KR870009391A - 출력버퍼회로 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 버퍼회로의 도면.
제4도 내지 제5도는 제3도에 도시한 회로의 동작을 설명하기 위한 도면.
Claims (19)
- 공급전원을 가진 반도체집접회로에 사용되는 버퍼회로와, 집접회로 로부터 입력전류를 받는 입력노드 및 입력전류에 응답하여 출력전류를 출력하기 위한 출력노드를 구비한 버퍼회로에 있어서,부하저항수단(Q20,Q21)이 제1 및 제2의 상태중 한 상태에 있을 때 제1 의 설정된 전압(Vcc)으로부터 버퍼회로의 입력전류를 증가시키기 위한 제1 및 제2의 상태를 가지는 부하저항(Q20,Q21)과,상기 부하저항(Q20,Q21)이 한 상태에서 다른상태로 될 때 제2 의 설정된 전압(Vcc)으로부터 버퍼회로의 입력전류를 증가시키기 위한 제1 및 제2의 대응상태를 가지는 구동 트랜지스터(Q27,Q28) 및 공급전원을 안정시키기 위해 버퍼회로에 흐르는 입력전류의 증가율은 감세하는 수단(17,20,21,24)을 구비한 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제1항에 있어서, 상기 부하저항수단(Q20,Q21)은 출력누드와 제1 의 설정된 전압(Vcc) 사이에 병렬로 연결된 다수의 부하트랜지스터(Q20,Q21,Q80)로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제1항에 있어서, 구동트랜지스터(Q27,Q28,Q82)는 출력노드와 제2의 설정된 전위(Vss) 사이에 병렬로 연결된 다수의 구동트랜지스터로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제1항에 있어서, 설정된 시간기간동안 연속해서 제2의 상태로부터 제1의 상태로 부하 및 구동트랜지스터(Q20,Q21,Q27,Q28)를 교대로 스위칭하기 위한 제1 및 제2 의 지연수단(17,20,21,24)과 제1의 상태로부터 제2의 상태로 부하 및 구동트랜지스터를 스위칭함과 동시에 부하트랜지스터(Q20,Q21)의 상태에 구동트랜지스터(Q27,Q28)의 반대상태로 존재하게 함을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제4항에 있어서, 제1 및 제2의 지연수단(17,20,21,24)은 각각 임계전압에 대응하는 입력전류를 반전하기 위해 설정된 제1임계치전압을 가지고, 제1의 지연수단을 위한 반전된 전류를 공급하는 제1반전수단(15)과, 제1 및 제2의 지연수단에 의한 임계전압보다 더 낮은 제1임계전압, 제2의 지연수단을 위해 반전된 전류를 공급하고, 입력전류를 반전하기 위한 설정된 제2임계전압과 제1 및 제2의 지연수단(17,20,21,24)의 임계전압보다 더 높은 제2의 임계전압은 가진 제2 의 인버터(16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제5항에 있어서, 제1의 반전수단(25)은 공급전원을 공급하기 위해 연결된 제1의 P챈널 트랜지스터(Q11)와 제1의 n챈널 트랜지스터(Q12), 두 개의 트랜지스터(Q11,Q12)로 이루어지고, 제2의 반전수단(16)은 제2의 P챈널 트랜지스터(Q13)와 제2의 n챈널 트랜지스터(Q14) 및 공급전원을 공급하기 위해 직렬로 연결된 두 개의 트랜지스터(Q13,Q14)로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제6항에 있어서, 각각의 트랜지스터는 설정된 게이트 길이를 가지고 있고, 제1의 P챈널 트랜지스터(Q11)의 게이트 길이는 제1의 n챈널 트랜지스터(Q12)의 게이트 길이보다도 짧고, 제2의 P챈널 트랜지스터(Q13)의 게이트 길이는 제2의 n챈널 트랜지스터(Q14)의 게이트 길이보다도 더 긴 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제4항에 있어서, 제1의 지연수단(17,20)은 입력전류에 따라 부하저항을 스위칭하기 위한 제3의 반전수단(17) 및 입력전류에 따라 설정된 시간에 부하트랜지스터를 스위칭하기 위한 제3의 지연수단(20)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제4항에 있어서, 제2의 지연수단(21,24)은 입력전류에 따라 구동트랜지스터를 스위칭하기 위한 제4의 반전수단(21) 및 입력전류에 따라 설정된 시간간격에 다른 구동트랜지스터를 스위칭하기 위한 제4의 지연수단(24)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제8항에 있어서, 제3의 지연수단(20)은 제3의 P챈널 트랜지스터와 제3 및 제4의 n챈널 트랜지스터(Q17,Q18,Q19) 및 제1의 지연소자(18,19), 각각의 트랜지스터는 대응하는 입력접합을 가지며, 트랜지스터(Q17,Q18,Q19)는 공급전원에 직렬로 연결되어 있고, 제1의 지연소자(18,19)는 제4의 n챈널 트랜지스터(Q19)의 입력접합과 제3의 P챈널 트랜지스터(Q17) 및 제3의 n챈널 트랜지스터(Q18) 사이에 연결된 제1의 