JP2541510B2 - Ｌｓｉ温度制御回路 - Google Patents
Ｌｓｉ温度制御回路Info
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- JP2541510B2 JP2541510B2 JP6230651A JP23065194A JP2541510B2 JP 2541510 B2 JP2541510 B2 JP 2541510B2 JP 6230651 A JP6230651 A JP 6230651A JP 23065194 A JP23065194 A JP 23065194A JP 2541510 B2 JP2541510 B2 JP 2541510B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩの温度を制御す
るＬＳＩ温度制御回路に関する。
るＬＳＩ温度制御回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ（大規模集積回路）の動作特性を
保持するためには、ＬＳＩの温度が一定になるように制
御する必要がある。従来、この種の技術として、例え
ば、特開平２−１３７３９４号公報や特開昭６２−１２
５６号公報に記載された技術がある。
保持するためには、ＬＳＩの温度が一定になるように制
御する必要がある。従来、この種の技術として、例え
ば、特開平２−１３７３９４号公報や特開昭６２−１２
５６号公報に記載された技術がある。
【０００３】図２は、特開平２−１３７３９４号公報記
載の技術を示す断面図である。この技術は、絶縁性基板
１０１と絶縁層１０２との間に加熱用抵抗体１００を埋
め込み、この加熱用抵抗体１００を、導体１１０を介し
て、絶縁層１０２の表面に形成した半導体ペレット１２
０と熱検出素子１３０とに電気的に接続して、ＬＳＩを
形成した構成となっている。なお、１４０は抵抗体であ
り、導体１４１で接続されている。
載の技術を示す断面図である。この技術は、絶縁性基板
１０１と絶縁層１０２との間に加熱用抵抗体１００を埋
め込み、この加熱用抵抗体１００を、導体１１０を介し
て、絶縁層１０２の表面に形成した半導体ペレット１２
０と熱検出素子１３０とに電気的に接続して、ＬＳＩを
形成した構成となっている。なお、１４０は抵抗体であ
り、導体１４１で接続されている。
【０００４】このような構成からなる特開平２−１３７
３９４号公報記載の技術は、絶縁層１０２表面の熱検出
素子１３０がＬＳＩの温度を検出し、加熱用抵抗体１０
０の電流を増，減して、ＬＳＩの温度が所定温度になる
ように制御している。
３９４号公報記載の技術は、絶縁層１０２表面の熱検出
素子１３０がＬＳＩの温度を検出し、加熱用抵抗体１０
０の電流を増，減して、ＬＳＩの温度が所定温度になる
ように制御している。
【０００５】図３は、特開昭６２−１２５６号公報記載
の技術を示す断面図である。この技術は、セラミック基
板２００の上，下面にＣＣＤダイ２０１，加熱用抵抗体
２０２を取り付けてＬＳＩを形成した構成になってい
る。これにより、ＣＣＤダイ２０１内の温度センサでで
ＣＣＤダイ２０１の温度を検出し、加熱用抵抗体２０２
の電流を増，減して、ＣＣＤダイ２０１の温度が所定温
度になるように制御している。
の技術を示す断面図である。この技術は、セラミック基
板２００の上，下面にＣＣＤダイ２０１，加熱用抵抗体
２０２を取り付けてＬＳＩを形成した構成になってい
る。これにより、ＣＣＤダイ２０１内の温度センサでで
ＣＣＤダイ２０１の温度を検出し、加熱用抵抗体２０２
の電流を増，減して、ＣＣＤダイ２０１の温度が所定温
度になるように制御している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した従来
の技術には、加熱用抵抗体１００，２０２をＬＳＩの一
部品として組込んでいるので、ＬＳＩの部品点数が増加
し、コストアップの原因となる。また、加熱用抵抗体１
００，２０２に組込んで一体に成形する構成となってい
るので、この一体成形の技術を必要とし、製造に多工程
を要するという問題がある。
の技術には、加熱用抵抗体１００，２０２をＬＳＩの一
部品として組込んでいるので、ＬＳＩの部品点数が増加
し、コストアップの原因となる。また、加熱用抵抗体１
