KR870009391A - 출력버퍼회로 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

출력버퍼회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 버퍼회로의 도면.
제4도 내지 제5도는 제3도에 도시한 회로의 동작을 설명하기 위한 도면.

Claims (19)

  1. 공급전원을 가진 반도체집접회로에 사용되는 버퍼회로와, 집접회로 로부터 입력전류를 받는 입력노드 및 입력전류에 응답하여 출력전류를 출력하기 위한 출력노드를 구비한 버퍼회로에 있어서,
    부하저항수단(Q20,Q21)이 제1 및 제2의 상태중 한 상태에 있을 때 제1 의 설정된 전압(Vcc)으로부터 버퍼회로의 입력전류를 증가시키기 위한 제1 및 제2의 상태를 가지는 부하저항(Q20,Q21)과,
    상기 부하저항(Q20,Q21)이 한 상태에서 다른상태로 될 때 제2 의 설정된 전압(Vcc)으로부터 버퍼회로의 입력전류를 증가시키기 위한 제1 및 제2의 대응상태를 가지는 구동 트랜지스터(Q27,Q28) 및 공급전원을 안정시키기 위해 버퍼회로에 흐르는 입력전류의 증가율은 감세하는 수단(17,20,21,24)을 구비한 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 부하저항수단(Q20,Q21)은 출력누드와 제1 의 설정된 전압(Vcc) 사이에 병렬로 연결된 다수의 부하트랜지스터(Q20,Q21,Q80)로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  3. 제1항에 있어서, 구동트랜지스터(Q27,Q28,Q82)는 출력노드와 제2의 설정된 전위(Vss) 사이에 병렬로 연결된 다수의 구동트랜지스터로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  4. 제1항에 있어서, 설정된 시간기간동안 연속해서 제2의 상태로부터 제1의 상태로 부하 및 구동트랜지스터(Q20,Q21,Q27,Q28)를 교대로 스위칭하기 위한 제1 및 제2 의 지연수단(17,20,21,24)과 제1의 상태로부터 제2의 상태로 부하 및 구동트랜지스터를 스위칭함과 동시에 부하트랜지스터(Q20,Q21)의 상태에 구동트랜지스터(Q27,Q28)의 반대상태로 존재하게 함을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  5. 제4항에 있어서, 제1 및 제2의 지연수단(17,20,21,24)은 각각 임계전압에 대응하는 입력전류를 반전하기 위해 설정된 제1임계치전압을 가지고, 제1의 지연수단을 위한 반전된 전류를 공급하는 제1반전수단(15)과, 제1 및 제2의 지연수단에 의한 임계전압보다 더 낮은 제1임계전압, 제2의 지연수단을 위해 반전된 전류를 공급하고, 입력전류를 반전하기 위한 설정된 제2임계전압과 제1 및 제2의 지연수단(17,20,21,24)의 임계전압보다 더 높은 제2의 임계전압은 가진 제2 의 인버터(16)를 포함하는 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  6. 제5항에 있어서, 제1의 반전수단(25)은 공급전원을 공급하기 위해 연결된 제1의 P챈널 트랜지스터(Q11)와 제1의 n챈널 트랜지스터(Q12), 두 개의 트랜지스터(Q11,Q12)로 이루어지고, 제2의 반전수단(16)은 제2의 P챈널 트랜지스터(Q13)와 제2의 n챈널 트랜지스터(Q14) 및 공급전원을 공급하기 위해 직렬로 연결된 두 개의 트랜지스터(Q13,Q14)로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  7. 제6항에 있어서, 각각의 트랜지스터는 설정된 게이트 길이를 가지고 있고, 제1의 P챈널 트랜지스터(Q11)의 게이트 길이는 제1의 n챈널 트랜지스터(Q12)의 게이트 길이보다도 짧고, 제2의 P챈널 트랜지스터(Q13)의 게이트 길이는 제2의 n챈널 트랜지스터(Q14)의 게이트 길이보다도 더 긴 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  8. 제4항에 있어서, 제1의 지연수단(17,20)은 입력전류에 따라 부하저항을 스위칭하기 위한 제3의 반전수단(17) 및 입력전류에 따라 설정된 시간에 부하트랜지스터를 스위칭하기 위한 제3의 지연수단(20)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  9. 제4항에 있어서, 제2의 지연수단(21,24)은 입력전류에 따라 구동트랜지스터를 스위칭하기 위한 제4의 반전수단(21) 및 입력전류에 따라 설정된 시간간격에 다른 구동트랜지스터를 스위칭하기 위한 제4의 지연수단(24)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  10. 