KR890007296A - 반도체 집적회로 장치 - Google Patents

반도체 집적회로 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR890007296A
KR890007296A KR1019880013385A KR880013385A KR890007296A KR 890007296 A KR890007296 A KR 890007296A KR 1019880013385 A KR1019880013385 A KR 1019880013385A KR 880013385 A KR880013385 A KR 880013385A KR 890007296 A KR890007296 A KR 890007296A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
semiconductor integrated
integrated circuit
circuit device
signal
Prior art date
Application number
KR1019880013385A
Other languages
English (en)
Inventor
가즈아끼 우지이에
신지 나뻬따니
Original Assignee
미따 가쯔시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
오오노 미노루
히다찌 쬬.엘.에스.아이.엔지니아링 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미따 가쯔시게, 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼, 오오노 미노루, 히다찌 쬬.엘.에스.아이.엔지니아링 가부시끼가이샤 filed Critical 미따 가쯔시게
Publication of KR890007296A publication Critical patent/KR890007296A/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • G11C16/12Programming voltage switching circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/30Power supply circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C17/00Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards
    • G11C17/14Read-only memories programmable only once; Semi-permanent stores, e.g. manually-replaceable information cards in which contents are determined by selectively establishing, breaking or modifying connecting links by permanently altering the state of coupling elements, e.g. PROM
    • G11C17/18Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C5/00Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적회로 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용되는 EEPROM(Elecrically Erasable Programmable Read Only Memory)장치의 1예를 나타낸 블록도.
제2도는 EEPROM장치의 메모리셀(cell)의 구성의 1예를 나타낸 회로도.
제3도는 NMOS메모리용 승압회로의 1실시예를 나타낸 회로도.

Claims (12)

  1. 외부로 부터 공급되는 전원전압을 승압 또는 감압하는 승압회로와, 승압 또는 감압된 전압을 기준으로 되는 전압에 대하여 일정한 레벨에 클램프하는 라미트회로를 갖는 반도체 집적회로 장치로서, 상기 라미티회로의 가준전압이 인가되는 단자에는 스위치수단을 통하여 전원전압단자 및 외부 단자가 접속되어 있음을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 외부단자가 다른 입력신호의 입력단자와 공용되고, 그 단자에는 입력신호의 래치수단이 접속되어 있음을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 승압회로 및 리미티드회로가 서입소거가능한 불휘발성 메모리에 있어서의 서입전압을 발생하기 위한 것으로서, 상기 외부단자는 데이터 출력상태를 제어하는 아웃풋 인에이블 신호의 입력 단자임을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 2개의 스위치를 제어하는 신호가 아웃풋 인에이블 신호를 포함하는 외부 제어신호의 조합에 따라서 발생됨을 특징으로 하는 반도체 접적회로 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 리미티드회로가 제너 다이오드의 브레이크다운 전압을 이용하여 승압전압을 클램프하도록 구성되어 있음을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  6. 하나의 입력단자에 각각 다른 타이밍으로 동작되는 복수개의 래치회로가 접속되고, 각 래치회로에 래치된 신호의 조합에 따라 동작상태의 절환을 행하는 모우드 선택회로를 갖고 있음을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 복수의 래치회로가 서입상태의 제에를 행하는 라이트 인에이블 신호의 변화에 동기하여서 래치동작을 행함을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 모우드 선택회로가 상기 복수의 래치회로에 래치된 신호와 상기 라이트 인에이블 신호에 의하여 동작상태를 결정함을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  9. 제7항에 있어서, 타이어회로를 갖고, 상기 래치회로에 대하여 래치타이밍을 부여하는 신호가 상기 라이트 인에이블 신호와 상기 타이머회로로 부터 소정시간 경과후에 출력되는 신호에 의하여 형성됨을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  10. 제9항에 있어서, 발전회로를 갖고 있음과 동시에 상기 승압회로가 차야지 펌프에 의하여 구성되고, 상기 발전회로에서 발생된 클럭신호에 의하여 승압회로가 차야지 동작과 동시에, 상기 타이머 회로는 상기 발전회로로 부터 클릭신호를 계수함으로써 계수동작으로 행함을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  11. 제1항 또는 제6항에 있어서, 내부의 전체 메모리셀에 동시에 동일한 데이터를 서입할 수가 있는 동작모우드를 갖고 있음을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
  12. 제11항에 있어서, 메모리 어레이내의 각 워어드선을 구동하는 워어드 드라이버의 입력단자와 전원전압단자와의 사이에 스위치를 각각 갖고, 이들 스위치가 동시에 온 상태로 됨으로써 워어드 드라이버가 메모리 어레이내의 전 워어드선을 선택상태로 하고, 동시에 동일한 데이터를 서입할 수 있게 되어 있음을 특징으로 하는 반도체 집적회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880013385A 1987-10-13 1988-10-13 반도체 집적회로 장치 KR890007296A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62-257877 1987-10-13
JP62257877A JPH01100788A (ja) 1987-10-13 1987-10-13 半導体集積回路装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR890007296A true KR890007296A (ko) 1989-06-19

