KR20220079655A - 펠리클의 디마운팅 방법, 및 펠리클의 디마운팅 장치 - Google Patents

Abstract

포토마스크의 오염 억제성이 우수한 펠리클의 디마운팅 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 포토마스크(805), 펠리클 프레임(803), 및 펠리클막(802)을 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 준비하는 공정과, 전극(810)을 준비하는 공정과, 적층체 및 전극(810)을 적층체에 있어서의 펠리클막(802)과 전극(810)이 대향하도록 배치하고, 또한, 전극(810)에 전압을 인가함으로써, 정전 인력을 발생시키고, 발생한 정전 인력에 의해 펠리클막(802)을 전극(810)의 방향으로 끌어 당기는 것에 의해, 적층체에 있어서의 포토마스크(805)로부터 펠리클막(802)을 디마운팅하는 디마운팅 공정을 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법을 제공한다.

Description

펠리클의 디마운팅 방법, 및 펠리클의 디마운팅 장치

본 발명은 펠리클의 디마운팅 방법, 및 펠리클의 디마운팅 장치에 관한 것이다.

반도체 디바이스의 고집적화 및 미세화는 해마다 가속되고 있다.

예를 들어, 현재는, 엑시머 노광으로 선 폭 45㎚ 정도의 패턴이 형성되고 있으나, 근년에는, 반도체 디바이스의 더욱 미세화에 수반하여, 선 폭 32㎚ 이하의 패턴 형성이 요구되고 있다. 이러한 미세 가공은, 종래의 엑시머 노광으로는 대응이 어렵다. 따라서, 노광광을 보다 단파장의 EUV(Extreme Ultra Violet: 극단자외)광으로 바꾸는 것이 검토되고 있다.

EUV광은, 모든 물질에 흡수되기 쉬운 특성을 갖는다. 노광광으로서 EUV광을 사용하는 포토리소그래피(이하, 「EUV 리소그래피」라고도 함)에서는, 반사 광학계를 사용하여 노광을 행한다. 구체적으로는, 노광 패턴이 반영되어 포토마스크(예를 들어 레티클 등)에 의해 EUV광을 반사시키고, 반사광으로서의 EUV광에 의해 레지스트를 노광한다.

포토리소그래피 공정에 있어서, 포토마스크에 이물이 부착되어 있으면, EUV광이 이물에 흡수됨으로써, EUV광이 산란되기 때문에, 원하는 패턴으로 노광되지 않는 경우가 있다. 그 때문에, 포토마스크의 EUV광 조사면측에 펠리클을 마운팅(즉, 장착)시켜서 포토마스크 보호하고 있다.

상기 펠리클의 구성은, 포토마스크의 EUV광 조사면을 보호하기 위한 펠리클막과, 이 펠리클막을 지지하는 펠리클 프레임을 포함하는 구성으로 되어 있다.

포토마스크에 마운팅되어 있는 펠리클은, 진애 등에 의한 오염, 광에 의한 열화 등을 받는 경우가 있다. 이 경우, 펠리클의 새로 붙임을 행할 필요가 발생하는 경우가 있고, 그 때문에, 포토마스크에 마운팅되어 있는 펠리클을 디마운팅할(즉, 탈착할) 필요가 발생하는 경우가 있다.

포토마스크로부터 펠리클을 디마운팅하는 종래의 방법으로서, 예를 들어, 특허문헌 1에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법이 알려져 있다.

특허문헌 1에는, 포토마스크에 배치된 펠리클의 적어도 펠리클막을 시트와 밀착시키고, 상기 펠리클을 상기 포토마스크로부터 디마운팅하는, 펠리클의 디마운팅 방법이 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2016-206527호 공보

본 개시의 실시 형태가 해결하고자 하는 과제는, 포토마스크의 오염의 억제성이 우수한 펠리클의 디마운팅 방법을 제공하는 것이다.

상기 과제를 해결하기 위한 수단에는, 이하의 양태가 포함된다.

<1> 포토마스크, 펠리클 프레임, 및 펠리클막을 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 준비하는 공정과,

전극을 준비하는 공정과,

상기 적층체 및 상기 전극을 상기 적층체에 있어서의 상기 펠리클막과 상기 전극이 대향하도록 배치하고, 또한, 상기 전극에 전압을 인가함으로써, 정전 인력을 발생시키고, 발생한 상기 정전 인력에 의해 상기 펠리클막을 상기 전극의 방향으로 끌어 당기는 것에 의해, 상기 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터 상기 펠리클막을 디마운팅하는 디마운팅 공정

을 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.

<2> 상기 디마운팅 공정은, 상기 적층체에 있어서의 상기 펠리클막과 상기 전극 사이에 필름을 배치하고, 상기 정전 인력에 의해, 상기 펠리클막을 상기 필름의 표면에 끌어 당기는 것에 의해 상기 펠리클막을 디마운팅하는, <1>에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.

<3> 상기 적층체가, 상기 포토마스크와 상기 펠리클 프레임 사이에, 마스크 접착층을 더 구비하는, <1> 또는 <2>에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.

<4> 상기 적층체를 제1 적층체로 한 경우에,

상기 디마운팅 공정이,

상기 제1 적층체에 있어서의 상기 포토마스크측에 상기 펠리클 프레임을 남긴 채, 상기 정전 인력에 의해 상기 펠리클막을 디마운팅함으로써, 상기 포토마스크, 상기 마스크 접착층, 및 상기 펠리클 프레임을 포함하는 제2 적층체를 얻는 것과,

상기 제2 적층체를 열처리하는 것과,

상기 제2 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터 상기 펠리클 프레임을 디마운팅하는 것

을 포함하는, <3>에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.

<5> 상기 디마운팅 공정 전에, 상기 적층체를 열처리하는 공정을 더 포함하는, <1> 내지 <4>의 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.

<6> 상기 펠리클 프레임의 외주면에, 오목부 및 절결의 적어도 한쪽이 마련되어 있는, <1> 내지 <5>의 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법.

<7> <1> 내지 <6>의 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서의 상기 디마운팅 공정을 실시하기 위한 펠리클의 디마운팅 장치이며,

상기 적층체를 유지하는 유지 부재와,

상기 전극

을 구비하는, 펠리클의 디마운팅 장치.

<8> 상기 유지 부재는, 상기 적층체를 상기 포토마스크가 상측으로 되고 상기 펠리클막이 하측이 되는 방향으로 유지하고, 또한, 상기 펠리클막의 자립 부분을 노출시키는 개구부를 갖는 <7>에 기재된 펠리클의 디마운팅 장치.

<9> 상기 유지 부재 및 상기 전극은, 상기 개구부와 상기 전극이 대향하도록 배치되어 있거나, 또는,

상기 유지 부재 및 상기 전극의 적어도 한쪽은, 상기 개구부와 상기 전극이 대향하는 배치가 되도록 이동 가능한,

<8>에 기재된 펠리클의 디마운팅 장치.

<10> 상기 전극의 면적이 상기 개구부의 면적보다도 넓은, <9>에 기재된 펠리클의 디마운팅 장치.

<11> 또한, 서로 대향하고 있는 상기 개구부와 상기 전극 사이에 수지 필름을 주행시키는 필름 반송 수단을 더 구비하는, <9> 또는 <10>에 기재된 펠리클의 디마운팅 장치.

<12> 상기 유지 부재가, 상기 펠리클 프레임을 고정하는 펠리클 프레임 고정 부재를 포함하는, <7> 내지 <11>의 어느 하나에 기재된 펠리클의 디마운팅 장치.

본 개시에 의하면, 포토마스크의 오염의 억제성이 우수한 펠리클의 디마운팅 방법이 제공된다.

도 1은 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.
도 2는 본 개시에 있어서의 펠리클의 디마운팅의 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.
도 3은 본 개시에 있어서의 펠리클의 디마운팅의 다른 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.
도 4는 펠리클막 및 펠리클 프레임에, 펠리클막 및 펠리클 프레임의 두께 방향을 깊이 방향으로 하는 구멍이 마련되어 있는 양태의 적층체의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 5a는 외주면에 오목부가 마련되어 있는 양태의 펠리클 프레임을 포함하는 적층체의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 5b는 외주면에 절결이 마련되어 있는 양태의 펠리클 프레임을 포함하는 적층체의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.
도 6은 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 다른 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.
도 7은 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 또다른 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.
도 8은 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 또다른 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.
도 9는 본 개시의 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치의 일례를 개념적으로 도시하는 개략 단면도이다.
도 10은 본 개시의 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치의 다른 일례를 개념적으로 도시하는 개략 단면도이다.
도 11은 본 개시의 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치의 또다른 일례를 개념적으로 도시하는 개략 단면도이다.

본 명세서에 있어서, 「내지」를 사용하여 표시되는 수치 범위는, 「내지」의 전후에 기재되는 수치를 각각 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다. 본 명세서에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 어떤 수치 범위에서 기재된 상한값 또는 하한값은, 다른 단계적인 기재의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또한, 본 명세서에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 어떤 수치 범위로 기재된 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타내져 있는 값으로 치환해도 된다.

본 명세서에 있어서, 바람직한 양태의 조합은, 보다 바람직한 양태이다.

본 명세서에 있어서, 「공정」이라는 용어는, 독립적인 공정뿐만 아니라, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 경우이더라도 그 공정의 소기 목적이 달성되면, 본 용어에 포함된다.

본 개시에 있어서, EUV(Extreme Ultra Violet: 극단자외)광이란, 파장 5㎚ 내지 30㎚의 광을 가리킨다. EUV광의 파장은, 파장 5㎚ 내지 13.5㎚가 바람직하다.

본 개시에 있어서, EUV광, 및 EUV광보다도 파장이 짧은 광을 총칭하여, 「EUV광 등」이라고 하는 경우가 있다.

본 명세서에 있어서, 「펠리클」이란, 펠리클 프레임과, 펠리클 프레임의 두께 방향의 일단부면에 지지된 펠리클막을 포함하는 부재를 의미한다.

본 명세서에 있어서, 「펠리클의 디마운팅 방법」이란, 펠리클이 마운팅된 포토마스크로부터, 적어도 펠리클막을 디마운팅하는(즉, 탈착하는) 방법을 의미한다.

「펠리클의 디마운팅 방법」의 개념에는,

펠리클이 마운팅된 포토마스크에 펠리클 프레임을 남긴 채, 펠리클막을 디마운팅하는 방법과,

펠리클이 마운팅된 포토마스크로부터, 펠리클막 및 펠리클 프레임의 양쪽(즉, 펠리클 전체)을 디마운팅하는 방법

의 양쪽이 포함된다.

