JP2013233795A - 液体吐出ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、独立供給口の表面側の開口の寸法を精度よく制御することができる液体吐出ヘッドの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、（１）基板の第一の面上における独立供給口を形成する領域に相当する部分にエッチングストップ層を形成する工程と、（２）前記基板の第二の面側からドライエッチング処理を前記エッチングストップ層に達するまで行う工程と、（３）前記ドライエッチング処理を実施した後、等方性エッチングにより、前記エッチングストップ層を除去し、前記独立供給口を形成する工程と、を含み、前記等方性エッチングに対するエッチング耐性を有するサイドエッチングストッパー部を前記エッチングストップ層の側面周囲に形成した状態で前記等方性エッチングを行うことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法である。
【選択図】図４

Description

本発明は、液体吐出ヘッド及びその製造方法に関する。

インクジェットプリント方式におけるインクジェット記録ヘッドは、一般に、溶液を吐出するための吐出口と、該吐出口に連通する液体流路と、該液体流路内に設けられる吐出エネルギー発生素子と、を備えている。そして、このインクジェット記録ヘッドは、吐出エネルギー発生素子と吐出口との位置関係の点で、大きく２つの形態に分けることができる。この２つの形態とは、気泡の成長方向と吐出方向とが異なる（ほぼ垂直である）、エッジシューター型インクジェットヘッドと、気泡の成長方向と吐出方向とがほぼ同じである、サイドシューター型インクジェットヘッドである。

サイドシューター型インクジェットヘッドは、例えば、以下の工程（１）〜（４）によって製造することができる。（１）吐出エネルギー発生素子が形成された基板（基体）上に、溶解可能な樹脂を用いてインク流路の型パターンを形成する工程。（２）エポキシ樹脂を含む被覆樹脂を型パターン上にソルベントコートすることによって、インク流路壁を構成する流路形成部材を形成する工程。（３）吐出エネルギー発生素子の上方の被覆樹脂層に、インク吐出口を形成する工程。（４）溶解可能な樹脂からなる型パターンを溶出する工程。

以下、図１（ａ）〜（ｅ）に従って、上記の製法について詳細に説明する。

まず、図１（ａ）に示すように、吐出エネルギー発生素子２２が第一の面（表面とも称す）に形成された基板２１上に、溶解可能な樹脂を用いてインク流路の型パターン２３を形成する。

ここで、基板２１上には、電気熱変換素子あるいは圧電素子等の吐出エネルギー発生素子２２が、所望の個数、配置されている。吐出エネルギー発生素子２２によって、記録液としてのインク小滴を吐出するためのエネルギーがインクに与えられる。

吐出エネルギー発生素子２２として電気熱変換素子が用いられる場合、電気熱変換素子が近傍の記録液を加熱することにより、記録液に状態変化を生起させ吐出エネルギーを発生させる。また、吐出エネルギー発生素子２２として圧電素子が用いられる場合、圧電素子の機械的振動によって、吐出エネルギーが発生される。

次いで、図１（ｂ）のように、インク流路の型となる型パターン２３上に、さらに感光性を有する被覆樹脂層２４をスピンコート法、ロールコート法等で形成する。

次いで、図１（ｃ）に示すように、被覆樹脂層２４に対して、マスクを介してパターン露光を行い、現像することにより、吐出口２５を形成する。

感光性の被覆樹脂層２４としては、例えば、ネガ型レジストを用いることができる。被覆樹脂層２４がネガ型レジストからなる場合、吐出口を形成する部分及び電気的な接続を行う部分（不図示）をマスクで遮蔽する。

パターン露光は、使用する光カチオン重合開始剤の感光領域に合わせて紫外線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、電子線、Ｘ線等から適宜選択することができる。

次いで、図１（ｄ）に示すように、インクをインク流路に供給するためのインク供給口２７を形成する。この際、ノズル部材となる被覆樹脂層２４がダメージを受けないように、環化ゴムなどの保護材２６を用いてシリコン基板のノズルを形成した側の面を保護してもよい。また、インク供給口２７を形成した後、保護層を除去しても良い。

また、インク供給口は、基板２１に貫通穴を形成できる手段であれば、いずれの方法も使用できる。例えば、ドリル等の機械的手段にて形成してもよく、レーザ等の光エネルギーを使用してもよい。また、基板２１にレジストパターンを形成して化学的にエッチングすることにより貫通穴を形成してもよい。

次いで、図１（ｅ）に示すように、溶剤によって溶解可能な樹脂からなる型パターン２３を溶出し、インク流路を形成する。

型パターン２３の溶出は、基板を溶剤に浸漬したり、溶剤をスプレーにて拭きつけたりすることによって、容易に行われる。また、超音波等を併用すれば、さらに溶出時間を短縮できる。

このようにしてインク流路及びインク吐出口が形成された基板２１に対して、インク供給のための部材の取り付けや、吐出エネルギー発生素子２２を駆動するための電気的接合（図示せず）を行って、インクジェット記録ヘッドが作製される。

特許文献２には、熱エネルギー供給手段に対向するオリフィスを備え、熱エネルギー発生手段の近傍において熱エネルギー発生手段からみて互いに異なる２つの方向にノズル壁を配置した構造を有する液体吐出ヘッドが開示されている。

また、特許文献３には、以下の工程により液体吐出ヘッドを形成する方法が記載されている。（１）ヒータ層の上下に無機系の絶縁膜を配置して、最初にヒータ近傍に独立した独立供給口（Ｉｎｋ Ｆｅｅｄ）をインクジェット記録ヘッド用基板の表面から形成する。（２）該記録ヘッド用基板の裏面から強アルカリ性のエッチング液を用いた異方性エッチングにより、第１の共通インク供給口を形成する。（３）スプレーコーターなどでレジスト膜を塗布してパターニングを行い、その後、第２の共通インク供給口を形成して、上記独立供給口と連通させる。特許文献３では、独立供給口をインクジェット記録ヘッド用基板の表面から形成するために、該基板の裏面から独立供給口を介して、ヒータ層の上下に配置した無機系の絶縁膜を除去する工程が不要である。しかし、表面に深い独立供給口を形成した後に、前記インクジェット記録ヘッド用基板上に、高精度にノズルを積層するのが難しい。また、前記独立供給口を一時的に、埋め込む材料も必要になり、この埋め込み材料を平坦に埋め込むプロセスも複雑になる。さらに、最後には、ノズルを形成するために、前記埋め込み材料を安定的に除去する必要がある。

また、特許文献４には、以下のインクジェット記録ヘッドの製造方法が開示されている。つまり、特許文献１に開示されたインクジェット記録ヘッドにおいて、共通インク供給口が形成される領域にて、Ｐ−ＳｉＯ膜とＰ−ＳｉＮ膜との間に、ヒータ膜であるＴａＳｉＮ膜を配し、異方性エッチングを行う。そして、Ｐ−ＳｉＯ膜をＢＨＦなどの酸性を有する溶液で除去する際に、Ｐ−ＳｉＮ膜を介して、前記溶解可能な樹脂材料層２３や、前記感光性被覆樹脂層２４などへのダメージを解消する。

また、特許文献５及び６では、独立供給口を有するヘッドにおいて、独立供給口を介して、該独立供給口にノズルにインクが充填される対称ノズル構成を実現する該記録ヘッドのノズル配置構成や、独立供給口の配置構成を規定した構造が開示されている。

特開平６―２８６１４９号公報 特開平５−１１６３１７号公報 ＵＳＰ６５３４２４７号 特開２００６−１５０７４４公報 特開２００９−０３９９１４公報 特開２００９−１９６２４４公報

本発明の目的は、独立供給口の表面側の開口の寸法を精度よく制御することができる液体吐出ヘッドの製造方法を提供することである。

本発明の一形態は、
液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子を第一の面上に有し、かつ前記第一の面と反対側の面である第二の面側から第一の面に達する独立供給口を有する基板を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
（１）前記第一の面上における前記独立供給口を形成する領域に相当する部分にエッチングストップ層を形成する工程と、
（２）前記基板の第二の面側からドライエッチング処理を前記エッチングストップ層に達するまで行う工程と、
（３）前記ドライエッチング処理を実施した後、等方性エッチングにより、前記エッチングストップ層を除去し、前記独立供給口を形成する工程と、
を含み、
前記等方性エッチングに対するエッチング耐性を有するサイドエッチングストッパー部を前記エッチングストップ層の側面周囲に形成した状態で前記等方性エッチングを行うことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法である。

サイドエッチングストッパー部は、プラズマを用いて形成したシリコン酸化膜などのエッチングストップ層を除去する際のサイドエッチングを抑制する機能を有する。

本発明の一形態は、
液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子を第一の面上に有し、かつ前記第一の面と反対側の面である第二の面側から第一の面に達する独立供給口を有する基板と、
前記液体を吐出する吐出口と、該吐出口及び前記独立供給口に連通する液体流路と、を構成し、前記基板の第一の面上に設けられる樹脂基板と、
を備える液体吐出ヘッドであって、
前記独立供給口の内壁のうち前記第一の面側の上端部分が金属保護膜で構成されていることを特徴とする液体吐出ヘッドである。

