JPH0284720A - シリコン窒化膜のフォトリソグラフィ法 - Google Patents
シリコン窒化膜のフォトリソグラフィ法Info
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- JPH0284720A JPH0284720A JP894588A JP894588A JPH0284720A JP H0284720 A JPH0284720 A JP H0284720A JP 894588 A JP894588 A JP 894588A JP 894588 A JP894588 A JP 894588A JP H0284720 A JPH0284720 A JP H0284720A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば導電性材料から゛なる電極あるいは配
線などの導電層にＳｉＮ膜を介して積層される上部導電
層の導電性材料が接触するための接続孔をＳｉＮ膜に形
成する場合のようなＳｉＮ膜の微細加工を行うフォトリ
ソグラフィ法に関する。
線などの導電層にＳｉＮ膜を介して積層される上部導電
層の導電性材料が接触するための接続孔をＳｉＮ膜に形
成する場合のようなＳｉＮ膜の微細加工を行うフォトリ
ソグラフィ法に関する。
第２図はアクティブマトリクス液晶表示装置用の基板を
示し、（荀は平面図、 （ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面
図である。ガラス基板等の透明絶縁基板１の上にＳｌｏ
ｗ等の透明絶縁膜２が数百ないし数千人の厚さに形成さ
れている。さらにその上に電子ビーム蒸着法あるいはス
パッタ法を用いて５００〜１０００人の厚さの！ＴＯ（
インジウム・錫酸化物）膜が成膜され、フォトリソグラ
フィ法によりＩＴＯパターン３１．３２．３３が形成さ
れている。ＩＴＯ膜３１の上には電子ビーム蒸着法ある
いはスパッタ法を用いて１０００〜２０００人の厚さに
成膜されたＣｒ膜４１を介してｐｉｎ接合を有する非晶
質シリコン層５が同様に成膜された約１０００人の厚さ
のＣｒ膜４２の間に存在する。非晶質シリコン（以下ａ
−３１と記す）層５は、まずシランガスにジポランガス
を０．１〜５９４混合し、０．１〜１０Ｔｏｒｒの減圧
中でプラズマ分解して約５０００人の厚さに成膜された
ｐ形ａ−３ｉ膜と、次いでシランガスを同様の圧力条件
でプラズマ分解して約０．５−の厚さで積層したノンド
ープａ −３１層と、次にシランガスにフォスフインガ
スを０．１〜５％混合し、同じ＜ ｏ、 ｉ〜１０Ｔｏ
ｒｒの圧力条件でプラズマ分解して約５００人の厚さに
積層したｎ型ａ−３１膜とからなる。Ｃｒ膜４２．ａ−
３１層５＋Ｃｒ膜４１のパターニングはフォトリソグラ
フィ法を用い、レジストパターン形成後、プラズマエツ
チングによって行われるｅ Ｃｒのプラズマエツチング
はＣＣｆ４と０雪も１：１〜５の比で混合したガスを用
い、―−Ｓｔ層のプラズマエツチングには５Ｆｔｈを用
いる。
示し、（荀は平面図、 （ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面
図である。ガラス基板等の透明絶縁基板１の上にＳｌｏ
ｗ等の透明絶縁膜２が数百ないし数千人の厚さに形成さ
れている。さらにその上に電子ビーム蒸着法あるいはス
パッタ法を用いて５００〜１０００人の厚さの！ＴＯ（
インジウム・錫酸化物）膜が成膜され、フォトリソグラ
フィ法によりＩＴＯパターン３１．３２．３３が形成さ
れている。ＩＴＯ膜３１の上には電子ビーム蒸着法ある
いはスパッタ法を用いて１０００〜２０００人の厚さに
成膜されたＣｒ膜４１を介してｐｉｎ接合を有する非晶
質シリコン層５が同様に成膜された約１０００人の厚さ
のＣｒ膜４２の間に存在する。非晶質シリコン（以下ａ
−３１と記す）層５は、まずシランガスにジポランガス
を０．１〜５９４混合し、０．１〜１０Ｔｏｒｒの減圧
中でプラズマ分解して約５０００人の厚さに成膜された
ｐ形ａ−３ｉ膜と、次いでシランガスを同様の圧力条件
でプラズマ分解して約０．５−の厚さで積層したノンド
