JPH06347337A - 温度検出回路 - Google Patents
温度検出回路Info
- Publication number
- JPH06347337A JPH06347337A JP13705393A JP13705393A JPH06347337A JP H06347337 A JPH06347337 A JP H06347337A JP 13705393 A JP13705393 A JP 13705393A JP 13705393 A JP13705393 A JP 13705393A JP H06347337 A JPH06347337 A JP H06347337A
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- JP
- Japan
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- temperature
- circuit
- voltage
- voltage terminal
- temperature dependence
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Abstract
(57)【要約】
【目的】温度検出回路において、検出誤差を犠牲にする
ことなく従来よりも低電圧での温度検出動作を可能にす
ること。 【構成】ｐｎ接合ダイオードやＭＯＳトランジスタのよ
うな強い温度依存性を持つ素子１を正電圧端子１３側に
接続し、抵抗などのような弱い温度依存性を持つ素子２
を負電圧端子１４に接続し両素子１及び２の接続点Ｎ１
の電圧が温度に対して変化するように構成した回路と、
抵抗などの弱い温度依存性を持つ素子３を正電圧端子１
３側に接続しダイオードやＭＯＳトランジスタなどの強
い温度依存性を持つ素子４を負電圧端子１３側に接続
し、両素子３及び４の接続点Ｎ２の電圧が温度に対して
接続点Ｎ１の電圧とは逆の依存性を持つ回路と、接続点
Ｎ１の電圧と接続点Ｎ２の電圧とを入力とする比較器５
とからなる。
ことなく従来よりも低電圧での温度検出動作を可能にす
ること。 【構成】ｐｎ接合ダイオードやＭＯＳトランジスタのよ
うな強い温度依存性を持つ素子１を正電圧端子１３側に
接続し、抵抗などのような弱い温度依存性を持つ素子２
を負電圧端子１４に接続し両素子１及び２の接続点Ｎ１
の電圧が温度に対して変化するように構成した回路と、
抵抗などの弱い温度依存性を持つ素子３を正電圧端子１
３側に接続しダイオードやＭＯＳトランジスタなどの強
い温度依存性を持つ素子４を負電圧端子１３側に接続
し、両素子３及び４の接続点Ｎ２の電圧が温度に対して
接続点Ｎ１の電圧とは逆の依存性を持つ回路と、接続点
Ｎ１の電圧と接続点Ｎ２の電圧とを入力とする比較器５
とからなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は温度検出回路に関し、特
に温度変化により電気的特性が変化する検出要素をも
ち、検出部の温度が所定温度以上、以下のいずれである
かを検出する温度検出回路に関する。
に温度変化により電気的特性が変化する検出要素をも
ち、検出部の温度が所定温度以上、以下のいずれである
かを検出する温度検出回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の温度検出回路の一例の回
路図を図３（ａ）に示す。図３（ａ）を参照すると、こ
の検出回路は、電気的特性が強い温度依存性を持つ素子
１を正電圧端子１３側に接続し弱い温度依存性を持つ素
子２を負電圧端子４側に接続し、両素子の接続点Ｎ１の
電圧が温度に対し変化するように構成した検出部と、温
度変化の極めて小さい基準電圧を作る基準電圧発生部１
０と、検出部の出力電圧と基準電圧発生部１０からの出
力電圧とを入力とする比較器５とから構成されている。
温度に対する検出力を更に上げるためには、図４（ａ）
に示す従来の温度検出回路の他の例のように、強い温度
依存性を持つ素子を複数個（この場合は、素子１１及び
１２の２個）直列接続した構成とする。
路図を図３（ａ）に示す。図３（ａ）を参照すると、こ
の検出回路は、電気的特性が強い温度依存性を持つ素子
１を正電圧端子１３側に接続し弱い温度依存性を持つ素
子２を負電圧端子４側に接続し、両素子の接続点Ｎ１の
