KR20210066723A - 양극 활물질, 이차 전지, 전자 기기 - Google Patents
양극 활물질, 이차 전지, 전자 기기 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20210066723A KR20210066723A KR1020200155859A KR20200155859A KR20210066723A KR 20210066723 A KR20210066723 A KR 20210066723A KR 1020200155859 A KR1020200155859 A KR 1020200155859A KR 20200155859 A KR20200155859 A KR 20200155859A KR 20210066723 A KR20210066723 A KR 20210066723A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- active material
- positive electrode
- electrode active
- secondary battery
- lithium
- Prior art date
Links
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 title claims abstract description 352
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 161
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims abstract description 144
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 138
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 137
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 92
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 92
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 84
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 81
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 81
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 136
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 126
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 113
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 102
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 102
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 74
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 60
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 239000006182 cathode active material Substances 0.000 claims description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 208
- 238000007600 charging Methods 0.000 abstract description 101
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 42
- 230000007423 decrease Effects 0.000 abstract description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 179
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 85
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 75
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 73
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 73
- 239000000463 material Substances 0.000 description 70
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 70
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 69
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 64
- -1 graphene compound Chemical class 0.000 description 64
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 62
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 62
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 49
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 44
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 description 41
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 40
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 38
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 35
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 35
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 34
- 230000006870 function Effects 0.000 description 32
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 31
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 31
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 29
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 28
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 26
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 26
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 23
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 21
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 21
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 20
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 20
- 102100027368 Histone H1.3 Human genes 0.000 description 19
- 101001009450 Homo sapiens Histone H1.3 Proteins 0.000 description 19
- 229910018871 CoO 2 Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 17
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 17
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 16
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 16
- 229910012851 LiCoO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 15
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 14
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 13
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 13
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 13
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 12
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 11
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 11
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 11
- BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ni+2] BFDHFSHZJLFAMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 9
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 9
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 9
- 238000000851 scanning transmission electron micrograph Methods 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 8
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 8
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 8
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 8
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 7
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 7
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 7
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 6
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 6
- VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxol-2-one Chemical compound O=C1OC=CO1 VAYTZRYEBVHVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 5
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KLARSDUHONHPRF-UHFFFAOYSA-N [Li].[Mn] Chemical compound [Li].[Mn] KLARSDUHONHPRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 239000006183 anode active material Substances 0.000 description 5
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 5
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 5
- 229910021383 artificial graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 5
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 5
- 239000010442 halite Substances 0.000 description 5
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 5
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 5
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910015118 LiMO Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910013290 LiNiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910013870 LiPF 6 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 4
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 4
- AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M lithium bromide Chemical compound [Li+].[Br-] AMXOYNBUYSYVKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 4
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 4
- 239000002931 mesocarbon microbead Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 4
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N tert-butylbenzene Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1 YTZKOQUCBOVLHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 210000000707 wrist Anatomy 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910015643 LiMn 2 O 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- CKFRRHLHAJZIIN-UHFFFAOYSA-N cobalt lithium Chemical compound [Li].[Co] CKFRRHLHAJZIIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N dimethyl carbonate Chemical compound COC(=O)OC IEJIGPNLZYLLBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000003571 electronic cigarette Substances 0.000 description 3
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910021382 natural graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 238000001144 powder X-ray diffraction data Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- FSSPGSAQUIYDCN-UHFFFAOYSA-N 1,3-Propane sultone Chemical compound O=S1(=O)CCCO1 FSSPGSAQUIYDCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBLRHMKNNHXPHG-UHFFFAOYSA-N 4-fluoro-1,3-dioxolan-2-one Chemical compound FC1COC(=O)O1 SBLRHMKNNHXPHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910010238 LiAlCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001091 LixCoO2 Inorganic materials 0.000 description 2
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 241000156302 Porcine hemagglutinating encephalomyelitis virus Species 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PFYQFCKUASLJLL-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni].[Li] Chemical compound [Co].[Ni].[Li] PFYQFCKUASLJLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOXUFMZTHZXOGC-UHFFFAOYSA-N [Li].[Mn].[Co].[Ni] Chemical group [Li].[Mn].[Co].[Ni] SOXUFMZTHZXOGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USHGRFXQYJEHII-UHFFFAOYSA-M [O-]P(O)(O)=O.[Li+].F.F.F.F.F.F Chemical compound [O-]P(O)(O)=O.[Li+].F.F.F.F.F.F USHGRFXQYJEHII-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010277 constant-current charging Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 2
- 230000002354 daily effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000003811 finger Anatomy 0.000 description 2
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 2
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000036541 health Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical group FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KLRHPHDUDFIRKB-UHFFFAOYSA-M indium(i) bromide Chemical compound [Br-].[In+] KLRHPHDUDFIRKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000009830 intercalation Methods 0.000 description 2
- 230000002687 intercalation Effects 0.000 description 2
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 2
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 2
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N methyl formate Chemical compound COC=O TZIHFWKZFHZASV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001683 neutron diffraction Methods 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011255 nonaqueous electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000003836 solid-state method Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 2
- ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 1,2-butylene carbonate Chemical compound CCC1COC(=O)O1 ZZXUZKXVROWEIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxane Chemical compound C1COCOC1 VDFVNEFVBPFDSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2,4-dichlorophenyl)pentyl]1,2,4-triazole Chemical compound C=1C=C(Cl)C=C(Cl)C=1C(CCC)CN1C=NC=N1 WKBPZYKAUNRMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOPWFKONJYLCF-UHFFFAOYSA-N 2-(2-sulfanylethyl)isoindole-1,3-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)N(CCS)C(=O)C2=C1 UHOPWFKONJYLCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 4-[1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(4-hydroxy-3-prop-2-enylphenyl)propan-2-yl]-2-prop-2-enylphenol Chemical group C1=C(CC=C)C(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C(CC=C)=C1 QGHDLJAZIIFENW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYOKPDLAMOMTEE-UHFFFAOYSA-N 4-chloro-1,3-dioxolan-2-one Chemical compound ClC1COC(=O)O1 OYOKPDLAMOMTEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100031786 Adiponectin Human genes 0.000 description 1
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminium flouride Chemical compound F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018989 CoSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019043 CoSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021503 Cobalt(II) hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021583 Cobalt(III) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017482 Cu 6 Sn 5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004435 EPR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910005382 FeSn Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000775469 Homo sapiens Adiponectin Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- JGFBQFKZKSSODQ-UHFFFAOYSA-N Isothiocyanatocyclopropane Chemical compound S=C=NC1CC1 JGFBQFKZKSSODQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017768 LaF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018119 Li 3 PO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018122 Li 3-x M Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003730 Li1.07Al0.69Ti1.46 (PO4)3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009511 Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011939 Li2.6 Co0.4 N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007860 Li3.25Ge0.25P0.75S4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013936 Li3.25P0.95S4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015015 LiAsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013063 LiBF 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013372 LiC 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013684 LiClO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010586 LiFeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010707 LiFePO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910011533 LiF—MgF2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013709 LiNi 1-x M Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021569 Manganese fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N Matrine Chemical compound C1CC[C@H]2CN3C(=O)CCC[C@@H]3[C@@H]3[C@H]2N1CCC3 ZSBXGIUJOOQZMP-JLNYLFASSA-N 0.000 description 1
- RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N Methyl propionate Chemical compound CCC(=O)OC RJUFJBKOKNCXHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019018 Mg 2 Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019021 Mg 2 Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016964 MnSb Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002228 NASICON Substances 0.000 description 1
- MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N O.O.O.[Al] Chemical compound O.O.O.[Al] MXRIRQGCELJRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 description 1
- 229910018320 SbSn Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002978 Vinylon Polymers 0.000 description 1
- 238000004998 X ray absorption near edge structure spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000833 X-ray absorption fine structure spectroscopy Methods 0.000 description 1
- FDLZQPXZHIFURF-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Li+] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Li+] FDLZQPXZHIFURF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006230 acetylene black Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNEHKUCSURWDGO-UHFFFAOYSA-N aluminum sodium Chemical compound [Na].[Al] DNEHKUCSURWDGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- HYGWNUKOUCZBND-UHFFFAOYSA-N azanide Chemical compound [NH2-] HYGWNUKOUCZBND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003796 beauty Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 229910001633 beryllium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000036772 blood pressure Effects 0.000 description 1
- 230000036760 body temperature Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N butyric acid octyl ester Natural products CCCCCCCCOC(=O)CCC PWLNAUNEAKQYLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910021563 chromium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019504 cigarettes Nutrition 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- YCYBZKSMUPTWEE-UHFFFAOYSA-L cobalt(ii) fluoride Chemical compound F[Co]F YCYBZKSMUPTWEE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ASKVAEGIVYSGNY-UHFFFAOYSA-L cobalt(ii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Co+2] ASKVAEGIVYSGNY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000571 coke Substances 0.000 description 1
- 239000002482 conductive additive Substances 0.000 description 1
- 238000010280 constant potential charging Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004807 desolvation Methods 0.000 description 1
- CRHLEZORXKQUEI-UHFFFAOYSA-N dialuminum;cobalt(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Co+2].[Co+2] CRHLEZORXKQUEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L difluoromanganese Chemical compound F[Mn]F CTNMMTCXUUFYAP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 238000004868 gas analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910021469 graphitizable carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021385 hard carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000012905 input function Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K iron(iii) fluoride Chemical compound F[Fe](F)F SHXXPRJOPFJRHA-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910000664 lithium aluminum titanium phosphates (LATP) Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000625 lithium cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M lithium iodide Inorganic materials [Li+].[I-] HSZCZNFXUDYRKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910003002 lithium salt Inorganic materials 0.000 description 1
- URIIGZKXFBNRAU-UHFFFAOYSA-N lithium;oxonickel Chemical compound [Li].[Ni]=O URIIGZKXFBNRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001629 magnesium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002681 magnesium compounds Chemical class 0.000 description 1
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVRGRDDGRSFXCH-UHFFFAOYSA-N magnesium;dioxido(oxo)titanium Chemical compound [Mg+2].[O-][Ti]([O-])=O YVRGRDDGRSFXCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- IPJKJLXEVHOKSE-UHFFFAOYSA-L manganese dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mn+2] IPJKJLXEVHOKSE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229940017219 methyl propionate Drugs 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000012768 molten material Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N n-butyric acid methyl ester Natural products CCCC(=O)OC UUIQMZJEGPQKFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBJLJFTWODWSOF-UHFFFAOYSA-L nickel(ii) fluoride Chemical compound F[Ni]F DBJLJFTWODWSOF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AIBQNUOBCRIENU-UHFFFAOYSA-N nickel;dihydrate Chemical compound O.O.[Ni] AIBQNUOBCRIENU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021470 non-graphitizable carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000010450 olivine Substances 0.000 description 1
- 229910052609 olivine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N oxygen difluoride Chemical compound FOF UJMWVICAENGCRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I pentafluoroniobium Chemical compound F[Nb](F)(F)(F)F AOLPZAHRYHXPLR-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- NFVUDQKTAWONMJ-UHFFFAOYSA-I pentafluorovanadium Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[V+5] NFVUDQKTAWONMJ-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 1
- 229920005569 poly(vinylidene fluoride-co-hexafluoropropylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 238000005057 refrigeration Methods 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000000391 smoking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021384 soft carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N succinonitrile Chemical compound N#CCCC#N IAHFWCOBPZCAEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002203 sulfidic glass Substances 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- 150000008053 sultones Chemical class 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000003813 thumb Anatomy 0.000 description 1
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(II) oxide Inorganic materials [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J titanic acid Chemical compound O[Ti](O)(O)O LLZRNZOLAXHGLL-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J titanium tetrafluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] XROWMBWRMNHXMF-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 150000003623 transition metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K trifluorochromium Chemical compound F[Cr](F)F FTBATIJJKIIOTP-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L zinc fluoride Chemical compound F[Zn]F BHHYHSUAOQUXJK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrafluoride Chemical compound F[Zr](F)(F)F OMQSJNWFFJOIMO-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/362—Composites
- H01M4/366—Composites as layered products
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
- H01M4/50—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of manganese
- H01M4/505—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of manganese of mixed oxides or hydroxides containing manganese for inserting or intercalating light metals, e.g. LiMn2O4 or LiMn2OxFy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
- H01M4/52—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of nickel, cobalt or iron
- H01M4/525—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of nickel, cobalt or iron of mixed oxides or hydroxides containing iron, cobalt or nickel for inserting or intercalating light metals, e.g. LiNiO2, LiCoO2 or LiCoOxFy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/362—Composites
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
- H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
- H01M4/485—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of mixed oxides or hydroxides for inserting or intercalating light metals, e.g. LiTi2O4 or LiTi2OxFy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
- H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
- H01M4/582—Halogenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/62—Selection of inactive substances as ingredients for active masses, e.g. binders, fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
- H01M10/052—Li-accumulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M2004/026—Electrodes composed of, or comprising, active material characterised by the polarity
- H01M2004/028—Positive electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M2220/00—Batteries for particular applications
- H01M2220/20—Batteries in motive systems, e.g. vehicle, ship, plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M2220/00—Batteries for particular applications
- H01M2220/30—Batteries in portable systems, e.g. mobile phone, laptop
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
충방전 사이클에 따른 용량의 저하가 억제된 양극 활물질을 제공한다. 또는 충방전을 반복하여도 결정 구조가 붕괴되기 어려운 양극 활물질을 제공한다.
타이타늄과, 니켈과, 알루미늄과, 마그네슘과, 플루오린을 가지는 양극 활물질로서, 표면 상의 볼록부에 타이타늄, 니켈, 및 마그네슘이 편재한 영역을 가지는, 양극 활물질. 알루미늄은 볼록부가 아니라 양극 활물질의 표층부에 편재하는 것이 바람직하다.
