KR950007137A - 승압회로 및 그 승압회로를 구비한 비휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents

Abstract

입력 전위를 소정의 전위까지 승압회로에 있어서, 입력 전위를 승압하여 출력하는 복수개의 승압셀(10)과, 이들 승압셀(10)의 접속 상태를 전환하는 접속전환회로(30)를 설치하고, 접속전환회로(30)는, 승압셀(10)을 1개 또는 복수개 직렬로 접속하여 구성하는 승압셀군(20)을 출력에 대하여 병렬로 접속하고, 또한 승압셀군(20)내의 승압셀(10)의 수와 승압셀군(20)의 수를 가변시키는 것을 특징으로 한다.

[선택도] 제4도

Description

승압회로 및 그 승압회로를 구비한 비휘발성 반도체 기억장치

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도는 제1실시예에 관한 승압회로의 개략 구성을 나타내는 블록도,

제5도는 제1실시예에 있어서의 승압셀군의 접속 상태를 나타내는 모식도,

제6도는 제1실시예에 있어서의 출력파형을 종래와 비교하여 나타내는 특성도.

Claims (20)

1. 입력 전위를 승압하여 출력하고, 출력에 대하여 병렬로 접속되며, 승압셀을 1개 또는 복수개로 직렬 접속하여 구성되는 승압셀군으로 분할하는 복수개의 승압셀과; 상기 승압셀의 접속 상태를 전환하고, 승압셀군내의 승압셀의 수와 승압셀군의 수를 변경시키는 접속 전환 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 승압회로.
2. 제1항에 있어서, 소정의 신호를 출력하는 실호 회로를 추가로 구비하고, 상기 접속전환회로는 상기 승압셀의 출력 사이 혹은 상기 승압셀의 출력과 입력 사이에 접속되며, 스위치 수단을 온·오프 시키기 위하여 상기 소정의 신호가 입력되어 제어 게이트를 갖는 스위치 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 승압회로.
3. 제2항에 있어서, 상기 스위치 수단은 상기 제어 게이트를 갖는 트랜지스터 수위치인 것을 특징으로 하는 승압회로.
4. 제2항에 있어서, 상기 스위치 수단의 제어 게이트는 부트회로의 출력 단자에 접속되고, 상기 부트 회로의 입력 단자는 상기 승압셀의 출력에 접속되며, 상기 부트회로는 상기 신호 회로의 상기 소정의 신호로 제어되는 것을 특징으로 하는 승압회로.
5. 제2항에 있어서, 상기 접속전환회로는 승압셀군내의 승압셀의 수와 승압셀군의 수를 승압회로의 구동중에 전환하는 것을 특징으로 하는 승압회로.
6. 제2항에 있어서, 상기 접속전환회로는 출력 전위의 상승과 함께 승압셀의 수를 증가시킴과 동시에 승압셀군의 수를 감소시키는 것을 특징으로 하는 승압회로.
7. 제2항에 있어서, 상기 접속전환회로는 승압셀군의 수가 N개이고, i번째의 (1≤ i ≤ N) 승압셀군중의 승압셀의 수가 Mi인때 Mi를 i에 대하여 적산한 총계가 일정하게 되도록 출력 전위의 상승과 함께 N을 감소시키는 것을 특징으로 하는 승압회로.
8. 제1항에 있어서, 상기 접속전환회로는 접속전환은 미리 설정된 시간에 실행되는 것을 특징으로 하는 승압회로.
9. 제2항에 있어서, 상기 접속전환회로는 접속전환은 미리 설정된 시간에 실행되는 것을 특징으로 하는 승압회로.
10. 제1항에 있어서, 상기 접속전환회로는 접속전환은 외부 명령에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 승압회로.
11. 제2항에 있어서, 상기 접속전환회로는 접속전환은 외부 명령에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 승압회로.
12. 제1항에 있어서, 상기 접속전환회로의 접속전환은 승합회로의 출력 전압을 검출하여 미리 설정된 기준 전압과 비교함에 따라 실행되는 것을 특징으로 하는 승압회로.
13. 제2항에 있어서, 상기 접속전환회로의 접속전환은 승합회로의 출력 전압을 검출하여 미리 설정된 기준 전압과 비교함에 따라 실행되는 것을 특징으로 하는 승압회로.
14. 전원 전압보다도 높은 전압을 발생시키는 승압회로를 구비한 비휘발성반도체 기억장치에 있어서, 상기 승압회로는 복수개의 승압셀이 직렬 접속되어 있는 제1 및 제2승압셀군과; 제1 및 제2승압셀군의 접속 상태를 전환하고, 제1승압셀군의 출력단자와 제2승압셀군의 출력 단자 사이에 접속된 제1 MOS 트랜지스터와 제1승압셀군의 출력단자와 제2승압셀군의 입력 단자 사이에 접속된 제2MOS트랜지스터로 이루어진 접속 전환 회로와; 제1 및 제2 MOS 트랜지스터에 입력하는 신호 전압을 발생시키고, 상기 신호 전압에 의하여 제1 및 제2 MOS 트랜지스터가 선택적으로 온·오프되는 신호 전압 발생회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 기억장치.
15. 입력 전위를 승압하여 승압 전위를 출력시키고, 승압용 커패시터와 전하전송 게이트로 구성되며, 출력에 대하여 직렬로 접속되며, 출력 방향으로 전하를 전송하도록 위상을 설정한 복수의 펄스 전압에 의하여 구동되는 복수개의 승압셀과; 상기 승압셀의 전하를 출력에 대하여 직접 출력하는 복수의 병렬 접속수단과; 전하가 직렬로 출력되는 승압셀의 수와 전하가 출력에 대하여 직접 출력되는 승압셀의 수를 가변으로 하는 단수 용량 가변 수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 승압회로.
16. 제15항에 있어서, 상기 단수 용량 가변 수단은 출력 전압이 낮은 동안은 전하가 출력에 대하여 직접 출력되는 승압셀의 수를 크게하고, 전하가 직렬로 출력되는 승압셀의 수를 작게하며, 출력 전압의 상승과 아울러 전하가 출력에 대하여 직접 출력되는 승압셀의 수를 작게하고, 전하가 직렬로 출력되는 승압셀의 수를 크게하는 것을 특징으로 하는 승압회로.
17. 제16항에 있어서, 상기 단수 용량 가변 수단은 상기 승압용 커패시터에 인가하는 펄스 전압의 위상을 가변시키고, 상기 병렬 접속 수단은 상기 승압용 커패시터와 출력 사이를 다이오드 또는 다이오드 접속의 트랜지스터로 접속한 것을 특징으로 하는 승압회로.
18. 제16항에 있어서, 상기 단수 용량 가변 수단에 의한 변경은 미리 설정된 시간에 실행되는 것을 특징으로 하는 승압회로.
19. 제16항에 있어서, 상기 단수 용량 가변 수단에 의한 변경은 외부 명령에 의하여 실행되는 것을 특징으로 하는 승압회로.
20. 제16항에 있어서, 상기 단수 용량 가변 수단에 의한 변경은 승압호로의 출력 전압을 검출하여 미리 설정된 기준 전압과 비교함으로써 실행되는 것을 특징으로 하는 승압회로.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.