本発明の液体吐出ヘッドの製造方法によれば、独立供給口の第一の面側の開口寸法を精度良く制御することができる。

従来のインクジェット記録ヘッドの製造工程を説明するための断面工程図である。 本実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの斜視図である。 本実施形態に係るインクジェット記録ヘッド用基板のヒータ、及び、独立供給口を含む領域の模式的上面図である。 本実施形態に係るインクジェット記録ヘッド用基板の構成例を説明するための模式的断面図である。 実施例１に記載した図２Ｂで示したインクジェット記録ヘッド用基板の点線ＡＡ’による断面における模式図である。 実施例１に記載したインクジェット記録ヘッドの製造工程を説明するための模式的工程断面図である。 実施例２に記載したインクジェット記録ヘッド用基板の模式的断面図である。 実施例３に記載したインクジェット記録ヘッド用基板の模式的断面図である。 実施例１に記載した図２Ａで示したインクジェット記録ヘッドの点線ＢＢ’による断面における模式図である。 実施例１に記載した図２Ａで示したインクジェット記録ヘッドの点線ＣＣ’による断面における模式図である。 比較例１に記載したインクジェット記録ヘッド用基板の模式的断面図である。 比較例１に記載したインクジェット記録ヘッドの製造工程を説明するための模式的工程断面図である。 インクジェット記録ヘッドを実装したインクジェットヘッドユニットの構成を示す模式図である。 実施例４に記載したインクジェット記録ヘッド用基板の模式的断面図である。 実施例５に記載したインクジェット記録ヘッド用基板の模式的断面図である。 実施例１〜４及び比較例１で作製したインクジェット記録ヘッドを実装したインクジェットヘッドユニットを用いた吐出耐久試験結果を示す図である。

本実施形態は、液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子を第一の面（表面）上に有し、かつ前記第一の面と反対側の面である第二の面（裏面）側から第一の面に達する独立供給口を有する基板を備える液体吐出ヘッドの製造方法に関する。また、本実施形態は、前記第一の面上における前記独立供給口を形成する領域に相当する部分にエッチングストップ層を形成する工程（１）を有する。また、前記基板の第二の面側からドライエッチング処理を前記エッチングストップ層に達するまで行う工程（２）を有する。また、前記ドライエッチング処理を実施した後、等方性エッチングにより、前記エッチングストップ層を除去し、前記独立供給口を形成する工程（３）を有する。そして、本実施形態は、前記等方性エッチングに対するエッチング耐性を有するサイドエッチングストッパー部を前記エッチングストップ層の側面周囲に形成した状態で前記等方性エッチングを行う。

本発明によれば、独立供給口の第一の面側の開口寸法を精度よく制御することができる。したがって、吐出エネルギー発生素子から独立供給口までの距離や形状、または吐出口から独立供給口までの距離や形状などを、高精度に形成することができる。

以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。

図２Ａは、本実施形態によるインクジェット記録ヘッドの模式的斜視図を示している。図２Ａにおいて、半導体基板２００上に樹脂基板２２０が積層されている。半導体基板２００の第一の面（表面）上には、吐出エネルギー発生素子としてのヒータ２０１が配されている。また、半導体基板２００には、第一の面と反対側の面である第二の面（裏面）から第一の面まで半導体基板を貫通するように、独立供給口２０２が形成されている。また、独立供給口の第一の面側の開口に沿ってサイドエッチングストッパー部２１０が設けられている。

樹脂基板２２０は、インク吐出口２１３及び該インク吐出口２１３に連通するインク流路を構成し、独立供給口２０２からインク流路に供給されたインクはインク吐出口２１３から吐出される。樹脂基板２２０は、ヒータ２０１で発生した気泡と、隣のヒータで発生する気泡との干渉を抑制するノズル壁２１４を有する。また、ヒータ２０１で発生した気泡によって、インク吐出口２１３からインク滴を飛翔させる。また、樹脂基板２２０内には、独立供給口２０２からヒータ２０１へのインクの流れを制御し、また樹脂基板の凹みを抑制する支柱２１５が、複数の独立供給口２０２間に形成されている。

図２Ｂは、本実施形態におけるインクジェット記録ヘッド用基板の模式的平面図を示している。

図２Ｂは、インクジェット記録ヘッド用基板上に形成されるインク流路へインクを供給するために形成される独立供給口２０２を配置した半導体基板（インクジェット記録ヘッド用基板とも称す）を上面から見た図である。図２Ｂにおいて、２０１は気泡を発生するヒータであり、２０５はヒータ２０１に電気的に接続する第一の電気配線層であり、２０３は第二の電気配線層であり、２０４は第一の電気配線層２０５と第二の電気配線層２０３を接続するスルーホール部である。ヒータ２０１、第一の電気配線層２０５、第二の電気配線層２０３、スルーホール部は、全て８００℃以上の高温プロセス（ＬＯＣＯＳ工程）で形成される熱酸化膜（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜とも称す）上に形成されている。

第一の電気配線層２０５と第二の電気配線層２０３との間の層間絶縁層をなすシリコン酸化膜（Ｐ−ＳｉＯ膜）はプラズマＣＶＤ法によって形成されている。なお、シリコン酸化膜（Ｐ−ＳｉＯ膜）は、スルーホール部２０４において除去されている。

後述するが、層間絶縁層をなすシリコン酸化膜（Ｐ−ＳｉＯ膜）は、独立供給口２０２を、半導体基板２００の裏面からシリコンドライエッチングで形成する際のエッチングストップ層としての機能も有する。また、独立供給口２０２の第一の面側の開口周囲には、シリコン酸化膜（Ｐ−ＳｉＯ膜）を除去する際のサイドエッチングを抑制し、独立供給口２０２の開口径を規定するサイドエッチングストッパー部２１０が配置されている。

図２Ａに示す本実施形態のインクジェット記録ヘッドは、図２Ｂで示したインクジェット記録ヘッド用基板上に、樹脂基板２２０が積層された形態を有する。樹脂基板２２０内には、ヒータ２０１で発生した気泡を隣のヒータで発生した気泡との干渉を抑制し、吐出口２１３からある一定量のインク滴を安定的に飛翔させるためのノズル壁（流路壁とも称す）２１４が形成されている。複数のヒータ２０１列間に複数のインク吐出口２１３が配置されている。また、複数の独立供給口２０２の間には、独立供給口２０２からインク吐出口２１３に安定的にインクが充填されるための支柱２１５が配されている。支柱２１５は、樹脂基板２２０に形成されているオリフィスプレートの支えにもなっている。そして、独立供給口２０２の内周部には、独立供給口２０２の開口径を高精度に規定するサイドエッチングストッパー部２１０が配されており、ヒータ２０１に安定的に、且つ、高速にインクを充填する事ができる。

次に、図２Ｂで示したインクジェット記録ヘッド用基板を含む記録ヘッド用基体の作用について説明する。

ヒータ２０１は、共通電気配線（不図示）から第二の電気配線層２０３から駆動電圧を供給されている。また、第二の電気配線層２０３は、スルーホール部２０４を介して、第一の電気配線層２０５に接続され、ヒータ２０１を個別に駆動させる機能素子（不図示）に接続されている。機能素子を含むインクジェット記録ヘッド用基板の構成、及び、製造方法については、図３に開示している。

図３（ａ）は、インクジェット記録ヘッド用基板の主要素子を縦断するように切断したときの模式的断面図である。

図３（ａ）に示すように、まず、Ｐ型シリコン基板１（不純物濃度１×１０¹²〜１×１０¹⁶ｃｍ^-3程度）の表面に、８０００Å程度のシリコン酸化膜を形成した後、各セルのＮ型コレクタ埋込領域２を形成する部分のシリコン酸化膜をフォトリソグラフィ工程で除去する。シリコン酸化膜を形成した後、Ｎ型の不純物（たとえば、Ｐ，Ａｓなど）をイオン注入し、熱拡散により不純物濃度１×１０¹⁸ｃｍ^-3以上のＮ型コレクタ埋込領域２を厚さ２〜６μｍほどで形成し、シート抵抗が８０Ω／□以下の低抵抗となるようにする。続いて、Ｐ型アイソレーション埋込領域３を形成する領域のシリコン酸化膜を除去し、１０００Å程度のシリコン酸化膜を形成する。その後、Ｐ型不純物（たとえば、Ｂなど）をイオン注入し、熱拡散により不純物濃度１×１０¹⁵〜１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上のＰ型アイソレーション埋込領域３を形成する。

次に、全面のシリコン酸化膜を除去した後、Ｎ型エピタキシャル領域４（不純物濃度１×１０¹³〜１×１０¹⁵ｃｍ^-3程度）を厚さ５〜２０μｍ程度にエピタキシャル成長させる。

次に、Ｎ型エピタキシャル領域４の表面に１０００Å程度のシリコン酸化膜を形成し、レジストを塗布し、パターニングを行い、低濃度Ｐ型ベース領域５を形成する部分にのみＰ型不純物をイオン注入する。レジスト除去後、熱拡散によって低濃度Ｐ型ベース領域５（不純物濃度１×１０¹⁴〜１×１０¹⁷ｃｍ^-3程度）を厚さ５〜１０μｍほどで形成する。

Ｐ型ベース領域５は、Ｐ型アイソレーション埋込領域３を形成後に、酸化膜を除去する。その後、５×１０¹⁴〜５×１０¹⁷程度の低濃度Ｐ型エピタキシャル層を３〜１０μｍ程度ほど成長させることでも形成できる。

