KR900000739B1 - 부식제 조성물 - Google Patents
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Abstract
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Description
본 발명은 부식제 조성물에 관한 것이다. 특히 본 발명은 특수한 불소함유 계면활성제로 구성된 부식제조성물에 관한 것이다. 반도체표면에 산화실리콘 필름의 습식부식(wet etching)을 실시하는 경우 부식제로서 불산 또는 불산과 불화암모늄의 혼합물이 사용된다.
불화암모늄(ammonium fluoride)은 부식속도를 조절하고 또 전부식기간중의 부식속도를 안정시키기 위해 사용된다. 통상 50% 불화수소(hydvogen fluoride) 수용액 1 중량부당 40% 불화암모늄 수용액 5 중량부 또는 그 이상이 사용된다.
이와같은 다량의 불화암모늄은 불산으로 구성된 부식체의 표면장력을 증가시키게 되면 따라서 실리콘디옥사이드와 같은 실리콘 기재의 각종 필름 및 방식필름에 대한 습윤도가 크게 저하하게 된다. 이와같은 습윤도가 저하되기 때문에, 부식제는 집적회로의 아주 작고 또 복잡한 보양에 따라 형성된 매우 얇은 간극(gap)으로 침투할 수 없게 됨으로서 불완전한 엣칭(etching)과 같은 각종 문제의 원인이 되고 있다. 따라서 웨이퍼(wafer)와 부식제의 습윤도를 개선하기 위해서는 웨이퍼를 알콜 또는 계면활성제 용액으로 전처리를 행해야만 하였다.
웨이퍼의 번잡한 전처리조작을 생략하기 위해서, 부식제에 계면활성제를 첨가해서 부식제의 표면장력을 저하시키는 방법이 제안될 수도 있다. 그러나 불화암모늄이 계면활성제의 용해도를 매우 악화시키는 관계로 부식제에 첨가될 수 있는 계면활성제의 종류는 전혀 없다.
이같은 문제점을 해결할 목적으로, 일본국 특허공고 제53980/1983호에는 불소함유 디아민형 계면활성제로 구성된 부식제 조성물에 대해 기술하고 있다. 그러나 이 조성물은 제조직후에는 표면장력이 낮지만 장시간 방치후에는 조성물이 2개이상으로 분리하게 된다. 즉 계면활성제가 조성물의 표층 및 조성물과 용기 사이의 경개면으로 각기 농축되어 조성물의 내부 표면장력이 증가하게 되는 등의 몇가지 단점을 갖게 된다. 조성물은 분리하는 경우, 계면활성제 첨가에 따른 분래의 효과는 상실되고 또 반도체의 실리콘 디옥사이드 필름의 일부는 부식처리가 완벽하지 못하게 된다. 조성물을 분리한 경우라 하더라도 계면활성재를 혼합 재분산시켜서 부식제의 표면장력을 회복시킬 수 있다. 그러나 혼합조작으로 번잡하게 된다.
본 발명자동의 집중적인 연구결과로서, 특수한 불소함유 카르복시산 또는 염을 불화수소 및 불화암모늄으로 구성되는 수성부식제 조성물을 계면활성제로 사용하는 경우, 이들 계면활성제는 조성물에 용해되어 투명한 용액을 형성하며 조성물을 전혀 혼탁하게 하지 않는다는 사실을 발견하고 본 발명에 도달하게 되었다.
이밖에 이들 계면활성제는 부식제조성물의 표면장력을 감소시키며 또 수득조성물에서는 상분리 형상을 볼 수 없었으며 또 장시간 방치한 후에도 조성물의 모든 부분에서 일정한 표면장력을 갖게됨을 알 수 있었다.
본 발명에 따라, 불화수소; 불화암모늄; 불소함유카르복시산 및 이들 염으로 구성되는 군으로부터 선정된 계면활성제로 구성되는 수성 부식제 조성물이 제공된다. 불소함유 카르복시산의 특정한 예로는 다음 일반식(I)를 갖는 화합물을 들 수 있다.
RfCOOH (1)
상기 일반식(I)에서 Rf는 3개 내지 20개 탄소원자를 갖는 불소함유 탄화수소기이다.
