JPS62222314A - 温度センサ用定電流回路 - Google Patents
温度センサ用定電流回路Info
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- JPS62222314A JPS62222314A JP61066424A JP6642486A JPS62222314A JP S62222314 A JPS62222314 A JP S62222314A JP 61066424 A JP61066424 A JP 61066424A JP 6642486 A JP6642486 A JP 6642486A JP S62222314 A JPS62222314 A JP S62222314A
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
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- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は絶縁ゲートを界効果型トランジスタ（以下ＭＯ
ＳＦＥＴと称す）を用いた半導体集積回路においてスレ
ッシｗμド電圧の温度特性を利用した温度センサ用定電
流回路に関する。
ＳＦＥＴと称す）を用いた半導体集積回路においてスレ
ッシｗμド電圧の温度特性を利用した温度センサ用定電
流回路に関する。
従来の電源電圧に依存しない定電流回路の例として第３
図、第４図のような回路がある。第５図の回路において
Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ １ｏ １のコンダクタンス定数βを
βＰ１１．スレッン１ルド電圧を−Ｖ Ｔ Ｐ ｏとし
、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０２．１０３のコンダクタンス定
数βをそれぞれβＮｔｔｔβ１１２またフレクシ−１〃
ド電圧をともにｖｔｎとすれば、定電流源のＭＯＳＦＥ
Ｔ １ｏ ｓに流れる電流Ｉｕは、 を表わされる。
図、第４図のような回路がある。第５図の回路において
Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ １ｏ １のコンダクタンス定数βを
βＰ１１．スレッン１ルド電圧を−Ｖ Ｔ Ｐ ｏとし
、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０２．１０３のコンダクタンス定
数βをそれぞれβＮｔｔｔβ１１２またフレクシ−１〃
ド電圧をともにｖｔｎとすれば、定電流源のＭＯＳＦＥ
Ｔ １ｏ ｓに流れる電流Ｉｕは、 を表わされる。
また第４図の回路においてＰ型ＭＯＳＦＥＴ２０１．２
０３のコンダクタンス定数βをそれぞれβＰ２】、βＰ
２２、スレッショルド電圧をそれぞれＶＴＰ１１Ｖ？Ｐ
２（！： Ｌ、’ｔｆｃＮｍＭＯＳ ＦＥＴ２０２゜２
０４．２０５のコンダクタンス定数βをそれぞれβＮ２
１ ｔβ）＋２２ ＋βＮ２１％スレッシＮｌｖド電圧
をともにＶＴＮとすれば定電流源のＭＯＳＦＥＴ ２０
５に流れる電流Ｉ２３は、 但し、 と表わされる。
０３のコンダクタンス定数βをそれぞれβＰ２】、βＰ
２２、スレッショルド電圧をそれぞれＶＴＰ１１Ｖ？Ｐ
２（！： Ｌ、’ｔｆｃＮｍＭＯＳ ＦＥＴ２０２゜２
０４．２０５のコンダクタンス定数βをそれぞれβＮ２
１ ｔβ）＋２２ ＋βＮ２１％スレッシＮｌｖド電圧
をともにＶＴＮとすれば定電流源のＭＯＳＦＥＴ ２０
５に流れる電流Ｉ２３は、 但し、 と表わされる。
さて従来の定電流源の第１例である第５図の回路を温度
センサ用の定電流源として用いる場合は温度変化によっ
てコンダクタンス定数βもスレッショルド電圧も変化す
るが１．２の変化に対し２てはスレッショルド電圧の変
化が支配的であり、ＶＴＰＤの微少な変化に対して定電
流回路としての電流値工□２は線形に変化するので温度
センサ用の定電流源とはなシうる。しかしながらｖｔｐ
ｏは経時変化によりて若干ながら変動する。このときこ
の変動は温度センサとして基準点に狂いを生じさせる。