その後、再びシリコン酸化膜を全面除去し、さらに８０００Å程度のシリコン酸化膜を形成する。その後、Ｐ型アイソレーション領域６を形成すべき領域のシリコン酸化膜を除去し、ＢＳＧ膜を全面にＣＶＤ法を用いて堆積する。さらに、熱拡散によって、Ｐ型アイソレーション埋込領域３に届くように、Ｐ型アイソレーション領域６（不純物濃度１×１０¹⁸〜１×１０²⁰ｃｍ^-3程度）を厚さ１０μｍ程度に形成する。ここでは、ＢＢｒ₃を拡散源として用いてＰ型アイソレーション領域６を形成することも可能である。

また、前述した如く、Ｐ型エピタキシャル層を用いると、上記Ｐ型アイソレーション埋込領域３及びＰ型アイソレーション領域６が不要な構造も可能である。この場合、Ｐ型アイソレーション埋込領域３、Ｐ型アイソレーション領域６、低濃度ベース領域５を形成するためのフォトリソ工程及び高温の不純物拡散工程を削除することもできる。

次に、ＢＳＧ膜を除去した後、８０００Å程度のシリコン酸化膜を形成し、さらに、Ｎ型コレクタ領域７を形成する部分のみシリコン酸化膜を除去する。その後、Ｎ型の固相拡散およびリンイオンを注入しあるいは熱拡散によって、コレクタ埋込領域５に届きかつシート抵抗が１０Ω／□以下の低抵抗となるようにＮ型コレクタ領域７（不純物濃度１×１０¹⁸〜１×１０²⁰ｃｍ^-3程度）を形成する。このとき、Ｎ型コレクタ領域７の厚さは約１０μｍとした。続いて、１２５００Å程度のシリコン酸化膜を形成し、蓄熱層１０１を形成した後、セル領域のシリコン酸化膜を選択的に除去する。

蓄熱層１０１は、Ｎ型コレクタ領域７を形成した後、１０００〜３０００Åのシリコン熱酸化膜を形成することにより形成できる。また、蓄熱層１０１として、ＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法、スパッタリング法等でＢＰＳＧ（ボロンとリンを含んだシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンを含んだシリケートガラス）、ＳｉＯ₂，ＳｉＯＮ，ＳｉＮ等の膜を形成しても良い。その後、２０００Å程度のシリコン酸化膜を形成する。

次に、レジストパターニングを行い、高濃度ベース領域８および高濃度アイソレーション領域９を形成する部分にのみＰ型不純物の注入を行う。レジストを除去した後、Ｎ型エミッタ領域１０および高濃度Ｎ型コレクタ領域１１を形成すべき領域のシリコン酸化膜を除去し、熱酸化膜を全面に形成する。その後、Ｎ型不純物を注入した後、熱拡散によってＮ型エミッタ領域１０および高濃度Ｎ型コレクタ領域１１を同時に形成する。なお、Ｎ型エミッタ領域１０および高濃度Ｎ型コレクタ領域１１の厚さは、例えば、それぞれ１．０μｍ以下、不純物濃度は１×１０¹⁸〜１×１０²⁰ｃｍ^-3程度である。

さらに、一部電極の接続箇所のシリコン酸化膜を除去した後、ＡＬ１層を全面堆積し、一部電極領域以外のＡＬ１膜を除去する。

そして、２５０℃の温度で、プラズマＣＶＤ法により蓄熱層としての機能も有する層間絶縁膜１０２となるシリコン酸化膜（Ｐ−ＳｉＯ膜）を全面に０．６〜１．０μｍ程度で形成する。

この層間絶縁膜１０２は常圧ＣＶＤ法によるものであってもよい。またＳｉＯ膜に限らずＳｉＯ_xＮ_y膜，ＳｉＯ_x膜またはＳｉＮ_x膜であってもよい。但し、下部層に形成した素子へのダメージを考慮すると、３００℃以上の高温で成膜することは望ましくない。また、１００℃以下の低温では、電気配線層間の絶縁を維持できる緻密な膜を形成する事ができない場合がある。以上の理由から、成膜温度は、１００℃〜３００℃である事が好ましく、２００℃〜２５０℃であることがより好ましい。

次に、電気的接続をとるために、エミッタ領域およびベース・コレクタ領域の上部にあたる層間膜１０２の一部をフォトリソグラフィ法で開口し、スルーホールＴＨを形成する。

層間絶縁膜１０２、保護層１０５等の絶縁膜をエッチングする際、ＮＨ₄Ｆ＋ＣＨ₃ＣＯＯＨ＋ＨＦ等の混酸エッチング液を用いることができる。また、この混酸エッチング液を用い、レジスト（マスク用フォトレジスト）と絶縁膜の界面にエッチング液を侵み込ませることで、エッチング断面形状として、テーパー（法線に対して３０度以上７５度以下が好ましい）をつけたものとすることができる。これは、層間膜上に形成する各膜のステップカバレージ性に優れ、製造プロセスの安定化、歩留り向上に役立つ。

次に、発熱抵抗層１０３としてＴａＳｉＮを層間膜１０２上と、電気的接続をとるためにエミッタ領域およびベース・コレクタ領域の上部にあたる電極１３および電極１２上とに、スルーホールＴＨを通して２００〜１０００Åほど堆積する。

次に、発熱抵抗層１０３の上に、電気熱変換素子の一対の配線電極１０４としてのＡＬ２層を約５０００Å堆積させる。そして、ＡＬ２層およびＴａＳｉＮ層（発熱抵抗層１０３）をパターニングし、電気熱変換素子とその他配線とを同時に形成する（図３Ａに示した模式的断面図に平行な方向のみ）。

次に、図３（ｂ）に示したように、発熱部１１０（以下、ヒータと呼ぶ）を形成するために、膜厚：１．００±０．２μｍのフォトレジストを塗布し、パターニング後に、ヒータ層上のＡＬ２膜のみをウェットエッチングで除去する。ＡＬ２膜の除去部分は、テーパー形状とすることができる。使用したエッチング液は、硝酸、フッ酸、酢酸の混合液を用いて、上述のように、レジストとＡＬ２膜との界面にエッチング液を浸み込ませることで、エッチング断面形状として、テーパーを付ける事ができる。

その後、ＰＣＶＤ法等により、電気熱変換素子の金属保護層１０６およびＡｌ配線間の絶縁層としてのＳｉＮ膜１０５を約３０００Å堆積させる。また、保護膜１０５は、ＳｉＮ膜以外にも、ＳｉＯ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ、ＳｉＣ等の膜や、該無機絶縁膜の積層膜でもよい。

その後、耐キャビテーションのための金属保護層１０６としてＴａを電気熱変換体の発熱部上部に２０００〜３０００Åほど堆積させる。

以上のようにして形成されたＴａ膜１０６およびＳｉＮ膜１０５を部分的に除去し、ボンディング用のパッド（不図示）を形成する。

また、図３（ｃ）には、インクジェット記録ヘッド用基板のヒータ部を縦断するように切断したときの模式的断面図を示している。

図３（ｃ）において、機能素子を含めた主要素子部は、図３（ａ）と同様に形成されている。しかし、層間膜であるＰ−ＳｉＯ膜３０４上に、第二の電気配線層（ＡＬ２膜）３０５をスパッタリング法で形成した後、図３（ｃ）の模式的断面図と平行な方向（一部垂直な方向を含む）にドライエッチング法で、垂直にパターニングした後に、ヒータ部３１０部分のみを再度、ドライエッチング法でテーパー形状にパターニングする。その際は、マスクレジストを１．０±０．２μｍの厚さで塗布した後、ソフトベークして、マスクレジスト層下のＡＬ２膜３０５との密着性を弱くしておく。その後、等方性のドライエッチング技術で、エッチングガスが前記マスクレジストとＡＬ２膜との界面近傍に入りやすく、且つ、該エッチングガスによるマスクレジスト端面の後退を促進させながら、約６０°のテーパー形状を実現する。なお、マスクレジストの膜厚が、１．３μｍ以上になると、該レジストのパターニング後の形状にもテーパーが付いてしまって、エッチングガスでマスクレジストが後退する際に、途中で、端面が破られ、ＡＬ２膜のテーパー形状が歪んでしまう場合がある。そのため、ＡＬ２膜３０５上に、ヒータ材層３０６をスパッタリング法で成膜し、ドライエッチング法でパターニングすることができる。

その後、ＰＣＶＤ法で、保護膜であるＰ−ＳｉＮ膜３０７を成膜し、続けて、耐キャビテーション膜であるＴａ膜３０８をスパッタリング法で成膜する。

以上のようにして形成されたＴａ膜３０８およびＰ−ＳｉＮ膜３０７を部分的に除去し、ボンディング用のパッド（不図示）を形成する。

（実施例１）
図４は、図２Ｂで示したインクジェット記録ヘッド用基板の点線ＡＡ’による断面における模式的断面図である。

図４に示すインクジェット記録ヘッド用基板は以下のように作製した。

まず、シリコン基板４０１上に、１０００℃の温度で熱拡散工程（ＬＯＣＯＳ：Ｌｏｃａｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ工程）により熱酸化膜４０２（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜、以下ＦＯｘ膜とも呼ぶ）を１．０μｍ厚で形成した。