제8항에 있어서, 제3의 지연수단(20)은 제3의 P챈널 트랜지스터와 제3 및 제4의 n챈널 트랜지스터(Q17,Q18,Q19) 및 제1의 지연소자(18,19), 각각의 트랜지스터는 대응하는 입력접합을 가지며, 트랜지스터(Q17,Q18,Q19)는 공급전원에 직렬로 연결되어 있고, 제1의 지연소자(18,19)는 제4의 n챈널 트랜지스터(Q19)의 입력접합과 제3의 P챈널 트랜지스터(Q17) 및 제3의 n챈널 트랜지스터(Q18) 사이에 연결된 제1의 지연소자(18,19)로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  11. 제10항에 있어서, 제1의 지연소자(18,19)는 제1의 출력신호에 대응하며, 상기 제1의 지연수단은 제1의 지연수단(18,19)의 제1출력신호에 따라 설정된 시간간격에 부하저항의 다른 스위칭을 위한 제4의 지연수단(80)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  12. 제9항에 있어서, 제4의 지연수단(24)은 제5의 n챈널, 제4 및 제5의 P챈널 트랜지스터(Q24,Q25,Q26)와 제2의 지연소자(22,23)로 이루어지고, 각 트랜지스터(Q24,Q25,Q26)는 입력접합에 대응하며, 트랜지스터(Q24,Q25,Q26)는 공급전원과 직렬로 연결되고, 제2의 지연소자(22,23)는 제4의 P챈널 트랜지스터(Q26)의 입력접합과 제4의 P챈널 트랜지스터(Q25) 및 제4의 n챈널트랜지스터(Q24) 사이에 연결된 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  13. 제12항에 있어서, 제2의 지연소자(22,23)는 제2의 출력신호에 대응하며, 제2의 지연수단은 제2의 지연소자(22,23)의 제2출력신호에 따라 설정된 시간간격에 따른 부하트랜지스터를 스위칭하기 위한 제6의 지연소자로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  14. 제10항에 있어서, 상기 제1의 지연소자는 인버터(18,19)로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  15. 제10항에 있어서, 상기 제1의 지연수단은 저항(60)과 캐패시터(62)로 이루어진 것임을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  16. 제10항에 있어서, 상기 게이트와 드레인이 함께 결합된 디플리션형 MOS트랜지스터(Q70)를 포함하고 있음을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  17. 제12항에 있어서, 상기 제2의 지연소자는 인버터(22,23)를 포함하고 있음을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  18. 제12항에 있어서, 제2의 지연수단은 저항(64)과 캐패시터(66)인 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
  19. 제12항에 있어서, 제2의 지연수단은 게이트와 드레인이 결합된 디플리션형 MOS 트랜지스터(Q74)인 것을 특징으로 하는 출력버퍼회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63234622A (ja) * 1987-03-23 1988-09-29 Toshiba Corp デ−タ出力回路
JPS63299513A (ja) * 1987-05-29 1988-12-07 Toshiba Corp 出力回路
JPH0799639B2 (ja) * 1987-07-31 1995-10-25 株式会社東芝 半導体集積回路
US5268868A (en) * 1987-09-16 1993-12-07 Hitachi, Ltd. Output buffer circuits for reducing ground bounce noise
JPH01161916A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Toshiba Corp 半導体集積回路
JPH01171320A (ja) * 1987-12-25 1989-07-06 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 出力回路
NL8800234A (nl) * 1988-02-01 1989-09-01 Philips Nv Geintegreerde schakeling met logische circuits en ten minste een push-pull-trap.