본 발명에 있어 불소함유탄화수소기는 1개 이상의 탄소-탄소결합 사이에 산소원자가 끼일 수 있는 1이상의 불소원자를 함유하는 모든 포화 또는 불포화, 직쇄 또는 측쇄, 치환 또는 미치환 탄화수소기를 의미한다.
상기 탄화수소기는 1개이상의 염소 또는 브롬과 같은 할로겐 원자를 함유할 수도 있다. 바람직한 것은 이 기가 3개 내지 20개 탄소원자를, 더 바람직하게는 5개 내지 9개 탄소원자를 갖고 또 탄소원자수보다 더 많은 불소원자를 함유하는 경우이다. 대표적인 치환제를 예시하면 염소, 브롬, 요드 등을 들 수 있다.
불소함유카르복시산(I)과 염을 형성할 수 있는 염기는 예컨데 암모니아와 다음 일반식(II)의 지방족아민을 들 수 있다.
NR1R2R3(II)
상기 일반식(II)에서 R1, R2, 및 R3각각은 수소, C1-C5알킬 또는 하이드록시 -C1-C5-알킬이다.
수산화나트륨 및 수산화칼륨과 같은 금속이온 함유 염기를 사용하는 것은 바람직하지 못한바 이는 엣칭시키는 반도체의 전기 특성을 해칠 염려가 있기 때문이다.
사용할 수 있는 염기중에서 암모니아의 사용이 가장 바람직한바 이는 암모니아염이 부식제조성물내에서 용해도가 우수하고 또 부식제의 표면장력을 효과적으로 저하시키며 또 이밖에 엣칭시키는 물질을 오염시키지 않기 때문이다.
불소함유카르복시산 및 이들염의 바람직한 예로는 CF3(CF2)nCOOH, (CF3)2CF-(CF2)nCOOH, HCF2(CF2)nCOOH, CF3(CF2)(CH2)mCOOH, CF3(CF2)n-CF=CH(CH2)mCOOH 및 Cl(CF2CFCL)pCF2COOH(이때 n은 2내지 17의 정수, m은 1 또는 2이고 또 p는 1내지 9의 정수이다)와 이들 화합물과 NH3, (CH3)3N, (C2H5)2NH, C3H8NH2, NH2CH2CH2OH, NH(CH2CH2OH)2및 N(CH2CH2OH)3와의 염을 들 수 있다.
본 발명에서 사용되는 계면활성제는 반도체의 전기특성을 저하시키는 칼륨, 나트륨 및 칼슘이온과 같은 금속이온을 함유하지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 부식제 조성물은 모든 구성 성분을 물에 혼합하여 제조할 수 있으며, 각 성분의 첨가순서를 바꾸어 주더라도 상관없다. 예를 들어, 필요한 양의 불소함유카르복시산 또는 이들 염을 불산이나 불화암모늄 수용액중 어느 하나에 첨가하고 또 이어 나머지 하나를 첨가해주거나; 또는 불산과 불화 암모늄 수용액을 혼합하고 또 이어 이 혼합물에 필요한 양의 불소함유카르복시산 또는 이들 염을 첨가할 수 있다. 이밖에도, 물, 불산 및 불화암모늄 수용액 중 2개 이상을 혼합한 혼합물에 반응물질을 첨가하고 반응시켜, 불소-함유 카르복시산 또는 이들 염을 형성할 수도 있다.
이 후자의 방법은 불소함유 카르복시산 불화물을 물, 불화수소 또는 불화암모늄수용액이나 또는 이들 3개 성분혼합물에 첨가하고 또 반응생성물을 가수분해하여 불소함유카르복시산 및 불산을 형성하는 단계를 포함하게 된다. 불소함유 카르복시산은 단독으로 또는 2개 이상의 혼합물로 사용된다.
불소함유 계면활성에의 양은 통상 부식제 조성물의 중량을 기준으로 0.0001내지 1중량%, 바람직하게는 0.001내지 0.1중량%로 사용된다. 불소함유계면활성제의 양이 전술한 범위와 하한보다 적은 경우에는 본 발명의 목적을 이룩할 수 없다. 또 이양이 전술한 범위의 상한보다 큰 경우에는 상응하는 장점을 찾아볼 수 없게 된다.
불산과 불화암모눔의 비율은 선행방법에서와 동일하게 사용할 수 있다. 즉 50% 불화수소수용액의 1 중량 부당 40% 불화암모늄 수용액 5중량부 또는 그 이상을 첨가하는 것이 바람직하다.
