JPH11238725A - エッチング組成物 - Google Patents
エッチング組成物Info
- Publication number
- JPH11238725A JPH11238725A JP4183198A JP4183198A JPH11238725A JP H11238725 A JPH11238725 A JP H11238725A JP 4183198 A JP4183198 A JP 4183198A JP 4183198 A JP4183198 A JP 4183198A JP H11238725 A JPH11238725 A JP H11238725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- fluorine
- surfactant
- weight
- hydrogen fluoride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】１０％程度以上の高フッ化水素濃度のエッチン
グ液の場合であっても、シリコン酸化膜やレジスト膜に
対する濡れ性が良好で半導体集積回路の微細パターンを
均一に効率よくエッチングでき、しかも、消泡性に優
れ、配合した界面活性剤が分離析出することがなく長期
間安定なエッチング液を提供する。 【解決手段】フッ化水素５〜２５重量％及びフッ化アン
モニウム５〜２５重量％を含有する水溶液中に、一般
式： Ｈ（ＣＦ2）ｎＣＯＯＨ（式中、ｎは６〜８の整数
である）で表される含フッ素カルボン酸、一般式：ＣＦ
3（ＣＦ2）ｍＣＯＯＨ（式中、ｍは４〜６の整数であ
る）で表される含フッ素カルボン酸、及びこれらの含フ
ッ素カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の含フ
ッ素界面活性剤を配合してなるエッチング組成物。
グ液の場合であっても、シリコン酸化膜やレジスト膜に
対する濡れ性が良好で半導体集積回路の微細パターンを
均一に効率よくエッチングでき、しかも、消泡性に優
れ、配合した界面活性剤が分離析出することがなく長期
間安定なエッチング液を提供する。 【解決手段】フッ化水素５〜２５重量％及びフッ化アン
モニウム５〜２５重量％を含有する水溶液中に、一般
式： Ｈ（ＣＦ2）ｎＣＯＯＨ（式中、ｎは６〜８の整数
である）で表される含フッ素カルボン酸、一般式：ＣＦ
3（ＣＦ2）ｍＣＯＯＨ（式中、ｍは４〜６の整数であ
る）で表される含フッ素カルボン酸、及びこれらの含フ
ッ素カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の含フ
ッ素界面活性剤を配合してなるエッチング組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、エッチング組成物
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体シリコン酸化膜を湿式でエッチン
グする場合には、エッチング液としてフッ化水素酸とフ
ッ化アンモニウムの混合溶液、いわゆるバッファードフ
ッ酸が使用されている。この溶液中では、フッ化アンモ
ニウムは、主として、エッチング速度を調整すると共
に、フッ化水素濃度が変化した場合にもエッチング速度
を安定化させる作用を有しており、通常、５０％フッ化
水素酸１重量部に対して、４０％フッ化アンモニウム溶
液５重量部以上の混合割合で使用されている。
グする場合には、エッチング液としてフッ化水素酸とフ
ッ化アンモニウムの混合溶液、いわゆるバッファードフ
ッ酸が使用されている。この溶液中では、フッ化アンモ
ニウムは、主として、エッチング速度を調整すると共
に、フッ化水素濃度が変化した場合にもエッチング速度
を安定化させる作用を有しており、通常、５０％フッ化
水素酸１重量部に対して、４０％フッ化アンモニウム溶
液５重量部以上の混合割合で使用されている。
【０００３】近年、半導体集積回路の微細加工化に伴
い、レジスト膜で形成された微細パターンを均一にエッ
チングするために、エッチング液は、シリコン酸化膜や
レジスト膜への濡れ性が良好で、レジスト膜で作られた
微細なパターンの間隙に十分に侵入することが要求され
ている。しかしながら、従来のフッ化アンモニウム及び
フッ化水素酸の混合溶液からなるエッチング液は、比較
的高い表面張力を有するために、シリコン酸化膜やレジ
スト膜上での濡れ性が極めて悪く、エッチング性が不均