００，２０２に組込んで一体に成形する構成となってい
るので、この一体成形の技術を必要とし、製造に多工程
を要するという問題がある。
【０００７】本発明は上記問題点にかんがみてなされた
もので、ＬＳＩの部品点数の削減と製造の簡略化を図る
ことができるＬＳＩ温度制御回路を提供することを目的
とする。
もので、ＬＳＩの部品点数の削減と製造の簡略化を図る
ことができるＬＳＩ温度制御回路を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、ＬＳＩ表面に配設され、発振状態でＬＳ
Ｉの温度を上昇させるリングオシレータと、上記ＬＳＩ
の温度を検出して、上記リングオシレータを発振状態又
は停止状態に制御する検出制御回路とを備えるＬＳＩ温
度制御回路であって、上記検出制御回路は、上記ＬＳＩ
の温度が所定値よりも低いときに「Ｈ」レベルの制御信
号を出力し、上記ＬＳＩの温度が所定値以上のときに
「Ｌ」レベルの制御信号を出力するものであり、上記リ
ングオシレータは、上記制御信号を一方の入力端で入力
するＡＮＤ素子と、直列に接続され、ＡＮＤ素子の出力
端に入力端が接続されかつ出力端がＡＮＤ素子の他方の
入力端に接続された奇数個の反転素子とを備える構成と
してある。
め、本発明は、ＬＳＩ表面に配設され、発振状態でＬＳ
Ｉの温度を上昇させるリングオシレータと、上記ＬＳＩ
の温度を検出して、上記リングオシレータを発振状態又
は停止状態に制御する検出制御回路とを備えるＬＳＩ温
度制御回路であって、上記検出制御回路は、上記ＬＳＩ
の温度が所定値よりも低いときに「Ｈ」レベルの制御信
号を出力し、上記ＬＳＩの温度が所定値以上のときに
「Ｌ」レベルの制御信号を出力するものであり、上記リ
ングオシレータは、上記制御信号を一方の入力端で入力
するＡＮＤ素子と、直列に接続され、ＡＮＤ素子の出力
端に入力端が接続されかつ出力端がＡＮＤ素子の他方の
入力端に接続された奇数個の反転素子とを備える構成と
してある。
【０００９】請求項２記載のＬＳＩ温度制御回路は、上
記奇数個の反転素子を、上記ＬＳＩ表面に均一分配した
構成としてある。請求項３記載のＬＳＩ温度制御回路
は、上記反転素子を、インバータで構成してあるた。請
求項４記載のＬＳＩ温度制御回路は、上記反転素子を、
ＮＡＮＤ素子で構成してある。
記奇数個の反転素子を、上記ＬＳＩ表面に均一分配した
構成としてある。請求項３記載のＬＳＩ温度制御回路
は、上記反転素子を、インバータで構成してあるた。請
求項４記載のＬＳＩ温度制御回路は、上記反転素子を、
ＮＡＮＤ素子で構成してある。
【００１０】
【作用】上記ＬＳＩ温度制御回路によれば、ＬＳＩの温
度が所定値よりも低いときには、検出制御回路から
「Ｈ」レベルの制御信号がリングオシレータに出力され
るので、リングオシレータが発振状態になって、ＬＳＩ
の温度を上昇させる。そして、ＬＳＩの温度が所定値以
上になると、検出制御信号から「Ｌ」レベルの制御信号
が出力され、リングオシレータが停止状態になって、Ｌ
ＳＩの温度を下降させる。
度が所定値よりも低いときには、検出制御回路から
「Ｈ」レベルの制御信号がリングオシレータに出力され
るので、リングオシレータが発振状態になって、ＬＳＩ
の温度を上昇させる。そして、ＬＳＩの温度が所定値以
上になると、検出制御信号から「Ｌ」レベルの制御信号
が出力され、リングオシレータが停止状態になって、Ｌ
ＳＩの温度を下降させる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図１は、本発明の一実施例に係るＬＳＩ温
度制御回路を示す回路図である。本実施例のＬＳＩ温度
制御回路は、ＬＳＩチップ３の温度を検出する検出制御
回路１と、ＬＳＩチップ３の温度を上昇させるリングオ
シレータ２とを備えている。
て説明する。図１は、本発明の一実施例に係るＬＳＩ温
度制御回路を示す回路図である。本実施例のＬＳＩ温度
制御回路は、ＬＳＩチップ３の温度を検出する検出制御
回路１と、ＬＳＩチップ３の温度を上昇させるリングオ
シレータ２とを備えている。
【００１２】検出制御回路１は、抵抗体１１と定電圧源
１２とコンパレータ１４とを有している。抵抗体１１
は、ＬＳＩチップ３の上面のほぼ中央部に取り付けられ
ている。この抵抗体１１は正の温度係数を有しており、