또한, 「펠리클의 디마운팅 방법」의 개념에는, 펠리클막만 또는 펠리클막 및 펠리클 프레임의 양쪽과, 기타의 요소(예를 들어, 접착층 등)를 디마운팅하는 방법도 포함된다.

또한, 「펠리클의 디마운팅 방법」의 개념에는, 펠리클을 파괴하면서 포토마스크로부터 탈착하는 방법도 포함된다.

〔펠리클의 디마운팅 방법〕

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은,

포토마스크, 펠리클 프레임, 및 펠리클막을 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 준비하는 공정과,

전극을 준비하는 공정과,

적층체 및 전극을, 적층체에 있어서의 펠리클막과 전극이 대향하도록 배치하고, 또한, 전극에 전압을 인가함으로써, 정전 인력을 발생시키고, 발생한 정전 인력에 의해 펠리클막을 전극의 방향으로 끌어 당기는 것에 의해, 적층체에 있어서의 포토마스크로부터 펠리클막을 디마운팅하는 디마운팅 공정

을 포함한다.

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 포토마스크의 오염의 억제성이 우수하다. 즉, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 의하면, 포토마스크의 오염이 억제된다. 이러한 효과가 발휘되는 이유는, 이하와 같이 추측된다.

펠리클막은 두께가 매우 얇은 막이다. 예를 들어, EUV 리소그래피에 있어서 사용되는 펠리클막은, 두께가 나노미터 오더의 값이 된다. 이 때문에, 포토마스크로부터 펠리클을 디마운팅할 때, 펠리클막의 파손이 발생하기 쉬워, 펠리클막의 파손(파괴의 개념을 포함한다. 이하 동일하다.)에 의해 발생한 펠리클막편이 포토마스크에 부착됨으로써, 포토마스크가 오염되는 경우가 있다. 특히, 펠리클막의 자립 부분(즉, 펠리클 프레임의 내주면에 의해 형성되는 개구부 상에 위치하고, 펠리클 프레임에 의해 지지되고 있지 않은 부분)은 파손되기 쉽다.

이러한 문제에 관하여, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에서는, 포토마스크와, 펠리클 프레임과, 펠리클막을 이 순의 배치로 구비하는 적층체에 있어서의 포토마스크로부터의 펠리클막의 디마운팅을, 이하와 같이 하여 행한다.

적층체 및 전극을 적층체에 있어서의 펠리클막과 전극이 대향하도록 배치하고, 또한, 전극에 전압을 인가함으로써, 정전 인력을 발생시킨다. 이 정전 인력에 의해, 펠리클막을 전극의 방향으로 끌어 당기는 것에 의해, 적층체에 있어서의 포토마스크로부터 펠리클막을 디마운팅한다. 이때, 펠리클막이 파손되더라도 상관없다. 펠리클막이 파손된 경우, 파손에 의해 발생한 펠리클막편이, 전극의 방향으로 가까이 끌어당겨진다.

이와 같이, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에서는, 펠리클막이 파손된 경우에 있어서도, 펠리클막의 파손에 의해 발생한 펠리클막편이 전극의 방향으로 가까이 끌어당겨지므로, 펠리클막편이 포토마스크에 부착되는 것(즉, 펠리클막편에 의한 포토마스크의 오염)이 억제된다.

본 개시에 있어서, 「적층체에 있어서의 펠리클막과 전극이 대향한다」란, 적층체에 있어서의 (포토마스크측이 아니라) 펠리클막측에 전극이 배치되어 있는 상태를 의미한다. 이 조건을 충족하는 한, 펠리클막과 전극 사이에, 다른 물체(예를 들어, 후술하는 정전 척에 있어서의 전극 이외의 부재(예를 들어, 수지 부재), 후술하는 필름, 등)가 개재하고 있어도 된다.

이하, 본 개시의 일례에 대해서, 적절히, 도면을 참조하면서 설명한다.

단, 본 개시는, 이하의 도면 등의 구체예에 한정될 일은 없다.

각 도면에 공통의 요소에 대해서는, 동일한 부호를 부여하고, 중복한 설명을 생략하는 경우가 있다.

또한, 도면에서는, 구조를 보기 쉽게 하기 위해서, 숨김선의 일부를 생략하는 경우가 있다.

도 1은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.

도 1에 도시되는 바와 같이, 본 일례에 관계되는 적층체는, 포토마스크(105)와, 펠리클 프레임(103)과, 펠리클막(102)을 이 순의 배치로 구비한다.

본 일례에 관계되는 적층체는, 예를 들어, 포토마스크(105) 상에 펠리클막(102) 및 펠리클 프레임(103)을 포함하는 펠리클(101)을 마운팅함으로써 얻어진다.

펠리클 프레임(103)은 그 두께 방향의 일단부면의 측에 펠리클막(102)을 지지하고 있다. 바꿔 말하면, 펠리클막(102) 중, 평면으로 보아 펠리클 프레임(103)에 겹치는 부분은, 펠리클 프레임(103)에 의해 지지되어 있다. 펠리클막(102) 중, 평면으로 보아, 펠리클 프레임(103)의 내주면에 의해 확정되는 개구부에 겹치는 부분은 지지되고 있지 않고, 자립 부분(즉, 막이 하지 상에 형성되어 있는 것이 아니라, 막 단독으로 존재하고 있는 부분)으로 되어 있다.

도 2는, 본 개시에 있어서의 펠리클의 디마운팅의 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.

도 2에 도시되는 바와 같이, 이 일례에 관계되는 펠리클의 디마운팅에서는, 도 1에 도시한 적층체에 있어서의 포토마스크(105)에 펠리클 프레임(103)을 남긴 채 펠리클막(102)을 디마운팅한다. 디마운팅은, 펠리클막(102)을 펠리클막(102)에 대향 배치된 도시하지 않은 전극의 방향(예를 들어, 도 2 중에서는 상방)으로, 정전 인력에 의해 끌어 당기는 것에 의해 행한다.

이 일례에서는, 디마운팅된 펠리클막(102)이 막의 형상을 유지하고 있지만, 펠리클막(102)은 디마운팅될 때에 파괴되어도 된다.

도 3은, 본 개시에 있어서의 펠리클의 디마운팅의 다른 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.

도 3에 도시된 바와 같이, 이 일례에 관계되는 펠리클의 디마운팅에서는, 도 1에 도시한 적층체에 있어서의 포토마스크(105)로부터, 펠리클막(102) 및 펠리클 프레임(103)의 양쪽(즉, 펠리클(101) 전체)을 디마운팅한다. 디마운팅은, 펠리클(101)을 펠리클막(102)에 대향 배치된 도시하지 않은 전극의 방향으로, 정전 인력에 의해 끌어 당기는 것에 의해 행한다.

이 일례에서도, 디마운팅된 펠리클(101)에 있어서의 펠리클막(102)이 막의 형상을 유지하고 있지만, 펠리클막(102)은 디마운팅될 때에 파괴되어도 된다.

이하, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 포함될 수 있는 각 공정에 대해서 보다 상세하게 설명한다.

<적층체를 준비하는 공정>

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 적층체를 준비하는 공정을 포함한다.

여기에서 말하는 적층체는, 포토마스크와, 펠리클 프레임과, 펠리클막을 이 순의 배치로 구비하는 적층체이다(예를 들어, 전술한 도 1 참조).

적층체를 준비하는 공정은, 상기 적층체를 제조하는 공정이어도 되고, 미리 제조된 상기 적층체를 간단히 준비할 뿐인 공정이어도 된다.

(펠리클막)

본 공정에서 준비하는 적층체는, 펠리클막을 구비한다.

펠리클막으로서는, 공지된 펠리클막을 사용할 수 있다.

펠리클막에 포함되는 재료로서는 특별히 제한은 없고, 유기계 재료여도 되고, 무기계 재료여도 되며, 유기계 재료와 무기계 재료의 혼합 재료여도 된다.

유기계 재료로서는, 불소계 폴리머 등을 들 수 있다.

무기계 재료로서는, 결정 실리콘(예를 들어, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 등), 다이아몬드 라이크 카본(DLC), 그래파이트, 아몰퍼스 카본, 그래핀, 탄화규소, 질화규소, 질화알루미늄 등을 들 수 있다.

펠리클막은, 상기 재료를 1종 단독으로 포함하고 있어도 되고, 2종 이상을 포함하고 있어도 된다.

펠리클막의 구성은, 단층 구성이어도 되고, 2층 이상으로 이루어지는 구성이어도 된다.

펠리클막의 두께(2층 이상으로 이루어지는 경우에는 총 두께)는 2㎚ 내지 200㎚인 것이 바람직하고, 2㎚ 내지 100㎚인 것이 보다 바람직하고, 2㎚ 내지 70㎚인 것이 더욱 바람직하고, 2㎚ 내지 50㎚인 것이 특히 바람직하다. 펠리클막의 두께의 하한은, 5㎚ 또는 10㎚여도 된다.

펠리클막의 구성에 대해서는, 예를 들어, 일본 특허 공개 제2014-021217호 공보, 국제 공개 제2015/174412호 등의 공지된 펠리클막의 구성을 적절히 참조할 수 있다.

(펠리클 프레임)

본 공정에서 준비하는 적층체는, 펠리클 프레임을 구비한다.

펠리클 프레임으로서는, 프레임 형상을 갖는 부재인 공지된 펠리클 프레임을 사용할 수 있다.

펠리클 프레임의 재질로서는, 펠리클 프레임에 사용되는 통상의 재질을 적용할 수 있다.

펠리클 프레임의 재질로서, 구체적으로는, 알루미늄, 알루미늄 합금(5000계, 6000계, 7000계 등), 스테인리스, 실리콘, 실리콘 합금, 철, 철계 합금, 탄소강, 공구강, 세라믹스, 금속-세라믹스 복합 재료, 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 알루미늄 또는 알루미늄 합금이, 경량 또한 강성의 면에서 보다 바람직하다.

또한, 펠리클 프레임은, 그 표면에 보호막을 갖고 있어도 된다.

보호막으로서는, 노광 분위기 중에 존재하는 수소 라디칼 및 EUV광에 대하여 내성을 갖는 보호막이 바람직하다.

보호막으로서는, 예를 들어, 산화 피막을 들 수 있다. 산화 피막은, 양극 산화 등의 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 산화 피막은, 흑색계 염료에 의해 착색되어 있어도 된다. 펠리클 프레임이 흑색계 염료에 의해 착색된 산화 피막을 갖는 경우에는, 펠리클 프레임 상의 이물의 검출이 보다 용이해진다.

