FR2647567A1 - Circuit de detection de temperature de semi-conducteur - Google Patents

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Abstract

Un circuit de détection de température de semi-conducteur est décrit, lequel est constitué de telle façon qu'un moyen d'alimentation en courant 10 et un moyen de résistance au silicium polycristallin 20 reliés en série sont prévus entre une première ligne d'alimentation 11 et une seconde ligne d'alimentation 12, et que les tensions de borne dudit moyen de résistance au silicium polycristallin 20 sont sorties sous la forme de signaux de détection de température. Le dispositif de la présente invention rend possible de détecter la température d'un semi-conducteur au moyen d'un silicium polycristallin et par suite celui-ci est tout à fait approprié pour une mise en place dans des dispositifs à semi-conducteur de très haute densité. En outre, le dispositif nécessite une faible consommation de puissance et peut être conçu d'une manière n'ayant pas de rapport avec le procédé de fabrication et les variations de température. De plus, la température de semi-conducteur peut être détectée au moyen d'un procédé de type numérique et par suite les signaux de détection peuvent être directement utilisés sans être soumis à aucune conversion ni traitement. Par suite, le concepteur peut disposer d'une plus grande liberté dans la conception de dispositifs à semi-conducteur de très haute densité.

Description

CIRCUIT DE DETECTION DE TEMPERATURE DE SEMI-CONDUCTRUR.
La présente invention concerne un circuit de détection de température de semi-conducteur et, particulièrement, un circuit de détection de température de semi-conducteur qui est approprié pour être utilisé dans des dispositifs & semi-conducteur MOS MOS à très haute densité et qui nécessite une très faible consommation de puissance.
D'une manière générale, les dispositifs à semiconducteur sont très sensibles å la température et leurs propriétés sont facilement modifiées par la température.
Parmi ceux-ci, les transistors de type MOS présentent des caractéristiques de température négative dans Ieur mobilité de porteurs réelle à l'intérieur de leur canaux et, par suite, une dérive thermique ne se produit pas à la différence de ce qui se passe pour les transistors bipolaires. Par suite, les transistors de type MOS sont relativement résistants aux variations de température.
De fait, dans des utilisations ordinaires, il n'est pas nécessaire de trop se préoccuper de la caractéristique de sensibilité a la température des dispositifs CMOS b la différence des dispositifs bipolaires. Toutefois, dans le cas où le niveau de consommation de puissance est relativement élevé, le concepteur doit tenir compte à l'étape de la conception de divers facteurs tels que la diminution de la conductance due & l'élévation de la température, l'abaissement de la fréquence de fonctionnement maximale dû h la diminution de la conductance et la variation de la tension de seuil.
En particulier, dans la conception de dispositifsà semi-conducteur & très haute densité dans lesquels la structure est extrêmement complexe, il convient d'être extrêmement vigilant en ce qui concerne l'influence de la température et, par suite, les options qui sont offertes au concepteur sont limitées à de nombreux égards.
Jusqu'ici, dans les dispositifs & semi-conducteur MOS à très haute densité, les compensations des caractéristiques s'appliquant à différents niveaux de température n'ont pas du tout été miseslen pratique, mais seules des compensations de température concernant les caractéristiques intrinsèques ont été praticables pour certains types de dispositifs & semi-conducteur.
Toutefois, ces procédes ont été appliqués & une partie seulement des dispositifs ou b des circuits spéciaux, et leurs applications ont été extrêmement limitées.
Toutefois, en conformité avec les facteurs de perfectionnement technique tels que haute densité, structure fine, performance élevée et analogues, la consommation de puissance est accrue et, par suite, un dispositif pour la compensation de la variation des caractéristiques du fonctionnement due à la variation de température s'est révélé nécessaire.
Par suite, c'est un but de la présente invention de créer un circuit de détection de température de semiconducteur qui est propre & être mis en place sur un dispositif à semi-conducteur ayant pour rôle de surmonter les inconvénients des techniques classiques et de satisfaire le besoin décrit ci-dessus.