Family

ID=17312422

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880013385A KR890007296A (ko) 1987-10-13 1988-10-13 반도체 집적회로 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5012445A (ko)
JP (1) JPH01100788A (ko)
KR (1) KR890007296A (ko)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5185721A (en) * 1988-10-31 1993-02-09 Texas Instruments Incorporated Charge-retaining signal boosting circuit and method
US5490107A (en) * 1991-12-27 1996-02-06 Fujitsu Limited Nonvolatile semiconductor memory
US6000843A (en) * 1992-07-03 1999-12-14 Nippon Steel Corporation Electrically alterable nonvolatile semiconductor memory
JP2768172B2 (ja) * 1992-09-30 1998-06-25 日本電気株式会社 半導体メモリ装置
US5965902A (en) * 1995-09-19 1999-10-12 Micron Technology Method and apparatus for testing of dielectric defects in a packaged semiconductor memory device
US5657284A (en) * 1995-09-19 1997-08-12 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for testing for defects between memory cells in packaged semiconductor memory devices
EP1388179A1 (en) * 2001-05-07 2004-02-11 Advanced Micro Devices, Inc. Switching element having memory effect
JP4514016B2 (ja) 2001-05-07 2010-07-28 アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド 複合分子材料を使用したフローティングゲートメモリデバイス
AU2002340793A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-18 Coatue Corporation Molecular memory device
WO2002091384A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. A memory device with a self-assembled polymer film and method of making the same
WO2002091385A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
AU2002340795A1 (en) 2001-05-07 2002-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
US6858481B2 (en) 2001-08-13 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active and passive layers
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
KR100860134B1 (ko) 2001-08-13 2008-09-25 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드 메모리 셀
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6838720B2 (en) * 2001-08-13 2005-01-04 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active passive layers
KR100433407B1 (ko) * 2002-02-06 2004-05-31 삼성광주전자 주식회사 업라이트형 진공청소기
US7012276B2 (en) * 2002-09-17 2006-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Organic thin film Zener diodes
US7324393B2 (en) * 2002-09-24 2008-01-29 Sandisk Corporation Method for compensated sensing in non-volatile memory
TW577194B (en) * 2002-11-08 2004-02-21 Endpoints Technology Corp Digital adjustable chip oscillator
US7330373B2 (en) * 2006-03-28 2008-02-12 Sandisk Corporation Program time adjustment as function of program voltage for improved programming speed in memory system
US7327608B2 (en) * 2006-03-28 2008-02-05 Sandisk Corporation Program time adjustment as function of program voltage for improved programming speed in programming method
KR101893864B1 (ko) * 2012-02-06 2018-08-31 에스케이하이닉스 주식회사 비휘발성 메모리 장치 및 프로그램 방법과 이를 이용하는 데이터 처리 시스템
CN112581991B (zh) * 2020-12-07 2022-06-21 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种芯片输入缓冲电路及存储器

