CN114641724A - 防护膜组件的拆卸方法及防护膜组件的拆卸装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000012528 membrane Substances 0.000 title claims description 21
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 title description 55
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 191
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 104
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 31
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 21
- 230000001629 suppression Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 92
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 92
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 12
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 10
- -1 hydrogen radicals Chemical class 0.000 description 10
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 10
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 8
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 3
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 3
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropyl acetate Chemical compound COCCCOC(C)=O CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 2
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-[4-(chloromethyl)phenyl]benzene Chemical compound C1=CC(CCl)=CC=C1C1=CC=C(CCl)C=C1 INZDTEICWPZYJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPUJTMFKJTXSHW-UHFFFAOYSA-N 1-(methoxymethoxy)ethanol Chemical compound COCOC(C)O RPUJTMFKJTXSHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEOXIOXMKNFLQ-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-4-prop-2-enylbenzene Chemical group CC1=CC=C(CC=C)C=C1 WAEOXIOXMKNFLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 1lambda4,2lambda4-dimolybdacyclopropa-1,2,3-triene Chemical compound [Mo]=C=[Mo] QIJNJJZPYXGIQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethenylbenzene Chemical compound ClC=CC1=CC=CC=C1 SBYMUDUGTIKLCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTOVVHWKPVSLBI-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-1-enylbenzene Chemical compound CC(C)=CC1=CC=CC=C1 BTOVVHWKPVSLBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDFDHBSESGTDAL-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropan-1-ol Chemical compound COCCCO JDFDHBSESGTDAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CEBRPXLXYCFYGU-UHFFFAOYSA-N 3-methylbut-1-enylbenzene Chemical compound CC(C)C=CC1=CC=CC=C1 CEBRPXLXYCFYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 244000043261 Hevea brasiliensis Species 0.000 description 1
- JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N Laurolactam Chemical compound O=C1CCCCCCCCCCCN1 JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910039444 MoC Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001315 Tool steel Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMOONIIMQBGTDU-VOTSOKGWSA-N [(e)-2-bromoethenyl]benzene Chemical compound Br\C=C\C1=CC=CC=C1 YMOONIIMQBGTDU-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000013006 addition curing Methods 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- QFNNDGVVMCZKEY-UHFFFAOYSA-N azacyclododecan-2-one Chemical compound O=C1CCCCCCCCCCN1 QFNNDGVVMCZKEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- MPMBRWOOISTHJV-UHFFFAOYSA-N but-1-enylbenzene Chemical compound CCC=CC1=CC=CC=C1 MPMBRWOOISTHJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFAZFSACZIVZDV-UHFFFAOYSA-N butan-2-one Chemical compound CCC(C)=O.CCC(C)=O RFAZFSACZIVZDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005549 butyl rubber Polymers 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 description 1
- YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N chloroprene Chemical compound ClC(=C)C=C YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000805 composite resin Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N methylidyneniobium Chemical compound [Nb]#C UNASZPQZIFZUSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003052 natural elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920001194 natural rubber Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N prop-2-enylbenzene Chemical compound C=CCC1=CC=CC=C1 HJWLCRVIBGQPNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
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Abstract
本发明的目的在于提供光掩模的污染的抑制性优异的防护膜组件的拆卸方法。提供一种防护膜组件的拆卸方法,其包括下述工序:准备层叠体的工序,所述层叠体按下述顺序的配置具备光掩模(805)、防护膜组件框(803)以及防护膜(802);准备电极(810)的工序;以及拆卸工序,将层叠体和电极(810)以使层叠体中的防护膜(802)与电极(810)对置的方式进行配置,并且通过对于电极(810)施加电压,从而产生静电引力,通过所产生的静电引力将防护膜(802)向电极(810)的方向吸引,从而从层叠体中的光掩模(805)拆卸防护膜(802)。
Description
技术领域
本发明涉及防护膜组件的拆卸方法以及防护膜组件的拆卸装置。
背景技术
半导体器件的高集成化和微细化年年加速。
例如,现在,利用受激准分子曝光形成线宽45nm左右的图案,但是近年来,伴随着半导体器件的进一步微细化,要求形成线宽32nm以下的图案。以往的受激准分子曝光难以应对这样的微细加工。因此,研究了将曝光光替换为波长更短的EUV(Extreme UltraViolet:极紫外)光。
EUV光具有易于被任何物质吸收的特性。在使用EUV光作为曝光光的光刻(以下,也称为“EUV光刻”)中,使用反射光学系统进行曝光。具体而言,通过反映了曝光图案的光掩模(例如中间掩模等)而使EUV光反射,通过作为反射光的EUV光将抗蚀剂进行曝光。
在光刻工序中,如果异物附着于光掩模,则由于EUV光被异物吸收,EUV光发生散射,因此有时不会被曝光成所期望的图案。因此,在光掩模的EUV光照射面侧安装(即,装配)防护膜组件以保护光掩模。
上述防护膜组件的构成为包含用于保护光掩模的EUV光照射面的防护膜以及支撑该防护膜的防护膜组件框的构成。
安装于光掩模的防护膜组件有时承受由尘埃等引起的污染、由光引起的劣化等。在该情况下,有时需要进行防护膜组件的更换,因此,有时需要将安装于光掩模上的防护膜组件进行拆卸(即,卸下)。
作为从光掩模上拆卸防护膜组件的以往的方法,例如,已知专利文献1所记载的防护膜组件的拆卸方法。
专利文献1中公开了使配置于光掩模上的防护膜组件的至少防护膜与片密合,将上述防护膜组件从上述光掩模上拆卸的防护膜组件的拆卸方法。
专利文献1:日本特开2016-206527号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本公开的实施方式所要解决的课题在于提供光掩模的污染的抑制性优异的防护膜组件的拆卸方法。
用于解决课题的方案
用于解决上述课题的方案包括以下方式。
<1>一种防护膜组件的拆卸方法,其包括下述工序:
准备层叠体的工序,所述层叠体按下述顺序的配置具备光掩模、防护膜组件框以及防护膜;
准备电极的工序;以及
拆卸工序,通过将上述层叠体和上述电极以使上述层叠体中的上述防护膜与上述电极对置的方式进行配置,并且对于上述电极施加电压,从而产生静电引力,通过所产生的上述静电引力将上述防护膜向上述电极的方向吸引,从而从上述层叠体中的上述光掩模上拆卸上述防护膜。
<2>根据<1>所述的防护膜组件的拆卸方法,上述拆卸工序为在上述层叠体中的上述防护膜与上述电极之间配置薄膜,通过利用上述静电引力将上述防护膜向上述薄膜的表面吸引,从而拆卸上述防护膜。
<3>根据<1>或<2>所述的防护膜组件的拆卸方法,上述层叠体在上述光掩模与上述防护膜组件框之间,进一步具备掩模粘接层。
<4>根据<3>所述的防护膜组件的拆卸方法,
在将上述层叠体设为第1层叠体的情况下,
上述拆卸工序包括:
通过使上述防护膜组件框残留在上述第1层叠体中的上述光掩模侧的状态下,利用上述静电引力来拆卸上述防护膜,从而获得包含上述光掩模、上述掩模粘接层和上述防护膜组件框的第2层叠体;
对上述第2层叠体进行热处理;以及
从上述第2层叠体中的上述光掩模上拆卸上述防护膜组件框。
<5>根据<1>~<4>中任一项所述的防护膜组件的拆卸方法,在上述拆卸工序之前,进一步包括对上述层叠体进行热处理的工序。
<6>根据<1>~<5>中任一项所述的防护膜组件的拆卸方法,在上述防护膜组件框的外周面设置有凹部和切口中的至少一者。
<7>一种防护膜组件的拆卸装置,其为用于实施<1>~<6>中任一项所述的防护膜组件的拆卸方法中的上述拆卸工序的防护膜组件的拆卸装置,具备:
保持上述层叠体的保持构件;以及
上述电极。
<8>根据<7>所述的防护膜组件的拆卸装置,上述保持构件将上述层叠体以使上述光掩模成为上侧且上述防护膜成为下侧的朝向进行保持,并且具有使上述防护膜的自支撑部分露出的开口部。
<9>根据<8>所述的防护膜组件的拆卸装置,上述保持构件和上述电极以上述开口部与上述电极对置的方式配置,或者
上述保持构件和上述电极中的至少一者能够以上述开口部与上述电极成为对置的配置的方式进行移动。
<10>根据<9>所述的防护膜组件的拆卸装置,上述电极的面积比上述开口部的面积宽。
<11>根据<9>或<10>所述的防护膜组件的拆卸装置,其进一步具备使树脂薄膜在彼此对置的上述开口部与上述电极之间行进的薄膜运输单元。
<12>根据<7>~<11>中任一项所述的防护膜组件的拆卸装置,上述保持构件包含固定上述防护膜组件框的防护膜组件框固定构件。
发明的效果
根据本公开,可提供光掩模的污染的抑制性优异的防护膜组件的拆卸方法。
附图说明
图1为示意性示出在本公开的防护膜组件的拆卸方法中,在准备层叠体的工序中准备的层叠体的一例的概略截面图。
图2为示意性示出本公开中的防护膜组件的拆卸的一例的概略截面图。
图3为示意性示出本公开中的防护膜组件的拆卸的另一例的概略截面图。
图4为表示在防护膜和防护膜组件框上设置有以防护膜和防护膜组件框的厚度方向为深度方向的孔的方式的层叠体的一例的概略截面图。
图5A为表示包含在外周面设置有凹部的方式的防护膜组件框的层叠体的一例的概略截面图。
图5B为表示包含在外周面设置有切口的方式的防护膜组件框的层叠体的一例的概略截面图。
图6为示意性示出在本公开的防护膜组件的拆卸方法中,在准备层叠体的工序中准备的层叠体的另一例的概略截面图。
图7为示意性示出在本公开的防护膜组件的拆卸方法中,在准备层叠体的工序中准备的层叠体的又另一例的概略截面图。
图8为示意性示出在本公开的防护膜组件的拆卸方法中,在准备层叠体的工序中准备的层叠体的又另一例的概略截面图。
图9为概括性示出本公开的实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置的一例的概略截面图。
图10为概括性示出本公开的实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置的另一例的概略截面图。
图11为概括性示出本公开的实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置的又另一例的概略截面图。
具体实施方式
在本说明书中,使用“~”来表示的数值范围是指包含“~”的前后所记载的数值分别作为最小值和最大值下限值和上限值的范围。在本说明书中阶段性地记载的数值范围内,某一数值范围内记载的上限值或下限值可以置换为其它阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。此外,本说明书中记载的数值范围内,某一数值范围内记载的上限值或下限值也可以置换为实施例所示的值。
在本说明书中,优选的方式的组合为更优选的方式。
在本说明书中,“工序”这一词不仅包含独立的工序,即使在不能与其它工序明确地区别的情况下,只要达成该工序所期望的目的,也包含于本词中。
在本公开中,所谓EUV(Extreme Ultra Violet:极紫外)光,是指波长5nm~30nm的光。EUV光的波长优选为波长5nm~13.5nm。
在本公开中,有时将EUV光和波长比EUV光短的光统称为“EUV光等”。
在本说明书中,所谓“防护膜组件”,是指包含防护膜组件框以及在防护膜组件框的厚度方向的一端面被支撑的防护膜的构件。