一で、構造を正確に画成することが困難である。
い、レジスト膜で形成された微細パターンを均一にエッ
チングするために、エッチング液は、シリコン酸化膜や
レジスト膜への濡れ性が良好で、レジスト膜で作られた
微細なパターンの間隙に十分に侵入することが要求され
ている。しかしながら、従来のフッ化アンモニウム及び
フッ化水素酸の混合溶液からなるエッチング液は、比較
的高い表面張力を有するために、シリコン酸化膜やレジ
スト膜上での濡れ性が極めて悪く、エッチング性が不均
一で、構造を正確に画成することが困難である。
【０００４】この点については、界面活性剤を添加する
ことによって、エッチング液の表面張力を低下させるこ
とが考えられるが、フッ化アンモニウムを含有する水溶
液中では、界面活性剤の溶解性が非常に悪く、使用でき
る界面活性剤の種類は非常に限定されている。
ことによって、エッチング液の表面張力を低下させるこ
とが考えられるが、フッ化アンモニウムを含有する水溶
液中では、界面活性剤の溶解性が非常に悪く、使用でき
る界面活性剤の種類は非常に限定されている。
【０００５】例えば、特開昭６３−２８３０２８号公報
には、フッ化アンモニウム及びフッ化水素酸の混合溶液
に、脂肪族カルボン酸、脂肪族カルボン酸の塩、脂肪族
アミン及び脂肪族アルコールから選ばれた炭化水素系界
面活性剤を添加して濡れ性を向上させることによって、
微細エッチング加工の均質性を改善する方法が開示され
ている。しかしながら、この方法で用いられる炭化水素
系界面活性剤は、低濃度のフッ化水素酸溶液中では、あ
る程度の濡れ性向上の効果を発揮できるものの、エッチ
ング速度の大きいフッ化水素濃度が１０重量％を上回る
高フッ化水素濃度のエッチング液に対しては、表面張力
を十分には低下させることができない。また、界面活性
剤の添加量を増加させて、表面張力を低下させようとす
ると、界面活性剤の溶解性が低下して析出し易くなるこ
とに加えて、泡立ちが多くなって、エッチング面に泡が
付着して、エッチングむらが生じたり、微細間隙に泡が
入り込み、エッチング不良を起こすという問題点があ
る。
には、フッ化アンモニウム及びフッ化水素酸の混合溶液
に、脂肪族カルボン酸、脂肪族カルボン酸の塩、脂肪族
アミン及び脂肪族アルコールから選ばれた炭化水素系界
面活性剤を添加して濡れ性を向上させることによって、
微細エッチング加工の均質性を改善する方法が開示され
ている。しかしながら、この方法で用いられる炭化水素
系界面活性剤は、低濃度のフッ化水素酸溶液中では、あ
る程度の濡れ性向上の効果を発揮できるものの、エッチ
ング速度の大きいフッ化水素濃度が１０重量％を上回る
高フッ化水素濃度のエッチング液に対しては、表面張力
を十分には低下させることができない。また、界面活性
剤の添加量を増加させて、表面張力を低下させようとす
ると、界面活性剤の溶解性が低下して析出し易くなるこ
とに加えて、泡立ちが多くなって、エッチング面に泡が
付着して、エッチングむらが生じたり、微細間隙に泡が
入り込み、エッチング不良を起こすという問題点があ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は、
１０％程度以上の高フッ化水素濃度のエッチング液の場
合であっても、シリコン酸化膜やレジスト膜に対する濡
れ性が良好で半導体集積回路の微細パターンを均一に効
率よくエッチングでき、しかも、消泡性に優れ、配合し
た界面活性剤が分離析出することがなく長期間安定なエ
ッチング液を提供することである。
１０％程度以上の高フッ化水素濃度のエッチング液の場
合であっても、シリコン酸化膜やレジスト膜に対する濡
れ性が良好で半導体集積回路の微細パターンを均一に効
率よくエッチングでき、しかも、消泡性に優れ、配合し
た界面活性剤が分離析出することがなく長期間安定なエ
ッチング液を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した如
き従来技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、フッ
化水素及びフッ化アンモニウムを含有するエッチング液
において、フッ化水素とフッ化アンモニウムの濃度を特
定の範囲内に調整するとともに、特定の含フッ素界面活
性剤を少量添加する場合には、エッチング組成物の表面
張力が大きく低下して、十分な濡れ性を有するものとな
り、しかも、界面活性剤の溶解性が良好で結晶化して析