センサ用の定電流源として用いる場合は温度変化によっ
てコンダクタンス定数βもスレッショルド電圧も変化す
るが１．２の変化に対し２てはスレッショルド電圧の変
化が支配的であり、ＶＴＰＤの微少な変化に対して定電
流回路としての電流値工□２は線形に変化するので温度
センサ用の定電流源とはなシうる。しかしながらｖｔｐ
ｏは経時変化によりて若干ながら変動する。このときこ
の変動は温度センサとして基準点に狂いを生じさせる。
したがって第３図の従来回路は一時的には温度センサ用
電流回路となり得ても経時変化に弱いという欠点があっ
た。また第４図の従来回路例の場合にはスレッＶヨルド
％１圧の差によって定電流値を決めているので、経時変
化によってスレッショルド電圧が若干変化しても相殺さ
れてしまうので経時変化には強いが、同時に温度変化に
よるスレッシＮ／Ｌ／ド電圧の変化も相殺されてしまい
、温度センサ用としては利用できない。
電流回路となり得ても経時変化に弱いという欠点があっ
た。また第４図の従来回路例の場合にはスレッＶヨルド
％１圧の差によって定電流値を決めているので、経時変
化によってスレッショルド電圧が若干変化しても相殺さ
れてしまうので経時変化には強いが、同時に温度変化に
よるスレッシＮ／Ｌ／ド電圧の変化も相殺されてしまい
、温度センサ用としては利用できない。
以上、従来の回路では温度変化をスレッショルド電圧の
変化として促える場合にはセンサとしての役目と経時変
化の対策が両立しなかった。
変化として促える場合にはセンサとしての役目と経時変
化の対策が両立しなかった。
そこで本発明は以上の問題点を解決すべく、温度変化に
対してスレッシｗ／Ｌ’ド電圧の変化で電流値が変化す
る温室センサの役目と、スレッシｖ／Ｌ’ド電圧が経時
変化を起してもセンサとしての基準点が変動しない、も
しくは変動が非常に少ない温度センサ用の定電流回路を
提供することにある。
対してスレッシｗ／Ｌ’ド電圧の変化で電流値が変化す
る温室センサの役目と、スレッシｖ／Ｌ’ド電圧が経時
変化を起してもセンサとしての基準点が変動しない、も
しくは変動が非常に少ない温度センサ用の定電流回路を
提供することにある。
本発明の温度センサ用定電流回路は、
ａ）ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体集積回路において、
ｂ）コンダクタンス定数とＰチャネルスレッショルド電
圧によって電流値が定まる第１のＭＯＳＦＥＴと、 Ｃ）コンダクタンス定数とＮチャネルスレッシｖ／レド
電圧によって電流値が定まる第２のＭＯＳＦＥＴと、 ｄ）前記第１のＭＯ８ＦＦＪＴと第２のＭＯＳＦＥＴの
それぞれの電流値がコンダクタンス定数とそれぞれＰチ
ャネルスレッシｗ／ｖドを圧、！：Ｎｆヤネｙスレッシ
！Ｉ／Ｉ／ド電圧によって定まるようにゲート電位を供
給するゲート電位供給回路からなり、ｅ）前記第１のＭ
ＯＳＦＥＴと第２のＭＯＳＦＥＴが並列に接続されてい
ることを特徴とする。
圧によって電流値が定まる第１のＭＯＳＦＥＴと、 Ｃ）コンダクタンス定数とＮチャネルスレッシｖ／レド
電圧によって電流値が定まる第２のＭＯＳＦＥＴと、 ｄ）前記第１のＭＯ８ＦＦＪＴと第２のＭＯＳＦＥＴの
それぞれの電流値がコンダクタンス定数とそれぞれＰチ
ャネルスレッシｗ／ｖドを圧、！：Ｎｆヤネｙスレッシ
！Ｉ／Ｉ／ド電圧によって定まるようにゲート電位を供
給するゲート電位供給回路からなり、ｅ）前記第１のＭ
ＯＳＦＥＴと第２のＭＯＳＦＥＴが並列に接続されてい
ることを特徴とする。
本発明の上記の構成によればＰチャネｐスレッシＭルド
電圧によって電流がきまる第１のＭＯＳＦＥＴとＮチャ
ネルスレッシ！ｌ ＩＶ ｌ−″電圧によって電流がき
まる第２のＭＯＳＦＥＴが互いに並列に接続されて定電
流源を構成しているので温度変化に対して＆′ｉＰチャ
ネμスレッシ：ｌ）Ｖド電ＥＥモＮ−Ｆ−ヤネルスレッ
シＨＩＶド電圧もともに電流を増減する同方向に働き、
温度センサとしての役目を果たす。一方、経時変化はＰ
チャネμスレッシ！ｉ）ｖド電圧とＮチャネルスレッシ
ヲルド電圧は電流の増減に関しては一般に逆に作用する
方向に働くので経時変化に対して定電流回路の電流値の
