JP4838578B2 - 微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法 - Google Patents
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即ち、本発明によれば、微細加工処理剤をフッ化水素と、硝酸と、フッ化アンモニウム及び塩化アンモニウムの少なくとも何れか一方とを含む構成とすることにより、タングステン膜及びシリコン酸化膜を含む積層膜に対して、両者を同時に微細加工したり、或いは選択的に何れか一方のみを微細加工することを可能にする。また、タングステン膜及びシリコン酸化膜に対するエッチレートの相違に起因して生ずる微細加工パターンの形状不一致も抑制することができる。その結果、形状制御性に優れ、加工精度の向上が図れる。更に、基板表面の粗さが大きくなることも抑制できるので、欠陥を低減し平滑で清浄な基板表面にすることが可能になる。これにより、歩留まりの向上が可能になる。
本発明の実施の一形態について、以下に説明する。
本実施の形態に係る微細加工処理剤は、少なくともフッ化水素と、硝酸と、フッ化アンモニウム及び塩化アンモニウムの少なくとも何れか一方(以下、「フッ化アンモニウム等」と言う)とを含み構成されるものであり、基板上に積層されたタングステン膜及びシリコン酸化膜を微細加工する際に用いられる。微細加工とは、タングステン膜及びシリコン酸化膜のエッチングや、それらの表面のクリーニングを含む意味である。
本発明に係る微細加工処理剤の他の実施の形態について、以下に説明する。尚、前記実施の形態1の微細加工処理剤と同様の機能を有する構成要素については、詳細な説明を省略する。
以上の説明に於いては、本発明の最も好適な実施態様について説明した。しかし、本発明は当該実施態様に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一の範囲で種々の変更が可能である。
光学式膜厚測定装置(ナノメトリクス社製「NanoSpec 6100」)を用いてエッチング前後のシリコン酸化膜の膜厚を測定し、エッチングによる膜厚の変化量を測定した。3つ以上の異なるエッチング時間に於いて前記測定を繰り返し実施し、エッチレートを算出した。
タングステン膜表面の一部をコールタール系ワックス(日化精工社製「アピエゾンワックス」)で保護してエッチングを実施した後、トルエンでワックスを剥離した。次に、エッチングした試料を卓上小型プローブ顕微鏡(エスアイアイ・ナノテクノロジー社製「Nanopcis」)を用いて、ワックス塗布界面の段差を測定し、エッチングによる膜厚の減少量を測定した。3つ以上の異なるエッチング時間に於いて前記測定を繰り返し実施し、エッチレートを算出した。
原子間力顕微鏡(デジタルインスツルメンツ社製「NANOSCOPEIII」)を用いて、タッピングモードの条件でエッチング前後のシリコンウエハの裏面の荒れ具合を観察した。
膜構造がタングステン膜/窒化チタン膜/チタン膜/シリコン酸化膜となる様に順次積層されたシリコンウエハを用いて、タングステン膜のエッチングを実施し、窒化チタン膜上に島状に微細加工されたタングステン膜のエッチ残りを目視により観察した。タングステン膜をジャストエッチングしたときに、タングステン膜残渣の干渉縞が視認されなかった場合は「◎」とした。干渉縞が視認された場合は更にオーバーエッチングを行い、再び観察した。その結果、干渉縞が視認されなかった場合は「○」とし、干渉縞が視認された場合は「×」とした。
フッ酸(ステラケミファ(株)製、半導体用高純度グレード、濃度50%)100重量部と、硝酸溶液(住友化学工業社製、電子工業用グレード、濃度69.5%)1133重量部と、フッ化アンモニウム溶液(ステラケミファ社製、半導体用高純度グレード、濃度40%)694重量部と、超純水573重量部とを混合した薬液に、0.5重量部の非イオン性界面活性剤(ポリエチレングリコールアルキルエーテル)を添加し、撹拌混合した後、混合液を25℃に調温し4時間静置した。これにより、本実施例に係るエッチング液(微細加工処理剤)を調製した。フッ化水素、硝酸及びフッ化アンモニウムの含有量は、それぞれ1モル/kg、5モル/kg、3モル/kgとした(下記、表1参照)。次に、タングステン膜/窒化チタン膜/チタン膜/シリコン酸化膜を順次積層したシリコンウエハを、エッチング液中に浸漬し、その後タングステン膜及び熱シリコン酸化膜に対するエッチレートを評価した。結果を下記表1に示す。