出することが無く、長期間エッチング液として安定に使
用でき、更に、泡立ちも少なく、エッチング不良が生じ
難くなることを見出し、ここに本発明を完成するに至っ
た。
き従来技術の現状に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、フッ
化水素及びフッ化アンモニウムを含有するエッチング液
において、フッ化水素とフッ化アンモニウムの濃度を特
定の範囲内に調整するとともに、特定の含フッ素界面活
性剤を少量添加する場合には、エッチング組成物の表面
張力が大きく低下して、十分な濡れ性を有するものとな
り、しかも、界面活性剤の溶解性が良好で結晶化して析
出することが無く、長期間エッチング液として安定に使
用でき、更に、泡立ちも少なく、エッチング不良が生じ
難くなることを見出し、ここに本発明を完成するに至っ
た。
【０００８】即ち、本発明は、以下に示すエッチング組
成物を提供するものである。
成物を提供するものである。
【０００９】１．フッ化水素５〜２５重量％及びフッ化
アンモニウム５〜２５重量％を含有する水溶液中に、一
般式： Ｈ（ＣＦ2）ｎＣＯＯＨ（式中、ｎは６〜８の整
数である）で表される含フッ素カルボン酸、一般式：Ｃ
Ｆ3（ＣＦ2）ｍＣＯＯＨ（式中、ｍは４〜６の整数であ
る）で表される含フッ素カルボン酸、及びこれらの含フ
ッ素カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の含フ
ッ素界面活性剤を配合してなるエッチング組成物。
アンモニウム５〜２５重量％を含有する水溶液中に、一
般式： Ｈ（ＣＦ2）ｎＣＯＯＨ（式中、ｎは６〜８の整
数である）で表される含フッ素カルボン酸、一般式：Ｃ
Ｆ3（ＣＦ2）ｍＣＯＯＨ（式中、ｍは４〜６の整数であ
る）で表される含フッ素カルボン酸、及びこれらの含フ
ッ素カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の含フ
ッ素界面活性剤を配合してなるエッチング組成物。
【００１０】２．含フッ素界面活性剤の配合量が０．０
００１〜０．０５重量％である項１に記載のエッチング
組成物。
００１〜０．０５重量％である項１に記載のエッチング
組成物。
【００１１】３．フッ化水素とフッ化アンモニウムの配
合割合が、フッ化水素：フッ化アンモニウム（重量比）
＝１：３〜３：１である項１又は２に記載のエッチング
組成物。
合割合が、フッ化水素：フッ化アンモニウム（重量比）
＝１：３〜３：１である項１又は２に記載のエッチング
組成物。
【００１２】４．表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下であっ
て、消泡時間が１分以内である項１〜３のいずれかに記
載のエッチング組成物。
て、消泡時間が１分以内である項１〜３のいずれかに記
載のエッチング組成物。
【００１３】５．半導体のウエットエッチング用組成物
である項１〜４のいずれかに記載のエッチング組成物。
である項１〜４のいずれかに記載のエッチング組成物。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のエッチング組成
物について詳細に説明する。
物について詳細に説明する。
【００１５】本発明のエッチング液は、フッ化水素を５
〜２５重量％と、フッ化アンモニウムを５〜２５重量％
の範囲で含有する水溶液であり、好ましくは、フッ化水
素を７〜１５重量％と、フッ化アンモニウムを７〜１５
重量％の範囲で含有する水溶液である。
〜２５重量％と、フッ化アンモニウムを５〜２５重量％
の範囲で含有する水溶液であり、好ましくは、フッ化水
素を７〜１５重量％と、フッ化アンモニウムを７〜１５
重量％の範囲で含有する水溶液である。
【００１６】この様な濃度範囲でフッ化水素とフッ化ア
ンモニウムを含有する水溶液中に、後述する特定の含フ
ッ素界面活性剤を配合する場合には、非常に少ない配合
量において、エッチング液の表面張力を十分に低下させ
て良好な濡れ性を付与できる。しかも、この配合量の範
囲内では、界面活性剤が良好な溶解性を有し、長期間分
離析出することなく安定に存在し、しかも、泡立ちも非
常に少なくなる。
ンモニウムを含有する水溶液中に、後述する特定の含フ
ッ素界面活性剤を配合する場合には、非常に少ない配合
量において、エッチング液の表面張力を十分に低下させ
て良好な濡れ性を付与できる。しかも、この配合量の範