펠리클 프레임의 구성에 대해서는, 예를 들어, 일본 특허 공개 제2014-021217호 공보, 일본 특허 공개 제2010-146027호 공보 등의 공지된 펠리클 프레임의 구성을 적절히 참조할 수 있다.

펠리클 프레임의 외주면에는, 오목부 및 절결의 적어도 한쪽이 마련되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 포토마스크로부터 정전 인력에 의해 펠리클막을 디마운팅한 후, 펠리클 프레임을 디마운팅하는 단계에 있어서, 펠리클 프레임을 보다 디마운팅하기 쉽다. 예를 들어, 오목부 또는 절결에 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 포토마스크로부터 펠리클 프레임을 용이하게 디마운팅할 수 있다.

펠리클 프레임의 외주면에 있어서의 오목부 또는 절결은, 각각, 1개만 마련되어 있어도 되고, 복수 마련되어 있어도 된다. 오목부가 복수 마련되어 있는 경우, 복수의 오목부의 각각의 형상은 동일해도 되고 달라도 된다(절결에 대해서도 마찬가지임).

도 5a는, 외주면에 오목부가 마련되어 있는 양태의 펠리클 프레임을 포함하는 적층체의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.

도 5a에 도시되는 바와 같이, 이 일례에 관계되는 적층체는, 포토마스크(505)와, 펠리클 프레임(503) 및 펠리클막(502)을 포함하는 펠리클(501)을 구비한다. 이 적층체에서는, 포토마스크(505), 펠리클 프레임(503), 및 펠리클막(502)이 이 순으로 배치되어 있다.

펠리클 프레임(503)의 외주면에는 오목부(509)가 마련되어 있다. 오목부(509)는 펠리클 프레임의 외주면을 기점으로 하여, 펠리클막(502)의 면에 대하여 병행 방향으로 연장되어 있다.

이 일례에 있어서의 적층체에서는, 예를 들어, 포토마스크(505)로부터 정전 인력에 의해 펠리클막(502)을 디마운팅한 후, 펠리클 프레임(503)을 디마운팅하는 단계에 있어서, 오목부(509)에 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 포토마스크(505)로부터 펠리클 프레임(503)을 용이하게 디마운팅할 수 있다.

도 5b는, 도 5a에 도시되는 적층체의 변형예이며, 외주면에 절결이 마련되어 있는 양태의 펠리클 프레임을 포함하는 적층체의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.

도 5b에 도시하는 적층체의 구조는, 오목부(509)가 절결(510)로 변경되어 있는 것 이외에는, 도 5a에 도시하는 적층체의 구조와 마찬가지이다.

이 일례에 있어서의 적층체에서는, 예를 들어, 절결(510)에 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 포토마스크(505)로부터 펠리클 프레임(503)을 용이하게 디마운팅할 수 있다.

또한, 펠리클 프레임에는, 펠리클 프레임의 외주면으로부터 내주면까지를 관통하는 관통 구멍이 마련되어 있어도 된다. 이 관통 구멍은, 예를 들어, 적층체의 외부와, 적층체의 내부(즉, 펠리클 프레임의 내주면, 펠리클막, 및 포토마스크에 의해 둘러싸인 공간)를 통기하는 통기구로서 기능한다.

예를 들어, 후술하는 디마운팅 공정에 있어서, 전극에 전압을 인가하여 정전 인력을 발생시키고, 또한, 펠리클 프레임에 마련된 상기 통기구를 통해, 적층체의 내부로 기체를 보내주는 것에 의해, 적층체의 내부를 양압으로 하여, 펠리클막을 외측(즉, 전극의 방향)으로 부풀려서 펠리클막을 파손시키고, 파손에 의해 발생한 펠리클막편을 전극측으로 끌어 당기는 것에 의해, 펠리클막을 디마운팅할 수 있다.

또한, 펠리클 프레임에는, 펠리클 프레임의 두께 방향을 깊이 방향으로 하는 구멍(이하, 「펠리클 프레임의 두께 방향의 구멍」이라고도 함)이 마련되어 있어도 된다. 이에 의해, 포토마스크로부터 정전 인력에 의해 펠리클막을 디마운팅한 후, 펠리클 프레임을 디마운팅하는 단계에 있어서, 펠리클 프레임을 보다 디마운팅하기 쉽다. 예를 들어, 펠리클 프레임의 두께 방향의 구멍에 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 포토마스크로부터 펠리클 프레임을 용이하게 디마운팅할 수 있다.

또한, 상술한 펠리클 프레임을 디마운팅할 때의 용이성의 관점에서, 적층체에 있어서의 펠리클막 및 펠리클 프레임에, 펠리클막 및 펠리클 프레임의 두께 방향을 깊이 방향으로 하는 구멍이 마련되어 있어도 된다.

도 4는, 펠리클막 및 펠리클 프레임에, 펠리클막 및 펠리클 프레임의 두께 방향을 깊이 방향으로 하는 구멍이 마련되어 있는 양태의 적층체의 일례를 도시하는 개략 단면도이다.

도 4에 도시되는 바와 같이, 이 일례에 관계되는 적층체는, 포토마스크(405)와, 펠리클 프레임(403) 및 펠리클막(402)을 포함하는 펠리클(401)을 구비한다.

적층체에 있어서의 펠리클막(402) 및 펠리클 프레임(403)에는, 이들 두께 방향을 깊이 방향으로 하는 구멍(409)이 마련되어 있다.

이상에서 설명한, 펠리클 프레임의 외주면에 마련되는 오목부 또는 절결, 펠리클 프레임의 두께 방향을 깊이 방향으로 하는 구멍, 그리고, 펠리클막 및 펠리클 프레임의 두께 방향을 깊이 방향으로 하는 구멍(이하, 이들을 통합하여 「공간」이라고도 함)은 각각, 1개만이어도 되고, 복수여도 된다. 또한, 이들 공간의 형상 또는 크기는, 공간마다 달라도 된다.

(펠리클막 접착층)

본 공정에서 준비하는 적층체는, 펠리클막과 펠리클 프레임 사이에, 펠리클막 접착층을 더 구비해도 된다.

이러한 양태에 있어서의 적층체는, 예를 들어, 펠리클막, 펠리클막 접착층, 및 펠리클 프레임을 포함하는 펠리클을, 포토마스크에 마운팅함으로써 제작할 수 있다.

여기서, 펠리클막 접착층이란, 펠리클막과 펠리클 프레임 사이에 개재하여, 펠리클막과 펠리클 프레임을 접착시키기 위한 층을 의미한다.

펠리클막 접착층은, 공지된 접착제를 포함할 수 있다.

펠리클막 접착층에 포함될 수 있는 접착제로서는, 예를 들어, 아크릴 수지 접착제, 에폭시 수지 접착제, 실리콘 수지 접착제, 불소 함유 실리콘계 접착제, 불소 함유 에테르계 접착제 등을 들 수 있다.

(포토마스크)

본 공정에서 준비하는 적층체는, 포토마스크를 구비한다.

포토마스크로서는, 광이 조사되는 광 조사면을 갖는 것이면 특별히 제한은 없다.

포토마스크로서는, 예를 들어, 지지 기판과, 이 지지 기판 상에 적층된 반사층과, 반사층 상에 형성된 흡수체층을 포함하는 포토마스크를 사용할 수 있다.

포토마스크에서는, 반사층 및 흡수체층이 마련된 측의 면이 광 조사면이 된다. 광 조사면에 대하여 EUV광 등의 광이 조사된 경우, 광 조사면에 있어서의 흡수체층이, 조사된 광의 적어도 일부를 흡수하고, 광의 잔부가 반사층에 의해 반사된다. 반사된 광이, 감응 기판(예를 들어, 포토레지스트막 구비 반도체 기판)에 조사된다. 이에 의해, 감응 기판 상에 원하는 상이 형성된다.

반사층으로서는, 몰리브덴(Mo)과 실리콘(Si)의 다층막을 적합하게 들 수 있다.

흡수체층은, 크롬(Cr), 질화탄탈 등, EUV광 등의 흡수성이 높은 재료인 것이 바람직하다.

(마스크 접착층)

본 공정에서 준비하는 적층체는, 포토마스크와 펠리클 프레임 사이에, 마스크 접착층을 더 구비해도 된다.

이러한 양태의 적층체는, 예를 들어, 펠리클막, 펠리클 프레임, 및 마스크 접착층을 이 순의 배치로 구비하는 펠리클을, 마스크 접착층과 포토마스크가 접하는 방향으로, 포토마스크에 마운팅함으로써 제작할 수 있다.

여기서, 마스크 접착층이란, 포토마스크와 펠리클 프레임 사이에 개재하여, 포토마스크와 펠리클 프레임을 접착시키기 위한 층을 의미한다.

마스크 접착층은, 공지된 접착제를 포함할 수 있다.

마스크 접착층에 포함될 수 있는 접착제로서는, 예를 들어, 양면 점착 테이프, 실리콘 수지계 접착제, 아크릴계 접착제, 고무계 접착제, 비닐계 접착제, 에폭시계 접착제 등을 들 수 있다.

본 공정에서 준비하는 적층체는, 상기 마스크 접착층과 상기 펠리클막 접착층을 양쪽 구비하고 있어도 된다.

도 6은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 다른 일례(즉, 도 1에 도시한 일례와는 다른 일례)를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.

도 6에 도시되는 바와 같이, 본 일례에 관계되는 적층체는, 포토마스크(605)와, 마스크 접착층(607)과, 펠리클 프레임(603)과, 펠리클막 접착층(606)과, 펠리클막(602)을 이 순의 배치로 구비한다.

본 일례에 있어서의 적층체는, 예를 들어, 마스크 접착층(607), 펠리클 프레임(603), 펠리클막 접착층(606), 및 펠리클막(602)을 이 순의 배치로 구비하는 펠리클(601)을 사용하여 제작할 수 있다.

도 7은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 또다른 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.

도 7에 도시하는 일례에 관계되는 적층체는, 펠리클막 접착층(606)과 펠리클 프레임(603) 사이에 펠리클막 지지 프레임(608) 및 지지 프레임 접착층(609)(여기서, 펠리클막 지지 프레임(608)은 펠리클막 접착층(606)에 접하고, 지지 프레임 접착층(609)은 펠리클 프레임(603)에 접한다)이 개재하고 있는 것 이외에는, 도 6에 도시한 일례에 관계되는 적층체의 구성과 마찬가지이다.

