KR930020470A - 불휘발성 반도체기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체기억장치 Download PDF

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KR930020470A
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memory cell
erasing
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nonvolatile semiconductor
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KR1019930005244A
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히데오 가토
노부타케 수기우라
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

본 발명은, 데이터의 소거 및 교환을 할 수 있는 부유게이트를 갖춘 메모리셀의 소오스에 소거전압을 인가함에 있어서 소거전압의 상승시간을 제어하거나 단계적으로 전압을 상승시킴으로써 메모리셀의 소거특성을 향상시키게 된다.
본 발명은, 부유게이트에 의해 전기적으로 데이터의 기록 및 소거를 할 수 있는 복수의 메모리셀을 배열한 메모리셀 어레이의 메모리셀의 데이터소거를 수행하기 위해 상기 메모리셀의 소오스에 상승시간을 제어한 고전압을 공급하는 소거제어수단(37)을 구비하고, 이 소거제어수단(37)에 의해 상승시간을 소정 시간으로 제어하여 일정 시간을 통해 소정의 고전압에 이르도록 전압을 메모리셀의 소오스에 공급함으로써 데이터의 소거를 수행하게 된다.

Description

불휘발성 반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체기억장치의 주요부 회로도.
제2도는 제1도에 나타낸 구성에 따른 동작을 설명하기 위한 타이밍챠트.
제3도는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체기억장치의 주요부 회로도.

Claims (5)

  1. 부유게이트를 갖추면서 전기적으로 데이터의 기록 및 소거를 할 수 있는 메모리셀을 복수 배열한 메모리셀어레이와, 이 메모리셀 어레이중 특정의 상기 메모리셀을 선택하는 디코더수단 및, 상기 메모리셀의 데이터소거를 수행하는 경우에 상기 메모리셀의 소오스에 저전압으로부터 고전압에 이르기까지의 상승시간이 제어된 소거전압을 공급하는 소거전압 인가수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소거전압 인가수단이 상기 저전압으로부터 상기 고전압에 이르는 시간을 약 1초 이상으로 한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소거전압 인가수단이 상기 저전압으로부터 상기 고전압까지의 상승을 아날로그적인 것으로 한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 소거전압 인가수단이 상기 저전압으로부터 상기 고전압까지의 상승을 디지탈적인 것으로 한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 소거전압 인가수단이 상기 저전압으로부터 제1단째의 상승전압에 이르는 제1 상승전압값을 임의로 설정할 수 있도록 된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
    ※ 참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3114797B2 (ja) * 1996-09-26 2000-12-04 日本電気株式会社 不揮発性半導体記憶装置
KR100470182B1 (ko) * 1997-08-30 2005-06-07 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬메모리셀의드레인바이어스회로
KR100481841B1 (ko) * 1997-11-25 2005-08-25 삼성전자주식회사 음의고전압을방전시키기위한회로를구비한플래시메모리장치
KR100457345B1 (ko) * 1997-11-25 2005-04-06 삼성전자주식회사 불 휘발성 반도체 메모리 장치
KR100661670B1 (ko) * 1999-12-28 2006-12-26 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 소자의 소거 방법 및 그 장치
KR100748553B1 (ko) 2004-12-20 2007-08-10 삼성전자주식회사 리플-프리 고전압 발생회로 및 방법, 그리고 이를 구비한반도체 메모리 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03272096A (ja) * 1990-03-20 1991-12-03 Fujitsu Ltd 高電圧整形回路

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