囲内では、界面活性剤が良好な溶解性を有し、長期間分
離析出することなく安定に存在し、しかも、泡立ちも非
常に少なくなる。
【００１７】本発明で用いる界面活性剤は、下記式
（Ｉ）で表される含フッ素カルボン酸、式（II）で表さ
れる含フッ素カルボン酸、及びこれらの塩の少なくとも
一種である。
（Ｉ）で表される含フッ素カルボン酸、式（II）で表さ
れる含フッ素カルボン酸、及びこれらの塩の少なくとも
一種である。
【００１８】 Ｈ（ＣＦ2）ｎＣＯＯＨ （Ｉ） （式中、ｎは６〜８の整数である） ＣＦ3（ＣＦ2）ｍＣＯＯＨ （II） （式中、ｍは４〜６の整数である） これらの含フッ素カルボン酸と塩を形成する塩基として
は、半導体製品の電気特性に悪影響を及ぼすことが少な
い点で、ＮＲ1Ｒ2Ｒ3（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、同一
又は異なって、水素、炭素数１〜５のアルキル基、又は
炭素数１〜５のヒドロキシアルキル基を示す）で表され
る脂肪族アミン又はアンモニアが好ましい。ここで、炭
素数１〜５のアルキル基としては、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ
−ブチル、ペンチルなどを例示できる。上記した塩基の
内で、特に、ＮＨ3、（ＣＨ3）3Ｎ、（Ｃ2Ｈ5）2ＮＨ、
Ｃ3Ｈ8ＮＨ2、ＮＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ、ＮＨ（ＣＨ2ＣＨ2
ＯＨ）2等が好ましく、最も好ましいものは、半導体製
品の電気特性への悪影響がなく、しかも界面活性剤の溶
解性、表面張力低下作用等が良好である点から、アンモ
ニアである。
は、半導体製品の電気特性に悪影響を及ぼすことが少な
い点で、ＮＲ1Ｒ2Ｒ3（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、同一
又は異なって、水素、炭素数１〜５のアルキル基、又は
炭素数１〜５のヒドロキシアルキル基を示す）で表され
る脂肪族アミン又はアンモニアが好ましい。ここで、炭
素数１〜５のアルキル基としては、メチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ
−ブチル、ペンチルなどを例示できる。上記した塩基の
内で、特に、ＮＨ3、（ＣＨ3）3Ｎ、（Ｃ2Ｈ5）2ＮＨ、
Ｃ3Ｈ8ＮＨ2、ＮＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＯＨ、ＮＨ（ＣＨ2ＣＨ2
ＯＨ）2等が好ましく、最も好ましいものは、半導体製
品の電気特性への悪影響がなく、しかも界面活性剤の溶
解性、表面張力低下作用等が良好である点から、アンモ
ニアである。
【００１９】本発明では、上記した式（Ｉ）の含フッ素
カルボン酸、式（II）の含フッ素カルボン酸、及びこれ
らの塩からなる含フッ素界面活性剤の内から、一種単独
又は二種以上混合して用いることができる。
カルボン酸、式（II）の含フッ素カルボン酸、及びこれ
らの塩からなる含フッ素界面活性剤の内から、一種単独
又は二種以上混合して用いることができる。
【００２０】上記含フッ素界面活性剤の添加量は、エッ
チング組成物全体中に、０．０００１〜０．０５重量％
程度とすることが好ましく、０．００１〜０．０３重量
％程度とすることがより好ましい。含フッ素界面活性剤
の添加量が０．０００１重量％を下回ると、エッチング
液の表面張力が十分に低下しないために、濡れ性の向上
効果が不十分であり、一方、０．０５重量％を超えて添
加しても、それに見合う効果が得られないだけでなく、
消泡性が悪化して、エッチング面に泡が付着して、エッ
チングむらが生じたり、微細間隙に泡が入り込んでエッ
チング不良を生じ易くなるので、好ましくない。しか
も、０．０５重量％を上回る濃度では、ほとんどの界面
活性剤で、臨界ミセル濃度（ｃ．ｍ．ｃ）以上となるた
め、液中粒子数が著しく増加し、悪影響を与える可能性
が高くなる。
チング組成物全体中に、０．０００１〜０．０５重量％
程度とすることが好ましく、０．００１〜０．０３重量
％程度とすることがより好ましい。含フッ素界面活性剤
の添加量が０．０００１重量％を下回ると、エッチング
液の表面張力が十分に低下しないために、濡れ性の向上
効果が不十分であり、一方、０．０５重量％を超えて添
加しても、それに見合う効果が得られないだけでなく、
消泡性が悪化して、エッチング面に泡が付着して、エッ
