JP2001117645A - 温度制御回路 - Google Patents

温度制御回路

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JP2001117645A
JP2001117645A JP29591699A JP29591699A JP2001117645A JP 2001117645 A JP2001117645 A JP 2001117645A JP 29591699 A JP29591699 A JP 29591699A JP 29591699 A JP29591699 A JP 29591699A JP 2001117645 A JP2001117645 A JP 2001117645A
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Tomio Sato
富雄 佐藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】電源電圧の変動に対して高安定に温度制御が可
能な温度制御回路を提供する。 【解決手段】被加熱物を加熱する為のヒータと、該ヒー
タに電力を供給する電流制御用トランジスタ回路とを含
むヒータ回路部と、前記被加熱物の温度変化に基づいて
前記電流制御用トランジスタのベースバイアス電流を制
御する制御部とを備えた温度制御回路に於いて、前記制
御部を差動増幅器と感熱素子とを備えると共に、前記電
流制御用トランジスタのエミッタ出力の一部を前記差動
増幅器の入力にネガティブフィードバックするよう構成
したことにより電源電圧の変動に伴い変化するヒータを
流れる電流を検知してヒータの発熱量を制御する為、従
来の温度検知による方法と比較してより迅速な制御が可
能であり、その結果、被加熱物の温度をより高安定に保
つことが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は温度制御回路に関
し、特に、恒温槽型水晶発振器(OCXO)に使用する
温度制御回路に関する。
【0002】
【従来の技術】通信機器の基準信号源に用いられる水晶
発振器には、温度変化に対して出力周波数が安定してい
ることが求められている。一般に水晶発振器の中でも極
めて高い周波数安定度が得られるものとしては、電気的
特性が温度の影響を受け易い水晶振動子等の電子部品を
一定温度に保たれた恒温槽内に収納した恒温槽型水晶発
振器(OCXO)が知られており、これにより例えば1
×10-7ppm〜5×10-10ppm/0℃〜+60℃と極め
て高い周波数安定度が得られる。
【0003】図4は前記恒温槽の槽内温度を制御する為
の温度制御回路を示す回路図である。同図に示すように
温度制御回路100は、水晶振動子の温度を検知し、こ
の情報に基づいた電流を出力する制御部101と、この
制御部からの電流の値に基づいて水晶振動子を加熱する
為のヒータ回路部102とを備えている。そして、上記
制御部101は、差動増幅器103のプラス側入力と定
電圧回路104の出力とを抵抗105と抵抗106との
直列回路を介して接続すると共に、この直列回路の接続
中点と接地とをサーミスタ107を介して接続し、更
に、抵抗108と抵抗109との直列回路を定電圧回路
104と接地との間に接続し、この直列回路の接続中点
と先の差動増幅器103のマイナス側入力とを接続する
と共に、差動増幅器103の出力とマイナス側入力とを
帰還抵抗110を介して接続するよう構成したものであ
る。
【0004】上記ヒータ回路部102は、トランジスタ
111のコレクタと電源Vccとの間にヒータ112を
挿入接続すると共に、エミッタを接地し、更に、ベース
と先の差動増幅器103の出力とを抵抗113を介し接
続し、且つ、ベースと接地との間にバイパス用のコンデ
ンサを挿入接続するよう構成したものである。尚、ヒー
タ112が充分発熱する為には、ヒータ112に大電流
を流す必要がある為、ヒータ回路部102を定電圧回路
104の出力電圧よりも高電位である電源Vccに接続
するのが一般的とされている。
【0005】この様に構成した前記温度制御回路100
は、前記サーミスタ107の抵抗値が温度によって変化
するので差動増幅器103のプラス側入力とマイナス側
入力との差が変化し、これに伴い前記ヒータ112に流
れる電流が制御される為、ヒータ112の加熱温度が制
御されて水晶振動子等の電子部品を所定の温度に加熱、
及び、保温することを可能にしている。即ち、例えば、
温度が上昇した場合、前記サーミスタ107の抵抗値が
小さくなり、これに伴なって差動増幅器103の入力側
端子間の電位差が小さくなる為、トランジスタ111の
ベース電流である差動増幅器103の出力電流が減少す
る。
【0006】そして、トランジスタ111のベースに供
給される電流が減少するとヒータ112を流れるトラン
ジスタ111のコレクタ電流が減少する為、その結果、
ヒータの加熱量が小さくなる。尚、更に温度が上昇して
サーミスタ107の抵抗値が小さくなって、差動増幅器
103の出力電流が更に小さくなり0.7V以下となればト
ランジスタ111がオフ状態となる為、ヒータ112に
流れる電流がゼロとなる。一方、温度が低下するとサー
ミスタ107の抵抗値が大きくなり上記の説明とは逆に
前記ヒータ112の発熱温度が上昇する。
【0007】従って、前記ヒータ112とサーミスタ1
07と図示しない水晶振動子とを近接配置すれば、前記
水晶振動子は、制御部101のバイアス回路の設定条件
に基づき加熱と放熱とが釣り合った温度点にて一定に保
たれる。そして、このように制御された水晶振動子を用
いて水晶発振器を構成すれば水晶振動子が周囲の温度に
よらず一定温度に保たれることにより、周波数温度特性
は安定する。
【0008】
【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
のような構成の温度制御回路100は、電源Vccの電
圧に変化が生じた場合、ヒータ回路部102を流れる電
流の変化と共に、ヒータ112の発熱量が変化するので
加熱される水晶振動子の周波数が変動してしまうという
問題が生じていた。即ち、電源Vccの電圧が上昇した
場合、トランジスタ111のコレクタ電流が増加する
為、ヒータ112を流れる電流が増加し、これに伴いヒ
ータ112の発熱温度が上昇する。
【0009】このとき上記発熱温度を検知した制御部1
01はその温度上昇を抑えるようヒータ回路部102を
制御するが、一旦加熱動作してしまったヒータ112の
温度を直ちに低下させることは不可能である。従って、
電源電圧が上昇してから任意の時間の間、ヒータ112
の発熱量が増加し続ける為、これに伴いヒータ112に
より加熱される水晶振動子の周波数が変動するという問
題が生じてしまうのである。本発明は上記の問題を解決
する為になされたものであり、電源電圧変動が生じた場
合であっても、ヒータの発熱量の変化量が小さいうちに
ヒータ回路部の制御を完了し、もって、ヒータの発熱量
の上昇を抑え、周波数安定度に優れる圧電発振器を提供
することを目的としている。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する為に
本発明に係わる請求項1記載の発明は、被加熱物を加熱
する為のヒータと、該ヒータに電力を供給する電流制御
用トランジスタ回路とを含むヒータ回路部と、前記被加
熱物の温度変化に基づいて前記電流制御用トランジスタ
のベースバイアス電流を制御する制御部とを備えた温度
制御回路に於いて、前記制御部が差動増幅器と感熱素子
とを備えると共に、前記電流制御用トランジスタのエミ
ッタ出力の一部を前記差動増幅器の入力にネガティブフ
ィードバックするよう構成したことを特徴としている。
【0011】請求項2記載の発明は、被加熱物を加熱す
る為のヒータと、該ヒータに電力を供給する電流制御用
FETとを含むヒータ回路部と、前記被加熱物の温度変
化に基づいて前記電流制御用FETのゲートバイアス電
圧を制御する制御部とを備えた温度制御回路に於いて、
前記制御回路が差動増幅器と感熱素子とを備えると共
に、前記電流制御用FETのソース出力の一部を前記差
動増幅器の入力にネガティブフィードバックするよう構
成したことを特徴としている。
【0012】請求項3記載の発明は請求項1または請求
項2記載の発明に加え、被加熱物を加熱する為のヒータ
と、該ヒータに電力を供給する電流制御用トランジスタ
または電流制御用FETとを含むヒータ回路部と、前記
被加熱物の温度変化に基づいて前記電流制御用トランジ
スタのベースバイアス電流または前記電流制御用FET
のゲートバイアス電圧を制御する制御部とを備えた温度
制御回路に於いて、前記制御部が差動増幅器のプラス側
入力と定電圧回路とを抵抗を介し接続すると共に、、該
プラス側入力と接地とをサーミスタを介し接続し、更
に、前記差動増幅器のマイナス側入力と定電圧回路と
を、該マイナス側入力と接地とをそれぞれ抵抗を介し接
続する共に、更に、該マイナス側入力と前記電流制御用
トランジスタのエミッタまたは電流制御用FETのソー
スとを抵抗を介して接続するよう構成したことを特徴と
している。
【0013】
【本発明の実施の形態】以下、図示した実施例に基づい
て本発明を詳細に説明する。図1は本発明に基づく温度
制御回路の一実施例を示す回路図である。同図に示すよ
うに温度制御回路1は被加熱物として例えば水晶振動子
の温度を制御する為のものであり、温度を検知し、この
情報に基づいて電流を制御する制御部2と、この制御部
からの電流の値に基づいて水晶振動子を加熱する為のヒ
ータ回路部3とを備えている。
【0014】そして、上記制御部2は、差動増幅器4の
プラス側入力と定電圧回路5との出力とを抵抗6と抵抗
7との直列回路を介して接続すると共に、この直列回路
の接続中点と接地とをサーミスタ8を介して接続し、更
に、抵抗9と抵抗10との直列回路を定電圧回路11と
接地との間に接続し、この直列回路の接続中点と先の差
動増幅器4のマイナス側入力とを接続すると共に、差動
増幅器4の出力とマイナス側入力とを帰還抵抗11を介
して接続するよう構成したものである。上記ヒータ回路
3は、電流制御用のトランジスタ12のコレクタと電源
Vccとの間にヒータ13を挿入接続すると共に、エミ
ッタを抵抗14を介し接地し、更に、ベースと先の差動
増幅器4の出力とを抵抗15を介し接続すると共に、上
記差動増幅器4のマイナス側入力とトランジスタ12の
エミッタとを抵抗16を介して接続するよう構成する。
【0015】上記のように構成した温度制御回路1は、
温度が一定に保たれている状態で、例えば電源Vccの
電圧が上昇した場合、これに伴いトランジスタ12のエ
ミッタ電圧が上昇し、更にこの電圧上昇が差動増幅器4
の基準電圧であるマイナス側入力にネガティブフィード
バックされる為、これに伴い差動増幅器4の入力電圧差
が小さくなる。そして、その結果、トランジスタ12に
ベース電流が減少する為、ヒータ13を流れるコレクタ
電流が減少しヒータの発熱量が減少する。電源Vccの
電圧が低下した場合は上記の場合の逆の動作であり、電
源電圧の低下に伴いトランジスタ12のコレクタ電流が
増加する為、ヒータ13の発熱量が多くなる。
【0016】上記の説明のように温度制御回路1は、電
源電圧変動が生じた場合、これに伴い変化するヒータの
加熱温度を基にヒータ回路部3を制御するのではなく、
ヒータを流れる電流の変化に基づき制御するものである
為、ヒータの加熱動作が初期の段階の温度が上昇しきる
前にヒータ回路部を充分制御することが可能である。そ
して、その結果、上記温度制御回路1を備えた水晶発振
器は、電源電圧変動が生じた場合であっても、ヒータに
より加熱される水晶振動子の温度が高安定に保たれる
為、高い周波数安定度を保ち続けることができる。
【0017】尚、電源を投入した直後の状態ではヒータ
13の抵抗値が小さいのでトランジスタ12のコレクタ
電流が小さく、上記に説明した動作に基づきヒ制御部2
がヒータ13の発熱量を抑えるよう働こうとするが、こ
の場合、サーミスタ8の抵抗値も充分高抵抗であること
から、差動増幅器4のプラス側入力電圧が充分高く保た
れるのでヒータ13の加熱動作が停止するということは
起きない。
【0018】更に、図2は本発明の基づく温度制御回路
の他の実施例の回路図を示すものである。同図に示す温
度制御回路1の特徴は、電流制御用のトランジスタとし
てFET12を用い、上記FET12のドレインをヒー
タ13を介し電源Vccに接続すると共に、ゲートと差
動増幅器4の出力とを抵抗15を介して接続し、更に、
ソースを抵抗14を介し接地するよう構成したところに
ある。このように構成した温度制御回路1は、例えば電
源Vccの電圧の上昇に伴いドレイン電流が変化し、ヒ
ータ13の発熱量が増加しようとしても、先のドレイン
電流の増加と共に、ソース電圧が上昇することにより差
動増幅器4のマイナス側入力の電圧が上昇する為、差動
増幅器4の入力電位差が小さくなり、差動増幅器4の出
力電流(電圧)の値が小さくなる。
【0019】そして、これに伴いゲート電圧が低下する
為、ゲート・ソース間の電圧の絶対値が増加してドレイ
ン電流が減少するので、その結果、ヒータ13の発熱作
用が抑えられて被加熱物である水晶振動子の周波数変動
を高安定に保つことを可能にしている。更に、図3は本
発明の基づく温度制御回路の更に他の実施例の回路図を
示すものである。同図に示す温度制御回路は複数のヒー
タの発熱量を制御するものであり、制御部2とこの出力
により制御されるヒータ回路部17とを備えている。
【0020】上記ヒータ回路部17は、電源VccとF
ET12とを抵抗18を介し接続すると共に、ソースと
差動増幅器4とを抵抗19と抵抗16とを介し接続し、
更にソースを抵抗14を介して接地すると共に、ドレイ
ンを抵抗20を介して次段のFET21のゲート、及
び、抵抗22を介してFET23のゲートに接続する。
更に、FET21のソースと電源Vccとをヒータ24
を介して接続すると共に、ドレインを抵抗16を介して
差動増幅器4のマイナス側入力に接続し、FET23の
ソースとヒータとをヒータ25を介して接続すると共
に、ドレインと接地とを抵抗26を介して接続し、更
に、ドレインと差動増幅器4のマイナス側入力とを抵抗
16を介して接続するよう構成する。
【0021】そして温度制御回路1は、上記FET12
のゲートと差動増幅器4とを抵抗15を介して接続する
よう構成したものである。このように構成した温度制御
回路1は、例えば電源Vccの電圧が上昇した場合、F
ET12のドレイン電流の増加に伴い、差動増幅器4の
出力電圧が低下するとFET12のゲート・ソース間電
圧の絶対値が増加する為、ドレイン電流が減少するよう
制御する。そして、このドレイン電流の減少によるFE
T21のゲート電位の低下と、先の電源Vccの上昇に
よるFET21のソース電位の上昇とにより、FET2
1のゲート・ソース間電圧の絶対値が増加する為、FE
T21のドレイン電流が減少し、その結果、ヒータ24
の発熱量を低下させるよう制御する。
【0022】ヒータ25の制御についても上記と同一で
あると共に、電源Vccの電圧が低下した場合について
は上記説明の逆の動作である為、説明を省略する。この
ような温度制御回路1は、制御部2による制御に加え、
電源変動による電圧変動を利用してヒータの熱容量を制
御する為、制御速度に優れたものであり、特に発熱動作
の早い小型ヒータを複数個用いる場合には有効である。
また上記の説明では電流制御用のトランジスタまたはF
ETに抵抗14または抵抗18または抵抗26を接続し
て本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、これら抵抗に代えてヒータを接続するよう構
成したものであっても良い。
【0023】尚、以上本発明を水晶振動子を用いた発振
器を例に説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はなく、 水晶以外の他の圧電振動子を用いたものに適
用してもよいことは明らかである。
【0024】
【発明の効果】以上説明したように本発明に基づく温度
制御回路は、被加熱物を加熱する為のヒータと、該ヒー
タに電力を供給する電流制御用トランジスタ回路とを含
むヒータ回路部と、前記被加熱物の温度変化に基づいて
前記電流制御用トランジスタのベースバイアス電流を制
御する制御部とを備えた温度制御回路に於いて、前記制
御部を差動増幅器と感熱素子とを備えると共に、前記電
流制御用トランジスタのエミッタ出力の一部を前記差動
増幅器の入力にネガティブフィードバックするよう構成
したことにより電源電圧の変動に伴い変化するヒータを
流れる電流を検知してヒータの発熱量を制御する為、従
来の温度検知による方法と比較してより迅速な制御が可
能であり、その結果、被加熱物の温度をより高安定に保
つことが可能であるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に基づく温度制御回路の一実施例の回路
図を示すものである。
【図2】本発明に基づく温度制御回路の他の実施例の回
路図を示すものである。
【図3】本発明に基づく温度制御回路の他の実施例の回
路図を示すものである。
【図4】従来の温度制御回路の回路図を示すものであ
る。
【符号の説明】
1温度制御回路、2制御部、3、17ヒータ回路部、4
差動増幅器、5定電圧回路、6、7、9、10、11、
14、15、16、18、19、20、22、26抵
抗、8サーミスタ、12、21、23トランジスタ、1
3、24、25ヒータ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被加熱物を加熱する為のヒータと、該ヒー
    タに電力を供給する電流制御用トランジスタ回路とを含
    むヒータ回路部と、前記被加熱物の温度変化に基づいて
    前記電流制御用トランジスタのベースバイアス電流を制
    御する制御部とを備えた温度制御回路に於いて、前記制
    御部が差動増幅器と感熱素子とを備えると共に、前記電
    流制御用トランジスタのエミッタ出力の一部を前記差動
    増幅器の入力にネガティブフィードバックするよう構成
    したことを特徴とする温度制御回路。
  2. 【請求項2】被加熱物を加熱する為のヒータと、該ヒー
    タに電力を供給する電流制御用FETとを含むヒータ回
    路部と、前記被加熱物の温度変化に基づいて前記電流制
    御用FETのゲートバイアス電圧を制御する制御部とを
    備えた温度制御回路に於いて、前記制御回路が差動増幅
    器と感熱素子とを備えると共に、前記電流制御用FET
    のソース出力の一部を前記差動増幅器の入力にネガティ
    ブフィードバックするよう構成したことを特徴とする温
    度制御回路。
  3. 【請求項3】被加熱物を加熱する為のヒータと、該ヒー
    タに電力を供給する電流制御用トランジスタまたは電流
    制御用FETとを含むヒータ回路部と、前記被加熱物の
    温度変化に基づいて前記電流制御用トランジスタのベー
    スバイアス電流または前記電流制御用FETのゲートバ
    イアス電圧を制御する制御部とを備えた温度制御回路に
    於いて、前記制御部が差動増幅器のプラス側入力と定電
    圧回路とを抵抗を介し接続すると共に、該プラス側入力
    と接地とをサーミスタを介し接続し、更に、前記差動増
    幅器のマイナス側入力と定電圧回路とを、該マイナス側
    入力と接地とをそれぞれ抵抗を介し接続する共に、更
    に、該マイナス側入力と前記電流制御用トランジスタの
    エミッタまたは電流制御用FETのソースとを抵抗を介
    して接続するよう構成したことを特徴とする請求項1ま
    たは請求項2記載の温度制御回路。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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