타이타늄과, 니켈과, 알루미늄과, 마그네슘과, 플루오린을 가지는 양극 활물질로서, 표면 상의 볼록부에 타이타늄, 니켈, 및 마그네슘이 편재한 영역을 가지는, 양극 활물질. 알루미늄은 볼록부가 아니라 양극 활물질의 표층부에 편재하는 것이 바람직하다.
Description
본 발명의 일 형태는 물건, 방법, 또는 제작 방법에 관한 것이다. 또는 본 발명은 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 본 발명의 일 형태는 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 조명 장치, 전자 기기, 또는 이들의 제작 방법에 관한 것이다.
또한 본 명세서 중에서 전자 기기란 축전 장치를 가지는 장치 전반을 가리키고, 축전 장치를 가지는 전기 광학 장치, 축전 장치를 가지는 정보 단말 장치 등은 모두 전자 기기이다.
최근에 들어, 리튬 이온 이차 전지, 리튬 이온 커패시터, 공기 전지, 전고체 전지 등, 여러 가지 축전 장치의 개발이 활발히 진행되고 있다. 특히 고출력, 고용량의 리튬 이온 이차 전지는 반도체 산업의 발전에 수반하여 급속하게 그 수요가 확대되어, 충전 가능한 에너지의 공급원으로서 현대 정보화 사회에 불가결한 것이 되었다.
그 중에서도 모바일 전자 기기용 이차 전지 등에서는, 중량당 방전 용량이 커, 사이클 특성이 우수한 이차 전지에 대한 수요가 높다. 이러한 수요를 만족시키기 위하여 이차 전지의 양극(positive electrode)에 포함되는 양극 활물질의 개량이 활발히 진행되고 있다(예를 들어 특허문헌 1 및 특허문헌 2 참조). 또한 양극 활물질의 결정 구조에 관한 연구도 이루어지고 있다(비특허문헌 1 내지 비특허문헌 4 참조).
X선 회절(XRD)은 양극 활물질의 결정 구조를 해석하는 데 사용되는 방법 중 하나이다. 비특허문헌 5에서 소개된 ICSD(Inorganic Crystal Structure Database)를 사용함으로써 XRD 데이터를 해석할 수 있다.
Toyoki Okumura et al., "Correlation of lithium ion distribution and X-ray absorption near-edge structure in O3-and O2-lithium cobalt oxides from first-principle calculation", Journal of Materials Chemistry, 2012, 22, p.17340-17348
Motohashi, T. et al., "Electronic phase diagram of the layered cobalt oxide system LixCoO2(0.0≤x≤1.0)", Physical Review B, 80(16); 165114
Zhaohui Chen et al., "Staging Phase Transitions in LixCoO2", Journal of The Electrochemical Society, 2002, 149(12), A1604-A1609
W. E. Counts et al., "Fluoride Model Systems: II, The Binary Systems CaF2-BeF22, MgF2-BeF2, and LiF-MgF2", Journal of the American Ceramic Society, (1953), 36[1], 12-17. Fig.01471
Belsky, A. et al., "New developments in the Inorganic Crystal Structure Database(ICSD): accessibility in support of materials research and design", Acta Cryst., (2002), B58, 364-369.
그러나 리튬 이온 이차 전지 및 이에 사용되는 양극 활물질에는, 충방전 용량, 사이클 특성, 신뢰성, 안전성, 또는 비용과 같은 여러 면에서 개선의 여지가 남아 있다.
본 발명의 일 형태는 리튬 이온 이차 전지에 사용함으로써 충방전 사이클에 따른 용량 저하가 억제된 양극 활물질을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 충방전을 반복하여도 결정 구조가 붕괴되기 어려운 양극 활물질을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 충방전 용량이 큰 양극 활물질을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다. 또는 안전성 또는 신뢰성이 높은 이차 전지를 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
또한 본 발명의 일 형태는 양극 활물질, 축전 장치, 또는 이들의 제작 방법을 제공하는 것을 과제 중 하나로 한다.
또한 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 과제 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 또한 명세서, 도면, 청구항의 기재에서 이들 외의 과제가 추출될 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태는 타이타늄을 가지는 양극 활물질이고, 표면에 오목부를 가지고, 오목부의 내벽의 일부에 타이타늄을 가지는 양극 활물질이다.
상기에 있어서, 오목부는 깊이 100nm 이상, 폭 20nm 이상이면 바람직하다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 타이타늄과 마그네슘을 가지는 양극 활물질이고, 마그네슘 및 타이타늄이 편재한 영역을 가지는 양극 활물질이다.
상기에 있어서, 마그네슘 및 타이타늄이 편재한 영역은 양극 활물질의 표면 상에 존재하는 것이 바람직하다.
또한 상기에 있어서, 양극 활물질은 코발트 및 산소를 더 가지고, 코발트 및 산소는 균일하게 존재하는 것이 바람직하다.
또한 상기에 있어서, 양극 활물질은 리튬을 더 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기에 있어서, 마그네슘 및 타이타늄이 균일하게 존재하는 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기에 있어서, 마그네슘 및 타이타늄이 균일하게 존재하는 영역은 양극 활물질의 표면 상의 볼록부인 것이 바람직하다.
또한 상기에 있어서, 볼록부는 높이 50nm 이상의 부분을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기에 있어서, 양극 활물질은 니켈을 더 가지고, 니켈이 편재한 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 상기에 있어서, 양극 활물질은 알루미늄을 더 가지고, 양극 활물질은 표층부와 내부를 가지고, 표층부는 내부보다 알루미늄의 농도가 높은 것이 바람직하다.
또한 상기에 있어서, 양극 활물질은 플루오린을 더 가지고, 플루오린이 편재한 영역을 가지는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 상기 양극 활물질을 가지는 이차 전지이다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 상기 이차 전지를 가지는 전자 기기이다.
본 발명의 일 형태에 의하여 리튬 이온 이차 전지에 사용함으로써 충방전 사이클에 따른 용량 저하가 억제된 양극 활물질을 제공할 수 있다. 또는 충방전을 반복하여도 결정 구조가 붕괴되기 어려운 양극 활물질을 제공할 수 있다. 또는 충방전 용량이 큰 양극 활물질을 제공할 수 있다. 또는 안전성 또는 신뢰성이 높은 이차 전지를 제공할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태에 의하여 양극 활물질, 축전 장치, 또는 이들의 제작 방법을 제공할 수 있다.
또한 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것은 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 효과 모두를 반드시 가질 필요는 없다. 또한 이들 외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이며, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재에서 이들 외의 효과가 추출될 수 있다.
도 1의 (A)는 양극 활물질의 상면도이고, 도 1의 (B)는 양극 활물질의 단면도이다.
도 2의 (A)는 양극 활물질의 상면도이고, 도 2의 (B)는 양극 활물질의 단면도이다.
도 3의 (A)는 양극 활물질의 상면도이고, 도 3의 (B) 및 (C)는 양극 활물질의 단면도이다.
도 4는 양극 활물질의 충전 심도와 결정 구조를 설명하는 도면이다.
도 5는 비교예의 양극 활물질의 충전 심도와 결정 구조를 설명하는 도면이다.
도 6은 결정 구조에서 계산되는 XRD 패턴을 나타낸 도면이다.
도 7의 (A), (B), 및 (C)는 XRD에서 산출되는 격자 상수이다.
도 8의 (A), (B), 및 (C)는 XRD에서 산출되는 격자 상수이다.
도 9는 양극 활물질의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 10은 양극 활물질의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 11은 양극 활물질의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 12는 양극 활물질의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 13의 (A) 및 (B)는 도전재로서 그래핀 화합물을 사용한 경우의 활물질층의 단면도이다.
도 14의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 15의 (A) 내지 (C)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 16의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 17의 (A) 내지 (C)는 코인형 이차 전지를 설명하는 도면이다.
도 18의 (A) 내지 (D)는 원통형 이차 전지를 설명하는 도면이다.
도 19의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 20의 (A) 내지 (D)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 21의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 22는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 23의 (A) 내지 (C)는 래미네이트형 이차 전지를 설명하는 도면이다.
도 24의 (A) 및 (B)는 래미네이트형 이차 전지를 설명하는 도면이다.
도 25는 이차 전지의 외관을 나타낸 도면이다.
도 26은 이차 전지의 외관을 나타낸 도면이다.
도 27의 (A) 내지 (C)는 이차 전지의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 28의 (A) 내지 (H)는 전자 기기의 일례를 설명하는 도면이다.
도 29의 (A) 내지 (C)는 전자 기기의 일례를 설명하는 도면이다.
도 30은 전자 기기의 일례를 설명하는 도면이다.
도 31의 (A) 내지 (C)는 전자 기기의 일례를 설명하는 도면이다.
도 32의 (A) 내지 (C)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 33의 (A) 내지 (C)는 차량의 일례를 설명하는 도면이다.
도 34의 (A) 및 (B)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 34의 (C)는 양극 활물질의 선상 EDX 분석 결과의 그래프이다.
도 35의 (A) 및 (B)는 양극 활물질의 단면 STEM 이미지이다.
도 36의 (A) 내지 (C)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 37의 (A)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 37의 (B)는 양극 활물질의 단면 STEM 이미지이고, 도 37의 (C)는 양극 활물질의 단면 STEM 이미지이다.
도 38의 (A) 내지 (E)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 39의 (A)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 39의 (B) 및 (C)는 양극 활물질의 단면 STEM 이미지이다.
도 40의 (A) 내지 (G)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 41의 (A)는 양극 활물질의 볼록부의 극미(nanobeam) 전자 회절 이미지이고, 도 41의 (B)는 양극 활물질의 내부의 극미 전자 회절 이미지이다.
도 42는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 43은 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 44는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 45는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이다.
도 46의 (A)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 46의 (B) 내지 (G)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 47의 (A)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 47의 (B) 내지 (H)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 48은 양극 활물질의 XRD 패턴이다.
도 49의 (A) 및 (B)는 양극 활물질의 XRD 패턴이다.
도 50의 (A) 및 (B)는 양극 활물질의 XRD 패턴이다.
도 51의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 52는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 53의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 2의 (A)는 양극 활물질의 상면도이고, 도 2의 (B)는 양극 활물질의 단면도이다.
도 3의 (A)는 양극 활물질의 상면도이고, 도 3의 (B) 및 (C)는 양극 활물질의 단면도이다.
도 4는 양극 활물질의 충전 심도와 결정 구조를 설명하는 도면이다.
도 5는 비교예의 양극 활물질의 충전 심도와 결정 구조를 설명하는 도면이다.
도 6은 결정 구조에서 계산되는 XRD 패턴을 나타낸 도면이다.
도 7의 (A), (B), 및 (C)는 XRD에서 산출되는 격자 상수이다.
도 8의 (A), (B), 및 (C)는 XRD에서 산출되는 격자 상수이다.
도 9는 양극 활물질의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 10은 양극 활물질의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 11은 양극 활물질의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 12는 양극 활물질의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 13의 (A) 및 (B)는 도전재로서 그래핀 화합물을 사용한 경우의 활물질층의 단면도이다.
도 14의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 15의 (A) 내지 (C)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 16의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 17의 (A) 내지 (C)는 코인형 이차 전지를 설명하는 도면이다.
도 18의 (A) 내지 (D)는 원통형 이차 전지를 설명하는 도면이다.
도 19의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 20의 (A) 내지 (D)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 21의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 22는 이차 전지의 예를 설명하는 도면이다.
도 23의 (A) 내지 (C)는 래미네이트형 이차 전지를 설명하는 도면이다.
도 24의 (A) 및 (B)는 래미네이트형 이차 전지를 설명하는 도면이다.
도 25는 이차 전지의 외관을 나타낸 도면이다.
도 26은 이차 전지의 외관을 나타낸 도면이다.
도 27의 (A) 내지 (C)는 이차 전지의 제작 방법을 설명하는 도면이다.
도 28의 (A) 내지 (H)는 전자 기기의 일례를 설명하는 도면이다.
도 29의 (A) 내지 (C)는 전자 기기의 일례를 설명하는 도면이다.
도 30은 전자 기기의 일례를 설명하는 도면이다.
도 31의 (A) 내지 (C)는 전자 기기의 일례를 설명하는 도면이다.
도 32의 (A) 내지 (C)는 전자 기기의 일례를 나타낸 도면이다.
도 33의 (A) 내지 (C)는 차량의 일례를 설명하는 도면이다.
도 34의 (A) 및 (B)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 34의 (C)는 양극 활물질의 선상 EDX 분석 결과의 그래프이다.
도 35의 (A) 및 (B)는 양극 활물질의 단면 STEM 이미지이다.
도 36의 (A) 내지 (C)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 37의 (A)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 37의 (B)는 양극 활물질의 단면 STEM 이미지이고, 도 37의 (C)는 양극 활물질의 단면 STEM 이미지이다.
도 38의 (A) 내지 (E)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 39의 (A)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 39의 (B) 및 (C)는 양극 활물질의 단면 STEM 이미지이다.
도 40의 (A) 내지 (G)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 41의 (A)는 양극 활물질의 볼록부의 극미(nanobeam) 전자 회절 이미지이고, 도 41의 (B)는 양극 활물질의 내부의 극미 전자 회절 이미지이다.
도 42는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 43은 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 44는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 45는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이다.
도 46의 (A)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 46의 (B) 내지 (G)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 47의 (A)는 양극 활물질의 표면 SEM 이미지이고, 도 47의 (B) 내지 (H)는 양극 활물질의 EDX 매핑 이미지이다.
도 48은 양극 활물질의 XRD 패턴이다.
도 49의 (A) 및 (B)는 양극 활물질의 XRD 패턴이다.
도 50의 (A) 및 (B)는 양극 활물질의 XRD 패턴이다.
도 51의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 52는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
도 53의 (A) 및 (B)는 이차 전지의 사이클 특성을 나타내는 그래프이다.
이하에서 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 통상의 기술자라면 용이하게 이해된다. 또한 본 발명은 이하에 기재된 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
또한 본 명세서 등에 있어서, 결정면 및 방향의 표기에는 밀러 지수(Miller index)를 사용한다. 결정면을 나타내는 개별 면은 ()로 나타낸다. 결정학에서 결정면, 방향, 및 공간군의 표기로는 숫자 위에 바를 붙이지만, 본 명세서 등에서는 출원 표기의 제약상 숫자 위에 바를 붙이는 대신 숫자 앞에 -(마이너스 기호)를 붙여 표현하는 경우가 있다.
본 명세서 등에 있어서, 편석이란 복수의 원소(예를 들어 A, B, C)로 이루어지는 고체에서 어떤 원소(예를 들어 B)가 공간적으로 불균일하게 분포되는 현상을 말한다.
본 명세서 등에 있어서, 균일 또는 균질이란 복수의 원소(예를 들어 A, B, C)로 이루어지는 고체에서 어떤 원소(예를 들어 A)가 같은 특징을 가져 특정 영역에 분포되는 현상을 말한다. 또한 특정 영역들끼리 원소 농도가 실질적으로 동일하면 좋다. 예를 들어 특정 영역들의 원소 농도의 차가 10% 이내이면 된다. 특정 영역으로서는 예를 들어 표면, 볼록부, 오목부, 내부 등을 들 수 있다.
본 명세서 등에 있어서, 리튬과 전이 금속을 포함하는 복합 산화물이 가지는 층상 암염형 결정 구조란, 양이온과 음이온이 번갈아 배열된 암염형 이온 배열을 가지고 전이 금속과 리튬이 규칙적으로 배열되어 2차원 평면을 형성하기 때문에 리튬의 2차원적인 확산이 가능한 결정 구조를 말한다. 또한 양이온 또는 음이온의 결손 등의 결함이 있어도 좋다. 또한 층상 암염형 결정 구조는, 엄밀하게 말하자면 암염형 결정의 격자가 변형된 구조를 가지는 경우가 있다.
또한 본 명세서 등에 있어서, 암염형 결정 구조란 양이온과 음이온이 번갈아 배열된 구조를 말한다. 또한 양이온 또는 음이온의 결손이 있어도 좋다.
또한 본 명세서 등에 있어서, 리튬과 전이 금속을 포함하는 복합 산화물이 가지는 의사 스피넬형 결정 구조란 공간군 R-3m이고, 스피넬형 결정 구조가 아니지만 코발트, 마그네슘 등의 이온이 산소 6배위 위치를 차지하고, 양이온의 배열이 스피넬형과 비슷한 대칭성을 가지는 결정 구조를 말한다. 또한 의사 스피넬형 결정 구조에서는, 리튬 등의 경원소는 산소 4배위 위치를 차지하는 경우가 있고, 이러한 경우도 이온의 배열이 스피넬형과 비슷한 대칭성을 가진다.
또한 의사 스피넬형 결정 구조는 층간에 랜덤하게 Li을 가지지만 CdCl2형 결정 구조와 유사한 결정 구조라고도 할 수 있다. 이 CdCl2형과 유사한 결정 구조는 니켈산 리튬을 충전 심도 0.94까지 충전하였을 때(Li0.06NiO2)의 결정 구조와 가깝지만, 순수한 코발트산 리튬, 또는 코발트를 많이 포함하는 층상 암염형 양극 활물질은 일반적으로 이러한 결정 구조를 가지지 않는 것으로 알려져 있다.
층상 암염형 결정 및 암염형 결정의 음이온은 입방 최조밀 쌓임 구조(면심 입방 격자 구조)를 가진다. 의사 스피넬형 결정도, 음이온은 입방 최조밀 쌓임 구조를 가지는 것으로 추정된다. 이들이 접할 때 음이온으로 구성되는 입방 최조밀 쌓임 구조의 방향이 일치하는 결정면이 존재한다. 다만 층상 암염형 결정 및 의사 스피넬형 결정의 공간군은 R-3m이고, 암염형 결정의 공간군 Fm-3m(일반적인 암염형 결정의 공간군) 및 Fd-3m(가장 단순한 대칭성을 가지는 암염형 결정의 공간군)과는 다르기 때문에, 상기 조건을 만족시키는 결정면의 밀러 지수는 층상 암염형 결정 및 의사 스피넬형 결정과, 암염형 결정에서 다르다. 본 명세서에서는 층상 암염형 결정, 의사 스피넬형 결정, 및 암염형 결정에서, 음이온으로 구성되는 입방 최조밀 쌓임 구조의 방향이 일치하는 상태를, 결정 배향이 실질적으로 일치한다고 하는 경우가 있다.
2개의 영역의 결정 배향이 실질적으로 일치하는지는, TEM(transmission electron microscope) 이미지, STEM(scanning transmission electron microscope) 이미지, HAADF-STEM(high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscope) 이미지, ABF-STEM(annular bright-field scanning transmission electron microscope) 이미지 등에서 판단할 수 있다. X선 회절(XRD), 전자 회절, 중성자 회절 등도 판단의 재료로 할 수 있다. TEM 이미지 등에서는 양이온과 음이온의 배열이 밝은 선과 어두운 선의 반복으로서 관찰될 수 있다. 층상 암염형 결정과 암염형 결정에서 입방 최조밀 쌓임 구조의 방향이 일치하면, 결정 간에서 밝은 선과 어두운 선의 반복이 형성하는 각도가 5° 이하, 바람직하게는 2.5° 이하인 상태가 관찰될 수 있다. 또한 TEM 이미지 등에서 산소, 플루오린을 비롯한 경원소는 명확하게 관찰될 수 없는 경우가 있지만, 이러한 경우에는 금속 원소의 배열에 의하여 배향의 일치를 판단할 수 있다.
또한 본 명세서 등에 있어서, 양극 활물질의 이론 용량이란 양극 활물질이 가지는 삽입·탈리 가능한 리튬이 모두 탈리되었을 때의 전기량을 말한다. 예를 들어 LiCoO2의 이론 용량은 274mAh/g이고, LiNiO2의 이론 용량은 274mAh/g이고, LiMn2O4의 이론 용량은 148mAh/g이다.
또한 본 명세서 등에 있어서, 삽입·탈리 가능한 리튬이 모두 삽입되었을 때의 충전 심도를 0으로 하고, 양극 활물질이 가지는 삽입·탈리 가능한 리튬이 모두 탈리되었을 때의 충전 심도를 1로 한다.
본 명세서 등에 있어서, 충전이란 외부 회로에서 양극으로부터 음극으로 전자를 이동시키는 것을 말한다. 양극 활물질에 대해서는 리튬 이온을 탈리시키는 것을 충전이라고 한다. 또한 충전 심도가 0.74 이상 0.9 이하, 보다 자세하게는 충전 심도가 0.8 이상 0.83 이하의 양극 활물질을 고전압으로 충전된 양극 활물질이라고 한다. 그러므로 예를 들어 LiCoO2에 있어서, 219.2mAh/g 충전되어 있으면 고전압으로 충전된 양극 활물질이다. 또한 LiCoO2에 있어서, 25℃의 환경에서 충전 전압을 4.525V 이상 4.65V 이하(상대 전극이 리튬인 경우)로 하고 정전류 충전한 후, 전류값이 0.01C, 또는 정전류 충전 시의 전류값의 1/5에서 1/100 정도가 될 때까지 정전압 충전한 후의 양극 활물질도 고전압으로 충전된 양극 활물질이라고 한다.
마찬가지로, 방전이란 외부 회로에서 음극으로부터 양극으로 전자를 이동시키는 것을 말한다. 양극 활물질에 대해서는 리튬 이온을 삽입하는 것을 방전이라고 한다. 또한 충전 심도가 0.06 이하의 양극 활물질, 또는 고전압으로 충전된 상태로부터 충전 용량의 90% 이상의 용량이 방전된 양극 활물질을 충분히 방전된 양극 활물질이라고 한다. 예를 들어 LiCoO2에 있어서, 충전 용량이 219.2mAh/g이면 고전압으로 충전된 상태이고, 여기서 충전 용량의 90%인 197.3mAh/g 이상이 방전된 후의 양극 활물질은 충분히 방전된 양극 활물질이다. 또한 LiCoO2에 있어서, 25℃의 환경에서 전지 전압이 3V 이하(상대 전극이 리튬인 경우)가 될 때까지 정전류 방전된 후의 양극 활물질도 충분히 방전된 양극 활물질이라고 한다.
또한 본 명세서 등에 있어서, 본 발명의 일 형태의 양극 및 양극 활물질을 사용한 이차 전지로서 상대 전극에 리튬 금속을 사용하는 예를 나타내는 경우가 있지만, 본 발명의 일 형태의 이차 전지는 이에 한정되지 않는다. 음극에 다른 재료, 예를 들어 흑연, 타이타늄산 리튬 등을 사용하여도 좋다. 본 발명의 일 형태의 양극 및 양극 활물질이 가지는, 충방전을 반복하여도 결정 구조가 붕괴되기 어렵고 양호한 사이클 특성을 얻을 수 있다는 등의 성질은 음극의 재료로부터 영향을 받지 않는다. 또한 본 발명의 일 형태의 이차 전지에 대하여, 상대 전극으로서 리튬을 사용하여 충전 전압을 4.6V와 같은 비교적 높은 전압으로 충방전하는 예를 나타내는 경우가 있지만, 더 낮은 전압으로 충방전하여도 좋다. 더 낮은 전압으로 충방전하는 경우에는 본 명세서 등에서 제시하는 것보다 사이클 특성이 더 좋아지는 것으로 전망된다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 도 1 내지 도 6을 사용하여 본 발명의 일 형태의 양극 활물질에 대하여 설명한다.
도 1의 (A)는 본 발명의 일 형태인 양극 활물질(101)의 상면도의 일례이다. 도 1의 (A) 중의 A-B에서의 단면 모식도를 도 1의 (B)에 나타내었다.
<함유 원소와 분포>
양극 활물질(101)은 리튬과, 전이 금속 M과, 산소와, 불순물을 가진다. 양극 활물질(101)은 LiMO2로 나타내어지는 복합 산화물에 불순물이 첨가된 것이라고 하여도 좋다.
양극 활물질(101)이 가지는 전이 금속 M으로서는 리튬과 함께 공간군 R-3m에 속하는 층상 암염형 복합 산화물을 형성할 수 있는 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 망가니즈, 코발트, 니켈 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 즉 양극 활물질(101)이 가지는 전이 금속으로서 코발트만을 사용하여도 좋고, 니켈만을 사용하여도 좋고, 코발트와 망가니즈의 2종, 또는 코발트와 니켈의 2종을 사용하여도 좋고, 코발트, 망가니즈, 니켈의 3종을 사용하여도 좋다. 즉 양극 활물질(101)은, 코발트산 리튬, 니켈산 리튬, 코발트의 일부가 망가니즈로 치환된 코발트산 리튬, 코발트의 일부가 니켈로 치환된 코발트산 리튬, 니켈-망가니즈-코발트산 리튬 등, 리튬과 전이 금속 M을 포함하는 복합 산화물을 가질 수 있다. 전이 금속 M으로서 코발트에 더하여 니켈을 가지면, 고전압으로의 충전 상태에서 결정 구조가 더 안정화되는 경우가 있어 바람직하다.
양극 활물질(101)이 가지는 불순물로서는 마그네슘, 플루오린, 알루미늄, 타이타늄, 지르코늄, 바나듐, 철, 크로뮴, 나이오븀, 코발트, 비소, 아연, 실리콘, 황, 인, 붕소 중 적어도 하나를 사용하는 것이 바람직하다. 이들 원소가, 후술하는 바와 같이, 양극 활물질(101)이 가지는 결정 구조를 더 안정화시키는 경우가 있다. 즉 양극 활물질(101)은, 마그네슘 및 플루오린이 첨가된 코발트산 리튬, 마그네슘, 플루오린, 및 타이타늄이 첨가된 코발트산 리튬, 마그네슘 및 플루오린이 첨가된 니켈-코발트산 리튬, 마그네슘 및 플루오린이 첨가된 코발트-알루미늄산 리튬, 니켈-코발트-알루미늄산 리튬, 마그네슘 및 플루오린이 첨가된 니켈-코발트-알루미늄산 리튬, 마그네슘 및 플루오린이 첨가된 니켈-망가니즈-코발트산 리튬 등을 가질 수 있다. 또한 본 명세서 등에 있어서, 불순물은 양극 활물질(101)의 성질을 저하시키는 것이 아니다. 그러므로 불순물 대신에 첨가물, 혼합물, 원료의 일부 등이라고 하여도 좋다.
도 1의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 양극 활물질(101)은 표층부(101a)와 내부(101b)를 가진다. 표층부(101a)는 내부(101b)보다 불순물 농도가 높은 것이 바람직하다. 또한 도 1의 (B)에서 그러데이션으로 나타낸 바와 같이, 불순물의 농도 구배는 내부로부터 표면으로 향하여 높아지는 것이 바람직하다. 본 명세서 등에 있어서, 표층부(101a)란 양극 활물질(101)의 표면으로부터 10nm 정도까지의 영역을 말한다. 금이나 크랙(crack)에 의하여 생긴 면도 표면이라고 하여도 좋다. 또한 양극 활물질(101)의 표층부(101a)보다 깊은 영역을 내부(101b)라고 한다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)에서는, 충전에 의하여 양극 활물질(101)에서 리튬이 빠져도, 코발트 등의 전이 금속 M과 산소의 팔면체로 이루어지는 층상 구조가 붕괴되지 않도록 불순물 농도가 높은 표층부(101a), 즉 양극 활물질(101)의 외주부가 보강된다.