在本说明书中,所谓“防护膜组件的拆卸方法”,是指从安装有防护膜组件的光掩模上,至少拆卸(即,卸下)防护膜的方法。
“防护膜组件的拆卸方法”的概念包括以下两者:
在使防护膜组件框残留在安装有防护膜组件的光掩模上的状态下,拆卸防护膜的方法;以及
从安装有防护膜组件的光掩模上拆卸防护膜和防护膜组件框这两者(即,防护膜组件整体)的方法。
此外,“防护膜组件的拆卸方法”的概念也包括:将仅防护膜或防护膜和防护膜组件框这两者、和其它要素(例如,粘接层等)进行拆卸的方法。
此外,“防护膜组件的拆卸方法”的概念也包括一边破坏防护膜组件一边从光掩模上卸下的方法。
〔防护膜组件的拆卸方法〕
本公开的防护膜组件的拆卸方法包括下述工序:
准备层叠体的工序,所述层叠体按下述顺序的配置具备光掩模、防护膜组件框以及防护膜;
准备电极的工序;以及
拆卸工序,通过将层叠体和电极以使层叠体中的防护膜与电极对置的方式进行配置,并且对于电极施加电压,从而产生静电引力,通过所产生的静电引力将防护膜向电极的方向吸引,从而从层叠体中的光掩模上拆卸防护膜。
本公开的防护膜组件的拆卸方法的光掩模的污染的抑制性优异。即,根据本公开的防护膜组件的拆卸方法,可抑制光掩模的污染。可实现这样的效果的理由推测如下。
防护膜是厚度极其薄的膜。例如,EUV光刻中使用的防护膜的厚度成为纳米级的值。因此,从光掩模上拆卸防护膜组件时,易于产生防护膜的破损,有时由于因防护膜的破损(包含破坏的概念。以下相同。)而产生的防护膜片附着于光掩模,导致光掩模被污染。特别是,防护膜的自支撑部分(即,位于由防护膜组件框的内周面形成的开口部上,且未被防护膜组件框所支撑的部分)易于破损。
关于这些问题,本公开的防护膜组件的拆卸方法中,防护膜从层叠体中的光掩模上的拆卸是如以下那样进行的,所述层叠体按下述顺序的配置具备光掩模、防护膜组件框和防护膜。
通过将层叠体和电极以使层叠体中的防护膜与电极对置的方式进行配置,并且对于电极施加电压,从而产生静电引力。通过利用该静电引力将防护膜向电极的方向吸引,从而从层叠体中的光掩模上拆卸防护膜。此时,即使防护膜破损也没有关系。在防护膜破损的情况下,因破损而产生的防护膜片被引向电极的方向。
这样,本公开的防护膜组件的拆卸方法中,即使在防护膜破损的情况下,通过使因防护膜的破损而产生的防护膜片引向电极的方向,因此可抑制防护膜片附着于光掩模(即,由防护膜片引起的光掩模的污染)。
本公开中,所谓“层叠体中的防护膜与电极对置”,是指在层叠体中的(非光掩模侧)防护膜侧配置有电极的状态。只要满足该条件,则也可以在防护膜与电极之间隔着其它物体(例如,后述的静电卡盘中的电极以外的构件(例如,树脂构件)、后述的薄膜等)。
以下,对于本公开的一例,适当地一边参照附图一边进行说明。
但是,本公开并不限于以下附图等的具体例。
对于各附图中共同的要素,附上同一符号,有时省略重复的说明。
此外,附图中,为了易于观察结构,有时省略隐藏线的一部分。
图1为示意性示出在本公开的防护膜组件的拆卸方法中,在准备层叠体的工序中准备的层叠体的一例的概略截面图。
如图1所示那样,该一例涉及的层叠体按下述顺序的配置具备光掩模105、防护膜组件框103以及防护膜102。
该一例涉及的层叠体例如可通过在光掩模105上,安装包含防护膜102和防护膜组件框103的防护膜组件101而得到。
防护膜组件框103在其厚度方向的一端面侧支撑防护膜102。换句话说,防护膜102中,俯视时与防护膜组件框103重叠的部分被防护膜组件框103所支撑。防护膜102中,俯视时,与由防护膜组件框103的内周面界定的开口部重叠的部分未被支撑,而成为自支撑部分(即,膜没有形成于基底上,而是以单独的膜存在的部分)。
图2为示意性示出本公开中的防护膜组件的拆卸的一例的概略截面图。
如图2所示那样,该一例涉及的防护膜组件的拆卸中,以使防护膜组件框103残留在图1所示的层叠体中的光掩模105上的状态下拆卸防护膜102。拆卸通过利用静电引力将防护膜102向与防护膜102对置配置的未图示的电极的方向(例如,图2中为上方)吸引来进行。
该一例中,被拆卸的防护膜102维持着膜的形状,但是防护膜102也可以在拆卸时被破坏。
图3为示意性示出本公开中的防护膜组件的拆卸的另一例的概略截面图。
如图3所示那样,该一例涉及的防护膜组件的拆卸中,从图1所示的层叠体中的光掩模105上拆卸防护膜102和防护膜组件框103这两者(即,防护膜组件101整体)。拆卸通过利用静电引力将防护膜组件101向与防护膜102对置配置的未图示的电极的方向吸引来进行。
在该一例中,被拆卸的防护膜组件101中的防护膜102也维持着膜的形状,但是防护膜102也可以在拆卸时被破坏。
以下,对于本公开的防护膜组件的拆卸方法可以包含的各工序,进行更详细地说明。
<准备层叠体的工序>
本公开的防护膜组件的拆卸方法包括准备层叠体的工序。
这里所谓的层叠体,是按下述顺序的配置具备光掩模、防护膜组件框以及防护膜的层叠体(例如,参照上述图1)。
准备层叠体的工序可以为制造上述层叠体的工序,也可以为仅仅准备预先制造的上述层叠体的工序。
(防护膜)
本工序中准备的层叠体具备防护膜。
作为防护膜,能够使用公知的防护膜。
作为防护膜所包含的材料,没有特别限制,可以为有机系材料,可以为无机系材料,也可以为有机系材料与无机系材料的混合材料。
作为有机系材料,可举出氟系聚合物等。
作为无机系材料,可举出晶体硅(例如,单晶硅、多晶硅等)、类金刚石碳(DLC)、石墨、无定形碳、石墨烯、碳化硅、氮化硅、氮化铝等。
防护膜可以以单独包含1种上述材料,也可以包含2种以上。
防护膜的构成可以为单层构成,也可以为由两层以上形成的构成。
防护膜的厚度(由两层以上形成的情况下为总厚度)优选为2nm~200nm,更优选为2nm~100nm,进一步优选为2nm~70nm,特别优选为2nm~50nm。防护膜的厚度的下限可以为5nm或10nm。
关于防护膜的构成,例如,能够适当参照日本特开2014-021217号公报、国际公开第2015/174412号等的公知的防护膜的构成。
(防护膜组件框)
本工序中准备的层叠体具备防护膜组件框。
作为防护膜组件框,能够使用作为具有框形状的构件的公知的防护膜组件框。
作为防护膜组件框的材质,能够应用防护膜组件框所使用的通常的材质。
作为防护膜组件框的材质,具体而言,可举出铝、铝合金(5000系、6000系、7000系等)、不锈钢、硅、硅合金、铁、铁系合金、碳钢、工具钢、陶瓷、金属-陶瓷复合材料、树脂等。其中,从轻量且刚性方面考虑,更优选铝或铝合金。
此外,防护膜组件框可以在其表面具有保护膜。
作为保护膜,优选为对于曝光气氛中存在的氢自由基和EUV光具有耐性的保护膜。
作为保护膜,可举出例如,氧化被膜。氧化被膜能够通过阳极氧化等公知的方法而形成。此外,氧化被膜可以通过黑色系染料进行着色。在防护膜组件框具有通过黑色系染料进行了着色的氧化被膜的情况下,防护膜组件框上的异物的检测变得更容易。
关于防护膜组件框的构成,例如,能够适当参照日本特开2014-021217号公报、日本特开2010-146027号公报等的公知的防护膜组件框的构成。
优选在防护膜组件框的外周面设置有凹部和切口中的至少一者。由此,在通过静电引力从光掩模拆卸防护膜之后,在拆卸防护膜组件框的阶段,更易于拆卸防护膜组件框。例如,通过在凹部或切口中插入或钩挂防护膜组件框操作用的握持器具,从而能够从光掩模容易地拆卸防护膜组件框。
防护膜组件框的外周面上的凹部或切口可以各自仅设置1个,也可以设置多个。在设置多个凹部的情况下,多个凹部的各自的形状可以相同也可以不同(对于切口也同样)。
图5A为表示包含外周面设置有凹部的方式的防护膜组件框的层叠体的一例的概略截面图。
如图5A所示那样,该一例涉及的层叠体具备光掩模505、以及包含防护膜组件框503和防护膜502的防护膜组件501。该层叠体中,依次配置有光掩模505、防护膜组件框503和防护膜502。
在防护膜组件框503的外周面设置有凹部509。凹部509将防护膜组件框的外周面作为起点,沿与防护膜502的面平行的方向延伸。
该一例中的层叠体中,例如,在通过静电引力从光掩模505上拆卸防护膜502之后,在拆卸防护膜组件框503的阶段,通过在凹部509中插入或钩挂防护膜组件框操作用的握持器具,从而能够从光掩模505容易地拆卸防护膜组件框503。
图5B为图5A所示的层叠体的变形例,为表示包含在外周面设置有切口的方式的防护膜组件框的层叠体的一例的概略截面图。
图5B所示的层叠体的结构中,除了凹部509变更为切口510以外,与图5A所示的层叠体的结构相同。
该一例中的层叠体中,例如,通过在切口510中插入或钩挂防护膜组件框操作用的握持器具,从而能够从光掩模505上容易地拆卸防护膜组件框503。
此外,可以在防护膜组件框中,设置从防护膜组件框的外周面贯通至内周面的贯通孔。该贯通孔例如,作为将层叠体的外部与层叠体的内部(即,由防护膜组件框的内周面、防护膜和光掩模包围的空间)进行通气的通气口起作用。