본 일례에 있어서의 적층체는, 예를 들어, 마스크 접착층(607), 펠리클 프레임(603), 지지 프레임 접착층(609), 펠리클막 지지 프레임(608), 펠리클막 접착층(606), 및 펠리클막(602)을 이 순의 배치로 구비하는 펠리클(611)을 사용하여 제작할 수 있다.

도 8은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서, 적층체를 준비하는 공정에서 준비하는 적층체의 또다른 일례를 모식적으로 도시하는 개략 단면도이다.

도 8에 도시하는 일례에 관계되는 적층체의 구성은, 펠리클막 접착층(606)이 존재하지 않는 것 이외에는, 도 7에 도시한 일례에 관계되는 적층체의 구성과 마찬가지이다.

본 일례에 있어서의 적층체는, 예를 들어, 마스크 접착층(607), 펠리클 프레임(603), 지지 프레임 접착층(609), 펠리클막 지지 프레임(608), 및 펠리클막(602)을 이 순의 배치로 구비하는 펠리클(612)을 사용하여 제작할 수 있다.

이상의 도 6 내지 도 8에 도시하는 바와 같이, 본 개시에 있어서의 펠리클의 범위에는,

펠리클막이 펠리클 프레임의 두께 방향의 일단부면측에 직접(즉, 다른 요소를 개재하지 않고) 지지되어 있는 양태(도 1 참조)뿐만 아니라,

펠리클막이 펠리클 프레임의 두께 방향의 일단부면측에, 다른 요소(예를 들어, 펠리클막 접착층, 펠리클막 지지 프레임, 지지 프레임 접착층, 등)를 통하여 지지되어 있는 양태(도 6 내지 도 8)도 포함된다.

<전극을 준비하는 공정>

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 전극을 준비하는 공정을 포함한다.

전극은, 후술하는 디마운팅 공정에 있어서, 펠리클막의 디마운팅에 사용되는 부재이다.

전극을 준비하는 공정은, 전극을 제조하는 공정이어도 되고, 미리 제조된 전극을 간단히 준비하기만 한 공정이어도 된다.

전극의 크기, 형상, 수에 대해서는 특별히 한정되지 않고 적절히 설정할 수 있다.

전극의 크기로서는, 펠리클막의 회수성의 관점에서, 펠리클막의 자립 부분(예를 들어, 도 6 중의 영역 A)보다도 큰 것이 바람직하다.

전극을 준비하는 공정은, 전극을 포함하는 부재(예를 들어, 정전 척)를 준비하는 공정이어도 된다.

이 경우, 후술하는 디마운팅 공정에서는, 전극을 포함하는 부재에 있어서의 전극에 전압을 인가하고, 발생한 정전 인력을 이용하여 펠리클막의 디마운팅을 행한다.

전극을 포함하는 부재에 있어서의 전극 이외의 부분의 재질로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 절연성을 갖는 유리, 세라믹스, 수지 등을 들 수 있다.

또한, 전극을 포함하는 부재에 있어서의 전극의 구조로서는 특별히 제한은 없고, 단극형이어도 되고, 쌍곡형이어도 된다.

전극을 포함하는 부재의 일례인 정전 척으로서는, 쿨롱력형의 정전 척이어도 되고, 존슨·라벡력형(J-R형)의 정전 척이어도 된다.

여기서, 쿨롱력형의 정전 척은, 전극과, 정전 인력을 작동시키는 대상물 사이에 배치하는 재료가 절연체인 양태의 정전 척이며, J-R형의 정전 척은, 전극과, 정전 인력을 작동시키는 대상물 사이에 배치하는 재료가 도전성 세라믹스 화합물인 양태의 정전 척이다.

쿨롱력형의 정전 척으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어;

일본 특허 공개 소53-77489호 공보에 개시되는, 금속판 상에 절연성 고분자 재료의 폴리이미드 시트를 접착제로 첩부한 쿨롱력형의 정전 척;

일본 특허 공개 소63-95644호 공보, 일본 특허 공개 평4-206545호 공보, 및 일본 특허 공개 평5-36819호 공보에 개시되는 2매의 절연성 세라믹판 사이에 전극을 마련한 쿨롱력형의 정전 척;

일본 특허 공개 소59-152636호 공보에 개시된 바와 같이 절연성 세라믹스판 상의 전극을 용사법에 의해 절연성 세라믹스로 피복한 쿨롱력형의 정전 척;

등을 들 수 있다.

J-R형의 정전 척에 있어서, 전극과 대상물 사이에 배치하는 도전성 세라믹스의 체적 저항률이 중요한 요소이다.

J-R형의 정전 척으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어;

일본 특허 공개 제2000-143349호 공보에는 기재된, 질화알루미늄, TiN, Ce로 이루어지는 도전성 세라믹스를 사용한 J-R형의 정전 척;

일본 특허 공개 제2006-049356호 공보에 기재된, 산화알루미늄, 산화티타늄으로 이루어지는 도전성 세라믹스를 사용한 J-R형의 정전 척;

일본 특허 공개 제2008-087988호 공보에 기재된, 알루미나, 지르코니아, 질화실리콘, 질화알루미늄으로 이루어지는 절연체 세라믹스 중에, 탄화티타늄, 질화티타늄, 탄화텅스텐, 탄화탄탈, 탄화몰리브덴, 탄화니오븀, 탄화바나듐의 어느 한종 이상을 분산시킨 도전성 세라믹스를 사용한 J-R형의 정전 척;

등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 정전 척으로서는, 포토마스크의 오염 억제성의 관점에서, 쿨롱력형의 정전 척인 것이 바람직하다.

<디마운팅 공정>

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 상술한 적층체에 있어서의 포토마스크로부터 펠리클막을 디마운팅하는 디마운팅 공정을 포함한다.

본 공정에 있어서의 디마운팅은, 상술한 적층체 및 상술한 전극을, 적층체에 있어서의 펠리클막과 전극이 대향하도록 배치하고, 또한, 전극에 전압을 인가함으로써, 정전 인력을 발생시키고, 발생한 정전 인력에 의해 펠리클막을 전극의 방향으로 끌어 당기는 것에 의해 행한다. 이에 의해, 펠리클막이 회수된다.

이 과정에서 펠리클막이 파괴되어도 된다. 펠리클막이 파괴된 경우에는, 펠리클막편이 전극의 방향으로 가까이 끌어당겨져서, 회수된다.

전극에 전압을 인가함으로써 발생하는 정전 인력은, 펠리클막의 회수성의 관점에서, 9.8mN/㎠(즉 1gf/㎠) 이상이 바람직하고, 49mN/㎠(즉 5gf/㎠) 이상이 보다 바람직하다.

전술한 바와 같이, 본 공정에 있어서의 정전 인력에 의한 펠리클막의 디마운팅 시, 펠리클막과 전극 사이에, 다른 물체(예를 들어, 전술한 정전 척에 있어서의 전극 이외의 부재(예를 들어, 수지 부재), 후술하는 필름, 등)가 개재하고 있어도 되고, 개재하고 있지 않아도 된다.

다른 물체가 개재하고 있지 않은 경우에는, 전극의 방향으로 가까이 끌어당겨진 펠리클막(펠리클막편인 경우를 포함한다. 이하 동일하다.)이 전극의 표면에 흡착되어 회수된다.

다른 물체가 개재하고 있는 경우에는, 전극의 방향으로 가까이 끌어당겨진 펠리클막이, 개재하고 있는 다른 물체의 표면에 흡착되어 회수된다.

어느 경우든, 펠리클막이 포토마스크로부터 멀어지는 방향으로 이동하므로, 포토마스크에 대한 펠리클막의 흡착(즉, 오염)이 억제된다.

(필름)

디마운팅 공정에서는, 적층체에 있어서의 펠리클막과 전극 사이에 필름을 배치하고, 상기 정전 인력에 의해, 펠리클막을 필름의 표면에 끌어 당기는 것에 의해 펠리클막을 디마운팅하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 펠리클막의 회수가 보다 용이해진다.

필름으로서는 특별히 제한은 없다.

본 개시에 있어서의 「필름」의 개념에는, 일반적으로 「필름」이라고 칭해지고 있는 물건뿐만 아니라, 「시트」라고 칭해지고 있는 물건 및 「종이」라고 칭해지고 있는 물건도 포함된다.

필름의 두께로서는 특별히 한정되지 않지만, 내구성의 점에서, 5㎛ 내지 200㎛인 것이 바람직하고, 5㎛ 내지 100㎛인 것이 보다 바람직하다.

필름의 재질로서는, 예를 들어, 수지, 고무, 종이, 금속 유리, 및 세라믹스로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종을 들 수 있다.

수지를 주성분으로서 포함하는 필름(이하, 「수지 필름」이라고도 함)에 있어서의 수지로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌(PP), 폴리에스테르(예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카르보네이트(PC) 등) 등을 적합하게 들 수 있다.

수지 필름은, 상기 재질을 1종만 포함하고 있어도 되고, 2종 이상을 포함하고 있어도 된다.

여기서, 수지를 주성분으로서 포함하는 필름이란, 필름 전체에 대한 수지의 함유량이 50질량％ 이상인 필름을 의미한다.

필름의 편면 또는 양면에는, 점착층이 형성되어 있어도 된다.

즉, 디마운팅 공정에서는, 적층체에 있어서의 펠리클막과 전극 사이에, 점착층 구비의 필름을, 펠리클막과 점착층이 대향하도록 개재시키고, 이 상태에서, 상기 정전 인력에 의해, 펠리클막을 점착층 구비의 필름의 점착층의 표면에 끌어 당겨서, 이 표면에 흡착시킴으로써 디마운팅해도 된다. 이 양태에 의하면, 펠리클막의 회수가 보다 용이하게 된다.

점착제 구비 필름으로서는, 점착층 구비의 수지 필름이 바람직하다.

점착층 구비의 필름(바람직하게는 점착층 구비의 수지 필름. 이하 동일하다.)에 있어서의 점착층은, 점착제를 포함하는 것이 바람직하다. 바람직한 점착제에 대해서는 후술한다.

점착층 구비의 필름에 있어서의 점착층의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 펠리클막의 회수 관점에서, 50㎛ 내지 200㎛ 정도의 범위인 것이 바람직하다.

점착층 구비의 필름의 제작 방법으로서는 특별히 제한은 없고, 공지된 제작 방법을 사용할 수 있다.

