JP2003223010A - 剥離剤組成物 - Google Patents
剥離剤組成物Info
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- JP2003223010A JP2003223010A JP2002022031A JP2002022031A JP2003223010A JP 2003223010 A JP2003223010 A JP 2003223010A JP 2002022031 A JP2002022031 A JP 2002022031A JP 2002022031 A JP2002022031 A JP 2002022031A JP 2003223010 A JP2003223010 A JP 2003223010A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】タングステン又はタングステン合金の配線又は
電極と、アルミニウム又はアルミニウム合金の配線との
どちらにも共通に使用可能な、デポ剥離性に優れ、半導
体素子やＬＣＤ上の金属配線や金属薄膜等の各種部材に
対する腐食防止効果に優れた剥離剤組成物及び該剥離剤
組成物を使用するデポの剥離方法を提供すること。 【解決手段】（ａ）ｎ価の塩基酸の第ｎ段目の酸解離指
数ｐＫａn （２５℃）が３以上１１以下である酸及び／
又はその塩と、（ｂ）水と、（ｃ）分子中に窒素原子を
含むキレート剤とを含有し、ｐＨが６以上１１以下であ
り、少なくとも（Ａ）タングステン又はタングステン合
金の配線又は電極と（Ｂ）アルミニウム又はアルミニウ
ム合金の配線とを備える半導体の製造工程において使用
される剥離剤組成物、並びに該剥離剤組成物を使用して
基板上のデポを剥離する方法。
電極と、アルミニウム又はアルミニウム合金の配線との
どちらにも共通に使用可能な、デポ剥離性に優れ、半導
体素子やＬＣＤ上の金属配線や金属薄膜等の各種部材に
対する腐食防止効果に優れた剥離剤組成物及び該剥離剤
組成物を使用するデポの剥離方法を提供すること。 【解決手段】（ａ）ｎ価の塩基酸の第ｎ段目の酸解離指
数ｐＫａn （２５℃）が３以上１１以下である酸及び／
又はその塩と、（ｂ）水と、（ｃ）分子中に窒素原子を
含むキレート剤とを含有し、ｐＨが６以上１１以下であ
り、少なくとも（Ａ）タングステン又はタングステン合
金の配線又は電極と（Ｂ）アルミニウム又はアルミニウ
ム合金の配線とを備える半導体の製造工程において使用
される剥離剤組成物、並びに該剥離剤組成物を使用して
基板上のデポを剥離する方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、少なくともタング
ステン又はタングステン合金の配線又は電極とアルミニ
ウム又はアルミニウム合金の配線とを備える半導体の製
造工程において使用される剥離剤組成物に関する。さら
に詳しくは、シリコンウェハ等の半導体用基板上に半導
体素子を形成する工程、中でもタングステン又はタング
ステン合金の配線又は電極及びアルミニウム又はアルミ
ニウム合金の配線を、反応ガスを使用しドライエッチン
グとアッシングを行った後の残渣、つまりレジスト残渣
及びエッチング残渣等の、いわゆるデポを除去する工程
に用いるアッシング後の半導体の製造工程において使用
される剥離剤組成物に関する。特に、タングステン又は
タングステン合金の配線やゲート電極の作製工程（フロ
ントエンドプロセス）、ビット線形成工程、アルミニウ
ム又はアルミニウム合金の配線の形成工程等における、
ドライエッチング及びアッシング後のデポの洗浄工程に
用いることができる剥離剤組成物に関する。
ステン又はタングステン合金の配線又は電極とアルミニ
ウム又はアルミニウム合金の配線とを備える半導体の製
造工程において使用される剥離剤組成物に関する。さら
に詳しくは、シリコンウェハ等の半導体用基板上に半導
体素子を形成する工程、中でもタングステン又はタング
ステン合金の配線又は電極及びアルミニウム又はアルミ
ニウム合金の配線を、反応ガスを使用しドライエッチン
グとアッシングを行った後の残渣、つまりレジスト残渣
及びエッチング残渣等の、いわゆるデポを除去する工程
に用いるアッシング後の半導体の製造工程において使用
される剥離剤組成物に関する。特に、タングステン又は
タングステン合金の配線やゲート電極の作製工程（フロ
ントエンドプロセス）、ビット線形成工程、アルミニウ
ム又はアルミニウム合金の配線の形成工程等における、
ドライエッチング及びアッシング後のデポの洗浄工程に
用いることができる剥離剤組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子やＬＣＤ等の製造において、
ＰＶＤ（物理的気相成長）やＣＶＤ（化学的気相成長）
等により導電性膜や絶縁性膜を形成後、リソグラフィー
により薄膜上に所定のレジストパターンを形成し、これ
をマスクとして下層部の薄膜を選択的にエッチングして
除去する工程が行われる。その後、レジストはアッシン
グ（灰化）処理により除去されるが、無機化合物を主体
とするデポは残存する。これを洗浄する目的で従来より
アミン系剥離剤等が使われてきた。
ＰＶＤ（物理的気相成長）やＣＶＤ（化学的気相成長）
等により導電性膜や絶縁性膜を形成後、リソグラフィー
により薄膜上に所定のレジストパターンを形成し、これ
をマスクとして下層部の薄膜を選択的にエッチングして
除去する工程が行われる。その後、レジストはアッシン
グ（灰化）処理により除去されるが、無機化合物を主体
とするデポは残存する。これを洗浄する目的で従来より
アミン系剥離剤等が使われてきた。
【０００３】しかし、アミン系剥離剤を配合した剥離剤
組成物では、アミン系化合物又は水の含有量が多くなる
と、剥離剤組成物のｐＨが高くなり、基板上のアルミニ
ウム・タングステンといった金属配線や金属薄膜等に対
して腐食が起こりやすくなり、金属表面が変色又は溶解
したりするといった欠点があった。また、処理温度も６
０℃以上の高温が必要であり、腐食の面でもエネルギー
コストの面でも問題があった。
組成物では、アミン系化合物又は水の含有量が多くなる
と、剥離剤組成物のｐＨが高くなり、基板上のアルミニ
ウム・タングステンといった金属配線や金属薄膜等に対
して腐食が起こりやすくなり、金属表面が変色又は溶解
したりするといった欠点があった。また、処理温度も６
０℃以上の高温が必要であり、腐食の面でもエネルギー
コストの面でも問題があった。
【０００４】また、アルミニウムやタングステンを有す
る配線のデポの剥離に好適な剤が必要とされているが、
剥離装置の設置スペースや剥離液の保管スペースを低減
するため、どの配線にも共通して用い得る優れた効果を
有する剥離剤が求められている。例えば、特開２００１
−５１４２９号公報で酸及び／又はその塩と、水と、分
子中に窒素原子を含むキレート剤とを含有し、ｐＨが８
未満である剥離剤組成物が提案されている。しかし、こ
こにはアルミニウム配線の剥離性について、とりわけｐ
Ｈ０．５〜３．５において好適な結果が報告されている
が、タングステン配線及び電極のデポ剥離については報
告されていない。
る配線のデポの剥離に好適な剤が必要とされているが、
剥離装置の設置スペースや剥離液の保管スペースを低減
するため、どの配線にも共通して用い得る優れた効果を
有する剥離剤が求められている。例えば、特開２００１
−５１４２９号公報で酸及び／又はその塩と、水と、分
子中に窒素原子を含むキレート剤とを含有し、ｐＨが８
未満である剥離剤組成物が提案されている。しかし、こ
こにはアルミニウム配線の剥離性について、とりわけｐ
Ｈ０．５〜３．５において好適な結果が報告されている
が、タングステン配線及び電極のデポ剥離については報
告されていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、Ｗ又はＷ合
金の配線又は電極と、Ａｌ又はＡｌ合金の配線とのどち
らにも共通に使用可能な、デポ剥離性に優れ、半導体素
子やＬＣＤ上の金属配線や金属薄膜等の各種部材に対す
る腐食防止効果に優れた剥離剤組成物及び該剥離剤組成
物を使用するデポの剥離方法を提供することを目的とす
る。
金の配線又は電極と、Ａｌ又はＡｌ合金の配線とのどち
らにも共通に使用可能な、デポ剥離性に優れ、半導体素
子やＬＣＤ上の金属配線や金属薄膜等の各種部材に対す
る腐食防止効果に優れた剥離剤組成物及び該剥離剤組成
物を使用するデポの剥離方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らはタングステ
ン又はタングステン合金（以下、Ｗ又はＷ合金ともい
う）の配線及び電極におけるデポ剥離挙動について詳細
に調べたところ、アルミニウム又はアルミニウム合金
（以下、Ａｌ又はＡｌ合金ともいう）の配線の場合とは
異なり、デポの剥離はｐＨが高くなるにつれて向上する
ことを初めて見い出した。また、Ａｌ又はＡｌ合金の配
線の場合、中性領域より高くても少ないながらデポ（酸
化アルミニウム）を溶解することも見い出した。さら
に、近年、配線幅が０．１３〜０．１８μｍと細くなっ
てきたことで、エッチング面積が小さくなり、デポが薄
くなってきているため、その剥離がし易くなる傾向にあ