US4825101A (en) * 1988-02-11 1989-04-25 Advanced Micro Devices, Inc. Full-level, fast CMOS output buffer
US4877980A (en) * 1988-03-10 1989-10-31 Advanced Micro Devices, Inc. Time variant drive circuit for high speed bus driver to limit oscillations or ringing on a bus
US4992677A (en) * 1988-03-23 1991-02-12 Hitachi, Ltd. High speed MOSFET output buffer with low noise
JP2666347B2 (ja) * 1988-04-20 1997-10-22 セイコーエプソン株式会社 出力回路
JP2542678B2 (ja) * 1988-06-17 1996-10-09 富士通株式会社 半導体装置
US5293082A (en) * 1988-06-21 1994-03-08 Western Digital Corporation Output driver for reducing transient noise in integrated circuits
US4924120A (en) * 1988-06-29 1990-05-08 Texas Instruments Incorporated Low noise output circuit
US4959563A (en) * 1988-06-29 1990-09-25 Texas Instruments Incorporated Adjustable low noise output circuit
JPH0229115A (ja) * 1988-07-19 1990-01-31 Toshiba Corp 出力回路
JPH0289292A (ja) * 1988-09-26 1990-03-29 Toshiba Corp 半導体メモリ
JPH0289373A (ja) * 1988-09-27 1990-03-29 Nec Corp 半導体メモリ
US5136179A (en) * 1988-10-31 1992-08-04 Teledyne Industries, Inc. Logic level discriminator
JPH0777345B2 (ja) * 1988-11-04 1995-08-16 三菱電機株式会社 半導体装置
JPH0666674B2 (ja) * 1988-11-21 1994-08-24 株式会社東芝 半導体集積回路の出力回路
US4975598A (en) * 1988-12-21 1990-12-04 Intel Corporation Temperature, voltage, and process compensated output driver
US5063308A (en) * 1988-12-21 1991-11-05 Intel Corporation Output driver with static and transient parts
US4933574A (en) * 1989-01-30 1990-06-12 Integrated Device Technology, Inc. BiCMOS output driver
US5004936A (en) * 1989-03-31 1991-04-02 Texas Instruments Incorporated Non-loading output driver circuit
US4992676A (en) * 1989-05-01 1991-02-12 Motorola, Inc. Output buffer having distributed stages to reduce switching noise
US4963766A (en) * 1989-06-28 1990-10-16 Digital Equipment Corporation Low-voltage CMOS output buffer
US4972101A (en) * 1989-09-19 1990-11-20 Digital Equipment Corporation Noise reduction in CMOS driver using capacitor discharge to generate a control voltage
US4962345A (en) * 1989-11-06 1990-10-09 Ncr Corporation Current limiting output driver
JP3031419B2 (ja) * 1990-06-13 2000-04-10 三菱電機株式会社 半導体集積回路
US5097149A (en) * 1990-07-02 1992-03-17 Micron Technology, Inc. Two stage push-pull output buffer circuit with control logic feedback for reducing crossing current, switching noise and the like
US5241221A (en) * 1990-07-06 1993-08-31 North American Philips Corp., Signetics Div. CMOS driver circuit having reduced switching noise
US5041741A (en) * 1990-09-14 1991-08-20 Ncr Corporation Transient immune input buffer
US5122690A (en) * 1990-10-16 1992-06-16 General Electric Company Interface circuits including driver circuits with switching noise reduction
JPH04153761A (ja) * 1990-10-17 1992-05-27 Nec Corp 出力バッファ
JP2583684B2 (ja) * 1990-11-06 1997-02-19 三菱電機株式会社 プルダウン抵抗コントロール入力回路及び出力回路
JP2628942B2 (ja) * 1990-11-06 1997-07-09 三菱電機株式会社 プルアップ抵抗コントロール入力回路及び出力回路
JPH05243940A (ja) * 1992-02-27 1993-09-21 Mitsubishi Electric Corp 出力バッファ装置
JP3442149B2 (ja) * 1994-07-28 2003-09-02 富士通株式会社 半導体回路
US5701090A (en) 1994-11-15 1997-12-23 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Data output circuit with reduced output noise
KR100219559B1 (ko) * 1996-10-09 1999-09-01 윤종용 신호라인 구동회로 및 이를 구비하는 반도체장치
US5910730A (en) * 1996-12-13 1999-06-08 International Business Machines Corporation Digital circuit noise margin improvement
US5825219A (en) * 1997-02-21 1998-10-20 Silicon Integrated System Corp. Fast edge rate signal driver