점착층 구비의 필름의 제작 방법으로서는, 예를 들어;

필름의 적어도 한쪽 면에, 점착층을 형성하기 위한 점착제 용액을 도포하거나 하여 건조시키는 방법;

박리 라이너 상에 점착층을 형성하기 위한 점착제 용액을 도포하여 점착층을 형성한 후, 이 점착층을 필름에 전사하는 방법;

등을 들 수 있다.

상기 박리 라이너로서는, 점착층으로부터의 박리를 용이하게 행할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 불소 화합물 등을 사용하여 표면에 이형 처리가 실시된 수지 필름(예를 들어 PET 등의 폴리에스테르 필름) 등을 사용할 수 있다.

(디마운팅 공정 중의 열처리)

적층체가, 포토마스크와 펠리클 프레임 사이에 마스크 접착층을 더 구비하는 경우에 있어서, 이 적층체(즉, 포토마스크와, 마스크 접착층과, 펠리클 프레임과, 펠리클막을 이 순의 배치로 구비하는 적층체)를 제1 적층체로 한 경우,

디마운팅 공정은,

점착층이 형성된 제1 적층체에 있어서의 포토마스크측에 펠리클 프레임을 남긴 채, 상기 정전 인력에 의해 펠리클막을 디마운팅하여, 포토마스크, 마스크 접착층, 및 펠리클 프레임을 포함하는 제2 적층체를 얻는 것과,

제2 적층체를 열처리하는 것과,

제2 적층체에 있어서의 포토마스크로부터 펠리클 프레임을 디마운팅하는 것

을 포함해도 된다.

이 양태에 의하면, 제2 적층체를 열처리함으로써, 마스크 접착층에 있어서의 접착력을 저하시킬 수 있으므로, 펠리클 프레임의 디마운팅을 보다 용이하게 행할 수 있다.

상기 열처리 시, 제2 적층체 전체를 열처리해도 되고, 제2 적층체의 일부(예를 들어 마스크 접착층을 포함하는 부분)를 열처리해도 된다.

열처리를 위한 장치에는, 특별히 제한은 없고, 히터, 핫 플레이트, 오븐 등을 사용할 수 있다.

열처리의 온도로서는, 예를 들어 50℃ 내지 140℃를 들 수 있다.

열처리의 시간으로서는, 예를 들어 10초 내지 300초를 들 수 있다.

<적층체를 열처리하는 공정>

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 디마운팅 공정 전에, 적층체(즉, 포토마스크, 펠리클 프레임, 및 펠리클막을 포함하는 적층체)를 열처리하는 공정을 더 포함해도 된다.

적층체를 열처리하는 공정을 포함하는 양태는, 적층체가, 펠리클막 접착층 및 마스크 접착층의 적어도 한쪽을 포함하는 경우에 특히 효과적이다. 이 경우, 적층체를 열처리함으로써, 펠리클막 접착층 및 마스크 접착층의 적어도 한쪽에 의한 접착력을 저하시킬 수 있으므로, 펠리클막의 파손을 억제하면서, 디마운팅을 보다 용이하게 행할 수 있다.

상기 열처리 시, 적층체 전체를 열처리해도 되고, 적층체의 일부(예를 들어, 펠리클막 접착층 및 마스크 접착층의 적어도 한쪽을 포함하는 부분)를 열처리해도 된다.

열처리를 위한 장치에는, 특별히 제한은 없고, 히터, 핫 플레이트, 오븐 등을 사용할 수 있다.

열처리의 온도로서는, 예를 들어 50℃ 내지 140℃를 들 수 있다.

열처리의 시간으로서는, 예를 들어 10초 내지 300초를 들 수 있다.

<점착층을 형성하는 공정>

점착층을 형성하는 공정은, 상기 적층체에 있어서의 펠리클막 상에 점착층을 형성하는 공정이다.

점착층을 형성하는 공정은, 점착층의 형성 시에 펠리클막에 가해지는 부하를 보다 저감하는 관점에서,

스프레이 코팅법, 스핀 코팅법, 잉크젯법, 스크린 인쇄법, 또는 딥 코팅법에 의해, 점착층을 형성하는 공정인 것이 바람직하고,

스프레이 코팅법 또는 스핀 코팅법에 의해 점착층을 형성하는 공정인 것이 보다 바람직하고,

스프레이 코팅법에 의해 점착층을 형성하는 공정인 것이 특히 바람직하다.

스프레이 코팅법에 의한 점착층의 형성은, 공지된 스프레이 코팅 장치를 사용하여 행할 수 있다.

스프레이 코팅 장치로서는, 예를 들어, 스프레이건, 초음파 스프레이 코팅 장치, 2유체 스프레이 코팅 장치, 1유체 스프레이 코팅 장치 등을 들 수 있다.

점착층은, 점착제를 적어도 1종 포함하는 것이 바람직하다.

포토마스크의 오염의 억제성의 관점에서, 점착층은,

실리콘계 점착제, 아크릴계 점착제, 우레탄계 점착제, 폴리아미드계 점착제, 폴리에스테르계 점착제, 에틸렌아세트산비닐 공중합체, 올레핀계 점착제, 폴리부타디엔계 점착제, 고무계 점착제, 및 스티렌계 점착제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 점착제를 포함하는 것이 바람직하고,

아크릴계 점착제, 폴리부타디엔계 점착제, 고무계 점착제, 및 스티렌계 점착제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 점착제를 포함하는 것이 보다 바람직하고,

아크릴계 점착제, 폴리부타디엔계 점착제, 및 고무계 점착제로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 점착제를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.

점착제는, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.

실리콘계 점착제는, 실리콘 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 실리콘계 점착제로서는, 특별히 제한은 없고, 부가 반응형 실리콘계 점착제, 과산화물 경화형 실리콘계 점착제, 축합형 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 펠리클막을 점착제로 유지하는 관점에서, 보유 지지력이 큰 부가 경화형 실리콘계 점착제가 바람직하다.

본 개시에 있어서, 점착제의 주성분이란, 점착제의 전체 질량에 대하여 50질량％ 이상을 차지하는 성분을 의미한다.

아크릴계 점착제는, 아크릴 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 아크릴계 점착제에 포함되는 아크릴 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 알킬(메트)아크릴레이트계 점착제, 우레탄(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

또한, 아크릴계 점착제는, 아크릴계 고무 수지를 주성분으로 하는 점착제여도 된다. 아크릴계 고무 수지로서는, 예를 들어, 메타크릴산메틸과 아크릴산부틸의 블록 공중합체를 들 수 있다.

우레탄계 점착제는, 폴리우레탄 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 우레탄계 점착제에 포함되는 폴리우레탄으로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 폴리에스테르폴리우레탄, 폴리카르보네이트폴리우레탄 등을 들 수 있는

폴리아미드계 점착제는, 폴리아미드 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 폴리아미드계 점착제에 포함되는 폴리아미드 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 운데칸락탐을 개환 중축합한 폴리아미드(아미드11), 라우릴락탐을 개환 중축합한 폴리아미드(아미드12) 등을 들 수 있다.

폴리에스테르계 점착제로서는, 폴리에스테르 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 폴리에스테르 수지로서는, 특별히 제한은 없고, 다가 카르복실산과 다가 알코올의 축중합체를 들 수 있다.

상기 폴리에스테르의 구체예로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등을 들 수 있다.

올레핀계 점착제는, 올레핀 수지를 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 상기 올레핀으로서는, 특별히 제한은 없고, 올레핀을 단독 중합하여 이루어지는 중합체, 또는 올레핀이 다른 단량체를 중합하여 이루어지는 공중합체여도 된다. 올레핀으로서는, 탄소수가 2 내지 6의 올레핀이 바람직하고, 예를 들어, 에틸렌, 프로필렌, 부텐, 메틸펜텐, 헥센을 들 수 있다. 공중합체에 사용하는 다른 단량체로서는, 예를 들어, 아세트산비닐을 들 수 있다.

고무계 점착제는 고무를 주성분으로서 포함하는 점착제인 것이 바람직하고, 예를 들어, 천연 고무계 점착제, 및 합성 고무계 점착제를 적합하게 들 수 있다. 합성 고무계 점착제로서는, 예를 들어, 스티렌-부타디엔 공중합체(SBR, SBS), 스티렌-이소프렌 공중합체(SIS), 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체(NBR), 클로로프렌 중합체, 이소부틸렌-이소프렌 공중합체(부틸 고무) 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 고무계 점착제로서는, 점착층을 형성하기 쉽고, 또한, 펠리클막을 유지하기 쉬운 관점에서, 합성 고무계 점착제인 것이 바람직하고, 스티렌-부타디엔 공중합체를 주성분으로 하는 점착제인 것이 보다 바람직하다.

폴리부타디엔계 점착제는, 상기 고무계 점착제 이외의 점착제이며, 폴리부타디엔을 주성분으로 하는 점착제인 것이 바람직하다. 폴리부타디엔으로서는, 부타디엔으로부터 형성되는 구조 단위를 포함하는 것이면, 특별히 제한은 없고, 호모 폴리머여도 되고, 부타디엔 이외의 단량체와의 공중합체여도 된다.

스티렌계 점착제는, 상기 고무계 점착제 이외의 점착제이며, 폴리스티렌 수지를 주성분으로 하는 점착제이다. 폴리스티렌 수지로서는 특별히 제한은 없고, 스티렌계 단량체(예를 들어, 스티렌, 메틸스티렌, 에틸스티렌, 이소프로필스티렌, 디메틸스티렌, 파라메틸스티렌, 클로로스티렌, 브로모스티렌, 비닐톨루엔, 비닐크실렌)의 단독 중합체, 및 스티렌계 단량체와, 스티렌계 단량체와 공중합 가능한 단량체의 공중합체를 들 수 있다.

스티렌계 단량체와 공중합 가능한 단량체로서는, 예를 들어, 비닐 단량체(예를 들어, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 아크릴산, 메타크릴산, 메타크릴산메틸, 무수 말레산, 부타디엔)를 들 수 있다.

포토마스크의 오염 억제성의 관점에서, 점착제의 유리 전이 온도로서는, -60℃ 내지 -20℃인 것이 바람직하고, -60℃ 내지 -40℃인 것이 보다 바람직하다.

포토마스크의 오염 억제성의 관점에서, 점착제의 베이스 폴리머의 중량 평균 분자량으로서는, 10,000 내지 1,500,000인 것이 바람직하고, 50,000 내지 1,000,000인 것이 보다 바람직하다. 또한, 중합 평균 분자량이 다른 베이스 폴리머를 혼합해도 된다.