変化は互いに打ち消し合う。したがって経時変化があっ
ても基準点の変化しないｔＭ変度センサ定電流回路が実
現する。
電圧によって電流がきまる第１のＭＯＳＦＥＴとＮチャ
ネルスレッシ！ｌ ＩＶ ｌ−″電圧によって電流がき
まる第２のＭＯＳＦＥＴが互いに並列に接続されて定電
流源を構成しているので温度変化に対して＆′ｉＰチャ
ネμスレッシ：ｌ）Ｖド電ＥＥモＮ−Ｆ−ヤネルスレッ
シＨＩＶド電圧もともに電流を増減する同方向に働き、
温度センサとしての役目を果たす。一方、経時変化はＰ
チャネμスレッシ！ｉ）ｖド電圧とＮチャネルスレッシ
ヲルド電圧は電流の増減に関しては一般に逆に作用する
方向に働くので経時変化に対して定電流回路の電流値の
変化は互いに打ち消し合う。したがって経時変化があっ
ても基準点の変化しないｔＭ変度センサ定電流回路が実
現する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す回路図である。第
１図においてＮ型ＭＯＳＦＥＴ１７がコンダクタンス定
数とＰチャネμスレッシｗ／Ｌ’ド電圧によって電流値
が定まる第１のＭＯＳＦＥＴであシ、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ
１８がコンダクタンス定数とＮチャネルスレッショル
ド電圧によりて電流値が定まる第２のＭＯＳＦＥＴであ
り、破線２０によって囲まれた中の回路が第１のＭＯＳ
ＦＥＴ１７と第２のＭＯＳＦＥＴ１８のゲート電極に電
位を供給するゲート電位供給回路である。破線２１に囲
まれた中の回路はリングオシレータ回路であり、ＭＯＳ
ＦＥＴ１７．１８からなる定電流源を電源としている。
１図においてＮ型ＭＯＳＦＥＴ１７がコンダクタンス定
数とＰチャネμスレッシｗ／Ｌ’ド電圧によって電流値
が定まる第１のＭＯＳＦＥＴであシ、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ
１８がコンダクタンス定数とＮチャネルスレッショル
ド電圧によりて電流値が定まる第２のＭＯＳＦＥＴであ
り、破線２０によって囲まれた中の回路が第１のＭＯＳ
ＦＥＴ１７と第２のＭＯＳＦＥＴ１８のゲート電極に電
位を供給するゲート電位供給回路である。破線２１に囲
まれた中の回路はリングオシレータ回路であり、ＭＯＳ
ＦＥＴ１７．１８からなる定電流源を電源としている。
Ｐ型ＭＯＳＦＥＴ１１のゲートとソースは正極の電源電
位である＋ｖＤＤに接続されている。Ｎ型ＭＯ８ＦＦＪ
Ｔ １２のソースは負極の電源電位である一Ｖ ａ ｇ
に接続され、ゲートとドレインは互いに接続され、かつ
ＭＯＳＦＥＴ１１のドレインに接続されている。Ｐ型Ｍ
ＯＳＦＥＴ１３のソースは＋ＶｏｏＫ接続され、ゲート
とドレインは互いに接続されている。Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ
１４のソース及びゲートは−Ｖａｓに接続されドレイン
はＭＯＳＦＥＴ １５のドレインに接続されている。Ｐ
型ＭＯＳＦＥＴのソースは＋ＶＤＤに接続され、ゲート
はＭＯＳＦＥＴ１３のドレインに接続されている。Ｎ型
ＭＯＳＦＥＴ１６のソースは−Ｖｓｓに接続され、ゲー
トとドレインは互いに接続され、かつＭＯＳＦＥＴ１５
のドレインに接続されている。以上のＭＯＳＦＥＴ１１
．１２゜１５．１４１１５．１６によってゲート電位供
給回路２０が構成されている。Ｎ型ＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ
１７゜１８のソースはともに−Ｖ ｓ ｍに接続され、
ドレインは互いに接続されている。つまりＭＯＳＦＥＴ
１７．１８は並列に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１７
のゲートはＭＯＳＦＥＴ１２のドレインに接続され、Ｍ
ＯＳＦＥＴ １８のゲートはＭＯＳＦＥＴ１６のドレイ
ンに接続されている。定電流源のＭＯＳＦＥＴ １７．
１８のドレインはともにリングオンレータ回路２１の電
源となっている。またリングオシレータ回路２１の信号
は出力端子１９に取り出されている。さてＰ型ＭＯＳＦ
ＥＴ１１゜１３．１５のコンダクタンス定数βをそれぞ