지연소자(18,19)로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제10항에 있어서, 제1의 지연소자(18,19)는 제1의 출력신호에 대응하며, 상기 제1의 지연수단은 제1의 지연수단(18,19)의 제1출력신호에 따라 설정된 시간간격에 부하저항의 다른 스위칭을 위한 제4의 지연수단(80)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제9항에 있어서, 제4의 지연수단(24)은 제5의 n챈널, 제4 및 제5의 P챈널 트랜지스터(Q24,Q25,Q26)와 제2의 지연소자(22,23)로 이루어지고, 각 트랜지스터(Q24,Q25,Q26)는 입력접합에 대응하며, 트랜지스터(Q24,Q25,Q26)는 공급전원과 직렬로 연결되고, 제2의 지연소자(22,23)는 제4의 P챈널 트랜지스터(Q26)의 입력접합과 제4의 P챈널 트랜지스터(Q25) 및 제4의 n챈널트랜지스터(Q24) 사이에 연결된 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제12항에 있어서, 제2의 지연소자(22,23)는 제2의 출력신호에 대응하며, 제2의 지연수단은 제2의 지연소자(22,23)의 제2출력신호에 따라 설정된 시간간격에 따른 부하트랜지스터를 스위칭하기 위한 제6의 지연소자로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제10항에 있어서, 상기 제1의 지연소자는 인버터(18,19)로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제10항에 있어서, 상기 제1의 지연수단은 저항(60)과 캐패시터(62)로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제10항에 있어서, 상기 게이트와 드레인이 함께 결합된 디플리션형 MOS트랜지스터(Q70)를 포함하고 있음을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제12항에 있어서, 상기 제2의 지연소자는 인버터(22,23)를 포함하고 있음을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제12항에 있어서, 제2의 지연수단은 저항(64)과 캐패시터(66)인 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
- 제12항에 있어서, 제2의 지연수단은 게이트와 드레인이 결합된 디플리션형 MOS 트랜지스터(Q74)인 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63214 | 1986-03-20 | ||
JP61-63214 | 1986-03-20 | ||
JP61063214A JPS62220026A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 出力バツフア回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR870009391A true KR870009391A (ko) | 1987-10-26 |
KR900004590B1 KR900004590B1 (ko) | 1990-06-30 |
Family
ID=13222722
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019870002601A KR900004590B1 (ko) | 1986-03-20 | 1987-03-20 | 출력 버퍼회로 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4785203A (ko) |
EP (1) | EP0238358A3 (ko) |
JP (1) | JPS62220026A (ko) |
KR (1) | KR900004590B1 (ko) |
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- 1986-03-20 JP JP61063214A patent/JPS62220026A/ja active Pending
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1987
- 1987-03-20 EP EP87302444A patent/EP0238358A3/en not_active Withdrawn
- 1987-03-20 KR KR1019870002601A patent/KR900004590B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1987-03-20 US US07/028,669 patent/US4785203A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4785203A (en) | 1988-11-15 |
KR900004590B1 (ko) | 1990-06-30 |
EP0238358A3 (en) | 1989-10-18 |
JPS62220026A (ja) | 1987-09-28 |
EP0238358A2 (en) | 1987-09-23 |
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