実施例2〜9、11〜16に於いては、表1に示す通りにフッ化水素、硝酸及びフッ化アンモニウムの含有量を変更したこと以外は、前記実施例1と同様にして各エッチング液を調製し、その後シリコンウエハのエッチングを行った。結果を下記表1に示す。
本実施例10に於いては、表1に示す通りにフッ化水素、硝酸及びフッ化アンモニウムの含有量を変更し、更に界面活性剤を添加しなかったこと以外は、前記実施例1と同様にして各エッチング液を調製し、その後シリコンウエハのエッチングを行った。結果を下記表1に示す。
比較例1〜3に於いては、表1に示す通りにフッ化水素、硝酸及びフッ化アンモニウムの含有量を変更し、更に界面活性剤を添加しなかったこと以外は、前記実施例1と同様にして各エッチング液を調製し、その後シリコンウエハのエッチングを行った。結果を下記表1に示す。
本実施例17〜19に於いては、エッチング温度を15℃、25℃又は35℃に変更したこと以外は、前記実施例7と同様にして各エッチング液を調製し、その後シリコンウエハのエッチングを行った。結果を下記表2に示す。
本実施例20に於いては、フッ化水素及び硝酸の含有量を下記表3に示す通りに変更し、更にフッ化アンモニウムに代えて塩化アンモニウムを用いたこと以外は、前記実施例1と同様にして各エッチング液を調製し、その後シリコンウエハのエッチングを行った。結果を下記表3に示す。
Claims (7)
- タングステン膜及びシリコン酸化膜を含む積層膜の微細加工に用いる微細加工処理剤であって、
フッ化水素と、硝酸と、フッ化アンモニウム及び塩化アンモニウムの少なくとも何れか一方とを含み、
前記フッ化水素の含有量をXモル/kg、硝酸の含有量をYモル/kg、フッ化アンモニウム及び塩化アンモニウムの少なくとも何れか一方の含有量をZモル/kgとする場合に、前記X、Y及びZは下記関係式を満たし、
- タングステン膜及びシリコン酸化膜を含む積層膜の微細加工に用いる微細加工処理剤であって、
フッ化水素と、硝酸と、フッ化アンモニウム及び塩化アンモニウムの少なくとも何れか一方とを含み、
前記フッ化水素の含有量をXモル/kg、前記硝酸の含有量をYモル/kg、フッ化アンモニウム及び塩化アンモニウムの少なくとも何れか一方の含有量をZモル/kgとする場合に、前記X、Y及びZは下記関係式を満たし、
- 前記タングステン膜は、タングステン、チタンタングステン、銅タングステン、ニッケルタングステン、コバルトタングステン、モリブデンタングステン、タングステンシリサイド、窒化タングステンからなる群より選択される少なくとも1種を主成分とすることを特徴とする請求項1又は2に記載の微細加工処理剤。
- 前記シリコン酸化膜は、熱シリコン酸化膜、ノンドープシリケートガラス膜、リンドープシリケートガラス膜、ボロンドープシリケートガラス膜、リンボロンドープシリケートガラス膜、TEOS膜、フッ素含有シリコン酸化膜、炭素含有シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、自然酸化膜からなる群より選択される1種の単層、又は任意に選択される2種以上の積層膜であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の微細加工処理剤。
- 前記シリコン酸化膜に対する25℃でのエッチレートが0.5〜5000nm/分の範囲内であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の微細加工処理剤。
- 界面活性剤を0.001重量%〜0.1重量%含有することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の微細加工処理剤。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の微細加工処理剤を用いて、タングステン膜及びシリコン酸化膜の少なくとも何れか一方を微細加工することを特徴とする微細加工処理方法。
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