또한 불순물의 농도 구배는, 양극 활물질(101)의 표층부(101a) 전체에서 비슷한 것이 바람직하다. 불순물 농도의 높이에서 유래하는 보강이 표층부(101a)에 균질하게 존재하는 것이 바람직하다고 하여도 좋다. 표층부(101a)의 일부에 보강이 있어도, 보강이 없는 부분이 존재하면, 없는 부분에 응력이 집중될 우려가 있어 바람직하지 않기 때문이다. 입자의 일부에 응력이 집중되면 거기서 크랙 등의 결함이 생겨, 양극 활물질의 깨짐 및 충방전 용량의 저하로 이어질 우려가 있다.
마그네슘은 2가(價)이며, 층상 암염형 결정 구조에서의 전이 금속 자리보다 리튬 자리에 존재하는 것이 더 안정되기 때문에, 리튬 자리에 들어가기 쉽다. 마그네슘이 표층부(101a)의 리튬 자리에 적절한 농도로 존재함으로써 양극 활물질(101)이 가지는 층상 암염형 결정 구조를 유지하기 쉽게 할 수 있다. 마그네슘은 적절한 농도이면 충방전에 따른 리튬의 삽입 및 탈리에 악영향을 미치지 않아 바람직하다. 그러나 과잉이면 리튬의 삽입 및 탈리에 악영향을 미칠 우려가 있다. 후술하는 바와 같이, 표층부(101a)에서는 예를 들어 마그네슘보다 전이 금속의 농도가 높은 것이 바람직하다.
알루미늄은 3가이며, 산소와의 결합력이 강하다. 그러므로 불순물로서 알루미늄을 가지면 리튬 자리에 들어갔을 때 결정 구조의 변화가 억제될 수 있다. 그러므로 알루미늄을 첨가함으로써 충방전을 반복하여도 결정 구조가 붕괴되기 어려운 양극 활물질(101)로 할 수 있다.
이차 전지의 충전 전압의 상승에 따라, 양극의 전압은 일반적으로 상승한다. 본 발명의 일 형태의 양극 활물질은 높은 전압에서도 안정적인 결정 구조를 가진다. 충전 상태에서 양극 활물질의 결정 구조가 안정되어 있음으로써, 충방전의 반복에 따른 용량의 저하를 억제할 수 있다.
또한 이차 전지의 단락은 이차 전지의 충전 동작이나 방전 동작에서의 문제를 일으킬 뿐만 아니라, 발열 및 발화를 일으킬 우려가 있다. 안전한 이차 전지를 실현하기 위해서는 높은 충전 전압에서도 단락 전류가 억제되는 것이 바람직하다. 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)은 높은 충전 전압에서도 단락 전류가 억제된다. 그러므로 고용량과 안전성을 양립한 이차 전지로 할 수 있다.
불순물의 농도 구배는 예를 들어, 에너지 분산형 X선 분광법(EDX: Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)을 이용하여 평가할 수 있다. EDX 측정 중, 영역 내를 주사하면서 측정하고, 영역 내를 2차원적으로 평가하는 것을 EDX 면 분석이라고 부른다. 또한 선상으로 영역을 주사하면서 측정하고, 원자 농도에 대하여 양극 활물질 입자 내의 분포를 평가하는 것을 선 분석이라고 부른다. 또한 EDX의 면 분석에서 선상의 영역의 데이터를 추출한 것을 선 분석이라고 부르는 경우도 있다. 또한 어떤 영역에 대하여 주사하지 않고 측정하는 것을 점 분석이라고 부른다.
EDX 면 분석(예를 들어 원소 매핑)에 의하여 양극 활물질(101)의 표층부(101a), 내부(101b), 및 결정립계 근방, 그리고 후술하는 매립부(102), 볼록부(103) 등에서의 불순물 농도를 정량적으로 분석할 수 있다. 또한 EDX 선 분석에 의하여 불순물의 농도 분포 및 최댓값을 분석할 수 있다.
양극 활물질(101)이 불순물로서 마그네슘을 가지는 경우, EDX 선 분석을 수행하였을 때, 표층부(101a)의 마그네슘 농도의 피크는 양극 활물질(101)의 표면으로부터 중심을 향하여 깊이 3nm까지에 존재하는 것이 바람직하고, 깊이 1nm까지에 존재하는 것이 더 바람직하고, 깊이 0.5nm까지에 존재하는 것이 더욱 바람직하다.
또한 양극 활물질(101)이 불순물로서 마그네슘에 더하여 플루오린을 가지는 경우, 플루오린의 분포는 마그네슘의 분포와 중첩되는 것이 바람직하다. 따라서 EDX 선 분석을 수행하였을 때, 표층부(101a)의 플루오린 농도의 피크는 양극 활물질(101)의 표면으로부터 중심을 향하여 깊이 3nm까지에 존재하는 것이 바람직하고, 깊이 1nm까지에 존재하는 것이 더 바람직하고, 깊이 0.5nm까지에 존재하는 것이 더욱 바람직하다.
또한 모든 불순물의 농도 분포가 똑같지 않아도 된다. 예를 들어 양극 활물질(101)이 불순물로서 알루미늄을 가지는 경우에는, 알루미늄은 마그네슘 및 플루오린과 약간 분포가 다른 것이 바람직하다. 예를 들어 EDX 선 분석을 수행하였을 때, 표층부(101a)의 알루미늄 농도의 피크보다 마그네슘 농도의 피크가 표면에 가까운 것이 바람직하다. 예를 들어 알루미늄 농도의 피크는 양극 활물질(101)의 표면으로부터 중심을 향하여 깊이 0.5nm 이상 20nm 이하에 존재하는 것이 바람직하고, 깊이 1nm 이상 5nm 이하에 존재하는 것이 더 바람직하다.
또한 양극 활물질(101)에 대하여 선 분석 또는 면 분석을 수행하였을 때, 표층부(101a)에서의 불순물 I와 전이 금속 M의 원자수의 비(I/M)는 0.05 이상 1.00 이하가 바람직하다. 또한 불순물이 타이타늄인 경우, 타이타늄과 전이 금속 M의 원자수의 비(Ti/M)는 0.05 이상 0.4 이하가 바람직하고, 0.1 이상 0.3 이하가 더 바람직하다. 또한 불순물이 마그네슘인 경우, 마그네슘과 전이 금속 M의 원자수의 비(Mg/M)는 0.4 이상 1.5 이하가 바람직하고, 0.45 이상 1.00 이하가 더 바람직하다. 또한 불순물이 플루오린인 경우, 플루오린과 전이 금속 M의 원자수의 비(F/M)는 0.05 이상 1.5 이하가 바람직하고, 0.3 이상 1.00 이하가 더 바람직하다.
또한 양극 활물질(101)에 대하여 선 분석 또는 면 분석을 수행하였을 때, 결정립계 근방에서의 불순물 I와 전이 금속 M의 원자수의 비(I/M)는 0.020 이상 0.50 이하가 바람직하다. 0.025 이상 0.30 이하가 더 바람직하다. 0.030 이상 0.20 이하가 더욱 바람직하다. 예를 들어 불순물이 마그네슘이고, 전이 금속이 코발트인 경우에는, 마그네슘과 코발트의 원자수의 비(Mg/Co)는 0.020 이상 0.50 이하가 바람직하다. 0.025 이상 0.30 이하가 더 바람직하다. 0.030 이상 0.20 이하가 더욱 바람직하다.
또한 상술한 바와 같이, 양극 활물질(101)이 가지는 불순물은 과잉이면 리튬의 삽입 및 탈리에 악영향을 미칠 우려가 있다. 또한 양극 활물질(101)을 이차 전지에 사용하였을 때 저항의 상승, 용량의 저하 등을 일으킬 우려도 있다. 한편 불순물이 부족하면 표층부(101a) 전체에 분포되지 않아, 결정 구조를 유지하는 효과가 불충분해질 우려가 있다. 이와 같이, 불순물은 양극 활물질(101)에서 적절한 농도일 필요가 있지만, 그 조정은 용이하지 않다.
그러므로 예를 들어 양극 활물질(101)은 불순물이 편재한 영역을 가져도 좋다. 이러한 영역이 존재함으로써, 과잉의 불순물이 내부(101b)에서 제거되고, 내부(101b)에서의 불순물 농도를 적절하게 할 수 있다. 내부(101b)에서의 불순물 농도를 적절하게 함으로써, 이차 전지로 하였을 때의 저항의 상승, 용량의 저하 등을 억제할 수 있다. 이차 전지의 저항의 상승을 억제할 수 있다는 것은, 특히 높은 레이트에서의 충방전에 있어 매우 바람직한 특성이다.
또한 불순물이 편재한 영역을 가지는 양극 활물질(101)에서는, 제작 공정에 있어서 어느 정도 과잉으로 불순물을 혼합하는 것이 허용된다. 그러므로 생산에서의 마진이 넓어져 바람직하다.
또한 본 명세서 등에 있어서, 편재란 어떤 영역에서의 원소의 농도가 타 영역과 다른 것을 말한다. 편석, 석출, 불균일, 편중, 농도가 높다 또는 농도가 낮다 등이라고 하여도 좋다.
도 2의 (A) 내지 도 3의 (C)를 사용하여, 본 발명의 일 형태인, 불순물이 편재한 영역을 가지는 양극 활물질(101)의 예에 대하여 설명한다. 또한 불순물이 편재한 영역에서의 불순물은 예를 들어 화합물로서 존재한다. 그러므로 불순물로서 타이타늄이 편재한다고 설명하는 경우, 타이타늄 산화물 등의 타이타늄 화합물이 편재하는 것을 뜻한다. 타이타늄 금속이 편재하는 것만을 뜻하는 것이 아니다. 마찬가지로, 불순물 금속이 편재한다고 설명하는 경우, 불순물 금속의 산화물이나 플루오린화물 등, 불순물 금속의 화합물이 편재하는 것을 뜻한다.
도 2의 (A)는 본 발명의 일 형태인, 불순물이 편재한 영역으로서 매립부(102)를 가지는 양극 활물질(101)의 상면도이다. 도 2의 (A) 중의 C-D에서의 단면도를 도 2의 (B)에 나타내었다.
도 2의 (A) 및 (B)에 나타내어진 바와 같이, 양극 활물질(101)은 오목부(101c)를 가지는 경우가 있다. 오목부(101c)는 타 영역과 높이가 다른 영역이면 좋고, 예를 들어 크랙, 구덩이, 단면 V자형 등이라고 하여도 좋다. 오목부는 예를 들어, 깊이 10nm 이상, 나아가서는 100nm 이상으로 한다. 또한 예를 들어, 깊이 5μm 이하, 나아가서는 1μm 이하로 한다. 이때 양극 활물질(101)은 오목부(101c)의 일부를 메우는 매립부(102)를 가지는 것이 바람직하다. 매립부(102)는 오목부(101c)의 내벽의 적어도 일부에 부착된다. 오목부(101c)의 내벽의 적어도 일부에 매립부(102)를 가진다고 하여도 좋다. 매립부(102)는 오목부 내의 공간이라고 하여도 좋다. 매립부(102)에서는 불순물, 예를 들어 타이타늄, 마그네슘, 및 플루오린 중 적어도 하나의 농도가 내부(101b)보다 높은 것이 바람직하다.
타이타늄은 타이타늄 화합물, 예를 들어 산화 타이타늄으로서 매립부(102)에 존재하는 것이 바람직하다.
오목부(101c)는 양극 활물질(101)에서의 결함의 하나이고, 충방전을 반복하면 오목부(101c)에서 전이 금속의 용출, 결정 구조의 붕괴, 표층부 및 내부의 깨짐 등이 발생할 우려가 있다. 그러나 매립부(102)의 존재에 의하여 전이 금속의 용출 등을 억제할 수 있다. 그러므로 신뢰성 및 사이클 특성이 우수한 양극 활물질(101)로 할 수 있다.
도 3의 (A)는 본 발명의 일 형태인, 불순물이 편재한 영역으로서 볼록부(103)를 가지는 양극 활물질(101)의 상면도이다. 도 3의 (A) 중의 E-F에서의 단면도를 도 3의 (B) 또는 (C)에 나타내었다. 또한 볼록부란 타 부분과 높이가 다른 부분이면 좋고, 물방울상부, 콜로니상(colony狀)부, 구상(丘狀)부, 융기 등이라고도 할 수 있다. 또한 복수의 볼록부를 가지는 경우, 그 형상은 똑같지 않아도 된다. 볼록부(103)는 예를 들어, 높이가 50nm 이상인 부분을 가지는 것이 바람직하고, 100nm 이상이면 더 바람직하다. 또한 볼록부(103)의 높이는 표층부(101a)와 볼록부(103)의 계면으로부터의 높이로 한다. SEM 이미지, TEM 이미지 등의 현미경 이미지에서 볼록부(103)의 높이를 측정할 수 있다.
볼록부(103)는 양극 활물질(101) 표면 상에 존재하는 것이 바람직하다. 양극 활물질(101)이 불순물로서 플루오린과, 마그네슘 및 타이타늄과 같은 금속의 화합물의 양쪽을 가지는 경우에는, 도 3의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 볼록부(103)는 플루오린 고농도 영역(103a) 및 금속 불순물 고농도 영역(103b)을 가지는 것이 바람직하다. 플루오린 고농도 영역(103a)은 내부(101b) 및 금속 불순물 고농도 영역(103b)보다 플루오린의 농도가 높다. 금속 불순물 고농도 영역(103b)은 내부(101b) 및 플루오린 고농도 영역(103a)보다 금속 불순물의 농도가 높다. 양극 활물질(101)에서는, 양극 활물질(101) 상에 플루오린 고농도 영역(103a)을 덮어 금속 불순물 고농도 영역(103b)을 가지는 것이 바람직하다.