電圧が温度に対し変化するように構成した検出部と、温
度変化の極めて小さい基準電圧を作る基準電圧発生部１
０と、検出部の出力電圧と基準電圧発生部１０からの出
力電圧とを入力とする比較器５とから構成されている。
温度に対する検出力を更に上げるためには、図４（ａ）
に示す従来の温度検出回路の他の例のように、強い温度
依存性を持つ素子を複数個（この場合は、素子１１及び
１２の２個）直列接続した構成とする。
【０００３】半導体集積回路において、強い温度依存性
を持つ素子として代表的な素子は、ｐｎ接合ダイオード
である。図３（ｂ）及び図４（ｂ）に、強い温度依存性
を持つ素子としてダイオードを用い温度依存性の弱い素
子として低抗体を用いて、図３（ａ）及び図４（ａ）に
示す検出回路を実現した場合のそれぞれについて、比較
器５の入力電圧の温度特性と比較器５の論理出力値を示
す。
を持つ素子として代表的な素子は、ｐｎ接合ダイオード
である。図３（ｂ）及び図４（ｂ）に、強い温度依存性
を持つ素子としてダイオードを用い温度依存性の弱い素
子として低抗体を用いて、図３（ａ）及び図４（ａ）に
示す検出回路を実現した場合のそれぞれについて、比較
器５の入力電圧の温度特性と比較器５の論理出力値を示
す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３（ａ）に示す温度
検出回路を半導体集積回路で実現した場合、比較器５の
正入力端子への入力電圧の温度係数は素子（ダイオー
ド）１の順方向電圧の温度係数でほぼ決り、たかだか２
ｍＶ／℃程度しか得られない。このため、基準電圧の微
小な変動が検出温度に大きな影響を与えてしまう。つま
り、温度検出誤差が大きくなる。
検出回路を半導体集積回路で実現した場合、比較器５の
正入力端子への入力電圧の温度係数は素子（ダイオー
ド）１の順方向電圧の温度係数でほぼ決り、たかだか２
ｍＶ／℃程度しか得られない。このため、基準電圧の微
小な変動が検出温度に大きな影響を与えてしまう。つま
り、温度検出誤差が大きくなる。
【０００５】一方図４（ａ）の様な構成にして温度に対
する比較器５への入力電圧の変化を大きくすれば、基準
電圧の変動による検出誤差を小さくできる。例えば、ダ
イオードを２段にした場合、比較器５への入力電圧の温
度係数は４ｍＶ／℃程度となるので、基準電圧が検出温
度に与える影響が小さくなる。しかしこの場合、検出部
への供給電圧（正電圧端子１３と負電圧端子１４との間
の電圧）をもとのままにしておくと比較器５の入力電圧
がダイオードの順方向電圧の分だけ低くなるので、検出
温度が低下してしまう。この検出温度の低下をなくして
図３（ａ）に示す検出回路と同一の温度を検出するに
は、検出部への供給電圧を約１．４Ｖ以上に設定しなく
てはならない。このため、図４（ａ）に示すような検出
誤差を小さくした回路を用いて、例えば乾電池などによ
る低電圧駆動の検出回路を実現することが困難になって
しまう。
する比較器５への入力電圧の変化を大きくすれば、基準
電圧の変動による検出誤差を小さくできる。例えば、ダ
イオードを２段にした場合、比較器５への入力電圧の温
度係数は４ｍＶ／℃程度となるので、基準電圧が検出温
度に与える影響が小さくなる。しかしこの場合、検出部
への供給電圧（正電圧端子１３と負電圧端子１４との間
の電圧）をもとのままにしておくと比較器５の入力電圧
がダイオードの順方向電圧の分だけ低くなるので、検出
温度が低下してしまう。この検出温度の低下をなくして
図３（ａ）に示す検出回路と同一の温度を検出するに
は、検出部への供給電圧を約１．４Ｖ以上に設定しなく
てはならない。このため、図４（ａ）に示すような検出
誤差を小さくした回路を用いて、例えば乾電池などによ
る低電圧駆動の検出回路を実現することが困難になって
しまう。
【０００６】従って本発明の目的は、従来の温度検出回
路よりも検出誤差が小さく、しかも低電圧での駆動が可
能な温度検出回路を供給することである。
路よりも検出誤差が小さく、しかも低電圧での駆動が可
能な温度検出回路を供給することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の温度検出回路
は、電気的特性が温度によって変化する少なくとも一つ
の以上の素子を備え、この素子の電気的特性と外部から
与えられる供給電圧とによって決る出力電圧が温度依存
性を示すように構成された第１の回路と、電気的特性が
温度によって変化する少なくとも一つ以上の素子を備
え、この素子の電気的特性と前記供給電圧とによって決
る出力電圧が、前記第１の回路の前記出力電圧の温度依
存性とは反対の温度依存性を示すように構成された第２
の回路と、前記第１の回路の出力電圧と前記第２の回路
の出力電圧とを入力とする比較器とを備えている。
は、電気的特性が温度によって変化する少なくとも一つ
の以上の素子を備え、この素子の電気的特性と外部から
与えられる供給電圧とによって決る出力電圧が温度依存
性を示すように構成された第１の回路と、電気的特性が
温度によって変化する少なくとも一つ以上の素子を備
え、この素子の電気的特性と前記供給電圧とによって決
る出力電圧が、前記第１の回路の前記出力電圧の温度依
存性とは反対の温度依存性を示すように構成された第２
の回路と、前記第１の回路の出力電圧と前記第２の回路
の出力電圧とを入力とする比較器とを備えている。
【０００８】
【実施例】次に、本発明の好適な実施例について、図面
を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実
施例の回路図である。図１（ａ）を参照すると本実施例
は、強い負の温度依存性を持つ素子として２つのｐｎ接
合ダイオード１及び４を用い、弱い温度依存性を持つ素
子として２つの抵抗２及び３を用いている。即ち、ダイ
オード１を正電圧端子１３側に接続し抵抗２を負電圧端
子１４側に接続することにより、両素子の接続点Ｎ１の
電圧が温度に対してほぼ２ｍＶ／℃の特性を持つように
した回路と、抵抗３を正電圧端子１３側に接続しダイオ
ード４を負電圧端子１４側に接続して、両素子の接続点
Ｎ２の電圧が温度に対してほぼ−２ｍＶ／℃で変化する
特性を持つようにした回路と、接続点Ｎ１の電圧（２ｍ
Ｖ／℃）と接続点Ｎ２の電圧（−２ｍＶ／℃）とを入力
とする比較器５とから構成されている。比較器５の入力
端子間電圧は接続点Ｎ１及びＮ２の電圧を受けるので、
図１（ｂ）に示すように、実質的に４ｍＶ／℃の温度依
存性を持つことになる。図１（ａ）において、いま正電
圧端子１３と負電圧端子１４との間に電圧を０．９Ｖ印
加し、２５℃でのダイオードの順方向電圧が０．６５Ｖ
であったとする。この場合、ダイオード１及び４の温度
が１２５℃（１００℃上昇時点）になるとダイオード１
及び４の順方向電圧が０．４５Ｖになるので、接続点Ｎ
１と接続点Ｎ２の電圧がそれぞれ０．４５Ｖとなり等し
くなる。従ってこの温度以上では図１（ｂ）に示すよう
に、接続点Ｎ１及びＮ２から比較器５に入る電圧の大小
関係が反転し、出力端子１５のレベルが低から高に切り
替わる。つまり、図４（ｂ）に示す従来の温度検出回路
では、１２５℃の温度を検出するためには正電圧端子１
３と負電圧端子１４との間に１．４Ｖと電圧を供給する
必要があったのに対して、本実施例によれば検出誤差を
従来と同等程度に維持しながら０．９Ｖという低い供給
電圧で１２５℃以上の温度であることを検出できること
になる。
を参照して説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実
施例の回路図である。図１（ａ）を参照すると本実施例
は、強い負の温度依存性を持つ素子として２つのｐｎ接
合ダイオード１及び４を用い、弱い温度依存性を持つ素
子として２つの抵抗２及び３を用いている。即ち、ダイ
オード１を正電圧端子１３側に接続し抵抗２を負電圧端
子１４側に接続することにより、両素子の接続点Ｎ１の
電圧が温度に対してほぼ２ｍＶ／℃の特性を持つように
した回路と、抵抗３を正電圧端子１３側に接続しダイオ
ード４を負電圧端子１４側に接続して、両素子の接続点
Ｎ２の電圧が温度に対してほぼ−２ｍＶ／℃で変化する
特性を持つようにした回路と、接続点Ｎ１の電圧（２ｍ
Ｖ／℃）と接続点Ｎ２の電圧（−２ｍＶ／℃）とを入力
とする比較器５とから構成されている。比較器５の入力
端子間電圧は接続点Ｎ１及びＮ２の電圧を受けるので、
図１（ｂ）に示すように、実質的に４ｍＶ／℃の温度依
存性を持つことになる。図１（ａ）において、いま正電
圧端子１３と負電圧端子１４との間に電圧を０．９Ｖ印
加し、２５℃でのダイオードの順方向電圧が０．６５Ｖ
であったとする。この場合、ダイオード１及び４の温度
が１２５℃（１００℃上昇時点）になるとダイオード１
及び４の順方向電圧が０．４５Ｖになるので、接続点Ｎ
１と接続点Ｎ２の電圧がそれぞれ０．４５Ｖとなり等し
くなる。従ってこの温度以上では図１（ｂ）に示すよう
に、接続点Ｎ１及びＮ２から比較器５に入る電圧の大小
関係が反転し、出力端子１５のレベルが低から高に切り
替わる。つまり、図４（ｂ）に示す従来の温度検出回路
では、１２５℃の温度を検出するためには正電圧端子１
３と負電圧端子１４との間に１．４Ｖと電圧を供給する
必要があったのに対して、本実施例によれば検出誤差を
従来と同等程度に維持しながら０．９Ｖという低い供給
電圧で１２５℃以上の温度であることを検出できること
になる。
【０００９】次に、本発明の２つの実施例について説明
する。図２（ａ）は本発明の第２の実施例の回路図であ
る。図２（ａ）を参照すると、本実施例は、強い負の温
度依存性を持つ素子として２つのｎチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ６及び７を用い、弱い温度依存性を持つ素子と
して２つの抵抗２及び３を用いている。即ち、ＭＯＳト
ランジスタ６を正電圧端子１３側に接続し抵抗２を負電
圧端子１４側に接続することにより、両素子の接続点Ｎ
１の電圧が温度に対してほぼ５ｍＶ／℃の特性を持つよ
うにした回路と、抵抗３を正電圧端子１３側に接続しＭ
ＯＳトランジスタ７を負電圧端子１４側に接続して、両
素子の接続点Ｎ２の電圧が温度に対してほぼ−５ｍＶ／
℃で変化する特性を持つようにした回路と、接続点Ｎ１
の電圧（５ｍＶ／℃）と接続点Ｎ２の電圧（−５ｍＶ／
℃）とを入力とする比較器５とから構成されている。比
較器５の入力端子間電圧は接続点Ｎ１及びＮ２の電圧を
受けるので、実質的に約１０ｍＶ／℃の温度特性を持つ
ことになる。この構成で２５℃でのｎチャネルＭＯＳト
ランジスタのソース・ドレイン電極間電圧が０．８Ｖで
あるとする。ここで、２つのＭＯＳトランジスタ６及び
７の温度が１００℃上昇して１２５℃になると、それぞ
れのＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間電圧は
０．３Ｖになる。このとき正電圧端子１３と負電圧端子
１４との間に０．６Ｖの電圧が与えられていれば、接続
点Ｎ１の電圧と接続点Ｎ２の電圧とが等しくなる。つま
り、本実施例によれば、比較器５の入力電圧の実質的な
温度係数を第１の実施例におけるよりも更に大きくする
ことによって、図２（ｂ）に示すように、１２５℃以上
の温度であることを検出するのに、わずか０．６Ｖの供
給電圧で済むことになる。
する。図２（ａ）は本発明の第２の実施例の回路図であ
る。図２（ａ）を参照すると、本実施例は、強い負の温
度依存性を持つ素子として２つのｎチャネルＭＯＳトラ
ンジスタ６及び７を用い、弱い温度依存性を持つ素子と
して２つの抵抗２及び３を用いている。即ち、ＭＯＳト
ランジスタ６を正電圧端子１３側に接続し抵抗２を負電
圧端子１４側に接続することにより、両素子の接続点Ｎ
１の電圧が温度に対してほぼ５ｍＶ／℃の特性を持つよ
うにした回路と、抵抗３を正電圧端子１３側に接続しＭ
ＯＳトランジスタ７を負電圧端子１４側に接続して、両
素子の接続点Ｎ２の電圧が温度に対してほぼ−５ｍＶ／
℃で変化する特性を持つようにした回路と、接続点Ｎ１
の電圧（５ｍＶ／℃）と接続点Ｎ２の電圧（−５ｍＶ／
℃）とを入力とする比較器５とから構成されている。比
較器５の入力端子間電圧は接続点Ｎ１及びＮ２の電圧を
受けるので、実質的に約１０ｍＶ／℃の温度特性を持つ
ことになる。この構成で２５℃でのｎチャネルＭＯＳト
ランジスタのソース・ドレイン電極間電圧が０．８Ｖで
あるとする。ここで、２つのＭＯＳトランジスタ６及び
７の温度が１００℃上昇して１２５℃になると、それぞ
れのＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン間電圧は
０．３Ｖになる。このとき正電圧端子１３と負電圧端子
１４との間に０．６Ｖの電圧が与えられていれば、接続
点Ｎ１の電圧と接続点Ｎ２の電圧とが等しくなる。つま
り、本実施例によれば、比較器５の入力電圧の実質的な
温度係数を第１の実施例におけるよりも更に大きくする
ことによって、図２（ｂ）に示すように、１２５℃以上
の温度であることを検出するのに、わずか０．６Ｖの供
給電圧で済むことになる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の温度検出
回路は、電気特性が温度によって変化する少なくとも一
つの以上の素子を備えその出力電圧が温度依存性を示す
ように構成された第１の回路と、電気的特性が温度によ
って変化する少なくとも一つの以上の素子を備えその出
力電圧が第１の回路の出力電圧の温度依存性とは反対の
温度依存性を示すように構成された第２の回路と、第１
の回路の出力電圧と第２の回路の出力電圧とを入力とす
る比較器とを備えている。
回路は、電気特性が温度によって変化する少なくとも一
つの以上の素子を備えその出力電圧が温度依存性を示す
ように構成された第１の回路と、電気的特性が温度によ
って変化する少なくとも一つの以上の素子を備えその出
力電圧が第１の回路の出力電圧の温度依存性とは反対の
温度依存性を示すように構成された第２の回路と、第１
の回路の出力電圧と第２の回路の出力電圧とを入力とす
る比較器とを備えている。
【００１１】これにより本発明によれば、検出誤差を犠
牲にすることなく、従来よりも低電圧で動作可能な低消
費電力の温度検出回路を提供することができる。
牲にすることなく、従来よりも低電圧で動作可能な低消
費電力の温度検出回路を提供することができる。
【図１】分図（ａ）は、本発明の第１の実施例の回路図
である。分図（ｂ）は、分図（ａ）中の比較器における
入力電圧および論理出力の温度による変化の様子を示す
図である。
である。分図（ｂ）は、分図（ａ）中の比較器における
入力電圧および論理出力の温度による変化の様子を示す
図である。
【図２】分図（ａ）は、本発明の第２の実施例の回路図
である。分図（ｂ）は、分図（ａ）中の比較器における
入力電圧および論理出力の温度による変化の様子を示す
図である。
である。分図（ｂ）は、分図（ａ）中の比較器における
入力電圧および論理出力の温度による変化の様子を示す
図である。
【図３】分図（ａ）は、従来の温度検出回路の一例の回
路図である。分図（ｂ）は、分図（ａ）中の比較器にお
ける入力電圧および論理出力の温度による変化の様子を
示す図である。
路図である。分図（ｂ）は、分図（ａ）中の比較器にお
ける入力電圧および論理出力の温度による変化の様子を
示す図である。
【図４】分図（ａ）は、従来の温度検出回路の他の一例
の回路図である。分図（ｂ）は、分図（ａ）中の比較器
における入力電圧および論理出力の温度による変化の様
子を示す図である。
の回路図である。分図（ｂ）は、分図（ａ）中の比較器
における入力電圧および論理出力の温度による変化の様
子を示す図である。
１，２，３，４，６，７，１１，１２ 素子 ５ 比較器 １０ 基準電圧発生部 １３ 正電圧端子 １４ 負電圧端子 １５ 出力端子
Claims (4)
- 【請求項１】 電気的特性が温度によって変化する少な
くとも一つの以上の素子を備え、この素子の電気的特性
と外部から与えられる供給電圧とによって決る出力電圧
が温度依存性を示すように構成された第１の回路と、 電気的特性が温度によって変化する少なくとも一つ以上
の素子を備え、この素子の電気的特性と前記供給電圧と
によって決る出力電圧が、前記第１の回路の前記出力電
圧の温度依存性とは反対の温度依存性を示すように構成
された第２の回路と、 前記第１の回路の出力電圧と前記第２の回路の出力電圧
とを入力とする比較器とを備えることを特徴とする温度
検出回路。 - 【請求項２】 電気的特性の温度依存性が強い第１の素
子を正電圧端子側に配置し、電気的特性の温度依存性が
弱い第２の素子を負電圧端子側に配置し、前記正電圧端
子と前記負電圧端子との間に前記第１の素子と前記第２
の素子とを直列に接続した第１の回路と、 電気的特性の温度依存正が弱い第３の素子を前記正電圧
端子側に配置し、電気的特性の温度依存性が強い第４の
素子を前記負電圧端子側に配置し、前記正電圧端子と前
記負電圧端子との間に前記第３の素子と前記第４の素子
とを直列に接続した第２の回路と、 前記第１の回路の前記二つの素子の直列接続点の電圧
と、前記第２の回路の前記二つの素子の直列接続点の電
圧とを入力とする比較器とを備えることを特徴とする温
度検出器。 - 【請求項３】 請求項２記載の温度検出回路において、 電気的特性の温度依存性の強い前記第１の素子および前
記第４の素子としてｐｎ接合ダイオードを用い、 電気的特性の温度依存性の弱い前記第２の素子および前
記第３の素子として低抗体を用いたことを特徴とする温
度検出回路。 - 【請求項４】 請求項２記載の温度検出回路において、 電気的特性の温度依存性の強い前記第１の素子および前
記第４の素子としてドレイン電極とゲート電極とを接続
してダイオード接続したｎチャネル型ＭＯＳトランジス
タを用い、 電気的特性の温度依存性の弱い前記第２の素子および前
記第３の素子として低抗体を用いたことを特徴とする温
度検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13705393A JPH06347337A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13705393A JPH06347337A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 温度検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06347337A true JPH06347337A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15189783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13705393A Pending JPH06347337A (ja) | 1993-06-08 | 1993-06-08 | 温度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06347337A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09119870A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-06 | Nec Corp | 温度検出方法、半導体装置及び温度検出回路 |
| US6236320B1 (en) | 1999-03-04 | 2001-05-22 | Nec Corporation | Determination of an ambient temperature through the comparison of divided voltages |
| US6667925B2 (en) | 2001-10-29 | 2003-12-23 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having temperature detecting function, testing method, and refresh control method of semiconductor storage device having temperature detecting function |
| JP2005031077A (ja) * | 2003-07-04 | 2005-02-03 | Samsung Electronics Co Ltd | 温度測定回路及び方法 |
| JP2006222245A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度補償用回路 |
| US7443709B2 (en) | 2005-11-18 | 2008-10-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Temperature sensing circuit, voltage generation circuit, and semiconductor storage device |
| JP2009053069A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 温度検出回路 |
| CN103913250A (zh) * | 2012-12-28 | 2014-07-09 | 株式会社东芝 | 温度检测电路、温度补偿电路以及缓冲电路 |
-
1993
- 1993-06-08 JP JP13705393A patent/JPH06347337A/ja active Pending
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