る。従って、これらの事実を考慮し、鋭意研究をするこ
とで、Ｗ又はＷ合金の配線及び電極のデポ並びにＡｌ又
はＡｌ合金の配線のデポに対して共通して優れた剥離性
能を示すという、優れた特性を有する本発明を完成する
に至った。
ン又はタングステン合金（以下、Ｗ又はＷ合金ともい
う）の配線及び電極におけるデポ剥離挙動について詳細
に調べたところ、アルミニウム又はアルミニウム合金
（以下、Ａｌ又はＡｌ合金ともいう）の配線の場合とは
異なり、デポの剥離はｐＨが高くなるにつれて向上する
ことを初めて見い出した。また、Ａｌ又はＡｌ合金の配
線の場合、中性領域より高くても少ないながらデポ（酸
化アルミニウム）を溶解することも見い出した。さら
に、近年、配線幅が０．１３〜０．１８μｍと細くなっ
てきたことで、エッチング面積が小さくなり、デポが薄
くなってきているため、その剥離がし易くなる傾向にあ
る。従って、これらの事実を考慮し、鋭意研究をするこ
とで、Ｗ又はＷ合金の配線及び電極のデポ並びにＡｌ又
はＡｌ合金の配線のデポに対して共通して優れた剥離性
能を示すという、優れた特性を有する本発明を完成する
に至った。
【０００７】即ち、本発明の要旨は、〔１〕（ａ）ｎ価
の塩基酸の第ｎ段目の酸解離指数ｐＫａn （２５℃）が
３以上１１以下である酸及び／又はその塩と、（ｂ）水
と、（ｃ）分子中に窒素原子を含むキレート剤とを含有
し、ｐＨが６以上１１以下であり、少なくとも（Ａ）タ
ングステン又はタングステン合金の配線又は電極と
（Ｂ）アルミニウム又はアルミニウム合金の配線とを備
える半導体の製造工程において使用される剥離剤組成
物、並びに〔２〕前記〔１〕記載の剥離剤組成物を使用
して基板上のデポを剥離する方法に関する。
の塩基酸の第ｎ段目の酸解離指数ｐＫａn （２５℃）が
３以上１１以下である酸及び／又はその塩と、（ｂ）水
と、（ｃ）分子中に窒素原子を含むキレート剤とを含有
し、ｐＨが６以上１１以下であり、少なくとも（Ａ）タ
ングステン又はタングステン合金の配線又は電極と
（Ｂ）アルミニウム又はアルミニウム合金の配線とを備
える半導体の製造工程において使用される剥離剤組成
物、並びに〔２〕前記〔１〕記載の剥離剤組成物を使用
して基板上のデポを剥離する方法に関する。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明で使用される（ａ）酸は、
ｎ価の塩基酸の第ｎ段目の酸解離指数ｐＫａ n （２５
℃）が３以上１１以下のものである。ｐＫａn （２５
℃）は、タングステン及びアルミニウムのデポ剥離性と
耐腐食性の両立の観点から、５以上１１以下が好まし
い。なお、ｐＫａn （２５℃）は、以下の方法によって
得られたものをいう。
ｎ価の塩基酸の第ｎ段目の酸解離指数ｐＫａ n （２５
℃）が３以上１１以下のものである。ｐＫａn （２５
℃）は、タングステン及びアルミニウムのデポ剥離性と
耐腐食性の両立の観点から、５以上１１以下が好まし
い。なお、ｐＫａn （２５℃）は、以下の方法によって
得られたものをいう。
【０００９】（ｐＫａn の説明）ｎ価の酸（一般式とし
てＨn Ａと表す）を水にとかすと次のように解離する。
てＨn Ａと表す）を水にとかすと次のように解離する。
【００１０】
【数１】
【００１１】この時、第１段、第２段、第ｎ段の解離定
数Ｋａ1 、Ｋａ2 、Ｋａn は以下のように定義される。 Ｋａ1 ＝［Ｈn-1 Ａ- ］［Ｈ+ ］／［Ｈn Ａ］ Ｋａ2 ＝［Ｈn-2 Ａ2-］［Ｈ+ ］／［Ｈn-1 Ａ- ］ Ｋａn ＝［Ａn-］［Ｈ+ ］／［ＨＡ(n-1)-］
数Ｋａ1 、Ｋａ2 、Ｋａn は以下のように定義される。 Ｋａ1 ＝［Ｈn-1 Ａ- ］［Ｈ+ ］／［Ｈn Ａ］ Ｋａ2 ＝［Ｈn-2 Ａ2-］［Ｈ+ ］／［Ｈn-1 Ａ- ］ Ｋａn ＝［Ａn-］［Ｈ+ ］／［ＨＡ(n-1)-］
【００１２】したがって、Ｋａn の逆数の対数、つまり
第ｎ段の解離指数はｐＫａn と表わされる。 ｐＫａn ＝ｌｏｇ（１／Ｋａn ）＝−ｌｏｇＫａn
第ｎ段の解離指数はｐＫａn と表わされる。 ｐＫａn ＝ｌｏｇ（１／Ｋａn ）＝−ｌｏｇＫａn
【００１３】本発明において、ｐＫａn は、化学便覧改
訂４版、基礎編II（日本化学会編）、II−３１７頁、表
１０・１８ 水溶液中の無機化合物の酸解離定数（２５
℃）、II−３１７〜３２１頁、表１０・１９ 有機化合
物の酸解離定数（２５℃）、理化学辞典第４版（岩波書
店）より与えられ、また、前記に記載のないものについ
てはイオン平衡（化学同人）５３頁、６６〜６８頁に記
載の通常の実験方法に基づいて求めることができる。
訂４版、基礎編II（日本化学会編）、II−３１７頁、表
１０・１８ 水溶液中の無機化合物の酸解離定数（２５
℃）、II−３１７〜３２１頁、表１０・１９ 有機化合
物の酸解離定数（２５℃）、理化学辞典第４版（岩波書
店）より与えられ、また、前記に記載のないものについ
てはイオン平衡（化学同人）５３頁、６６〜６８頁に記
載の通常の実験方法に基づいて求めることができる。
【００１４】（ａ）成分としては、例えば、オキソ酸、
水素酸、ペルオキソ酸等の無機酸；カルボン酸、チオカ
ルボン酸、過酸、メルカプタン、スルホン酸、ホスファ
チジン酸、ジチオカルボン酸、スルフィン酸、スルフェ
ン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、炭酸エステル、硫酸
エステル、リン酸エステル、ホウ酸エステル、等の有機
酸が挙げられる。
水素酸、ペルオキソ酸等の無機酸；カルボン酸、チオカ
ルボン酸、過酸、メルカプタン、スルホン酸、ホスファ
チジン酸、ジチオカルボン酸、スルフィン酸、スルフェ
ン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、炭酸エステル、硫酸
エステル、リン酸エステル、ホウ酸エステル、等の有機
酸が挙げられる。
【００１５】無機酸の具体例としては、炭酸、重炭酸、
ホウ酸、ヨウ素酸、硝酸、硫酸、次亜臭素酸、次亜塩素
酸、亜塩素酸、過塩素酸、亜硝酸、亜硫酸等のオキソ
酸；臭化水素酸、塩酸、フッ化水素酸、ヨウ化水素酸、
硫化水素酸等の水素酸；ペルオキソ硝酸、ペルオキソ硫
酸、ペルオキソ二硫酸等のペルオキソ酸等が挙げられ
る。
ホウ酸、ヨウ素酸、硝酸、硫酸、次亜臭素酸、次亜塩素
酸、亜塩素酸、過塩素酸、亜硝酸、亜硫酸等のオキソ
酸；臭化水素酸、塩酸、フッ化水素酸、ヨウ化水素酸、
硫化水素酸等の水素酸；ペルオキソ硝酸、ペルオキソ硫
酸、ペルオキソ二硫酸等のペルオキソ酸等が挙げられ
る。
【００１６】また、有機酸の中では、デポ剥離性及び金
属材料に対する腐食防止の観点から、カルボン酸が好ま
しい。カルボン酸としては、直鎖飽和モノカルボン酸、
直鎖不飽和モノカルボン酸、分岐鎖飽和モノカルボン
酸、分岐鎖不飽和モノカルボン酸、飽和多価カルボン
酸、不飽和多価カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、ア
ルコキシカルボン酸、芳香環を有するカルボン酸、脂環
を有するカルボン酸等が挙げられる。
属材料に対する腐食防止の観点から、カルボン酸が好ま
しい。カルボン酸としては、直鎖飽和モノカルボン酸、
直鎖不飽和モノカルボン酸、分岐鎖飽和モノカルボン
酸、分岐鎖不飽和モノカルボン酸、飽和多価カルボン
酸、不飽和多価カルボン酸、ヒドロキシカルボン酸、ア
ルコキシカルボン酸、芳香環を有するカルボン酸、脂環
を有するカルボン酸等が挙げられる。
【００１７】カルボン酸としては、式（II）：
Ｂ−〔（Ｒ3 ）p −（ＣＯＯＨ）q 〕r （II）
（式中、Ｒ3 は水素原子、炭素数１〜４０の直鎖状、分
岐鎖状若しくは環状の骨格からなる飽和又は不飽和炭化
水素基であり、Ｒ3 の炭化水素基は１〜５個の酸素原子
又は硫黄原子を有していてもよく、Ｒ3 の炭素原子に結
合している水素原子は−ＯＨ基又は−ＳＨ基で置換され
ていてもよく、ｑ個の−ＣＯＯＨ基はＲ3の同一炭素原
子に１個又は複数個結合していてもよく、ｐは０又は
１、ｑは１〜４０の整数、ｒは１〜３の整数、Ｂは存在
しないか又は−Ｏ−基、−ＣＯ−基若しくは−Ｓ−基を
示す。）で表されるカルボン酸が好ましい。
岐鎖状若しくは環状の骨格からなる飽和又は不飽和炭化
水素基であり、Ｒ3 の炭化水素基は１〜５個の酸素原子
又は硫黄原子を有していてもよく、Ｒ3 の炭素原子に結
合している水素原子は−ＯＨ基又は−ＳＨ基で置換され
ていてもよく、ｑ個の−ＣＯＯＨ基はＲ3の同一炭素原
子に１個又は複数個結合していてもよく、ｐは０又は
１、ｑは１〜４０の整数、ｒは１〜３の整数、Ｂは存在
しないか又は−Ｏ−基、−ＣＯ−基若しくは−Ｓ−基を
示す。）で表されるカルボン酸が好ましい。
【００１８】式（II）において、デポ剥離性及び金属材
料に対する腐食防止の観点から、Ｒ 3 は水素原子、炭素
数１〜１８の直鎖状の飽和炭化水素基、炭素数３〜１８
の分岐鎖状の飽和炭化水素基、炭素数２〜１８の直鎖状
の不飽和炭化水素基、炭素数３〜１８の分岐鎖状の不飽
和炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環を有する飽和又は
不飽和炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香環を有する飽