그리고 양극 활물질(101)의 표층부(101a)에는 적절한 농도의 타이타늄, 마그네슘, 및 플루오린 등의 불순물이 존재하는 것이 바람직하다. 불순물의 농도 구배는 양극 활물질(101)의 내부로부터 표면을 향하여 높아지는 것이 바람직하다.
또한 양극 활물질(101)이 전이 금속 M으로서 니켈을 가지는 경우, 니켈의 일부가 금속 불순물 고농도 영역(103b)에 존재하여도 좋다. 이때 금속 불순물 고농도 영역(103b)은 내부(101b) 및 플루오린 고농도 영역(103a)보다 니켈의 농도가 높아도 좋다.
또한 도 3의 (C)에 나타내어진 바와 같이, 볼록부(103)와 중첩되는 표층부(101a) 및 내부(101b)의 일부에 니켈 고농도 영역(101d)이 존재하여도 좋다. 니켈 고농도 영역(101d)은 양극 활물질(101)의 내부에 고용(固溶)되었던 니켈이 볼록부(103)로 끌어당겨진 흔적이라고 생각될 수 있다. 니켈 고농도 영역(101d)은 표층부(101a) 및 내부(101b)에서 니켈 고농도 영역(101d) 이외의 부분보다 니켈의 농도가 높고, 금속 불순물 고농도 영역(103b)보다 니켈 농도가 낮다.
또한 모든 불순물의 분포가 상술한 바와 같지 않아도 된다. 예를 들어 양극 활물질(101)이 불순물로서 알루미늄을 가지는 경우에는, 알루미늄은 마그네슘 또는 타이타늄과 분포가 다른 것이 바람직하다. 예를 들어 알루미늄은 볼록부(103)에는 거의 편재하지 않고, 양극 활물질(101)의 표층부(101a)에 존재하는 것이 바람직하다. 즉 볼록부(103)의 알루미늄 농도보다 표층부(101a)의 알루미늄 농도가 높은 것이 바람직하다.
또한 본 명세서 등에 있어서, 양극 활물질(101)이 가지는 불순물이 편재한 영역, 예를 들어 매립부(102) 및 볼록부(103)는 양극 활물질(101)과 다른 조성을 가지는 영역을 말한다. 양극 활물질(101)과 불순물이 편재한 영역은 결정 구조가 달라도 좋다. 예를 들어 양극 활물질(101)이 층상 암염형 결정 구조를 가지고, 불순물이 편재한 영역이 암염형, 스피넬형, 루틸형, 아나타제형, 또는 페로브스카이트형 결정 구조를 가져도 좋다. 또한 불순물이 편재한 영역은 비정질이어도 좋다. EDX, 단면 TEM, 표면 SEM, 전자 회절을 비롯한 각종 분석에 의하여, 다른 조성 또는 결정 구조를 가지는 영역인 것을 판단할 수 있다.
또한 매립부(102) 및 볼록부(103)는 유전율이 표층부(101a) 및 내부(101b)보다 높으면 더 바람직하다. 예를 들어 볼록부(103)의 유전율이 높으면 충방전 시에 볼록부(103)가 분극한다. 그 결과 마이너스에 대전(帶電)한 음극에 가까운 볼록부(103)와 표층부(101a)의 계면으로, 플러스 이온인 리튬 이온이 이동하기 쉬워진다. 결과적으로 리튬 이온의 삽입·탈리 반응 속도를 높인다. 그러므로 양극 활물질(101)을 이차 전지에 사용하였을 때의 레이트 특성이 향상되어 바람직하다.
예를 들어 매립부(102) 및 볼록부(103)가 마그네슘-타이타늄 산화물을 포함하면 코발트산 리튬보다 유전율이 높아지는 경우가 있어 바람직하다.
또한 양극 활물질(101)에서, 불순물에 포함되지 않는 리튬, 전이 금속, 및 산소는 균일하게 분포되어 있는 것이 바람직하다. 본 명세서 등에 있어서, 균일이란 실질적으로 균일하면 좋고, 예를 들어 원소 농도의 차가 10% 이내이면 좋다.
도 2 및 도 3에서는 불순물이 편재한 영역으로서 매립부(102) 및 볼록부(103)에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)이 가지는 불순물이 편재한 영역은 이에 한정되지 않는다. 양극 활물질(101)과 다른 조성을 가지는 영역이면 좋고, 매립 또는 융기 등의 형상에 한정되는 것이 아니다.
도 2 및 도 3의 양극 활물질(101)에서의, 표층부(101a)의 불순물의 농도 구배 등에 대해서는 도 1에 관한 기재를 참조할 수 있다.
<결정 구조>
코발트산 리튬(LiCoO2) 등, 층상 암염형 결정 구조를 가지는 재료는 방전 용량이 높아, 이차 전지의 양극 활물질로서 우수한 것이 알려져 있다. 층상 암염형 결정 구조를 가지는 재료로서 예를 들어, LiMO2로 나타내어지는 복합 산화물을 들 수 있다.
전이 금속 화합물에서의 얀-텔러 효과는 전이 금속의 d-오비탈의 전자수에 따라, 그 효과의 크기가 다른 것이 알려져 있다.
니켈을 가지는 화합물에서는 얀-텔러 효과로 인하여 변형이 발생하기 쉬운 경우가 있다. 따라서 LiNiO2에서, 고전압으로의 충방전을 수행한 경우, 변형에 기인하는 결정 구조의 붕괴가 발생할 우려가 있다. LiCoO2에서는, 얀-텔러 효과의 영향이 작은 것이 시사되므로 고전압으로의 충방전에 대한 내성이 더 우수한 경우가 있어 바람직하다.
도 4 및 도 5를 사용하여 양극 활물질에 대하여 설명한다. 도 4 및 도 5에서는 양극 활물질이 가지는 전이 금속 M으로서 코발트를 사용하는 경우에 대하여 설명한다.
<종래의 양극 활물질>
도 5에 나타내어진 양극 활물질은 후술하는 제작 방법에서 할로젠 및 마그네슘이 첨가되지 않는 코발트산 리튬(LiCoO2)이다. 도 5에 나타내어진 코발트산 리튬은 비특허문헌 1 및 비특허문헌 2 등에 기재된 바와 같이 충전 심도에 따라 결정 구조가 변화된다.
도 5에 나타내어진 바와 같이, 충전 심도가 0(방전 상태)인 코발트산 리튬은 공간군 R-3m의 결정 구조를 가지는 영역을 포함하고, 단위 격자 중에 CoO2층이 3층 존재한다. 그러므로 이 결정 구조를 O3형 결정 구조라고 하는 경우가 있다. 또한 CoO2층이란 코발트에 산소가 6배위한 팔면체 구조가 모서리 공유 상태로 평면에서 연속한 구조를 말한다.
또한 충전 심도가 1일 때는 공간군 P-3m1의 결정 구조를 가지고, 단위 격자 중에 CoO2층이 1층 존재한다. 그러므로 이 결정 구조를 O1형 결정 구조라고 하는 경우가 있다.
또한 충전 심도가 0.88 정도일 때의 코발트산 리튬은 공간군 R-3m의 결정 구조를 가진다. 이 구조는, P-3m1(O1)과 같은 CoO2 구조와 R-3m(O3)과 같은 LiCoO2 구조가 번갈아 적층된 구조라고도 할 수 있다. 그러므로 이 결정 구조를 H1-3형 결정 구조라고 하는 경우가 있다. 또한 실제로는 H1-3형 결정 구조는 단위 격자당 코발트 원자의 수가 다른 구조의 2배이다. 다만 도 5를 비롯하여 본 명세서에서는 다른 구조와 비교하기 쉽게 하기 위하여 H1-3형 결정 구조의 c축을 단위 격자의 2분의 1로 한 도면으로 나타내었다.
H1-3형 결정 구조는 일례로서, 비특허문헌 3에 기재가 있는 바와 같이, 단위 격자에서의 코발트와 산소의 좌표를 Co(0, 0, 0.42150±0.00016), O1(0, 0, 0.27671±0.00045), O2(0, 0, 0.11535±0.00045)로 나타낼 수 있다. O1 및 O2는 각각 산소 원자이다. 이와 같이, H1-3형 결정 구조는 1개의 코발트 및 2개의 산소를 사용한 단위 격자로 나타내어진다. 한편 후술하는 바와 같이, 본 발명의 일 형태의 의사 스피넬형 결정 구조는 바람직하게는 1개의 코발트 및 1개의 산소를 사용한 단위 격자로 나타내어진다. 이는 의사 스피넬 구조의 경우와 H1-3형 구조의 경우에서, 코발트와 산소의 대칭성이 다르고, 의사 스피넬 구조가 H1-3형 구조에 비하여 O3 구조에서의 변화가 더 작은 것을 시사한다. 양극 활물질이 가지는 결정 구조를 나타내는 단위 격자를 선택하는 데에 있어, 예를 들어 XRD 패턴의 릿펠트 해석(Rietveld analysis)에서 GOF(goodness of fit)의 값이 보다 작아지는 것을 사용하는 것이 더 바람직하다.
리튬 금속의 산화 환원 전위를 기준으로 충전 전압이 4.6V 이상이 될 정도로 높은 전압으로의 충전, 또는 충전 심도가 0.8 이상이 될 정도로 깊은 심도의 충전과 방전을 반복하면, 코발트산 리튬은 H1-3형 결정 구조와 방전 상태의 R-3m(O3) 구조 사이에서 결정 구조의 변화(즉 비평형(非平衡)적인 상(相)변화)를 반복하게 된다.
하지만 이 2개의 결정 구조들에는 CoO2층의 위치에 큰 차이가 있다. 도 5에서 점선 및 화살표로 나타낸 바와 같이, H1-3형 결정 구조에서는 CoO2층이 R-3m(O3)에서 크게 벗어나 있다. 이러한 큰 구조 변화는 결정 구조의 안정성에 악영향을 미칠 수 있다.
게다가 체적의 차이도 크다. 동수의 코발트 원자 당으로 비교하였을 때, H1-3형 결정 구조와 방전 상태의 O3형 결정 구조의 체적의 차이는 3.0% 이상이다.
또한 H1-3형 결정 구조가 가지는, P-3m1(O1) 등 CoO2층이 연속한 구조는 불안정한 가능성이 높다.
따라서 고전압으로의 충방전을 반복할수록 코발트산 리튬의 결정 구조는 붕괴된다. 결정 구조의 붕괴가 사이클 특성의 악화를 일으킨다. 이는, 결정 구조가 붕괴됨으로써 리튬이 안정적으로 존재할 수 있는 자리가 감소하고, 또한 리튬의 삽입·탈리가 어려워지기 때문이라고 생각된다.
<본 발명의 일 형태의 양극 활물질>
<<내부>>
본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)은 고전압으로의 충방전의 반복에 있어서, CoO2층의 위치에 차이가 나는 것을 저감할 수 있다. 또한 체적의 변화를 작게 할 수 있다. 따라서 본 발명의 일 형태의 양극 활물질은 우수한 사이클 특성을 실현할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태의 양극 활물질은 고전압의 충전 상태에서 안정적인 결정 구조를 가질 수 있다. 따라서 본 발명의 일 형태의 양극 활물질은 고전압의 충전 상태를 유지한 경우에 있어서, 단락이 발생되기 어려운 경우가 있다. 이러한 경우에는 안전성이 더 향상되기 때문에 바람직하다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질에서는, 충분히 방전된 상태와 고전압으로 충전된 상태에서, 결정 구조의 변화 및 동수의 전이 금속 원자당으로 비교한 경우의 체적의 차이가 작다.
양극 활물질(101)의 충방전 전후의 결정 구조를 도 4에 나타내었다. 양극 활물질(101)은 리튬과, 전이 금속 M으로서 코발트와, 산소를 가지는 복합 산화물이다. 상기에 더하여 불순물로서 마그네슘을 가지는 것이 바람직하다. 또한 불순물로서 플루오린, 염소 등의 할로젠을 가지는 것이 바람직하다.
도 4의 충전 심도 0(방전 상태)의 결정 구조는 도 5와 같은 R-3m(O3)이다. 한편 양극 활물질(101)은 충분히 충전된 충전 심도의 경우, H1-3형 결정 구조와는 다른 구조의 결정을 가진다. 본 구조는 공간군 R-3m이고, 스피넬형 결정 구조가 아니지만, 코발트, 마그네슘 등의 이온이 산소 6배위 위치를 차지하고, 양이온의 배열이 스피넬형과 비슷한 대칭성을 가진다. 따라서 본 구조를 본 명세서 등에서는 의사 스피넬형 결정 구조라고 부른다. 또한 도 4에 나타내어진 의사 스피넬형 결정 구조의 도면에서는 코발트 원자의 대칭성과 산소 원자의 대칭성을 설명하기 위하여 리튬의 표시를 생략하였지만, 실제로는 CoO2층들 간에, 코발트에 대하여 예를 들어 20atomic% 이하의 리튬이 존재한다. 또한 O3형 결정 구조 및 의사 스피넬형 결정 구조는 둘 다, CoO2층들 간, 즉 리튬 자리에 마그네슘이 희박하게 존재하는 것이 바람직하다. 또한 산소 자리에 플루오린 등의 할로젠이 랜덤하며 희박하게 존재하는 것이 바람직하다.
또한 의사 스피넬형 결정 구조에서는, 리튬 등의 경원소는 산소 4배위 위치를 차지하는 경우가 있고, 이러한 경우도 이온의 배열이 스피넬형과 비슷한 대칭성을 가진다.