펠리클막 상에 점착제를 부여하여 점착층을 형성할 때의 점착제 부여량(예를 들어, 스프레이 코팅법에 의해 점착제를 도포할 때의 도포량)은 건조 후의 부여량으로, 1g/㎡ 내지 500mg/㎡인 것이 바람직하고, 5mg/㎡ 내지 200g/㎡인 것이 보다 바람직하다.

점착층은, 펠리클막 상에 점착제 및 용제를 포함하는 점착제 용액을 부여하여 형성해도 된다.

점착제 용액에 있어서의 용제로서는, 공지된 용제를 사용할 수 있다.

점착제 용액에 있어서의 용제로서, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤(2-부타논), 시클로헥산, 아세트산에틸, 에틸렌디클로라이드, 테트라히드로푸란, 톨루엔, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜디메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 아세틸아세톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노이소프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 1-메톡시-2-프로판올, 3-메톡시-1-프로판올, 메톡시메톡시에탄올, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 3-메톡시프로필아세테이트, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭시드, γ-부티로락톤, 락트산메틸, 락트산에틸 등을 들 수 있다.

점착제 용액에 있어서의 용제는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 된다.

점착제 용액 중의 고형분 농도(즉, 점착제 용액의 전량에 대한 점착제의 함유량)는 바람직하게는 1질량％ 내지 50질량％ 정도이다.

점착제 용액의 점도(25℃)로서는, 펠리클막과 점착제의 밀착성을 보다 향상시키는 관점에서, 1mPa·s 내지 1,000mPa·s인 것이 바람직하고, 100mPa·s 내지 800mPa·s인 것이 보다 바람직하다.

점착제 용액의 점도는, 상기 용제의 종류 및/또는 양에 따라 적절히 조정할 수 있다.

점착층의 두께로서는, 1㎛ 이상 1㎜ 이하인 것이 보다 바람직하고, 50㎛ 이상 1㎜ 이하인 것이 더욱 바람직하다.

상기 점착층의 두께는, 공지된 방법에 의해 조정할 수 있다.

예를 들어, 스프레이 코팅법에 의해 점착층을 형성하는 경우, 스프레이 코팅 장치(예를 들어 스프레이건)로부터 분사되는 점착제 용액의 분사량을 조정함으로써, 점착층의 두께를 조정할 수 있다.

점착층의 두께는, 적층체를 수직 방향으로 절단하고, 그 단면을 주사형 전자 현미경에 의해 확인함으로써 구해진다.

점착층은, 격자 구조의 홈을 갖고 있어도 된다. 점착층이 격자 구조의 홈을 가짐으로써, 예를 들어, 후술하는 보호 필름을 점착층 상에 적층시킨 경우, 펠리클막과 보호 필름을 접합할 때에, 펠리클막과 보호 필름 사이에 들어간 기체가, 격자 구조로부터 외부로 배출되기 쉬워져, 펠리클막의 파열을 방지할 수 있다.

점착층을 형성하는 공정을 실시하기 위한 장치(예를 들어, 후술하는 펠리클의 디마운팅 장치)는 펠리클막의 자립 부분 상에 토출된 점착제가, 펠리클막의 자립 부분 이외의 부분 및 펠리클막 이외의 부분에 부착되는 것을 방지하기 위한 커버를 구비해도 된다.

<보호 필름을 점착시키는 공정>

상술한 점착층을 형성하는 공정을 포함하는 양태의 펠리클의 디마운팅 방법은, 점착층을 형성하는 공정의 후이며 디마운팅 공정 전에, 점착층이 형성된 적층체에 있어서의 점착층 상에 보호 필름을 점착시키는 공정을 더 포함해도 된다.

보호 필름으로서는, 특별히 제한은 없지만, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 폴리프로필렌(PP) 필름, 폴리카르보네이트(PC) 필름, 등을 적합하게 들 수 있다.

보호 필름의 두께로서는, 특별히 제한은 없지만, 적당한 강도를 갖는 관점에서, 50㎛ 이상 500㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.

보호 필름은, 상술한 점착층 모두 공압출한 2층 필름으로서, 펠리클막에 적층시켜도 된다.

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 필요에 따라, 상술한 공정 이외의 기타의 공정을 포함하고 있어도 된다.

이하, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법의 구체적인 실시 형태인 실시 형태 1을 나타낸다. 단, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법은, 이하의 실시 형태에 한정되지는 않는다.

<실시 형태 1>

실시 형태 1에 대해서, 도 6을 참조하면서 설명한다.

도 6에 대해서는 상술한 바와 같다.

실시 형태 1에서는, 도 6에 도시한 적층체와 마찬가지의 구성을 갖는 적층체와, 전극을 포함하는 부재로서의 정전 척(도시하지 않음)을 적층체에 있어서의 펠리클막(602)과 정전 척에 있어서의 전극이 대향하는 방향으로 배치한다. 이때, 적층체는, 도 6에 도시한 자세와는 상하 반대 방향으로(즉, 펠리클막(602)이 하측이되고 포토마스크(605)가 상측이 되는 방향으로) 배치한다. 정전 척은, 적층체에 있어서의 펠리클막(602)의 하방으로, 전극이 위를 향하도록 배치한다.

이어서, 적층체에 있어서의 펠리클막(602)과 정전 척에 있어서의 전극 사이에, 점착층 구비의 수지 필름(도시하지 않음)을 펠리클막(602)과 점착층(도시하지 않음)이 소정의 간격을 두고 대향하도록 배치한다.

이 상태에서 정전 척에 있어서의 전극에 전압을 인가함으로써, 정전 인력을 발생시키고, 발생한 정전 인력에 의해, 펠리클막(602)을 전극의 방향(즉, 하방)으로 끌어 당기는 것에 의해, 적층체에 있어서의 포토마스크(605)로부터 펠리클막(602)을 디마운팅한다.

디마운팅된 펠리클막(602)은 점착층 구비의 수지 필름에 있어서의 점착층에 흡착되어서 회수된다. 이때, 펠리클막(602)이 파손되어져, 파손에 의해 발생한 펠리클막편이, 상기 점착층에 흡착되어서 회수되어도 된다. 상기 디마운팅 시, 펠리클 프레임(603)의 외주면으로부터 내주면까지를 관통하는 관통 구멍(즉 통기구; 도시하지 않음)을 통해, 적층체의 내부에 공기를 보내주는 것에 의해, 적층체의 내부를 양압으로 하여, 펠리클막(602)을 외측(즉, 전극의 방향)으로 부풀려서 펠리클막을 파손시켜도 된다.

펠리클막(602)의 디마운팅 후, 남은 제2 적층체(즉, 포토마스크(605)와 마스크 접착층(607)과 펠리클 프레임(603)과 펠리클막 접착층(606)을 포함하는 적층체)를 핫 플레이트 상에 포토마스크(605)와 핫 플레이트가 접촉하는 방향으로 적재하고, 마스크 접착층의 온도가 약 50℃가 되도록 가열하여, 마스크 접착층(607)의 접착력을 저감시킨다.

이어서, 제2 적층체에 있어서의 펠리클 프레임(603)의 외주면에 형성된 오목부 및/또는 절결(도시하지 않음)에, 펠리클 프레임 핸들링용의 파지구를 삽입하거나 또는 걸리게 함으로써, 마스크 접착층(607), 펠리클 프레임(603), 및 펠리클막 접착층(606)을 포토마스크(605)로부터 디마운팅한다.

〔펠리클의 디마운팅 장치〕

이어서, 상술한 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법을 실시하기 위하여 적합한, 펠리클의 디마운팅 장치의 실시 형태에 대하여 설명한다.

본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치는,

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서의 상기 디마운팅 공정을 실시하기 위한 펠리클의 디마운팅 장치이며,

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서 설명한 적층체를 유지하는 유지 부재와,

본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서 설명한 전극

을 구비한다.

본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치에 의해, 상술한 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법을 실시할 수 있다.

따라서, 본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치에 의하면, 상술한 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법과 마찬가지로, 펠리클막편에 의한 포토마스크의 오염을 억제할 수 있다고 하는 효과가 발휘된다.

본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치에 있어서의 유지 부재는, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서 설명한 적층체(즉, 포토마스크, 펠리클 프레임, 및 펠리클막을 이 순의 배치로 구비하는 적층체)를 유지하는 부재이다.

본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치에 있어서의 전극은, 본 개시의 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서 설명한 전극(즉, 전압이 인가됨으로써 정전 인력을 발생시키고, 발생한 정전 인력에 의해 펠리클막을 끌어 당기는 것에 의해, 적층체에 있어서의 포토마스크로부터 펠리클막을 디마운팅하기 위한 전력)이다.

본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치는, 전술한 바와 같이, 전극을 포함하는 부재로서, 정전 척을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 정전 척에 있어서의 전극을 사용하여 펠리클막의 디마운팅을 행할 수 있다.

본 실시 형태에 있어서의 유지 부재는, 적층체를, 포토마스크가 상측이 되고 펠리클막이 하측이 되는 방향으로 유지하고, 또한, 펠리클막의 적어도 자립 부분을 노출시키는 개구부를 갖는 것이 바람직하다.

이 양태에 의하면, 디마운팅된 펠리클막 및/또는 펠리클막편이, 개구부를 통하여 하방(즉, 중력 방향)으로 떨어지므로, 펠리클막편의 부착에 의한 포토마스크의 오염이 보다 효과적으로 억제된다.

여기서, 펠리클막의 적어도 자립 부분을 노출시키는 개구부의 개념에는,

개구부가 펠리클막보다도 하측에 배치되는 양태와,

개구부가 펠리클막보다도 상측에 배치되는 양태(즉, 개구부로부터 펠리클막이 하측으로 비어져 나와 있는 양태)(예를 들어 도 9 및 도 10 참조)

가 포함된다.

이 양태에 있어서의 유지 부재가 적층체를 유지할 때, 유지 부재에의 설치 시 등에 있어서의 의도하지 않은 펠리클막의 손상을 억제하는 관점에서, 유지 부재는, 적층체에 있어서의 펠리클 프레임 및 포토마스크의 적어도 한쪽을 지지함으로써, 적층체를 유지하는 것이 바람직하다(예를 들어 도 9 및 도 10 참조).

유지 부재가 상기 개구부를 갖는 양태에 있어서, 유지 부재 및 전극은,

(1) 유지 부재의 개구부와 전극이 대향하도록 배치되어 있거나, 또는,

(2) 유지 부재 및 전극의 적어도 한쪽은, 유지 부재의 개구부와 전극이 대향하는 배치가 되도록 이동 가능한

것이 바람직하다.

이들 양태에서는, 디마운팅 시에, 펠리클막에 대하여 정전 인력을 보다 효과적으로 작동시킬 수 있으므로, 정전 인력에 의한 펠리클막의 디마운팅을 보다 행하기 쉽다.

(1)의 양태는, 유지 부재의 개구부와 전극이 항상 대향하고 있는 것을 의미한다. (1)의 양태에는, 유지 부재와 전극이 고정 배치되어 있는 경우에 한정되지 않고, 유지 부재 및 전극의 적어도 한쪽이, 유지 부재와 전극의 거리가 변화되도록 이동 가능한 양태도 포함된다.

(2)의 양태는, 유지 부재 및 전극의 적어도 한쪽이 이동 가능함으로써, 유지 부재의 개구부와 전극이 대향하는 배치와, 유지 부재의 개구부와 전극이 대향하지 않는 배치의 양쪽을 채용할 수 있는 양태를 의미한다.

(2)의 양태에는, 예를 들어, 유지 부재로서, 적층체를 유지한 채 운반할 수 있는 운반 부재를 사용하여, 유지 부재로서 운반 부재가, 전극에 대하여 상기 대향하는 배치와 상기 대향하지 않는 배치의 양쪽을 채용할 수 있도록 이동 가능한 양태가 포함된다.

상기 (1)의 양태 또는 상기 (2)의 양태에 있어서, 전극의 면적은, 개구부의 면적보다도 넓은 것이 바람직하다. 이에 의해, 펠리클막의 자립 부분의 전체를 전극의 방향으로 가까이 끌어 당겨서 디마운팅할 수 있으므로, 포토마스크의 오염이 보다 효과적으로 억제된다.

이러한 바람직한 양태의 경우, 예를 들어, 펠리클이, 6인치×6인치의 정사각형의 자립 부분을 포함하는 경우, 개구부의 사이즈는, 6인치 이상×6인치 이상의 직사각형(정사각형을 포함한다)으로 한다.

펠리클의 디마운팅 장치는, 상기 (1)의 양태 또는 상기 (2)의 양태에 있어서, 또한, 서로 대향하고 있는 개구부와 전극 사이(즉, 상기 (2)의 양태에 있어서는, 개구부와 전극이 서로 대향하고 있는 경우의 개구부와 전극 사이)에, 수지 필름을 주행시키는 필름 반송 수단을 더 구비하는 것이 바람직하다.

이 양태에서는, 디마운팅에 의해 개구부로부터 펠리클막 및/또는 펠리클막편을 수지 필름 상에 낙하시키고, 수지 필름의 주행에 의해 상기 펠리클막 및/또는 상기 펠리클막편을 회수할 수 있다. 이 때문에, 포토마스크의 오염을 억제하면서, 펠리클막의 디마운팅을 보다 효율적으로 행할 수 있다.

필름 반송 수단에 있어서의 수지 필름의 반송 방식으로서는,

필름을 연속적으로 반송할 수 있는 투 롤 방식,

필름을 불연속적으로, 1매씩 반송하는 매엽 방식

등을 적용할 수 있다.

그 중에서도, 디마운팅의 효율의 관점에서, 투 롤 방식이 바람직하다.

펠리클의 디마운팅 장치에 있어서의 유지 부재는, 펠리클 프레임을 고정하는 펠리클 프레임 고정 부재를 포함하는 것이 바람직하다.

이 양태에 의하면, 펠리클막의 디마운팅 시의 펠리클 프레임의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.

본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치는, 필요에 따라, 상술한 부재 이외의 기타 부재를 구비하고 있어도 된다.

이하, 본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치의 구체예를 3 예시하지만, 본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치는 이하에 3예에 한정되지는 않는다.

도 9는, 본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치의 일례를 개념적으로 도시하는 개략 단면도이다.

도 9에 도시되는 바와 같이, 본 일례에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치(800)는 포토마스크(805), 펠리클 프레임(803), 및 펠리클막(802)을 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 유지하는 유지 부재(820)와, 유지 부재(820)에 대하여 하방에 배치된 전극(810)을 구비한다.

유지 부재(820)는 개구부(OP1)를 갖는 상자형 형상의 하우징(822)을 포함하고, 또한, 펠리클 프레임 고정 부재로서의 펠리클 프레임 고정 핀(824)을 포함한다. 유지 부재(820)는 이들 요소에 의해, 적층체를, 포토마스크(805)가 상측이 되고 펠리클막(802)이 하측이 되는 방향으로, 개구부(OP1)로부터 펠리클막(802)을 노출시키면서, 유지하고 있다. 포토마스크(805)의 펠리클이 마운팅되어 있지 않은 주면 및 측면은, 하우징(822)에 의해 둘러싸여 있다.

유지 부재(820)는 펠리클 프레임 고정 핀(824)에 의해 적층체에 있어서의 펠리클 프레임(803)을 고정함으로써, 적층체를 유지하고 있다. 펠리클 프레임 고정 핀(824)의 일단부는, 하우징(822)의 내면에 접속되어 있다. 펠리클 프레임 고정 핀(824)의 타단부는, 펠리클 프레임(803)을 고정하고 있다. 고정 방법에는 특별히 한정은 없지만, 예를 들어, 펠리클 프레임(803)의 외주면에 형성된 오목부 또는 절결(도시하지 않음)에 대하여 펠리클 프레임 고정 핀(824)의 타단부를 삽입하거나 걸리게 하는 방법을 들 수 있다.

유지 부재(820)는 수평 방향 H1으로 이동 가능하다.

이에 의해, 펠리클의 디마운팅 장치(800)에서는, 유지 부재의 개구부(OP1)와 전극(810)이 대향하는 배치와, 유지 부재의 개구부(OP1)와 전극(810)이 대향하지 않는 배치의 양쪽을 채용할 수 있다.

유지 부재(820)는 연직 방향 V1(즉, 중력 방향 G 및 그 반대 방향)으로도 이동 가능하다.

전극(810)도 또한, 연직 방향 V2(즉, 중력 방향 G 및 그 반대 방향)로 이동 가능하다.

이들 구성에 의해, 디마운팅 시에, 전극(810)과 펠리클막(802)의 거리(즉 갭)를 조정함으로써, 펠리클막(802)에 작용하는 정전 인력을 조정할 수 있다.

전극(810)은 이 전극(810)에 전압을 인가하기 위한 전원(도시하지 않음)에 접속되어 있다.

전술한 바와 같이, 이 일례에 있어서의 전극(810) 대신에, 전극을 포함하는 부재로서의 정전 척을 사용할 수도 있다.

전극(810)의 면적은, 유지 부재(820)(상세하게는 하우징(822))에 있어서의 개구부(OP1)의 면적보다도 넓게 되어 있다. 이에 의해, 펠리클막(802)의 자립 부분의 전체를 전극(810)의 방향으로 가까이 끌어 당겨서 디마운팅할 수 있으므로, 포토마스크의 오염이 보다 효과적으로 억제된다.

이어서, 디마운팅 장치(800)의 동작(즉, 펠리클의 디마운팅)의 일례에 대하여 설명한다.

먼저, 유지 부재(820)에 적층체를, 전술한 바와 같이 유지시킨다. 이 조작은, 유지 부재의 개구부(OP1)와 전극(810)이 대향하지 않는 배치로 행해도 된다.

이어서, 유지 부재(820)를 수평 방향 H1으로 이동시키고, 유지 부재의 개구부(OP1)와 전극(810)이 대향하는 배치가 되도록 조정한다.

이 상태에서, 도시하지 않은 전원으로부터 전극(810)에 전압을 공급하여, 정전 인력을 발생시킨다. 이때, 전극(810)과 펠리클막(802)의 갭을 조정하여, 발생하는 정전 인력을 조정한다.

정전 인력에 의해 펠리클막(802)을 전극(810)의 방향으로 끌어 당긴다. 이때, 정전 인력에 의해, 펠리클막(802)을 파괴시켜도 된다. 펠리클막(802) 또는 펠리클막(802)의 파괴에 의한 펠리클막편은, 전극(810)에 끌어 당겨진다. 이에 의해, 펠리클막(802) 또는 펠리클막편이, 포토마스크(805)로부터 멀어지는 방향으로 디마운팅되므로, 포토마스크에 대한 펠리클막의 흡착(즉, 오염)이 억제된다.

이 일례에서는, 펠리클막(802)의 하측에 전극이 배치되어 있으므로, 펠리클막(802) 또는 펠리클막편은, 중력에 의해서도 전극(810)에 끌어 당겨진다. 따라서, 포토마스크의 오염이 보다 억제된다.

또한, 이 일례에서는, 펠리클 프레임(803)이 펠리클 프레임 고정 핀(824)에 의해 고정되어 있으므로, 펠리클막(802)의 디마운팅 시의 펠리클 프레임(803)의 위치 어긋남이 억제된다.

이상과 같이 하여, 적층체에 있어서의 포토마스크(805)로부터 펠리클막(802)이 디마운팅된다. 그 후, 필요에 따라, 포토마스크(805)로부터 펠리클 프레임(803)이 통상의 방법에 의해 디마운팅된다.

도 10은, 본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치의 다른 일례를 개념적으로 도시하는 개략 단면도이다.

도 10에 도시되는 펠리클의 디마운팅 장치(840)의 구조는, 적층체를 유지하는 유지 부재의 구조가 다른 것을 제외하면, 도 8에 있어서의 펠리클의 디마운팅 장치(800)의 구조와 마찬가지이다.

따라서, 펠리클의 디마운팅 장치(840)에 의하면, 펠리클의 디마운팅 장치(800)와 마찬가지의 효과가 발휘된다.

펠리클의 디마운팅 장치(840)에 있어서의 유지 부재(830)는 하우징(832)을 포함하고, 또한, 펠리클 프레임 고정 핀을 포함하지 않는다.

하우징(832)은 개구부(OP2)를 갖는 상자형 형상인 점에서, 하우징(833)(도 8)과 공통되지만, 개구부(OP2)를 확정하는 볼록부(833)가 존재하는 점에서, 하우징(833)(도 8)과 다르다.

펠리클의 디마운팅 장치(840)에 있어서의 유지 부재(830)는 볼록부(833)에 의해 포토마스크(805)를 지지함으로써, 적층체를 유지하고 있다.

펠리클의 디마운팅 장치(840)에 있어서도, 전극(810)의 면적은, 유지 부재(830)(상세하게는 하우징(832))에 있어서의 개구부(OP2)의 면적보다도 넓게 되어 있다.

도 11은, 본 실시 형태에 관계되는 펠리클의 디마운팅 장치의 다른 일례를 개념적으로 도시하는 개략 단면도이다.