れβＰｉｔβｐ２ｔβＰ３としＸまたスレッシｗｌＶド
電圧をそれぞれ−Ｖｔ ｐ ｏ 、Ｖｔ ｐ ＋’Ｖｔ
ｐ トすル、 −ＩＮ型Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ １２
ｔ １４ ｒ １６ ＋ １７ ｔ １８のコンダク
タンス定数βをそれぞれβＮ１１βＮ２．βＮ３゜β８
４１βＮＳとし、またスレッショルド電圧をそれぞれＶ
ｔ５ｔ−ＶｔＮｏ−Ｖｔ＊ＩＶｔ＊＊Ｖｙ＊ トｆルｏ
？ニー？ニーチー ＶＴＰＤ １−ＶＴＨＤはデプｖ
ｓｙ、７型を５ＶＴＰＩＶｔｓハエンフアンスメント型
であることを意味している。またＭＯＳＦＥＴ １２
ｔ １４ ＋ １６＊１７ｔ１８に流れる電流をそれぞ
れ１１−５．Ｉｓ、Ｉｔ、Ｉｓとする。またＭＯ８Ｉｉ
″ＥＴ１２．１３１１６のドレイン電極の電位をそれぞ
れＶｏ １ ＋Ｖａ ！ Ｉｖ（１３とする。また−ｖ
ｇｓをＯ電位にとると次式が成りたつ０ 以上の式を解くことにより となる。また定電流源としての電流値ＩＣはエ。−■。
位である＋ｖＤＤに接続されている。Ｎ型ＭＯ８ＦＦＪ
Ｔ １２のソースは負極の電源電位である一Ｖ ａ ｇ
に接続され、ゲートとドレインは互いに接続され、かつ
ＭＯＳＦＥＴ１１のドレインに接続されている。Ｐ型Ｍ
ＯＳＦＥＴ１３のソースは＋ＶｏｏＫ接続され、ゲート
とドレインは互いに接続されている。Ｎ型ＭＯＳＦＥＴ
１４のソース及びゲートは−Ｖａｓに接続されドレイン
はＭＯＳＦＥＴ １５のドレインに接続されている。Ｐ
型ＭＯＳＦＥＴのソースは＋ＶＤＤに接続され、ゲート
はＭＯＳＦＥＴ１３のドレインに接続されている。Ｎ型
ＭＯＳＦＥＴ１６のソースは−Ｖｓｓに接続され、ゲー
トとドレインは互いに接続され、かつＭＯＳＦＥＴ１５
のドレインに接続されている。以上のＭＯＳＦＥＴ１１
．１２゜１５．１４１１５．１６によってゲート電位供
給回路２０が構成されている。Ｎ型ＭＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ
１７゜１８のソースはともに−Ｖ ｓ ｍに接続され、
ドレインは互いに接続されている。つまりＭＯＳＦＥＴ
１７．１８は並列に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１７
のゲートはＭＯＳＦＥＴ１２のドレインに接続され、Ｍ
ＯＳＦＥＴ １８のゲートはＭＯＳＦＥＴ１６のドレイ
ンに接続されている。定電流源のＭＯＳＦＥＴ １７．
１８のドレインはともにリングオンレータ回路２１の電
源となっている。またリングオシレータ回路２１の信号
は出力端子１９に取り出されている。さてＰ型ＭＯＳＦ
ＥＴ１１゜１３．１５のコンダクタンス定数βをそれぞ
れβＰｉｔβｐ２ｔβＰ３としＸまたスレッシｗｌＶド
電圧をそれぞれ−Ｖｔ ｐ ｏ 、Ｖｔ ｐ ＋’Ｖｔ
ｐ トすル、 −ＩＮ型Ｍ ＯＳ Ｆ Ｅ Ｔ １２
ｔ １４ ｒ １６ ＋ １７ ｔ １８のコンダク
タンス定数βをそれぞれβＮ１１βＮ２．βＮ３゜β８
４１βＮＳとし、またスレッショルド電圧をそれぞれＶ
ｔ５ｔ−ＶｔＮｏ−Ｖｔ＊ＩＶｔ＊＊Ｖｙ＊ トｆルｏ
？ニー？ニーチー ＶＴＰＤ １−ＶＴＨＤはデプｖ
ｓｙ、７型を５ＶＴＰＩＶｔｓハエンフアンスメント型
であることを意味している。またＭＯＳＦＥＴ １２
ｔ １４ ＋ １６＊１７ｔ１８に流れる電流をそれぞ
れ１１−５．Ｉｓ、Ｉｔ、Ｉｓとする。またＭＯ８Ｉｉ
″ＥＴ１２．１３１１６のドレイン電極の電位をそれぞ
れＶｏ １ ＋Ｖａ ！ Ｉｖ（１３とする。また−ｖ
ｇｓをＯ電位にとると次式が成りたつ０ 以上の式を解くことにより となる。また定電流源としての電流値ＩＣはエ。−■。
＋１５
となる。さて温度が高くなると−Ｖｔｐｏ＋−ＶｔＮ。
はともに低くなるのでＩ４ 、Ｉｓはともに電流値が増
加する。また温度が低くなるとその逆になもしだがって
温度変化に対し定電流源の電流値工。
加する。また温度が低くなるとその逆になもしだがって
温度変化に対し定電流源の電流値工。
は変化する。Ｉｃが変化するとリングオシレータ回路２
１の発振局波数が変化し、結局は温度変化をリングオシ
レータ回路２１の出力端子１９より周波数変化として検