또한 의사 스피넬형 결정 구조는 층간에 랜덤하게 Li을 가지지만 CdCl2형 결정 구조와 유사한 결정 구조라고도 할 수 있다. 이 CdCl2형과 유사한 결정 구조는 니켈산 리튬을 충전 심도 0.94까지 충전하였을 때(Li0.06NiO2)의 결정 구조와 가깝지만, 순수한 코발트산 리튬, 또는 코발트를 많이 포함하는 층상 암염형 양극 활물질은 일반적으로 이러한 결정 구조를 가지지 않는 것으로 알려져 있다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)에서는, 고전압으로 충전되어 대량의 리튬이 탈리되었을 때의 결정 구조의 변화가 종래의 양극 활물질보다 억제된다. 예를 들어 도 4에서 점선으로 나타낸 바와 같이, 이 결정 구조들 사이에서는 CoO2층의 위치의 차이가 거의 없다.
보다 자세하게 설명하면, 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)은 충전 전압이 높은 경우에도 구조의 안정성이 높다. 예를 들어 종래의 양극 활물질은 리튬 금속의 전위를 기준으로 4.6V 정도의 전압에서는 H1-3형 결정 구조가 된다. 한편 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)에서는 4.6V 정도의 충전 전압에서도 R-3m(O3)의 결정 구조를 유지할 수 있는 영역이 존재하고, 충전 전압을 더 높인 범위, 예를 들어 리튬 금속의 전위를 기준으로 4.65V 내지 4.7V 정도의 전압에서도 의사 스피넬형 결정 구조를 가질 수 있는 영역이 존재한다. 충전 전압을 더욱 높이면 겨우 H1-3형 결정이 관측되는 경우가 있다. 또한 이차 전지에서, 음극 활물질로서 예컨대 흑연을 사용하는 경우에는 예를 들어 이차 전지의 충전 전압이 4.3V 이상 4.5V 이하에서도 R-3m(O3)의 결정 구조를 유지할 수 있는 영역이 존재하고, 충전 전압을 더 높인 범위, 예를 들어 리튬 금속의 전위를 기준으로 4.35V 이상 4.55V 이하에서도 의사 스피넬형 결정 구조를 가질 수 있는 영역이 존재한다.
그러므로 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)에서는 고전압으로 충방전을 반복하여도 결정 구조가 붕괴되기 어렵다.
또한 의사 스피넬형 결정 구조는 단위 격자에서의 코발트와 산소의 좌표를 Co(0, 0, 0.5), O(0, 0, x), 0.20≤x≤0.25의 범위 내로 나타낼 수 있다.
CoO2층들 간, 즉 리튬 자리에 랜덤하며 희박하게 존재하는 불순물, 예를 들어 마그네슘에는 고전압으로의 충전 시에 CoO2층의 위치에 차이가 나는 것을 저감할 수 있는 효과가 있다. 따라서 CoO2층들 간에 마그네슘이 존재하면 의사 스피넬형 결정 구조가 되기 쉬워진다. 그러므로 마그네슘은 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 입자 전체에 분포되는 것이 바람직하다. 또한 입자 전체에 마그네슘을 분포시키기 위하여 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 제작 공정에서 가열 처리를 수행하는 것이 바람직하다.
그러나 가열 처리의 온도가 지나치게 높으면 양이온 혼합(cation mixing)이 일어나 불순물, 예를 들어 마그네슘이 코발트 자리에 들어갈 가능성이 높아진다. 코발트 자리에 존재하는 마그네슘에는 고전압으로의 충전 시에 R-3m 구조를 유지하는 효과가 없다. 또한 가열 처리의 온도가 지나치게 높으면 코발트가 환원되어 2가가 되거나, 리튬이 증발된다는 등의 악영향도 우려된다.
그래서 입자 전체에 마그네슘을 분포시키기 위한 가열 처리 전에, 플루오린 화합물 등의 할로젠 화합물을 코발트산 리튬에 첨가하는 것이 바람직하다. 할로젠 화합물을 첨가함으로써 코발트산 리튬의 융점 강하가 일어난다. 융점 강하시킴으로써 양이온 혼합이 일어나기 어려운 온도에서 입자 전체에 마그네슘을 분포시키는 것이 용이해진다. 또한 플루오린 화합물이 존재하면, 전해액이 분해되어 생긴 플루오린화 수소산에 대한 내식성이 향상되는 것을 기대할 수 있다.
또한 마그네슘 농도를 원하는 값 이상으로 높게 하면, 결정 구조의 안정화에 대한 효과가 작게 되는 경우가 있다. 마그네슘이 리튬 자리뿐만 아니라, 코발트 자리에도 들어가게 되기 때문이라고 생각된다. 본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 가지는 마그네슘의 원자수는 전이 금속 M의 원자수의 0.001배 이상 0.1배 이하가 바람직하고, 0.01배보다 크고 0.04배 미만이 더 바람직하고, 0.02배 정도가 더욱 바람직하다. 여기서 제시하는 마그네슘의 농도는 예를 들어, ICP-MS(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry) 등을 이용하여 양극 활물질의 입자 전체를 원소 분석하여 얻어진 값이어도 좋고, 양극 활물질의 제작 과정에서의 원료의 배합의 값에 기초하여도 좋다.
코발트산 리튬에 코발트 이외의 금속(이하 금속 Z)으로서 예를 들어 니켈, 알루미늄, 망가니즈, 타이타늄, 바나듐, 및 크로뮴에서 선택되는 하나 이상의 금속을 첨가하여도 좋고, 특히 니켈 및 알루미늄 중 하나 이상을 첨가하는 것이 바람직하다. 망가니즈, 타이타늄, 바나듐, 및 크로뮴은 안정적으로 4가를 취하기 쉬운 경우가 있어, 구조 안정화에 크게 기여하는 경우가 있다. 금속 Z를 첨가함으로써 본 발명의 일 형태의 양극 활물질에서는 예를 들어, 고전압으로의 충전 상태에서 결정 구조가 더 안정되는 경우가 있다. 여기서 본 발명의 일 형태의 양극 활물질에 있어서, 금속 Z는 코발트산 리튬의 결정성을 크게 바꾸지 않는 농도로 첨가되는 것이 바람직하다. 예를 들어 상술한 얀-텔러 효과 등이 발현되지 않을 정도의 양인 것이 바람직하다.
도 4 중의 범례로 나타낸 바와 같이, 니켈, 망가니즈를 비롯한 전이 금속 및 알루미늄은 코발트 자리에 존재하는 것이 바람직하지만, 일부가 리튬 자리에 존재하여도 좋다. 또한 마그네슘은 리튬 자리에 존재하는 것이 바람직하다. 산소는 일부가 플루오린과 치환되어 있어도 좋다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질의 마그네슘 농도가 높아질수록 양극 활물질의 용량이 감소되는 경우가 있다. 그 요인으로서 예를 들어, 리튬 자리에 마그네슘이 들어감으로써 충방전에 기여하는 리튬량이 감소된다는 가능성이 생각된다. 또한 과잉의 마그네슘이 충방전에 기여하지 않는 마그네슘 화합물을 생성하는 경우도 있다. 본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 마그네슘에 더하여 금속 Z로서 니켈을 가짐으로써, 중량당 및 체적당 용량을 높일 수 있는 경우가 있다. 또한 본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 마그네슘에 더하여 금속 Z로서 알루미늄을 가짐으로써, 중량당 및 체적당 용량을 높일 수 있는 경우가 있다. 또한 본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 마그네슘에 더하여 니켈 및 알루미늄을 가짐으로써, 중량당 및 체적당 용량을 높일 수 있는 경우가 있다.
이하에서 본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 가지는 마그네슘, 금속 Z 등의 원소의 농도를 원자수를 사용하여 나타낸다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 가지는 니켈의 원자수는 코발트의 원자수의 7.5% 이하가 바람직하고, 0.05% 이상 4% 이하가 더 바람직하고, 0.1% 이상 2% 이하가 더욱 바람직하다. 여기서 제시하는 니켈의 농도는 예를 들어, ICP-MS 등을 이용하여 양극 활물질의 입자 전체를 원소 분석하여 얻어진 값이어도 좋고, 양극 활물질의 제작 과정에서의 원료의 배합의 값에 기초하여도 좋다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 가지는 알루미늄의 원자수는 코발트의 원자수의 0.05% 이상 4% 이하가 바람직하고, 0.1% 이상 2% 이하가 더 바람직하다. 여기서 제시하는 알루미늄의 농도는 예를 들어, ICP-MS 등을 이용하여 양극 활물질의 입자 전체를 원소 분석하여 얻어진 값이어도 좋고, 양극 활물질의 제작 과정에서의 원료의 배합의 값에 기초하여도 좋다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질은 원소 X를 가지는 것이 바람직하고, 원소 X로서 인을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 본 발명의 일 형태의 양극 활물질은 인과 산소를 포함하는 화합물을 가지는 것이 더 바람직하다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 원소 X를 포함하는 화합물을 가짐으로써 고전압의 충전 상태를 유지한 경우에서, 단락이 발생되기 어려운 경우가 있다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 원소 X로서 인을 가지는 경우에는 전해액의 분해에 의하여 발생한 플루오린화 수소와 인이 반응하여 전해액 중의 플루오린화 수소 농도가 저하될 가능성이 있다.
전해액이 LiPF6을 가지는 경우, 가수 분해에 의하여 플루오린화 수소가 발생하는 경우가 있다. 또한 양극의 구성요소로서 사용되는 PVDF와 알칼리의 반응에 의하여 플루오린화 수소가 발생하는 경우도 있다. 전해액 중의 플루오린화 수소 농도가 저하됨으로써 집전체의 부식이나 피막의 벗겨짐을 억제할 수 있는 경우가 있다. 또한 PVDF의 겔화나 불용화로 인한 접착성의 저하를 억제할 수 있는 경우가 있다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 원소 X에 더하여 마그네슘을 가지는 경우, 고전압의 충전 상태에서의 안정성이 매우 높다. 원소 X가 인인 경우, 인의 원자수는 코발트의 원자수의 1% 이상 20% 이하가 바람직하고, 2% 이상 10% 이하가 더 바람직하고, 3% 이상 8% 이하가 더욱 바람직하고, 또한 마그네슘의 원자수는 코발트의 원자수의 0.1% 이상 10% 이하가 바람직하고, 0.5% 이상 5% 이하가 더 바람직하고, 0.7% 이상 4% 이하가 더욱 바람직하다. 여기서 제시하는 인 및 마그네슘의 농도는 예를 들어, ICP-MS 등을 이용하여 양극 활물질의 입자 전체를 원소 분석하여 얻어진 값이어도 좋고, 양극 활물질의 제작 과정에서의 원료의 배합의 값에 기초하여도 좋다.
양극 활물질이 크랙을 가지는 경우, 그 내부에 인, 더 구체적으로는 예를 들어 인과 산소를 포함하는 화합물이 존재함으로써 크랙의 진행이 억제되는 경우가 있다.
<<표층부(101a)>>
마그네슘은 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 입자 전체에 분포되는 것이 바람직하고, 이에 더하여 표층부(101a)의 마그네슘 농도가 입자 전체의 평균보다 높은 것이 더 바람직하다. 예를 들어 XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) 등으로 측정되는 표층부(101a)의 마그네슘 농도가 ICP-MS 등으로 측정되는 입자 전체의 평균의 마그네슘 농도보다 높은 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)이 코발트 이외의 원소, 예를 들어 니켈, 알루미늄, 망가니즈, 철, 및 크로뮴에서 선택되는 하나 이상의 금속을 가지는 경우에 있어서, 표층부(101a)에서의 상기 금속의 농도가 입자 전체의 평균보다 높은 것이 바람직하다. 예를 들어 XPS 등으로 측정되는 표층부(101a)의 코발트 이외의 원소의 농도가 ICP-MS 등으로 측정되는 입자 전체의 상기 원소의 농도의 평균보다 높은 것이 바람직하다.
입자 표면은 이를테면 전부가 결정 결함이며, 게다가 충전 시에는 표면에서 리튬이 빠져나가기 때문에 내부보다 리튬 농도가 낮아지기 쉬운 부분이다. 그러므로 불안정해지기 쉬워 결정 구조가 붕괴되기 쉬운 부분이다. 표층부(101a)의 마그네슘 농도가 높으면 결정 구조의 변화를 더 효과적으로 억제할 수 있다. 또한 표층부(101a)의 마그네슘 농도가 높으면 전해액이 분해되어 생긴 플루오린화 수소산에 대한 내식성이 향상되는 것도 기대할 수 있다.
또한 플루오린 등의 할로젠도 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 표층부(101a)에서의 농도가 입자 전체의 평균보다 높은 것이 바람직하다. 전해액에 접하는 영역인 표층부(101a)에 할로젠이 존재함으로써, 플루오린화 수소산에 대한 내식성을 효과적으로 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 표층부(101a)는 내부(101b)보다 불순물, 예를 들어 마그네슘 및 플루오린의 농도가 높은, 내부와 다른 조성인 것이 바람직하다. 또한 그 조성으로서 상온에서 안정적인 결정 구조를 가지는 것이 바람직하다. 따라서 표층부(101a)는 내부(101b)와 다른 결정 구조를 가져도 좋다. 예를 들어 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 표층부(101a) 중 적어도 일부가 암염형 결정 구조 가져도 좋다. 또한 표층부(101a)와 내부(101b)가 다른 결정 구조를 가지는 경우, 표층부(101a)와 내부(101b)의 결정 배향이 실질적으로 일치하는 것이 바람직하다.
표층부(101a)와 내부(101b)의 결정의 배향이 실질적으로 일치한다는 것은, 표층부(101a)와 내부(101b)가 안정된 결합을 가지는 것을 뜻한다. 그러므로 양극 활물질(101)을 이차 전지에 사용하였을 때, 충방전에 의하여 일어나는 내부(101b)의 결정 구조의 변화를 효과적으로 억제할 수 있다. 또한 충전에 의하여 내부(101b)에서 리튬이 빠진 상태가 되어도, 안정된 결합을 가지는 표층부(101a)에 의하여 내부(101b)에서 코발트 및/또는 산소가 탈리하는 것을 억제할 수 있다. 또한 전해액과 접촉하는 영역을 화학적으로 안정된 재료로 할 수 있다. 그러므로 사이클 특성이 우수한 이차 전지로 할 수 있다.