次に、該熱酸化膜４０２上にＰＣＶＤ法を用いてＢＰＳＧ膜（ボロンとリンを含んだシリケートガラス膜）４０３を０．６μｍ厚で形成した。

次に、ＢＰＳＧ膜４０３、熱酸化膜４０２及びシリコン基板４０１上に、Ａｌ膜からなる第一の電気配線層４０４を０．４μｍ厚で形成した。

次に、第一の電気配線層４０４及び熱酸化膜４０２上に、Ｐ−ＳｉＯを用いて層間絶縁膜４０５を、２００℃の温度で、１．０μｍの膜厚で、プラズマＣＶＤ法によって形成した。

次に、層間絶縁膜４０５を介して、第一の電気配線層４０４と第二の電気配線層４０７（後述）との電気的接続を行うためのスルーホール部（不図示）を形成するために、層間絶縁膜４０５のパターニングをおこなった。その際に、サイドエッチングストッパー部４１１を配置するための凹部（以下、サイドエッチングストッパー配置部と称す）を層間絶縁膜４０５に形成した。

サイドエッチングストッパー配置部は、層間絶縁膜のうち独立供給口を形成する領域に相当する部分を囲むように凹部を形成することにより設けた。サイドエッチングストッパー部で囲まれる部分の層間絶縁膜は、独立供給口を形成する際のドライエッチングに対するストップ層として機能するため、以後、エッチングストップ層（４１２）と称す。

次に、層間絶縁膜４０５上にヒータ材層（発熱抵抗体層とも称す）４０６（厚さ０．０５μｍ）とＡｌ膜からなる第二の電気配線層４０７を（厚さ０．６μｍ）を形成した。ヒータ材層４０６と第二の電気配線層４０７の形成は、まず、スパッタリング法を用いてそれぞれの材料を連続して成膜し、ドライエッチング法でパターニングした。その後、ヒータ領域を形成するために、マスクレジスト（厚さ１．２μｍ）を塗布してパターニングした。その後、硝酸、フッ酸、酢酸の混合液を用いて、Ａｌ膜をテーパーエッチングした。

また、第二の電気配線層となるＡｌ膜を基板上に配置する際、サイドエッチングストッパー配置部にもヒータ材層の材料（窒化タンタル膜）と第二の電気配線層の材料（Ａｌ膜）を配置した。そして、Ａｌ膜を除去して、サイドエッチングストッパー配置部内に窒化タンタル膜を残した。

ヒータ材層の材料としては、Ｔａを主成分とする金属を用いることができる。Ｔａを主成分とする金属としては、特に限定するものではないが、例えば、ＴａＮ，ＴａＡｌ，ＴａＳｉ，ＴａＳｉＮ等が挙げられる。この他にも、ＷＳｉＮ等を用いてもよい。

次に、第二の電気配線層４０７、層間絶縁膜４０５の上に、保護膜４０８としてＰ−ＳｉＮ膜を０．３μｍ厚でＰＣＶＤ法を用いて形成した。その後、保護膜４０８上に、耐キャビテーション膜４０９としてＴａ膜を０．２５μｍ厚で、スパッタリング法を用いて形成した。その後、耐キャビテーション膜４０９および保護膜４０８を部分的に除去し、ボンディング用のパッド（不図示）を形成した。

図４に示した本実施形態のインクジェット記録ヘッド用基板では、サイドエッチングストッパー部４１１がエッチングストップ層４１２の側面周囲に設けられている。そのため、エッチングストップ層４１２を等方性エッチングにより除去する際、サイドエッチングストッパー部４１１がサイドエッチングを抑制することができる。また、本実施形態では、サイドエッチングストッパー部として、ヒータ材層の材料及び耐キャビテーション膜と同じ材料を配置している。ヒータ材層又は耐キャビテーション膜と同じ材料を用いてサイドエッチングストッパー部を構成することにより、ヒータ材層又は耐キャビテーション膜を形成する際に同時にサイドエッチングストッパー部を設けることができる。したがって、本実施形態では、サイドエッチングストッパー部は、ヒータ材層及び耐キャビテーション膜のうち少なくとも一方を凹部からなるサイドエッチングストッパー配置部に配置することにより、形成されることが好ましい。

図５は、図２Ｂ及び図４で示したインクジェット記録ヘッド用基板を用いたインクジェット記録ヘッドの製造工程を示している。

図５（ａ）は、図４で示したインクジェット記録ヘッド用基板である。

図５（ｂ）は、前記インクジェット記録ヘッド用基板上の表面に、該基板と後述の感光性の被覆樹脂層５１３との密着性を向上させる密着向上層５１１として、ＨＩＭＡＬ（日立化成社製）が、フォトリソグラフィプロセスで形成されている。

次いで、図５（ｃ）に示すように、インク流路の型となる型パターン５１２としてＰＭＩＰＫを含むポジ型レジスト層を形成する。

ＰＭＩＰＫを主成分とした塗布型レジストは、例えば、（株）東京応化工業から製品名：ＯＤＵＲ―１０１０として、市販されている。この被膜は汎用的なスピンコート法にて形成でき、レジスト膜を２３０〜３５０ｎｍの露光波長を有する露光機で、露光・現像することで、パターンが形成される。

次に、型パターン５１２を覆うように液流路構造体材料を塗布し、被覆樹脂層５１３を形成する。

液流路構造体材料は、例えば、特許第３１４３３０７号公報に記載されるエポキシ樹脂を主たる構成材料とする感光性材料である。この感光性材料は好ましくはキシレン等の芳香族系溶剤に溶解して塗布すれば、ＰＭＩＰＫとの相溶を防止できる。さらに、液流路構造体材料は露光・現像処理されて被覆樹脂層５１３を構成する。液流路構造体材料としてはネガ型レジストを用いることが好ましい。この場合、吐出口となる部分に光を照射させないフォトマスク（不図示）を適用する。また、被覆樹脂層５１３の上に撥水性被膜を形成する場合は、例えば、特開２０００−３２６５１５号公報に記載されるように、感光性撥水材層を形成し、液流路構造体材料と一括にて露光、現像することにより撥水性被膜を設けることが可能である。この時、感光性撥水層の形成はラミネートにより実施することが可能である。その後、液流路構造体材料と感光性撥水層を同時に露光する。一般的には液流路構造体材料としてはネガ型特性のものを使用するため、吐出孔となる部分に光を照射させないフォトマスク（不図示）を使用する。現像にはキシレン等の芳香族系溶剤を用いことが好ましい。

次いで、ノズル部材となる感光性の被覆樹脂層５１３がダメージを受けないように、環化ゴムなどの保護材（不図示）を被覆樹脂層５１３の上に形成した。そして、半導体基板５０１の第二の面（裏面）側から結晶異方性エッチングを行い、共通供給口（不図示）を形成した。共通供給口は、インクジェット記録ヘッド用基板を構成するシリコンウェハの厚みの７０〜９０％までの深さを有するように、ＴＭＡＨなどの強アルカリ性エッチング液を用いて形成した。具体的には、シリコン基板厚：６２５μｍのうち、５００μｍの深さまで、ＴＭＡＨ液を用いて、該シリコン基板に共通供給口を形成した。

次いで、シリコン基板５０１の裏面に形成された共通供給口の壁面に、スプレーコーターなどを使用して、厚さ：２〜１２μｍのポジ型フォトレジストを塗布した。その後、裏面露光機：ＵＸ−４２５８ＳＣ（ウシオ電機製）を用いて不図示のマスクを介してポジ型フォトレジストを露光し、続いて現像処理することにより、独立供給口を形成するためのパターニングマスクを共通供給口の底部に形成した。

次いで、図５（ｄ）に示すように、パターニングマスクを用いて、シリコンドライエッチング装置：Ｐｅｇａｓｕｓ（住友精密工業社製）を用いて、深さ：１２５μｍ、開口径：□４０×８０μｍの第一の開口５１４を形成した。第一の開口５１４を形成するためのドライエッチング処理はエッチングストップ層４１２に達するまで行った。また、ドライエッチング処理としては、ボッシュプロセスを用いたリアクティブイオンエッチングを用いた。

このドライエッチングの際、独立供給口を形成する領域上に配されたＰ−ＳｉＯ膜からなる層間絶縁膜が、エッチングストップ層として機能する。また、ボッシュプロセスによりシリコンをドライエッチングする際には、ＳＦ₆系のガスとＣＦ系（Ｃ₄Ｆ₈）のガスを交互に使用して、垂直な形状の第一の開口５１４を形成した。

