JPS59166825A - 温度検出回路 - Google Patents
温度検出回路Info
- Publication number
- JPS59166825A JPS59166825A JP4014983A JP4014983A JPS59166825A JP S59166825 A JPS59166825 A JP S59166825A JP 4014983 A JP4014983 A JP 4014983A JP 4014983 A JP4014983 A JP 4014983A JP S59166825 A JPS59166825 A JP S59166825A
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- JP
- Japan
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- polycrystalline silicon
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- comparator
- temperature
- temp
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
- G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor
- G01K7/24—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor in a specially-adapted circuit, e.g. bridge circuit
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路における温度検出回路に関す
る。
る。
半導体集・積回路の緒特性は、温度変化に敏感であるの
で、本来の機能を充分に働らかせるためには、集積回路
自体の温度を検知し、その温度に合った条件を設定しな
ければならない場合がしばしばある。諸条件の制御方式
として最適な対策としては、各温度において、諸条件を
アナログ的に設定する方法であるが、検出回路の占める
面積も大きく、検出回路自体の調整も大変複雑なものと
なってしまい実用的ではない。
で、本来の機能を充分に働らかせるためには、集積回路
自体の温度を検知し、その温度に合った条件を設定しな
ければならない場合がしばしばある。諸条件の制御方式
として最適な対策としては、各温度において、諸条件を
アナログ的に設定する方法であるが、検出回路の占める
面積も大きく、検出回路自体の調整も大変複雑なものと
なってしまい実用的ではない。
本発明は、半導体集積回路に内蔵可能なうえ、複数の温
度を、検出可能な、安価かつ精度の高い温度検出回路を
提供するものである。
度を、検出可能な、安価かつ精度の高い温度検出回路を
提供するものである。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。本発
明は、対電流温度特性の異なる多結晶シリコンを組み合
せることによって得られるひとつもしくは複数の変曲点
をもつ対電流温度特性を有する素子を温度検出回路に組
み込んだものである。その目的は、簡単な回路構造で、
複数の温度を検出することであり、それにより、半導体
集積回路の緒特性を広い温度範囲内で制御することが可
能となる。
明は、対電流温度特性の異なる多結晶シリコンを組み合
せることによって得られるひとつもしくは複数の変曲点
をもつ対電流温度特性を有する素子を温度検出回路に組
み込んだものである。その目的は、簡単な回路構造で、
複数の温度を検出することであり、それにより、半導体
集積回路の緒特性を広い温度範囲内で制御することが可
能となる。
多結晶シリコンの対電流温度特性を第２図に示す。２０
１．２０２，２０６は、形状は同一であるが、シート抵
抗が異なる場合の温度特性である。シート抵抗の値は、
２０１が最も高く、２０２．２０３の順で低くなる。シ
ート抵抗が高い方が、対電流温度係数も高く、シート抵
抗を変更すること、すなわち、多結晶シリコンの不純物
の濃度を変更することによって、対電流温度係数を制御
することができる・。第３図は、２５°Ｃにおけるシ３
Ω 一ト抵抗が２０×１０ ７口の多結晶シリコンと、５ジ
１０３°／Ｄ の多結晶シリコンの対電流温度特性を比
較したもので、両多結晶シリコンを流Ｒる′電流値を近
づけるため形状は変更しである。６０１は、シート抵抗
が２０ Ｘ １０ １０の多結晶シリコンの対電流温
度特性、３０２は、シート抵抗が５×１０３％の多結晶
シリコンの対電流温度特性を示している。第４図は、第
３図で示した温度特性を有する、２種類の多結晶シリコ
ンを直列に接続した場合の対電流温度特性を示している
。また、第１図は、第４図に示した温度特性を有する素
子を組み込んだ、本発明による温度検出回路の実施例で
ある。第１図において、１０１は電源、１０２，１０３
，１［］’４は抵抗性素子、１０５は比較器、１０９は
比較器１０５の出力である。また、１０６は、シート抵
抗の異なる多結晶シリコンを組み合せた素子である。１
０７は、１０２．１０３の接続点、１０８は、１０４と
１０６の接続点てあり、１０７と１．０８を比較器１０
５の入力とする。第５図は、第１図に示した温度検出回
路の動作例で、５０１は、第１図の１０７の電位変化を
示しており、５０２は、同じく第１図の１０８の電位変
化を示している。温度５０３及び５０４において、第１
図の比較器１０５の出力１０９が反転する。すなわち、
５０３及び５０４の２ケ所の温度を検出したことになる
。
１．２０２，２０６は、形状は同一であるが、シート抵
抗が異なる場合の温度特性である。シート抵抗の値は、
２０１が最も高く、２０２．２０３の順で低くなる。シ