다만 표층부(101a)가, MgO만을 포함하거나 또는 MgO과 CoO(II)가 고용된 구조만을 가지면 리튬의 삽입·탈리가 어려워진다. 그러므로 표층부(101a)는 적어도 코발트를 가지고 방전 상태에서는 리튬도 가져, 리튬의 삽입·탈리 경로를 가질 필요가 있다. 또한 마그네슘보다 코발트의 농도가 높은 것이 바람직하다.
또한 원소 X는 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 입자의 표층부(101a)에 위치하는 것이 바람직하다. 예를 들어 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)은 원소 X를 가지는 피막에 덮여 있어도 좋다.
<<입계>>
본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)이 가지는 불순물은 내부에 랜덤하며 희박하게 존재하여도 좋지만, 일부는 입계에 편석되는 것이 더 바람직하다.
환언하면, 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 결정립계 및 그 근방의 불순물 농도도 내부의 다른 영역보다 높은 것이 바람직하다.
입자 표면과 마찬가지로 결정립계도 면 결함이다. 그러므로 불안정해지기 쉬워 결정 구조의 변화가 시작되기 쉽다. 그러므로 결정립계 및 그 근방의 마그네슘 농도가 높으면 결정 구조의 변화를 더 효과적으로 억제할 수 있다.
또한 결정립계 및 그 근방의 불순물 농도가 높은 경우, 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 입자의 결정립계를 따라 크랙이 생긴 경우에도, 크랙에 의하여 생긴 표면 근방에서 불순물 농도가 높아진다. 따라서 크랙이 생긴 후의 양극 활물질도 플루오린화 수소산에 대한 내식성을 높일 수 있다.
또한 본 명세서 등에 있어서, 결정립계의 근방이란 입계로부터 10nm 정도까지의 영역을 말한다.
<<입경>>
본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 입경은 지나치게 크면 리튬의 확산이 어려워지거나 집전체에 코팅하였을 때 활물질층의 표면이 지나치게 거칠어진다는 등의 문제가 있다. 한편, 지나치게 작으면 집전체에 코팅하였을 때 활물질층을 담지(擔持)하기 어렵게 되거나 전해액과의 반응이 과잉으로 진행된다는 등의 문제도 생긴다. 그러므로 평균 입경(D50: 메디안경이라고도 함)이 1μm 이상 100μm 이하인 것이 바람직하고, 2μm 이상 40μm 이하인 것이 더 바람직하고, 5μm 이상 30μm 이하인 것이 더욱 바람직하다.
<분석 방법>
어떤 양극 활물질이 고전압으로 충전되었을 때 의사 스피넬형 결정 구조를 가지는 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)인지 여부는, 고전압으로 충전된 양극을 XRD, 전자 회절, 중성자 회절, 전자 스핀 공명(ESR), 핵자기 공명(NMR) 등을 사용하여 해석함으로써 판단할 수 있다. 특히 XRD는, 양극 활물질이 가지는 코발트 등의 전이 금속의 대칭성을 고분해능으로 분석할 수 있거나, 결정성의 높이 및 결정의 배향성을 비교할 수 있거나, 격자의 주기성 변형 및 결정자 크기의 해석이 가능하거나, 이차 전지를 해체하여 얻은 양극을 그대로 측정하여도 충분한 정확도를 얻을 수 있다는 등의 점에서 바람직하다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)은 상술한 바와 같이, 고전압으로 충전한 상태와 방전 상태 사이에서 체적 및 결정 구조의 변화가 적다는 것이 특징이다. 고전압으로 충전한 상태에서 방전 상태와의 변화가 큰 결정 구조가 50wt% 이상을 차지하는 재료는 고전압으로의 충방전에 견딜 수 없기 때문에 바람직하지 않다. 그리고 불순물 원소를 첨가하는 것만으로는 목적하는 결정 구조를 가지지 않는 경우가 있다는 점에 주의하여야 한다. 예를 들어 마그네슘 및 플루오린을 가지는 코발트산 리튬이라는 점에서 공통적이어도, 고전압으로 충전한 상태에서, 의사 스피넬형 결정 구조가 60wt% 이상을 차지하는 경우와, H1-3형 결정 구조가 50wt% 이상을 차지하는 경우가 있다. 또한 소정의 전압으로는 의사 스피넬형 결정 구조가 거의 100wt%가 되고, 상기 소정의 전압을 더 올리면 H1-3형 결정 구조가 발생하는 경우도 있다. 따라서 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)인지 여부를 판단하기 위해서는 XRD를 비롯한 결정 구조에 대한 해석이 필요하다.
다만 고전압으로 충전한 상태 또는 방전 상태의 양극 활물질은 대기에 노출되면 결정 구조의 변화를 일으키는 경우가 있다. 예를 들어 의사 스피넬형 결정 구조에서 H1-3형 결정 구조로 변화되는 경우가 있다. 따라서 시료는 모두 아르곤 분위기 등의 불활성 분위기에서 취급하는 것이 바람직하다.
<<충전 방법>>
어떤 복합 산화물이 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)인지 여부를 판단하기 위한 고전압 충전은 예를 들어, 상대 전극이 리튬인 코인 셀(CR2032형, 지름 20mm 높이 3.2mm)을 제작하여 충전할 수 있다.
더 구체적으로는, 양극에는 양극 활물질, 도전 조제, 및 바인더를 혼합한 슬러리를 알루미늄박의 양극 집전체에 코팅한 것을 사용할 수 있다.
상대 전극에는 리튬 금속을 사용할 수 있다. 또한 상대 전극에 리튬 금속 이외의 재료를 사용하였을 때는 이차 전지의 전위와 양극의 전위가 달라진다. 본 명세서 등에서 전압 및 전위는 특별히 언급하지 않은 한 양극의 전위이다.
전해액이 가지는 전해질로서는 1mol/L의 육플루오린화 인산 리튬(LiPF6)을 사용하고, 전해액으로서는 에틸렌카보네이트(EC)와 다이에틸카보네이트(DEC)가 EC:DEC=3:7(체적비)로, 바이닐렌카보네이트(VC)가 2wt%로 혼합된 것을 사용할 수 있다.
세퍼레이터로서는 두께 25μm의 폴리프로필렌을 사용할 수 있다.
양극 캔 및 음극 캔으로서는 스테인리스(SUS)로 형성된 것을 사용할 수 있다.
상기 조건으로 제작한 코인 셀을 4.6V, 0.5C로 정전류 충전한 다음에 전류값이 0.01C가 될 때까지 정전압 충전한다. 또한 여기서는 1C를 137mA/g으로 한다. 온도는 25℃로 한다. 이러한 식으로 충전한 후에 코인 셀을 아르곤 분위기의 글로브 박스에서 해체하여 양극을 꺼내면 고전압으로 충전된 양극 활물질을 얻을 수 있다. 나중에 각종 분석을 수행하는 경우, 외계 성분과의 반응을 억제하기 위하여 아르곤 분위기에서 밀봉하는 것이 바람직하다. 예를 들어 XRD는 아르곤 분위기의 밀폐 용기 내에 봉입하여 수행할 수 있다.
<<XRD>>
의사 스피넬형 결정 구조와 H1-3형 결정 구조의 모델에서 계산되는, CuKα1선을 사용한 이상적인 분말 XRD 패턴을 도 6에 나타내었다. 또한 비교를 위하여 충전 심도 0의 LiCoO2(O3)과 충전 심도 1의 CoO2(O1)의 결정 구조에서 계산되는 이상적인 XRD 패턴도 나타내었다. 또한 LiCoO2(O3) 및 CoO2(O1)의 패턴은 ICSD(비특허문헌 5 참조)에서 입수한 결정 구조 정보에서, Materials Studio(BIOVIA)의 모듈 중 하나인 Reflex Powder Diffraction을 사용하여 작성하였다. 2θ의 범위를 15° 내지 75°로, Step size=0.01로, 파장 λ1=1.540562×10-10m로 하였고, λ2는 설정하지 않았고, 싱글 모노크로메이터를 사용하였다. H1-3형 결정 구조의 패턴은 비특허문헌 3에 기재된 결정 구조 정보에서 같은 식으로 작성하였다. 의사 스피넬형 결정 구조의 패턴은 본 발명의 일 형태의 양극 활물질의 XRD 패턴으로부터 결정 구조를 추정하고, TOPAS ver.3(Bruker Corporation 제조의 결정 구조 해석 소프트웨어)을 사용하여 피팅하고 다른 구조와 같은 식으로 XRD 패턴을 작성하였다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 의사 스피넬형 결정 구조에서는 2θ=19.30±0.20°(19.10° 이상 19.50° 이하) 및 2θ=45.55±0.10°(45.45° 이상 45.65° 이하)에 회절 피크가 출현한다. 보다 자세하게는 2θ=19.30±0.10°(19.20° 이상 19.40° 이하) 및 2θ=45.55±0.05°(45.50° 이상 45.60° 이하)에 날카로운 회절 피크가 출현한다. 그러나 H1-3형 결정 구조 및 CoO2(P-3m1, O1)에서는 이들 위치에 피크가 출현하지 않는다. 따라서 고전압으로 충전된 상태에서 2θ=19.30±0.20° 및 2θ=45.55±0.10°의 피크가 출현한다는 것은 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)의 특징이라고 할 수 있다.
이는, 충전 심도 0의 결정 구조와 고전압으로 충전하였을 때의 결정 구조에서 XRD의 회절 피크가 출현하는 위치가 가깝다고도 할 수 있다. 더 구체적으로는, 양자의 주된 회절 피크 중 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상에서, 피크가 출현하는 위치의 차이가 2θ=0.7 이하, 바람직하게는 2θ=0.5 이하이라고 할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)은 고전압으로 충전하였을 때 의사 스피넬형 결정 구조를 가지지만, 반드시 모든 입자가 의사 스피넬형 결정 구조일 필요는 없다. 다른 결정 구조를 포함하여도 좋고, 일부가 비정질이어도 좋다. 다만 XRD 패턴에 대하여 릿펠트 해석을 수행하였을 때, 의사 스피넬형 결정 구조가 50wt% 이상인 것이 바람직하고, 60wt% 이상인 것이 더 바람직하고, 66wt% 이상인 것이 더욱 바람직하다. 의사 스피넬형 결정 구조가 50wt% 이상, 바람직하게는 60wt% 이상, 더 바람직하게는 66wt% 이상이면 사이클 특성이 충분히 우수한 양극 활물질로 할 수 있다.
또한 측정을 시작해서 100사이클 이상의 충방전을 거쳐도, 릿펠트 해석을 수행하였을 때 의사 스피넬형 결정 구조가 35wt% 이상인 것이 바람직하고, 40wt% 이상인 것이 더 바람직하고, 43wt% 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또한 양극 활물질 입자가 가지는 의사 스피넬형 결정 구조의 결정자 크기는 방전 상태의 LiCoO2(O3)의 10분의 1 정도까지만 저하된다. 따라서 충방전 전의 양극과 같은 XRD 측정 조건이더라도, 고전압 충전 후에 의사 스피넬형 결정 구조의 명확한 피크가 확인될 수 있다. 한편 단순한 LiCoO2에서는, 일부가 의사 스피넬형 결정 구조와 비슷한 구조를 가질 수 있더라도, 결정자 크기가 작아지고 피크는 넓고 작아진다. 결정자 크기는 XRD 피크의 반치폭에서 구할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질에서는 상술한 바와 같이, 얀-텔러 효과의 영향이 작은 것이 바람직하다. 본 발명의 일 형태의 양극 활물질은 층상 암염형 결정 구조를 가지고, 전이 금속으로서 코발트를 주로 가지는 것이 바람직하다. 또한 본 발명의 일 형태의 양극 활물질에 있어서, 얀-텔러 효과의 영향이 작은 범위이면 코발트 외에 앞서 설명한 금속 Z를 가져도 좋다.
양극 활물질에 있어서, 얀-텔러 효과의 영향이 작은 것으로 추측되는 격자 상수의 범위에 대하여 XRD 분석을 이용하여 고찰한다.
도 7은, 본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 층상 암염형 결정 구조를 가지고, 코발트와 니켈을 가지는 경우에서, XRD를 이용하여 a축 및 c축의 격자 상수를 산출한 결과를 나타낸 것이다. 도 7의 (A)에 a축의 결과를, 도 7의 (B)에 c축의 결과를 나타내었다. 또한 이들의 산출에 사용한 XRD 패턴은 양극 활물질의 합성을 수행한 후의 분체(粉體)의 패턴이고, 양극에 제공하기 전의 것이다. 가로축의 니켈 농도는 코발트와 니켈의 원자수의 합을 100%로 한 경우의 니켈의 농도를 나타낸다. 양극 활물질은 리튬원과, 코발트원과, 니켈원을 혼합한 후, 가열함으로써 제작하였다.
도 8은, 본 발명의 일 형태의 양극 활물질이 층상 암염형 결정 구조를 가지고, 코발트와 망가니즈를 가지는 경우에서, XRD를 이용하여 a축 및 c축의 격자 상수를 산출한 결과를 나타낸 것이다. 도 8의 (A)에 a축의 결과를, 도 8의 (B)에 c축의 결과를 나타내었다. 또한 이들의 산출에 사용한 XRD 패턴은 양극 활물질의 합성을 수행한 후의 분체의 패턴이고, 양극에 제공하기 전의 것이다. 가로축의 망가니즈 농도는 코발트와 망가니즈의 원자수의 합을 100%로 한 경우의 망가니즈의 농도를 나타낸다. 양극 활물질은 리튬원과, 코발트원과, 망가니즈원을 혼합한 후, 가열함으로써 제작하였다.