また、ドライエッチングで形成した第一の開口５１４の側壁は、エッチングガスに含まれるフッ素系化合物の分解によって、撥水性のデポ膜が付着している。そこで、シリコン基板５０１を、粘度が１．２〜５．０ｃｐｓ、且つ表面張力が２０〜３０ｄｙｎｅ／ｃｍの界面活性剤を含む水溶液に浸漬することで、該第一の開口の側壁を改質することができる。界面活性剤を含む水溶液としては、例えば、非イオン性界面活性剤であるＶｅｒｓａＴＬ−１２５（日本ＮＳＣ社製）を３００ｐｐｍで含む水溶液を挙げることができる。また、界面活性剤としては、炭化水素系アニオン類、炭化水素系ノニオン類、フッ素系アニオン類、フッ素系ノニオン類の界面活性剤が適している。具体的には、炭化水素系アニオン類としては、ポリティＡ−５３０（ライオン社製）、ＶｅｒｓａＴＬ−１２５（日本ＮＳＣ社製）、パイオニンＡ−４０（竹本油脂社製）、パイオニンＡ−４０−Ｓ（竹本油脂社製）などが適している。また、炭化水素系ノニオン類としては、ニューポールＰＥ−６１（三洋化成社製）、アデカプルロニックＬ−６４（旭電化社製）などが適している。また、フッ素系アニオン類としては、サーフロンＳ−１４１（セイミケミカル社製）、ＦＴ１００Ｃ（ネオス社製）などが適している。また、フッ素系ノニオン類としては、ＦＴ２５１（ネオス社製）、エフトップＥＦ−３５１（ジェムコ社製）などが適している。前記水溶液に、前記インクジェット記録ヘッド用基板を浸漬する際には、２００ＭＨｚ以上の超音波を印加しながら行うと、第一の開口５１４の側壁に該水溶液が浸透しやすくなり、側壁の改質を行う事ができる。

次に、図５（ｅ）に示すように、第一の開口５１４に露出するエッチングストップ層４１２を等方性エッチングにより除去することにより、独立供給口５１５を形成した。等方性エッチングとしてはウェットエッチング処理を用い、本実施例では該ウェットエッチング処理に酸化膜エッチング液を用いた。

具体的には、シリコン基板５０１を、常温で、界面活性剤を含む酸化膜エッチング液に４〜１０分間浸漬させて、エッチングストップ層を除去した。酸化膜エッチング液としては、ＢＨＦ溶液（ＬＡＬ８００：ステラケミファ社製）を用いた。該ＢＨＦ溶液は、ＨＦ：１．０〜１０．０質量％と、ＮＨ₄Ｆ：１０〜３０質量％と、水と、を含む酸化膜エッチング液である。また、酸化膜エッチング液に含ませる界面活性剤としては、非イオン性界面活性剤であるＶｅｒｓａＴＬ−１２５を３００ｐｐｍの濃度で使用した。

ここで、酸化膜のエッチング溶液としては、粘度が１．２〜２．５ｃｐｓであり、表面張力が３０．０〜４０．０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、フッ酸（ＨＦ）の濃度が１．０〜１０．０質量％であり、フッ化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）の濃度が１０．０〜３０．０質量％である酸性水溶液を用いることが好ましい。また、エッチング溶液には界面活性剤を含ませて粘度や表面張力を調整することができる。酸化膜エッチング液に含ませることができる界面活性剤としては、炭化水素系アニオン類、炭化水素系ノニオン類、フッ素系アニオン類、フッ素系ノニオン類の界面活性剤が適している。具体的には、炭化水素系アニオン類としては、ポリティＡ−５３０（ライオン社製）、ＶｅｒｓａＴＬ−１２５（日本ＮＳＣ社製）、パイオニンＡ−４０（竹本油脂社製）、パイオニンＡ−４０−Ｓ（竹本油脂社製）などが適している。又、炭化水素系ノニオン類としては、ニューポールＰＥ−６１（三洋化成社製）、アデカプルロニックＬ−６４（旭電化社製）などが適している。また、フッ素系アニオン類としては、サーフロンＳ−１４１（セイミケミカル社製）、ＦＴ１００Ｃ（ネオス社製）などが適している。また、フッ素系ノニオン類としては、ＦＴ２５１（ネオス社製）、エフトップＥＦ−３５１（ジェムコ社製）などが適している。粘度や表面張力が高くなると、シリコン基板５０１の裏面から独立供給口５１５を介して、Ｐ−ＳｉＯ膜からなるエッチングストップ層４１２にエッチング液が浸透し難くなる場合がある。また、ＮＨ₄Ｆのエッチング液中の含有量を３０質量％以上に増やすと、熱酸化膜（ＦＯｘ膜）４０２とＰ−ＳｉＯ膜からなるエッチングストップ層４１２との選択比（エッチングレート比）が小さくなり、エッチングストップ層４１２を除去する際に、熱酸化膜４０２の一部を除去してしまう場合がある。また、ＮＨ₄Ｆのエッチング液中の含有量を３０質量％以上に増やすと、ＢＨＦ溶液の粘度が、３．０ｃｐｓ以上になり、微細な独立供給口５１５内部に浸透し難くなる場合がある。そこで、本実施例では、ＨＦ：４．０質量％、ＮＨ₄Ｆ：２０質量％、界面活性剤：０．０１質量％、水：７５．９９質量％のＬＡＬ８００（ステラケミファ社製、商品名）を用いて、Ｐ−ＳｉＯ膜からなるエッチングストップ層４１２を除去した。その際、Ｐ−ＳｉＯ膜からなるエッチングストップ層４１２及び熱酸化膜４０２に対するＬＡＬ８００のベタ膜でのエッチングレートは、それぞれ０．２μｍ／ｍｉｎ及び０．０８μｍ／ｍｉｎであった。つまり、ベタ膜でのエッチングレート比は、１：２．５（エッチングストップ層：熱酸化膜）である。

なお、微細な独立供給口の先端部では、エッチング液であるＬＡＬ８００が直接接触する膜（例えば、Ｐ−ＳｉＯ膜からなるエッチングストップ層４１２や熱酸化膜（ＦＯｘ膜）４０２）の面積比も考慮に入れる必要がある。具体的には、Ｐ−ＳｉＯ膜がＬＡＬ８００に接触する面積は、前記独立供給口の開口面積＝４０μｍ×８０μｍ＝３２００μｍ²である。一方、熱酸化膜（ＦＯｘ膜）４０２がＬＡＬ８００に接触する面積は、厚さ１．０μｍ×内周長さ（４０×２＋８０×２）μｍ＝２４０μｍ²である。つまり、Ｐ−ＳｉＯ膜からなる層間絶縁膜４０５と熱酸化膜（ＦＯｘ膜）４０２とのＬＡＬ８００による実質のエッチングレート比は、１：４０以上である。この結果から、実質的には、形状効果も加算されて、図５（ｅ）で示されるような微細な独立供給口の先端部では、多少のエッチング時間が伸びても、熱酸化膜（ＦＯｘ膜）４０２が０．０２５μｍ（２５ｎｍ）以上除去（サイドエッチング）されることはなかった。また、本実施例でサイドエッチングストッパー部４１１を構成しているヒータ材層（発熱抵抗体層）とＴａからなる耐キャビテーション膜は、ＬＡＬ８００によるＰ−ＳｉＯ膜からなる層間絶縁膜４０５に対するエッチングレート比が１：１００（又はそれ以上、ベタ膜比）である。したがって、サイドエッチングストッパー部４１１が０．０１μｍ（１０ｎｍ）以上除去（サイドエッチング）されることはなかった。さらに、シリコン基板５０１を形成している結晶シリコン（結晶方位＜１００＞も、ＬＡＬ８００によるＰ−ＳｉＯ膜からなる層間絶縁膜４０５に対するエッチングレート比が、１：１００程度（又はそれ以下、ベタ膜比）であるので、０．０１μｍ（１０ｎｍ）以上の変化が起きなかった。

次に、図５（ｆ）に示すように、シリコン基板５０１の裏面から独立供給口５１５を介して、ＣＦ系（ＣＦ₄）のガス及び酸素系ガスを用いて、等方性のドライエッチングプロセスにより、独立供給口５１５に露出する耐キャビテーション膜４０９を除去した。その際、サイドエッチングストッパー部を構成しているヒータ材とＴａの一部も除去された。

本実施例のように、サイドエッチングストッパー部が露出させることにより、サイドエッチングストッパーが独立供給口５１５の第一の面（表面）側の開口の寸法を高精度に規定することができる。

次に、図５（ｇ）に示すように、被覆樹脂層５１３を介して、ＤｅｅｐＵＶ光を型パターン５１２に照射して分解させ、溶剤によって型パターンを溶出し、インク流路５１６を形成した。

溶出は、基板を溶剤に浸漬したり、溶剤をスプレーにて拭きつけたりすることによって、容易に行うことができる。また、超音波等を併用すれば、さらに溶出時間を短縮できる。その後、被覆樹脂層５１３をさらに硬化させるために、２００℃で、１時間の加熱を行った。

図５（ｇ）は、図２（ａ）で示されているインクジェット記録ヘッドの斜視図における点線ＤＤ’による断面に相当する模式的断面図である。

図８は、図５で示したインクジェット記録ヘッドの製造工程で作製された図２（ａ）で示されている点線ＢＢ’による断面に相当する模式的断面図である。図８において、図３（ｃ）で示したインクジェット記録ヘッド用基板のヒータ部を縦断するように切断したときの模式的断面図上に、図５で開示したインクジェット記録ヘッドに配された樹脂基板が配置されている。樹脂基板はインク流路８１２、吐出口８１１を構成している。図８に示すインクジェット記録ヘッドおいて、ヒータ部８１０で発生した気泡により、吐出口８１１を介して、インク滴を飛翔させる事ができる。インク滴が吐出口８１１から飛翔した後に、ヒータ部８１０上を含むインク流路８１２へのインクの再充填は両側から行われる。また、ヒータ部８１０を中心に、インク流路８１２が対称に配置されていることで、ヒータ部８１０上へのインクの再充填が高速に行われるため、ヒータ部８１０で発生する気泡の周期を高速にでき、高速なインク滴の飛翔を可能できる。さらに、ヒータ部８１０で発生した気泡も対称に広がるので、吐出口８１１から飛翔するインク滴もヒータ部８１０に対して垂直方向に吐出されることとなり、インク滴を被記録媒体へ精度よく着弾させる事ができる。

