TW202122912A

TW202122912A - 防護薄膜的拆卸方法和防護薄膜的拆卸裝置

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Publication number: TW202122912A
Application number: TW109143806A
Authority: TW
Inventors: 石川彰; 高村一夫
Original assignee: 日商三井化學股份有限公司
Priority date: 2019-12-13
Filing date: 2020-12-11
Publication date: 2021-06-16
Also published as: CN114641724A; EP4033302A4; WO2021117817A1; US20220390829A1; JP7204009B2; EP4033302A1; JPWO2021117817A1; KR20220079655A

Abstract

一種防護薄膜的拆卸方法，包括：準備積層體的步驟，所述積層體包括依序配置的光罩、防護薄膜框、及防護薄膜片；準備電極的步驟；以及拆卸步驟，將積層體及電極以積層體的防護薄膜片與電極相向的方式配置，且對電極施加電壓，藉此產生靜電引力，並利用所產生的靜電引力向電極的方向吸引防護薄膜片，藉此自積層體的光罩拆卸防護薄膜片。

Description

防護薄膜的拆卸方法和防護薄膜的拆卸裝置

本發明是有關於一種防護薄膜（pellicle）的拆卸方法和防護薄膜的拆卸裝置。

半導體裝置（device）的高積體化及微細化逐年加速。例如，目前，藉由準分子曝光來形成線寬45 nm左右的圖案，但近年來，隨著半導體裝置的進一步的微細化，要求形成線寬32 nm以下的圖案。先前的準分子曝光難以應對此種微細加工。因此，正在研究將曝光光替換為波長更短的極紫外光（Extreme Ultra Violet Light，EUV光）。

EUV光具有容易被所有物質吸收的特性。於使用EUV光作為曝光光的光微影（以下，亦稱為「EUV微影」）中，使用反射光學系統進行曝光。具體而言，反映曝光圖案並利用光罩（例如，網線（reticle）等）反射EUV光，利用作為反射光的EUV光對抗蝕劑進行曝光。於光微影步驟中，若異物附著於光罩，則EUV光由異物吸收，藉此EUV光發生散射，因此，有時無法曝光為所期望的圖案。因此，於光罩的EUV光照射面側安裝（mount）（即，裝設）防護薄膜來保護光罩。所述防護薄膜的結構為包括用於保護光罩的EUV光照射面的防護薄膜片、以及支撐該防護薄膜片的防護薄膜框的結構。

安裝於光罩的防護薄膜有時會遭受由塵埃等引起的污染、由光引起的劣化等。該情況下，有時需要進行防護薄膜的更換，因此，有時需要拆卸（demount）（即，拆除）安裝於光罩的防護薄膜。作為自光罩拆卸防護薄膜的先前的方法，例如，已知有專利文獻1中記載的防護薄膜的拆卸方法。於專利文獻1中，揭示有一種防護薄膜的拆卸方法，其使配置於光罩的防護薄膜的至少防護薄膜片與片材密接，而自所述光罩拆卸所述防護薄膜。

[專利文獻1]日本專利特開2016-206527號公報

[發明所欲解決之課題] 本揭示的實施形態所欲解決的課題為提供一種光罩污染的抑制性優異的防護薄膜的拆卸方法。 [解決課題之手段]

用於解決所述課題的手段包括以下態樣。＜1＞一種防護薄膜的拆卸方法，包括：準備積層體的步驟，所述積層體包括依序配置的光罩、防護薄膜框、及防護薄膜片；準備電極的步驟；以及拆卸步驟，將所述積層體及所述電極以所述積層體的所述防護薄膜片與所述電極相向的方式配置，且對所述電極施加電壓，藉此產生靜電引力，並利用所產生的所述靜電引力向所述電極的方向吸引所述防護薄膜片，藉此自所述積層體的所述光罩拆卸所述防護薄膜片。＜2＞如＜1＞所述的防護薄膜的拆卸方法，其中所述拆卸步驟中，於所述積層體的所述防護薄膜片與所述電極之間配置膜，並利用所述靜電引力將所述防護薄膜片吸引到所述膜的表面，藉此拆卸所述防護薄膜片。＜3＞如＜1＞或＜2＞所述的防護薄膜的拆卸方法，其中所述積層體於所述光罩與所述防護薄膜框之間進而包括遮罩接著層。＜4＞如＜3＞所述的防護薄膜的拆卸方法，其中於將所述積層體設為第一積層體的情況下，所述拆卸步驟包括：於在所述第一積層體的所述光罩側殘留有所述防護薄膜框的狀態下，利用所述靜電引力拆卸所述防護薄膜片，藉此獲得包括所述光罩、所述遮罩接著層、及所述防護薄膜框的第二積層體；對所述第二積層體進行熱處理；以及自所述第二積層體的所述光罩拆卸所述防護薄膜框。＜5＞如＜1＞至＜4＞中任一項所述的防護薄膜的拆卸方法，其於所述拆卸步驟之前，進而包括對所述積層體進行熱處理的步驟。＜6＞如＜1＞至＜5＞中任一項所述的防護薄膜的拆卸方法，其中於所述防護薄膜框的外周面設置有凹部及切口中的至少一者。＜7＞一種防護薄膜的拆卸裝置，其用於實施如＜1＞至＜6＞中任一項所述的防護薄膜的拆卸方法中的所述拆卸步驟，所述防護薄膜的拆卸裝置包括：保持構件，保持所述積層體；以及所述電極。＜8＞如＜7＞所述的防護薄膜的拆卸裝置，其中所述保持構件以所述光罩為上側且所述防護薄膜片為下側的朝向保持所述積層體，且具有使所述防護薄膜片的自撐部分露出的開口部。＜9＞如＜8＞所述的防護薄膜的拆卸裝置，其中所述保持構件及所述電極是以所述開口部與所述電極相向的方式配置，或者所述保持構件及所述電極中的至少一者能夠移動，以成為所述開口部與所述電極相向的配置。＜10＞如＜9＞所述的防護薄膜的拆卸裝置，其中所述電極的面積比所述開口部的面積廣。＜11＞如＜9＞或＜10＞所述的防護薄膜的拆卸裝置，進而包括：膜搬送部件，使樹脂膜於彼此相向的所述開口部與所述電極之間移行。＜12＞如＜7＞至＜11＞中任一項所述的防護薄膜的拆卸裝置，其中所述保持構件包括固定所述防護薄膜框的防護薄膜框固定構件。 [發明的效果]

根據本揭示，提供一種光罩污染的抑制性優異的防護薄膜的拆卸方法。

於本說明書中，使用「～」表示的數值範圍是指包含「～」前後所記載的數值來分別作為下限值及上限值的範圍。於本說明書中階段性地記載的數值範圍中，某數值範圍內所記載的上限值或下限值亦可置換為其他階段性記載的數值範圍的上限值或下限值。另外，於本說明書中所記載的數值範圍中，某數值範圍內所記載的上限值或下限值亦可置換為實施例中所示的值。於本說明書中，較佳的態樣的組合為更佳的態樣。於本說明書中，「步驟」這一用語不僅包含獨立的步驟，即便於無法與其他步驟明確區別的情況下，若可達成該步驟的所期望的目的，則亦包含於本用語中。

於本揭示中，所謂EUV（Extreme Ultra Violet：極紫外）光，是指波長5 nm～30 nm的光。EUV光的波長較佳為波長5 nm～13.5 nm。於本揭示中，有時將EUV光及波長比EUV光短的光總稱為「EUV光等」。

於本說明書中，所謂「防護薄膜」，是指包括防護薄膜框、以及支撐於防護薄膜框的厚度方向上的一端面的防護薄膜片的構件。於本說明書中，所謂「防護薄膜的拆卸方法」，是指自安裝有防護薄膜的光罩至少拆卸（即，拆除）防護薄膜片的方法。「防護薄膜的拆卸方法」的概念中包含如下兩種方法：於在安裝有防護薄膜的光罩殘留有防護薄膜框的狀態下，拆卸防護薄膜片的方法；以及自安裝有防護薄膜的光罩，拆卸防護薄膜片及防護薄膜框兩者（即，防護薄膜整體）的方法。另外，「防護薄膜的拆卸方法」的概念中亦包含如下方法：拆卸僅防護薄膜片或防護薄膜片及防護薄膜框兩者、與其他組件（例如，接著層等）的方法。另外，「防護薄膜的拆卸方法」的概念中亦包含如下方法：一邊破壞防護薄膜，一邊自光罩拆除防護薄膜的方法。