チングむらが生じたり、微細間隙に泡が入り込んでエッ
チング不良を生じ易くなるので、好ましくない。しか
も、０．０５重量％を上回る濃度では、ほとんどの界面
活性剤で、臨界ミセル濃度（ｃ．ｍ．ｃ）以上となるた
め、液中粒子数が著しく増加し、悪影響を与える可能性
が高くなる。
【００２１】本発明のエッチング組成物は、含フッ素界
面活性剤の溶解性とエッチング性能の点から、フッ化水
素：フッ化アンモニウム（重量比）＝１：２〜２：１程
度の範囲にあることが好ましく、特に、１：１．３〜
１．３：１程度の範囲にあることがより好ましい。
面活性剤の溶解性とエッチング性能の点から、フッ化水
素：フッ化アンモニウム（重量比）＝１：２〜２：１程
度の範囲にあることが好ましく、特に、１：１．３〜
１．３：１程度の範囲にあることがより好ましい。
【００２２】本発明エッチング組成物は、上記した配合
量の範囲内において、表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下であ
って、消泡時間が１分以内となるように調製することが
好ましい。上記した特定の含フッ素界面活性剤を用いる
ことによって、前述した配合割合の範囲内において、表
面張力及び消泡時間を上記範囲内とすることが可能であ
り、良好な特性のエッチング組成物が得られる。
量の範囲内において、表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下であ
って、消泡時間が１分以内となるように調製することが
好ましい。上記した特定の含フッ素界面活性剤を用いる
ことによって、前述した配合割合の範囲内において、表
面張力及び消泡時間を上記範囲内とすることが可能であ
り、良好な特性のエッチング組成物が得られる。
【００２３】本発明のエッチング組成物は、各成分を混
合することによって調製することができ、その添加順序
に制限はない。例えば、フッ化水素酸又はフッ化アンモ
ニウム水溶液のいずれか一方に、含フッ素界面活性剤の
必要量を溶解させた後、他方を混合する方法、フッ化水
素酸とフッ化アンモニウム水溶液を予め混合し、これに
含フッ素界面活性剤の必要量を添加し、溶解する方法な
どによって、調製できる。
合することによって調製することができ、その添加順序
に制限はない。例えば、フッ化水素酸又はフッ化アンモ
ニウム水溶液のいずれか一方に、含フッ素界面活性剤の
必要量を溶解させた後、他方を混合する方法、フッ化水
素酸とフッ化アンモニウム水溶液を予め混合し、これに
含フッ素界面活性剤の必要量を添加し、溶解する方法な
どによって、調製できる。
【００２４】本発明のエッチング組成物は、特に、半導
体のウエットエッチング用組成物として有用であり、常
法に従って、各種シリコン酸化膜のエッチングに用いる
ことができる。
体のウエットエッチング用組成物として有用であり、常
法に従って、各種シリコン酸化膜のエッチングに用いる
ことができる。
【００２５】
【発明の効果】本発明のエッチング組成物は、シリコン
酸化膜やレジスト膜への濡れ性が良好であり、半導体集
積回路製造の際にレジスト膜で形成された微細パターン
を均一にエッチングすることができる。また、使用する
界面活性剤の溶解性が良好であり、界面活性剤が分離析
出することなく、長期間安定に使用できる。更に、消泡
性に優れ、エッチングむらやエッチング不良を生じ難
い。
酸化膜やレジスト膜への濡れ性が良好であり、半導体集
積回路製造の際にレジスト膜で形成された微細パターン
を均一にエッチングすることができる。また、使用する
界面活性剤の溶解性が良好であり、界面活性剤が分離析
出することなく、長期間安定に使用できる。更に、消泡
性に優れ、エッチングむらやエッチング不良を生じ難
い。
【００２６】
【実施例】次に、実施例及び比較例を示して、本発明を
詳細に説明する。尚、実施例及び比較例において、
「％」とあるのは、「重量％」を意味する。
詳細に説明する。尚、実施例及び比較例において、
「％」とあるのは、「重量％」を意味する。
【００２７】実施例１ ５０％フッ化水素酸、４０％フッ化アンモニウム水溶
液、及び超純水を用いて、フッ化水素１０％及びフッ化
アンモニウム１０％を含有する混合溶液を調製した。こ
の混合溶液に下記表１〜３に示す各界面活性剤を表中に
示す濃度となるように添加して、エッチング組成物を調
製し、下記の方法で溶解性、表面張力、及び消泡時間を
測定した。結果を下記表１〜３に示す。
液、及び超純水を用いて、フッ化水素１０％及びフッ化
アンモニウム１０％を含有する混合溶液を調製した。こ
の混合溶液に下記表１〜３に示す各界面活性剤を表中に
示す濃度となるように添加して、エッチング組成物を調
製し、下記の方法で溶解性、表面張力、及び消泡時間を
測定した。結果を下記表１〜３に示す。
【００２８】（試験方法） 溶解性：試料を透明な容器に入れて、溶液中の結晶の存
在の有無を目視により調べた。
在の有無を目視により調べた。
【００２９】表面張力：（株）島津製作所製のデュヌイ
の表面張力計を用い、２５℃における表面張力を測定し
た。
の表面張力計を用い、２５℃における表面張力を測定し
た。
【００３０】消泡時間：２５０ｍｌの容器に試料を１０
０ｇとり、振とう機で１分間激しく振とうを行った後、
表面の泡が消えるまでの時間を測定した。
０ｇとり、振とう機で１分間激しく振とうを行った後、
表面の泡が消えるまでの時間を測定した。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】以上の結果から判る様に、本発明品１〜５
における特定の含フッ素界面活性剤を含有するエッチン
グ組成物は、界面活性剤の溶解性が良好であって、表面
張力が低く、しかも低消泡性であることが判る。
における特定の含フッ素界面活性剤を含有するエッチン
グ組成物は、界面活性剤の溶解性が良好であって、表面
張力が低く、しかも低消泡性であることが判る。
【００３５】これに対して、界面活性剤無添加の比較品
１の溶液は、表面張力７０ｍＮ／ｍとかなり高く、比較
品２〜５、８及び１０における炭化水素系界面活性剤を
用いたエッチング液は、界面活性剤濃度が５００ｐｐｍ
であっても、表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以上であり、濡
れ性が不十分である。また、比較品６、７及び９におけ
る炭化水素系界面活性剤を用いたエッチング液について
は、表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以下となるものの、消泡
時間が１０分以上であり実用的ではない。更に、比較品
１１及び１２で用いた含フッ素カルボン酸は、炭素数が
少なく、表面張力低下性能が不十分である。また、比較
品１３及び１４で用いた炭素数が多い含フッ素カルボン
酸と、比較品１５で用いた含フッ素スルホン酸は、溶解
性が不十分で結晶を生じやすく、微細なゴミが問題とさ
れる半導体のエッチングには、不適切である。
１の溶液は、表面張力７０ｍＮ／ｍとかなり高く、比較
品２〜５、８及び１０における炭化水素系界面活性剤を
用いたエッチング液は、界面活性剤濃度が５００ｐｐｍ
であっても、表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以上であり、濡
れ性が不十分である。また、比較品６、７及び９におけ
る炭化水素系界面活性剤を用いたエッチング液について
は、表面張力は、４０ｍＮ／ｍ以下となるものの、消泡
時間が１０分以上であり実用的ではない。更に、比較品
１１及び１２で用いた含フッ素カルボン酸は、炭素数が
少なく、表面張力低下性能が不十分である。また、比較
品１３及び１４で用いた炭素数が多い含フッ素カルボン
酸と、比較品１５で用いた含フッ素スルホン酸は、溶解
性が不十分で結晶を生じやすく、微細なゴミが問題とさ
れる半導体のエッチングには、不適切である。
【００３６】実施例２ ５０％フッ化水素酸、４０％フッ化アンモニウム水溶液
及び超純水を用いて、表２に示す各種濃度のフッ化水素
とフッ化アンモニウムの混合溶液を調製し、これに、表
４に示す種類及び添加量の界面活性剤を添加して、各種
エッチング組成物を得た。これらのエッチング組成物を
用いて、実施例１と同様の方法によって、溶解性、表面
張力、及び消泡時間を測定した。結果を下記表４に示
す。
及び超純水を用いて、表２に示す各種濃度のフッ化水素
とフッ化アンモニウムの混合溶液を調製し、これに、表
４に示す種類及び添加量の界面活性剤を添加して、各種
エッチング組成物を得た。これらのエッチング組成物を
用いて、実施例１と同様の方法によって、溶解性、表面
張力、及び消泡時間を測定した。結果を下記表４に示
す。
【００３７】
【表４】
【００３８】以上の結果から明らかなように、フッ化水
素５〜２５重量％及びフッ化アンモニウム５〜２５重量
％を含有する水溶液中では、本発明品６〜１２において