また、図９には、図５で示したインクジェット記録ヘッドの製造工程で作製された図２（ａ）で開示している点線ＣＣ’による断面における模式的断面図である。図９において、図３（ｃ）で示したインクジェット記録ヘッド用基板のヒータ部を縦断するように切断したときの模式的断面図上に、図５で開示したインクジェット記録ヘッドに配された樹脂基板が形成されている。樹脂基板は吐出口９１１とインク流路９１２を構成し、ヒータ部９１０で発生する気泡と隣のヒータで発生する気泡との干渉を抑制するノズル壁９１３を有する。

作製したインクジェット記録ヘッドを図１２に示す形態のインクジェットヘッドユニットに実装して吐出、記録評価を行った結果、良好な画像記録が可能であった。インクジェットヘッドユニットの形態としては、図１２に示すように、例えば、インクタンク１３１３を着脱可能に保持した保持部材の外面に、記録装置本体と記録信号の授受を行うためのＴＡＢフィルム１３１４が設けられる。また、ＴＡＢフィルム１３１４上にインクジェット記録ヘッド１３１２が電気接続用リード１３１５により電気配線と接続されている。

したがって、本実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法によれば、独立供給口の第一の面側の開口寸法を精度良く制御することができる。その結果、吐出エネルギー発生素子から独立供給口までの距離を高精度に形成することができる。したがって、吐出速度、着弾精度、インクのリフィル速度に優れた液体吐出ヘッドを製造できる。

また、本実施形態の製造方法で得られる液体吐出ヘッドは、以下の構成を有する。

すなわち、本実施形態の液体吐出ヘッドは、
液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子を第一の面上に有し、かつ前記第一の面と反対側の面である第二の面側から第一の面に達する独立供給口を有する基板と、
前記液体を吐出する吐出口と、該吐出口及び前記独立供給口に連通する液体流路と、を構成し、前記基板の第一の面上に設けられる樹脂基板と、
を備える液体吐出ヘッドであって、
前記独立供給口の内壁のうち前記第一の面側の上端部分が金属保護膜で構成されていることを特徴とする。

すなわち、独立供給口のうち、液体流路との連通する部分の内周部分が金属保護膜で構成されている。

本実施形態の液体吐出ヘッドにおいては、独立供給口の第一の面側の開口付近からのインクによる電気配線の腐食を防止できるため、連続的に吐出する耐久性においても信頼性に優れている。

金属保護膜は、Ｔａを主成分とする金属から構成されることが好ましい。もしくは、α−ＴａやＩｒ等の金属膜を用いてもよい。また、金属保護膜は、吐出エネルギー発生素子を構成する発熱抵抗体、又は吐出エネルギー発生素子の上に形成される前記耐キャビテーション膜と同じ材料を用いて構成されていることが好ましい。この構成とすることにより、腐食防止の観点のみならず、製造工程の容易化も図ることができ、コストの観点からも好ましい。

また、さらに好ましい形態は、図７に示すように、金属保護膜とシリコン基板とが接している形態である。図７において、エッチングストップ層を除去した後、金属保護膜（サイドエッチングストッパー部）が露出するが、インクに接する部分がシリコン基板と金属保護膜で構成されるため、優れた耐久性を有することになる。

（実施例２）
図５の本実施形態のインクジェット記録ヘッドの製造工程で開示したように、シリコン基板の裏面に形成した凹部（共通供給口）内にパターニングマスクを形成した後、独立供給口をシリコンのドライエッチングで形成する。シリコン基板の裏面に形成した凹部内におけるパターニングマスクの形成精度や、該凹部の底面におけるシリコンドライエッチングの加工精度は、シリコン基板の表面における精度に比べて、若干劣る事が知られている。そこで、図６には、シリコン基板の裏面精度が、数μｍずれる場合を想定した前記図２Ｂで示したインクジェット記録ヘッド用基板の点線ＡＡ’による断面における模式的断面図を示している。図６で示すように本実施例では、独立供給口形成予定領域６１０とサイドエッチングストッパーとの面方向の距離をとってそれぞれを配置している。これにより、独立供給口の第一の面側の開口位置が多少ずれても、エッチングストップ層にドライエッチング到達する。その他の工程については、図５と同様のインクジェット記録ヘッドの製造工程を経て、インクジェット記録ヘッドを作製した。

（実施例３）
実施例２と同様に、図７には、本発明を達成する手段として、シリコン基板の裏面精度が、数μｍずれる場合を想定した前記図２Ｂで示したインクジェット記録ヘッド用基板の点線ＡＡ’による断面における模式的断面図を示している。図７において、サイドエッチングストッパー部７１１は、熱酸化膜７０２及びシリコン基板７０１の上に配置されており、サイドエッチングストッパー部７１１の一部がシリコン基板７０１に接している。つまり、熱酸化膜７０２とエッチングストップ層との間にサイドエッチングストッパー部７１１が配置されている構造となっている。また、エッチングストップ層とサイドエッチングストッパー部はシリコン基板７１０の第一の面上に配置され、エッチングストップ層の側面と、サイドエッチングストッパー部の側面は接している。このような構成とすることにより、エッチングストップ層を除去する際のサイドエッチングをより効果的に抑制することができる。その他の工程については、図５と同様のインクジェット記録ヘッドの製造工程を経て、インクジェット記録ヘッドを作製した。

（実施例４）
図１３には、シリコン基板の裏面精度が、数μｍずれる場合を想定した図２Ｂで示したインクジェット記録ヘッド用基板の点線ＡＡ’による断面における模式的断面図を示している。図１３では、シリコン基板１４０１の裏面から独立供給口形成予定領域１４１０に独立供給口を形成する際に、シリコンドライエッチングのエッチングストップ層として、第一の電気配線層１４０４と層間絶縁膜１４０５を配置した。これにより、シリコンドライエッチングで独立供給口を加工する際に、終点検知を高精度で行う事ができる。また、これにより、シリコンウェハ内に複数配置された前記インクジェット記録ヘッド用基板の面内分布も向上し、歩留りも向上でき、インクジェット記録ヘッドを安価に形成できる。更に、シリコンドライエッチングの終点付近で発生する横広がりの現象（通常、「ノッチ」と呼ばれている）も抑制でき、更に高精度な独立供給口を形成する事ができる。

図１３で開示したインクジェット記録ヘッド用基板を用いた本発明のインクジェット記録ヘッドの製造方法は、図５と同様のインクジェット記録ヘッドの製造工程を経て、インクジェット記録ヘッドを作製する事ができる。

なお、第一の電気配線層は、インクジェット記録ヘッド用基板１４０１を、５０℃に加温したアルミエッチング液：ＮＳ−３０（燐酸・硝酸混合水溶液：林純薬社製）に１０〜３０分間浸漬させることにより除去した。また、アルミエッチング液：ＮＳ−３０は、シリコンやシリコンを含む無機系の絶縁膜を溶解することがないので、ＡＬ１膜以外の構成材料へのダメージはなかった。

その後の製造工程は、図５（ｄ）〜（ｇ）で開示したインクジェット記録ヘッドの製造方法で、インクジェット記録ヘッドを作製した。

（実施例５）
図１４は、図２Ｂで示したインクジェット記録ヘッド用基板の点線ＡＡ’による断面における本実施例の模式的断面図である。

図１４は、実施例１で示した図４に開示のインクジェット記録ヘッド用基板を作製する場合に、層間絶縁膜であるＰ−ＳｉＯ膜からなる層間絶縁膜１５０５をドライエッチングして、サイドエッチングストッパー１５１１をより安定的に形成する実施形態を図１４に示している。

実施例１と同様に、Ｐ−ＳｉＯ膜からなる層間絶縁膜１５０５を除去する際のサイドエッチングストッパー部１５１１を有するインクジェット記録ヘッド用基板を作製している。

Ｐ−ＳｉＯ膜からなる層間絶縁膜１５０５をドライエッチングして、サイドエッチングストッパー配置部を形成する際に、１０００℃で形成した熱酸化膜（ＦＯｘ膜）１５０２上にＰＣＶＤ法で形成したＢＰＳＧ（ボロンとリンを含んだシリケートガラス）膜１５０３を配置している。ＢＰＳＧ膜１５０３を配置しておくことで、安定して、ＦＯｘ膜１５０２上に接したサイドエッチングストッパー部１５０５を形成する事ができる。さらに、ＢＰＳＧ膜を、独立供給口形成予定領域１５１０上にも配置しておく事ができる。したがって、シリケートガラス膜１５０３はシリコンドライエッチングで独立供給口を形成する際のエッチングストップ層をも兼ねる事ができる。

また、ＢＰＳＧ膜１５０３は、界面活性剤を添加したＢＨＦ液（ＬＡＬ８００、ステラケミファ社製）にも簡単に溶解しやすいので、除去工程も容易であった。

図１４で開示したインクジェット記録ヘッド用基板を用いて、実施例１と同様の工程フローでインクジェット記録ヘッドを作製した。

（比較例１）
次に、比較例１として、図１０に、図４とは異なり、独立供給口の開口周囲にサイドエッチングストッパー部を有していないインクジェット記録ヘッド用基板を示している。