US5929680A (en) * 1997-05-16 1999-07-27 Tritech Microelectronics International Ltd Short circuit reduced CMOS buffer circuit
EP0913927B1 (en) * 1997-10-31 2004-10-06 STMicroelectronics S.r.l. High voltage level shifter for driving an output stage
GB2335556B (en) 1998-03-18 2002-10-30 Ericsson Telefon Ab L M Switch circuit
US6051995A (en) * 1998-09-11 2000-04-18 Sharp Electronics Corporation Constant impedance, low noise CMOS buffer
US6466074B2 (en) * 2001-03-30 2002-10-15 Intel Corporation Low skew minimized clock splitter
US6683482B2 (en) * 2001-08-02 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Slew rate control of output drivers using PVT controlled edge rates and delays
US6529050B1 (en) * 2001-08-20 2003-03-04 National Semiconductor Corporation High-speed clock buffer that has a substantially reduced crowbar current
US6870895B2 (en) * 2002-12-19 2005-03-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Shift register and driving method thereof
US20040246039A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Chi-Ming Hsiao Switched capacitor circuit capable of minimizing clock feedthrough effect in a voltage controlled oscillator circuit
TWI262315B (en) * 2004-11-17 2006-09-21 Richtek Technology Corp Detecting method of switching state for a FET-based switch
KR101169263B1 (ko) * 2004-12-13 2012-08-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이를 이용하는 전자 기기
CN103236834B (zh) * 2013-03-13 2015-07-08 东南大学 浮栅驱动芯片中抑制高侧浮动电源低电平负过冲的电路
US11349456B2 (en) * 2017-07-21 2022-05-31 Texas Instruments Incorporated Ultra-low energy per cycle oscillator topology

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3631528A (en) * 1970-08-14 1971-12-28 Robert S Green Low-power consumption complementary driver and complementary bipolar buffer circuits
US4103188A (en) * 1977-08-22 1978-07-25 Rca Corporation Complementary-symmetry amplifier
JPS5471958A (en) * 1977-11-21 1979-06-08 Hitachi Ltd Logical operation unit
JPS5516539A (en) * 1978-07-20 1980-02-05 Nec Corp Level shifter circuit
JPS5838032A (ja) * 1981-08-13 1983-03-05 Fujitsu Ltd C―mosインバータ駆動用バッファ回路
JPS58103230A (ja) * 1981-12-16 1983-06-20 Hitachi Ltd スイツチング回路
US4477741A (en) * 1982-03-29 1984-10-16 International Business Machines Corporation Dynamic output impedance for 3-state drivers
JPS58196726A (ja) * 1982-05-12 1983-11-16 Hitachi Ltd Mos出力回路
JPS58196725A (ja) * 1982-05-12 1983-11-16 Hitachi Ltd Cmos出力回路
JPS5920027A (ja) * 1982-07-27 1984-02-01 Toshiba Corp 半導体装置
JPS59212027A (ja) * 1983-05-18 1984-11-30 Toshiba Corp 半導体集積回路の出力回路
JPS6066520A (ja) * 1983-09-22 1985-04-16 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体回路
JPS60136420A (ja) * 1983-12-24 1985-07-19 Toshiba Corp C mos論理回路
US4567378A (en) * 1984-06-13 1986-01-28 International Business Machines Corporation Driver circuit for controlling signal rise and fall in field effect transistor processors
JPS61125222A (ja) * 1984-11-21 1986-06-12 Nec Corp 出力バツフア
US4622482A (en) * 1985-08-30 1986-11-11 Motorola, Inc. Slew rate limited driver circuit which minimizes crossover distortion
US4638187A (en) * 1985-10-01 1987-01-20 Vtc Incorporated CMOS output buffer providing high drive current with minimum output signal distortion
US4682055A (en) * 1986-03-17 1987-07-21 Rca Corporation CFET inverter having equal output signal rise and fall times by adjustment of the pull-up and pull-down transconductances

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