出できることになる。さて経時変化によってスレッＶ
！ｌ Ａ／ド電圧が僅かに変化した場合であるが、一般
にスレッショルド電圧の経時変化はＰチャネル側とＮチ
ャネ／ｌ／側では逆に作用するので電流値でみればＩ４
が増加すれば工。
１の発振局波数が変化し、結局は温度変化をリングオシ
レータ回路２１の出力端子１９より周波数変化として検
出できることになる。さて経時変化によってスレッＶ
！ｌ Ａ／ド電圧が僅かに変化した場合であるが、一般
にスレッショルド電圧の経時変化はＰチャネル側とＮチ
ャネ／ｌ／側では逆に作用するので電流値でみればＩ４
が増加すれば工。
は減少し、またＩ４が減少すればＩｓは増加する方向に
働く。したがって定電流源の電流ｆｉ Ｉ ｃでみれば
経時変化は相殺され影響を受けない。また経時変化量が
ＰチャネルとＮチャネルのスレッショルド電圧に与える
量が異なる場合には、Ｉ４゜Ｉｓを決定するコンダクタ
ンス定数の値、もしくは比を調整すれば経時変化を丁度
０にすることも出来る。
働く。したがって定電流源の電流ｆｉ Ｉ ｃでみれば
経時変化は相殺され影響を受けない。また経時変化量が
ＰチャネルとＮチャネルのスレッショルド電圧に与える
量が異なる場合には、Ｉ４゜Ｉｓを決定するコンダクタ
ンス定数の値、もしくは比を調整すれば経時変化を丁度
０にすることも出来る。
第２図は本発明の第２の実施例を示す回路図である。第
２図において第１図の回路と異なるのは第２のＭＯＳＦ
ＥＴであるＭＯＳＦＥＴ２５のゲート電位のとり方とス
レッシｗ ＩＶド電圧である。
２図において第１図の回路と異なるのは第２のＭＯＳＦ
ＥＴであるＭＯＳＦＥＴ２５のゲート電位のとり方とス
レッシｗ ＩＶド電圧である。
ＭＯＳＦＥＴ２５のゲートは直ちに−ＶＨに接続され、
そのかわりスレッシ！Ｉ ／Ｌ’ド電圧はデデレシｌン
である一Ｖ ？ Ｎ Ｄとなっている。なおこの変更に
伴い第１図の回路におけるＭＯＳＦＥＴ １３ 。
そのかわりスレッシ！Ｉ ／Ｌ’ド電圧はデデレシｌン
である一Ｖ ？ Ｎ Ｄとなっている。なおこの変更に
伴い第１図の回路におけるＭＯＳＦＥＴ １３ 。
１４＋１５ｙ１６に相当する回路は第２図の回路におい
て存在しない。ゲート電位を−ＶｌｌＢに接続したこと
が、ゲート電位供給回路の役目を果している。また第２
図の回路においてＭ ＯＳ Ｆ ＥＴ２２゜２３．２４
は第１図の回路におけるｈｉＯ８ＦＥＴ１１ｔ１２，１
７にそれぞれ順に相当している。
て存在しない。ゲート電位を−ＶｌｌＢに接続したこと
が、ゲート電位供給回路の役目を果している。また第２
図の回路においてＭ ＯＳ Ｆ ＥＴ２２゜２３．２４
は第１図の回路におけるｈｉＯ８ＦＥＴ１１ｔ１２，１
７にそれぞれ順に相当している。
また第２図の回路における負荷２６は第１図の回路のリ
ングオシレータ回路２１に相当している。
ングオシレータ回路２１に相当している。
さて、第２図の回路におけるＮ型ＭＯＳＦＥＴ２５に流
れる電流工５は で表わされる。またＮ型ＭＯＳＦＥＴ２４に流れる電流
は第１図の回路と同じであるので第２図の回路もまた温
度センサ用定電流回路として使え、かつ経時変化の影響
を受けない回路であることがわかる。第２図の回路は電
流値Ｉｓを決定する要因の自由度が少ないかわシに回路
構成が簡単になっている。
れる電流工５は で表わされる。またＮ型ＭＯＳＦＥＴ２４に流れる電流
は第１図の回路と同じであるので第２図の回路もまた温
度センサ用定電流回路として使え、かつ経時変化の影響
を受けない回路であることがわかる。第２図の回路は電
流値Ｉｓを決定する要因の自由度が少ないかわシに回路
構成が簡単になっている。
さて第１図、第２図の回路では定電流源となるＭＯＳＦ
ＥＴをＮ型ＭＯＳＦＥＴで構成したが、またＰ型ＭＯＳ
ＦＥＴでも構成できることは明らかである。
ＥＴをＮ型ＭＯＳＦＥＴで構成したが、またＰ型ＭＯＳ
ＦＥＴでも構成できることは明らかである。
また第１図の回路では定電流源の負荷となる回路をリン
グオシレータ回路の場合を示したが、これは温度変化→
電流変化→周波数変化の場合の例を示したまでであって
、変換を周波数ではなく、例えば電圧に変換するような
回路であっても良いことは云うまでもない。