C'est un autre but de la présente invention de créer un dispositif pour la détection des températures au moyen d'un silicium polycristallin.
C'est encore un autre but de la présente invention de créer un circuit de détection de température de semiconducteur qui nécessite la consommation de puissance minimale.
C'est encore un autre but de la présente invention de créer un circuit de détection de température de semiconducteur qui est apte à détecter les variations de la température d'un semi-conducteur par un procédé numérique.
Dans la réalisation des buts ci-dessus, le circuit de la présente invention est constitué de telle sorte qu'un moyen d'alimentation en courant et un moyen de résistance au silicium polycristallin, reliés en série, sont prévus entre une première ligne d'alimentation et une second ligne d'alimentation, et que les tensions de borne dudit moyen de résistance au silicium polycristallin sont sortis sous la forme des signaux de détection de température, dans lequel lesdites tensions de borne varient en réponse & la températureemronEnt du moyen de résistance au silicium polycristallin.
Un silicium polycristallin exempt de dopage d'impuretés ou comportant un faible dopage non seulement présente une valeur de résistance importante mais présente des variations de la valeur de résistance par rapport aux variations de température qui sont extrêmement importantes et rapides sous la forme d'une fonction exponentielle. Par exemple, dans la plage de températures comprise entre 273 et 343 K, sa valeur de résistance varie jusqu'à plusieurs centaines de fois.
Dans le cas d'un silicium polycristallin dans lequel un dopant du type antimoine, phosphore, arsenic ou bore est utilisé, sa résistance de surface devient très élevée du fait des pièges de porteurs existants aux limites de grain des particules cristallines. Par exemple, dans le cas où un ion d'antimoine est implanté dans un silicium polycristallin de 500.nm avec une énergie de 30 KeV, sa résistance de couche atteint plusieurs méga ohm/carré ou dizaine de giga ohm/carré avec un niveau de dopage d'impureté inférieur å 1014 cl~2.
En outre, le courant de drain d'un transistor MOS dans la tension de sous-seuil est diminué sous la forme d'une fonction exponentielle lorsque la tension de grille devient inférieure à la tension de seuil.
Ainsi, par l'utilisation des caractéristiques de résistance-température des silicium polycristallins et du courant dans la région de sous-seuil des transistors MOS, un circuit pour la détection de température de semiconducteur peut être constitué, celui-ci étant le mieux approprié pour une mise en place dans des dispositifs å semi-conducteur å très haute densité.
En outre, comparé å la variation de résistance due & la variation de température d'un silicium polycristallin, la variation du courant de sous-seuil est tout å fait négligeable et, par suite, la variation de température peut être détectée avec une grande fiabilité. De plus, la valeur extremement faible du courant de sous-seuil signifie une faible consommation de puissance du circuit de la présente invention.
La présente invention crée en outre un moyen d'ajustement de courant servant à l'ajustement du courant de drain dans la région de sous-seuil du transistor MOS qui est utilisé comme le moyen d'alimentation en coursant,
Ce moyen d' ajustement de courant comprend : un premier transistor MOS d'un premier type de conduction constitué d'une première électrode de courant couplée & ladite première ligne d'alimentation, d'une électrode de commande couplée b la seconde ligne d'alimentation et d'une seconde électrode de courant couplée & un premier noeud
un second transistor MOS d'un deuxième type de conduction, constitué d'une première électrode de courant couplée au premier noeud, d'une électrode de commande -' également couplée au premier noeud, et d'une deuxième électrode de courant couplée & la seconde ligne d'alimentation, le second transistor MOS ayant une dimension géométrique suffisamment plus grande que celle du premier transistor MOS de sorte A permettre à celui-ci de fonctionner dans la région de sous-seuil
un troisième transistor nOS du deuxième type de conduction, constitué d'une électrode de commande couplée & l'électrode de commande du second transistor MOS, d'une première électrode de courant couplée à la seconde ligne d'alimentation et d'une deuxième électrode de courant couplée & un deuxième noeud, le troisième transistor MOS ayant une dimension géométrique suffisamment inférieure å celle du deuxième transistor MOS, et
un quatrième transistor MOS du premier type de conduction, constitué d'une première électrode de courant couplée å la première ligne d'alimentation, d'une électrode de commande couplée au deuxième noeud, et d'une deuxième électrode de courant également couplée au deuxième noeud, le quatrième transistor MOS ayant une dimension géométrique suffisamment plus grande que celle du troisième transistor MOS de sorte à lui permettre de fonctionner dans la région de sous-seuil, et l'électrode de commande de celui-ci étant ordinairement connectée d l'électrode de commande du transistor MOS du moyen d'alimentation en courant.
Dans ce moyen d' ajustement de courant constitué comme indiqué ci-dessus, le courant de drain du transistor nOS du moyen d'alimentation en courant est fixé par le courant de drain du premier transistor MOS et par les rapports entre les dimensions géométriques desdits transistors NOS. Par suite, la fourniture de courant du moyen d'alimentation en courant aura une valeur qui n'est pas liée & la variation de température et au procédé de fabrication.
Dans le circuit de la présente invention, une pluralité de moyens d'alimentation en courant et de résistance au silicium polycristallin respectivement reliés en serie sont prévus entre la première ligne d'alimentation et la seconde ligne d'alimentation de sorte que différents signaux électriques aeront obtenus en réponse & une température environnante dxmOedu moyen de résistance au silicium polycristallin.
Lesdits moyens d'alimentation en courant respectifs sont constitués de transistors MOS, et ces transistors
MOS ont des dimensions géométriques différentes les unes des autres, de sorte qu'ils auront différentes valeurs de courant d'alimentation, et que différents signaux électriques pourront être obtenus en réponse & une température environnante donnée des moyens de résistances de silicium polycristallin présentant les mêmes valeurs de résistance.
Une autre caractéristique de la présente invention, dans le cas où les valeurs d'alimentation en courant sont identiques, est que les valeurs de résistance des moyens de résistance au silicium polycristallin sont également rendues différentes de sorte que différents signaux électriques pourront être obtenus en réponse à une température environnante donnée des moyens de résistance de silicium polycristallin.
Dans le mode de réalisation de la présente invention, un silicium polycristallin est utilisé comme moyen servant à détecter la température de semi-conducteur mais il conviendra de comprendre que le moyen de détection de température n'est pas limité a ce matériau.
En variante au moyen de détection de température, un moyen de résistance sensible a la température ayant une caractéristique de résistance-température similaire au silicium polycristallin et qui peut être produit au moyen du procédé de fabrication de semi-conducteur peut être utilisé.
L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre des odes de réalisation préférés et en se référant aux dessins annexés sur lesquels
La figure 1 est une illustration schématique de la structure du circuit de la présente invention.
La figure 2 est une illustration graphique des variations de la résistance de couche du silicium polycristallin par rapport & l'implantation ionique de l'impureté.
La figure 3 est une illustration graphique de la caractéristique de sous-seuil des transistors MOS.
La figure 4 est une illustration sous forme de circuit d'un mode de réalisation de la présente invention.
La figure 5 est une illustration sous forme de circuit d'un mode de réalisation particulièrement préféré de la présente invention, et
La figure 6 est une illustration graphique des caractéristiques de température-tension de sortie du circuit de la figure 5.
La figure 1 est une illustration schématique du circuit de la présente invention En conformité avec ce dessin, un moyen d'alimentation en courant 10 et un moyen de résistance au silicium polycristallin 20 reliés en série sont connectés entre une première ligne d'alimentation 11 et une seconde ligne d'alimentation 12.
La tension de borne dudit moyen de résistance au silicium polycristallin 20 qui répond aux variations de température du semi-conducteur est sortie sous la forme du signal de détection de température.
Un silicium polycristallin.qui n'est pas dopé avec une impureté ou qui est légèrement dopé présente une tres haute valeur de résistance. En particulier, un silicium polycristallin qui a subi une implantation ionique avec une impureté du type antimoine, phosphore, arsenic, bore et analogues présente une très haute valeur de résistance due au piégeage de porteurs aux limites de grain.
La figure 2 est une illustration graphique des variations de la résistance de couche par rapport å l'implantation ionique d'une impureté du type antimoine ou phosphore dans le cas où l'ion d'impureté est implanté dans un silicium polycristallin de 500 nm avec une énergie de 30 KeV.
Sur le graphique, dans le cas où les ions d'antimoine sont dopés, on voit que la résistance de couche atteint plusieurs méga ohm/carré ou plusieurs dizaine de giga ohm/carré endessous de la plage d'implantation ionique de 1014 cl~2. Lorsque la température ambiante est amenée & varier de 273'K A 343 K, par exemple, la valeur de résistance d'un tel silicium polycristallin est diminuée de plusieurs cen tainoe ou plusieurs milliers de fois sous la forme d'une fonction exponentielle. Ledit moyen d'alimentation en courant est constitué d'une manière telle qu'il fournira des courants permettant d'obtenir les signaux en sortie souhaités en conformité avec la valeur de résistance du silicium polycristallin.
La figure 4 est une illustration sous forme de circuit d'un mode de réalisation de la présente invention. Dans ce mode de réalisation, le moyen d'alimentation en courant 10 est constitué d'un transistor MOS à canal p M5 qui est apte & fonctionner dans la région de sous-seuil.
La source du transistor nOS A canal p M5 est reliée à la première ligne d'alimentation 11, dont le drain est connecté & un troisième noeud N3, et dont la grille est connectée au moyen d'établissement de courant 30. L'une des bornes du moyen de résistance au silicium polycristallin 20 est reliée au troisième noeud N3, et l'autre borne est reliée & la seconde ligne d'alimentation 12.
Ledit moyen d'établissement de courant 30 est constitué de quatre transistors MOS. Parmi ceux-ci, la source d'un premier transistor MOS à canal p M1 est reliée å la première ligne d'alimentation 11, dont la grille est reliée à la seconde ligne d'alimentation 12 et dont le drain est relié au premier noeud N1, le courant de drain de celui-ci ID1 étant appliqué au premier noeud
N1.
Le drain et la grille d'un second transistor MOS å canal n M2 sont reliés en commun au premier noeud N1 et la source de celui-ci est reliée à la seconde ligne d'alimentation 12. Le rapport entre les dimensions géométriques des premier et second transistors MOS doit satisfaire la formule W1 W2 (L1-L2) de façon que le second transistor MOS M2 soit apte à fonctionner dans la région de sous-seuil.
Le drain d'un troisième transistor MOS à canal n M3 est relié au deuxième noeud N2, dont la source est reliée à la seconde ligne d'alimentation 12 et dont la grille est reliée au premier noeud N1 de façon que celui-ci comporte la même tension de polarisation que celle du second transistor MOS. En conséquence, le troisième transistor MOS M3 est conçu pour etre apte à fonctionner dans la région de sous-seuil sans tenir compte de la largeur de canal de celle-ci. Le courant de drain ID3 du troisième transistor MOS est défini comme suit
W3
ID3 = ID1 -- (å la condition que W3 W2 et L3-L2)
W2
La grille et le drain d'un quatrième transistor MOS à canal p n4 sont reliés en commun audit deuxième noeud N2 et la source de celui-ci est reliée & la première ligne d'alimentation 11. Le rapport entre les dimensions géométriques des troisième et quatrième transistors MOS.
M3, M4 est conçu pour satisfaire la formule W3 W4 (L3
L4), de façon que ledit quatrième transistor MOS M4 soit apte à fonctionner dans la région de sous-seuil.