도 11에 도시되는 펠리클의 디마운팅 장치(860)의 구조는, 이하의 점 이외에는, 도 8에 있어서의 펠리클의 디마운팅 장치(840)의 구조와 마찬가지이다.

따라서, 펠리클의 디마운팅 장치(860)에 의하면, 펠리클의 디마운팅 장치(800 및 840)와 마찬가지의 효과가 발휘된다.

도 11에 도시되는 펠리클의 디마운팅 장치(860)는 서로 대향하고 있는 개구부(OP2)와 전극(810) 사이에, 수지 필름(F1)을 주행시키기 위한 필름 반송 수단(구체적으로는, 투 롤 반송 방식으로 필름을 반송하기 위한, 필름 송출 장치(R1) 및 필름 권취 장치(R2))을 더 구비한다. 이에 의해, 포토마스크로부터 디마운팅된 펠리클막이, 수지 필름(F1) 상에 회수된다. 이 때문에, 포토마스크의 오염을 억제하면서, 펠리클막의 디마운팅을 보다 효율적으로 행할 수 있다.

수지 필름(F1)의 개구부(OP2)에 대향하는 측에는, 점착층이 형성되어 있어도 된다. 이에 의해, 펠리클막을 보다 회수하기 쉬워진다.

펠리클의 디마운팅 장치(860)는 유지 부재(830) 및 전극(810)에 대하여 수지 필름 반송 방향 상류측에, 칸막이 부재(850)를 구비하고 있다.

칸막이 부재(850)는 수지 필름이 통과하기 위한 개구부를 갖고 있다.

펠리클의 디마운팅 장치(860)는 유지 부재(830) 및 전극(810)에 대하여 수지 필름 반송 방향 하류측에 칸막이 부재(851)를 구비하고 있다.

칸막이 부재(851)도, 수지 필름이 통과하기 위한 개구부를 갖고 있다.

펠리클의 디마운팅 장치(860)에서는, 칸막이 부재(850 및 851)의 사이의 영역으로서, 디마운팅 영역이 확정되어 있다.

이 디마운팅 영역 내에서 펠리클막의 디마운팅을 행함으로써, 디마운팅 영역 외로의 펠리클막의 비산을 억제할 수 있다.

또한, 디마운팅 영역 내의 기압을, 디마운팅 영역 외의 기압보다도 낮게 함으로써, 디마운팅 영역 외로의 펠리클막의 비산을 보다 억제할 수 있다.

실시예

이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 개시는 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

〔실시예 1〕

이하의 각 공정을 실시함으로써, 펠리클의 디마운팅을 행하였다. 이하, 상세를 나타낸다.

<적층체를 준비하는 공정>

SiN막 펠리클막과,

일단부면의 측에서 SiN막 펠리클막을 지지하는 펠리클 프레임과,

SiN막 펠리클막과 펠리클 프레임 사이에 개재하는 펠리클막 접착층과,

펠리클 프레임의, SiN막 펠리클막을 지지하고 있는 단부면과는 반대측의 단부면에 마련된 마스크 접착층

을 포함하는 펠리클을 준비하였다.

펠리클 프레임의 외주면에는, 오목부로서의 핸들링 구멍이 마련되어 있다. 이 핸들링 구멍은, 지레를 사용한 디마운팅 시의 작용점으로서 기능한다.

펠리클 프레임에는, 외주면으로부터 내주면까지를 관통하는, 통기용의 관통 구멍도 마련되어 있다.

상기 펠리클을, 차광막층을 포함하는 포토마스크의 차광막층측에, 포토마스크의 차광막층측과 펠리클에 있어서의 마스크 접착층이 접하는 방향에서, 98N의 하중으로 30초간 압박하였다. 이에 의해, 포토마스크에 펠리클을 마운팅시켜, 적층체를 얻었다.

<전극을 준비하는 공정>

전극을 포함하는 부재로서, 정전 척(상세하게는, 닛폰 도쿠슈 도교(주)제의 8인치 정전 척)을 준비하였다.

<디마운팅 공정>

Z축 구동하는 현수형의 정밀 스테이지(이하, 「현수형 Z 구동 스테이지」라고도 한다.)에 상기 적층체를 펠리클막이 아래를 향하도록 하여 현수 고정하였다.

현수 고정한 적층체의 하방에 상기 정전 척을 배치하였다. 즉, 적층체 및 정전 척을, 적층체에 있어서의 펠리클막과 정전 척에 있어서의 전극이 대향하도록 배치하였다. 이때, 펠리클막의 면과 전극의 면은 평행하게 되도록 하고, 양자의 거리는 50㎜로 되도록 조정하였다.

이어서, 정전 척 상에 수지 필름(상세하게는, 도레이 (주)제의 PET 필름, 상품명; 루미러(등록 상표), 두께 50㎛)을 배치하였다. 이 상태에서 정전 척의 전극에 800V의 전압을 1분간 인가하고, 이에 의해, 약 7gf/㎠(즉, 68.6mN/㎠)의 정전 인력(즉, 수평 보유 지지력)을 발생시켜, 정전 척에 PET 필름을 흡착시켰다.

이어서, 현수형 Z 구동 스테이지에 현수 고정된 적층체를 천천히 하방으로 이동시켜, 적층체에 있어서의 펠리클막을 정전 척 상에 배치된 PET 필름에 접촉시켰다. 이 상태를 5분간 유지한 후, 적층체를 상방으로 천천히 이동시키고, 이에 의해 펠리클막을 파막시키고, 파막한 펠리클막을, 정전 인력에 의해 정전 척 상에 배치된 PET 필름 상에 흡착시켰다. 이상과 같이 하여, 포토마스크로부터 펠리클막을 디마운팅하였다.

이어서, 펠리클막의 디마운팅에 의해 남은 제2 적층체(즉, 포토마스크와 마스크 접착층과 펠리클 프레임을 포함하는 적층체)를 핫 플레이트 상에 포토마스크와 핫 플레이트가 접촉하는 방향으로 적재하고, 제2 적층체를 약 70℃에서 5분간 가열하였다. 이에 의해, 마스크 접착층의 접착력을 저하시켰다.

이어서, 펠리클 프레임의 외주면에 마련된 핸들링 구멍을 작용점으로 하여, 지레를 사용하여, 제2 적층체로부터 펠리클 프레임을 디마운팅하였다.

이상의 조작 후, 포토마스크의 표면을 눈으로 보아 관찰한 바, 이물의 부착(즉, 오염)은 확인되지 않았다.

2019년 12월 13일에 출원된 일본 특허 출원2019-225700호의 개시는 그 전체가 참조에 의해 본 명세서에 도입된다.

본 명세서에 기재된 모든 문헌, 특허 출원, 및 기술 규격은, 개개의 문헌, 특허 출원, 및 기술 규격이 참조에 의해 도입되는 것이 구체적이고 또한 개개에 기재된 경우와 동일 정도로, 본 명세서 중에 참조에 의해 도입된다.

Claims (12)

1. 포토마스크, 펠리클 프레임, 및 펠리클막을 이 순의 배치로 구비하는 적층체를 준비하는 공정과,
   전극을 준비하는 공정과,
   상기 적층체 및 상기 전극을, 상기 적층체에 있어서의 상기 펠리클막과 상기 전극이 대향하도록 배치하고, 또한, 상기 전극에 전압을 인가함으로써, 정전 인력을 발생시키고, 발생한 상기 정전 인력에 의해 상기 펠리클막을 상기 전극의 방향으로 끌어 당기는 것에 의해, 상기 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터 상기 펠리클막을 디마운팅하는 디마운팅 공정
   을 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 디마운팅 공정은, 상기 적층체에 있어서의 상기 펠리클막과 상기 전극 사이에 필름을 배치하고, 상기 정전 인력에 의해, 상기 펠리클막을 상기 필름의 표면에 끌어 당기는 것에 의해 상기 펠리클막을 디마운팅하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적층체가, 상기 포토마스크와 상기 펠리클 프레임 사이에, 마스크 접착층을 더 구비하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 적층체를 제1 적층체로 한 경우에,
   상기 디마운팅 공정이,
   상기 제1 적층체에 있어서의 상기 포토마스크측에 상기 펠리클 프레임을 남긴 채, 상기 정전 인력에 의해 상기 펠리클막을 디마운팅함으로써, 상기 포토마스크, 상기 마스크 접착층, 및 상기 펠리클 프레임을 포함하는 제2 적층체를 얻는 것과,
   상기 제2 적층체를 열처리하는 것과,
   상기 제2 적층체에 있어서의 상기 포토마스크로부터 상기 펠리클 프레임을 디마운팅하는 것
   을 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 디마운팅 공정 전에, 상기 적층체를 열처리하는 공정을 더 포함하는, 펠리클의 디마운팅 방법.
6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 펠리클 프레임의 외주면에, 오목부 및 절결의 적어도 한쪽이 마련되어 있는, 펠리클의 디마운팅 방법.
7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 펠리클의 디마운팅 방법에 있어서의 상기 디마운팅 공정을 실시하기 위한 펠리클의 디마운팅 장치이며,
   상기 적층체를 유지하는 유지 부재와,
   상기 전극
   을 구비하는, 펠리클의 디마운팅 장치.
8. 제7항에 있어서, 상기 유지 부재는, 상기 적층체를 상기 포토마스크가 상측으로 되고 상기 펠리클막이 하측이 되는 방향으로 유지하고, 또한, 상기 펠리클막의 적어도 자립 부분을 노출시키는 개구부를 갖는 펠리클의 디마운팅 장치.
9. 제8항에 있어서, 상기 유지 부재 및 상기 전극은, 상기 개구부와 상기 전극이 대향하도록 배치되어 있거나, 또는,
   상기 유지 부재 및 상기 전극의 적어도 한쪽은, 상기 개구부와 상기 전극이 대향하는 배치가 되도록 이동 가능한,
   펠리클의 디마운팅 장치.
10. 제9항에 있어서, 상기 전극의 면적이 상기 개구부의 면적보다도 넓은, 펠리클의 디마운팅 장치.
11. 제9항 또는 제10항에 있어서, 또한, 서로 대향하고 있는 상기 개구부와 상기 전극 사이에 수지 필름을 주행시키는 필름 반송 수단을 더 구비하는, 펠리클의 디마운팅 장치.
12. 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유지 부재가, 상기 펠리클 프레임을 고정하는 펠리클 프레임 고정 부재를 포함하는, 펠리클의 디마운팅 장치.

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