〔防護薄膜的拆卸方法〕本揭示的防護薄膜的拆卸方法包括：準備積層體的步驟，所述積層體包括依序配置的光罩、防護薄膜框、及防護薄膜片；準備電極的步驟；以及拆卸步驟，將積層體及電極以積層體的防護薄膜片與電極相向的方式配置，且對電極施加電壓，藉此產生靜電引力，並利用所產生的靜電引力向電極的方向吸引防護薄膜片，藉此自積層體的光罩拆卸防護薄膜片。

本揭示的防護薄膜的拆卸方法的光罩污染的抑制性優異。即，根據本揭示的防護薄膜的拆卸方法，可抑制光罩的污染。推測發揮所述效果的理由為如以下般。防護薄膜片為厚度極薄的膜。例如，EUV微影中所使用的防護薄膜片的厚度為奈米級的值。因此，於自光罩拆卸防護薄膜時，容易產生防護薄膜片的破損，因防護薄膜片的破損（包含破壞的概念在內；以下相同）而產生的防護薄膜片片附著於光罩，藉此有時會污染光罩。尤其是，防護薄膜片的自撐部分（即，位於由防護薄膜框的內周面形成的開口部上、且未由防護薄膜框支撐的部分）容易破損。關於所述問題，於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中，如以下般，自包括依序配置的光罩、防護薄膜框、及防護薄膜片的積層體的光罩，拆卸防護薄膜片。將積層體及電極以積層體的防護薄膜片與電極相向的方式配置，且對電極施加電壓，藉此產生靜電引力。利用該靜電引力向電極的方向吸引防護薄膜片，藉此自積層體的光罩拆卸防護薄膜片。此時，防護薄膜片亦可破損。於防護薄膜片破損的情況下，因破損而產生的防護薄膜片片被拉向電極的方向。如此，於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中，即便於防護薄膜片破損的情況下，由於因防護薄膜片的破損而產生的防護薄膜片片被拉向電極的方向，因此防護薄膜片片附著於光罩的情況（即，由防護薄膜片片引起的光罩的污染）得到抑制。

於本揭示中，所謂「積層體的防護薄膜片與電極相向」，是指於積層體的（並非光罩側）防護薄膜片側配置有電極的狀態。只要滿足該條件，則於防護薄膜片與電極之間亦可介隔存在其他物體（例如，後述的靜電吸盤的電極以外的構件（例如，樹脂構件）、後述的膜等）。

以下，關於本揭示的一例，一邊適宜地參照圖式一邊進行說明。其中，本揭示並不限定於以下圖式等的具體例。關於各圖式中共通的組件，賦予相同的符號，且有時省略重覆說明。另外，於圖式中，為了容易看懂結構，有時省略隱藏線的一部分。

圖1是示意性地表示於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中、在準備積層體的步驟中所準備的積層體的一例的概略剖面圖。如圖1所示，本一例的積層體包括依序配置的光罩105、防護薄膜框103、及防護薄膜片102。本一例的積層體例如是藉由在光罩105上安裝包括防護薄膜片102及防護薄膜框103的防護薄膜101而獲得。防護薄膜框103於其厚度方向上的一端面側對防護薄膜片102進行支撐。換言之，防護薄膜片102中的、俯視時與防護薄膜框103重疊的部分由防護薄膜框103支撐。防護薄膜片102中的、俯視時與由防護薄膜框103的內周面確定的開口部重疊的部分並未受到支撐，而是成為自撐部分（即，膜並非形成於基底上而是膜單獨存在的部分）。

圖2是示意性地表示本揭示的防護薄膜的拆卸的一例的概略剖面圖。如圖2所示，於該一例的防護薄膜的拆卸中，於在圖1所示的積層體的光罩105殘留有防護薄膜框103的狀態下，拆卸防護薄膜片102。拆卸是藉由如下方式進行：利用靜電引力，將防護薄膜片102向與防護薄膜片102相向配置的未圖示的電極的方向（例如，於圖2中為上方）吸引。於該一例中，經拆卸的防護薄膜片102維持膜的形狀，但防護薄膜片102亦可於拆卸時被破壞。

圖3是示意性地表示本揭示的防護薄膜的拆卸的另一例的概略剖面圖。如圖3所示，於該一例的防護薄膜的拆卸中，自圖1所示的積層體的光罩105，拆卸防護薄膜片102及防護薄膜框103兩者（即，防護薄膜101整體）。拆卸是藉由如下方式進行：利用靜電引力，將防護薄膜101向與防護薄膜片102相向配置的未圖示的電極的方向吸引。於該一例中，經拆卸的防護薄膜101的防護薄膜片102維持膜的形狀，但防護薄膜片102亦可於拆卸時被破壞。

以下，對本揭示的防護薄膜的拆卸方法中可含的各步驟更詳細地進行說明。

＜準備積層體的步驟＞本揭示的防護薄膜的拆卸方法包括準備積層體的步驟。此處所述的積層體為包括依序配置的光罩、防護薄膜框、及防護薄膜片的積層體（例如，參照所述圖1）。準備積層體的步驟可為製造所述積層體的步驟，亦可為只是單純地準備預先製造的所述積層體的步驟。

（防護薄膜片）本步驟中所準備的積層體包括防護薄膜片。作為防護薄膜片，可使用公知的防護薄膜片。作為防護薄膜片中所含的材料，並無特別限制，可為有機系材料，亦可為無機系材料，亦可為有機系材料與無機系材料的混合材料。作為有機系材料，可列舉氟系聚合物等。作為無機系材料，可列舉：結晶矽（例如，單晶矽、多晶矽等）、類鑽碳（Diamond Like Carbon，DLC）、石墨、非晶碳、石墨烯、碳化矽、氮化矽、氮化鋁等。防護薄膜片可包含單獨一種所述材料，亦可包含兩種以上。

關於防護薄膜片的結構，可為單層結構，亦可為包含兩層以上的結構。防護薄膜片的厚度（於包含兩層以上的情況下為總厚）較佳為2 nm～200 nm，更佳為2 nm～100 nm，進而佳為2 nm～70 nm，特佳為2 nm～50 nm。防護薄膜片的厚度的下限可為5 nm或10 nm。關於防護薄膜片的結構，例如可適宜地參照日本專利特開2014-021217號公報、國際公開第2015/174412號等的公知的防護薄膜片的結構。

（防護薄膜框）本步驟中所準備的積層體包括防護薄膜框。作為防護薄膜框，可使用作為具有框形狀的構件的公知的防護薄膜框。作為防護薄膜框的材質，可應用防護薄膜框中所使用的通常的材質。作為防護薄膜框的材質，具體而言，可列舉：鋁、鋁合金（5000系、6000系、7000系等）、不鏽鋼、矽、矽合金、鐵、鐵系合金、碳鋼、工具鋼、陶瓷、金屬-陶瓷複合材料、樹脂等。其中，就輕量且剛性的方面而言，更佳為鋁或鋁合金。

另外，防護薄膜框亦可於其表面具有保護膜。作為保護膜，較佳為對於存在於曝光環境中的氫自由基及EUV光具有耐性的保護膜。作為保護膜，例如可列舉氧化被膜。氧化被膜可利用陽極氧化等公知的方法來形成。另外，氧化被膜亦可藉由黑色系染料而經著色。於防護薄膜框具有藉由黑色系染料而經著色的氧化被膜的情況下，更容易檢測防護薄膜框上的異物。關於防護薄膜框的結構，例如可適宜地參照日本專利特開2014-021217號公報、日本專利特開2010-146027號公報等的公知的防護薄膜框的結構。

較佳為於防護薄膜框的外周面設置有凹部及切口中的至少一者。藉此，於利用靜電引力自光罩拆卸防護薄膜片後，在拆卸防護薄膜框的階段，更容易拆卸防護薄膜框。例如，藉由將防護薄膜框處理用的握持器具插入或鉤掛於凹部或切口，可容易地自光罩拆卸防護薄膜框。防護薄膜框的外周面的凹部或切口可分別設置有僅一個，亦可設置有多個。於設置有多個凹部的情況下，多個凹部的各自的形狀可相同亦可不同（關於切口，亦同樣如此）。