和又は不飽和炭化水素基が好ましい。さらには、Ｒ3 は
炭素数１〜１２の直鎖状の飽和炭化水素基、炭素数３〜
１２の分岐鎖状の飽和炭化水素基、炭素数２〜１２の直
鎖状の不飽和炭化水素基、炭素数３〜１２の分岐鎖状の
不飽和炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環を有する飽和
又は不飽和炭化水素基、炭素数６〜１２の芳香環を有す
る飽和又は不飽和炭化水素基がより好ましい。特に、Ｒ
3 は炭素数１〜６の直鎖状の飽和炭化水素基、炭素数３
〜６の分岐鎖状の飽和炭化水素基、炭素数２〜６の直鎖
状の不飽和炭化水素基、炭素数３〜６の分岐鎖状の不飽
和炭化水素基、炭素数３〜６の脂環を有する飽和又は不
飽和炭化水素基、炭素数６〜８の芳香環を有する飽和又
は不飽和炭化水素基が最も好ましい。また、Ｒ3 の炭化
水素基に酸素原子又は硫黄原子を有する場合、それぞれ
１〜２個がより好ましい。
料に対する腐食防止の観点から、Ｒ 3 は水素原子、炭素
数１〜１８の直鎖状の飽和炭化水素基、炭素数３〜１８
の分岐鎖状の飽和炭化水素基、炭素数２〜１８の直鎖状
の不飽和炭化水素基、炭素数３〜１８の分岐鎖状の不飽
和炭化水素基、炭素数３〜１８の脂環を有する飽和又は
不飽和炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香環を有する飽
和又は不飽和炭化水素基が好ましい。さらには、Ｒ3 は
炭素数１〜１２の直鎖状の飽和炭化水素基、炭素数３〜
１２の分岐鎖状の飽和炭化水素基、炭素数２〜１２の直
鎖状の不飽和炭化水素基、炭素数３〜１２の分岐鎖状の
不飽和炭化水素基、炭素数３〜１２の脂環を有する飽和
又は不飽和炭化水素基、炭素数６〜１２の芳香環を有す
る飽和又は不飽和炭化水素基がより好ましい。特に、Ｒ
3 は炭素数１〜６の直鎖状の飽和炭化水素基、炭素数３
〜６の分岐鎖状の飽和炭化水素基、炭素数２〜６の直鎖
状の不飽和炭化水素基、炭素数３〜６の分岐鎖状の不飽
和炭化水素基、炭素数３〜６の脂環を有する飽和又は不
飽和炭化水素基、炭素数６〜８の芳香環を有する飽和又
は不飽和炭化水素基が最も好ましい。また、Ｒ3 の炭化
水素基に酸素原子又は硫黄原子を有する場合、それぞれ
１〜２個がより好ましい。
【００１９】また、式（II）において、ｑはデポ剥離性
及び金属材料に対する腐食防止の観点から、１〜１８の
整数が好ましく、１〜１２の整数がより好ましく、１〜
６の整数がさらに好ましく、１〜２の整数が特に好まし
い。
及び金属材料に対する腐食防止の観点から、１〜１８の
整数が好ましく、１〜１２の整数がより好ましく、１〜
６の整数がさらに好ましく、１〜２の整数が特に好まし
い。
【００２０】好ましいカルボン酸の具体例としては、蟻
酸、酢酸、プロピオン酸等の炭素数が１〜１８の直鎖飽
和モノカルボン酸；アクリル酸、クロトン酸、ビニル酢
酸、４−ペンテン酸、６−ヘプテン酸、２−オクテン
酸、ウンデシレン酸、オレイン酸等の直鎖不飽和モノカ
ルボン酸；イソ酪酸、イソバレリン酸、ピバリン酸、２
−メチル酪酸、２−メチルバレリン酸、２, ２−ジメチ
ル酪酸、２−エチル酪酸、tert−ブチル酪酸、２, ２−
ジメチルペンタン酸、２−エチルペンタン酸、２−メチ
ルヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、２, ４−ジメチ
ルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、２−プロピルペ
ンタン酸、３, ５, ５−トリメチルヘキサン酸、２−メ
チルオクタン酸、２−エチルヘプタン酸、２−エチル−
２, ３, ３−トリメチル酪酸、２, ２, ４, ４−テトラ
メチルペンタン酸、２, ２−ジイソプロピルプロピオン
酸等の分岐鎖飽和モノカルボン酸；メタクリル酸、チグ
リン酸、３, ３−ジメチルアクリル酸、２, ２−ジメチ
ル−４−ペンテン酸、２−エチル−２−ヘキセン酸、シ
トロネリル酸等の分岐鎖不飽和モノカルボン酸；シュウ
酸、マロン酸、メチルマロン酸、エチルマロン酸、ジメ
チルマロン酸、コハク酸、メチルコハク酸、２, ２−ジ
メチルコハク酸、グルタル酸、アジピン酸、３−メチル
アジピン酸、セバシン酸、ヘキサデカンジオン酸、１，
２，３−プロパントリカルボン酸、１，２，３，４−ブ
タンテトラカルボン酸、ポリアクリル酸、ポリマレイン
酸等の飽和多価カルボン酸；マレイン酸、フマル酸、シ
トラコン酸、メサコン酸、cis-アコニット酸、trans-ア
コニット酸等の不飽和多価カルボン酸；乳酸、グルコン
酸、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸等のヒドロキシカルボ
ン酸；メトキシ酢酸、エトキシ酢酸等のアルコキシカル
ボン酸；安息香酸、テレフタル酸、トリメリット酸、ナ
フトエ酸等の芳香環を有するカルボン酸；シクロヘキサ
ンカルボン酸、シクロヘキサンプロピオン酸、シクロヘ
キサン酪酸、シクロペンタンカルボン酸等の脂環を有す
るカルボン酸等が挙げられる。
酸、酢酸、プロピオン酸等の炭素数が１〜１８の直鎖飽
和モノカルボン酸；アクリル酸、クロトン酸、ビニル酢
酸、４−ペンテン酸、６−ヘプテン酸、２−オクテン
酸、ウンデシレン酸、オレイン酸等の直鎖不飽和モノカ
ルボン酸；イソ酪酸、イソバレリン酸、ピバリン酸、２
−メチル酪酸、２−メチルバレリン酸、２, ２−ジメチ
ル酪酸、２−エチル酪酸、tert−ブチル酪酸、２, ２−
ジメチルペンタン酸、２−エチルペンタン酸、２−メチ
ルヘキサン酸、２−エチルヘキサン酸、２, ４−ジメチ
ルヘキサン酸、２−メチルヘプタン酸、２−プロピルペ
ンタン酸、３, ５, ５−トリメチルヘキサン酸、２−メ
チルオクタン酸、２−エチルヘプタン酸、２−エチル−
２, ３, ３−トリメチル酪酸、２, ２, ４, ４−テトラ
メチルペンタン酸、２, ２−ジイソプロピルプロピオン
酸等の分岐鎖飽和モノカルボン酸；メタクリル酸、チグ
リン酸、３, ３−ジメチルアクリル酸、２, ２−ジメチ
ル−４−ペンテン酸、２−エチル−２−ヘキセン酸、シ
トロネリル酸等の分岐鎖不飽和モノカルボン酸；シュウ
酸、マロン酸、メチルマロン酸、エチルマロン酸、ジメ
チルマロン酸、コハク酸、メチルコハク酸、２, ２−ジ
メチルコハク酸、グルタル酸、アジピン酸、３−メチル
アジピン酸、セバシン酸、ヘキサデカンジオン酸、１，
２，３−プロパントリカルボン酸、１，２，３，４−ブ
タンテトラカルボン酸、ポリアクリル酸、ポリマレイン
酸等の飽和多価カルボン酸；マレイン酸、フマル酸、シ
トラコン酸、メサコン酸、cis-アコニット酸、trans-ア
コニット酸等の不飽和多価カルボン酸；乳酸、グルコン
酸、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸等のヒドロキシカルボ
ン酸；メトキシ酢酸、エトキシ酢酸等のアルコキシカル
ボン酸；安息香酸、テレフタル酸、トリメリット酸、ナ
フトエ酸等の芳香環を有するカルボン酸；シクロヘキサ
ンカルボン酸、シクロヘキサンプロピオン酸、シクロヘ
キサン酪酸、シクロペンタンカルボン酸等の脂環を有す
るカルボン酸等が挙げられる。
【００２１】これらの中で、蟻酸、酢酸、プロピオン酸
等の炭素数が１〜６の直鎖飽和モノカルボン酸；シュウ
酸、マロン酸、コハク酸等の飽和多価カルボン酸；乳
酸、グルコン酸、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸等のヒド
ロキシカルボン酸；メトキシ酢酸、エトキシ酢酸等のア
ルコキシカルボン酸がより好ましい。特に、蟻酸、酢
酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、乳酸、グルコン
酸、酒石酸、リンゴ酸及びクエン酸が好ましい。
等の炭素数が１〜６の直鎖飽和モノカルボン酸；シュウ
酸、マロン酸、コハク酸等の飽和多価カルボン酸；乳
酸、グルコン酸、酒石酸、リンゴ酸、クエン酸等のヒド
ロキシカルボン酸；メトキシ酢酸、エトキシ酢酸等のア
ルコキシカルボン酸がより好ましい。特に、蟻酸、酢
酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、乳酸、グルコン
酸、酒石酸、リンゴ酸及びクエン酸が好ましい。
【００２２】前記カルボン酸の分子量は、特に限定され
ないが、デポ剥離性及び金属材料に対する腐食防止の観
点から、４６〜４００が好ましく、より好ましくは４６
〜２００である。
ないが、デポ剥離性及び金属材料に対する腐食防止の観
点から、４６〜４００が好ましく、より好ましくは４６
〜２００である。
【００２３】かかる酸の塩としては、酸と塩基性有機化
合物又は塩基性無機化合物との塩等が挙げられる。塩基
性有機化合物としては、一級アミン、二級アミン、三級
アミン、イミン、アルカノールアミン、アミド、塩基性
の複素環式化合物及び水酸化第四級アンモニウム等が挙
げられる。塩基性無機化合物としては、アンモニア、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等
が挙げられる。これらの中では、金属イオンの混入を避
ける観点から、酸のアンモニウム塩及び酸と塩基性有機
化合物との塩が好ましい。特にアンモニウム塩は、Ｗ又