グオシレータ回路の場合を示したが、これは温度変化→
電流変化→周波数変化の場合の例を示したまでであって
、変換を周波数ではなく、例えば電圧に変換するような
回路であっても良いことは云うまでもない。
以上、本発明によればコンダクタンス定数とＰチャネル
スレッシｉｉ／ｌ／ド電圧で電流値が決まる第１のＭＯ
ＳＦＥＴと、コンダクタンス定数とＮチャネルスレッシ
菅ルド電圧で電流値が決まる第２のＭＯＳＦＥＴとを並
列に用い九定寛流源としているので、スレッシ！ｌ／Ｌ
／ド電圧の変化が支配的であってかつＰチャネルスレッ
シ−１ルド電圧とＮチャネ〃スレッシｌｌ／Ｌ／ド電圧
が同じ方向に変化する温度変化に対しては定電流値がそ
れに応じて変化して温度センサとして働き、かつ経時変
化に対してはＰチャネルスレッシＩｌ／Ｉ／ド電圧とＮ
チャネルスレッシＨ／Ｌ／ド電圧は相殺する方向に働く
。したがって経時変化の少ない温度センサ用定電流源を
提供するという効果がある。
スレッシｉｉ／ｌ／ド電圧で電流値が決まる第１のＭＯ
ＳＦＥＴと、コンダクタンス定数とＮチャネルスレッシ
菅ルド電圧で電流値が決まる第２のＭＯＳＦＥＴとを並
列に用い九定寛流源としているので、スレッシ！ｌ／Ｌ
／ド電圧の変化が支配的であってかつＰチャネルスレッ
シ−１ルド電圧とＮチャネ〃スレッシｌｌ／Ｌ／ド電圧
が同じ方向に変化する温度変化に対しては定電流値がそ
れに応じて変化して温度センサとして働き、かつ経時変
化に対してはＰチャネルスレッシＩｌ／Ｉ／ド電圧とＮ
チャネルスレッシＨ／Ｌ／ド電圧は相殺する方向に働く
。したがって経時変化の少ない温度センサ用定電流源を
提供するという効果がある。
またＰチャネルスレッシ１１μド電圧とＮチャネルレフ
９１フ でも、コンダクタンス定数の調整により経時変化を相殺
することが出来るので様々な製造プロセスに適用できる
という効果がある。
９１フ でも、コンダクタンス定数の調整により経時変化を相殺
することが出来るので様々な製造プロセスに適用できる
という効果がある。
第１図、第２図は本発明のそれぞれ第１．第２の実施例
を示す回路図、第３図、第４図は従来の定電流回路の例
を示す回路図である。 １３ 、１５ 、２０１ ・・・・・・Ｐ型Ｎ０８ＦＥ
Ｔ１１．２２，１０１・・・・・・Ｐ型デプレＭＯ８Ｆ
Ｅ２０３・・・・・・第２のスレッシＭ／Ｌ／ド電圧を
持った０ＳＦＥＴ １２１１６．１７１１８Ｆ２５，２４，１０２゜ｊ Ｏ
３＋ ２０２ ＋ ２０４ ＋ ２０５ ＝・＝・Ｎｍ
ｎｏ ＳＥＴ １４ 、２５−・・・・・Ｎ型デプレＭＯ３ＦＥＴ２０
・・・・・・ゲート電位供給回路 ２１・・・・・・リングオシレータ回路１９・・・・・
・出力端子 ２６ 、１０４ 、２０６−・・・・・負荷以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第２の
を示す回路図、第３図、第４図は従来の定電流回路の例
を示す回路図である。 １３ 、１５ 、２０１ ・・・・・・Ｐ型Ｎ０８ＦＥ
Ｔ１１．２２，１０１・・・・・・Ｐ型デプレＭＯ８Ｆ
Ｅ２０３・・・・・・第２のスレッシＭ／Ｌ／ド電圧を
持った０ＳＦＥＴ １２１１６．１７１１８Ｆ２５，２４，１０２゜ｊ Ｏ
３＋ ２０２ ＋ ２０４ ＋ ２０５ ＝・＝・Ｎｍ
ｎｏ ＳＥＴ １４ 、２５−・・・・・Ｎ型デプレＭＯ３ＦＥＴ２０
・・・・・・ゲート電位供給回路 ２１・・・・・・リングオシレータ回路１９・・・・・
・出力端子 ２６ 、１０４ 、２０６−・・・・・負荷以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 第２の
Claims (1)
- （１）ａ）絶縁ゲート電界効果型トランジスタ（以下Ｍ
ＯＳＦＥＴと称す）を用いた半導体集積回路において、 ｂ）コンダクタンス定数とＰチャネルスレッショルド電
圧によって電流値が定まる第１のＭＯＳＦＥＴと、 ｃ）コンダクタンス定数とＮチャネルスレッショルド電
圧によって電流値が定まる第２のＭＯＳＦＥＴと、 ｄ）前記第１のＭＯＳＦＥＴと第２のＭＯＳＦＥＴのそ
れぞれの電流値がコンダクタンス定数とそれぞれＰチャ
ネルスレッショルド電圧とＮチャネルスレッショルド電
圧によつて定まるように、ゲート電位を供給するゲート