その一端は接地され、他端はコンパレータ１４のマイナ
ス入力端子に接続されている。定電圧源１２のマイナス
側は接地され、プラス側は温度係数をもたない抵抗器１
３を介してＰ点でコンパレータ１４のマイナス端子側に
接続されている。
１２とコンパレータ１４とを有している。抵抗体１１
は、ＬＳＩチップ３の上面のほぼ中央部に取り付けられ
ている。この抵抗体１１は正の温度係数を有しており、
その一端は接地され、他端はコンパレータ１４のマイナ
ス入力端子に接続されている。定電圧源１２のマイナス
側は接地され、プラス側は温度係数をもたない抵抗器１
３を介してＰ点でコンパレータ１４のマイナス端子側に
接続されている。
【００１３】コンパレータ１４のプラス入力端は基準電
圧源１５と接続され、その出力端はリングオシレータ２
に接続されている。基準電圧源１５は、ＬＳＩチップ３
の最適動作特性を奏する温度に対応した基準電圧Ｖ0を
コンパレータ１４に送るための電源である。コンパレー
タ１４は、この基準電圧源１５からの基準電圧Ｖ0とＰ
点での検出電圧Ｖとを比較し、検出電圧Ｖが基準電圧Ｖ
0がよりも低いと判断すると、「１」を示す制御信号Ｃ
を出力し、検出電圧Ｖが基準電圧Ｖ0以上であると判断
すると、「０」を示す制御信号Ｃを出力する機能を有し
ている。
圧源１５と接続され、その出力端はリングオシレータ２
に接続されている。基準電圧源１５は、ＬＳＩチップ３
の最適動作特性を奏する温度に対応した基準電圧Ｖ0を
コンパレータ１４に送るための電源である。コンパレー
タ１４は、この基準電圧源１５からの基準電圧Ｖ0とＰ
点での検出電圧Ｖとを比較し、検出電圧Ｖが基準電圧Ｖ
0がよりも低いと判断すると、「１」を示す制御信号Ｃ
を出力し、検出電圧Ｖが基準電圧Ｖ0以上であると判断
すると、「０」を示す制御信号Ｃを出力する機能を有し
ている。
【００１４】リングオシレータ２は、ＡＮＤ素子２１と
直列に接続された１５個のインバータ２２とを備えてい
る。ＡＮＤ素子２１は、ＬＳＩチップ３の上面の隅部に
取り付けられた二入力端の論理積素子である。ＡＮＤ素
子２１の一方の入力端にコンパレータ１４の出力端が接
続され、出力端にはインバータ２２の入力端が接続され
ている。１５個のインバータ２２は、ＬＳＩチップ３の
上面に蛇行状に配設され、ＬＳＩチップ３上面に対して
均一に配されている。そして、このインバータ２２の出
力端は、ＡＮＤ素子２１の他方の入力端に接続されてい
る。
直列に接続された１５個のインバータ２２とを備えてい
る。ＡＮＤ素子２１は、ＬＳＩチップ３の上面の隅部に
取り付けられた二入力端の論理積素子である。ＡＮＤ素
子２１の一方の入力端にコンパレータ１４の出力端が接
続され、出力端にはインバータ２２の入力端が接続され
ている。１５個のインバータ２２は、ＬＳＩチップ３の
上面に蛇行状に配設され、ＬＳＩチップ３上面に対して
均一に配されている。そして、このインバータ２２の出
力端は、ＡＮＤ素子２１の他方の入力端に接続されてい
る。
【００１５】次に、本実施例の動作について説明する。
ＬＳＩチップ３の温度が所定の温度よりも低くいと、検
出制御回路１の抵抗体１１の抵抗値が小さいので、Ｐ点
の検出電圧Ｖが基準電圧源１５の基準電圧Ｖ0よりも低
くなる。したがって、この状態では、「１」を示す制御
信号Ｃがコンパレータ１４からリングオシレータ２のＡ
ＮＤ素子２１に出力される。「１」を示す制御信号Ｃが
ＡＮＤ素子２１に入力されると、奇数個のインバータ２
２が相互に出力を反転させると共に、ＡＮＤ素子２１の
上記他方の入力端にも「０」，「１」が交互に入力され
るので、リングオシレータ２が発振状態になる。これに
より、ＬＳＩチップ３の温度が上昇する。このとき、１
５個のインバータ２２がＬＳＩチップ３上に均一に配さ
れているので、ＬＳＩチップ３は全体的に均一に熱せら
れ、均一な温度分布でその温度が上昇する。
ＬＳＩチップ３の温度が所定の温度よりも低くいと、検
出制御回路１の抵抗体１１の抵抗値が小さいので、Ｐ点
の検出電圧Ｖが基準電圧源１５の基準電圧Ｖ0よりも低
くなる。したがって、この状態では、「１」を示す制御
信号Ｃがコンパレータ１４からリングオシレータ２のＡ
ＮＤ素子２１に出力される。「１」を示す制御信号Ｃが
ＡＮＤ素子２１に入力されると、奇数個のインバータ２
２が相互に出力を反転させると共に、ＡＮＤ素子２１の