圖5A是表示包括在外周面設置有凹部的態樣的防護薄膜框的積層體的一例的概略剖面圖。如圖5A所示，該一例的積層體包括：光罩505、以及包含防護薄膜框503及防護薄膜片502的防護薄膜501。於該積層體中，依序配置有光罩505、防護薄膜框503、及防護薄膜片502。於防護薄膜框503的外周面，設置有凹部509。凹部509以防護薄膜框的外周面為起點而於與防護薄膜片502的面並行的方向上延伸。於該一例的積層體中，例如，於利用靜電引力自光罩505拆卸防護薄膜片502後，在拆卸防護薄膜框503的階段中，藉由將防護薄膜框處理用的握持器具插入或鉤掛於凹部509，可容易地自光罩505拆卸防護薄膜框503。

圖5B是圖5A所示的積層體的變形例，是表示包括在外周面設置有切口的態樣的防護薄膜框的積層體的一例的概略剖面圖。關於圖5B所示的積層體的構造，除了將凹部509變更為切口510以外，與圖5A所示的積層體的結構相同。於該一例的積層體中，例如，藉由將防護薄膜框處理用的握持器具插入或鉤掛於切口510，可容易地自光罩505拆卸防護薄膜框503。

另外，亦可於防護薄膜框設置自防護薄膜框的外周面貫通至內周面的貫通孔。該貫通孔例如作為使積層體的外部與積層體的內部（即，由防護薄膜框的內周面、防護薄膜片、及光罩包圍的空間）通氣的通氣口發揮功能。例如，於後述的拆卸步驟中，對電極施加電壓而產生靜電引力，且通過設置於防護薄膜框的所述通氣口，向積層體的內部送入氣體，藉此使積層體的內部成為正壓，從而使防護薄膜片向外側（即，電極的方向）膨脹而使防護薄膜片破損，並向電極側吸引因破損而產生的防護薄膜片片，藉此可拆卸防護薄膜片。

另外，亦可於防護薄膜框設置將防護薄膜框的厚度方向設為深度方向的孔（以下，亦稱為「防護薄膜框的厚度方向上的孔」）。藉此，於利用靜電引力自光罩拆卸防護薄膜片後，在拆卸防護薄膜框的階段，更容易拆卸防護薄膜框。例如，藉由將防護薄膜框處理用的握持器具插入或鉤掛於防護薄膜框的厚度方向上的孔，可容易地自光罩拆卸防護薄膜框。

另外，就拆卸所述防護薄膜框時的容易性的觀點而言，亦可於積層體的防護薄膜片及防護薄膜框設置將防護薄膜片及防護薄膜框的厚度方向設為深度方向的孔。

圖4是表示於防護薄膜片及防護薄膜框設置有將防護薄膜片及防護薄膜框的厚度方向設為深度方向的孔的態樣的積層體的一例的概略剖面圖。如圖4所示，該一例的積層體包括：光罩405、以及包含防護薄膜框403及防護薄膜片402的防護薄膜401。於積層體的防護薄膜片402及防護薄膜框403，設置有將該些的厚度方向設為深度方向的孔409。

以上所說明的、設置於防護薄膜框的外周面的凹部或切口、將防護薄膜框的厚度方向設為深度方向的孔、以及將防護薄膜片及防護薄膜框的厚度方向設為深度方向的孔（以下，亦將該些總稱為「空間」）可分別僅為一個，亦可為多個。另外，該些空間的形狀或大小可針對每一空間而不同。

（防護薄膜片接著層）本步驟中所準備的積層體亦可於防護薄膜片與防護薄膜框之間進而包括防護薄膜片接著層。所述態樣的積層體例如可藉由將包括防護薄膜片、防護薄膜片接著層、及防護薄膜框的防護薄膜安裝於光罩來製作。此處，所謂防護薄膜片接著層，是指介隔存在於防護薄膜片與防護薄膜框之間、且用於使防護薄膜片與防護薄膜框接著的層。防護薄膜片接著層可包含公知的接著劑。作為防護薄膜片接著層中可含的接著劑，例如可列舉：丙烯酸樹脂接著劑、環氧樹脂接著劑、矽酮樹脂接著劑、含氟矽酮系接著劑、含氟醚系接著劑等。

（光罩）本步驟中所準備的積層體包括光罩。作為光罩，若具有照射到光的光照射面，則並無特別限制。作為光罩，例如可使用包括支撐基板、積層於該支撐基板上的反射層、以及形成於反射層上的吸收體層的光罩。於光罩中，設置有反射層及吸收體層的一側的面成為光照射面。於對光照射面照射EUV光等光的情況下，光照射面的吸收體層吸收所照射的光的至少一部分，且光的剩餘部分由反射層反射。經反射的光被照射到感應基板（例如，帶光阻劑膜的半導體基板）。藉此，於感應基板上形成所期望的像。作為反射層，可適宜地列舉鉬（Mo）與矽（Si）的多層膜。吸收體層較佳為鉻（Cr）、氮化鉭等EUV光等的吸收性高的材料。

（遮罩接著層）本步驟中所準備的積層體亦可於光罩與防護薄膜框之間進而包括遮罩接著層。所述態樣的積層體例如可藉由如下方式來製作：將包括依序配置的防護薄膜片、防護薄膜框、及遮罩接著層的防護薄膜，以遮罩接著層與光罩相接的朝向安裝於光罩。此處，所謂遮罩接著層，是指介隔存在於光罩與防護薄膜框之間、且用於使光罩與防護薄膜框接著的層。遮罩接著層可包含公知的接著劑。作為遮罩接著層中可含的接著劑，例如可列舉：雙面黏著帶、矽酮樹脂系接著劑、丙烯酸系接著劑、橡膠系接著劑、乙烯基系接著劑、環氧系接著劑等。

本步驟中所準備的積層體亦可包括所述遮罩接著層與所述防護薄膜片接著層兩者。

圖6是示意性地表示於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中、在準備積層體的步驟中所準備的積層體的另一例（即，與圖1中所示的一例不同的一例）的概略剖面圖。如圖6所示，本一例的積層體包括依序配置的光罩605、遮罩接著層607、防護薄膜框603、防護薄膜片接著層606、及防護薄膜片602。本一例的積層體例如可使用包括依序配置的遮罩接著層607、防護薄膜框603、防護薄膜片接著層606、及防護薄膜片602的防護薄膜601來製作。

圖7是示意性地表示於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中、在準備積層體的步驟中所準備的積層體的進而另一例的概略剖面圖。關於圖7所示的一例的積層體，除了於防護薄膜片接著層606與防護薄膜框603之間介隔存在防護薄膜片支撐框608及支撐框接著層609（此處，防護薄膜片支撐框608與防護薄膜片接著層606相接，支撐框接著層609與防護薄膜框603相接）以外，與圖6所示的一例的積層體的結構相同。本一例的積層體例如可使用包括依序配置的遮罩接著層607、防護薄膜框603、支撐框接著層609、防護薄膜片支撐框608、防護薄膜片接著層606、及防護薄膜片602的防護薄膜611來製作。

圖8是示意性地表示於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中、在準備積層體的步驟中所準備的積層體的進而另一例的概略剖面圖。關於圖8所示的一例的積層體的結構，除了不存在防護薄膜片接著層606以外，與圖7所示的一例的積層體的結構相同。本一例的積層體例如可使用包括依序配置的遮罩接著層607、防護薄膜框603、支撐框接著層609、防護薄膜片支撐框608、及防護薄膜片602的防護薄膜612來製作。

如以上的圖6～圖8所示，於本揭示的防護薄膜的範圍內，不僅包含防護薄膜片被直接（即，不介隔其他組件）支撐於防護薄膜框的厚度方向上的一端面側的態樣（參照圖1），而且亦包含防護薄膜片介隔其他組件（例如，防護薄膜片接著層、防護薄膜片支撐框、支撐框接著層等）而被支撐於防護薄膜框的厚度方向上的一端面側的態樣（圖6～圖8）。

＜準備電極的步驟＞本揭示的防護薄膜的拆卸方法包括準備電極的步驟。電極是於後述的拆卸步驟中用於防護薄膜片的拆卸的構件。準備電極的步驟可為製造電極的步驟，亦可為只是單純地準備預先製造的電極的步驟。

關於電極的大小、形狀、數量，並無特別限定，可適宜地設定。作為電極的大小，就防護薄膜片的回收性的觀點而言，較佳為大於防護薄膜片的自撐部分（例如，圖6中的區域A）。

準備電極的步驟可為準備包括電極的構件（例如，靜電吸盤）的步驟。該情況下，於後述的拆卸步驟中，對包括電極的構件的電極施加電壓，利用所產生的靜電引力進行防護薄膜片的拆卸。

作為包括電極的構件的電極以外的部分的材質，並無特別限制，例如可列舉具有絕緣性的玻璃、陶瓷、樹脂等。另外，作為包括電極的構件的電極的結構，並無特別限制，可為單極型，亦可為雙極型。

包括電極的構件的一例即靜電吸盤可為庫侖力（Coulomb force）型的靜電吸盤，亦可為約翰遜-拉貝克力（Johnsen-Rahbek force）型（J-R型）的靜電吸盤。此處，庫侖力型的靜電吸盤是配置於電極、與使靜電引力發揮作用的對象物之間的材料為絕緣體的態樣的靜電吸盤，J-R型的靜電吸盤是配置於電極、與使靜電引力發揮作用的對象物之間的材料為導電性陶瓷化合物的態樣的靜電吸盤。

作為庫侖力型的靜電吸盤，並無特別限制，例如可列舉：日本專利特開昭53-77489號公報中所示出的、利用接著劑將絕緣性高分子材料的聚醯亞胺片材貼附於金屬板上而成的庫侖力型的靜電吸盤；日本專利特開昭63-95644號公報、日本專利特開平4-206545號公報、及日本專利特開平5-36819號公報中所示出般的於兩片絕緣性陶瓷板間設置電極而成的庫侖力型的靜電吸盤；如日本專利特開昭59-152636號公報所示般，利用熔射法用絕緣性陶瓷被覆絕緣性陶瓷板上的電極而成的庫侖力型的靜電吸盤等。

於J-R型的靜電吸盤中，配置於電極與對象物之間的導電性陶瓷的體積電阻率為重要的要素。作為J-R型的靜電吸盤，並無特別限制，例如可列舉：日本專利特開2000-143349號公報中所記載的、使用包含氮化鋁、TiN、Ce的導電性陶瓷而成的J-R型的靜電吸盤；日本專利特開2006-049356號公報中所記載的、使用包含氧化鋁、氧化鈦的導電性陶瓷而成的J-R型的靜電吸盤；日本專利特開2008-087988號公報中所記載的、使用如下導電性陶瓷而成的J-R型的靜電吸盤等，所述導電性陶瓷是於包含氧化鋁、氧化鋯、氮化矽、氮化鋁的絕緣體陶瓷中分散碳化鈦、氮化鈦、碳化鎢、碳化鉭、碳化鉬、碳化鈮、碳化釩中的任一種以上而成。

該些中，作為靜電吸盤，就光罩污染的抑制性的觀點而言，較佳為庫侖力型的靜電吸盤。

＜拆卸步驟＞本揭示的防護薄膜的拆卸方法包括自所述積層體的光罩拆卸防護薄膜片的拆卸步驟。本步驟中的拆卸是藉由如下方式而進行：將所述積層體及所述電極以積層體的防護薄膜片與電極相向的方式配置，且對電極施加電壓，藉此產生靜電引力，並利用所產生的靜電引力向電極的方向吸引防護薄膜片。藉此，回收防護薄膜片。於該過程中，防護薄膜片可被破壞。於防護薄膜片被破壞的情況下，防護薄膜片片被拉向電極的方向而被回收。

就防護薄膜片的回收性的觀點而言，藉由對電極施加電壓而產生的靜電引力較佳為9.8 mN/cm² （即，1 gf/cm² ）以上，更佳為49 mN/cm² （即，5 gf/cm² ）以上。

如上所述，於本步驟中的利用靜電引力進行的防護薄膜片的拆卸時，可於防護薄膜片與電極之間介隔存在其他物體（例如，所述靜電吸盤的電極以外的構件（例如，樹脂構件）、後述的膜等），亦可不介隔存在其他物體。於沒有介隔存在其他物體的情況下，被拉向電極的方向的防護薄膜片（包括為防護薄膜片片的情況；以下相同）吸附於電極的表面而被回收。於介隔存在其他物體的情況下，被拉向電極的方向的防護薄膜片吸附於介隔存在的其他物體的表面而被回收。於任一情況下，防護薄膜片均是向遠離光罩的方向移動，因此可抑制防護薄膜片吸附於光罩（即，污染）。

（膜）於拆卸步驟中，較佳為於積層體的防護薄膜片與電極之間配置膜，並利用所述靜電引力，將防護薄膜片吸引到膜的表面，藉此拆卸防護薄膜片。藉此，防護薄膜片的回收變得更容易。

作為膜，並無特別限制。本揭示的「膜」的概念中不僅包含通常被稱為「膜」的物品，而且還包含被稱為「片材」的物品及被稱為「紙」的物品。作為膜的厚度，並無特別限定，就耐久性的方面而言，較佳為5 μm～200 μm，更佳為5 μm～100 μm。作為膜的材質，例如可列舉選自由樹脂、橡膠、紙、金屬玻璃、及陶瓷所組成的群組中的至少一種。

作為包含樹脂作為主成分的膜（以下，亦稱為「樹脂膜」）中的樹脂，可適宜地列舉：聚乙烯、聚丙烯（polypropylene，PP）、聚酯（例如，聚對苯二甲酸乙二酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚萘二甲酸乙二酯（polyethylene naphthalate，PEN）、聚碳酸酯（Polycarbonate，PC）等）等。樹脂膜可包含僅一種所述材質，亦可包含兩種以上。此處，所謂包含樹脂作為主成分的膜，是指樹脂相對於膜整體的含量為50質量%以上的膜。

亦可於膜的單面或兩面形成黏著層。即，於拆卸步驟中，亦可在積層體的防護薄膜片與電極之間，以防護薄膜片與黏著層相向的方式介隔存在帶黏著層的膜，於該狀態下，利用所述靜電引力，將防護薄膜片吸引到帶黏著層的膜的黏著層的表面，並使其吸附於該表面，藉此進行拆卸。根據該態樣，防護薄膜片的回收變得更容易。作為帶黏著層的膜，較佳為帶黏著層的樹脂膜。

帶黏著層的膜（較佳為帶黏著層的樹脂膜；以下相同）的黏著層較佳為包含黏著劑。關於較佳的黏著劑，將於以後敘述。帶黏著層的膜的黏著層的厚度並無特別限制，就防護薄膜片的回收的觀點而言，較佳為50 μm～200 μm左右的範圍。

作為帶黏著層的膜的製作方法，並無特別限制，可使用公知的製作方法。作為帶黏著層的膜的製作方法，例如可列舉如下方法等：於膜的至少一面塗佈用於形成黏著層的黏著劑溶液等並進行乾燥的方法；於剝離襯墊上塗佈用於形成黏著層的黏著劑溶液而形成黏著層，之後將該黏著層轉印到膜的方法。作為所述剝離襯墊，若可容易地自黏著層進行剝離，則並無特別限制，例如可使用利用氟化合物等對表面實施脫模處理而成的樹脂膜（例如，PET等聚酯膜）等。

（拆卸步驟中的熱處理）於積層體在光罩與防護薄膜框之間進而包括遮罩接著層的情況下，在將該積層體（即，包括依序配置的光罩、遮罩接著層、防護薄膜框、及防護薄膜片的積層體）設為第一積層體的情況下，拆卸步驟亦可包括：於在形成有黏著層的第一積層體的光罩側殘留有防護薄膜框的狀態下，利用所述靜電引力拆卸防護薄膜片，獲得包括光罩、遮罩接著層、及防護薄膜框的第二積層體；對第二積層體進行熱處理；以及自第二積層體的光罩拆卸防護薄膜框。根據該態樣，藉由對第二積層體進行熱處理，可降低遮罩接著層的接著力，因此可更容易地進行防護薄膜框的拆卸。於所述熱處理時，可對第二積層體整體進行熱處理，亦可對第二積層體的一部分（例如，包含遮罩接著層的部分）進行熱處理。用於熱處理的裝置並無特別限制，可使用加熱器、加熱板、烘箱等。作為熱處理的溫度，例如可列舉50℃～140℃。作為熱處理的時間，例如可列舉10秒～300秒。

