KR890004456A - 자전변환소자와 자전변환장치 - Google Patents

자전변환소자와 자전변환장치 Download PDF

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유타카 도미사와
테츠오 이시이
가즈히코 이노우에
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아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음.

Description

자전변환소자의 자전변환장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 자전변환소자의 평면도.
제2도(a) 내지 제2도(c)는 제1도에 도시된 자전변환소자의 제조공정을 나타낸 단면도와 평면도.
제3도는 제1도에 도시된 자전변환소자의 다른 실시예에 관한 평면도.

Claims (9)

  1. 제1도전형반도체층(12)과, 이 제1도전형반도체층(12)과 PN접합을 형성하는 제2도전형반도체층(13a, 13b, 13c, 13d), 상기 제1도전형반도체층(12)과 오옴접촉됨과 더불어 상기 PN접합면에 따라서 전류를 공급해주는 전류공급전극(14a, 14b) 및, 상기 제2도전형반도체층(13a, 13b)과 오옴접촉됨과 더불어 상기 PN접합의 전기용량을 검출해내는 전기용량 검출전극(15a, 15b)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 자전변환소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1도전형반도체층(12)의 주요면 및 상기 제2도전형반도체층(13a, 13b, 13c, 13d)의 주요면이 이들 양반도체층이 형성된 반도체기판(11)의 한쪽의 주표면에 포함됨과 더불어 상기 제2도전형반도체층(13a, 13b, 13c, 13d)이 상기 제1도전형반도체층(12)을 사이에 두고 거의 +자형으로 형성된 것을 특징으로 하는 자전변환소자.
  3. 제1도전형반도체층(22)과, 이 제1도전형반도체층(22)의 주표면에 접해서 설치되는 절연층(27), 이절연층(27)을 매개해서 상기 제1도전형반도체층(22)에 대향되게 배치되어 전기용량을 형성해줌과 더불어 이 전기용량의 검출을 겸하는 전기용량검출전극(25a, 25b) 및, 상기 제1도전형반도체층(22)과 오옴접촉됨과 더불어 상기 전기용량을 형성하는 절연층(27)을 따라서 전류를 공급해주는 전류공급전극(24a, 24b)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 자전변환소자.
  4. 제3항에 있어서, 전기용량을 형성하는 전기용량검출전극(25a, 25b)을 2개 갖추면서, 그 2개의 전기용량 검출전극(25a, 25b)이 전류공급전극(24a, 24b)으로부터 공급되는 전류방향에 따라서 간격(28)을 갖고서 대향 되게 배치된 것을 특징으로 하는 자전변환소자.
  5. 제1도전형반도체층(42)과, 이 제1도전형반도체층(42)의 주표면에 접해서 설치되어 상기 제1도전형반도체층(42)과의 사이에서 전기용량을 형성하는 쇼트키전극을 포함하게 됨과 더불어 상기 전기용량의 검출을 겸하는 전기용량검출전극(45a, 45b)과, 상기 제1도전형반도체층(42)과 오옴접촉되면서 상기 쇼트키전극을 따라서 전류를 공급해 주는 전류공급전극(44a, 44b)을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 자전변환소자.
  6. 제5항에 있어서, 전기용량을 형성하는 전기용량검출전극(45A, 45b)을 2개 갖추면서, 그2개의 전기용량 검출전극(45a, 45b)이 전류공급전극(44a, 44b)으로부터 공급되는 전류방향에 따라서 간격을 갖고 대향되게 배치된 것을 특징으로 하는 자전변환소자,
  7. (a) : 제1도전형반도체층(12)과, 이 제1도전형반도체층(12)과 PN접합을 형성하는 제2도전형반도체층(13a, 13b, 13c, 13d), 상기 제1도전형반도체층(12)과 오옴접촉됨과 더불어 상기 PN접합면에 따라서 전류를 공급해 주는 전류공급전극(14a, 14b) 및 상기 제2도전형반도체층(13a, 13b, 13c, 13d)과 오옴접촉됨과 더불어 상기 PN접합의 전기용량을 검출해내는 전기용량검출전극(15a, 15b)을 구비한 자전변환소자(10)와, (b) : 제1도전형반도체층(22)과, 제1도전형반도체층(22)의 주표면에 접해서 설치된 절연층(27)을 매개해서 상기 제1도전형반도체층(22)에 대향되어 전기용량을 형성함과 더불어 이 전기용량의 검출을 겸하는 전기용량검출전극(25a, 26b) 및, 상기 제1도전형반도체층(22)과 오옴접촉됨과 더불어 상기 전기용량을 형성하는 절연층(27)에 따라 전류를 공급해주는 전류공급전극(24a, 24b)을 구비한 자전변환소자(20) 및, (c) : 제1도전형반도체층(42)과, 이 제1도전형반도체층(42)의 주요면에 접해서 설치되어 상기 제1도전형반도체층(42)과의 사이에서 전기용량을 형성하는 쇼트키전극을 포함하게 됨과 더불어 그 전기용량의 검출을 겸하는 전기용량검출전극(45a, 45b) 및 상기 제1도전형반도체층(42)과 오옴접촉됨과 더불어 상기 쇼트기전극을 따라서 전류를 공급해주는 전류공급전극(44a, 44b)을 구비한 자전변환소자(40)중에서 어느 하나의 자전변환소자(10 ; 20 ; 40)의 상기 전기용량검출전극과 상기 전류공급전극사이에 전기용량검출수단이 설치되어 구성된 것을 특징으로 하는 자전변환장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 자전변환소자(10 ; 20 ; 40)와 전기용량검출수단이 1개의 단결정반도체기판에 형성된 것을 특징으로 하는 자전변환장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서 상기 전기용량검출수단이 상기 전기용량검출전극(15a, 15b ; 25a, 25b ; 45a, 45b)과 상기 전류공급전극(14a, 14b ; 24a, 24b ; 44a, 44b)사이의 전기용량을 이상(移相)용 캐패시터(C)로 이용하는 RC발진회로(50)인 것을 특징으로 하는 자전변환장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880011137A 1987-08-31 1988-08-31 자전변환소자와 자전변환장치 KR910007388B1 (ko)

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