La grille d'un cinquième transistor MOS à canal p NS qui constitue le moyen d'alimentation en courant est reliée à la grille du quatrième transistor MOS M4. Bn conséquence, le cinquième transistor nOS à canal p M5 est conçu pour comporter la même tension de grille que celle du quatrième transistor MOS M4 de façon que le premier soit apte & fonctionner dans la région de sous-seuil. Le rapport entre les dimensions géométriques des quatrième et cinquième transistor MOS M4, M5 est conçu pour satisfaire W4 W5 (L4-L5), et par suite, le courant de drain ID5 du cinquième transistor MOS M5 est établi sur la base de la formule suivante
W3 W5
ID5 = Ifil -- -
W2 W4 où ID1 représente le courant de drain du premier transistor MOS et W2-W5 les largeurs de canal du transistor MOS respectif.
Par suite, le drain du cinquième transistor MOS peut avoir une quantité de courant négligeable comparé au courant de drain du premier transistor MOS et, en particulier, eu égard aux dimensions géométriques des second au cinquième transistors MOS.
La tension de sortie VO dans le mode de réalisatIon de la presente invention tel qu'illustré à la.figure 4 peut être définie par la formule suivante
VO = 1D5 x RT (K) ou RT(K) représente les valeurs de résistance du silicium polycristallin pour différents niveaux de température.
La figure 5 illustre le mode de réalisation le plus préféré du circuit en conformité avec la présente invention.
Ce mode de réalisation de la figure 5 est constitué de façon telle que deux paires de moyens d'alimentation en courant et d'un moyen de résistance au silicium polycristallin reliés en série sont mis en place entre la première ligne d'alimentation il et la seconde ligne d'alimentation 12. C'est-B-dire qu'un premier moyen de résistance au silicium polycristallin 20 et le cinquième transistor nOS M5 qui constitue un premier moyen d'alimentation en courant 10 sont reliés en série entre le premier moyen d'alimentation 11 et le deuxième moyen d'alimentation 12, tandis qu'un deuxième moyen de résistance au silicium polycristallin 50 et le sixième transistor MOS M6 qui constitue un deuxième moyen d'alimentation 40 sont reliés en série l'un avec l'autre.
Ensuite, la première partie de circuits reliés en série et la derniere partie de circuits reliés en série sont connectés ensemble en parallèle tandis que les grilles desdits cinquième et sixième transistors MOS M5, M6 sont connectés en commun à la grille du quatrième transistor
MOS M4 d'un moyen d' ajustage de courant 30 qui est le même que celui de la figure 4.
En outre, le troisième noeud N3 constituant un point de connexion entre le cinquième transistor MOS M5 et le première moyen de résistance au silicium polycristallin 20 et le quatrième noeud N4 constituant un point de connexion entre le sixième transistor MOS M6 et le deuxième moyen de résistance au silicium polycristallin 50 sont respectivement connectés par l'intermédiaire d'un moyen de conversion numérique 60, 70 aux bornes de sortie
T1, T2.
Le moyen de conversion numérique 60, 70, par exemple est constitué d'inverseurs IN1, IN2 et de préférence d'inverseurs de type CMOS. Les courants de drain ID5, ID6 desdits cinquième et sixième transistors MOS M5, M6, sont réglés par les formules suivantes
W3 W5
ID5 = ID1 -- -
W2 W4
W3 W6
1D6 = ID1 -- -
W2 W4 à la condition que W3 W2, W5 W4, W6 W4 et W5 < W6.
Par suite, si les résistances des premier et deuxième moyens de résistance au silicium polycristallin 20, 50 sont fixées à la même valeur, alors les tensions de noeud
VN3, VN4 des troisième et quatrième noeuds seront définies par les formules suivantes
VN3(T) = ID5 x RT1(T)
VN4(T) = ID6 x RT2(T)
Où RT1 représente la valeur de résistance du premier silicium polycristallin à T K et RT2 représente la valeur de résistance du deuxième silicium polycristallin à T K. Si les températures sont égales l'une à l'autre en degrés kelvin, on obtiendra nlors ID5 < ID6 et
VN3(T) < VN4(T).