ート抵抗が高い方が、対電流温度係数も高く、シート抵
抗を変更すること、すなわち、多結晶シリコンの不純物
の濃度を変更することによって、対電流温度係数を制御
することができる・。第３図は、２５°Ｃにおけるシ３
Ω 一ト抵抗が２０×１０ ７口の多結晶シリコンと、５ジ
１０３°／Ｄ の多結晶シリコンの対電流温度特性を比
較したもので、両多結晶シリコンを流Ｒる′電流値を近
づけるため形状は変更しである。６０１は、シート抵抗
が２０ Ｘ １０ １０の多結晶シリコンの対電流温
度特性、３０２は、シート抵抗が５×１０３％の多結晶
シリコンの対電流温度特性を示している。第４図は、第
３図で示した温度特性を有する、２種類の多結晶シリコ
ンを直列に接続した場合の対電流温度特性を示している
。また、第１図は、第４図に示した温度特性を有する素
子を組み込んだ、本発明による温度検出回路の実施例で
ある。第１図において、１０１は電源、１０２，１０３
，１［］’４は抵抗性素子、１０５は比較器、１０９は
比較器１０５の出力である。また、１０６は、シート抵
抗の異なる多結晶シリコンを組み合せた素子である。１
０７は、１０２．１０３の接続点、１０８は、１０４と
１０６の接続点てあり、１０７と１．０８を比較器１０
５の入力とする。第５図は、第１図に示した温度検出回
路の動作例で、５０１は、第１図の１０７の電位変化を
示しており、５０２は、同じく第１図の１０８の電位変
化を示している。温度５０３及び５０４において、第１
図の比較器１０５の出力１０９が反転する。すなわち、
５０３及び５０４の２ケ所の温度を検出したことになる
。
第６図は、第１図における一ｔ０６の部分に用いる素子
の組み合せ例のうち異なる対電流温度特性を有する２種
類の多結晶シリコンを並列に組み合せた場合の第１図の
１０７及び１０８の動作を示している。６０１は、１０
７の電位変化であり、６０２は、１０８の電位変化であ
る。温度６０３及び６０４において、第１図の比較器１
，０５の出力１０９が反転し、２ケ所の温度を検出する
。
の組み合せ例のうち異なる対電流温度特性を有する２種
類の多結晶シリコンを並列に組み合せた場合の第１図の
１０７及び１０８の動作を示している。６０１は、１０
７の電位変化であり、６０２は、１０８の電位変化であ
る。温度６０３及び６０４において、第１図の比較器１
，０５の出力１０９が反転し、２ケ所の温度を検出する
。
さらに、異なる対電流温度特性を有する多結晶シリコン
を３種類以上組み合せることによって、複数の変曲点を
持つ対１電流温度特性を得られることは明白である。ま
た、組み合せる多結晶シリコンの種類を増すだけで、温
度検出点を増やすことが可能であるので、簡単な回路で
目的が達成できるうえ１回路の占める面積も小さくて済
む。
を３種類以上組み合せることによって、複数の変曲点を
持つ対１電流温度特性を得られることは明白である。ま
た、組み合せる多結晶シリコンの種類を増すだけで、温
度検出点を増やすことが可能であるので、簡単な回路で
目的が達成できるうえ１回路の占める面積も小さくて済
む。
以上、実施例に基づいて説明したように、本発明の温度
検出回路は、シート抵抗値を変更することによって対電
流温度係数を制御できる多結晶シリコンをｊ種類組み合
せることによって、温度検出を複数ケ所で行なえるうえ
、従来の半導体集積回路の製造プロセスをほとんど変更
することなく製作でき、さらに、半導体集積回路内に内
蔵可能である。
検出回路は、シート抵抗値を変更することによって対電
流温度係数を制御できる多結晶シリコンをｊ種類組み合
せることによって、温度検出を複数ケ所で行なえるうえ
、従来の半導体集積回路の製造プロセスをほとんど変更
することなく製作でき、さらに、半導体集積回路内に内
蔵可能である。
第１図は、本発明による温度検出回路の実施例である。
第２図は、シート抵抗の県外る多結晶シリコンの対電゛
流温度特性例である。第３図は、形状を変え、流れる電
流値を近づけたシート抵抗の異なる２種類の多結晶シリ
コンの対電流温度特性の例である。第４図は、２６図に
示したような対電流温度特性を有す２種類の多結゛晶シ
リコンを直列に接続した素子の対電流温度特性を示す。 第５図及び第６図は、第１図に示した温度検出回路の動
作例を示したもので、第５図と第６図では、第１図の１
０６部の多結晶シリコンの組み合せが異なる。第５図は
、１０６部分が多結晶シリコンの直列接続の場合の１０
７，１０８の電位変化であり、第６図は、多結晶シリコ
ンの並列゛接続の場合の例である。 １０１・・・・・・電源 １０２ 、１０３ 、１０４・・・・、・・抵抗性素子
１０５・・・・・・比較器 １０６・・・・・・シート抵抗の異なる多結晶シリコン
を組み合せた素子 ２０１．２０２，２０３・・・・・・同一形状でシート
抵抗の異なる多結晶シリコンの対電流 湿度特性 ３０１・・・・・・シート抵抗が５ Ｘ １０３”／、
の多結晶シリコンの対電流温度特性 ５０１．６０１・・・・・・第１図の回路における接続
点１０７の電位変化 ５０２・・・・・・第４図において、１０６部分を多結
晶シリコンの直列接続にした場合の接 続点１０８の電位変化 ６０２・・・・・・第１図において、１０６部分を多結
晶シリコンの並列接続にした場合の接 続点１０８の電位変化 ５０５．５０４ 、６０３ 、６０４・・・・・・検出
温度以 上 ？ｎｔ の
流温度特性例である。第３図は、形状を変え、流れる電
流値を近づけたシート抵抗の異なる２種類の多結晶シリ
コンの対電流温度特性の例である。第４図は、２６図に
示したような対電流温度特性を有す２種類の多結゛晶シ
リコンを直列に接続した素子の対電流温度特性を示す。 第５図及び第６図は、第１図に示した温度検出回路の動
作例を示したもので、第５図と第６図では、第１図の１
０６部の多結晶シリコンの組み合せが異なる。第５図は
、１０６部分が多結晶シリコンの直列接続の場合の１０
７，１０８の電位変化であり、第６図は、多結晶シリコ