はＷ合金の配線又は電極において生成するデポが酸化タ
ングステンであるため、タングステンのアンモニウム塩
を形成することにより水溶性となり、容易に剥離するこ
とから特に好ましい。これらの酸の塩は、単独で又は２
種以上を混合して使用してもよい。
合物又は塩基性無機化合物との塩等が挙げられる。塩基
性有機化合物としては、一級アミン、二級アミン、三級
アミン、イミン、アルカノールアミン、アミド、塩基性
の複素環式化合物及び水酸化第四級アンモニウム等が挙
げられる。塩基性無機化合物としては、アンモニア、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム等
が挙げられる。これらの中では、金属イオンの混入を避
ける観点から、酸のアンモニウム塩及び酸と塩基性有機
化合物との塩が好ましい。特にアンモニウム塩は、Ｗ又
はＷ合金の配線又は電極において生成するデポが酸化タ
ングステンであるため、タングステンのアンモニウム塩
を形成することにより水溶性となり、容易に剥離するこ
とから特に好ましい。これらの酸の塩は、単独で又は２
種以上を混合して使用してもよい。
【００２４】また、前記酸及び／又はその塩は、単独で
又は２種以上を混合して使用してもよい。
又は２種以上を混合して使用してもよい。
【００２５】かかる（ａ）酸及び／又はその塩の剥離剤
組成物中における含有量は、優れたデポ剥離性を得る観
点から、０．０１〜６５重量％が好ましく、デポ剥離性
及び金属材料に対する腐食防止の観点から、０．０５〜
５５重量％がより好ましく、更に０．１〜３５重量％が
好ましく、特に０．５〜２０重量％が好ましい。
組成物中における含有量は、優れたデポ剥離性を得る観
点から、０．０１〜６５重量％が好ましく、デポ剥離性
及び金属材料に対する腐食防止の観点から、０．０５〜
５５重量％がより好ましく、更に０．１〜３５重量％が
好ましく、特に０．５〜２０重量％が好ましい。
【００２６】本発明において用いられる（ｂ）水は、剥
離剤組成物が半導体素子やＬＣＤの製造分野で使用され
ることを考慮して、イオン交換水、純水や超純水等のイ
オン性物質やパーティクル等を極力低減させたものが好
ましい。
離剤組成物が半導体素子やＬＣＤの製造分野で使用され
ることを考慮して、イオン交換水、純水や超純水等のイ
オン性物質やパーティクル等を極力低減させたものが好
ましい。
【００２７】（ｂ）水の剥離剤組成物中における含有量
は、デポ剥離性を向上させる観点から３０〜９９重量％
が好ましい。本発明において、かかる範囲に水の含有量
を調節することにより、優れたデポ剥離性及び金属材料
に対する腐食防止効果を有する剥離剤組成物を得ること
ができる。また、水の含有量は、デポ剥離性及び金属材
料に対する腐食防止の観点から、より好ましくは４０〜
９７重量％、さらに好ましくは６０〜９５重量％であ
る。
は、デポ剥離性を向上させる観点から３０〜９９重量％
が好ましい。本発明において、かかる範囲に水の含有量
を調節することにより、優れたデポ剥離性及び金属材料
に対する腐食防止効果を有する剥離剤組成物を得ること
ができる。また、水の含有量は、デポ剥離性及び金属材
料に対する腐食防止の観点から、より好ましくは４０〜
９７重量％、さらに好ましくは６０〜９５重量％であ
る。
【００２８】（ｃ）分子中に窒素原子を含むキレート剤
は、分子中に１〜３級のアミノ基及び／又は４級アンモ
ニウム塩を含み、分子量が４０〜３０００の化合物を指
す。キレート剤とは、水溶性の金属キレートを生成する
ような金属封鎖剤をいい、具体的には、金属イオンと配
位結合して該金属イオンを包み込む多座配位子をいう。
なお、金属イオンに配位結合する能力をもった電子供与
体を配位子と呼び、配位子１分子に電子供与基を２、
３、４個持つものをそれぞれ２座、３座、４座配位子と
いい、２座配位子以上を総称して、多座配位子という。
（ｃ）分子中に窒素原子を含むキレート剤の例として
は、「金属キレート(III) 」（上野景平、阪口武一編
集、南江堂発行、昭和４２年第１版）の「安定度定数
表」１５〜５５頁に記載のアミン及びその誘導体、アミ
ノポリカルボン酸並びにアミノ酸からなる群より選ばれ
た１種以上が挙げられる。
は、分子中に１〜３級のアミノ基及び／又は４級アンモ
ニウム塩を含み、分子量が４０〜３０００の化合物を指
す。キレート剤とは、水溶性の金属キレートを生成する
ような金属封鎖剤をいい、具体的には、金属イオンと配
位結合して該金属イオンを包み込む多座配位子をいう。
なお、金属イオンに配位結合する能力をもった電子供与
体を配位子と呼び、配位子１分子に電子供与基を２、
３、４個持つものをそれぞれ２座、３座、４座配位子と
いい、２座配位子以上を総称して、多座配位子という。
（ｃ）分子中に窒素原子を含むキレート剤の例として
は、「金属キレート(III) 」（上野景平、阪口武一編
集、南江堂発行、昭和４２年第１版）の「安定度定数
表」１５〜５５頁に記載のアミン及びその誘導体、アミ
ノポリカルボン酸並びにアミノ酸からなる群より選ばれ
た１種以上が挙げられる。
【００２９】アミン及びその誘導体としては、式：
Ｒ4 Ｒ5 Ｒ6 Ｎ
（式中、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 は水素原子、炭素数１〜２
０の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の骨格からなる飽和
又は不飽和炭化水素基であり、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ 6 の炭
化水素基は１〜５個の酸素原子、窒素原子又は硫黄原子
を有していてもよく、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 の炭素原子に
結合している水素原子は−ＯＨ基、−ＮＨ 2 基又は−Ｓ
Ｈ2 基で置換されていてもよい。なお、Ｒ4 、Ｒ5 及び
Ｒ6 はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物が挙げられる。
０の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状の骨格からなる飽和
又は不飽和炭化水素基であり、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ 6 の炭
化水素基は１〜５個の酸素原子、窒素原子又は硫黄原子
を有していてもよく、Ｒ4 、Ｒ5 及びＲ6 の炭素原子に
結合している水素原子は−ＯＨ基、−ＮＨ 2 基又は−Ｓ
Ｈ2 基で置換されていてもよい。なお、Ｒ4 、Ｒ5 及び
Ｒ6 はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。）
で表される化合物が挙げられる。
【００３０】その具体例としては、エチレンジアミン、
Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジア
ミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミ
ン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、
ペンタメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、イミ
ダゾール、ヒスタミン等が挙げられる。
Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジア
ミン、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミ
ン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、
ペンタメチレンジアミン、トリエチレンジアミン、イミ
ダゾール、ヒスタミン等が挙げられる。
【００３１】アミノポリカルボン酸としては、式：
Ｒ4 ＮＹ2 、ＮＹ3 、Ｒ4 ＹＮ−ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＹＲ
5 、Ｒ4 ＹＮ−ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＹ2 、Ｙ2 Ｎ−（ＣＨ
2 ）u −ＮＹ2 （式中、Ｒ4 及びＲ5 は前記と同じ、Ｙは−ＣＨ2 ＣＯ
ＯＨ又は−ＣＨ2 −ＣＨ 2 ＣＯＯＨを示す。ｕは１〜１
０の整数を示す。）で表される化合物が挙げられる。
5 、Ｒ4 ＹＮ−ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＹ2 、Ｙ2 Ｎ−（ＣＨ
2 ）u −ＮＹ2 （式中、Ｒ4 及びＲ5 は前記と同じ、Ｙは−ＣＨ2 ＣＯ
ＯＨ又は−ＣＨ2 −ＣＨ 2 ＣＯＯＨを示す。ｕは１〜１
０の整数を示す。）で表される化合物が挙げられる。
【００３２】その具体例としては、Ｒ4 ＮＹ2 型である
イミノジ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸；ＮＹ3
型であるニトリロトリ酢酸；Ｒ4 ＹＮ−ＣＨ2 ＣＨ2 −
ＮＹＲ5 型であるＮ，Ｎ’−エチレンジアミンジ酢酸；