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4148099A (en) * 1978-04-11 1979-04-03 Ncr Corporation Memory device having a minimum number of pins
US4145760A (en) * 1978-04-11 1979-03-20 Ncr Corporation Memory device having a reduced number of pins
US4183095A (en) * 1978-09-01 1980-01-08 Ncr Corporation High density memory device
JPS5828680B2 (ja) * 1979-04-27 1983-06-17 富士通株式会社 半導体記憶装置
US4263664A (en) * 1979-08-31 1981-04-21 Xicor, Inc. Nonvolatile static random access memory system
US4393481A (en) * 1979-08-31 1983-07-12 Xicor, Inc. Nonvolatile static random access memory system
EP0055594B1 (en) * 1980-12-23 1988-07-13 Fujitsu Limited Electrically programmable non-volatile semiconductor memory device
JPS5853775A (ja) * 1981-09-26 1983-03-30 Fujitsu Ltd Icメモリ試験方法
US4581672A (en) * 1983-08-31 1986-04-08 National Semiconductor Corporation Internal high voltage (Vpp) regulator for integrated circuits
JPS60176121A (ja) * 1984-02-22 1985-09-10 Toshiba Corp 電圧降下回路
JPS6124094A (ja) * 1984-07-11 1986-02-01 Hitachi Micro Comput Eng Ltd 半導体記憶装置
US4612630A (en) * 1984-07-27 1986-09-16 Harris Corporation EEPROM margin testing design
US4654849B1 (en) * 1984-08-31 1999-06-22 Texas Instruments Inc High speed concurrent testing of dynamic read/write memory array
JPS61269299A (ja) * 1985-05-24 1986-11-28 Hitachi Vlsi Eng Corp 半導体集積回路装置
JPS6224499A (ja) * 1985-07-24 1987-02-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPS6233397A (ja) * 1985-08-05 1987-02-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JPH0789433B2 (ja) * 1985-11-22 1995-09-27 株式会社日立製作所 ダイナミツク型ram
JPH0654600B2 (ja) * 1985-11-28 1994-07-20 日本電気株式会社 不揮発性半導体メモリ用テスト回路
US4727514A (en) * 1986-02-11 1988-02-23 Texas Instruments Incorporated Programmable memory with memory cells programmed by addressing
US4796232A (en) * 1987-10-20 1989-01-03 Contel Corporation Dual port memory controller
US4841485A (en) * 1987-11-05 1989-06-20 International Business Machines Corporation Read/write memory device with an embedded read-only pattern and method for providing same

Also Published As

Publication number Publication date
US5012445A (en) 1991-04-30
JPH01100788A (ja) 1989-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890007296A (ko) 반도체 집적회로 장치
US5414669A (en) Method and apparatus for programming and erasing flash EEPROM memory arrays utilizing a charge pump circuit
KR970051247A (ko) 플래쉬 메모리 장치
KR900008527A (ko) 반도체 기억장치
KR950007137A (ko) 승압회로 및 그 승압회로를 구비한 비휘발성 반도체 기억장치
KR950021713A (ko) 반도체 집적회로장치
KR950004284A (ko) 반도체 집적회로
KR940026971A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
KR980006526A (ko) 중간 전압 발생 회로 및 이것을 갖는 불휘발성 반도체 메모리
TW200406781A (en) Internal voltage converter scheme for controlling the power-up slope of internal supply voltage
KR850008564A (ko) 반도체 집적회로 장치
JP2019149596A (ja) レベルシフタ
KR920006974A (ko) 다이너믹형 반도체기억장치
KR910014948A (ko) 반도체 기억 장치 및 데이타 처리장치
KR940007873A (ko) 반도체 메모리장치의 플레시 라이트 회로
KR20030011243A (ko) 비휘발성 반도체 기억 장치
KR880002182A (ko) 불휘발성반도체기억장치
KR100274920B1 (ko) 플래쉬메모리및그를구비한마이크로컴퓨터
JPS57143795A (en) Nonvolatile semiconductor storage device
KR970029837A (ko) 승압회로를 갖는 기억장치 및 승압회로 제어방법
JP2725560B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置
KR930020470A (ko) 불휘발성 반도체기억장치
US4095282A (en) Memory including varactor circuit to boost address signals
JP2002519809A (ja) 電気的にプログラム可能なメモリ・セル素子用のモノリシック集積セレクタ
US6069837A (en) Row decoder circuit for an electronic memory device, particularly for low voltage applications

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid