JPH02147828A - 温度検出回路 - Google Patents
温度検出回路Info
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- JPH02147828A JPH02147828A JP63301825A JP30182588A JPH02147828A JP H02147828 A JPH02147828 A JP H02147828A JP 63301825 A JP63301825 A JP 63301825A JP 30182588 A JP30182588 A JP 30182588A JP H02147828 A JPH02147828 A JP H02147828A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract 1
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
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- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
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- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は発振周波数が温度依存性を持つ発振回路におい
て有効な発振特性を得ろ温度検出回路に関するものであ
る。
て有効な発振特性を得ろ温度検出回路に関するものであ
る。
発振回路を用いる場合その形式には種々のものがあるが
、その構成の単純性からリング発振回路が広く用いられ
【いる。このリング発振回路は奇数個のインバータを直
列に接続しかつ最終段のインバータの出力端子を最前段
のインバータの入力端子に接続して構成され、各インバ
ータはその入出力電圧の安定な組合せ状態を作ることが
出来ない場合に発振をするが、この時の発振周波数は各
インバータ１段当りの遅延時間の総和によって決まる。
、その構成の単純性からリング発振回路が広く用いられ
【いる。このリング発振回路は奇数個のインバータを直
列に接続しかつ最終段のインバータの出力端子を最前段
のインバータの入力端子に接続して構成され、各インバ
ータはその入出力電圧の安定な組合せ状態を作ることが
出来ない場合に発振をするが、この時の発振周波数は各
インバータ１段当りの遅延時間の総和によって決まる。
このインバータ１段当りの遅延時間は厳密に言うとイン
バー・夕のゲート遅延時間とインバ・−タの入出力端子
に接続された遅延回路の遅延時間の合計となるが、一般
にインバータのゲート遅延時間は遅延回路の遅延時間だ
比べて遥かに小さいので、インバータ１段当りの遅延時
間は接続されている各々の遅延回路の遅延時間と等しい
と考え℃良い。従ってリング発振回路の発振周波数の調
整はこの遅延回路の遅延時間を調整することによって行
なわれる。このリング発振回路と遅延回路の動作原理を
説明するためにその等価回路図を第＋１図に示す。
バー・夕のゲート遅延時間とインバ・−タの入出力端子
に接続された遅延回路の遅延時間の合計となるが、一般
にインバータのゲート遅延時間は遅延回路の遅延時間だ
比べて遥かに小さいので、インバータ１段当りの遅延時
間は接続されている各々の遅延回路の遅延時間と等しい
と考え℃良い。従ってリング発振回路の発振周波数の調
整はこの遅延回路の遅延時間を調整することによって行
なわれる。このリング発振回路と遅延回路の動作原理を
説明するためにその等価回路図を第＋１図に示す。
第４図において５個の・インバ・−夕４０１．４０２４
０６．４０４．４０５は各々抵抗とコンデンサにより構
成される積分型遅延回路を間に挾んで直列に接続されて
いて、又インバータ４０５の出力端子とインバータ４０
１の入力端子も同様に抵抗とコンデンサにより構成され
る積分型遅延回路を間に挾んで直列に接続されてリング
発振回路４００を構成している。インバータ４０１の出
力端子が低レベルから高レベルに変わるとコンデンサ４
２１はプラス側電源からインバータ４０１と抵抗４１１
を通して充電される。この時インバータ４０１の等価抵
抗は抵抗４１１の抵抗値に比べて遥かに小さく通常は無
視出来るからコンデンサ４２１の充電電流は抵抗４１１
の抵抗値により決り、又コンデンサ４２１の電圧上昇の
時間的変化はコンデンサ４２１の容量と抵抗４１１を流
れる充電電流によって決まる。この様な条件下でコンデ
ンサ４２１の電圧は時間と共に上昇し、インバータ４０
２の出力電圧が反転するのに必要な電圧、いわゆるスレ
ショールド電圧に達するとインバータ４０２の出力電圧
は高レベルから低レベルに変わる。従ってインバータ４
０２の出力電圧はインバータ４０１の出力電圧が変化し
た時間よりも遅れて変化する。この時の遅れ時間はコン
デンサ４２１の電圧の時間的変化で決まり、そしてこの
電圧の時間的変化は前述の様くコンデンサ４２１の容量
値と抵抗４１１の抵抗値によって決まる。
０６．４０４．４０５は各々抵抗とコンデンサにより構
成される積分型遅延回路を間に挾んで直列に接続されて
いて、又インバータ４０５の出力端子とインバータ４０
１の入力端子も同様に抵抗とコンデンサにより構成され
る積分型遅延回路を間に挾んで直列に接続されてリング
発振回路４００を構成している。インバータ４０１の出
力端子が低レベルから高レベルに変わるとコンデンサ４
２１はプラス側電源からインバータ４０１と抵抗４１１
を通して充電される。この時インバータ４０１の等価抵
抗は抵抗４１１の抵抗値に比べて遥かに小さく通常は無
視出来るからコンデンサ４２１の充電電流は抵抗４１１
の抵抗値により決り、又コンデンサ４２１の電圧上昇の
時間的変化はコンデンサ４２１の容量と抵抗４１１を流
れる充電電流によって決まる。この様な条件下でコンデ
ンサ４２１の電圧は時間と共に上昇し、インバータ４０
２の出力電圧が反転するのに必要な電圧、いわゆるスレ
ショールド電圧に達するとインバータ４０２の出力電圧
は高レベルから低レベルに変わる。従ってインバータ４
０２の出力電圧はインバータ４０１の出力電圧が変化し
た時間よりも遅れて変化する。この時の遅れ時間はコン
デンサ４２１の電圧の時間的変化で決まり、そしてこの
電圧の時間的変化は前述の様くコンデンサ４２１の容量
値と抵抗４１１の抵抗値によって決まる。
この遅れ時間の値はコンデンサ４２１の容量値と抵抗４
１１の抵抗値の積、所涌コンデンサ４２１と抵抗４１１
により構成される積分型遅延回路の時定数にほぼ等しく
なる。この現象はインバータ４０２の出力が高レベルか
ら低レベルに変化した場合もコンデンサ４２１の充電が
抵抗４１１とインバータ４０２を通しての放電に変わる
点を除いて全く同様である。
１１の抵抗値の積、所涌コンデンサ４２１と抵抗４１１
により構成される積分型遅延回路の時定数にほぼ等しく
なる。この現象はインバータ４０２の出力が高レベルか
ら低レベルに変化した場合もコンデンサ４２１の充電が
抵抗４１１とインバータ４０２を通しての放電に変わる
点を除いて全く同様である。
同様にインバータ′４０６．４０４．４０５の出力電圧
も次々と遅れて変化して行き、インバータ４０１の出力
が次に変化するのはインバータ４０５の出力電圧が変化
した後、コンデンサ４２５が充電或は放電されてインバ
ータ４Ｌ１１０入力電圧がスレショールド電圧に達する
か、或はそれ以下になってからであるから、インバータ
４０１の出力電圧は各インバータの出力端子に接続され
ている抵抗とコンデンサによって構成される積分型遅延
回路の時定数の総和にほぼ等しい時間を周期として変化
することになる。従ってリング発振回路４００の発振周
波数は各々のインバータの出力端子に接続されている抵
抗の抵抗値とコンデンサの容量値により制御されること
になる。
も次々と遅れて変化して行き、インバータ４０１の出力
が次に変化するのはインバータ４０５の出力電圧が変化
した後、コンデンサ４２５が充電或は放電されてインバ
ータ４Ｌ１１０入力電圧がスレショールド電圧に達する
か、或はそれ以下になってからであるから、インバータ
４０１の出力電圧は各インバータの出力端子に接続され
ている抵抗とコンデンサによって構成される積分型遅延
回路の時定数の総和にほぼ等しい時間を周期として変化
することになる。従ってリング発振回路４００の発振周
波数は各々のインバータの出力端子に接続されている抵
抗の抵抗値とコンデンサの容量値により制御されること
になる。
しかしながらリング発振回路の周波数は前述の様に各イ
ンバータの出力端子に接続されている全ての抵抗の抵抗
値とコンデンサの容量値により制。
ンバータの出力端子に接続されている全ての抵抗の抵抗
値とコンデンサの容量値により制。
御されているから、これ等の抵抗値と容量値の温度変化
を利用し、リング発振回路を発振周波数の変化により温
度検出する温度検出回路に使用する場合には各々の抵抗
とコンデンサの温度を同一にし、且つその温度係数も同
一にする必要があるため、製造条件が厳しく歩留りの低
下を招ぎ価格も高くなり、且つ性能も低下する。
を利用し、リング発振回路を発振周波数の変化により温
度検出する温度検出回路に使用する場合には各々の抵抗
とコンデンサの温度を同一にし、且つその温度係数も同
一にする必要があるため、製造条件が厳しく歩留りの低
下を招ぎ価格も高くなり、且つ性能も低下する。
本発明の目的はかかる欠点を除去し、温度係数を有する
抵抗でリング発振器の発振周波数を制御することにより
、温度変化を周波数変化として検出するのに有効な温度
検出回路を提供することにある。
抵抗でリング発振器の発振周波数を制御することにより
、温度変化を周波数変化として検出するのに有効な温度
検出回路を提供することにある。
上記目的を達成するため本発明の温度検出回路は、温度
係数を有する少なくとも一つの抵抗と、この抵抗に流れ
る電流を入力とする定電流回路と、２Ｎ＋１個のインバ
ータを直列接続し、少なくとモーツノインバータの出力
端にコンデンサを接続し、かつ２Ｎ＋１番目のインバー
タの出力を１番目のインバータの入力に帰還してなり、
定電流回路を電源とするリング発振回路とから構成され
、温度係数を有する抵抗によりリング発振回路の発振周
波数を制御することにより温度検出を行うものである。
係数を有する少なくとも一つの抵抗と、この抵抗に流れ
る電流を入力とする定電流回路と、２Ｎ＋１個のインバ
ータを直列接続し、少なくとモーツノインバータの出力
端にコンデンサを接続し、かつ２Ｎ＋１番目のインバー
タの出力を１番目のインバータの入力に帰還してなり、
定電流回路を電源とするリング発振回路とから構成され
、温度係数を有する抵抗によりリング発振回路の発振周
波数を制御することにより温度検出を行うものである。
実施例１
次に本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１４＄ｌ！’ｆ本発明の温度検出回路の等価回路図で
ある。抵抗１４０は温度係数を有する抵抗である。Ｐ型
の金属−酸化膜−半導体型電界効果トランジスタ（以下
Ｍ ＯＳ Ｔと記す）１２０のドレイン端子は抵抗１４
０を介１〜てＮ型のＭＯ８Ｔ１６０のドレイン端子に接
続されている。又Ｐ型のＭＯ８Ｔ１２０．１２１．１２
２．１２６．１２４．１２５の各々のゲート端子は相互
に接続されていて、且つＰ型のＭＯ８Ｔ１２０のゲート
端子とドレイン端子は接続されている。Ｎ型のＭＯ３Ｔ
１３０．１６１．１６２．１６６．１６４．１６５に関
しても前述のＰ型のＭＯ８Ｔと全く同様に各端子が接続
されている。Ｐ型のＭ（’）ＳＴ１２０〜１２５と、Ｎ
型のＭＯ８Ｔ１６０〜１６５とで定電流回路を構成１−
ている。
ある。抵抗１４０は温度係数を有する抵抗である。Ｐ型
の金属−酸化膜−半導体型電界効果トランジスタ（以下
Ｍ ＯＳ Ｔと記す）１２０のドレイン端子は抵抗１４
０を介１〜てＮ型のＭＯ８Ｔ１６０のドレイン端子に接
続されている。又Ｐ型のＭＯ８Ｔ１２０．１２１．１２
２．１２６．１２４．１２５の各々のゲート端子は相互
に接続されていて、且つＰ型のＭＯ８Ｔ１２０のゲート
端子とドレイン端子は接続されている。Ｎ型のＭＯ３Ｔ
１３０．１６１．１６２．１６６．１６４．１６５に関
しても前述のＰ型のＭＯ８Ｔと全く同様に各端子が接続
されている。Ｐ型のＭ（’）ＳＴ１２０〜１２５と、Ｎ
型のＭＯ８Ｔ１６０〜１６５とで定電流回路を構成１−
ている。
・インバータ１０１のプラス側の電源はＰ型のＭＯ８Ｔ
１２１のドレイン端子から供給されていて、一方マイナ
ス側の電源はＮ型のＭＯ８Ｔ１６１のドレイン端子から
供給されている。以下インバータ１０２．１０６．１０
４．１０５のプラス側及びマイナス側の電源はそれぞれ
同様にＰ型のＭＯ８Ｔ１２２．１２６．１２４．１２５
のドレイン端子及びＮ型のＭＯ８Ｔ１３２．１６６．１
６４．１６５のドレイン端子により各々供給されている
。又インバータ１０１の出力端子はインバータ１０２０
入力端子に、゛インバータ１０２の出力端子はインバー
タ１０６の入力端子に、インバータ１０６の出力端子は
インバータ１０４の入力端子に、インバータ１０４の出
力端子はインバータ１０５０入力端子に直列接続され、
５番目のインバータ１０５の出力はインバータ１０１０
入力に帰還されている。且つインバータ１０１．１０２
．１０６．１０４．１０５の各々の出力端にはコンデン
サ１１１．１１２．１１６．１１４．１１５が各々接続
されている。このようにインバータ１０１〜１０５とコ
ンデンサ１１１〜１１５とでリング発振回路が構成され
る。Ｐ型のＭＯ８Ｔ１２０とＮ型のＭＯ８Ｔ１５０の各
々のソース、ドレイン間を流れる電流は抵抗１４０の抵
抗値によって定まる。この時Ｐ型ＭＯ８Ｔ１２０とＮ型
のＭＯ３Ｔ１３０の各々のゲート、ソース間電圧は前記
のＭＯ８Ｔ１２０．１６０のドレイン、ソース間を流れ
ている′電流に対応した値になる。前述の様にＰ型のＭ
Ｏ８Ｔ１２０．１２１．１２２．１２６．１２４．１２
５の各々のゲート端子は相互に接続されているので、Ｐ
型のＭＯ３Ｔ１２１．１２２．１２６．１２４．１２５
のゲート、ソース間電圧は〜ｌ０８１？１２０のゲート
、ソース間電圧と同じ値になろ１、又、Ｎ型のＭＯ８Ｔ
１３１．１６２．１６６．１６４．１６５についても全
く同様に各々のゲート、ソース間電圧はＮ型のＭＯ８Ｔ
１３０のゲート、ソース間電圧と等しくなる。ＭＯ８Ｔ
はゲート、ソース間電圧の値によりドレイン、ソース間
を流れイ）電流が一定になる性質を持っているので、Ｐ
型のＭＯ８Ｔ１２１．１２２．１２６．１２４．１２５
及びＮ型の〜１０ｓＴ１３１．１６２．１６６．１６４
．１６５のドレイン、ソース間の電流は一定となり、そ
の電流値は抵抗１４０に流れろ電流１、即ち抵抗１４０
の抵抗値（てより決まる。即ちインノ（−タ１０１．１
０２．１０３．１０．４．１０５は抵抗１４０の抵抗値
によりその電流値が、定まる定′屯流電源により駆動さ
れることになる。従ってインバータ１０１の出力端子に
接続されているコンデンサ１１１はインバータ１０１を
構成するＰ型のＭＯ８Ｔがオン状態になった時、即ちイ
ンバータ１０１の出力が高ｌノベルになった時に、コン
デンサ１１１はＰ型のＭＯ８Ｔ１２１のドレイン、ソー
スを流れる一定の電流に依って充電される。又、インバ
ータ１０１を構成するＮ型のＭＯ８Ｔがオン状態になっ
た時、即ちインバータ１０１の出力が低１ノヘルになっ
た時は、コンデンサ１１１はＮ型のＭＯ８Ｔ１３１のド
レイン、ソースを流れる一定の電流に依って放電゛され
ろ。従ってコンデンサ１１１の両端の電圧即ち、インバ
ータ１０２０入力電圧はインバータ１０１０入力端子の
電圧変化に比べてコンデンサ１１１が充放電に要する時
間だけ遅れ′″ＣＣ変化。この模様はインバータ１０２
．１０３．１０４．１０５についても全（同様である。
１２１のドレイン端子から供給されていて、一方マイナ
ス側の電源はＮ型のＭＯ８Ｔ１６１のドレイン端子から
供給されている。以下インバータ１０２．１０６．１０
４．１０５のプラス側及びマイナス側の電源はそれぞれ
同様にＰ型のＭＯ８Ｔ１２２．１２６．１２４．１２５
のドレイン端子及びＮ型のＭＯ８Ｔ１３２．１６６．１
６４．１６５のドレイン端子により各々供給されている
。又インバータ１０１の出力端子はインバータ１０２０
入力端子に、゛インバータ１０２の出力端子はインバー
タ１０６の入力端子に、インバータ１０６の出力端子は
インバータ１０４の入力端子に、インバータ１０４の出
力端子はインバータ１０５０入力端子に直列接続され、
５番目のインバータ１０５の出力はインバータ１０１０
入力に帰還されている。且つインバータ１０１．１０２
．１０６．１０４．１０５の各々の出力端にはコンデン
サ１１１．１１２．１１６．１１４．１１５が各々接続
されている。このようにインバータ１０１〜１０５とコ
ンデンサ１１１〜１１５とでリング発振回路が構成され
る。Ｐ型のＭＯ８Ｔ１２０とＮ型のＭＯ８Ｔ１５０の各
々のソース、ドレイン間を流れる電流は抵抗１４０の抵
抗値によって定まる。この時Ｐ型ＭＯ８Ｔ１２０とＮ型
のＭＯ３Ｔ１３０の各々のゲート、ソース間電圧は前記
のＭＯ８Ｔ１２０．１６０のドレイン、ソース間を流れ
ている′電流に対応した値になる。前述の様にＰ型のＭ
Ｏ８Ｔ１２０．１２１．１２２．１２６．１２４．１２
５の各々のゲート端子は相互に接続されているので、Ｐ
型のＭＯ３Ｔ１２１．１２２．１２６．１２４．１２５
のゲート、ソース間電圧は〜ｌ０８１？１２０のゲート
、ソース間電圧と同じ値になろ１、又、Ｎ型のＭＯ８Ｔ
１３１．１６２．１６６．１６４．１６５についても全
く同様に各々のゲート、ソース間電圧はＮ型のＭＯ８Ｔ
１３０のゲート、ソース間電圧と等しくなる。ＭＯ８Ｔ
はゲート、ソース間電圧の値によりドレイン、ソース間
を流れイ）電流が一定になる性質を持っているので、Ｐ
型のＭＯ８Ｔ１２１．１２２．１２６．１２４．１２５
及びＮ型の〜１０ｓＴ１３１．１６２．１６６．１６４
．１６５のドレイン、ソース間の電流は一定となり、そ
の電流値は抵抗１４０に流れろ電流１、即ち抵抗１４０
の抵抗値（てより決まる。即ちインノ（−タ１０１．１
０２．１０３．１０．４．１０５は抵抗１４０の抵抗値
によりその電流値が、定まる定′屯流電源により駆動さ
れることになる。従ってインバータ１０１の出力端子に
接続されているコンデンサ１１１はインバータ１０１を
構成するＰ型のＭＯ８Ｔがオン状態になった時、即ちイ
ンバータ１０１の出力が高ｌノベルになった時に、コン
デンサ１１１はＰ型のＭＯ８Ｔ１２１のドレイン、ソー
スを流れる一定の電流に依って充電される。又、インバ
ータ１０１を構成するＮ型のＭＯ８Ｔがオン状態になっ
た時、即ちインバータ１０１の出力が低１ノヘルになっ
た時は、コンデンサ１１１はＮ型のＭＯ８Ｔ１３１のド
レイン、ソースを流れる一定の電流に依って放電゛され
ろ。従ってコンデンサ１１１の両端の電圧即ち、インバ
ータ１０２０入力電圧はインバータ１０１０入力端子の
電圧変化に比べてコンデンサ１１１が充放電に要する時
間だけ遅れ′″ＣＣ変化。この模様はインバータ１０２
．１０３．１０４．１０５についても全（同様である。
これ等の各インバータの電圧変化の遅れによりインバー
タ１０１．１０２．１０３、１０４．１０５により構成
されるリング発振回路の発振周波数が決まる。この模様
は前述の第４図で説明した原理と全く同様である。コン
デンサ１１１の充放電に要する時間は充放電電流とコン
デンサの容量により決まるが、今コンデンサの容量が一
定とすれば上記の充放電時間は充放電電流によって決ま
る。然るにこの充放電電流は前述のごとくＰ型のＭＯ８
Ｔ１２１．１２２．１２３．１２４．１２５及びＮ型の
ＭＯ８Ｔ１３１．１３２．１６６．１６４．１６５のド
レイン、ソース間の電流であるから、これ等の電流は前
述の。
タ１０１．１０２．１０３、１０４．１０５により構成
されるリング発振回路の発振周波数が決まる。この模様
は前述の第４図で説明した原理と全く同様である。コン
デンサ１１１の充放電に要する時間は充放電電流とコン
デンサの容量により決まるが、今コンデンサの容量が一
定とすれば上記の充放電時間は充放電電流によって決ま
る。然るにこの充放電電流は前述のごとくＰ型のＭＯ８
Ｔ１２１．１２２．１２３．１２４．１２５及びＮ型の
ＭＯ８Ｔ１３１．１３２．１６６．１６４．１６５のド
レイン、ソース間の電流であるから、これ等の電流は前
述の。
様に抵抗１４０の抵抗値により決まる。従ってインバー
タ１０１．１０２．１０６．１０４．１０５の各々の出
力端子接続されているコンデンサ１１１．１１２．１１
６．１１４．１１５の充放電時間は抵抗１４０の抵抗値
により決まる。抵抗１４０の抵抗値が温度係数を有して
いるので結果として温度検出回路１００の発振周波数は
温度により変化する。但し、インバータの数は本実施例
により限定されない。
タ１０１．１０２．１０６．１０４．１０５の各々の出
力端子接続されているコンデンサ１１１．１１２．１１
６．１１４．１１５の充放電時間は抵抗１４０の抵抗値
により決まる。抵抗１４０の抵抗値が温度係数を有して
いるので結果として温度検出回路１００の発振周波数は
温度により変化する。但し、インバータの数は本実施例
により限定されない。
第１図（ｂｌ、（ｃ）は本発明の温度検出回路の発振周
波数と温度との関係を示すグラフである。第１図（ｂ）
は電流を制御する抵抗の抵抗値が正の温度係数を持つ場
合、第１図（Ｃ１は負の温度係数を持つ場合を各々示し
ている。いずれの場合も、温度変化に伴う発振周波数の
変化が太き（、本発明の温度検出回路は温度変化を周波
数変化として検出するのに有効である。
波数と温度との関係を示すグラフである。第１図（ｂ）
は電流を制御する抵抗の抵抗値が正の温度係数を持つ場
合、第１図（Ｃ１は負の温度係数を持つ場合を各々示し
ている。いずれの場合も、温度変化に伴う発振周波数の
変化が太き（、本発明の温度検出回路は温度変化を周波
数変化として検出するのに有効である。
本発明で用いる温度係数を有する抵抗は半導体集積回路
基板上に作られた抵抗、あるいはサーミス等である。ま
た、この抵抗は少なくとも一つ必要であり、本実施例に
限定されない。
基板上に作られた抵抗、あるいはサーミス等である。ま
た、この抵抗は少なくとも一つ必要であり、本実施例に
限定されない。
実施例２
第２図は、本発明の温度検出回路の実施例を示す等価回
路図である。このｖＡ度検出回路２００は、５番目のイ
ンバータ２０５の出力端子をコンデンサを介さずに、直
接１番目のインバータ２０１に接続したもので、その他
は第１図と同じである。
路図である。このｖＡ度検出回路２００は、５番目のイ
ンバータ２０５の出力端子をコンデンサを介さずに、直
接１番目のインバータ２０１に接続したもので、その他
は第１図と同じである。
この温度検出回路２００は、第１図に示したものと同様
に、温度変化に伴う発振周波数の変化が大きく、温度変
化を周波数変化として検出するのに有効である。また、
この温度検出回路２００は発振起動性が非常に良好であ
る。但し、コンデンサの接続位置は本実施例に限定され
ない。また、コンデンサは少なくとも一つのインバータ
の出力端に接続されていればよ（、コンデンサの数は本
実施例に限定されない。
に、温度変化に伴う発振周波数の変化が大きく、温度変
化を周波数変化として検出するのに有効である。また、
この温度検出回路２００は発振起動性が非常に良好であ
る。但し、コンデンサの接続位置は本実施例に限定され
ない。また、コンデンサは少なくとも一つのインバータ
の出力端に接続されていればよ（、コンデンサの数は本
実施例に限定されない。
実施例３
第３図は、本発明の温度検出回路の実施例を表わす等価
回路図である。温度検出回路３００は定電流回路をＰ型
のバイポーラトランジスタ６２０．６２１．６２２．６
２６．６２４．６２５と、Ｎ型のバイポーラトランジス
タ３３０．３３１．６３２．６６６．６６４．６６５と
で構成した他は実施例１と同じである。この温度検出回
路６００は、実施例１と同様に温度変化に伴う発振周波
数の差が大ぎく、温度変化を発振周波数の変化として検
出するのに有効である。
回路図である。温度検出回路３００は定電流回路をＰ型
のバイポーラトランジスタ６２０．６２１．６２２．６
２６．６２４．６２５と、Ｎ型のバイポーラトランジス
タ３３０．３３１．６３２．６６６．６６４．６６５と
で構成した他は実施例１と同じである。この温度検出回
路６００は、実施例１と同様に温度変化に伴う発振周波
数の差が大ぎく、温度変化を発振周波数の変化として検
出するのに有効である。
本発明の温度検出回路は、温度変化に伴う発振周波数の
変化が大きく、温度変化を発振周波数の変化により検出
するのに有効である。また、本発明の温度検出回路は、
リング発振回路を使用しているので回路構成が簡単であ
る。特に温度係数を有する抵抗を一つにした場合、製造
が非常に容易である。
変化が大きく、温度変化を発振周波数の変化により検出
するのに有効である。また、本発明の温度検出回路は、
リング発振回路を使用しているので回路構成が簡単であ
る。特に温度係数を有する抵抗を一つにした場合、製造
が非常に容易である。
わす等価回路図、第１＠Ｊ’Ｂ−び第１ ＠Ｍｔ本発明
の温度検出回路の温度−周波数特性を表わすグラフで、
第１図（ｂ）は電流を制御する抵抗の抵抗値が正の温度
係数を持つ場合、第１−ｅｄＭ負の温度係数を持つ場合
であり、第２図は本発明の実施例を表わす等価回路図、
第３図は本発明の実施例を表わす等価回路図であり、第
４図はリング発振回路の従来例を表わす等価回路図であ
る。 １０１〜１０５−・・インバータ、１１１〜１１！：ｉ
・・・コンデンサ、ｉｚｏ〜１２５・・・Ｐ 型Ｍ Ｏ
Ｓ トランジスタ、１３０〜１６５・・・Ｎ型ＭＯＳト
ランジスタ、１４０・・・抵抗。 牟彰■竪疑 準脳呵ぼ都
の温度検出回路の温度−周波数特性を表わすグラフで、
第１図（ｂ）は電流を制御する抵抗の抵抗値が正の温度
係数を持つ場合、第１−ｅｄＭ負の温度係数を持つ場合
であり、第２図は本発明の実施例を表わす等価回路図、
第３図は本発明の実施例を表わす等価回路図であり、第
４図はリング発振回路の従来例を表わす等価回路図であ
る。 １０１〜１０５−・・インバータ、１１１〜１１！：ｉ
・・・コンデンサ、ｉｚｏ〜１２５・・・Ｐ 型Ｍ Ｏ
Ｓ トランジスタ、１３０〜１６５・・・Ｎ型ＭＯＳト
ランジスタ、１４０・・・抵抗。 牟彰■竪疑 準脳呵ぼ都
Claims (1)
- 温度係数を有する少なくとも一つの抵抗と、該抵抗に流
れる電流を入力とする定電流回路と、２Ｎ＋１個のイン
バータを直列接続し、少なくとも一つの該インバータの
出力端にコンデンサを接続し、かつ２Ｎ＋１番目の前記
インバータの出力を１番目の前記インバータの入力に帰
還してなり、前記定電流回路を電源とするリング発振回
路とから構成される温度検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63301825A JPH02147828A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63301825A JPH02147828A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 温度検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02147828A true JPH02147828A (ja) | 1990-06-06 |
Family
ID=17901616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63301825A Pending JPH02147828A (ja) | 1988-11-29 | 1988-11-29 | 温度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02147828A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5835553A (en) * | 1995-04-20 | 1998-11-10 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit having a digital temperature sensor circuit |
| WO2007141870A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Fujitsu Limited | 温度センサ用リングオシレータ、温度センサ回路及びこれを備える半導体装置 |
| WO2009084352A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nec Corporation | 温度測定装置及び方法 |
| CN103645770A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-03-19 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 一种cmos集成温度传感器电路 |
| JP2014075763A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Seiko Npc Corp | 温度周波数変換回路及び温度補償型発振回路 |
| JP2017182183A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 定電流回路、温度センサーおよび温度補償機能付き時計 |
| JP2017199975A (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 磯野 正夫 | 多相交流発生装置 |
| CN111367332A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-07-03 | 深圳芥子科技有限公司 | 基于电阻的温度采集电路及控制方法 |
-
1988
- 1988-11-29 JP JP63301825A patent/JPH02147828A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5835553A (en) * | 1995-04-20 | 1998-11-10 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit having a digital temperature sensor circuit |
| WO2007141870A1 (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Fujitsu Limited | 温度センサ用リングオシレータ、温度センサ回路及びこれを備える半導体装置 |
| US7804372B2 (en) | 2006-06-09 | 2010-09-28 | Fujitsu Limited | Ring oscillator for temperature sensor, temperature sensor circuit, and semiconductor device having the same |
| WO2009084352A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Nec Corporation | 温度測定装置及び方法 |
| US8444316B2 (en) | 2007-12-28 | 2013-05-21 | Nec Corporation | Temperature measuring device and method |
| JP5359886B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-12-04 | 日本電気株式会社 | 温度測定装置及び方法 |
| JP2014075763A (ja) * | 2012-10-05 | 2014-04-24 | Seiko Npc Corp | 温度周波数変換回路及び温度補償型発振回路 |
| CN103645770A (zh) * | 2013-12-03 | 2014-03-19 | 北京中电华大电子设计有限责任公司 | 一种cmos集成温度传感器电路 |
| JP2017182183A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | セイコーエプソン株式会社 | 定電流回路、温度センサーおよび温度補償機能付き時計 |
| JP2017199975A (ja) * | 2016-04-25 | 2017-11-02 | 磯野 正夫 | 多相交流発生装置 |
| CN111367332A (zh) * | 2020-02-17 | 2020-07-03 | 深圳芥子科技有限公司 | 基于电阻的温度采集电路及控制方法 |
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