Ｒ4 ＹＮ−ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＹ2 型であるＮ’−ヒドロ
キシエチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリ酢酸；Ｙ2 Ｎ−（ＣＨ
2 ）u −ＮＹ2 型であるエチレンジアミンテトラ酢酸等
が挙げられる。中でも、Ｗ又はＷ合金を有する配線又は
電極のデポ剥離性の観点から、Ｎ，Ｎ’−エチレンジア
ミンジ酢酸、Ｎ’−ヒドロキシエチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’−
トリ酢酸及びエチレンジアミンテトラ酢酸が好ましい。
イミノジ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸；ＮＹ3
型であるニトリロトリ酢酸；Ｒ4 ＹＮ−ＣＨ2 ＣＨ2 −
ＮＹＲ5 型であるＮ，Ｎ’−エチレンジアミンジ酢酸；
Ｒ4 ＹＮ−ＣＨ2 ＣＨ2 −ＮＹ2 型であるＮ’−ヒドロ
キシエチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリ酢酸；Ｙ2 Ｎ−（ＣＨ
2 ）u −ＮＹ2 型であるエチレンジアミンテトラ酢酸等
が挙げられる。中でも、Ｗ又はＷ合金を有する配線又は
電極のデポ剥離性の観点から、Ｎ，Ｎ’−エチレンジア
ミンジ酢酸、Ｎ’−ヒドロキシエチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’−
トリ酢酸及びエチレンジアミンテトラ酢酸が好ましい。
【００３３】アミノ酸は、分子内にカルボキシル基（Ｃ
ＯＯＨ）とアミノ基（ＮＨ2 ）を有していればよい。そ
の具体例としては、グリシン、アラニン、β−アラニ
ン、ザルコシン、アスパラギン酸、アスパラギン、リシ
ン、セリンと、ジヒドロキシエチルグリシン（Ｎ，Ｎ−
ビス（２−ヒドロキシエチル）グリシン）、グリシン
Ｎ，Ｎ’−１，２−エタンジルビス〔Ｎ−（カルボキシ
メチル）、グリシンＮ−〔２−〔ビス（カルボキシメチ
ル）アミノ〕エチル〕−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）
等のグリシン誘導体等が挙げられる。Ｗ又はＷ合金の配
線又は電極のデポ剥離性の観点から、グリシン、アラニ
ン、アスパラギン酸、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）グリシン、グリシンＮ，Ｎ’−１，２−エタンジ
ルビス〔Ｎ−（カルボキシメチル）及びグリシンＮ−
〔２−〔ビス（カルボキシメチル）アミノ〕エチル〕−
Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）が好ましい。
ＯＯＨ）とアミノ基（ＮＨ2 ）を有していればよい。そ
の具体例としては、グリシン、アラニン、β−アラニ
ン、ザルコシン、アスパラギン酸、アスパラギン、リシ
ン、セリンと、ジヒドロキシエチルグリシン（Ｎ，Ｎ−
ビス（２−ヒドロキシエチル）グリシン）、グリシン
Ｎ，Ｎ’−１，２−エタンジルビス〔Ｎ−（カルボキシ
メチル）、グリシンＮ−〔２−〔ビス（カルボキシメチ
ル）アミノ〕エチル〕−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）
等のグリシン誘導体等が挙げられる。Ｗ又はＷ合金の配
線又は電極のデポ剥離性の観点から、グリシン、アラニ
ン、アスパラギン酸、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエ
チル）グリシン、グリシンＮ，Ｎ’−１，２−エタンジ
ルビス〔Ｎ−（カルボキシメチル）及びグリシンＮ−
〔２−〔ビス（カルボキシメチル）アミノ〕エチル〕−
Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）が好ましい。
【００３４】かかる（ｃ）分子中に窒素原子を有する化
合物の剥離剤組成物中における含有量は、０．０１〜２
０重量％が好ましく、０．０５〜１０重量％がより好ま
しく、０．１〜５重量％が更に好ましい。該含有量は、
Ｗ又はＷ合金の配線又は電極のデポ剥離性の観点から、
０．０１重量％以上が好ましく、また、相溶性の観点か
ら、２０重量％以下であることが好ましい。
合物の剥離剤組成物中における含有量は、０．０１〜２
０重量％が好ましく、０．０５〜１０重量％がより好ま
しく、０．１〜５重量％が更に好ましい。該含有量は、
Ｗ又はＷ合金の配線又は電極のデポ剥離性の観点から、
０．０１重量％以上が好ましく、また、相溶性の観点か
ら、２０重量％以下であることが好ましい。
【００３５】本発明に使用される（ｄ）有機溶剤として
は、式（Ｉ）： Ｒ1 ［（Ｘ）（ＡＯ）k Ｒ2 ］m （Ｉ） （式中、Ｒ1 は水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素
基、Ｘは−Ｏ−基、−ＣＯＯ−基、−ＮＨ−基、又は−
Ｎ（（ＡＯ）n Ｈ）−基、ｋ及びｎは１〜２０、Ａは炭
素数２又は３のアルキレン基、Ｒ2 は水素原子又は炭素
数１〜８の炭化水素基、ｍは１〜８を示す。）で表され
るアルキレンオキサイド化合物、アルコール類、エーテ
ル類、カルボニル類、エステル類、フェノール類、含窒
素化合物、含硫黄化合物等が挙げられる。（ｄ）有機溶
剤の具体例は、新版溶剤ポケットブック（（株）オーム
社、平成６年６月１０日発行）のデータ編３３１〜７６
１頁に記載の化合物が挙げられる。
は、式（Ｉ）： Ｒ1 ［（Ｘ）（ＡＯ）k Ｒ2 ］m （Ｉ） （式中、Ｒ1 は水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素
基、Ｘは−Ｏ−基、−ＣＯＯ−基、−ＮＨ−基、又は−
Ｎ（（ＡＯ）n Ｈ）−基、ｋ及びｎは１〜２０、Ａは炭
素数２又は３のアルキレン基、Ｒ2 は水素原子又は炭素
数１〜８の炭化水素基、ｍは１〜８を示す。）で表され
るアルキレンオキサイド化合物、アルコール類、エーテ
ル類、カルボニル類、エステル類、フェノール類、含窒
素化合物、含硫黄化合物等が挙げられる。（ｄ）有機溶
剤の具体例は、新版溶剤ポケットブック（（株）オーム
社、平成６年６月１０日発行）のデータ編３３１〜７６
１頁に記載の化合物が挙げられる。
【００３６】式（Ｉ）において、Ｒ1 は、水素原子又は
炭素数１〜６の炭化水素基が好ましく、Ｒ2 は水素原子
又は炭素数１〜４の炭化水素基が好ましく、水素原子又
は炭素数１又は２の炭化水素基がより好ましく、ｍは１
〜３が好ましく、１又は２がさらに好ましい。
炭素数１〜６の炭化水素基が好ましく、Ｒ2 は水素原子
又は炭素数１〜４の炭化水素基が好ましく、水素原子又
は炭素数１又は２の炭化水素基がより好ましく、ｍは１
〜３が好ましく、１又は２がさらに好ましい。
【００３７】式（Ｉ）で表されるアルキレンオキサイド
化合物の具体例としては、エチレングリコールのメチル
エーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチル
エーテル、ヘキシルエーテル、フェニルエーテル、ベン
ジルエーテル、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、
ブチルメチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ブチ
ルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエー
テル等；それらに対応するジエチレングリコールアルキ
ルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル
等；テトラエチレングリコールのメチルエーテル、エチ
ルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエーテル、ヘキ
シルエーテル、フェニルエーテル、ベンジルエーテル、
ジメチルエーテル、ジエチルエーテル等；それらに対応
するペンタエチレングリコールアルキルエーテル、ヘキ
サエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレング
リコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールア
ルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエ
ーテル等が挙げられる。
化合物の具体例としては、エチレングリコールのメチル
エーテル、エチルエーテル、プロピルエーテル、ブチル
エーテル、ヘキシルエーテル、フェニルエーテル、ベン
ジルエーテル、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、
ブチルメチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ブチ
ルエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジブチルエー
テル等；それらに対応するジエチレングリコールアルキ
