KR880002182A - 불휘발성반도체기억장치 - Google Patents

불휘발성반도체기억장치 Download PDF

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KR880002182A
KR880002182A KR1019870007367A KR870007367A KR880002182A KR 880002182 A KR880002182 A KR 880002182A KR 1019870007367 A KR1019870007367 A KR 1019870007367A KR 870007367 A KR870007367 A KR 870007367A KR 880002182 A KR880002182 A KR 880002182A
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히로시 이와하시
마사미치 아사노
이사오 사토
시게루 구마가이
가즈토 스즈키
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
야마모토 히로시
도시바 마이콤 엔지니어링 가부시키가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

불휘발성반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 1실시예에 따른 불휘발성반도체기억 장치의 소오스전압스위칭회로를 나타낸 회로도
제4도는 제3도에 도시된 소오스전압스위칭회로로부터 발생되는 소오스전압에 따라 구동되는 본 발명의 불휘발성반도체기억장치를 나타낸 회로도
제5도는 제3도에 도시된 소오스전압스위칭회로내에 있는 승압회로부를 나타낸 회로도

Claims (3)

  1. 프로그래밍모우드시 소오스전압(VC)보다 더 높은 전압을 공급해주는 고전압단자(VP)와 용량성수단(C)이 용량성수단(C)의 일단에 펄스신호를 공급해주는 펄스신호재생수단(ROS, IV6, IV7, BR, CX, RX, IV7, BR, CX, RX), 애노우드단에 용량성수단(C)의 타단을 접속해주는 제1다이오드수단(T31), 출력접속점(SO), 정해진 전압레벨까지 용량성수단(C)의 타단을 충전시켜주기 위해 프로그래밍모우드시 활성화해주는 충전회로(T29)(T30)(T33), 출력 접속점(SO)에서의 전위가 미리 정해진 전압레벨보다 더 증가되는 것을 방지해 주기 위해 출력접속점(SO)에 접속되는 전압제한수단(T35, T36), 복수개의 불휘발성 MOS트랜지스터(TM11-TMMN)로 구성되는 메모리셀, 일단에 고전압단자(VP)를 접속해 주는 부하 MOS트랜지스터(T8), 1행으로 배열되는 메모리셀의 셋트를 선택하기 위한 행디코더(RDC, WSC), 일단에 1열로 배열되는 메모리셀의 셋트를 접속해 주면서 그 타단에 부하 MOS트랜지스터(T8)의 타단을 접속해 주는 열게이트 MOS 트랜지스터(T91-T9N), 출력접속점으로 부터 송출된 전압에 따라 부하 MOS 트랜지스터 (T8)가 활성화 및 비활성되는 데이터발생수단(DG, DID) 및 출력접속점으로부터 송출된 전압에 따라 열게이트 MOS 트랜지스터(T91-T9N)를 양자택일적으로 활성화시켜 주는 열디코딩 수단(CSC, CDC)을 구비하도록 된 불휘발성반도체기억장치에 있어서, 애노우드단에 제1다이오드수단(T31)의 캐소우드단을 접속해 주면서 캐소우드단에 출력접속점(SO)을 접속해 주는 제2다이오드수단(T32)과 제1다이오드수단(T31)의 캐소우드단을 기준전압레벨까지 방전시켜 주기 위해 프로그래밍모우드 이외의 기간동안에 활성화해 주는 방전회로(T38, T39)를 추가로 구비하여서 된 것을 특징으로 하는 불휘발성반도체기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 데이터발생수단(DG, DID)은, 데이터발생회로(DG)와 출력접속점(SO)가 기준전압단자(VS) 사이에 직렬로 접속되면서 부하. MOS 트랜지스터(T8)의 게이트에 그 출력단자 접속되는 CMOS 인버터인 MOS트랜지스터(DT10)(DT11), 데이터발생회로(DG)의 출력단자와 CMOS인버터사이에 접속되는 전달 MOS트랜지스터(DT12) 및 출력접속점과 전달 MOS트랜지스터(DT12) 사이에 접속되면서 게이트가 CMOS 인버터의 출력단자에 접속되는 궤환 MOS트랜지스터(DT13)를 구비하는 것을 특징으로 하는 불휘발성반도체 기억장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 열디코딩수단(CSC, CDC)은 복수개의 출력단자를 갖춘 열선택회로(CSC)과;출력접속점(SO)과 기준전압단자(VS) 사이에 직렬로 접속된 MOS트랜지스터로 구성되는 CMOS인버터와 열선택회로(CSC)의 해당출력단자와 CMOS 인버터 사이에 접속되면서 출력단자가 열게이트 MOS 트랜지스터(T91-T9M)의 해당게이트에 접속되는 전달 MOS트랜지스터(CT12) 및 출력접속점(SO)과 전달MOS 트랜지스터(CT12) 사이에 접속되면서 게이트가 해당 CMOS 인버터의 출력 단자에 접속되는 궤환 MOS 트랜지스터(DT13)로 각각 이루어지는 열구동회로(CDR1-CDRN)로 구비되는 것을 특징으로 하는 불휘발성반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019870007367A 1986-07-09 1987-07-09 불휘발성 반도체 기억장치 KR960002008B1 (ko)

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JP61-159744 1986-07-09
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JP159742 1986-07-09
JP61159742A JPH073947B2 (ja) 1986-07-09 1986-07-09 昇圧回路
JP159744 1986-07-09

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US4831592A (en) 1989-05-16
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KR960002008B1 (ko) 1996-02-09

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