ープａ −３１層と、次にシランガスにフォスフインガ
スを０．１〜５％混合し、同じ＜ ｏ、 ｉ〜１０Ｔｏ
ｒｒの圧力条件でプラズマ分解して約５００人の厚さに
積層したｎ型ａ−３１膜とからなる。Ｃｒ膜４２．ａ−
３１層５＋Ｃｒ膜４１のパターニングはフォトリソグラ
フィ法を用い、レジストパターン形成後、プラズマエツ
チングによって行われるｅ Ｃｒのプラズマエツチング
はＣＣｆ４と０雪も１：１〜５の比で混合したガスを用
い、―−Ｓｔ層のプラズマエツチングには５Ｆｔｈを用
いる。
このあと、プラズマＣＶＤ法によりシランおよびアンモ
ニアの混合ガスを分解、堆積し、０．１〜１−の厚さの
ＳｉＮ膜を形成する。シラン対アンモニアの混合比は０
．３〜１．０で、ガス圧０．１〜３ Ｔｏｒｒでプラズ
マ分解する０次いでフォトリソグラフィ法を用い、レジ
ストパターンの形成とＳＰ、ガスによるエツチングとレ
ジスト膜の剥離゛により接続孔６１を有するＳｉＮ膜パ
ターン６を形成する０次にスパッタ法あるいは電子ビー
ム蒸着法を用いて金属膜を０．２〜１−の厚さに堆積し
、フォトリソグラフイ法により金属膜パターン７を形成
する。
ニアの混合ガスを分解、堆積し、０．１〜１−の厚さの
ＳｉＮ膜を形成する。シラン対アンモニアの混合比は０
．３〜１．０で、ガス圧０．１〜３ Ｔｏｒｒでプラズ
マ分解する０次いでフォトリソグラフィ法を用い、レジ
ストパターンの形成とＳＰ、ガスによるエツチングとレ
ジスト膜の剥離゛により接続孔６１を有するＳｉＮ膜パ
ターン６を形成する０次にスパッタ法あるいは電子ビー
ム蒸着法を用いて金属膜を０．２〜１−の厚さに堆積し
、フォトリソグラフイ法により金属膜パターン７を形成
する。
このようなアクティブマトリクス液晶表示装置用基板の
製造過程において、ＳｉＮ膜とのレジストのＳＩＮ ｉ
ｌｌに対する密着性が悪＜ 、ＳｉＮ ＩＩ形成後２４
時間以内にレジスト塗布を行わないとパターンくずれが
多（、微細なパターンを形成できないという問題がある
０例えば、成膜後４８時間後にフォトリソグラフィを行
うと、６ｎ角のＳＩＮ接続孔６１が１５層程度まで広が
るという問題が発生した。
製造過程において、ＳｉＮ膜とのレジストのＳＩＮ ｉ
ｌｌに対する密着性が悪＜ 、ＳｉＮ ＩＩ形成後２４
時間以内にレジスト塗布を行わないとパターンくずれが
多（、微細なパターンを形成できないという問題がある
０例えば、成膜後４８時間後にフォトリソグラフィを行
うと、６ｎ角のＳＩＮ接続孔６１が１５層程度まで広が
るという問題が発生した。
本発明の目的は、上述の問題を解決してＳｉＮ膜に接続
孔などを形成する微細加工を容昌に行うことのできるＳ
ｉＮ膜のフォトリソグラフィ法を提供することにある。
孔などを形成する微細加工を容昌に行うことのできるＳ
ｉＮ膜のフォトリソグラフィ法を提供することにある。
上述の目的を達成するために、本発明の方法は、ＳＩＮ
膜成膜後その表面にＳｉＮ膜およびレジスト膜との密着
性のよい中間膜を被着し、その上にレジストパターンを
形成するものとする。
膜成膜後その表面にＳｉＮ膜およびレジスト膜との密着
性のよい中間膜を被着し、その上にレジストパターンを
形成するものとする。
ＳＩＮ ＠とレジスト膜の間に両膜と密着性のよい膜を
介在させるため、レジスト膜の剥離がなく、パターンく
ずれが発生しない。
介在させるため、レジスト膜の剥離がなく、パターンく
ずれが発生しない。
実施例１：
第１図１８）、（ｂｌは本発明の一実施例を第２図世）
に対応する断面図で示し、第２図と共通の部分には同一
の符号が付されている。Ｃｒ膜４１．ａ−３１層５゜Ｃ
ｒ膜４２のパターンを上述と同様にフォトリソグラフィ
法によって行い、その上にやはり上述と同様３１１４を
ＮＨｓに０．３〜１．０対ｌの比で混合したガスを０．
１〜３ Ｔｏｒｒのガス圧下でプラズマ分解してＳＩＮ
膜６０を０．５ｎ程度の厚さに全面に形成した０次にガ
ス置換してシランガスを同じり０．１〜３ Ｔｏｒｒの
ガス圧下でプラズマ分解し、５０〜２０００人の厚さの
ａ−３ｌ膜８０を形成した。このａ−３ｌ膜８０の上に
レジスト剤として東京応化工業■商品゛名０ＦＰＲ８０
０を用いて第１図ｔａ＋に示すようにレジスト膜９を形
成した。この状態でフォトリソグラフィを行うと、ａ
−３１膜８０とＳＩＮ １＄６０． レジスト膜９と
ａ −３１膜°８０との密着性が良好で、膜形成後の放
置時間にほとんど依存せず、ＳＦ４またはＣＦ４１０ｘ
ガスで第１図世）に示すように微細なＳｉＮ膜のパター
ン６がａ−３ｌ膜のパターン８と共に形成された。ａ−
３ｉｌ１８０の膜厚を２００Å以上にすることにより、
微細加工によって起こる不良は全くなくなる。一方、ａ
−ｓｖｓａｏの膜厚があまり厚いとリーク電流が大きく
なるので２００〜５００人の厚さに形成することがより
好ましいことが明らかとなった。
に対応する断面図で示し、第２図と共通の部分には同一
の符号が付されている。Ｃｒ膜４１．ａ−３１層５゜Ｃ
ｒ膜４２のパターンを上述と同様にフォトリソグラフィ
法によって行い、その上にやはり上述と同様３１１４を
ＮＨｓに０．３〜１．０対ｌの比で混合したガスを０．
１〜３ Ｔｏｒｒのガス圧下でプラズマ分解してＳＩＮ
膜６０を０．５ｎ程度の厚さに全面に形成した０次にガ
ス置換してシランガスを同じり０．１〜３ Ｔｏｒｒの
ガス圧下でプラズマ分解し、５０〜２０００人の厚さの
ａ−３ｌ膜８０を形成した。このａ−３ｌ膜８０の上に
レジスト剤として東京応化工業■商品゛名０ＦＰＲ８０
０を用いて第１図ｔａ＋に示すようにレジスト膜９を形
成した。この状態でフォトリソグラフィを行うと、ａ
−３１膜８０とＳＩＮ １＄６０． レジスト膜９と
ａ −３１膜°８０との密着性が良好で、膜形成後の放
置時間にほとんど依存せず、ＳＦ４またはＣＦ４１０ｘ
ガスで第１図世）に示すように微細なＳｉＮ膜のパター
ン６がａ−３ｌ膜のパターン８と共に形成された。ａ−
３ｉｌ１８０の膜厚を２００Å以上にすることにより、
微細加工によって起こる不良は全くなくなる。一方、ａ
−ｓｖｓａｏの膜厚があまり厚いとリーク電流が大きく
なるので２００〜５００人の厚さに形成することがより
好ましいことが明らかとなった。
実施例２：
第１図と同様にＣｒ膜４１．ａ−３１層５．Ｃｒ膜４２
のパターンの上にＳＩＮ膜６０を約０．５ｎの厚さに成
膜後、ＳＩＮオとＣｍ’ｓの混合ガスをＣが３１の１０
〜３０％になるようにガス比を設定してプラズマ分解し
、ａ−３ｉ膜８０の代わりに５０〜１０００人の厚さの
ガラス状ＳｔＣ膜を形成した− ＣＪ＊の代わりに、Ｃ
Ｊ＋、Ｃ１１ｅ。
のパターンの上にＳＩＮ膜６０を約０．５ｎの厚さに成
膜後、ＳＩＮオとＣｍ’ｓの混合ガスをＣが３１の１０
〜３０％になるようにガス比を設定してプラズマ分解し
、ａ−３ｉ膜８０の代わりに５０〜１０００人の厚さの
ガラス状ＳｔＣ膜を形成した− ＣＪ＊の代わりに、Ｃ
Ｊ＋、Ｃ１１ｅ。
ＣＩＨ，などのハイドロカーボン系ガスを用いても同様
にできる。このあとフォトリソグラフィ法によりバター
ニングを行ったが、バターニング不良の発生が減少した
。特に、ＳＩＣ膜厚を２００Å以上にすることにより、
ＳＦ、ガスを用いてのエツチングによるバターニングが
再現よく実現できるようになった。
にできる。このあとフォトリソグラフィ法によりバター
ニングを行ったが、バターニング不良の発生が減少した
。特に、ＳＩＣ膜厚を２００Å以上にすることにより、
ＳＦ、ガスを用いてのエツチングによるバターニングが
再現よく実現できるようになった。
実施例３：
第３図１Ｍ）、（ｍ１）はマトリクス型イメージセンナ
での実施例を示し、（−１は平面図、（ｂ）は（ａｌの
Ｂ−Ｂ線断面図である。ガラス等の透明絶縁基板ｌ上に
Ｃｒ膜をスパッタリング法を用いて１０００〜５０００
人の厚さに形成し、フォトリソグラフィ法によりマトリ
クス配線４３．４４．４５．４６を形成する０次いで３
１１１１をＮＲ３に０．３〜１．０倍混合したガスを０
．１〜３ Ｔｏｒｒのガス圧下でプラズマ分解すること
によりＳｉＯ＠を約０．５ ｔｒｗａの厚さに形成し、
ＳＩＨ＊、ＮＨｓ、Ｎ諺０を（ＮＦＩｓ ＋ Ｎｅｏ）
／ ＳＬＨ＊が約４０％、ＮｓＯ／ （Ｎｅｏ ＋
ＮＨ３）が約５０％となる状態で混合したガスを約Ｉ
Ｔｏｒｒのガス圧下でプラズマ分解することによりガラ
ス状５ＩＯＮ膜１００〜２０００人の厚さに積層し之そ
の上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により
、ＳＩＮ ＩＩＩのパターン６２．５ＩＯＮ膜のパター
ン８１および接続孔６１のパターンを形成する。 ５Ｉ
ＯＮＩＩはＣＩ＋４ と・ｈの混合ガスを用いたプラズ
マエツチングにより。
での実施例を示し、（−１は平面図、（ｂ）は（ａｌの
Ｂ−Ｂ線断面図である。ガラス等の透明絶縁基板ｌ上に
Ｃｒ膜をスパッタリング法を用いて１０００〜５０００
人の厚さに形成し、フォトリソグラフィ法によりマトリ
クス配線４３．４４．４５．４６を形成する０次いで３
１１１１をＮＲ３に０．３〜１．０倍混合したガスを０
．１〜３ Ｔｏｒｒのガス圧下でプラズマ分解すること
によりＳｉＯ＠を約０．５ ｔｒｗａの厚さに形成し、
ＳＩＨ＊、ＮＨｓ、Ｎ諺０を（ＮＦＩｓ ＋ Ｎｅｏ）
／ ＳＬＨ＊が約４０％、ＮｓＯ／ （Ｎｅｏ ＋
ＮＨ３）が約５０％となる状態で混合したガスを約Ｉ
Ｔｏｒｒのガス圧下でプラズマ分解することによりガラ
ス状５ＩＯＮ膜１００〜２０００人の厚さに積層し之そ
の上にレジストを塗布してフォトリソグラフィ法により
、ＳＩＮ ＩＩＩのパターン６２．５ＩＯＮ膜のパター
ン８１および接続孔６１のパターンを形成する。 ５Ｉ
ＯＮＩＩはＣＩ＋４ と・ｈの混合ガスを用いたプラズ
マエツチングにより。
ＳｉＮ膜は５Ｆｔｈガスでエツチングした。接続孔（コ
ンタクトホール）６１の不良は全く発生しなかった。
ンタクトホール）６１の不良は全く発生しなかった。
次に約１０００人の厚さのＳＩＮ膜６３．約０．５１ｍ
の厚さのａ−３ｌｌｌ１５１．約５００人の厚さのｎ
！ｌ ａ −３１１１１５２をプラズマ分解で積層パタ
一二ソグし、接続孔６１の延長部を形成した０次いでＣ
ｒ膜をスパッタ法で１０００〜５０００人の厚さに成膜
、フォトリソグラフィ法を用いて共通電極７０１個別取
出し電極？１．７２．７３゜７４を形成し、この金属パ
ターンをマスクにしてｎ型ａ−５ｌ膜５２をプラズマエ
ツチングにより除去する。さらにその上にＳＩＮ １１
６４を保護膜として堆積し、不透明保護膜４７を印刷法
で形成した。こうして共通電極７０と個別取出し電極？
１．７２，７３．７４との間の光センサの信号を配ｍ４
３．４４．４５．４６を用いてマトリクス方式で読取る
イメージセンサを作成した。
の厚さのａ−３ｌｌｌ１５１．約５００人の厚さのｎ
！ｌ ａ −３１１１１５２をプラズマ分解で積層パタ
一二ソグし、接続孔６１の延長部を形成した０次いでＣ
ｒ膜をスパッタ法で１０００〜５０００人の厚さに成膜
、フォトリソグラフィ法を用いて共通電極７０１個別取
出し電極？１．７２．７３゜７４を形成し、この金属パ
ターンをマスクにしてｎ型ａ−５ｌ膜５２をプラズマエ
ツチングにより除去する。さらにその上にＳＩＮ １１
６４を保護膜として堆積し、不透明保護膜４７を印刷法
で形成した。こうして共通電極７０と個別取出し電極？
１．７２，７３．７４との間の光センサの信号を配ｍ４
３．４４．４５．４６を用いてマトリクス方式で読取る
イメージセンサを作成した。
実施例４：
第４図は薄膜トランジスタにおける実施例を示し、ガラ
ス等の透明絶縁基板１の上にスパッタ法でＣｒ膜を１０
００〜２０００人の厚さに形成し、フォトリソグラフィ
法を用いてパターン４８を形成した０次にスパッタ法で
ＩＴＯ膜を５００〜１０００人の厚さに堆積しフォトリ
ソグラフィ法を用いてＩＴＯ電極パターン３５を形成し
た０次いでＳＩＨ＊を■、に対して０゜３〜１．０倍混
合したガスのプラズマ分解により約０．５−の厚さのＳ
ＩＮ膜６５．３１８．ガスのプラズマ分解により０．３
〜０．５ ｎの厚さのａ −３１膜５１゜１％のＰｕｔ
を含んだＳｉＨ＊ガスのプラズマ分解で約５００人の厚
さのｎ型ａ−３１７！１Ｉ５２を形成し、フォトリソグ
ラフィ法でパターン化した。さらにＣｒのスパッタリン
グおよびフォトリソグラフィ法を用いて電極パターン７
５および７６を形成し、このパターンをマスクとしてｎ
！！ａ−３ｌ膜５２をＳＦ＆ガスでエツチング除去した
。このあと、Ｓ％ｈをＮｕｓに０．３〜１．０倍混合し
たガスのプラズマ分解によりＳＩＮ膜６０を約０．５−
の厚さに堆積し、さらに５ｌｕｅとＮｓＯをＮ、ｏ ｌ
に対しＳＩＢ＊ｏ−ｓ〜２の割合で混合したガスのプラ
ズマ分解によりガラス状の８１０膜８２を２００〜１０
００人の厚さに堆積した。その上にレジスト膜を塗布し
てのフォトリソグラフィ法によりＣＦ、とＩｌ、の混合
ガスでエツチングを行い、接続孔６１を含むパターンを
形成し、さらに接続孔６１内で電極７５゜７６と接触す
る配線７７．７８のパターンを作成した。
ス等の透明絶縁基板１の上にスパッタ法でＣｒ膜を１０
００〜２０００人の厚さに形成し、フォトリソグラフィ
法を用いてパターン４８を形成した０次にスパッタ法で
ＩＴＯ膜を５００〜１０００人の厚さに堆積しフォトリ
ソグラフィ法を用いてＩＴＯ電極パターン３５を形成し
た０次いでＳＩＨ＊を■、に対して０゜３〜１．０倍混
合したガスのプラズマ分解により約０．５−の厚さのＳ
ＩＮ膜６５．３１８．ガスのプラズマ分解により０．３
〜０．５ ｎの厚さのａ −３１膜５１゜１％のＰｕｔ
を含んだＳｉＨ＊ガスのプラズマ分解で約５００人の厚
さのｎ型ａ−３１７！１Ｉ５２を形成し、フォトリソグ
ラフィ法でパターン化した。さらにＣｒのスパッタリン
グおよびフォトリソグラフィ法を用いて電極パターン７
５および７６を形成し、このパターンをマスクとしてｎ
！！ａ−３ｌ膜５２をＳＦ＆ガスでエツチング除去した
。このあと、Ｓ％ｈをＮｕｓに０．３〜１．０倍混合し
たガスのプラズマ分解によりＳＩＮ膜６０を約０．５−
の厚さに堆積し、さらに５ｌｕｅとＮｓＯをＮ、ｏ ｌ
に対しＳＩＢ＊ｏ−ｓ〜２の割合で混合したガスのプラ
ズマ分解によりガラス状の８１０膜８２を２００〜１０
００人の厚さに堆積した。その上にレジスト膜を塗布し
てのフォトリソグラフィ法によりＣＦ、とＩｌ、の混合
ガスでエツチングを行い、接続孔６１を含むパターンを
形成し、さらに接続孔６１内で電極７５゜７６と接触す
る配線７７．７８のパターンを作成した。
本発明によれば、絶縁膜または不純物の防止剤として有
効であるＳｉＮ膜のバターニングの際に、ａ−５１，Ｓ
ＩＣ，５ＩＯＮ、ＳｉＯ等の半導体ないし絶縁物のＳＩ
Ｎ ＩＩと密着性のよいガラス状の膜をレジスト膜との
間に介在させることにより、それらの膜がＳｉＮ膜より
レジスト膜との密着性がすぐれていることに基づき、バ
ターニング不良の発生が減少し、微細パターンの加工を
容易にした０本発明は実施例にあばた装置にとどまらず
、シリコン板上にプラズマＣＶＤで形成したＳＩＮ膜を
用いる素子にも有効であるが、特に上述の実施例と同様
に２００℃以上の熱処理を行ってＳＩＮ膜の表面特性を
改善できない場合に有効である。
効であるＳｉＮ膜のバターニングの際に、ａ−５１，Ｓ
ＩＣ，５ＩＯＮ、ＳｉＯ等の半導体ないし絶縁物のＳＩ
Ｎ ＩＩと密着性のよいガラス状の膜をレジスト膜との
間に介在させることにより、それらの膜がＳｉＮ膜より
レジスト膜との密着性がすぐれていることに基づき、バ
ターニング不良の発生が減少し、微細パターンの加工を
容易にした０本発明は実施例にあばた装置にとどまらず
、シリコン板上にプラズマＣＶＤで形成したＳＩＮ膜を
用いる素子にも有効であるが、特に上述の実施例と同様
に２００℃以上の熱処理を行ってＳＩＮ膜の表面特性を
改善できない場合に有効である。
第１図（ａ）、（ｂ）はアクティブマトリクス液晶表示
装置用の基板に対する本発明の一実施例の工程を示す断
面図、第２図は従来の上記基板を示し、ｌａ）が平面図
、伽）が（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明の別
の実施例によるイメージセンサを示し、１ｍｌが平面図
、 （ｂ）が（ａ＋のＢ−Ｂ線断面図、第４図はさらに
別の実施例による薄膜トランジスタの断面図である。 ５：ａ−３１層、６ 、６０．６２： ＳＩＮ ＩＩ、
８ 、８０：第２１！１ 第１図 第３図 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日
装置用の基板に対する本発明の一実施例の工程を示す断
面図、第２図は従来の上記基板を示し、ｌａ）が平面図
、伽）が（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第３図は本発明の別
の実施例によるイメージセンサを示し、１ｍｌが平面図
、 （ｂ）が（ａ＋のＢ−Ｂ線断面図、第４図はさらに
別の実施例による薄膜トランジスタの断面図である。 ５：ａ−３１層、６ 、６０．６２： ＳＩＮ ＩＩ、
８ 、８０：第２１！１ 第１図 第３図 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）シリコン窒化膜成膜後、該窒化膜表面にシリコン窒
化膜およびレジスト膜との密着性のよい中間膜を被着し
、該中間膜上にレジストパターンを形成することを特徴
とするシリコン窒化膜のフォトリソグラフィ法。 ２）特許請求の範囲第１項記載の方法において、中間膜
が非晶質シリコン膜であることを特徴とするシリコン窒
化膜のフォトリソグラフィ法。 ３）特許請求の範囲第１項記載の方法において、中間膜
がシリコン炭化膜であることを特徴とするシリコン窒化
膜のフォトリソグラフィ法。 ４）特許請求の範囲第１項記載の方法において、中間膜
がシリコン窒素酸化膜であることを特徴とするシリコン
窒化膜のフォトリソグラフィ法。 ５）特許請求の範囲第１項記載の方法において、中間膜
が一酸化シリコン膜であることを特徴とするシリコン窒
化膜のフォトリソグラフィ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP894588A JPH0284720A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | シリコン窒化膜のフォトリソグラフィ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP894588A JPH0284720A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | シリコン窒化膜のフォトリソグラフィ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0284720A true JPH0284720A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=11706807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP894588A Pending JPH0284720A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | シリコン窒化膜のフォトリソグラフィ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0284720A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095227A (en) * | 1989-05-23 | 1992-03-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | MOS transistor temperature detecting circuit |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP894588A patent/JPH0284720A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095227A (en) * | 1989-05-23 | 1992-03-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | MOS transistor temperature detecting circuit |
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