L'état de sortie des bornes de sortie T1, T2 sera amené à varier comme représente au tableau 1 ci-dessous, si, par exemple, des ajustements sont faits tels que la tension de noeud VN3 atteindra le niveau de tension de déclenchement prédéterminé du premier moyen d'inverseur
IN 1 å 293 K(200C), (le premier dessin d'onde en pointillé sur la figure 6), et tels que la tension de noeud VN4 atteindra le niveau de tension de déclenchement prédéterminé du deuxième moyen d'inverseur IN2 å 323ka
(50 C) (le deuxième dessin d'onde en pointillé sur la figure 6).
Tableau 1
Iab1ca
Temp. (K) 263-293 293-323 323-355
Borne de sortie
Ti L H H
T2 L L H
T2 L L H
Par suite, il devient possible de détecter la température environnante aumoyen d'un procédé de type numérique.
I1 existe une autre approche pour établir la température de détection afin de détecter la température environante au moyen d'un procédé du type numérique qui est conçu de telle façon que les-dimensions géométriques des transistors MOS des moyens d'alimentation en courant respectifs sont conçuespour être identiques l'us à l'autre et que les valeurs de résistance des moyens de résistance au silicium polycristallin respectifs sont conçuespour être différentes l'une de l'autre. Les valeurs de résistance des moyens de résistance au silicium polycristallin peuvent être amenées à varier en disposant différentes dimensions géométriques de ceux-ci ou en effectuant les implantations ioniques a différents niveaux.
Comme décrit ci-dessus, le dispositif de la présente invention rend possible de détecter la température de semi-conducteur au moyen d'un silicium polycristallin et par suite est tout à fait approprié pour une mise en place dans des dispositifs de semi-conducteur à très haute densité. En outre, les courants de sous-seuil des transistors nOS peuvent être fixés au moyen du rapport entre les dimensions géométriques des transistors nOS et, par suite, le circuit de la présente invention nécessite une faible consommation de puissance et peut être conçu de manière à être sans rapport avec le procédé de fabrication et les variations de température.
En outre, la température ambiante peut être détectée au moyen d'un procédé de type numérique.et, par suite, les signaux de détection peuvent être directement utilisés sans aucune conversion ni traitement. En raison des avantages décrits ci-dessus de la présente invention, le concepteur de dispositifs & semi-conducteur peut disposer d'une plus grande liberté dans la conception de dispositifs à semi-conducteur de très haute densité pour surmonter les effets défavorables d'élévation de température.

Claims (27)

REVENDICATIONS
1. Circuit de détection de température de semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend
un moyen d'alimentation en courant (10) et un moyen de résistance au silicium polycristallin (20) reliés en série entre une première ligne d'alimentation (11) et une seconde ligne d'alimentation (12),
par lequel les tensions de borne dudit moyen de résistance au silicium polycristallin (20) qui présente des variations en réponse aux variations de la température du semiconducteur sont sortis sous la forme de signaux de détection de température.
2. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit moyen de résistance au silicium polycristallin (20) est 1é- gèrement dopé avec une impureté.
3. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit dopage d'une impureté dans le silicium polycristallin est effectué au moyen d'un procédé d'implantation ionique.
4. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite impureté est constituée de l'un quelconque des antimoine, phosphore, arsenic et bore.
5. Circuit due détection de température de semi-conducteur selon'la revendication 1, caractérisé en ce que ledit moyen de résistance au silicium polycristallin (20) n'est pas du tout dopé avec une impureté.
6. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 1 a 5, ca caractérisé en ce que ledit moyen d'alimentation en courant est constitue d'un transistor MOS qui est apte a fonctionner dans la région de sous-seuil.
7. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'un moyen d'ajustage de courant (30) servant a l'ajustage du courant de drain dudit transistor MOS est prévu de manière supplé- mentaire.
8. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit moyen d'ajustage de courant (30) comprend
un premier transistor MOS d'un premier type de conduction constitué d'une première électrode de courant reliée à la première ligne d'alimentation (11), d'une électrode de commande reliée à la seconde ligne d'alimentation (12) et d'une deuxième électrode de courant reliée à un premier noeud
un second transistor MOS d'un deuxième type de conduction constitué d'une première électrode de courant et d'une électrode de commande reliées en commun audit premier noeud et d'une deuxième électrode de courant reliée à ladite seconde ligne d'alimentation (12) et ayant une dimension geométrique suffisamment plus grande que celle dudit premier transistor MOS de sorte que le premier sera apte a fonctionner dans la région de sous-seuil
un troisième transistor MOS du deuxième type de conduction constitué d'une électrode de commande reliée à l'élec- trode de commande dudit second transistor MOS, d'une première électrode de courant reliée à ladite seconde ligne d'alimentation (12), et d'une deuxième électrode de courant reliée à un deuxième noeud et ayant une dimension géométrique suffisamment plus petite que celle dudit second transistor
MOS, et
un quatrième transistor MOS du premier type de conduction constitué d'une première électrodede courant reliée à la dite première ligne d'alimentation (11) et d'une première électrode de commande et d'une deuxième électrode de courant reliées en commun audit deuxième noeud et ayant une dimension géométrique suffisamment plus grande que celle du troi sième transistor MOS de façon que le quatrième transistor.
MOS soit apte à fonctionner dans la région de sous-seuil, dans lequel l'électrode de commande est connectée en commun a l'électrode de commande du transistor MOS dudit moyen d'alimentation en courant (10).
9. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que le transistor MOS dudit moyen d'alimentation en courant (10) a une dimension géométrique suffisamment plus faible que celle dudit quatrième transistor MOS.
10. Circuit de détection de température de semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend
une pluralité de moyens de détection de température respectivement constitués d'un moyen d'alimentation en courant (10,40) et d'un moyen de résistance au silicium polycristallin (20,50) reliés en série entre une première ligne d'alimentation (11) et une seconde ligne d'alimentation (12), dans lequel chacun desdits plusieurs moyens de détection de température sort respectivement différents signaux électriques en réponse à la température environnante des moyens de résistance au silicium polycristallin (20,50).
11. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que des moyens de conversion numérique (60,70) servant à convertir les signaux électriques en sortie desdits moyens de détection de température en signaux numériques sont prévus de manière supplémentaire.
12. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit moyen de conversion numérique respectivement est constitué d'un moyen d'inverseur (60,70) comportant des bornes d'entrée connectées au point de connexion commun entre ledit moyen d'alimentation en courant (10,40) et le moyen de résistance au silicium polycristallin (20,50), et dans lequel la température est détectée au moyen de la combinaison de "0" et de "1" logiques des bornes de sortie des moyens d'inverseurs respectifs (60,70).
13. Circuit de détection de température de semi-conduc-.
teur selon la revendication 12, caractérisé en ce que les moyens de résistance au silicium polycristallin (20,50) respectifs dudit moyen de détection de température sont légèrement dopés avec une impureté.
14. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 13, caractérisé en ce que le dopage dudit silicium polycristallin est effectué au moyen d'un procédé d'implantation ionique.
15. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'impureté devant être implantée est constituée de ltun quelconque des antimoine, phosphore, arsenic et bore.
16. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 10, caractérisé en ce que lesdits moyens de résistance au silicium polycristallin (20,50) ne sont pas du tout dopés avec une impureté.
17. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 11 à 16, caractérisé en ce que lesdits moyens d'alimentation en courant (10,40) respectifs sont constitués de transistors MOS qui sont aptes a fonctionner dans la région de sous-seuil.
18. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 17, caractérisé en ce que lesdits transistors MOS sont prévus avec un moyen d'ajustage de courant commun (30) servant a fixer les courants de drain respectifs.
19. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 18, caractérisé en ce que ledit moyen d'ajustage de courant comprend
un premier transistor MOS d'un premier type de conduction, constitué d'une première électrode de courant reliée a ladite première ligne d'alimentation (11), d'une électrode de commande reliée a ladite seconde ligne d'alimentation(l2), et d'une deuxième électrode de courant reliée â ladite seconde ligne d'alimentation (12), et d'une deuxième électrode de courant reliée à un premier noeud
un second transistor MOS d'un deuxième type de conduction, constitué d'une première électrode de courant et d' une électrode de commande connectées en commun audit premier noeud et d'une deuxième électrode de courant reliée a ladite seconde ligne d'alimentation (12), et ayant une dimension géométrique suffisamment plus grande que celle dudit premier transistor MOS de façon a ce que le deuxième transistor MOS soit apte a fonctionner dans la region de. sous-seuil
un troisième transistor MOS du deuxième type de conduc tion, constitué d'une électrode de commande reliée a l'électrode de commande dudit second transistor MOS, d'une première électrode de courant reliée a ladite seconde ligne d'alimentation (12), et d'une deuxième électrode de courant reliée a un deuxième noeud, et ayant une dimension géométrique suffisamment plus petite que celle dudit second transistor MOS, et
un quatrième transistor MOS du premier type de conduction, constitué d'une première électrode de courant reliée à ladite première ligne d'alimentation, et d'une électrode de commande et d'une deuxième électrode de courant reliées en commun audit deuxième noeud, et ayant une dimension géométrique suffisamment plus grande que celle du troisième transistor MOS de façon que le quatrième transistor MOS soit apte a fonctionner dans la région de sous-seuil, dans lequel l'électrode de commande dudit quatrième transistor MOS est connectée en commun aux électrodes de commande des transistors MOS respectifs dudit moyen d'alimentation en courant (10) .
20. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il est donné aux transistors MOS dudit moyen d'alimentation en courant (10) différentes dimensions géométriques de façon que ledit moyen de détection de température sortira différents signaux électriques en réponse à une température environnante donnée de celui-ci.
21. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 19, caractérisé en ce que les moyens de résistances au silicium polycristallin (20,50) respectifs sont conçus pour avoir différentes valeurs de résistance de façon que ledit moyen de détection de température sortira différents signaux électriques en réponse a une température environnante donnée de ceux-ci.
22. Circuit de détection de température de semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend
un moyen d'alimentation en courant (10,40) servant à appliquer des courants de drain dans la région de sous-seuil, et
un moyen de résistance de détection de température (20,50) servant à limiter lesdits courants de drain en conformité avec la variation en température,
ledit moyen d'alimentation en courant (10,40) et ledit moyen de résistance de détection de température (20,50) étant connectés en série entre une première ligne d'alimentation (11) et une seconde ligne d'alimentation (12),
dans lequel les tensions de borne desdits moyens de résistance de détection de température (20,50) sont sortis sous la forme du signal de détection de température.
23. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 22, caractérisé en ce que le dit moyen de résistance de détection de température (20,50) est constitué d'un silicium polycristallin.
24. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 23, caractérisé en ce que ledit silicium polycristallin est légèrement dopé avec une impureté.
25. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 24, caractérisé en ce que le dopage dudit silicium polycristallin avec une impureté est effectué au moyen d'un procédé d'implantation ionique.
26. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 25, caractérisé en ce que ladite impureté est constituée de l'un quelconque des antimoine, phosphore, arsenic et bore.
27. Circuit de détection de température de semi-conducteur selon la revendication 22, caractérisé en ce que ledit moyen de résistance de détection de température est constitue d'un matériau qui présente les memes caractéristiques de résistance-température que celles du silicium polycristallin et qui peut être produit au moyen du procédé de fabrication du semi-conducteur.
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