図１０では、シリコン基板１００１上に、１０００℃の温度で熱拡散工程（ＬＯＣＯＳ：Ｌｏｃａｌ ｏｘｉｄａｔｉｏｎ ｏｆ ｓｉｌｉｃｏｎ工程）により熱酸化膜１００２（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜、以下ＦＯｘ膜と呼ぶ）を１．０μｍ厚で形成した。その後、熱酸化膜上にＰＣＶＤ法でＢＰＳＧ（ボロンとリンを含んだシリケートガラス）膜１００３を０．６μｍ厚で形成した。ＢＰＳＧ膜１００３、ＦＯｘ膜１００２、及びシリコン基板１００１上に、第一の電気配線層（以下、ＡＬ１膜とも呼ぶ）１００４を０．４μｍ厚で形成した。ＡＬ１層１００４上に、Ｐ−ＳｉＯ膜からなる層間絶縁膜１００５を２００℃の温度で、１．０μｍ厚で、プラズマＣＶＤ法を用いて形成した。次に、層間絶縁膜１００５を介して、第一の電気配線層と第二の電気配線層との電気的接続を行うスルーホール部（不図示）を形成するために、層間絶縁膜１００５のパターニングをおこなった。次に、層間絶縁膜１００５上にヒータ材層である発熱抵抗体層１００６を０．０５μｍ厚と第二の電気配線層（ＡＬ２膜とも呼ぶ）１００７を０．６μｍ厚で、スパッタリング法を用いて形成した。前述したように、まず、ヒータ材層の材料とＡＬ２膜の材料（Ａｌ膜）をドライエッチング法でパターニングした。その後、ヒータ領域を形成するために、マスクレジストを１．２μｍ塗布、パターニングした。その後、硝酸、フッ酸、酢酸の混合液を用いて、ＡＬ２膜のみをテーパーエッチングした。その後、Ｐ−ＳｉＮ膜を０．３μｍ厚でＰＣＶＤ法で形成してパターニングすることにより、保護膜１００８を形成した。その後、保護膜１００８上に、耐キャビテーション膜１００９を形成した。耐キャビテーション膜１００９は、Ｔａ膜を０．２５μｍ厚でスパッタリング法で成膜して形成した。その後、耐キャビテーション膜１００９および保護膜１００８を部分的に除去し、ボンディング用のパッド（不図示）を形成した。

図１１は、比較例１のインクジェット記録ヘッドの製造工程を示している。

図１１（ａ）は、図１０で示したインクジェット記録ヘッド用基板である。

図１１（ｂ）は、インクジェット記録ヘッド用基板上の表面に、該基板と後述の感光性被覆樹脂層１１１３との密着性を向上させる密着向上層１１１１が形成されている。

密着向上層１１１１としては、ＨＩＭＡＬ（日立化成社製）を用いた。

次いで、図１１（ｃ）に示すように、ＰＭＩＰＫを含むポジ型レジストを用いて型パターン１１１２を形成した。

次に、ポジ型レジストからなる型パターン１１１２を覆うように液流路構造体材料を塗布して露光及び現像処理を行い、吐出口を有する被覆樹脂層１１１３を形成した。

次いで、被覆樹脂層１１１３がダメージを受けないように、環化ゴムなどの保護材（不図示）を用いてシリコン基板のノズルを形成した側の面を保護した。そして、シリコン基板の第二の面（裏面）から結晶異方性エッチングを行い、共通供給口を形成した。共通供給口は、インクジェット記録ヘッド用基板を構成するシリコンウェハの厚みの７０〜９０％まで、ＴＭＡＨなどの強アルカリ性エッチング液を用いて形成した。具体的には、シリコン基板厚：６２５μｍの内、５００μ厚まで、前記ＴＭＡＨ液を用いて、該シリコン基板に共通供給口を形成した。

次いで、シリコン基板の裏面に形成された共通供給口（不図示）の壁面に、スプレーコーターなどを使用して、厚さ：２〜１２μｍのポジ型フォトレジストを塗布した。その後、裏面露光機：ＵＸ−４２５８ＳＣ（ウシオ電機製）を用いて露光パターンを形成し、続いて現像処理することにより、共通供給口の底面に独立供給口を形成するためのパターニングマスクを形成した。

次いで、前記フォトレジストをマスクにして、ボッシュプロセスを採用したシリコンドライエッチング装置：Ｐｅｇａｓｕｓ（住友精密工業社製）を用いて、独立供給口形成予定領域１１１０に、厚さ：１２５μｍ、開口径：□４０μｍ×８０μｍの独立供給口を形成した。前記シリコンドライエッチングの際に、前記独立供給口形成予定領域上に配された層間絶縁膜（Ｐ−ＳｉＯ膜）４０５が、エッチングストップ層になる。更に、ボッシュプロセスにより、シリコンをドライエッチングする際には、ＳＦ６系のガスとＣＦ系（Ｃ４Ｆ８）のガスを交互に使用して、垂直な形状の独立供給口を形成した。

次に、実施例１と同様に、独立供給口の側壁を改質した後、酸化膜エッチング液を用いた等方性エッチングによりエッチングストップ層を除去した。

エッチング液としては、実施例１と同じものを用いた。しかし、Ｐ−ＳｉＯ膜からなるエッチングストップ層を除去する際に、除去残差を無くすために、エッチング時間を延ばすと、図１１（ｅ）に示すように、サイドエッチングが進行してしまった。また、場合によっては、層間絶縁膜１１０５だけでなく、第二の電気配線層（ＡＬ２膜）１００７上のＰ−ＳｉＮ膜からなる保護膜１００８までも除去してしまう事があった。これは、サイドエッチングストッパー部が形成されていないため、エッチングストップ層を除去する際にサイドエッチングが進行してしまったためである。また、さらには、微細な独立供給口の内部に浸透しやすくするために、通常のＢＨＦ溶液に界面活性剤を添加し、表面張力を下げたことも要因として挙げられる。つまり、表面表力を下げた結果、ＦＯｘ膜１００２と層間絶縁膜１００５との界面や、層間絶縁膜１００５と耐キャビテーション膜１００９との界面にも浸透しやすくなり、サイドエッチングが急速に進むことが要因であった。特に、粘度が低く、表面張力が低い界面活性剤を含むＢＨＦ溶液を除去液に使用すると、サイドエッチングが顕著であった。また、このサイドエッチングが進行すると、第二の電気配線層（ＡＬ２膜）１００７までもが溶解されてしまう場合もある。

次に、図１１（ｆ）に示すように、シリコン基板１１０１の裏面から独立供給口を介して、ＣＦ系（ＣＦ₄）のガス及び酸素系ガスを用いて、等方性のドライエッチングプロセスにより、独立供給口に露出する耐キャビテーション膜を除去した。なお、図１１（ｅ）で示した層間絶縁膜１００５のサイドエッチングの進行による空洞は残ったままであった。

次に、図１１（ｇ）に示すように、被覆樹脂層１１１３を介して、ＤｅｅｐＵＶ光を全面に照射した後に、型パターン１１１２を溶出した。その後、被覆樹脂層１１１３をさらに硬化するために、２００℃で、１時間の加熱を行った。

その後、実施例１と同様に、図１２に示す形態のインクジェットヘッドユニットに実装し、吐出、記録評価を行った。その結果、前述した層間絶縁膜のサイドエッチングの進行による空洞を介して、インクが進入し、電気的なショートを起こしてしまう場合があった。

図１５は、実施例１〜５と、比較例１で作製したインクジェット記録ヘッドを図１２に示す形態のインクジェット記録ヘッドユニットに実装し、下記の組成を有する４色（４種類）のインクを充填し、吐出耐久試験を行った結果を示している。

下記に、吐出耐久試験に用いた４色のインク組成を記している。合計は１００質量部とした。

染料 Ｘ部
チオジグリコール １５質量部
トリエチレングリコール １５質量部
ブラックインク：染料Ｃ．Ｉ． フードブラック２ ３．５質量部
イエローインク：染料Ｃ．Ｉ． ダイレクトイエロー８６ ２．０質量部
シアンインク：染料Ｃ．Ｉ． アシッドブルー９ ２．５質量部
マゼンタインク：染料Ｃ．Ｉ． アシッドレッド２８９ ３．０質量部
純水 残部

図１５に示したように、本発明の実施例１〜４で作製したインクジェット記録ヘッドは、１×１０⁹［ｔｏｔａｌ ｐｕｌｓｅ ｎｕｍｂｅｒ］の駆動パルス数をヒータに印加して後でも、印字した画像劣化や電気的なショート等は発生しなかった。一方、比較例１で作製したインクジェット記録ヘッドでは、１×１０⁸［ｔｏｔａｌ ｐｕｌｓｅ ｎｕｍｂｅｒ］の駆動パルス数を印加する前に、電気的なショートや、吐出口の近傍に出来た大きな窪みに溜まったインクによって、印字した画像劣化が発生してしまった。

実施例１〜４で作製したインクジェット記録ヘッドの吐出耐久後を観察すると、前記独立供給口の内周部が、熱酸化膜とヒータ材膜と耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）で構成されているために、インクによる腐食が見られなかった。