본 발명의 부식제 조성물은 불산과 불화암모늄을 함유하는 선행 부식제 조성물의 우수한 특성을 저하시키지 않은 상태에서 이들 조성물의 전술한 바와같은 단점을 해결할 수 있었다. 즉, 본 발명의 부식제 조성물은 장시간 방치한 후에도 상분리가 일어나지 않으며, 또 반도체 기재상의 각종 필름의 습윤도를 개선함으로서, 조성물이 방식필름상에 형성된 간극사이로 쉽게 침투할 수 있게 되었다. 따라서 아주 작은 모양을 엣칭하기 위해 부식시키는 경우에 엣칭의 불규칙성을 방지할 수 있다.
더욱 놀라운 것은 좁은 간극 및 넓은 간극의 엣칭시키려는 물질이 동일한 엣칭속도로 부식이 이루어진다는 사실이다. 본 발명의 부식제 조성물은 엣칭에 아주 해로운 기포를 발생시키지 않고 또 부식 표면상에 부식잔재를 남기지 않는다. 이밖에, 본 발명의 불소함유 계면활성재의 첨가는 실리콘디욱사이드 필름의 엣칭속도에 변화를 일으키지 않는다. 이밖에, 본 발명의 부식제 조성물은 우수한 습윤도를 갖기 때문에 모양이 새겨진 웨이퍼의 전체 표면을 균일하게 부식시킬 수 있다.
본 발명을 다음 실시예로 구체적으로 설명하고자한다. 실시예에서 % 및 부는 중량을 기준한 것이다.
실시예 1내지 4 및 비교실시예 1내지 6 : 부식제조성물의 표면장력 및 외관 계면활성제를 미리 계산된 양의 50% 불산, 40% 불화암모늄 수용액혼합물에 첨가하고 또 임의로 순수를 첨가해서 부식제 조성물을 제조한다. 제조한 조성물을 실온에서 방치 보관하고 또 시료를 주기적으로 채취해서 조성물의 표면장력 변화를 감시한다.
시료체취는 플라스틱튜브가 부착된 20ml 플라스틱 주사기로서 실시한다. 시료체취액을 40ml플리테트타플루오로에 틸렌접시에 담고 또 듀 노이(du No
y)형 개면 장력기를 사용하여 표면장력을 측정한다. 계면활성제를 사용하지 않은 경우(블랭크)의 표면장력 및 조성물 외관함 함께 시험결과를 표 1에 나타낸다.
[표 1]
주 : 1)계면활성제 첨가 1개월후의 외관
비교실시예 1내지 3에서의 계면활성제를 사용한 부식제 조성물은 혼탁하거나 또는 침전물이 생성함으로서 매우 조그만 먼지도 문제를 야기시키게 되는 반도체용 부식제 조성물로서는 만족될 수 없었다.
비교실시예 4내지 6의 조성물은 조제직후에는 충분히 낮은 표면장력을 나타내었으나 장시간 방치후에는 분리되었다.
비교실시예에서 사용된 계면활성제와 대비할 경우, 불소함유카르복시산 및 이들 염은 표면장력을 크게 감소시킬 뿐만 아니라 조성물의 혼탁이나 또는 탁도의 원인이 되지않고 또 침전물을 생성하지도 않는다.
표면장력은 전체 조성물을 통하여 일정할 뿐만아니라 시간경과에 따라서도 변화하지 않음을 알 수 있다.
실시예 5내지 8과 비교실시예 7 및 8 : 부식시험 표면에 열적산화방법으로 두께 3000Å의 SIO2층을 형성시킨 직경 50mm의 실리콘 웨이퍼상에 통상적인 방법에 따라 8000Å의 양전하형태(positive type)의 저항필름(resist film)피막을 형성시킨다. 저항필름 피막상에는 100개의 사각형 모양(각각 1.5×1.5평방미크론)을 형성한다.
웨이퍼는 중량비율로 1 : 6이 되는 50% 불산 및 40% 불화암모늄 용액의 혼합물에 200ppm 계면활성제를 첨가하고 또 1개월간 방치 보관하여 제조된 부식제조성물 1중에 25℃로 4분간 함침시킨다. 이어 웨이퍼는 순수로 세척한다.
건조후 웨이퍼표면을 현미경으로 관찰하고 또 불완전하게 부식된 사각형모양의 수를 헤아리고, 이 수로써 웨이퍼에 대한 습윤도와 미세모양에 대한 부식제 조성물의 투과도 평가기준으로 한다.
수득한 결과를 다음 표 2에 나타낸다.
[표 2]
Claims (6)
- 불화수소 : 불화암모늄과 불소함유카르복시산 및 이들 염으로 구성된 군으로부터 선정된 계면활성제로 구성되는 부식제 수용액 조성물
- 제1항에 있어서, 불소함유카르복시산이 다음 일반식(I)인 부식제 수용액 조성물RfCOOH (I)상기 일반식(I)에서, Rf는 3개 내지 20개 탄소원자를 갖는 불소함유 탄화수소기이다.
- 제1항에 있어서, 계면활성제의 양이 조성물 중량 기준으로 0.0001내지 1중량%인 부식제 수용액 조성물.
- 제1항에 있어서, 불소-함유 카르복시산염이 다음 일반식(II)의 염기와의 염인 부식제 수용액 조성물NR1R2R3(II)상기 일반식(I)에서 R1, R2, 및 R3는 각각 수소, C1내지 C|5알킬 또는 하이드록시 -C1내지 알킬이다.
- 제4항에 있어서, 염기가 암모니아 부식제 수용액 조성물.
- 제1항에 있어서, 계면활성제가 CF3(CF2)nCOOH, (CF3)2CF(CF|2)nCOOH, HCF2(CF2)nCOOH, CF3(CF2)n-(CH2)mCOOH, CF3(CF2)nCF=CH(CH2)mCOOH 및 CI(CF2CFCL)pCF2COOH(이때 n은 2내지 17의 정수, m은 1 또는 2이고 n 또 p는 1내지 9의 정수이다)와 이들 화합물과 NH3, (CH3)3N,(C2H5)|2NH, C3H8NH2, NH2CH2CH2OH, NH(CH2CH2OH)2및 N(CH2CH2OH)3와의 염으로 구성되는 군으로부터 선정된 부식제수용액 조성물.
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|---|---|---|---|---|
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| US4761244A (en) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | Olin Corporation | Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkyl polyaccharide surfactant |
| US4761245A (en) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | Olin Corporation | Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkylphenol polyglycidol ether surfactant |
| US4863563A (en) * | 1987-01-27 | 1989-09-05 | Olin Corporation | Etching solutions containing ammonium fluoride and a nonionic alkyl amine glycidol adduct and method of etching |
| JP2617593B2 (ja) * | 1988-05-16 | 1997-06-04 | オリン コーポレイション | フッ化アンモニウム及びアルキルフェノールポリグリシドール エーテルの陰イオン性硫酸エステルを含有する食刻溶液 |
| DE69029228T2 (de) * | 1989-06-26 | 1997-06-12 | Hashimoto Chemical Ind Co | Oberflächenbehandlungsmittel für Präzisionsoberflächenbehandlung |
| JPH0353083A (ja) * | 1989-07-20 | 1991-03-07 | Morita Kagaku Kogyo Kk | 半導体素子の金属汚染を防止する方法 |
| US5258131A (en) * | 1990-04-13 | 1993-11-02 | Austen-Chase Industries Inc. | Products for treating asbestos |
| DE69418458T2 (de) * | 1993-02-04 | 2000-01-27 | Daikin Ind Ltd | Nassaetzungsverbindung fuer halbleiter mit ausgezeichneten befeuchtungseigenschaften |
| US5320709A (en) * | 1993-02-24 | 1994-06-14 | Advanced Chemical Systems International Incorporated | Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution |
| US5348627A (en) * | 1993-05-12 | 1994-09-20 | Georgia Tech Reserach Corporation | Process and system for the photoelectrochemical etching of silicon in an anhydrous environment |
| WO1994027314A1 (en) * | 1993-05-13 | 1994-11-24 | Interuniversitair Microelektronica Centrum | Method for semiconductor processing using mixtures of hf and carboxylic acid |
| JPH07216392A (ja) * | 1994-01-26 | 1995-08-15 | Daikin Ind Ltd | 洗浄剤及び洗浄方法 |
| US5804034A (en) * | 1994-03-21 | 1998-09-08 | Texas Instruments Incorporated | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP2914555B2 (ja) * | 1994-08-30 | 1999-07-05 | 信越半導体株式会社 | 半導体シリコンウェーハの洗浄方法 |
| TW294831B (ko) * | 1995-04-26 | 1997-01-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
| KR0175009B1 (ko) * | 1995-07-28 | 1999-04-01 | 김광호 | 식각용액 및 이를 이용한 반도체 장치의 식각방법 |
| US5635022A (en) * | 1996-02-06 | 1997-06-03 | Micron Technology, Inc. | Silicon oxide removal in semiconductor processing |
| JP3188843B2 (ja) * | 1996-08-28 | 2001-07-16 | ステラケミファ株式会社 | 微細加工表面処理剤及び微細加工表面処理方法 |
| US5753033A (en) * | 1996-09-27 | 1998-05-19 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Composition and method to remove asbestos |
| US5753032A (en) * | 1996-09-27 | 1998-05-19 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Composition and method to remove asbestos |
| US5753031A (en) * | 1996-09-27 | 1998-05-19 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Composition and method to remove asbestos |
| US5753035A (en) * | 1996-09-27 | 1998-05-19 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Composition and method to remove asbestos |
| US5743841A (en) * | 1996-09-27 | 1998-04-28 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Foam composition for treating asbestos-containing materials and method of using same |
| US5741358A (en) * | 1996-09-27 | 1998-04-21 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Corrosion inhibiting composition for treating asbestos containing materials |
| US5753034A (en) * | 1996-09-27 | 1998-05-19 | W. R. Grace & Co. -Conn. | Composition and method to remove asbestos |
| US6896826B2 (en) * | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
| KR100238234B1 (ko) * | 1997-03-20 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체소자용 인-시튜 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법 |
| DE19805525C2 (de) * | 1998-02-11 | 2002-06-13 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren zum Naßätzen von Halbleiterscheiben zum Erzeugen eines definierten Randbereichs durch Unterätzen |
| US6310018B1 (en) * | 2000-03-31 | 2001-10-30 | 3M Innovative Properties Company | Fluorinated solvent compositions containing hydrogen fluoride |
| AU2001290272A1 (en) * | 2000-09-27 | 2002-04-08 | Asahi Glass Company, Limited | Process for producing acyl fluoride and carboxylic acid salt |
| US6620743B2 (en) | 2001-03-26 | 2003-09-16 | Asm America, Inc. | Stable, oxide-free silicon surface preparation |
| ITMI20020178A1 (it) * | 2002-02-01 | 2003-08-01 | Ausimont Spa | Uso di additivi fluorurati nell'etching o polishing di circuiti integrati |
| US6849200B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-02-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material |
| US7169323B2 (en) * | 2002-11-08 | 2007-01-30 | 3M Innovative Properties Company | Fluorinated surfactants for buffered acid etch solutions |
| US6890452B2 (en) * | 2002-11-08 | 2005-05-10 | 3M Innovative Properties Company | Fluorinated surfactants for aqueous acid etch solutions |
| KR101117939B1 (ko) * | 2003-10-28 | 2012-02-29 | 사켐,인코포레이티드 | 세척액 및 에칭제 및 이의 사용 방법 |
| US7479460B2 (en) * | 2005-08-23 | 2009-01-20 | Asm America, Inc. | Silicon surface preparation |
| US7319284B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-01-15 | Precision Instrument Development Center National Applied Research Laboratories | Surface acoustic wave device and method for fabricating the same |
| US8153019B2 (en) * | 2007-08-06 | 2012-04-10 | Micron Technology, Inc. | Methods for substantially equalizing rates at which material is removed over an area of a structure or film that includes recesses or crevices |
| US20120295447A1 (en) * | 2010-11-24 | 2012-11-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers |
| ES2805529T3 (es) | 2012-09-20 | 2021-02-12 | Kromatix SA | Encristalado laminado con reflejo coloreado y alta transmitancia solar adecuado para sistemas de energía solar |
| US11745473B2 (en) | 2012-09-20 | 2023-09-05 | Kromatix SA | Laminated glazing with coloured reflection and high solar transmittance, and solar energy systems employing the same |
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Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
| US4055458A (en) * | 1975-08-07 | 1977-10-25 | Bayer Aktiengesellschaft | Etching glass with HF and fluorine-containing surfactant |
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