例如,在后述的拆卸工序中,对于电极施加电压以产生静电引力,并且通过设置于防护膜组件框的上述通气口,向层叠体的内部送入气体,从而使层叠体的内部为正压,使防护膜向外侧(即,电极的方向)膨胀而使防护膜破损,将因破损产生的防护膜片向电极侧吸引,从而能够拆卸防护膜。
此外,可以在防护膜组件框中,设置将防护膜组件框的厚度方向作为深度方向的孔(以下,也称为“防护膜组件框的厚度方向的孔”)。由此,在通过静电引力从光掩模上拆卸防护膜之后,在拆卸防护膜组件框的阶段,更易于拆卸防护膜组件框。例如,通过在防护膜组件框的厚度方向的孔插入或钩挂防护膜组件框操作用的握持器具,从而能够从光掩模容易地拆卸防护膜组件框。
此外,从拆卸上述防护膜组件框时的容易性的观点考虑,可以在层叠体中的防护膜和防护膜组件框中,设置将防护膜和防护膜组件框的厚度方向作为深度方向的孔。
图4为表示在防护膜和防护膜组件框中设置有将防护膜和防护膜组件框的厚度方向作为深度方向的孔的方式的层叠体的一例的概略截面图。
如图4所示那样,该一例涉及的层叠体具备光掩模405、以及包含防护膜组件框403和防护膜402的防护膜组件401。
层叠体中的防护膜402和防护膜组件框403中设置有将它们的厚度方向作为深度方向的孔409。
以上所说明的、在防护膜组件框的外周面所设置的凹部或切口、将防护膜组件框的厚度方向作为深度方向的孔以及将防护膜和防护膜组件框的厚度方向作为深度方向的孔(以下,将它们一并称为“空间”)各自可以为仅1个,也可以为多个。此外,这些空间的形状或大小可以根据各个空间而不同。
(防护膜粘接层)
本工序中准备的层叠体可以在防护膜与防护膜组件框之间,进一步具备防护膜粘接层。
这样的方式中的层叠体例如,能够通过将包含防护膜、防护膜粘接层和防护膜组件框的防护膜组件安装于光掩模来制作。
这里,所谓防护膜粘接层,是指介于防护膜与防护膜组件框之间,并用于将防护膜与防护膜组件框进行粘接的层。
防护膜粘接层能够包含公知的粘接剂。
作为防护膜粘接层可以包含的粘接剂,可举出例如,丙烯酸系树脂粘接剂、环氧树脂粘接剂、有机硅树脂粘接剂、含氟有机硅系粘接剂、含氟醚系粘接剂等。
(光掩模)
在本工序中准备的层叠体具备光掩模。
作为光掩模,只要具有照射光的光照射面,就没有特别限制。
作为光掩模,例如,能够使用包含支撑基板、层叠于该支撑基板上的反射层以及在反射层上形成的吸收体层的光掩模。
光掩模中,设置有反射层和吸收体层一侧的面成为光照射面。在对于光照射面照射EUV光等光的情况下,光照射面上的吸收体层吸收被照射的光的至少一部分,光的剩余部分被反射层反射。被反射的光照射于感应基板(例如,带有光致抗蚀剂膜的半导体基板)。由此,在感应基板上形成所期望的图像。
作为反射层,可适当举出钼(Mo)与硅(Si)的多层膜。
吸收体层优选为铬(Cr)、氮化钽等EUV光等的吸收性高的材料。
(掩模粘接层)
在本工序中准备的层叠体可以在光掩模与防护膜组件框之间进一步具备掩模粘接层。
这样的方式的层叠体例如,能够通过将按下述顺序的配置具备防护膜、防护膜组件框和掩模粘接层的防护膜组件以掩模粘接层与光掩模相接的朝向安装于光掩模来制作。
这里,所谓掩模粘接层,是指介于光掩模与防护膜组件框之间,并用于使光掩模与防护膜组件框进行粘接的层。
掩模粘接层能够包含公知的粘接剂。
作为掩模粘接层可以包含的粘接剂,可举出例如,双面胶粘带、有机硅树脂系粘接剂、丙烯酸系粘接剂、橡胶系粘接剂、乙烯基系粘接剂、环氧系粘接剂等。
在本工序中准备的层叠体可以具备上述掩模粘接层和上述防护膜粘接层这两者。
图6为示意性示出在本公开的防护膜组件的拆卸方法中,在准备层叠体的工序中准备的层叠体的另一例(即,与图1所示的一例不同的另一例)的概略截面图。
如图6所示那样,该一例涉及的层叠体按下述顺序的配置具备光掩模605、掩模粘接层607、防护膜组件框603、防护膜粘接层606以及防护膜602。
该一例中的层叠体例如,能够使用按下述顺序的配置具备掩模粘接层607、防护膜组件框603、防护膜粘接层606和防护膜602的防护膜组件601来制作。
图7为示意性示出在本公开的防护膜组件的拆卸方法中,在准备层叠体的工序中准备的层叠体的又另一例的概略截面图。
图7所示的一例涉及的层叠体在防护膜粘接层606与防护膜组件框603之间隔着防护膜支撑框608和支撑框粘接层609(这里,防护膜支撑框608与防护膜粘接层606相接,支撑框粘接层609与防护膜组件框603相接),除此以外,与图6所示的一例涉及的层叠体的构成相同。
该一例中的层叠体例如,能够使用按下述顺序的配置具备掩模粘接层607、防护膜组件框603、支撑框粘接层609、防护膜支撑框608、防护膜粘接层606和防护膜602的防护膜组件611来制作。
图8为示意性示出在本公开的防护膜组件的拆卸方法中,在准备层叠体的工序中准备的层叠体的又另一例的概略截面图。
图8所示的一例涉及的层叠体的构成中,除了不存在防护膜粘接层606以外,与图7所示的一例涉及的层叠体的构成相同。
该一例中的层叠体例如,能够使用按下述顺序的配置具备掩模粘接层607、防护膜组件框603、支撑框粘接层609、防护膜支撑框608和防护膜602的防护膜组件612来制作。
如以上的图6~图8所示那样,本公开中的防护膜组件的范围中,
不仅包含:防护膜在防护膜组件框的厚度方向的一端面侧被直接(即,没有经由其它要素)支撑的方式(参照图1),
而且还包含:防护膜在防护膜组件框的厚度方向的一端面侧,经由其它要素(例如,防护膜粘接层、防护膜支撑框、支撑框粘接层等)而被支撑的方式(图6~图8)。
<准备电极的工序>
本公开的防护膜组件的拆卸方法包括准备电极的工序。
电极为在后述拆卸工序中,用于拆卸防护膜的构件。
准备电极的工序可以为制造电极的工序,也可以为仅仅准备预先制造的电极的工序。
对于电极的大小、形状、数目,没有特别限定,能够适当设定。
作为电极的大小,从防护膜的回收性的观点考虑,优选比防护膜的自支撑部分(例如,图6中的区域A)大。
准备电极的工序也可以为准备包含电极的构件(例如,静电卡盘)的工序。
在该情况下,在后述拆卸工序中,对于包含电极的构件中的电极施加电压,利用产生的静电引力来进行防护膜的拆卸。
作为包含电极的构件中的电极以外的部分的材质,没有特别限制,可举出例如,具有绝缘性的玻璃、陶瓷、树脂等。
此外,作为包含电极的构件中的电极的结构,没有特别限制,可以为单极型,也可以为双曲型。
作为包含电极的构件的一例即静电卡盘,可以为库仑力型的静电卡盘,也可以为约翰逊-拉别克力型(J-R型)的静电卡盘。
这里,库仑力型的静电卡盘为配置于电极与使静电引力起作用的对象物之间的材料为绝缘体的方式的静电卡盘,J-R型的静电卡盘为配置于电极与使静电引力起作用的对象物之间的材料为导电性陶瓷化合物的方式的静电卡盘。
作为库仑力型的静电卡盘,没有特别限制,可举出例如;
日本特开昭53-77489号公报所示的、在金属板上利用粘接剂粘贴有绝缘性高分子材料的聚酰亚胺片的库仑力型静电卡盘;
日本特开昭63-95644号公报、日本特开平4-206545号公报和日本特开平5-36819号公报所示那样的在2张绝缘性陶瓷板间设置有电极的库仑力型静电卡盘;
如日本特开昭59-152636号公报所示那样通过喷镀法用绝缘性陶瓷被覆绝缘性陶瓷板上的电极的库仑力型静电卡盘等。
J-R型的静电卡盘中,配置于电极与对象物之间的导电性陶瓷的体积电阻率为重要的要素。
作为J-R型的静电卡盘,没有特别限制,可举出例如;
日本特开2000-143349号公报所记载的、使用了由氮化铝、TiN、Ce形成的导电性陶瓷的J-R型静电卡盘;
日本特开2006-049356号公报所记载的、使用了由氧化铝氧化钛形成的导电性陶瓷的J-R型静电卡盘;
日本特开2008-087988号公报所记载的、使用了在由氧化铝、氧化锆、氮化硅、氮化铝形成的绝缘体陶瓷中,分散有碳化钛、氮化钛、碳化钨、碳化钽、碳化钼、碳化铌、碳化钒中的任一种以上的导电性陶瓷的J-R型静电卡盘等。
这些之中,作为静电卡盘,从光掩模的污染的抑制性的观点考虑,优选为库仑力型静电卡盘。
<拆卸工序>
本公开的防护膜组件的拆卸方法包括从上述层叠体中的光掩模上拆卸防护膜的拆卸工序。
本工序中的拆卸如下进行:通过将上述层叠体和上述电极以使层叠体中的防护膜与电极对置的方式进行配置,并且对于电极施加电压,从而产生静电引力,通过所产生的静电引力将防护膜向电极的方向吸引。由此,回收防护膜。
该过程中防护膜可以被破坏。在防护膜被破坏的情况下,防护膜片被引向电极的方向,并被回收。
从防护膜的回收性的观点考虑,通过对于电极施加电压而产生的静电引力优选为9.8mN/cm2(即1gf/cm2)以上,更优选为49mN/cm2(即5gf/cm2)以上。
如上述那样,在本工序中利用静电引力进行防护膜的拆卸时,在防护膜与电极之间可以隔着其它物体(例如,上述静电卡盘中的电极以外的构件(例如,树脂构件)、后述的薄膜等),也可以不隔着其它物体。
在没有隔着其它物体的情况下,被引向电极的方向的防护膜(包括为防护膜片的情况。以下相同。)吸附于电极的表面而被回收。
在隔着其它物体的情况下,被引向电极的方向的防护膜吸附于隔在中间的其它物体的表面而被回收。