１ Ｐ型シリコン基板
２ Ｎ型コレクタ埋込領域
３ Ｐ型アイソレーション埋込領域
４ Ｎ型エピタキシャル領域
５ Ｐ型ベース領域
６ Ｐ型アイソレーション領域
７ Ｎ型コレクタ領域
８ 高濃度Ｐ型ベース領域
９ 高濃度Ｐ型アイソレーション領域
１０ 高濃度Ｎ型エミッタ領域
１１ 高濃度Ｎ型コレクタ領域
１２ コレクタ・ベース共通電極
１３ エミッタ電極
１４ アイソレーション電極
２１ シリコン基板
２２ インク吐出エネルギー発生素子
２３ 溶解可能な樹脂層
２４ 感光性の被覆樹脂層
２５ インク吐出口
２６ 保護材
２７ インク供給口
１００ 記録ヘッド
１０１ 蓄熱層
１０２ 層間膜
１０３ 発熱抵抗層
１０４ 配線電極
１０５ 保護膜
１０６ 保護膜
１１０ 発熱部
２０１ ヒータ
２０２ 独立供給口
２０３ 第二の電気配線層（ＡＬ２膜）
２０４ スルーホール部
２０５ 第一の電気配線層（ＡＬ１膜）
２１０ サイドエッチングストッパー部
２１１ 熱酸化膜（ＦＯｘ膜）
２１３ 吐出口
２１４ ノズル壁
２１５ 支柱
３０１ シリコン基板
３０２ 熱酸化膜（ＦＯｘ膜）
３０３ ＢＰＳＧ膜
３０４ Ｐ−ＳｉＯ膜
３０５ 第二の電気配線層（ＡＬ２膜）
３０６ ヒータ材層
３０７ Ｐ−ＳｉＮ膜
３０８ 耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）
３１０ ヒータ部
４０１ シリコン基板
４０２ 熱酸化膜（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜）
４０３ ＢＰＳＧ膜
４０４ 第一の電気配線層（ＡＬ１膜）
４０５ 層間絶縁層（Ｐ−ＳｉＯ膜）
４０６ ヒータ材層
４０７ 第二の電気配線層（ＡＬ２膜）
４０８ 保護膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）
４０９ 耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）
４１０ 独立供給口形成予定領域
４１１ サイドエッチングストッパー部
４１２ エッチングストップ層
５０１ シリコン基板
５１０ 独立供給口形成予定領域
５１１ 密着向上層
５１２ ポジ型レジスト層
５１３ 被覆樹脂層
５１４ 第一の開口
５１５ 独立供給口
５１６ インク流路
６０１ シリコン基板
６０２ 熱酸化膜（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜）
６０３ ＢＰＳＧ膜
６０４ 第一の電気配線層（ＡＬ１膜）
６０５ 層間絶縁層（Ｐ−ＳｉＯ膜）
６０６ ヒータ材層
６０７ 第二の電気配線層（ＡＬ２膜）
６０８ 保護膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）
６０９ 耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）
６１０ 独立供給口形成予定領域
６１１ サイドエッチングストッパー部
７０１ シリコン基板
７０２ 熱酸化膜（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜）
７０３ ＢＰＳＧ膜
７０４ 第一の電気配線層（ＡＬ１膜）
７０５ 層間絶縁層（Ｐ−ＳｉＯ膜）
７０６ ヒータ材層
７０７ 第二の電気配線層（ＡＬ２膜）
７０８ 保護膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）
７０９ 耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）
７１０ 独立供給口形成予定領域
７１１ サイドエッチングストッパー部
８０１ シリコン基板
８０２ 熱酸化膜（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜）
８０３ ＢＰＳＧ膜
８０４ 層間絶縁層（Ｐ−ＳｉＯ膜）
８０５ 第二の電気配線層（ＡＬ２膜）
８０６ ヒータ材層
８０７ 保護膜（Ｐ―ＳｉＮ膜）
８０８ 耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）
８１０ ヒータ部
８１１ 吐出口
８１２ インク流路（ノズル）
９０１ シリコン基板
９０２ 熱酸化膜（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜）
９０３ ＢＰＳＧ膜
９０４ 層間絶縁層（Ｐ−ＳｉＯ膜）
９０６ ヒータ材層
９０７ 保護膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）
９０８ 耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）
９１０ ヒータ部
９１１ 吐出口
９１２ インク流路（ノズル）
９１３ インク流路壁（ノズル壁）
１００１ シリコン基板
１００２ 熱酸化膜（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜）
１００３ ＢＰＳＧ膜
１００４ 第一の電気配線層（ＡＬ１膜）
１００５ 層間絶縁層（Ｐ−ＳｉＯ膜）
１００６ ヒータ材層
１００７ 第二の電気配線層（ＡＬ２膜）
１００８ 保護膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）
１００９ 耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）
１０１０ 独立供給口形成予定領域
１１０１ シリコン基板
１１１０ 独立供給口形成予定領域
１１１１ 密着向上層
１１１２ 型パターン（ポジ型レジスト層）
１１１３ 被覆樹脂層
１３０９ インク吐出孔
１３１２ インクジェット記録ヘッド
１３１３ インクタンク
１３１４ ＴＡＢフィルム
１３１５ 電気接続用リード
１４０１ シリコン基板
１４０２ 熱酸化膜（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜）
１４０３ ＢＰＳＧ膜
１４０４ 第一の電気配線層、エッチングストップ層
１４０５ 層間絶縁層（Ｐ−ＳｉＯ膜）
１４０６ ヒータ材層
１４０７ 第二の電気配線層（ＡＬ２膜）
１４０８ 保護膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）
１４０９ 耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）
１４１０ 独立供給口形成予定領域
１４１１ サイドエッチングストッパー部
１５０１ シリコン基板
１５０２ 熱酸化膜（Ｆｉｅｌｄ−Ｏｘ膜）
１５０３ ＢＰＳＧ膜
１５０４ 第一の電気配線層（ＡＬ１膜）
１５０５ 層間絶縁層（Ｐ−ＳｉＯ膜）
１５０６ ヒータ材層
１５０７ 第二の電気配線層（ＡＬ２膜）
１５０８ 保護膜（Ｐ−ＳｉＮ膜）
１５０９ 耐キャビテーション膜（Ｔａ膜）
１５１０ 独立供給口形成予定領域
１５１１ サイドエッチングストッパー部

Claims (11)

1. 液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子を第一の面上に有し、かつ前記第一の面と反対側の面である第二の面側から第一の面に達する独立供給口を有する基板を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
   （１）前記第一の面上における前記独立供給口を形成する領域に相当する部分にエッチングストップ層を形成する工程と、
   （２）前記基板の第二の面側からドライエッチング処理を前記エッチングストップ層に達するまで行う工程と、
   （３）前記ドライエッチング処理を実施した後、等方性エッチングにより、前記エッチングストップ層を除去し、前記独立供給口を形成する工程と、
   を含み、
   前記等方性エッチングに対するエッチング耐性を有するサイドエッチングストッパー部を前記エッチングストップ層の側面周囲に形成した状態で前記等方性エッチングを行うことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
2. 前記等方性エッチングはウェットエッチング処理である請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
3. 前記サイドエッチングストッパー部によって前記独立供給口の前記第一の面側の開口寸法を規定する請求項１又は２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
4. 前記サイドエッチングストッパー部はＴａを主成分とする金属からなる請求項１乃至３のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
5. 前記工程（２）は、前記第二の面からエッチングにより形成した共通供給口の底部に、前記ドライエッチング処理により複数の前記独立供給口を形成する工程である請求項１乃至４のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
6. 前記ドライエッチング処理はリアクティブイオンエッチングである請求項１乃至５のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
7. 前記エッチングストップ層は、前記基板の上にプラズマＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜を配置して該シリコン酸化膜をパターニングすることにより、形成される請求項１乃至６のいずれかに記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
8. 前記ドライエッチング処理に用いるエッチングガスはフッ素系化合物を含み、
   前記等方性エッチングに用いるエッチング溶液として、粘度が１．２〜２．５ｃｐｓであり、表面張力が３０．０〜４０．０ｄｙｎｅ／ｃｍであり、フッ酸の濃度が１．０〜１０．０質量％であり、フッ化アンモニウムの濃度が１０．０〜３０．０質量％である酸性水溶液を用いる請求項７に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
9. 液体を吐出するためのエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子を第一の面上に有し、かつ前記第一の面と反対側の面である第二の面側から第一の面に達する独立供給口を有する基板と、
   前記液体を吐出する吐出口と、該吐出口及び前記独立供給口に連通する液体流路と、を構成し、前記基板の第一の面上に設けられる樹脂基板と、
   を備える液体吐出ヘッドであって、
   前記独立供給口の内壁のうち前記第一の面側の上端部分が金属保護膜で構成されていることを特徴とする液体吐出ヘッド。
10. 前記金属保護膜は、Ｔａを主成分とする請求項９に記載の液体吐出ヘッド。
11. 前記金属保護膜は、前記吐出エネルギー発生素子を構成する発熱抵抗体、又は前記吐出エネルギー発生素子の上に形成される耐キャビテーション膜と同じ材料を用いて構成されている請求項９又は１０に記載の液体吐出ヘッド。