＜對積層體進行熱處理的步驟＞本揭示的防護薄膜的拆卸方法亦可於拆卸步驟之前，進而包括對積層體（即，包括光罩、防護薄膜框、及防護薄膜片的積層體）進行熱處理的步驟。包括對積層體進行熱處理的步驟的態樣於積層體包括防護薄膜片接著層及遮罩接著層中的至少一者的情況下特別有效。該情況下，藉由對積層體進行熱處理，可降低由防護薄膜片接著層及遮罩接著層中的至少一者帶來的接著力，因此可抑制防護薄膜片的破損，並且可更容易地進行拆卸。所述熱處理時，可對積層體整體進行熱處理，亦可對積層體的一部分（例如，包括防護薄膜片接著層及遮罩接著層中的至少一者的部分）進行熱處理。用於熱處理的裝置並無特別限制，可使用加熱器、加熱板、烘箱等。作為熱處理的溫度，例如可列舉50℃～140℃。作為熱處理的時間，例如可列舉10秒～300秒。

＜形成黏著層的步驟＞形成黏著層步驟為於所述積層體的防護薄膜片上形成黏著層的步驟。就進一步減低形成黏著層時施加至防護薄膜片的負荷的觀點而言，形成黏著層的步驟較佳為利用噴霧塗佈法、旋轉塗佈法、噴墨法、網版印刷法、或浸漬塗佈法來形成黏著層的步驟，更佳為利用噴霧塗佈法或旋轉塗佈法來形成黏著層的步驟，特佳為利用噴霧塗佈法來形成黏著層的步驟。

利用噴霧塗佈法進行的黏著層的形成可使用公知的噴霧塗佈裝置來進行。作為噴霧塗佈裝置，例如可列舉：噴霧槍、超音波噴霧塗佈裝置、二流體噴霧塗佈裝置、一流體噴霧塗佈裝置等。

黏著層較佳為包含至少一種黏著劑。就光罩污染的抑制性的觀點而言，黏著層較佳為包含選自由矽酮系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、聚酯系黏著劑、乙烯乙酸乙烯基酯共聚物、烯烴系黏著劑、聚丁二烯系黏著劑、橡膠系黏著劑、及苯乙烯系黏著劑所組成的群組中的至少一種黏著劑，更佳為包含選自由丙烯酸系黏著劑、聚丁二烯系黏著劑、橡膠系黏著劑、及苯乙烯系黏著劑所組成的群組中的至少一種黏著劑，進而佳為包含選自由丙烯酸系黏著劑、聚丁二烯系黏著劑、及橡膠系黏著劑所組成的群組中的至少一種黏著劑。黏著劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。

矽酮系黏著劑較佳為以矽酮樹脂為主成分的黏著劑。作為矽酮系黏著劑，並無特別限制，可列舉：加成反應型矽酮系黏著劑、過氧化物硬化型矽酮系黏著劑、縮合型矽酮系黏著劑等。該些中，就利用黏著劑來保持防護薄膜片的觀點而言，較佳為保持力大的加成硬化型矽酮系黏著劑。於本揭示中，所謂黏著劑的主成分，是指相對於黏著劑的總質量而佔50質量%以上的成分。

丙烯酸系黏著劑較佳為以丙烯酸樹脂為主成分的黏著劑。作為丙烯酸系黏著劑中所含的丙烯酸樹脂，並無特別限制，例如可列舉：(甲基)丙烯酸烷基酯系黏著劑、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。另外，丙烯酸系黏著劑亦可為以丙烯酸系橡膠樹脂為主成分的黏著劑。作為丙烯酸系橡膠樹脂，例如可列舉：甲基丙烯酸甲酯與丙烯酸丁酯的嵌段共聚物。

胺基甲酸酯系黏著劑較佳為以聚胺基甲酸酯樹脂為主成分的黏著劑。作為胺基甲酸酯系黏著劑中所含的聚胺基甲酸酯，並無特別限制，例如可列舉：聚酯聚胺基甲酸酯、聚碳酸酯聚胺基甲酸酯等。

聚醯胺系黏著劑較佳為以聚醯胺樹脂為主成分的黏著劑。作為聚醯胺系黏著劑中所含的聚醯胺樹脂，並無特別限制，例如可列舉：使十一烷內醯胺開環縮聚而成的聚醯胺（醯胺11）、使月桂基內醯胺開環縮聚而成的聚醯胺（醯胺12）等。

作為聚酯系黏著劑，較佳為以聚酯樹脂為主成分的黏著劑。作為聚酯樹脂，並無特別限制，可列舉：多元羧酸與多元醇的縮聚合物。作為所述聚酯的具體例，例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等。

烯烴系黏著劑較佳為以烯烴樹脂為主成分的黏著劑。作為所述烯烴，並無特別限制，可為使烯烴均聚合而成的聚合物、或者使烯烴與其他單量體聚合而成的共聚物。作為烯烴，較佳為碳數2～6的烯烴，例如可列舉：乙烯、丙烯、丁烯、甲基戊烯、己烯。作為共聚物中使用的其他單量體，例如可列舉乙酸乙烯基酯。

橡膠系黏著劑較佳為包含橡膠作為主成分的黏著劑，例如可適宜地列舉天然橡膠系黏著劑、及合成橡膠系黏著劑。作為合成橡膠系黏著劑，例如可列舉：苯乙烯-丁二烯共聚物（苯乙烯-丁二烯橡膠（styrene-butadiene rubber，SBR）、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯（styrene-butadiene-styrene，SBS））、苯乙烯-異戊二烯共聚物（苯乙烯-異戊二烯-苯乙烯（styrene-isoprene-styrene，SIS））、丙烯腈-丁二烯共聚物（腈基丁二烯橡膠（nitrile butadiene rubber，NBR））、氯丁二烯聚合物、異丁烯-異戊二烯共聚物（丁基橡膠）等。該些中，作為橡膠系黏著劑，就容易形成黏著層且容易保持防護薄膜片的觀點而言，較佳為合成橡膠系黏著劑，更佳為以苯乙烯-丁二烯共聚物為主成分的黏著劑。

聚丁二烯系黏著劑為所述橡膠系黏著劑以外的黏著劑，較佳為以聚丁二烯為主成分的黏著劑。作為聚丁二烯，若包含由丁二烯形成的結構單元，則並無特別限制，可為均聚物（homopolymer），亦可為與丁二烯以外的單量體的共聚物。

苯乙烯系黏著劑為所述橡膠系黏著劑以外的黏著劑，為以聚苯乙烯樹脂為主成分的黏著劑。作為聚苯乙烯樹脂，並無特別限制，可列舉：苯乙烯系單量體（例如，苯乙烯、甲基苯乙烯、乙基苯乙烯、異丙基苯乙烯、二甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯、乙烯基甲苯、乙烯基二甲苯）的均聚物、以及苯乙烯系單量體和能夠與苯乙烯系單量體共聚的單量體的共聚物。作為能夠與苯乙烯系單量體共聚的單量體，例如可列舉：乙烯基單量體（例如，丙烯腈、甲基丙烯腈、丙烯酸、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸甲酯、馬來酸酐、丁二烯）。

就光罩污染的抑制性的觀點而言，作為黏著劑的玻璃轉移溫度，較佳為-60℃～-20℃，更佳為-60℃～-40℃。

就光罩污染的抑制性的觀點而言，作為黏著劑的基礎聚合物的重量平均分子量，較佳為10,000～1,500,000，更佳為50,000～1,000,000。另外，亦可混合重量平均分子量不同的基礎聚合物。

於防護薄膜片上賦予黏著劑來形成黏著層時的黏著劑的賦予量（例如，利用噴霧塗佈法塗佈黏著劑時的塗佈量）以乾燥後的賦予量計，較佳為1 g/m² ～500 mg/m² ，更佳為5 mg/m² ～200 g/m² 。

黏著層亦可藉由在防護薄膜片上賦予包含黏著劑及溶劑的黏著劑溶液來形成。作為黏著劑溶液中的溶劑，可使用公知的溶劑。作為黏著劑溶液中的溶劑，例如可列舉：丙酮、甲基乙基酮（2-丁酮）、環己烷、乙酸乙酯、二氯化乙烯、四氫呋喃、甲苯、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇二甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙醯丙酮、環己酮、二丙酮醇、乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚乙酸酯、乙二醇單異丙醚、乙二醇單丁醚乙酸酯、1-甲氧基-2-丙醇、3-甲氧基-1-丙醇、甲氧基甲氧基乙醇、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、3-甲氧基丙基乙酸酯、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯等。黏著劑溶液中的溶劑可僅為一種，亦可為兩種以上。

黏著劑溶液中的固體成分濃度（即，黏著劑相對於黏著劑溶液的總量的含量）較佳為1質量%～50質量%左右。

作為黏著劑溶液的黏度（25℃），就進一步提高防護薄膜片與黏著劑的密接性的觀點而言，較佳為1 mPa·s～1,000 mPa·s，更佳為100 mPa·s～800 mPa·s。黏著劑溶液的黏度可根據所述溶劑的種類及/或量來適宜地調整。

作為黏著層的厚度，更佳為1 μm以上且1 mm以下，進而佳為50 μm以上且1 mm以下。所述黏著層的厚度可利用公知的方法來調整。例如，於利用噴霧塗佈法來形成黏著層的情況下，可藉由調整自噴霧塗佈裝置（例如，噴霧槍）噴射的黏著劑溶液的噴射量來調整黏著層的厚度。黏著層的厚度是藉由如下方式而求出：於垂直方向上切斷積層體，並利用掃描式電子顯微鏡對其剖面進行確認。

黏著層亦可具有格子結構的槽。藉由黏著層具有格子結構的槽，例如，於在黏著層上積層後述的保護薄膜的情況下，在將防護薄膜片與保護薄膜貼合時，進入至防護薄膜片與保護薄膜之間的氣體容易自格子結構排出至外部，可防止防護薄膜片的破裂。

用於實施形成黏著層的步驟的裝置（例如，後述的防護薄膜的拆卸裝置）亦可包括蓋，所述蓋用於防止噴出到防護薄膜片的自撐部分上的黏著劑附著於防護薄膜片的自撐部分以外的部分及防護薄膜片以外的部分。

＜黏著保護薄膜的步驟＞包括所述形成黏著層的步驟的態樣的防護薄膜的拆卸方法亦可於形成黏著層的步驟之後且拆卸步驟之前，進而包括在形成有黏著層的積層體的黏著層上黏著保護薄膜的步驟。作為保護薄膜，並無特別限制，可適宜地列舉聚對苯二甲酸乙二酯（PET）膜、聚丙烯（PP）膜、聚碳酸酯（PC）膜等。作為保護薄膜的厚度，並無特別限制，就具有適度的強度的觀點而言，較佳為50 μm以上且500 μm以下，更佳為100 μm以上且200 μm以下。保護薄膜亦可作為與所述黏著層一起進行共擠出而成的2層膜而積層於防護薄膜片。

本揭示的防護薄膜的拆卸方法視需要亦可包括所述步驟以外的其他步驟。

以下，示出作為本揭示的防護薄膜的拆卸方法的具體實施形態的實施形態1。其中，本揭示的防護薄膜的拆卸方法並不限定於以下的實施形態。

＜實施形態1＞關於實施形態1，一邊參照圖6一邊進行說明。關於圖6，為如上所述。於實施形態1中，將與圖6所示的積層體具有相同結構的積層體、和作為包括電極的構件的靜電吸盤（未圖示）以積層體的防護薄膜片602與靜電吸盤的電極相向的朝向配置。此時，積層體是以與圖6所示的姿勢上下相反的朝向（即，防護薄膜片602為下側且光罩605為上側的朝向）配置。靜電吸盤是以電極朝上的方式配置於積層體的防護薄膜片602的下方。接著，於積層體的防護薄膜片602與靜電吸盤的電極之間，以防護薄膜片602與黏著層（未圖示）隔開規定間隔而相向的方式配置帶黏著層的樹脂膜（未圖示）。於該狀態下，對靜電吸盤的電極施加電壓，藉此產生靜電引力，並利用所產生的靜電引力，將防護薄膜片602向電極的方向（即，下方）吸引，藉此自積層體的光罩605拆卸防護薄膜片602。經拆卸的防護薄膜片602被吸附於帶黏著層的樹脂膜的黏著層而被回收。此時，亦可使防護薄膜片602破損，因破損而產生的防護薄膜片片被吸附於所述黏著層而被回收。於所述拆卸時，亦可通過自防護薄膜框603的外周面貫通至內周面的貫通孔（即，通氣口；未圖示），向積層體的內部送入空氣，藉此，使積層體的內部為正壓，從而使防護薄膜片602向外側（即，電極的方向）膨脹，而使防護薄膜片破損。於拆卸防護薄膜片602後，將殘留的第二積層體（即，包括光罩605、遮罩接著層607、防護薄膜框603及防護薄膜片接著層606的積層體）以光罩605與加熱板接觸的朝向載置於加熱板上，以遮罩接著層的溫度成為約50℃的方式進行加熱，從而減低遮罩接著層607的接著力。接著，藉由將防護薄膜框處理用的握持器具插入或鉤掛於設置於第二積層體的防護薄膜框603的外周面的凹部及/或切口（未圖示），而自光罩605拆卸遮罩接著層607、防護薄膜框603、及防護薄膜片接著層606。

〔防護薄膜的拆卸裝置〕接著，說明對於實施所述本揭示的防護薄膜的拆卸方法而言適宜的、防護薄膜的拆卸裝置的實施形態。

本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置是用於實施本揭示的防護薄膜的拆卸方法中的所述拆卸步驟，所述防護薄膜的拆卸裝置包括：保持構件，保持在本揭示的防護薄膜的拆卸方法中所說明的積層體；以及於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中所說明的電極。

根據本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置，可實施所述本揭示的防護薄膜的拆卸方法。因此，根據本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置，與所述本揭示的防護薄膜的拆卸方法同樣地，發揮可抑制由防護薄膜片片引起的光罩的污染的效果。

本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置的保持構件是保持在本揭示的防護薄膜的拆卸方法中所說明的積層體（即，包括依序配置的光罩、防護薄膜框、及防護薄膜片的積層體）的構件。

本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置的電極為於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中所說明的電極（即，用於藉由施加電壓而產生靜電引力，並利用所產生的靜電引力吸引防護薄膜片，藉此自積層體的光罩拆卸防護薄膜片的電極）。本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置如所述般亦可包括靜電吸盤作為包括電極的構件。該情況下，可使用靜電吸盤的電極進行防護薄膜片的拆卸。

本實施形態的保持構件較佳為以光罩為上側且防護薄膜片為下側的朝向保持積層體，且具有使防護薄膜片的至少自撐部分露出的開口部。根據該態樣，經拆卸的防護薄膜片及/或防護薄膜片片通過開口部而向下方（即，重力方向）落下，因此可更有效地抑制由防護薄膜片片的附著引起的光罩污染。

此處，使防護薄膜片的至少自撐部分露出的開口部的概念中包含：開口部配置於防護薄膜片更下側的態樣；以及開口部配置於防護薄膜片更上側的態樣（即，防護薄膜片自開口部伸出至下側的態樣）（例如，參照圖9及圖10）。

就抑制該態樣中的保持構件保持積層體時、向保持構件進行裝配時等的意外的防護薄膜片的損傷的觀點而言，保持構件較佳為藉由對積層體的防護薄膜框及光罩中的至少一者進行支撐來保持積層體（例如，參照圖9及圖10）。

於保持構件具有所述開口部的態樣中，保持構件及電極較佳為（1）以保持構件的開口部與電極相向的方式配置，或者（2）保持構件及電極中的至少一者能夠移動，以成為保持構件的開口部與電極相向的配置。該些態樣中，於拆卸時，由於可使靜電引力更有效地作用於防護薄膜片，因此更容易進行利用靜電引力進行的防護薄膜片的拆卸。

（1）的態樣是指保持構件的開口部與電極始終相向。（1）的態樣中，並不限於固定配置保持構件與電極的情況，亦包含保持構件及電極中的至少一者能夠移動以使保持構件與電極的距離發生變化的態樣。（2）的態樣是指藉由保持構件及電極中的至少一者能夠移動，而可採取保持構件的開口部與電極相向的配置、以及保持構件的開口部與電極並不相向的配置此兩種配置的態樣。於（2）的態樣中，例如包含如下態樣：作為保持構件，使用可於保持積層體的狀態下搬運積層體的搬運構件，且作為保持構件的搬運構件能夠移動以便相對於電極可採用所述相向的配置以及所述不相向的配置此兩種配置。