ルエーテル、トリエチレングリコールアルキルエーテル
等；テトラエチレングリコールのメチルエーテル、エチ
ルエーテル、プロピルエーテル、ブチルエーテル、ヘキ
シルエーテル、フェニルエーテル、ベンジルエーテル、
ジメチルエーテル、ジエチルエーテル等；それらに対応
するペンタエチレングリコールアルキルエーテル、ヘキ
サエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレング
リコールアルキルエーテル、ジプロピレングリコールア
ルキルエーテル、トリプロピレングリコールアルキルエ
ーテル等が挙げられる。
【００３８】本発明で使用されるアルコール類として
は、式(III) ： Ｒ3 −（ＯＨ）m (III) （式中、Ｒ3 及びｍは前記式（II）、式（Ｉ）の定義と
それぞれ同じ。）で表される化合物が挙げられる。
は、式(III) ： Ｒ3 −（ＯＨ）m (III) （式中、Ｒ3 及びｍは前記式（II）、式（Ｉ）の定義と
それぞれ同じ。）で表される化合物が挙げられる。
【００３９】エーテル類としては、式(IV)：
Ｒ3 −Ｏ−Ｒ3 (IV)
（式中、Ｒ3 は前記式（II）の定義と同じ。）で表され
る化合物が挙げられる。
る化合物が挙げられる。
【００４０】カルボニル類としては、式（Ｖ）：
【００４１】
【化１】
【００４２】（式中、Ｒ3 は前記式（II）の定義と同
じ。）で表される化合物が挙げられる。
じ。）で表される化合物が挙げられる。
【００４３】エステル類としては、式(VI)：
Ｒ3 −ＣＯＯＲ3 （VI）
（式中、Ｒ3 は前記式（II）の定義と同じ。）で表され
る化合物が挙げられる。
る化合物が挙げられる。
【００４４】フェノール類は式（VII)：
【００４５】
【化２】
【００４６】（式中、Ｒ7 は炭素数１〜９の直鎖状、分
岐鎖状若しくは環状の骨格からなる飽和又は不飽和炭化
水素基であり、Ｒ7 の炭化水素基は１〜５個の酸素原
子、窒素原子又は硫黄原子を有していてもよく、Ｒ7 の
炭素原子に結合している水素原子は−ＯＨ基、−ＮＨ2
基、−ＳＨ基又は−ＮＯ2 基で置換されていてもよい。
ｓは０〜５、ｔは１〜３を示す。）で表される化合物を
指す。
岐鎖状若しくは環状の骨格からなる飽和又は不飽和炭化
水素基であり、Ｒ7 の炭化水素基は１〜５個の酸素原
子、窒素原子又は硫黄原子を有していてもよく、Ｒ7 の
炭素原子に結合している水素原子は−ＯＨ基、−ＮＨ2
基、−ＳＨ基又は−ＮＯ2 基で置換されていてもよい。
ｓは０〜５、ｔは１〜３を示す。）で表される化合物を
指す。
【００４７】含窒素化合物は、分子量２００以下の窒素
原子を含んでいる化合物であれば特に限定はない。含硫
黄化合物は分子量２００以下の硫黄原子を含んでいる化
合物であれば特に限定はない。
原子を含んでいる化合物であれば特に限定はない。含硫
黄化合物は分子量２００以下の硫黄原子を含んでいる化
合物であれば特に限定はない。
【００４８】（ｄ）有機溶剤は、浸透性の観点から、式
（Ｉ）で表されるアルキレンオキサイド化合物であるジ
エチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレン
グリコールモノヘキシルエーテル；アルコール類である
プロパノール、ブタノール及びペンタノール；エーテル
類であるトリオキサン及びメチラール；カルボニル類で
あるアクロレイン及びメチルエチルケトン；エステル類
であるアセト酢酸ニトリル及びギ酸エチル；フェノール
類であるベンジルフェノール；含窒素化合物であるジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン及びジメチルイミダゾリジノン；含硫
黄化合物であるジメチルスルホキサイド及びスルホラン
が好ましい。これらの（ｄ）有機溶剤は、単独で又は２
種以上を混合して使用してもよい。
（Ｉ）で表されるアルキレンオキサイド化合物であるジ
エチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレン
グリコールモノヘキシルエーテル；アルコール類である
プロパノール、ブタノール及びペンタノール；エーテル
類であるトリオキサン及びメチラール；カルボニル類で
あるアクロレイン及びメチルエチルケトン；エステル類
であるアセト酢酸ニトリル及びギ酸エチル；フェノール
類であるベンジルフェノール；含窒素化合物であるジメ
チルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドン及びジメチルイミダゾリジノン；含硫
黄化合物であるジメチルスルホキサイド及びスルホラン
が好ましい。これらの（ｄ）有機溶剤は、単独で又は２
種以上を混合して使用してもよい。
【００４９】また、（ｄ）有機溶剤の融点は、デポ剥離
性確保及び作業性の観点から、６０℃以下が好ましく、
３０℃以下がより好ましく、１０℃以下がさらに好まし
い。
性確保及び作業性の観点から、６０℃以下が好ましく、
３０℃以下がより好ましく、１０℃以下がさらに好まし
い。
【００５０】（ｄ）有機溶剤は、デポへの酸及び／又は
その塩若しくは水の浸透を促進し、その結果としてデポ
剥離性を向上させる観点から、２５℃の水に０. ５重量
％以上溶解するものが好ましく、４重量％以上溶解する
ものがより好ましく、7 重量％以上溶解するものが更に
好ましい。
その塩若しくは水の浸透を促進し、その結果としてデポ
剥離性を向上させる観点から、２５℃の水に０. ５重量
％以上溶解するものが好ましく、４重量％以上溶解する
ものがより好ましく、7 重量％以上溶解するものが更に
好ましい。
【００５１】（ｄ）有機溶剤の剥離剤組成物中における
含有量は、優れたデポ剥離性及び高い浸透力を得る観点
から、０．１〜９０重量％が好ましく、０．５〜８０重
量％がより好ましく、１〜５０重量％がさらに好まし
い。
含有量は、優れたデポ剥離性及び高い浸透力を得る観点
から、０．１〜９０重量％が好ましく、０．５〜８０重
量％がより好ましく、１〜５０重量％がさらに好まし
い。
【００５２】なお、前記剥離剤組成物中の（ａ）〜
（ｄ）成分の含有量は、該組成物製造時の含有量、及び
使用時の含有量のいずれであっても良い。通常、濃縮液
として組成物は製造され、これを使用時に希釈して用い
る場合が多い。
（ｄ）成分の含有量は、該組成物製造時の含有量、及び
使用時の含有量のいずれであっても良い。通常、濃縮液
として組成物は製造され、これを使用時に希釈して用い
る場合が多い。
【００５３】以上の成分を含有する本発明の剥離剤組成
物のｐＨは、６以上１１以下であることが必要とされ
る。本発明においては、剥離剤組成物のｐＨが６以上１
１以下であることにも一つの大きな特徴があり、ｐＨを
６以上１１以下に調節することにより、デポ剥離性が十
分で、しかも金属材料に対する腐食が抑制でき、その結
果、半導体素子の生産性向上や品質向上に寄与できると
いう優れた効果が発現される。従って、剥離剤組成物
が、前記（ａ）〜（ｃ）成分又はさらに（ｄ）成分を含
有していても、そのｐＨが６未満では、優れたＷ又はＷ
合金の配線又は電極のデポ剥離性及び金属材料に対する
腐食防止性は得られない。該ｐＨの下限は、６．５以上
が好ましく、７．０以上がより好ましく、７．５以上が
さらに好ましく、８．０以上が特に好ましい。またｐＨ
の上限は、１０以下が好ましく、９．５以下がより好ま
しく、９．２以下がさらに好ましく、８．７以下が特に
好ましい。ｐＨとしては、好ましくは６．５〜１０、よ
り好ましくは７．０〜９．５、さらに好ましくは７．５
〜９．２、特に好ましくは８．０〜９．２、最も好まし
くは８．０〜８．７である。
物のｐＨは、６以上１１以下であることが必要とされ
る。本発明においては、剥離剤組成物のｐＨが６以上１
１以下であることにも一つの大きな特徴があり、ｐＨを
６以上１１以下に調節することにより、デポ剥離性が十
分で、しかも金属材料に対する腐食が抑制でき、その結
果、半導体素子の生産性向上や品質向上に寄与できると
いう優れた効果が発現される。従って、剥離剤組成物
が、前記（ａ）〜（ｃ）成分又はさらに（ｄ）成分を含
有していても、そのｐＨが６未満では、優れたＷ又はＷ
合金の配線又は電極のデポ剥離性及び金属材料に対する
腐食防止性は得られない。該ｐＨの下限は、６．５以上
が好ましく、７．０以上がより好ましく、７．５以上が
さらに好ましく、８．０以上が特に好ましい。またｐＨ
の上限は、１０以下が好ましく、９．５以下がより好ま
しく、９．２以下がさらに好ましく、８．７以下が特に
好ましい。ｐＨとしては、好ましくは６．５〜１０、よ
り好ましくは７．０〜９．５、さらに好ましくは７．５
〜９．２、特に好ましくは８．０〜９．２、最も好まし
くは８．０〜８．７である。
【００５４】また、任意成分として、非イオン界面活性
剤、アニオン界面活性剤等の界面活性剤を適宜配合する
ことができる。
剤、アニオン界面活性剤等の界面活性剤を適宜配合する
ことができる。
【００５５】本発明の剥離剤組成物は、少なくとも
（Ａ）Ｗ又はＷ合金の配線又は電極と、（Ｂ）Ａｌ又は
Ａｌ合金の配線とを備える半導体の製造工程において使
用されるものである。通常、半導体の製造工程において
は、Ｗ又はＷ合金の配線、Ｗ又はＷ合金の電極、Ａｌ又
はＡｌ合金の配線が、適宜所望の順に工程を分けて製造