用いた特定の界面活性剤を配合することによって、界面
活性剤の溶解性が良好で、表面張力が４０ｍＮ／ｍ以
下、消泡時間が１分以内の良好なエッチング液が得られ
る。
素５〜２５重量％及びフッ化アンモニウム５〜２５重量
％を含有する水溶液中では、本発明品６〜１２において
用いた特定の界面活性剤を配合することによって、界面
活性剤の溶解性が良好で、表面張力が４０ｍＮ／ｍ以
下、消泡時間が１分以内の良好なエッチング液が得られ
る。
【００３９】これに対して、比較品１６及び１７として
示したようにフッ化水素又はフッ化アンモニウムの濃度
が低い場合には、界面活性剤の添加量が少ない場合に
も、消泡時間が長くなる。また、比較品１８〜２０とし
て示した様に、フッ化水素又はフッ化アンモニウムの濃
度が高すぎると、含フッ素界面活性剤の溶解性が劣るも
のとなる。
示したようにフッ化水素又はフッ化アンモニウムの濃度
が低い場合には、界面活性剤の添加量が少ない場合に
も、消泡時間が長くなる。また、比較品１８〜２０とし
て示した様に、フッ化水素又はフッ化アンモニウムの濃
度が高すぎると、含フッ素界面活性剤の溶解性が劣るも
のとなる。
Claims (5)
- 【請求項１】フッ化水素５〜２５重量％及びフッ化アン
モニウム５〜２５重量％を含有する水溶液中に、一般
式： Ｈ（ＣＦ2）ｎＣＯＯＨ（式中、ｎは６〜８の整数
である）で表される含フッ素カルボン酸、一般式：ＣＦ
3（ＣＦ2）ｍＣＯＯＨ（式中、ｍは４〜６の整数であ
る）で表される含フッ素カルボン酸、及びこれらの含フ
ッ素カルボン酸の塩から選ばれる少なくとも一種の含フ
ッ素界面活性剤を配合してなるエッチング組成物。 - 【請求項２】含フッ素界面活性剤の配合量が０．０００
１〜０．０５重量％である請求項１に記載のエッチング
組成物。 - 【請求項３】フッ化水素とフッ化アンモニウムの配合割
合が、フッ化水素：フッ化アンモニウム（重量比）＝
１：３〜３：１である請求項１又は２に記載のエッチン
グ組成物。 - 【請求項４】表面張力が４０ｍＮ／ｍ以下であって、消
泡時間が１分以内である請求項１〜３のいずれかに記載
のエッチング組成物。 - 【請求項５】半導体のウエットエッチング用組成物であ
る請求項１〜４のいずれかに記載のエッチング組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183198A JPH11238725A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | エッチング組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4183198A JPH11238725A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | エッチング組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238725A true JPH11238725A (ja) | 1999-08-31 |
Family
ID=12619222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4183198A Pending JPH11238725A (ja) | 1998-02-24 | 1998-02-24 | エッチング組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11238725A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100760235B1 (ko) | 2006-12-12 | 2007-09-20 | 제일모직주식회사 | 고밀도 플라즈마 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액 |
| JP2013233795A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-11-21 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド及びその製造方法 |
| JP2019091890A (ja) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法 |
-
1998