ンの並列゛接続の場合の例である。 １０１・・・・・・電源 １０２ 、１０３ 、１０４・・・・、・・抵抗性素子
１０５・・・・・・比較器 １０６・・・・・・シート抵抗の異なる多結晶シリコン
を組み合せた素子 ２０１．２０２，２０３・・・・・・同一形状でシート
抵抗の異なる多結晶シリコンの対電流 湿度特性 ３０１・・・・・・シート抵抗が５ Ｘ １０３”／、
の多結晶シリコンの対電流温度特性 ５０１．６０１・・・・・・第１図の回路における接続
点１０７の電位変化 ５０２・・・・・・第４図において、１０６部分を多結
晶シリコンの直列接続にした場合の接 続点１０８の電位変化 ６０２・・・・・・第１図において、１０６部分を多結
晶シリコンの並列接続にした場合の接 続点１０８の電位変化 ５０５．５０４ 、６０３ 、６０４・・・・・・検出
温度以 上 ？ｎｔ の
Claims (2)
- （１） 半導体集積回路においてシート抵抗の異なる
多結晶シリコンを組み合せた素子を□温度センサーとし
て回路に組み込んだことを特徴とする温度検出回路。 - （２） 前記多結晶シリコンの中、少なくとも１種類
のシート抵抗が１ｏ ３０／Ｄ以上であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の温度検出回路
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4014983A JPS59166825A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4014983A JPS59166825A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 温度検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59166825A true JPS59166825A (ja) | 1984-09-20 |
Family
ID=12572708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4014983A Pending JPS59166825A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 温度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59166825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02311723A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-27 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体温度検出回路 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49105497A (ja) * | 1973-02-07 | 1974-10-05 | ||
| JPS503387A (ja) * | 1973-05-10 | 1975-01-14 | ||
| JPS5554423A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature detection circuit |
| JPS57173718A (en) * | 1981-03-16 | 1982-10-26 | Shiyaunburuku Hanno | Sensor for measuring physical quantity, manufacture and use thereof |
| JPS5924229A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-07 | Nec Corp | 温度判定回路 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP4014983A patent/JPS59166825A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49105497A (ja) * | 1973-02-07 | 1974-10-05 | ||
| JPS503387A (ja) * | 1973-05-10 | 1975-01-14 | ||
| JPS5554423A (en) * | 1978-10-17 | 1980-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Temperature detection circuit |
| JPS57173718A (en) * | 1981-03-16 | 1982-10-26 | Shiyaunburuku Hanno | Sensor for measuring physical quantity, manufacture and use thereof |
| JPS5924229A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-07 | Nec Corp | 温度判定回路 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02311723A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-27 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体温度検出回路 |
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