於所述（1）的態樣或所述（2）的態樣中，電極的面積較佳為比開口部的面積廣。藉此，可將防護薄膜片的自撐部分的整體拉向電極的方向而進行拆卸，因此可更有效地抑制光罩的污染。於所述較佳的態樣的情況下，例如，於防護薄膜包含6英吋×6英吋的正方形的自撐部分的情況下，開口部的尺寸是設為6英吋以上×6英吋以上的長方形（包括正方形在內）。

關於防護薄膜的拆卸裝置，於所述（1）的態樣或所述（2）的態樣中，較佳為進而包括膜搬送部件，其使樹脂膜於彼此相向的開口部與電極之間（即，於所述（2）的態樣中，開口部與電極彼此相向時的開口部與電極之間）移行。於該態樣中，可藉由拆卸而使防護薄膜片及/或防護薄膜片片自開口部落下到樹脂膜上，並藉由樹脂膜的移行，回收所述防護薄膜片及/或所述防護薄膜片片。因此，可抑制光罩的污染，並且可進一步效率良好地進行防護薄膜片的拆卸。

作為膜搬送部件的樹脂膜的搬送方式，可應用如下方式等：可連續地搬送膜的雙輥方式；不連續地、一片一片地搬送膜的逐片方式。其中，就拆卸的效率的觀點而言，較佳為雙輥方式。

防護薄膜的拆卸裝置的保持構件較佳為包括固定防護薄膜框的防護薄膜框固定構件。根據該態樣，可抑制防護薄膜片的拆卸時的防護薄膜框的位置偏移。

本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置視需要亦可包括所述構件以外的其他構件。

以下，示出三例本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置的具體例，但本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置並不限定於以下三例具體例。

圖9是概念性地表示本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置的一例的概略剖面圖。如圖9所示，本一例的防護薄膜的拆卸裝置800包括：保持構件820，保持包括依序配置的光罩805、防護薄膜框803、及防護薄膜片802的積層體；以及電極810，相對於保持構件820而配置於下方。保持構件820包括具有開口部OP1的箱型形狀的框體822，進而包括作為防護薄膜框固定構件的防護薄膜框固定銷824。保持構件820藉由該些組件而以光罩805為上側且防護薄膜片802為下側的朝向，於使防護薄膜片802自開口部OP1露出的同時保持積層體。光罩805的並未安裝防護薄膜的主面及側面由框體822包圍。

保持構件820藉由利用防護薄膜框固定銷824來固定積層體的防護薄膜框803，而保持積層體。防護薄膜框固定銷824的一端連接於框體822的內表面。防護薄膜框固定銷824的另一端固定防護薄膜框803。固定方法並無特別限定，例如可列舉：將防護薄膜框固定銷824的另一端插入或鉤掛於設置於防護薄膜框803的外周面的凹部或切口（未圖示）的方法。

保持構件820能夠於水平方向H1上移動。藉此，於防護薄膜的拆卸裝置800中，可採用保持構件的開口部OP1與電極810相向的配置、以及保持構件的開口部OP1與電極810不相向的配置此兩種配置。

保持構件820亦能夠於鉛垂方向V1（即，重力方向G及其相反方向）上移動。另外，電極810亦能夠於鉛垂方向V2（即，重力方向G及其相反方向）上移動。根據該些結構，於拆卸時，藉由調整電極810與防護薄膜片802的距離（即，間隙），可調整作用於防護薄膜片802的靜電引力。

電極810連接於用於對該電極810施加電壓的電源（未圖示）。如所述般，亦可代替該一例中的電極810而使用作為包括電極的構件的靜電吸盤。

電極810的面積比保持構件820（詳細而言為框體822）的開口部OP1的面積廣。藉此，可將防護薄膜片802的自撐部分的整體拉向電極810的方向而進行拆卸，因此可更有效地抑制光罩的污染。

接著，對拆卸裝置800的動作（即，防護薄膜的拆卸）的一例進行說明。首先，如所述般，使積層體保持於保持構件820。該操作亦可按照保持構件的開口部OP1與電極810不相向的配置來進行。接著，使保持構件820於水平方向H1上移動，調整為保持構件的開口部OP1與電極810相向的配置。於該狀態下，自未圖示的電源對電極810供給電壓，產生靜電引力。此時，調整電極810與防護薄膜片802的間隙，調整所產生的靜電引力。利用靜電引力，將防護薄膜片802向電極810的方向吸引。此時，亦可利用靜電引力使防護薄膜片802破壞。防護薄膜片802或由防護薄膜片802的破壞而產生的防護薄膜片片由電極810吸引。藉此，防護薄膜片802或防護薄膜片片於遠離光罩805的方向上被拆卸，因此可抑制防護薄膜片吸附於光罩（即，污染）。於該一例中，由於在防護薄膜片802的下側配置有電極，因此防護薄膜片802或者防護薄膜片片亦藉由重力而由電極810吸引。因此，光罩的污染進一步得到抑制。另外，於該一例中，由於防護薄膜框803是由防護薄膜框固定銷824固定，因此，防護薄膜片802的拆卸時的防護薄膜框803的位置偏移得到抑制。

如以上般進行，而自積層體的光罩805拆卸防護薄膜片802。其後，視需要，利用常規方法自光罩805拆卸防護薄膜框803。

圖10是概念性地表示本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置的另一例的概略剖面圖。關於圖10所示的防護薄膜的拆卸裝置840的結構，除了保持積層體的保持構件的結構不同以外，均與圖8的防護薄膜的拆卸裝置800的結構相同。因此，根據防護薄膜的拆卸裝置840，發揮與防護薄膜的拆卸裝置800相同的效果。

防護薄膜的拆卸裝置840的保持構件830包括框體832，且不包括防護薄膜框固定銷。框體832於為具有開口部OP2的箱型形狀的方面與框體822（圖9）共通，於存在確定開口部OP2的凸部833的方面與框體822（圖9）不同。防護薄膜的拆卸裝置840的保持構件830藉由利用凸部833來支撐光罩805而保持積層體。於防護薄膜的拆卸裝置840中，電極810的面積亦比保持構件830（詳細而言為框體832）的開口部OP2的面積廣。

圖11是概念性地表示本實施形態的防護薄膜的拆卸裝置的另一例的概略剖面圖。關於圖11所示的防護薄膜的拆卸裝置860的結構，除了以下方面以外，均與圖8的防護薄膜的拆卸裝置840的結構相同。因此，根據防護薄膜的拆卸裝置860，發揮與防護薄膜的拆卸裝置800及防護薄膜的拆卸裝置840相同的效果。

圖11所示的防護薄膜的拆卸裝置860進而包括用於使樹脂膜F1於彼此相向的開口部OP2與電極810之間移行的膜搬送部件（具體而言，用於以雙輥搬送方式搬送膜的膜送出裝置R1及膜捲取裝置R2）。藉此，自光罩拆卸的防護薄膜片被回收到樹脂膜F1上。因此，可抑制光罩的污染，並且可進一步效率良好地進行防護薄膜片的拆卸。亦可於樹脂膜F1的與開口部OP2相向的一側形成黏著層。藉此，更容易回收防護薄膜片。

防護薄膜的拆卸裝置860相對於保持構件830及電極810而於樹脂膜搬送方向上游側包括分隔構件850。分隔構件850具有用於供樹脂膜通過的開口部。防護薄膜的拆卸裝置860相對於保持構件830及電極810而於樹脂膜搬送方向下游側包括分隔構件851。分隔構件851亦具有用於供樹脂膜通過的開口部。於防護薄膜的拆卸裝置860中，拆卸區域被確定為分隔構件850及分隔構件851之間的區域。藉由在該拆卸區域內進行防護薄膜片的拆卸，可抑制防護薄膜片向拆卸區域外的飛散。進而，藉由使拆卸區域內的氣壓低於拆卸區域外的氣壓，可進一步抑制防護薄膜片向拆卸區域外的飛散。 [實施例]

以下，藉由實施例對本發明進行具體說明，但本揭示並不限定於該些實施例。

〔實施例1〕藉由實施以下各步驟，進行防護薄膜的拆卸。以下，示出詳細情況。

＜準備積層體的步驟＞準備如下防護薄膜，其包括：SiN膜防護薄膜片、於一端面側對SiN膜防護薄膜片進行支撐的防護薄膜框、介隔存在於SiN膜防護薄膜片與防護薄膜框之間的防護薄膜片接著層、以及設置於防護薄膜框的、與支撐SiN膜防護薄膜片的端面相反的一側的端面的遮罩接著層。於防護薄膜框的外周面設置有作為凹部的處理孔。該處理孔作為使用柄桿的拆卸時的作用點發揮功能。於防護薄膜框亦設置有自外周面貫通至內周面的通氣用的貫通孔。將所述防護薄膜以光罩的遮光膜層側與防護薄膜的遮罩接著層相接的朝向、98 N的載荷按壓到包括遮光膜層的光罩的遮光膜層側且按壓30秒。藉此，將防護薄膜安裝於光罩，獲得積層體。

