기 다결정 실리콘의 도우핑은 이온 주입법으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  15. 제14항에 있어서, 상기 불순물은 안티몬, 인, 비소 또는 불소로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  16. 제10항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 저항수단은 불순물이 도우핑되지 않는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  17. 제11항 내지 제16항의 어느 한 항에 있어서, 상기 각 전류공급수단들은 문턱이하 영역에서 동작되도록된 MOS트랜지스터로 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  18. 제17항에 있어서, 상기 각 MOS트랜지스터들은 각기 드레인 전류를 설정하기 위한 공통의 전류설정수단을 부가적으로 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  19. 제18항에 있어서, 상기 전류설정수단은 상기 제1전원공급선과 결합되는 제1전류전극, 상기 제2전원공급선과 결합되는 제어전극 및 제1노드와 결합되는 제2전류전극을 가지는 제1전도형의 제1MOS트랜지스터; 상기 제1노드와 함께 결합되는 제1전류전극 및 제어전극과 상기 제2전원공급선과 결합되는 제2전류전극을 가지며, 문턱이하 영역에서 동작되도록 상기 제1MOS트랜지스터의 기하학적 크기에 대해 충분히 큰 기하학적 크기를 갖도록 형성되는 제2전도형의 제1MOS트랜지스터; 상기 제2MOS트랜지스터의 제어전극과 결합되는 제어전극, 상기 제2전원공급선과 결합되는 제1전류전극 및 제2노드와 결합되는 제2전류전극을 가지며, 상기 제2MOS트랜지스터의 기하학적 크기에 대해 충분히 작은 기하학적 크기로 형성되는 제2전도형의 제3MOS트랜지스터; 상기 제1전원공급선과 결합되는 제1전류전극, 상기 제2노드에 함께 결합되는 제어전극 및 제2전류전극을 가지며, 문턱이하 영역에서 동작되도록 상기 제3MOS트랜지스터의 기하학적 크기에 대해 충분히 큰 기하학적 크기로 형성되고 그의 제어전극이 상기 전류공급수단들의 각 MOS트랜지스터의 제어전극과 공통으로 결합되는 제1전도형의 제4MOS트랜지스터;로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  20. 제19항에 있어서, 상기 온도감지수단들은 임의의 주변온도에 대응하여 서로 다른 전기적 출력신호를 발생하기 위해 상기 전류공급수단들의 각 MOS트랜지스터가 서로 다른 기하학적 크기를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  21. 제19항에 있어서, 상기 온도감지수단율은 임의의 주변온도에 대응하여 서로 다른 전기적 출력신호를 발생하기 위해 각 다결정 실리콘 저항수단이 서로 다른 저항값을 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출수단.
  22. 제1전원공급선과 제2전원공급선 사이에 MOS트랜지스터의 문턱이하 영역에서의 드레인 전류를 공급하는 전류공급수단과, 공급되는 상기 드레인 전류를 주변온도 변화에 따라 제한하는 감온저형수단 서로 직렬로 연결하고, 이 감온저항수단의 양단전압을 온도검출신호로 출력하도록 된 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  23. 제22항에 있어서, 상기 감온저항수단은 다결정 실리콘으로 형성하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  24. 제23항에 있어서, 상기 다결정 실리콘은 불순물이 미약하게 도우핑된 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  25. 제24항에 있어서, 상기 다결정 실리콘의 불순물 도우핑은 이온 주입법으로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  26. 제25항에 있어서, 상기 불순물은 안티몬, 인, 비소 또는 붕소로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
  27. 제22항에 있어서, 상기 감온저항수단은 다결정 실리콘의 저항온도특성과 동일한 특성을 가지며, 반도체 제조공정에 의해 만들어 질 수 있는 물리로 형성하여서 된 것을 특징으로 하는 반도체 온도검출회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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