在任一情况下,防护膜都向着远离光掩模的方向移动,因此可抑制防护膜吸附于光掩模(即,污染)。
(薄膜)
在拆卸工序中,优选在层叠体中的防护膜与电极之间配置薄膜,通过上述静电引力将防护膜向薄膜的表面吸引,从而拆卸防护膜。由此,防护膜的回收变得更容易。
作为薄膜,没有特别限制。
本公开中的“薄膜”的概念不仅包含一般被称为“薄膜”的物品,而且还包含被称为“片”的物品和被称为“纸”的物品。
作为薄膜的厚度,没有特别限定,从耐久性方面考虑,优选为5μm~200μm,更优选为5μm~100μm。
作为薄膜的材质,可举出例如,选自由树脂、橡胶、纸、金属玻璃和陶瓷所组成的组中的至少1种。
作为包含树脂作为主成分的薄膜(以下,也称为“树脂薄膜”)中的树脂,可适当举出聚乙烯、聚丙烯(PP)、聚酯(例如,聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)等)等。
树脂薄膜可以仅包含1种上述材质,也可以包含2种以上。
这里,所谓包含树脂作为主成分的薄膜,是指树脂相对于薄膜整体的含量为50质量%以上的薄膜。
在薄膜的一面或两面上可以形成粘着层。
即,在拆卸工序中,可以使带有粘着层的薄膜以防护膜与粘着层对置的方式介于层叠体中的防护膜与电极之间,在该状态下,通过上述静电引力将防护膜向带有粘着层的薄膜的粘着层的表面吸引,使其吸附于该表面,从而进行拆卸。根据该方式,防护膜的回收变得更容易。
作为带有粘着剂的薄膜,优选为带有粘着层的树脂薄膜。
带有粘着层的薄膜(优选为带有粘着层的树脂薄膜。以下相同。)中的粘着层优选包含粘着剂。对于优选的粘着剂,在后文叙述。
带有粘着层的薄膜中的粘着层的厚度没有特别限制,从防护膜的回收的观点考虑,优选为50μm~200μm左右的范围。
作为带有粘着层的薄膜的制作方法,没有特别限制,能够使用公知的制作方法。
作为带有粘着层的薄膜的制作方法,可举出例如:
在薄膜的至少一面涂布用于形成粘着层的粘着剂溶液等并干燥的方法;
在剥离衬垫上,涂布用于形成粘着层的粘着剂溶液以形成粘着层之后,将该粘着层转印至薄膜的方法等。
作为上述剥离衬垫,只要能够容易地进行从粘着层的剥离,就没有特别限制,例如,能够使用利用氟化合物等对表面实施了脱模处理的树脂薄膜(例如PET等聚酯薄膜)等。
(拆卸工序中的热处理)
在层叠体在光掩模与防护膜组件框之间进一步具备掩模粘接层的情况下,将该层叠体(即,按下述顺序的配置具备光掩模、掩模粘接层、防护膜组件框以及防护膜的层叠体)设为第1层叠体时,
拆卸工序可以包括:
在使防护膜组件框残留在形成有粘着层的第1层叠体中的光掩模侧的状态下,通过上述静电引力拆卸防护膜,获得包含光掩模、掩模粘接层和防护膜组件框的第2层叠体;
对第2层叠体进行热处理;以及
从第2层叠体中的光掩模上拆卸防护膜组件框。
根据该方式,能够通过对第2层叠体进行热处理而降低掩模粘接层的粘接力,由此能够更容易地进行防护膜组件框的拆卸。
上述热处理时,可以对第2层叠体整体进行热处理,也可以对第2层叠体的一部分(例如包含掩模粘接层的部分)进行热处理。
用于热处理的装置没有特别限制,能够使用加热器、电热板、烘箱等。
作为热处理的温度,可举出例如50℃~140℃。
作为热处理的时间,可举出例如10秒~300秒。
<对层叠体进行热处理的工序>
本公开的防护膜组件的拆卸方法可以在拆卸工序之前,进一步包括对层叠体(即,包含光掩模、防护膜组件框和防护膜的层叠体)进行热处理的工序。
在层叠体包含防护膜粘接层和掩模粘接层中的至少一者的情况下,包含对层叠体进行热处理的工序的方式特别有效。在该情况下,通过对层叠体进行热处理,从而能够降低由防护膜粘接层和掩模粘接层中的至少一者带来的粘接力,由此能够抑制防护膜的破损的同时,更容易进行拆卸。
上述热处理时,可以对层叠体整体进行热处理,也可以对层叠体的一部分(例如,包含防护膜粘接层和掩模粘接层中的至少一者的部分)进行热处理。
用于热处理的装置没有特别限制,能够使用加热器、电热板、烘箱等。
作为热处理的温度,可举出例如50℃~140℃。
作为热处理的时间,可举出例如10秒~300秒。
<形成粘着层的工序>
形成粘着层的工序为在上述层叠体中的防护膜上形成粘着层的工序。
从进一步降低粘着层的形成时对于防护膜施加的载荷的观点考虑,形成粘着层的工序优选为通过喷射涂布法、旋转涂布法、喷墨法、丝网印刷法或浸渍涂布法以形成粘着层的工序,
更优选为通过喷射涂布法或旋转涂布法以形成粘着层的工序,
特别优选为通过喷射涂布法以形成粘着层的工序。
利用喷射涂布法的粘着层的形成能够使用公知的喷射涂布装置来进行。
作为喷射涂布装置,可举出例如,喷枪、超声波喷射涂布装置、二流体喷射涂布装置、一流体喷射涂布装置等。
粘着层优选包含至少1种粘着剂。
从光掩模的污染的抑制性的观点考虑,粘着层优选包含:
选自由有机硅系粘着剂、丙烯酸系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、聚酰胺系粘着剂、聚酯系粘着剂、乙烯乙酸乙烯酯共聚物、烯烃系粘着剂、聚丁二烯系粘着剂、橡胶系粘着剂和苯乙烯系粘着剂所组成的组中的至少1种粘着剂,
更优选包含选自由丙烯酸系粘着剂、聚丁二烯系粘着剂、橡胶系粘着剂和苯乙烯系粘着剂所组成的组中的至少1种粘着剂,
进一步优选包含选自由丙烯酸系粘着剂、聚丁二烯系粘着剂和橡胶系粘着剂所组成的组中的至少1种粘着剂。
粘着剂可以单独使用1种,也可以并用2种以上。
有机硅系粘着剂优选为将有机硅树脂作为主成分的粘着剂。作为有机硅系粘着剂,没有特别限制,可举出加成反应型有机硅系粘着剂、过氧化物固化型有机硅系粘着剂、缩合型有机硅系粘着剂等。
这些之中,从利用粘着剂保持防护膜的观点考虑,优选为保持力大的加成固化型有机硅系粘着剂。
本公开中,所谓粘着剂的主成分,是指相对于粘着剂的总质量,占据50质量%以上的成分。
丙烯酸系粘着剂优选为将丙烯酸系树脂作为主成分的粘着剂。作为丙烯酸系粘着剂所包含的丙烯酸系树脂,没有特别限制,可举出例如,烷基(甲基)丙烯酸酯系粘着剂、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯等。
此外,丙烯酸系粘着剂可以为将丙烯酸系橡胶树脂作为主成分的粘着剂。作为丙烯酸系橡胶树脂,可举出例如,甲基丙烯酸甲酯与丙烯酸丁酯的嵌段共聚物。
氨基甲酸酯系粘着剂优选为将聚氨基甲酸酯树脂作为主成分的粘着剂。作为氨基甲酸酯系粘着剂所包含的聚氨酯,没有特别限制,可举出例如,聚酯聚氨酯、聚碳酸酯聚氨酯等。
聚酰胺系粘着剂优选为将聚酰胺树脂作为主成分的粘着剂。作为聚酰胺系粘着剂所包含的聚酰胺树脂,没有特别限制,可举出例如,将十一烷内酰胺进行了开环缩聚的聚酰胺(酰胺11)、将月桂基内酰胺进行了开环缩聚的聚酰胺(酰胺12)等。
作为聚酯系粘着剂,优选为将聚酯树脂作为主成分的粘着剂。作为聚酯树脂,没有特别限制,可举出多元羧酸与多元醇的缩聚体。
作为上述聚酯的具体例,可举出例如,聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等。
烯烃系粘着剂优选为将烯烃树脂作为主成分的粘着剂。作为上述烯烃,没有特别限制,可以为将烯烃均聚而成的聚合物、或将烯烃与其它单体聚合而成的共聚物。作为烯烃,优选碳原子数为2~6的烯烃,可举出例如,乙烯、丙烯、丁烯、甲基戊烯、己烯。作为共聚物所使用的其它单体,可举出例如,乙酸乙烯酯。
橡胶系粘着剂优选为包含橡胶作为主成分的粘着剂,例如,可适当举出天然橡胶系粘着剂和合成橡胶系粘着剂。作为合成橡胶系粘着剂,可举出例如,苯乙烯-丁二烯共聚物(SBR、SBS)、苯乙烯-异戊二烯共聚物(SIS)、丙烯腈-丁二烯共聚物(NBR)、氯丁二烯聚合物、异丁烯-异戊二烯共聚物(丁基橡胶)等。
这些之中,作为橡胶系粘着剂,从易于形成粘着层,并且易于保持防护膜的观点考虑,优选为合成橡胶系粘着剂,更优选为将苯乙烯-丁二烯共聚物作为主成分的粘着剂。
聚丁二烯系粘着剂为上述橡胶系粘着剂以外的粘着剂,优选为将聚丁二烯作为主成分的粘着剂。作为聚丁二烯,只要包含由丁二烯形成的结构单元,则没有特别限制,可以为均聚物,也可以为与丁二烯以外的单体的共聚物。
苯乙烯系粘着剂为上述橡胶系粘着剂以外的粘着剂,为将聚苯乙烯树脂作为主成分的粘着剂。作为聚苯乙烯树脂,没有特别限制,可举出苯乙烯系单体(例如,苯乙烯、甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、异丙基苯乙烯、二甲基苯乙烯、对甲基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯、乙烯基甲苯、乙烯基二甲苯)的均聚物、以及苯乙烯系单体和能够与苯乙烯系单体共聚的单体的共聚物。
作为能够与苯乙烯系单体共聚的单体,可举出例如,乙烯基单体(例如,丙烯腈、甲基丙烯腈、丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、马来酸酐、丁二烯)。
从光掩模的污染的抑制性的观点考虑,作为粘着剂的玻璃化转变温度,优选为-60℃~-20℃,更优选为-60℃~-40℃。
从光掩模的污染的抑制性的观点考虑,作为粘着剂的基础聚合物的重均分子量,优选为10,000~1,500,000,更优选为50,000~1,000,000。此外,可以混合重均分子量不同的基础聚合物。
在防护膜上赋予粘着剂以形成粘着层时的粘着剂的赋予量(例如,通过喷射涂布法涂布粘着剂时的涂布量)以干燥后的赋予量计,优选为1g/m2~500mg/m2,更优选为5mg/m2~200g/m2。
粘着层可以通过在防护膜上赋予包含粘着剂和溶剂的粘着剂溶液来形成。
作为粘着剂溶液中的溶剂,能够使用公知的溶剂。
作为粘着剂溶液中的溶剂,可举出例如,丙酮、甲基乙基酮(2-丁酮)、环己烷、乙酸乙酯、二氯化乙烯、四氢呋喃、甲苯、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇二甲基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、乙酰丙酮、环己酮、双丙酮醇、乙二醇单甲基醚乙酸酯、乙二醇乙基醚乙酸酯、乙二醇单异丙基醚、乙二醇单丁基醚乙酸酯、1-甲氧基-2-丙醇、3-甲氧基-1-丙醇、甲氧基甲氧基乙醇、二甘醇单甲基醚、二甘醇单乙基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇二乙基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单乙基醚乙酸酯、3-甲氧基丙基乙酸酯、N,N-二甲基甲酰胺、二甲亚砜、γ-丁内酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等。
粘着剂溶液中的溶剂可以仅1种,也可以为2种以上。
粘着剂溶液中的固体成分浓度(即,粘着剂相对于粘着剂溶液总量的含量)优选为1质量%~50质量%左右。
作为粘着剂溶液的粘度(25℃),从进一步提高防护膜与粘着剂的密合性的观点考虑,优选为1mPa·s~1,000mPa·s,更优选为100mPa·s~800mPa·s。
粘着剂溶液的粘度能够通过上述溶剂的种类和/或量来适当调整。
作为粘着层的厚度,更优选为1μm以上1mm以下,进一步优选为50μm以上1mm以下。
上述粘着层的厚度能够通过公知的方法来调整。
例如,在通过喷射涂布法以形成粘着层的情况下,通过调整从喷射涂布装置(例如喷枪)喷射的粘着剂溶液的喷射量,从而能够调整粘着层的厚度。
粘着层的厚度可通过将层叠体沿垂直方向切断,利用扫描型电子显微镜确认其截面来求出。
粘着层可以具有格子结构的槽。粘着层通过具有格子结构的槽,例如,能够在使后述的保护薄膜层叠于粘着层上的情况下,使防护膜与保护薄膜进行贴合时,进入防护膜与保护薄膜之间的气体易于从格子结构排出至外部,能够防止防护膜的破裂。
用于实施形成粘着层的工序的装置(例如,后述的防护膜组件的拆卸装置)可以具备用于防止排出至防护膜的自支撑部分上的粘着剂附着于防护膜的自支撑部分以外的部分和防护膜以外的部分的罩。
<粘着保护薄膜的工序>
包含形成上述粘着层的工序的方式的防护膜组件的拆卸方法可以在形成粘着层的工序之后且拆卸工序之前,进一步包括:在形成有粘着层的层叠体中的粘着层上粘着保护薄膜的工序。
作为保护薄膜,没有特别限制,可适当举出聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚碳酸酯(PC)薄膜等。
作为保护薄膜的厚度,没有特别限制,从具有适度的强度的观点考虑,优选为50μm以上500μm以下,更优选为100μm以上200μm以下。
保护薄膜可以以与上述粘着层一起共挤出的2层薄膜的形式层叠于防护膜。
本公开的防护膜组件的拆卸方法可以根据需要包括上述工序以外的其它工序。
以下,显示作为本公开的防护膜组件的拆卸方法的具体实施方式的实施方式1。但是,本公开的防护膜组件的拆卸方法并不限于以下实施方式。
<实施方式1>
对于实施方式1,一边参照图6一边进行说明。
关于图6,如上所述。
实施方式1中,将具有与图6所示的层叠体同样的构成的层叠体以及作为包含电极的构件的静电卡盘(未图示)沿层叠体中的防护膜602与静电卡盘中的电极对置的朝向进行配置。此时,层叠体按照与图6所示的姿态上下相反的方向(即,防护膜602成为下侧且光掩模605成为上侧的朝向)进行配置。在层叠体中的防护膜602的下方,将静电卡盘以电极朝上的方式进行配置。
接下来,在层叠体中的防护膜602与静电卡盘中的电极之间,以使防护膜602与粘着层(未图示)隔着预定的间隔而对置的方式配置带有粘着层的树脂薄膜(未图示)。
通过在该状态下对于静电卡盘中的电极施加电压,从而产生静电引力,通过利用产生的静电引力将防护膜602向电极的方向(即,下方)吸引,从而从层叠体中的光掩模605上拆卸防护膜602。
被拆卸后的防护膜602吸附于带有粘着层的树脂薄膜中的粘着层而被回收。此时,防护膜602破损,因破损产生的防护膜片可以吸附于上述粘着层而被回收。在上述拆卸时,可以通过从防护膜组件框603的外周面贯通至内周面的贯通孔(即通气口;未图示),向层叠体的内部送入空气,从而使层叠体的内部为正压,使防护膜602向外侧(即,电极的方向)膨胀而使防护膜破损。
防护膜602的拆卸后,将残留的第2层叠体(即,包含光掩模605、掩模粘接层607、防护膜组件框603以及防护膜粘接层606的层叠体)沿光掩模605与电热板接触的朝向载置于电热板上,进行加热以使掩模粘接层的温度成为约50℃,使掩模粘接层607的粘接力降低。
接下来,通过在第2层叠体中的防护膜组件框603的外周面设置的凹部和/或切口(未图示)中插入或钩挂防护膜组件框操作用的握持器具,从而将掩模粘接层607、防护膜组件框603和防护膜粘接层606从光掩模605上进行拆卸。
〔防护膜组件的拆卸装置〕
接下来,对于适合实施上述本公开的防护膜组件的拆卸方法的防护膜组件的拆卸装置的实施方式进行说明。
本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置为用于实施本公开的防护膜组件的拆卸方法中的上述拆卸工序的防护膜组件的拆卸装置,其具备:
保持在本公开的防护膜组件的拆卸方法中说明的层叠体的保持构件;以及
在本公开的防护膜组件的拆卸方法中说明的电极。
通过本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置,能够实施上述本公开的防护膜组件的拆卸方法。
因此,根据本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置,与上述本公开的防护膜组件的拆卸方法同样地,可实现能够抑制因防护膜片引起的光掩模的污染这样的效果。
本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置中的保持构件为保持在本公开的防护膜组件的拆卸方法中说明的层叠体(即,按下述顺序的配置具备光掩模、防护膜组件框和防护膜的层叠体)的构件。
本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置中的电极为在本公开的防护膜组件的拆卸方法中说明的电极(即,通过施加电压而产生静电引力,通过利用产生的静电引力以吸引防护膜,从而用于从层叠体中的光掩模上拆卸防护膜的电力)。
本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置如上所述,可以具备静电卡盘作为包含电极的构件。在该情况下,能够使用静电卡盘中的电极以进行防护膜的拆卸。
本实施方式中的保持构件优选将层叠体以光掩模成为上侧而防护膜成为下侧的朝向进行保持,并且具有使防护膜的至少自支撑部分露出的开口部。
根据该方式,被拆卸后的防护膜和/或防护膜片通过开口部向下方(即,重力方向)掉落,由此可更有效地抑制因防护膜片的附着引起的光掩模的污染。
这里,使防护膜的至少自支撑部分露出的开口部的概念包括:
开口部配置于与防护膜相比靠下侧的方式;以及
开口部配置于与防护膜相比靠上侧的方式(即,防护膜从开口部向下侧露出的方式)(例如参照图9和图10)。
该方式中的保持构件保持层叠体时,从抑制在向保持构件安装时等的无意的防护膜损伤的观点考虑,保持构件优选通过支撑层叠体中的防护膜组件框和光掩模中的至少一者,来保持层叠体(例如参照图9和图10)。
在保持构件具有上述开口部的情形中,保持构件和电极优选为:
(1)以使保持构件的开口部与电极对置的方式来配置,或者
(2)保持构件和电极的至少一者能够以使保持构件的开口部与电极成为对置的配置的方式进行移动。
在这些方式中,在拆卸时,能够使静电引力对防护膜更有效地起作用,因此更易于进行利用静电引力的防护膜的拆卸。
(1)的方式是指保持构件的开口部与电极总是对置。(1)的方式中,并不限于保持构件与电极被固定配置的情况,也包含保持构件和电极中的至少一者能够以使保持构件与电极的距离发生变化的方式进行移动的方式。