＜準備電極的步驟＞作為包括電極的構件，準備靜電吸盤（詳細而言，日本特殊陶業（股）製造的8英吋靜電吸盤）。

＜拆卸步驟＞將所述積層體以防護薄膜片朝下的方式懸垂固定於Z軸驅動的懸垂型的精密台（以下，亦稱為「懸垂型Z驅動台」）。於懸垂固定的積層體的下方，配置所述靜電吸盤。即，將積層體及靜電吸盤以積層體的防護薄膜片與靜電吸盤的電極相向的方式配置。此時，以防護薄膜片的面與電極的面平行、且兩者的距離為50 mm的方式進行調整。接著，於靜電吸盤上配置樹脂膜（詳細而言，東麗（Toray）（股）製造的PET膜，商品名：魯米勒（Lumirror）（註冊商標），厚度50 μm）。於該狀態下，對靜電吸盤的電極施加800 V的電壓1分鐘，藉此，產生約7 gf/cm² （即，68.6 mN/cm² ）的靜電引力（即，水平保持力），使PET膜吸附於靜電吸盤。其次，使懸垂固定於懸垂型Z驅動台的積層體緩慢地向下方移動，使積層體的防護薄膜片與配置於靜電吸盤上的PET膜接觸。於將該狀態維持5分鐘後，使積層體向上方緩慢地移動，藉此，使防護薄膜片損壞，並利用靜電引力使損壞後的防護薄膜片吸附於配置於靜電吸盤上的PET膜上。如以上般進行，而自光罩拆卸防護薄膜片。接著，將藉由防護薄膜片的拆卸而殘留的第二積層體（即，包括光罩、遮罩接著層、及防護薄膜框的積層體）以光罩與加熱板接觸的朝向載置於加熱板上，將第二積層體於約70℃下加熱5分鐘。藉此，降低遮罩接著層的接著力。其次，將設置於防護薄膜框的外周面的處理孔設為作用點，使用柄桿，自第二積層體拆卸防護薄膜框。

於以上的操作後，目視觀察光罩的表面，結果並未確認到異物的附著（即，污染）。

將2019年12月13日提出申請的日本專利申請案2019-225700號的揭示的整體藉由參照而併入至本說明書中。關於本說明書中所記載的所有文獻、專利申請案及技術規格，與具體且各個地記載有藉由參照而併入各個文獻、專利申請案及技術規格的情況同等程度地，藉由參照而併入至本說明書中。

101:防護薄膜 102:防護薄膜片 103:防護薄膜框 105:光罩 401:防護薄膜 402:防護薄膜片 403:防護薄膜框 405:光罩 409:孔 501:防護薄膜 502:防護薄膜片 503:防護薄膜框 505:光罩 509:凹部 510:切口 601:防護薄膜 602:防護薄膜片 603:防護薄膜框 605:光罩 606:防護薄膜片接著層 607:遮罩接著層 608:防護薄膜片支撐框 609:支撐框接著層 611:防護薄膜 612:防護薄膜 800:防護薄膜的拆卸裝置 802:防護薄膜片 803:防護薄膜框 805:光罩 810:電極 820:保持構件 822:框體 824:防護薄膜框固定銷 830:保持構件 832:框體 833:凸部 840:防護薄膜的拆卸裝置 850:分隔構件 851:分隔構件 860:防護薄膜的拆卸裝置 F1:樹脂膜 G:重力方向 H1:水平方向 OP1:開口部 OP2:開口部 R1:膜送出裝置 R2:膜捲取裝置 V1:鉛垂方向 V2:鉛垂方向

圖1是示意性地表示於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中、在準備積層體的步驟中所準備的積層體的一例的概略剖面圖。圖2是示意性地表示本揭示的防護薄膜的拆卸的一例的概略剖面圖。圖3是示意性地表示本揭示的防護薄膜的拆卸的另一例的概略剖面圖。圖4是表示於防護薄膜片及防護薄膜框設置有將防護薄膜片及防護薄膜框的厚度方向設為深度方向的孔的態樣的積層體的一例的概略剖面圖。圖5A是表示包括在外周面設置有凹部的態樣的防護薄膜框的積層體的一例的概略剖面圖。圖5B是表示包括在外周面設置有切口的態樣的防護薄膜框的積層體的一例的概略剖面圖。圖6是示意性地表示於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中、在準備積層體的步驟中所準備的積層體的另一例的概略剖面圖。圖7是示意性地表示於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中、在準備積層體的步驟中所準備的積層體的進而另一例的概略剖面圖。圖8是示意性地表示於本揭示的防護薄膜的拆卸方法中、在準備積層體的步驟中所準備的積層體的進而另一例的概略剖面圖。圖9是概念性地表示本揭示的實施形態的防護薄膜的拆卸裝置的一例的概略剖面圖。圖10是概念性地表示本揭示的實施形態的防護薄膜的拆卸裝置的另一例的概略剖面圖。圖11是概念性地表示本揭示的實施形態的防護薄膜的拆卸裝置的進而另一例的概略剖面圖。

Claims

一種防護薄膜的拆卸方法，包括：準備積層體的步驟，所述積層體包括依序配置的光罩、防護薄膜框、及防護薄膜片；準備電極的步驟；以及拆卸步驟，將所述積層體及所述電極以所述積層體的所述防護薄膜片與所述電極相向的方式配置，且對所述電極施加電壓，藉此產生靜電引力，並利用所產生的所述靜電引力向所述電極的方向吸引所述防護薄膜片，藉此自所述積層體的所述光罩拆卸所述防護薄膜片。
如請求項1所述的防護薄膜的拆卸方法，其中所述拆卸步驟中，於所述積層體的所述防護薄膜片與所述電極之間配置膜，並利用所述靜電引力將所述防護薄膜片吸引到所述膜的表面，藉此拆卸所述防護薄膜片。
如請求項1或請求項2所述的防護薄膜的拆卸方法，其中所述積層體於所述光罩與所述防護薄膜框之間進而包括遮罩接著層。
如請求項3所述的防護薄膜的拆卸方法，其中於將所述積層體設為第一積層體的情況下，所述拆卸步驟包括：於在所述第一積層體的所述光罩側殘留有所述防護薄膜框的狀態下，利用所述靜電引力拆卸所述防護薄膜片，藉此獲得包括所述光罩、所述遮罩接著層、及所述防護薄膜框的第二積層體；對所述第二積層體進行熱處理；以及自所述第二積層體的所述光罩拆卸所述防護薄膜框。
如請求項1或請求項2所述的防護薄膜的拆卸方法，其於所述拆卸步驟之前，進而包括對所述積層體進行熱處理的步驟。
如請求項1或請求項2所述的防護薄膜的拆卸方法，其中於所述防護薄膜框的外周面設置有凹部及切口中的至少一者。
一種防護薄膜的拆卸裝置，其用於實施如請求項1至請求項6中任一項所述的防護薄膜的拆卸方法中的所述拆卸步驟，所述防護薄膜的拆卸裝置包括：保持構件，保持所述積層體；以及所述電極。
如請求項7所述的防護薄膜的拆卸裝置，其中所述保持構件以所述光罩為上側且所述防護薄膜片為下側的朝向保持所述積層體，且具有使所述防護薄膜片的至少自撐部分露出的開口部。
如請求項8所述的防護薄膜的拆卸裝置，其中所述保持構件及所述電極是以所述開口部與所述電極相向的方式配置，或者所述保持構件及所述電極中的至少一者能夠移動，以成為所述開口部與所述電極相向的配置。
如請求項9所述的防護薄膜的拆卸裝置，其中所述電極的面積比所述開口部的面積廣。
如請求項9或請求項10所述的防護薄膜的拆卸裝置，進而包括：膜搬送部件，使樹脂膜於彼此相向的所述開口部與所述電極之間移行。
如請求項7至請求項10中任一項所述的防護薄膜的拆卸裝置，其中所述保持構件包括固定所述防護薄膜框的防護薄膜框固定構件。