されている。従って、本発明の剥離剤組成物は、半導体
素子やＬＣＤ等の無機部材等の部材上に付着したデポ
を、それらの部材を損じることなく容易に剥離し得るも
のであるため、半導体素子やＬＣＤ等の製造工程におけ
る複数のデポ剥離工程に好適に使用し得るものである。
（Ａ）Ｗ又はＷ合金の配線又は電極と、（Ｂ）Ａｌ又は
Ａｌ合金の配線とを備える半導体の製造工程において使
用されるものである。通常、半導体の製造工程において
は、Ｗ又はＷ合金の配線、Ｗ又はＷ合金の電極、Ａｌ又
はＡｌ合金の配線が、適宜所望の順に工程を分けて製造
されている。従って、本発明の剥離剤組成物は、半導体
素子やＬＣＤ等の無機部材等の部材上に付着したデポ
を、それらの部材を損じることなく容易に剥離し得るも
のであるため、半導体素子やＬＣＤ等の製造工程におけ
る複数のデポ剥離工程に好適に使用し得るものである。
【００５６】また、前記のように本発明の剥離剤組成物
を半導体の製造工程中の複数のデポ剥離工程に使用する
ことで、剥離装置の設置スペースや剥離液の保管スペー
スを大幅に低減することができるという優れた効果が発
現される。
を半導体の製造工程中の複数のデポ剥離工程に使用する
ことで、剥離装置の設置スペースや剥離液の保管スペー
スを大幅に低減することができるという優れた効果が発
現される。
【００５７】本発明の剥離剤組成物を用いて基板上のデ
ポを除去する本発明のデポの剥離方法としては、例え
ば、処理すべきウェハを１枚づつ又は複数枚をまとめて
治具にセットし、本発明の剥離剤組成物中に浸漬し、治
具を揺動したり剥離液に超音波や噴流等の機械力を与え
ながら剥離処理する方法や、処理すべきウェハ上に本発
明の剥離剤組成物を噴射あるいはスプレーして剥離処理
する方法が好適に挙げられる。その際の剥離組成物の温
度は、作業性の観点から１０℃〜１００℃が好ましく、
１５〜７０℃であることがより好ましい。尚、これら剥
離工程後、ウェハ上に残留する剥離剤組成物は、水又は
イソプロピルアルコール等の溶剤等によりリンスし除去
されることが好ましい。
ポを除去する本発明のデポの剥離方法としては、例え
ば、処理すべきウェハを１枚づつ又は複数枚をまとめて
治具にセットし、本発明の剥離剤組成物中に浸漬し、治
具を揺動したり剥離液に超音波や噴流等の機械力を与え
ながら剥離処理する方法や、処理すべきウェハ上に本発
明の剥離剤組成物を噴射あるいはスプレーして剥離処理
する方法が好適に挙げられる。その際の剥離組成物の温
度は、作業性の観点から１０℃〜１００℃が好ましく、
１５〜７０℃であることがより好ましい。尚、これら剥
離工程後、ウェハ上に残留する剥離剤組成物は、水又は
イソプロピルアルコール等の溶剤等によりリンスし除去
されることが好ましい。
【００５８】
【実施例】実施例１〜１２及び比較例１〜５
（洗浄特性評価）
タングステン（Ｗ）配線パターン
７００μm 厚のＳｉ／ＳｉＯ2 ／ポリＳｉ／ＷＮ／Ｗ／
Ｓｉ3 Ｎ4 〔基板／３／１００／１０／５０／５０（ｎ
ｍ）〕の積層基板に対してノボラック樹脂材質のポジ型
フォトレジストを用いてパターン化し、プラズマエッチ
ング処理を行った。エッチング処理ガスとしてはフッ素
系、塩素系のガスを順次用いた。エッチング後、フォト
レジストを酸素プラズマ灰化処理により除去した。
Ｓｉ3 Ｎ4 〔基板／３／１００／１０／５０／５０（ｎ
ｍ）〕の積層基板に対してノボラック樹脂材質のポジ型
フォトレジストを用いてパターン化し、プラズマエッチ
ング処理を行った。エッチング処理ガスとしてはフッ素
系、塩素系のガスを順次用いた。エッチング後、フォト
レジストを酸素プラズマ灰化処理により除去した。
【００５９】アルミニウム（Ａｌ）配線パターン
７００μm 厚のＳｉ／Ｔｉ／ＴｉＮ／Ａｌ／ＴｉＮ〔基
板／１００／１００／４００／１００（ｎｍ）〕の積層
基板に対し、ノボラック樹脂材質のポジ型フォトレジス
トを用いてパターン化し、プラズマエッチング処理を行
った。エッチング処理ガスとしては塩素系、フッ素系の
ガスを順次用いた。エッチングの後、フォトレジストを
酸素プラズマ灰化処理により除去した。
板／１００／１００／４００／１００（ｎｍ）〕の積層
基板に対し、ノボラック樹脂材質のポジ型フォトレジス
トを用いてパターン化し、プラズマエッチング処理を行
った。エッチング処理ガスとしては塩素系、フッ素系の
ガスを順次用いた。エッチングの後、フォトレジストを
酸素プラズマ灰化処理により除去した。
【００６０】銅（Ｃｕ）配線上のホールパターン
７００μm 厚のＳｉ／Ｃｕ／Ｓｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯ2 〔基
板／４００／５０／３００（ｎｍ）〕の積層基板に対し
てノボラック樹脂材質のポジ型フォトレジストを用いて
パターン化し、プラズマエッチング処理を行った。エッ
チング処理ガスとしては塩素系、フッ素系のガスを順次
用いた。エッチングの後、フォトレジストを酸素プラズ
マ灰化処理により除去した。
板／４００／５０／３００（ｎｍ）〕の積層基板に対し
てノボラック樹脂材質のポジ型フォトレジストを用いて
パターン化し、プラズマエッチング処理を行った。エッ
チング処理ガスとしては塩素系、フッ素系のガスを順次
用いた。エッチングの後、フォトレジストを酸素プラズ
マ灰化処理により除去した。
【００６１】表１、２に記載の実施例１〜１２、比較例
１〜５で得られた剥離剤組成物を用いて、３０℃、１０
分で基板を浸漬洗浄した後、水でリンスを行った。乾燥
後に電界放射型走査電子顕微鏡で基板の表面を５万倍に
拡大して、形成した配線又はホールパターンを１００個
観察し、そのデポ剥離性と配線の腐食性を下記基準によ
り評価した。その結果を表１、２に示す。
１〜５で得られた剥離剤組成物を用いて、３０℃、１０
分で基板を浸漬洗浄した後、水でリンスを行った。乾燥
後に電界放射型走査電子顕微鏡で基板の表面を５万倍に
拡大して、形成した配線又はホールパターンを１００個
観察し、そのデポ剥離性と配線の腐食性を下記基準によ
り評価した。その結果を表１、２に示す。
【００６２】〔デポ剥離性〕
デポ剥離率＝（デポが完全に除去されたパターンの個数
／100 ）×100 評価基準 Ａ：９５％以上１００％以下、Ｂ：９０％以上９５％未
満、Ｃ：８０％以上９０％未満、Ｄ：０％以上８０％未
満
／100 ）×100 評価基準 Ａ：９５％以上１００％以下、Ｂ：９０％以上９５％未
満、Ｃ：８０％以上９０％未満、Ｄ：０％以上８０％未
満
【００６３】〔配線の腐食性〕
腐食率＝（しみ又は孔食が認められたレジストパターン
の個数）／100 ）×100 評価基準 Ａ：０％以上２．５％未満、Ｂ：２．５％以上５％未
満、Ｃ：５％以上１０％未満、Ｄ：１０％以上１００％
以下 なお、上記の評価において、全ての評価がＡ又はＢのも
のを合格品とする。
の個数）／100 ）×100 評価基準 Ａ：０％以上２．５％未満、Ｂ：２．５％以上５％未
満、Ｃ：５％以上１０％未満、Ｄ：１０％以上１００％
以下 なお、上記の評価において、全ての評価がＡ又はＢのも
のを合格品とする。
【００６４】
【表１】
【００６５】
【表２】
【００６６】表１、２の結果より、実施例１〜１２で得
られた剥離剤組成物は、いずれも比較例１〜５で得られ
た剥離剤組成物に比べて、各種配線に存在するデポの剥
離性に優れ、かつ腐食も発生しにくいものであることが
わかる。
られた剥離剤組成物は、いずれも比較例１〜５で得られ
た剥離剤組成物に比べて、各種配線に存在するデポの剥
離性に優れ、かつ腐食も発生しにくいものであることが
わかる。
【００６７】
【発明の効果】本発明の剥離剤組成物は、高エネルギー
処理を受けて変質したデポでも容易にかつ短時間で剥離
することができ、しかもアルミニウム、タングステン、
これらの合金等の配線材料に対する腐食が抑制できる。
その結果、半導体素子やＬＣＤ等の生産性向上や品質向
上に大きく寄与できる。
処理を受けて変質したデポでも容易にかつ短時間で剥離
することができ、しかもアルミニウム、タングステン、
これらの合金等の配線材料に対する腐食が抑制できる。
その結果、半導体素子やＬＣＤ等の生産性向上や品質向
上に大きく寄与できる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ１１Ｄ 17/00 Ｃ１１Ｄ 17/00
17/08 17/08
Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７Ａ
21/304 ６４７ 21/308 Ｆ
21/308 21/30 ５７２Ｂ
Ｆターム(参考） 2H096 AA25 AA27 LA03
4H003 BA12 DA15 DB03 EA16 EA18
EA23 EB07 EB13 EB16 ED02
ED29 ED31 ED32 FA21 FA28
5F043 AA24 AA26 BB16 BB18 GG02
5F046 MA02
Claims (6)
- 【請求項１】 （ａ）ｎ価の塩基酸の第ｎ段目の酸解離
指数ｐＫａn （２５℃）が３以上１１以下である酸及び
／又はその塩と、（ｂ）水と、（ｃ）分子中に窒素原子
を含むキレート剤とを含有し、ｐＨが６以上１１以下で
あり、少なくとも（Ａ）タングステン又はタングステン
合金の配線又は電極と（Ｂ）アルミニウム又はアルミニ