(2)的方式是指通过保持构件和电极中的至少一者能够移动,从而能够采取保持构件的开口部与电极对置的配置以及保持构件的开口部与电极没有对置的配置这两者的方式。
(2)的方式中,例如,也包含如下的方式:使用能够在保持层叠体的状态下搬运的搬运构件作为保持构件,作为保持构件的搬运构件能够以相对于电极,可采取上述对置的配置和上述没有对置的配置这两者的方式移动。
上述(1)的方式或上述(2)的方式中,电极的面积优选比开口部的面积宽。由此,能够使防护膜的自支撑部分的整体引向电极的方向并拆卸,由此可更有效地抑制光掩模的污染。
在这样的优选方式的情况下,例如,在防护膜组件包含6英寸×6英寸的正方形的自支撑部分的情况下,开口部的尺寸成为6英寸以上×6英寸以上的长方形(包括正方形)。
在上述(1)的方式或上述(2)的方式中,防护膜组件的拆卸装置优选进一步具备使树脂薄膜在彼此对置的开口部与电极之间(即,在上述(2)的方式中,开口部与电极彼此对置时的开口部与电极之间)行进的薄膜运输单元。
该方式中,通过拆卸使防护膜和/或防护膜片从开口部落下至树脂薄膜上,通过树脂薄膜的行进从而能够回收上述防护膜和/或上述防护膜片。因此,能够在抑制光掩模的污染的同时,更高效率地进行防护膜的拆卸。
作为薄膜运输单元中的树脂薄膜的运输方式,能够应用:
能够连续地运输薄膜的双辊方式;以及
将薄膜不连续地1张1张运输的单张方式等。
其中,从拆卸的效率的观点考虑,优选为双辊方式。
防护膜组件的拆卸装置中的保持构件优选包含固定防护膜组件框的防护膜组件框固定构件。
根据该方式,能够抑制防护膜拆卸时的防护膜组件框的位置偏移。
本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置可以根据需要具备上述构件以外的其它构件。
以下,显示出本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置的3个具体例,但是本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置并不限定于以下三例。
图9为概括性示出本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置的一例的概略截面图。
如图9所示那样,该一例涉及的防护膜组件的拆卸装置800具备:保持层叠体的保持构件820以及相对于保持构件820配置于下方的电极810,所述层叠体按下述顺序的配置具备光掩模805、防护膜组件框803和防护膜802。
保持构件820包含具有开口部OP1的箱形形状的壳体822,进一步,包含作为防护膜组件框固定构件的防护膜组件框固定针824。保持构件820通过这些要素,将层叠体按照光掩模805成为上侧且防护膜802成为下侧的朝向进行保持,同时使防护膜组件膜802从开口部OP1露出。光掩模805的没有安装防护膜组件的主面和侧面被壳体822所包围。
保持构件820通过利用防护膜组件框固定针824以固定层叠体中的防护膜组件框803,从而保持层叠体。防护膜组件框固定针824的一端与壳体822的内表面连接。防护膜组件框固定针824的另一端固定防护膜组件框803。固定方法没有特别限定,可举出例如,对于在防护膜组件框803的外周面设置的凹部或切口(未图示)中,插入或钩挂防护膜组件框固定针824的另一端的方法。
保持构件820能够沿水平方向H1进行移动。
由此,防护膜组件的拆卸装置800中,能够采取保持构件的开口部OP1与电极810对置的配置以及保持构件的开口部OP1与电极810没有对置的配置这两者。
保持构件820也能够沿垂直方向V1(即,重力方向G和其相反方向)进行移动。
电极810也能够沿垂直方向V2(即,重力方向G和其相反方向)进行移动。
根据这些构成,通过在拆卸时调整电极810与防护膜802的距离(即间隔),从而能够调整作用于防护膜802的静电引力。
电极810连接于用于对该电极810施加电压的电源(未图示)。
如上述那样,也能够代替该一例中的电极810,而使用作为包含电极的构件的静电卡盘。
电极810的面积比保持构件820(详细地说为壳体822)中的开口部OP1的面积宽。由此,能够将防护膜802的自支撑部分的整体引向电极810的方向而进行拆卸,由此可更有效地抑制光掩模的污染。
接下来,对于拆卸装置800的动作(即,防护膜组件的拆卸)的一例进行说明。
首先,如上述那样使层叠体保持于保持构件820。该操作可以以保持构件的开口部OP1与电极810没有对置的配置来进行。
接下来,使保持构件820沿水平方向H1移动,调整为保持构件的开口部OP1与电极810对置的配置。
在该状态下,从未图示的电源向电极810供给电压,产生静电引力。此时,调整电极810与防护膜802的间隔,调整产生的静电引力。
通过静电引力将防护膜802向电极810的方向吸引。此时,也可以通过静电引力来破坏防护膜802。防护膜802或因防护膜802的破坏而产生的防护膜片被吸引至电极810。由此,防护膜802或防护膜片向着远离光掩模805的方向被拆卸,因此可抑制防护膜吸附于光掩模(即,污染)。
该一例中,由于在防护膜802的下侧配置有电极,因此防护膜802或防护膜片还通过重力而被吸引至电极810。因此,可进一步抑制光掩模的污染。
此外,该一例中,由于防护膜组件框803通过防护膜组件框固定针824被固定,因此可抑制防护膜802的拆卸时的防护膜组件框803的位置偏移。
如以上那样操作,从层叠体中的光掩模805上拆卸防护膜802。然后,根据需要,通过常规方法从光掩模805上拆卸防护膜组件框803。
图10为概括性示出本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置的另一例的概略截面图。
关于图10所示的防护膜组件的拆卸装置840的结构,除了保持层叠体的保持构件的结构不同以外,与图8中的防护膜组件的拆卸装置800的结构相同。
因此,根据防护膜组件的拆卸装置840,可实现与防护膜组件的拆卸装置800同样的效果。
防护膜组件的拆卸装置840中的保持构件830包含壳体832,且不含防护膜组件框固定针。
壳体832是具有开口部OP2的箱形形状,这一点与壳体833(图8)相同,但是存在界定开口部OP2的凸部833,这一点与壳体833(图8)不同。
防护膜组件的拆卸装置840中的保持构件830通过利用凸部833支撑光掩模805,从而保持层叠体。
即使在防护膜组件的拆卸装置840中,电极810的面积也比保持构件830(详细地说壳体832)中的开口部OP2的面积宽。
图11为概括性示出本实施方式涉及的防护膜组件的拆卸装置的另一例的概略截面图。
图11所示的防护膜组件的拆卸装置860的结构除了以下方面以外,与图8中的防护膜组件的拆卸装置840的结构相同。
因此,根据防护膜组件的拆卸装置860,可实现与防护膜组件的拆卸装置800和840同样的效果。
图11所示的防护膜组件的拆卸装置860在彼此对置的开口部OP2与电极810之间进一步具备用于使树脂薄膜F1行进的薄膜运输单元(具体而言,用于利用双辊运输方式运输薄膜的、薄膜送出装置R1和薄膜卷绕装置R2)。由此,从光掩模上拆卸的防护膜被回收至树脂薄膜F1上。因此,能够抑制光掩模的污染的同时,更高效率地进行防护膜的拆卸。
在树脂薄膜F1的与开口部OP2对置的一侧可以形成粘着层。由此,变得更易于回收防护膜。
防护膜组件的拆卸装置860相对于保持构件830和电极810,在树脂薄膜运输方向的上游侧具备分隔构件850。
分隔构件850具有用于使树脂薄膜通过的开口部。
防护膜组件的拆卸装置860相对于保持构件830和电极810,在树脂薄膜运输方向的下游侧具备分隔构件851。
分隔构件851也具有用于使树脂薄膜通过的开口部。
防护膜组件的拆卸装置860中,作为分隔构件850和851之间的区域,界定为拆卸区域。
通过在该拆卸区域内进行防护膜的拆卸,从而能够抑制防护膜向拆卸区域外的飞散。
进一步,通过使拆卸区域内的气压低于拆卸区域外的气压,从而能够进一步抑制防护膜向拆卸区域外的飞散。
实施例
以下,通过实施例,具体地说明本发明,但是本公开并不限定于这些实施例。
〔实施例1〕
通过实施以下各工序,从而进行防护膜组件的拆卸。以下,显示详细情况。
<准备层叠体的工序>
准备防护膜组件,所述防护膜组件包含:
SiN膜防护膜;
在一端面侧支撑SiN膜防护膜的防护膜组件框;
介于SiN膜防护膜与防护膜组件框之间的防护膜粘接层;以及
在防护膜组件框的、与支撑SiN膜防护膜的端面相反侧的端面设置的掩模粘接层。
在防护膜组件框的外周面设置有作为凹部的操作孔。该操作孔作为使用杠杆进行拆卸时的作用点起作用。
在防护膜组件框还设置有从外周面贯通至内周面的通气用贯通孔。
将上述防护膜组件按照光掩模的遮光膜层侧与防护膜组件中的掩模粘接层相接的朝向,以98N的载荷向包含遮光膜层的光掩模的遮光膜层侧按压30秒。由此,在光掩模上安装防护膜组件,获得了层叠体。
<准备电极的工序>
作为包含电极的构件,准备静电卡盘(详细地说,日本特殊陶业(株)制的8英寸静电卡盘)。
<拆卸工序>
在Z轴驱动的悬垂型的精密平台(以下,也称为“悬垂型Z驱动平台”。)上以使防护膜朝下的方式悬垂固定上述层叠体。
在悬垂固定的层叠体的下方配置有上述静电卡盘。即,将层叠体和静电卡盘以使层叠体中的防护膜与静电卡盘中的电极对置的方式进行配置。此时,使防护膜的面与电极的面成为平行,将两者的距离调整为50mm。
接下来,在静电卡盘上配置树脂薄膜(详细地说,东丽(株)制的PET薄膜,商品名;Lumirror(注册商标),厚度50μm)。在该状态下对于静电卡盘的电极施加1分钟800V的电压,由此,产生约7gf/cm2(即,68.6mN/cm2)的静电引力(即,水平保持力),使PET薄膜吸附于静电卡盘。
接下来,使悬垂固定于悬垂型Z驱动平台的层叠体缓慢地向下方移动,使层叠体中的防护膜与配置于静电卡盘上的PET薄膜进行接触。在维持该状态5分钟之后,使层叠体向上方缓慢地移动,由此使防护膜破损,将破损后的防护膜通过静电引力吸附于配置于静电卡盘上的PET薄膜上。如以上那样操作,从光掩模上拆卸防护膜。
接下来,将通过防护膜的拆卸而残留的第2层叠体(即,包含光掩模、掩模粘接层以及防护膜组件框的层叠体)按照光掩模与电热板接触的朝向载置在电热板上,将第2层叠体在约70℃加热5分钟。由此,降低掩模粘接层的粘接力。
接下来,将设置于防护膜组件框的外周面的操作孔设为作用点,使用杠杆,从第2层叠体中拆卸防护膜组件框。
以上操作之后,目视观察光掩模的表现,结果没有确认到异物的附着(即,污染)。
在2019年12月13日申请的日本专利申请2019-225700号的公开内容的整体通过参照而并入至本说明书中。
关于本说明书所记载的全部文献、专利申请和技术标准,与具体并且分别记载了各个文献、专利申请和技术标准通过参照并入至本说明书中的情况相同程度地,通过参照而并入至本说明书中。
Claims (12)
1.一种防护膜组件的拆卸方法,其包括下述工序:
准备层叠体的工序,所述层叠体按下述顺序的配置具备光掩模、防护膜组件框以及防护膜;
准备电极的工序;以及
拆卸工序,通过将所述层叠体和所述电极以使所述层叠体中的所述防护膜与所述电极对置的方式进行配置,并且对于所述电极施加电压,从而产生静电引力,通过所产生的所述静电引力将所述防护膜向所述电极的方向吸引,从而从所述层叠体中的所述光掩模上拆卸所述防护膜。
2.根据权利要求1所述的防护膜组件的拆卸方法,所述拆卸工序为在所述层叠体中的所述防护膜与所述电极之间配置薄膜,通过利用所述静电引力将所述防护膜向所述薄膜的表面吸引,从而拆卸所述防护膜。
3.根据权利要求1或2所述的防护膜组件的拆卸方法,所述层叠体在所述光掩模与所述防护膜组件框之间,进一步具备掩模粘接层。
4.根据权利要求3所述的防护膜组件的拆卸方法,
在将所述层叠体设为第1层叠体的情况下,
所述拆卸工序包括:
通过在使所述防护膜组件框残留在所述第1层叠体中的所述光掩模侧的状态下,利用所述静电引力拆卸所述防护膜,从而获得包含所述光掩模、所述掩模粘接层和所述防护膜组件框的第2层叠体;
对所述第2层叠体进行热处理;以及
从所述第2层叠体中的所述光掩模上拆卸所述防护膜组件框。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的防护膜组件的拆卸方法,在所述拆卸工序之前,进一步包括对所述层叠体进行热处理的工序。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的防护膜组件的拆卸方法,在所述防护膜组件框的外周面设置有凹部和切口中的至少一者。
7.一种防护膜组件的拆卸装置,其为用于实施权利要求1~6中任一项所述的防护膜组件的拆卸方法中的所述拆卸工序的防护膜组件的拆卸装置,具备:
保持所述层叠体的保持构件;以及
所述电极。
8.根据权利要求7所述的防护膜组件的拆卸装置,所述保持构件将所述层叠体以使所述光掩模成为上侧且所述防护膜成为下侧的朝向进行保持,并且具有使所述防护膜的至少自支撑部分露出的开口部。
9.根据权利要求8所述的防护膜组件的拆卸装置,
所述保持构件和所述电极以所述开口部与所述电极对置的方式配置,或者
所述保持构件和所述电极中的至少一者能够以所述开口部与所述电极成为对置的配置的方式进行移动。
10.根据权利要求9所述的防护膜组件的拆卸装置,所述电极的面积比所述开口部的面积宽。
11.根据权利要求9或10所述的防护膜组件的拆卸装置,其进一步具备使树脂薄膜在彼此对置的所述开口部与所述电极之间行进的薄膜运输单元。
12.根据权利要求7~11中任一项所述的防护膜组件的拆卸装置,所述保持构件包含固定所述防护膜组件框的防护膜组件框固定构件。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019225700 | 2019-12-13 | ||
JP2019-225700 | 2019-12-13 | ||
PCT/JP2020/046072 WO2021117817A1 (ja) | 2019-12-13 | 2020-12-10 | ペリクルのデマウント方法、及び、ペリクルのデマウント装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114641724A true CN114641724A (zh) | 2022-06-17 |
Family
ID=76329904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080076341.0A Pending CN114641724A (zh) | 2019-12-13 | 2020-12-10 | 防护膜组件的拆卸方法及防护膜组件的拆卸装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220390829A1 (zh) |
EP (1) | EP4033302A4 (zh) |
JP (1) | JP7204009B2 (zh) |
KR (1) | KR20220079655A (zh) |
CN (1) | CN114641724A (zh) |
TW (1) | TW202122912A (zh) |
WO (1) | WO2021117817A1 (zh) |
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-
2020
- 2020-12-10 WO PCT/JP2020/046072 patent/WO2021117817A1/ja unknown
- 2020-12-10 CN CN202080076341.0A patent/CN114641724A/zh active Pending
- 2020-12-10 JP JP2021564032A patent/JP7204009B2/ja active Active
- 2020-12-10 EP EP20900204.7A patent/EP4033302A4/en active Pending
- 2020-12-10 KR KR1020227015795A patent/KR20220079655A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-12-10 US US17/770,163 patent/US20220390829A1/en active Pending
- 2020-12-11 TW TW109143806A patent/TW202122912A/zh unknown
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113515008A (zh) * | 2020-07-24 | 2021-10-19 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 光掩模上的euv防护膜及其安装方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7204009B2 (ja) | 2023-01-13 |
KR20220079655A (ko) | 2022-06-13 |
US20220390829A1 (en) | 2022-12-08 |
TW202122912A (zh) | 2021-06-16 |
WO2021117817A1 (ja) | 2021-06-17 |
EP4033302A4 (en) | 2023-10-04 |
JPWO2021117817A1 (zh) | 2021-06-17 |
EP4033302A1 (en) | 2022-07-27 |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
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