上記他方の入力端にも「０」，「１」が交互に入力され
るので、リングオシレータ２が発振状態になる。これに
より、ＬＳＩチップ３の温度が上昇する。このとき、１
５個のインバータ２２がＬＳＩチップ３上に均一に配さ
れているので、ＬＳＩチップ３は全体的に均一に熱せら
れ、均一な温度分布でその温度が上昇する。
【００１６】ＬＳＩチップ３の温度が上昇していくと、
検出制御回路１の抵抗体１１の抵抗値も上昇し、Ｐ点の
検出電圧Ｖが高くなっていく。そして、Ｐ点の検出電圧
Ｖが基準電圧源１５の基準電圧Ｖ0よりも高くなると、
「０」を示す制御信号Ｃがコンパレータ１４からリング
オシレータ２のＡＮＤ素子２１に出力される。「０」を
示す制御信号ＣがＡＮＤ素子２１に入力されると、１５
個のインバータ２２の出力が全て「０」になり、リング
オシレータ２が停止状態になる。これにより、ＬＳＩチ
ップ３の温度が下降する。そして、ＬＳＩチップ３の温
度が所定温度以下になると、リングオシレータ２が再度
発振状態になる。このようにして、ＬＳＩチップ３の温
度がほぼ所定温度に保持される。
検出制御回路１の抵抗体１１の抵抗値も上昇し、Ｐ点の
検出電圧Ｖが高くなっていく。そして、Ｐ点の検出電圧
Ｖが基準電圧源１５の基準電圧Ｖ0よりも高くなると、
「０」を示す制御信号Ｃがコンパレータ１４からリング
オシレータ２のＡＮＤ素子２１に出力される。「０」を
示す制御信号ＣがＡＮＤ素子２１に入力されると、１５
個のインバータ２２の出力が全て「０」になり、リング
オシレータ２が停止状態になる。これにより、ＬＳＩチ
ップ３の温度が下降する。そして、ＬＳＩチップ３の温
度が所定温度以下になると、リングオシレータ２が再度
発振状態になる。このようにして、ＬＳＩチップ３の温
度がほぼ所定温度に保持される。
【００１７】このように、本実施例のＬＳＩ温度制御回
路によれば、ＬＳＩチップ３の温度を上昇させるリング
オシレータ２がＬＳＩチップ３の上面に配設されている
ので、リングオシレータ２をＬＳＩチップ３の部品とし
て内部に組込む必要がない。このため、ＬＳＩチップ３
の部品点数が削減され、コストダウンを図ることができ
る。また、リングオシレータ２をＬＳＩチップ３に組込
んで一体に成形する技術を必要としないので、製造工程
の減少と簡略化とを図ることができる。
路によれば、ＬＳＩチップ３の温度を上昇させるリング
オシレータ２がＬＳＩチップ３の上面に配設されている
ので、リングオシレータ２をＬＳＩチップ３の部品とし
て内部に組込む必要がない。このため、ＬＳＩチップ３
の部品点数が削減され、コストダウンを図ることができ
る。また、リングオシレータ２をＬＳＩチップ３に組込
んで一体に成形する技術を必要としないので、製造工程
の減少と簡略化とを図ることができる。
【００１８】なお、本実施例は、発明の要旨の範囲内で
種々の態様が可能である。例えば、本実施例では反転素
子としてインバータ２２を用いたが、インバータ２２の
代りにＮＡＮＤ素子を用いても良い。また、インバータ
２２を１５個に設定したが、奇数個であるならば、その
個数は問わない。さらに、定電圧源１２，抵抗器１３，
基準電圧源１５をＬＳＩチップ３の外側に設けたが、こ
れらに温度依存性がなければ、ＬＳＩチップ３の上面に
配置しても良いことは勿論である。
種々の態様が可能である。例えば、本実施例では反転素
子としてインバータ２２を用いたが、インバータ２２の
代りにＮＡＮＤ素子を用いても良い。また、インバータ
２２を１５個に設定したが、奇数個であるならば、その
個数は問わない。さらに、定電圧源１２，抵抗器１３，
基準電圧源１５をＬＳＩチップ３の外側に設けたが、こ
れらに温度依存性がなければ、ＬＳＩチップ３の上面に
配置しても良いことは勿論である。
【００１９】
【発明の効果】以上のように本発明のＬＳＩ温度制御回
路によれば、ＬＳＩの温度を上昇させるリングオシレー
タがＬＳＩの表面に配設されているので、リングオシレ
ータをＬＳＩの部品として内部に組込む必要がない。こ
のため、ＬＳＩの部品点数が削減され、コストダウンを
図ることができるという効果がある。また、リングオシ
レータをＬＳＩに組込んで一体に成形する技術を必要と
しないので、製造工程の減少と簡略化とを図ることがで
きるという効果がある。
路によれば、ＬＳＩの温度を上昇させるリングオシレー
タがＬＳＩの表面に配設されているので、リングオシレ
ータをＬＳＩの部品として内部に組込む必要がない。こ
のため、ＬＳＩの部品点数が削減され、コストダウンを
図ることができるという効果がある。また、リングオシ
レータをＬＳＩに組込んで一体に成形する技術を必要と
しないので、製造工程の減少と簡略化とを図ることがで
きるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例に係るＬＳＩ温度制御回路を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図２】従来例に係るＬＳＩ温度制御回路を示す断面図
である。
である。
【図３】他の従来例に係るＬＳＩ温度制御回路を示す断
面図である。
面図である。
１ 検出制御回路 ２ リングオシレータ ３ ＬＳＩチップ １１ 抵抗体 １４ コンパレータ １５ 基準電圧源 ２１ ＡＮＤ素子 ２２ インバータ
Claims (4)
- 【請求項１】 ＬＳＩ表面に配設され、発振状態でＬＳ
Ｉの温度を上昇させるリングオシレータと、上記ＬＳＩ
の温度を検出して、上記リングオシレータを発振状態又
は停止状態に制御する検出制御回路とを備えるＬＳＩ温
度制御回路であって、 上記検出制御回路が、上記ＬＳＩの温度が所定値よりも
低いときに「Ｈ」レベルの制御信号を出力し、上記ＬＳ
Ｉの温度が所定値以上のときに「Ｌ」レベルの制御信号
を出力するものであり、 上記リングオシレータが、上記制御信号を一方の入力端
で入力するＡＮＤ素子と、直列に接続され、ＡＮＤ素子
の出力端に入力端が接続されかつ出力端がＡＮＤ素子の
他方の入力端に接続された奇数個の反転素子とを備える
ものである、 ことを特徴とするＬＳＩ温度制御回路。 - 【請求項２】 上記奇数個の反転素子を、上記ＬＳＩ表
面に均一配置した請求項１記載のＬＳＩ温度制御回路。 - 【請求項３】 上記反転素子が、インバータである請求
項１または請求項２記載のＬＳＩ温度制御回路。 - 【請求項４】 上記反転素子が、ＮＡＮＤ素子である請
求項１または請求項２記載のＬＳＩ温度制御回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230651A JP2541510B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | Ｌｓｉ温度制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6230651A JP2541510B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | Ｌｓｉ温度制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878612A JPH0878612A (ja) | 1996-03-22 |
| JP2541510B2 true JP2541510B2 (ja) | 1996-10-09 |
Family
ID=16911143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6230651A Expired - Fee Related JP2541510B2 (ja) | 1994-08-31 | 1994-08-31 | Ｌｓｉ温度制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2541510B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5498047B2 (ja) | 2009-04-01 | 2014-05-21 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路 |
-
1994
- 1994-08-31 JP JP6230651A patent/JP2541510B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0878612A (ja) | 1996-03-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |