JP2005093257A - 温度制御回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電力用POWMOSFETをJタイプとして、該電力用FETQ1とサーミスタTH1と板状の発熱体(ヒーター)H1とを、フレキシブルプリント基板3に一体化して装着し、該フレキシブルプリント基板3の前記電力用FETQ1のドレイン部が金属製オーブン4の壁面に密着するよう固定する。該オーブン4内に水晶振動子5を前記電力用FETQ1とサーミスタTH1と発熱体(ヒーター)H1に近接するように配置する。
【選択図】図2
Description
一般に水晶発振器の中でも極めて高い周波数安定度が得られるものとしては、電気的特性が温度の影響を受け易い水晶振動子等の電子部品を一定温度に保たれた恒温槽内に収納した恒温槽型水晶発振器(OCXO)が知られており、これにより例えば1×10−7〜5×10−10ppm/0〜+60℃と極めて高い周波数安定度が得られている。
前記制御部21は、電源Vccに接続された抵抗R21、R22、R23の直列回路の前記抵抗R1、R2の接続中点が抵抗R24を介して差動増幅器IC1のプラス(+)入力と接続される。また、電源Vccに接続された抵抗R25と温度センサとしてのサーミスタTH21との直列回路の接続中点が前記差動増幅器IC21のマイナス(−)入力に接続されると共に、差動増幅器IC21の出力が帰還抵抗25を介して前記差動増幅器IC1のマイナス(−)入力に接続されるよう構成したものである。
前記抵抗R22、R23は温度設定を行うための調整用抵抗であり、抵抗R21とR22の接続中点に接続されたコンデンサC21は交流ノイズ遮断用コンデンサである。
前記差動増幅器IC21の出力は、抵抗R27、R28及びC22で構成される高周波ノイズ遮断用のローパスフィルタを介して電力用FETQ21のゲートGに接続されると共に抵抗29が電源Vccと電力用FETQ21のゲートGとの間に接続される。
例えば、温度が上昇した場合、前記サーミスタTH21の抵抗値が小さくなり、これに伴って差動増幅器IC21の入力側端子間の電位差が小さくなって、該差動増幅器IC21の出力電流が減少する。
そして、電力用FETQ21のゲートGに供給される電流(電圧)が減少するとヒーターH21を流れる該電力用FETQ21のドレイン電流が減少し、その結果、ヒーターH21の発熱量が少なくなって温度が低下する。
一方、温度が低下するとサーミスタTH21の抵抗値が大きくなり上記の説明とは逆に前記ヒーターH21の発熱量が増加して温度が上昇する。
なお、本例のヒーター回路部22においては、電力力用FETQ21の増幅率が大となり差動増幅器IC21の利得との相乗により過剰利得となり、ハンチング等の不安定動作を起こす恐れがあるので、この場合は、前記電力用FETQ21のドレインDと接地間に第2のヒーターを挿入することにより利得を抑圧し安定動作が図られる。
そのため、従来の温度制御回路では、パワートランジスタの放熱のための絶縁シートが必要なため、放熱が不十分になりやすく、また、安定動作させるために主ヒーター及びサブヒーターの2つを必要とする場合があり、さらに、組み立てが複雑になるという問題があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、パワートランジスタの放熱効果が高く、簡単な回路構成で優れた温度制御機能が得られる回路を提供することを目的とする。
請求項2の発明においては、請求項1の温度制御回路であって、前記負帰還用抵抗に並列にキャパシタを付加して形成した積分機能によって前記FET回路の電流ハンチング動作を抑えたことを特徴とする。
また、請求項3の発明においては、請求項1または請求項2に記載の温度制御回路であって、第2のFET回路を前記第1のFET回路のゲート入力回路に設け、該第1のFET回路のソース出力電圧の一部を前記第2のFET回路のゲート回路に加えて生じた該第2のFET回路のドレインの電位を前記第1のFET回路のゲート入力回路に帰還することによって、前記第1のFETの過電流を保護するよう構成したえたことを特徴とする。
さらに、請求項4の発明においては、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の温度制御回路であって、電気的に設置された金属製オーブンに前記第1のFETのドレインを密接装着して熱結合を強めたことを特徴とする。
また、前記FETのソース電圧を差動増幅器の(一)入力に帰還し利得制御を行うことによって、利得の増加と、電源変動による電流変化を抑圧でき優れた特性を得ることができる。さらに、制御部とヒーター回路部を共通の電源としたので、回路の簡素化を図ることができた。
上述のように本発明によれば、制御効率の優れた温度制御回路を提供することができ、高安定発振器(OCXO)の性能向上に顕著な効果を発揮できる。
前記制御部1は、電源Vccに接続された抵抗R1、R2、R3の直列回路の前記抵抗R1、R2の接続中点が抵抗R4を介して差動増幅器IC1のプラス(+)入力と接続され、また、電源Vccに接続された抵抗R5と後述のサーミスタTH1との直列回路の接続中点が前記差動増幅器IC1のマイナス(−)入力に接続されるよう構成される。
抵抗R2、R3は温度設定を行うための調整用抵抗であり、抵抗R1とR2の接続中点に接続されたコンデンサC1は交流ノイズ遮断用コンデンサである。
前記J型FETQ1のソースSは高抵抗R6を介して差動増幅器IC1の(−)入力に接続され、該差動増幅器IC1と電力用FETQ1とを含む制御利得を決定する。コンデンサC2は積分回路を構成して、ヒーターH1の急激な電流変化を抑圧する。
このとき、電力用FETQ1のゲート・ソース間電位は最大電位となり、ソースSよりドレインGに向け大電流が流れ、ヒーターH1と該電力用FETQ1からの発熱によりオーブンは急激に加熱される。この加熱によってサーミスタTH1の抵抗値が低下して差動増幅器IC1の(−)入力の電位が低下し、この電位が差動増幅器IC1の(+)入力と(−)入力との電位差が大きくなるに従い、該差動増幅器IC1の出力は上昇する。
このため、電力用FETQ1のゲートGの電位が上昇してゲート・ソース間電位差が低下し、ヒーターH1の電流が減少する。
同図に示すように、恒温槽型水晶発振器の温度制御回路のヒータ回路部2の電力用FETQ1とサーミスタTH1と板状の発熱体(ヒーター)H1とは、フレキシブルプリント基板3に一体化して装着され、該フレキシブルプリント基板3の前記電力用FETQ1のドレイン部が金属製オーブン4の壁面に密着するよう固定される。該オーブン4内に水晶振動子5を前記電力用FETQ1とサーミスタTH1と発熱体(ヒーター)H1に近接するように配置する。
そして、本恒温槽型水晶発振器は、前記金属製オーブン4と接続されて前記温度制御回路の制御部1の部品及び他の発振回路部品を装着したプリント配線基板6が水晶発振器用ケース7に収容され、端子8によって発振出力が取り出される構造を有する。
Cl、C2、C3:各 0.1μF、C4:10μF
H1:2.35Ω(2W)
IC1:TC75S51FU(OP AMP)
Q1:2SJ140(POWMOS FET)
R1、R2+R3、R4、R5、R7、R8:各10kΩ、R6:210kΩ、R9:1MΩ
TH1:可変(B=4400、R(25℃)=200kΩ)
同図(b)に示されるように、76℃まで急激に加熱し、その後パワーが減少して、約78℃でパワーは0に近づく、即ち、76〜78℃が温度制御範囲となる。加熱時のトータル電力は5Wであり、電力用FETQ1とヒーターH1の消費電力は、ほぼ半々である。その後、電力用FETQ1の電力は徐々に減少し、高温側で急激に減少する。ヒーターH1は低温度で急激に減少し、高温側では緩やかに減少する。
図4は、電源電圧を5Vに設定し、電圧を4.5〜5.5Vの範囲で可変した場合の消費電力の変化を示す特性図である。同図に示されるように、電圧の上昇に従い電力用FETQ1及びヒーターH1の電力が緩やかに増加する。
図8の従来回路例の定数設定は下記のとおりである。
Cl、C3:各 0.1μF、C4:10μF
H1:2.35Ω(2W)
IC1:TC75S51FU(OP AMP)
Q1:2SJ140(POWMOS FET)
R1、R2+R3、R4、R5、R7、R8:各10kΩ、R6:210kΩ、R9:1MΩ
TH1:可変(B=4400、R(25℃)=200kΩ)
同図に示されるように、従来回路例は温度変化に対して制御利得が本発明の回路のほぼ半分になっている。これは、電力用FETQ21に制御電流が流れたとき、ヒータH1の抵抗により該電力用FETQ21のソース電位が下がり、そのため、ゲート・ソース間に逆バイアスが掛かることにより該電力用FETQ21の利得が低下するためである。
図6(a)は、電源電圧変動に対する消費電力の特性比較図である。同図に示されるように、本発明の回路は、従来回路例より少ない変化量を示す。また、同図(b)は、電源電圧変動に対する消費電力変動率の特性比較図である。同図(b)に示されるように、本発明の回路は、従来回路例より電源電圧変動に対してきわめて安定していることがわかる。
同図に示すように、前記過電流保護回路は、JタイプのFETQ2と抵抗R10、R11の直列回路で構成され、該抵抗R10、R11の直列回路は電源Vccと前記電力用FETQ1のソースS1との間に接続される。そして、前記抵抗R9、R10の接続中点がFETQ2のゲートG2に接続される。
前記FETQ2のソースS2は電源Vccに、ドレインD2は前記差動増幅器IC1の出力回路の抵抗R7とR8の接続中点に、それぞれ接続される。
該前記抵抗R10、R11の直列回路は、電力用FETQ1のソースS1の電位を検出してFETQ2のゲートG2へ、その分圧電位を入力する。FETQ2には、ゲート・ソース間電圧のgm(相互コンダクタンス)倍の電流がドレイン・ソース間に流れる。
また、電源Vccと電力用FETQ1のソースS1間に挿入する発熱体に温度ヒューズを用いることも可能であり、この温度ヒューズは、通常は抵抗体として動作し、過電流が流れたときに溶断して回路を保護する。
4・・オーブン、 5・・水晶振動子、 6・・プリント配線基板、
7・・水晶発振器用ケース、 8・・端子、
21・・制御部、 22・・ヒーター回路部、
C1〜C4、C21〜C23・・コンデンサ、 H1、H21・・ヒータ、
IC1、IC21・・差動増幅器、 Q1、Q2、Q21・・POWMOS FET、
R1〜R11、R21〜R29・・抵抗、 TH1、TH21・・サーミスタ
Claims (4)
- 被加熱物を加熱するためのヒータと該ヒータに電力を供給する電流制御用の第1のFET回路を含むヒータ回路部と前記被加熱物の温度変化に基づいて前記FETのゲート電圧を制御する差動増幅器と感熱素子とを含む制御部とで構成される温度制御回路であって、
前記FET回路のソース出力電圧の一部を前記差動増幅器の入力に抵抗を介して負帰還するように構成したことを特徴とする温度制御回路。 - 前記負帰還用抵抗に並列にキャパシタを付加して形成した積分機能によって前記FET回路の電流ハンチング動作を抑えたことを特徴とする請求項1に記載の温度制御回路。
- 第2のFET回路を前記第1のFET回路のゲート入力回路に設け、該第1のFET回路のソース出力電圧の一部を前記第2のFET回路のゲート回路に加えて生じた該第2のFET回路のドレインの電位を前記第1のFET回路のゲート入力回路に帰還することによって、前記第1のFETの過電流を保護するよう構成したえたことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の温度制御回路。
- 電気的に設置された金属製オーブンに直接前記第1のFETのドレインを前記第1のFETのドレインを密接装着して熱結合を強めたことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の温度制御回路。
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