ウム合金の配線とを備える半導体の製造工程において使
用される剥離剤組成物。 - 【請求項２】 （ｃ）分子中に窒素原子を含むキレート
剤が、アミンもしくはその誘導体、アミノポリカルボン
酸、又はアミノ酸である請求項１記載の剥離剤組成物。 - 【請求項３】 さらに、式（Ｉ）： Ｒ1 ［（Ｘ）（ＡＯ）k Ｒ2 ］m （Ｉ） （式中、Ｒ1 は水素原子又は炭素数１〜８の炭化水素
基、Ｘは−Ｏ−基、−ＣＯＯ−基、−ＮＨ−基、又は−
Ｎ（（ＡＯ）n Ｈ）−基、ｋ及びｎは１〜２０、Ａは炭
素数２又は３のアルキレン基、Ｒ2 は水素原子又は炭素
数１〜８の炭化水素基、ｍは１〜８を示す。）で表され
るアルキレンオキサイド化合物、アルコール類、エーテ
ル類、カルボニル類、エステル類、フェノール類、含窒
素化合物及び含硫黄化合物からなる群より選ばれる１種
以上の有機溶剤（ｄ）を含有する、請求項１又は２記載
の剥離剤組成物。 - 【請求項４】 （ａ）酸及び／又はその塩が、有機酸及
び／又はその塩である請求項１〜３いずれか記載の剥離
剤組成物。 - 【請求項５】 ｐＨが８．０〜９．２である請求項１〜
４いずれか記載の剥離剤組成物。 - 【請求項６】 請求項１〜５いずれか記載の剥離剤組成
物を使用して基板上のデポを剥離する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002022031A JP4138323B2 (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | 剥離剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002022031A JP4138323B2 (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | 剥離剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003223010A true JP2003223010A (ja) | 2003-08-08 |
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ID=27745115
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002022031A Expired - Fee Related JP4138323B2 (ja) | 2002-01-30 | 2002-01-30 | 剥離剤組成物 |
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Cited By (9)
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|---|---|---|---|---|
| JP2005183937A (ja) * | 2003-11-25 | 2005-07-07 | Nec Electronics Corp | 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置 |
| JP2009543896A (ja) * | 2006-07-14 | 2009-12-10 | イーコラブ インコーポレイティド | アルカリ性床洗浄組成物及び床洗浄方法 |
| JP2012022178A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012118368A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012195590A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Air Products & Chemicals Inc | クリーニング調合物およびそのクリーニング調合物の使用方法 |
| WO2016148040A1 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離液 |
| KR20170083026A (ko) | 2014-11-13 | 2017-07-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체소자를 세정하기 위한 알칼리토류 금속을 포함하는 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 |
| KR20170085483A (ko) | 2014-11-13 | 2017-07-24 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 텅스텐을 포함하는 재료의 데미지를 억제한 반도체 소자의 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 |
| US11091726B2 (en) | 2014-10-31 | 2021-08-17 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for removing photoresist residue and/or polymer residue |
-
2002
- 2002-01-30 JP JP2002022031A patent/JP4138323B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2012022178A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012118368A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 |
| JP2012195590A (ja) * | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Air Products & Chemicals Inc | クリーニング調合物およびそのクリーニング調合物の使用方法 |
| US8889609B2 (en) | 2011-03-16 | 2014-11-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cleaning formulations and method of using the cleaning formulations |
| US11091726B2 (en) | 2014-10-31 | 2021-08-17 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition for removing photoresist residue and/or polymer residue |
| KR20170083026A (ko) | 2014-11-13 | 2017-07-17 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 반도체소자를 세정하기 위한 알칼리토류 금속을 포함하는 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 |
| KR20170085483A (ko) | 2014-11-13 | 2017-07-24 | 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드 | 텅스텐을 포함하는 재료의 데미지를 억제한 반도체 소자의 세정액, 및 이것을 이용한 반도체 소자의 세정방법 |
| US10377978B2 (en) | 2014-11-13 | 2019-08-13 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Alkaline earth metal-containing cleaning solution for cleaning semiconductor element, and method for cleaning semiconductor element using same |
| US10651028B2 (en) | 2014-11-13 | 2020-05-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Semiconductor element cleaning solution that suppresses damage to tungsten-containing materials, and method for cleaning semiconductor element using same |
| WO2016148040A1 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | ナガセケムテックス株式会社 | フォトレジスト剥離液 |
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