電位供給回路からなり、 ｅ）前記第１のＭＯＳＦＥＴと第２のＭＯＳＦＥＴが並
列に接続されていることを特徴とする温度センサ用定電
流回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066424A JPS62222314A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 温度センサ用定電流回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61066424A JPS62222314A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 温度センサ用定電流回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62222314A true JPS62222314A (ja) | 1987-09-30 |
Family
ID=13315393
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61066424A Pending JPS62222314A (ja) | 1986-03-25 | 1986-03-25 | 温度センサ用定電流回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62222314A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02311723A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-27 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体温度検出回路 |
| JP2004253541A (ja) * | 2003-02-19 | 2004-09-09 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008177594A (ja) * | 2008-02-21 | 2008-07-31 | Canon Inc | 不揮発磁気薄膜メモリ装置および記録方法 |
| JPWO2007034542A1 (ja) * | 2005-09-21 | 2009-03-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-03-25 JP JP61066424A patent/JPS62222314A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02311723A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-27 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体温度検出回路 |
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| JP4669518B2 (ja) * | 2005-09-21 | 2011-04-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
| US8031511B2 (en) | 2005-09-21 | 2011-10-04 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
| JP2008177594A (ja) * | 2008-02-21 | 2008-07-31 | Canon Inc | 不揮発磁気薄膜メモリ装置および記録方法 |
| JP4739360B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2011-08-03 | キヤノン株式会社 | 不揮発磁気薄膜メモリ装置 |
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