- 1998-02-24 JP JP4183198A patent/JPH11238725A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100760235B1 (ko) | 2006-12-12 | 2007-09-20 | 제일모직주식회사 | 고밀도 플라즈마 실리콘 산화막 선택성 습식 식각용액 |
| JP2013233795A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-11-21 | Canon Inc | 液体吐出ヘッド及びその製造方法 |
| JP2019091890A (ja) * | 2017-11-14 | 2019-06-13 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法 |
| JP2023001302A (ja) * | 2017-11-14 | 2023-01-04 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR900000739B1 (ko) | 부식제 조성물 | |
| KR960013146B1 (ko) | 마이크로 프로세싱용 표면처리 조성물 | |
| US7811978B2 (en) | Fluorinated sulfonamide surfactants for aqueous cleaning solutions | |
| US4517106A (en) | Soluble surfactant additives for ammonium fluoride/hydrofluoric acid oxide etchant solutions | |
| US5496485A (en) | Etching compositions | |
| EP0201808B1 (en) | Soluble fluorinated cycloalkane sulfonate surfactant additives for NH4F/HF oxide etchant solutions | |
| EP0691676B1 (en) | Wet-etching composition for semiconductors excellent in wettability | |
| JPH05251416A (ja) | 低表面張力アンモニア水組成物 | |
| US7354890B2 (en) | Cleaning composition and method | |
| KR20070097070A (ko) | 미세 가공 처리제 및 이를 사용한 미세 가공 처리 방법 | |
| JPH11238725A (ja) | エッチング組成物 | |
| JPH02240285A (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| US7112289B2 (en) | Etchants containing filterable surfactant | |
| JPH05275407A (ja) | 硫酸組成物 | |
| JP3353359B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPH05238705A (ja) | 硫酸組成物 | |
| JPH09286999A (ja) | シリコンウェハ洗浄用組成物 | |
| JPH0762386A (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| US11174399B2 (en) | Surface treatment method for imparting alcohol repellency to semiconductor substrate | |
| JPS62109985A (ja) | エツチング用組成物 | |
| KR100262528B1 (ko) | 반도체 소자의 실리콘 산화막 식각방법 | |
| JPH0133550B2 (ja) | ||
| JP2002069674A (ja) | 濡れ性に優れた半導体用ウエツトエツチング組成物 | |
| TW202206584A (zh) | 用於去除蝕刻殘餘物的清洗液 | |
| JPH04323300A (ja) | 低表面張力硫酸組成物 |