도 7의 (C)에는, 도 7의 (A) 및 (B)에 격자 상수의 결과를 나타낸 양극 활물질에 대하여, a축의 격자 상수를 c축의 격자 상수로 나눈 값(a축/c축)을 나타내었다. 도 8의 (C)에는, 도 8의 (A) 및 (B)에 격자 상수의 결과를 나타낸 양극 활물질에 대하여, a축의 격자 상수를 c축의 격자 상수로 나눈 값(a축/c축)을 나타내었다.
도 7의 (C)에 나타내어진 바와 같이, 니켈 농도가 5%와 7.5% 사이에서 a축/c축이 현저하게 변화된 경향이 보여, a축의 변형이 커진 것으로 생각된다. 이 변형은 얀-텔러 변형인 가능성이 있다. 니켈 농도가 7.5% 미만에서, 얀-텔러 변형이 작은 우수한 양극 활물질이 얻어지는 것으로 시사된다.
다음으로 도 8의 (A)에 나타내어진 바와 같이, 망가니즈 농도가 5% 이상에서는 격자 상수의 변화의 거동이 달라져, 베가드의 법칙에 따르지 않은 것이 시사된다. 따라서 망가니즈 농도가 5% 이상에서는 결정 구조가 달라지는 것이 시사된다. 따라서 망가니즈의 농도는 예를 들어, 4% 이하가 바람직하다.
또한 상기 니켈 농도 및 망가니즈 농도의 범위는 입자의 표층부(101a)에서는 반드시 적용되는 것이 아니다. 즉 입자의 표층부(101a)에서는 상기 농도보다 높아도 좋은 경우가 있다.
상기를 고려하여, 격자 상수의 바람직한 범위에 대하여 고찰한 결과, 본 발명의 일 형태의 양극 활물질에 있어서, XRD 패턴에서 추정될 수 있는, 충방전을 수행하지 않은 상태 또는 방전 상태의 양극 활물질의 입자가 가지는 층상 암염형 결정 구조에서, a축의 격자 상수가 2.814×10-10m보다 크고 2.817×10-10m보다 작으며, c축의 격자 상수가 14.05×10-10m보다 크고 14.07×10-10m보다 작은 것이 바람직한 것을 알게 되었다. 충방전을 수행하지 않은 상태란 예를 들어 이차 전지의 양극을 제작하기 전의 분체의 상태이어도 좋다.
또는 충방전을 수행하지 않은 상태 또는 방전 상태의 양극 활물질의 입자가 가지는 층상 암염형 결정 구조에 있어서, a축의 격자 상수를 c축의 격자 상수로 나눈 값(a축/c축)이 0.20000보다 크고 0.20049보다 작은 것이 바람직하다.
또는 충방전을 수행하지 않은 상태 또는 방전 상태의 양극 활물질의 입자가 가지는 층상 암염형 결정 구조에 있어서, XRD 분석을 수행하였을 때, 2θ가 18.50° 이상 19.30° 이하에 제 1 피크가 관측되며, 2θ가 38.00° 이상 38.80° 이하에 제 2 피크가 관측되는 경우가 있다.
또한 분체 XRD 패턴에 출현하는 피크는, 양극 활물질(101)의 체적의 대반을 차지하는 양극 활물질(101)의 내부(101b)의 결정 구조를 반영한 것이다. 표층부(101a), 매립부(102), 또는 볼록부(103) 등의 결정 구조는 양극 활물질(101)의 단면의 전자 회절 등으로 분석할 수 있다.
<<XPS>>
XPS(X-ray photoelectron spectroscopy)로는 표면으로부터 깊이 2nm 내지 8nm 정도(보통 5nm 정도)까지의 영역을 분석할 수 있기 때문에, 표층부(101a)의 깊이 방향의 약 절반의 영역에 대하여 각 원소의 농도를 정량적으로 분석할 수 있다. 또한 고분해능 분석을 수행하면 원소의 결합 상태를 분석할 수 있다. 또한 XPS의 정량적 정확도는 많은 경우에서 ±1atomic% 정도이고, 검출 하한은 원소에 따라 다르지만 1atomic% 정도이다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)에 대하여 XPS 분석을 수행하였을 때, 불순물의 원자수는 전이 금속 M의 원자수의 1.6배 이상 6.0배 이하가 바람직하고, 1.8배 이상 4.0배 미만이 더 바람직하다. 불순물이 마그네슘이고, 전이 금속 M이 코발트인 경우에는, 마그네슘의 원자수는 코발트의 원자수의 1.6배 이상 6.0배 이하가 바람직하고, 1.8배 이상 4.0배 미만이 더 바람직하다. 또한 플루오린 등의 할로젠의 원자수는 전이 금속 M의 원자수의 0.2배 이상 6.0배 이하가 바람직하고, 1.2배 이상 4.0배 이하가 더 바람직하다.
XPS 분석을 수행하는 경우에는 예를 들어, X선원으로서 단색화 알루미늄을 사용할 수 있다. 또한 추출각(테이크-오프 앵글)은 예를 들어 45°로 하면 좋다.
또한 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)에 대하여 XPS 분석을 수행하였을 때, 플루오린과 다른 원소의 결합 에너지를 나타내는 피크는 682eV 이상 685eV 미만인 것이 바람직하고, 684.3eV 정도인 것이 더 바람직하다. 이는 플루오린화 리튬의 결합 에너지인 685eV 및 플루오린화 마그네슘의 결합 에너지인 686eV 중 어느 것과도 다른 값이다. 즉 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)이 플루오린을 가지는 경우, 플루오린화 리튬 및 플루오린화 마그네슘 이외의 결합인 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)에 대하여 XPS 분석을 수행하였을 때, 마그네슘과 다른 원소의 결합 에너지를 나타내는 피크는 1302eV 이상 1304eV 미만인 것이 바람직하고, 1303eV 정도인 것이 더 바람직하다. 이는 플루오린화 마그네슘의 결합 에너지인 1305eV와 다른 값이며 산화 마그네슘의 결합 에너지에 가까운 값이다. 즉 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)이 마그네슘을 가지는 경우, 플루오린화 마그네슘 이외의 결합인 것이 바람직하다.
표층부(101a)에 많이 존재하는 것이 바람직한 불순물, 예를 들어 마그네슘 및 알루미늄은 XPS 등으로 측정되는 농도가 ICP-MS(유도 결합 플라스마 질량 분석) 또는 GD-MS(글로 방전 질량 분석법) 등으로 측정되는 농도보다 높은 것이 바람직하다.
마그네슘 및 알루미늄은 가공에 의하여 그 단면을 노출시켜 단면을 TEM-EDX를 사용하여 분석하는 경우에, 표층부(101a)의 농도가 내부(101b)의 농도에 비하여 높은 것이 바람직하다. 가공은 예를 들어 FIB(Focused Ion Beam)에 의하여 수행할 수 있다.
XPS(X선 광전자 분광)의 분석에 있어서, 마그네슘의 원자수는 코발트의 원자수의 0.4배 이상 1.5배 이하인 것이 바람직하다. 한편 ICP-MS의 분석에 의한 마그네슘의 원자수의 비 Mg/Co는 0.001 이상 0.06 이하인 것이 바람직하다.
한편 전이 금속 M에 포함되는 니켈은 표층부(101a)에 편재하지 않고, 양극 활물질(101) 전체에 분포되어 있는 것이 바람직하다. 다만 앞서 설명한 금속 불순물 고농도 영역(103b)이 존재하는 경우, 이는 적용되지 않는다.
<<표면 거칠기와 비표면적>>
예를 들어 이하에서 설명하는 바와 같이, 양극 활물질(101)의 단면 SEM 이미지로부터 표면의 매끄러움을 수치화할 수 있다.
우선 양극 활물질(101)을 FIB 등에 의하여 가공하여 단면을 노출시킨다. 이때 보호막, 보호제 등으로 양극 활물질(101)을 덮는 것이 바람직하다. 다음으로 보호막 등과 양극 활물질(101)의 계면의 SEM 이미지를 촬영한다. 이 SEM 이미지에 대하여 화상 처리 소프트웨어로 노이즈 처리를 수행한다. 예를 들어 가우시안 블러(Gaussian Blur)(σ=2)를 수행한 후, 2치화를 수행한다. 그리고 화상 처리 소프트웨어로 계면 추출을 수행한다. 다음으로 자동 선택 도구 등으로 보호막 등과 양극 활물질(101)의 계면 라인을 선택하고, 데이터를 표 계산 소프트웨어 등에 추출한다. 표 계산 소프트웨어 등의 기능을 이용하여 회귀 곡선(이차 회귀)으로 보정을 수행하고, 기울기 보정 후의 데이터에서 조도(roughness) 산출용 파라미터를 구하고, 표준 편차를 산출한 제곱 평균 제곱근 표면 거칠기(RMS)를 구하였다. 또한 이 표면 거칠기는 양극 활물질에서, 적어도 입자 외주의 400nm에서의 표면 거칠기이다.
본 실시형태의 양극 활물질(101)의 입자 표면에서는, 조도의 지표인 거칠기(RMS: 제곱 평균 제곱근 표면 거칠기)는 3nm 미만, 바람직하게는 1nm 미만, 더 바람직하게는 0.5nm 미만인 것이 바람직하다.
또한 노이즈 처리, 계면 추출 등을 수행하는 화상 처리 소프트웨어는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 "ImageJ"를 사용할 수 있다. 또한 표 계산 소프트웨어 등도 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 Microsoft Office Excel을 사용할 수 있다.
또한 예를 들어, 일정 부피법에 의한 가스 흡착법으로 측정한 실제의 비표면적 AR와, 이상적인 비표면적 Ai의 비로부터도 양극 활물질(101)의 표면의 매끄러움을 수치화할 수 있다.
이상적인 비표면적 Ai는 모든 입자의 지름이 D50과 같고, 중량이 똑같고, 형상은 이상적인 구체인 것으로 하여 계산한다.
메디안경 D50은 레이저 회절·산란법을 이용한 입도 분포계 등에 의하여 측정할 수 있다. 비표면적은 예를 들어 일정 부피법에 의한 가스 흡착법을 이용한 비표면적 측정 장치 등에 의하여 측정할 수 있다.
본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)은, 메디안경 D50에서 구한 이상적인 비표면적 Ai와 실제의 비표면적 AR의 비 AR/Ai가 2 이하인 것이 바람직하다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 2)
도 9 및 도 10을 사용하여, 본 발명의 일 형태의 양극 활물질의 제작 방법의 일례에 대하여 설명한다. 본 실시형태에서는 전이 금속 M으로서 코발트 및 니켈을 가지고, 불순물로서 마그네슘, 알루미늄, 및 플루오린을 가지는, 도 1에 나타내어진 양극 활물질(101)의 제작 방법의 예에 대하여 설명한다.
<단계 S11>
우선 혼합물(902)의 재료로서 플루오린원이나 염소원 등의 할로젠원 및 마그네슘원을 준비한다.
플루오린원으로서는 예를 들어 플루오린화 리튬(LiF), 플루오린화 마그네슘(MgF2), 플루오린화 알루미늄(AlF3), 플루오린화 타이타늄(TiF4), 플루오린화 코발트(CoF2, CoF3), 플루오린화 니켈(NiF2), 플루오린화 지르코늄(ZrF4), 플루오린화 바나듐(VF5), 플루오린화 망가니즈, 플루오린화 철, 플루오린화 크로뮴, 플루오린화 나이오븀, 플루오린화 아연(ZnF2), 플루오린화 칼슘(CaF2), 플루오린화 소듐(NaF), 플루오린화 포타슘(KF), 플루오린화 바륨(BaF2), 플루오린화 세륨(CeF2), 플루오린화 란타넘(LaF3), 육플루오린화 알루미늄소듐(Na3AlF6) 등을 사용할 수 있다. 또한 플루오린원은 고체에 한정되지 않고 예를 들어 플루오린(F2), 플루오린화 탄소, 플루오린화 황, 플루오린화 산소(OF2, O2F2, O3F2, O4F2, O2F) 등을 사용하여, 후술하는 가열 공정에서 분위기 중에 혼합하여도 좋다. 또한 복수의 플루오린원을 혼합하여 사용하여도 좋다. 그 중에서도 플루오린화 리튬은 융점이 848℃로 비교적 낮아, 후술하는 어닐링 공정에서 용융되기 쉽기 때문에 바람직하다.
염소원으로서는 예를 들어 염화 리튬, 염화 마그네슘 등을 사용할 수 있다.
마그네슘원으로서는 예를 들어 플루오린화 마그네슘, 산화 마그네슘, 수산화 마그네슘, 탄산 마그네슘 등을 사용할 수 있다.
리튬원으로서는 예를 들어 플루오린화 리튬, 탄산 리튬을 사용할 수 있다. 즉 플루오린화 리튬은 리튬원으로서도 플루오린원으로서도 사용할 수 있다. 또한 플루오린화 마그네슘은 플루오린원으로서도 마그네슘원으로서도 사용할 수 있다.
본 실시형태에서는 플루오린원 및 리튬원으로서 플루오린화 리튬(LiF)을 준비하고, 플루오린원 및 마그네슘원으로서 플루오린화 마그네슘(MgF2)을 준비하는 것으로 한다(도 9의 단계 S11 참조).
플루오린화 리튬(LiF)과 플루오린화 마그네슘(MgF2)은 LiF:MgF2=65:35(몰비) 정도로 혼합하면 융점을 저하시키는 효과가 가장 높아진다(비특허문헌 4 참조). 한편 플루오린화 리튬이 많아지면 리튬이 과잉이 되어 사이클 특성이 악화될 우려가 있다. 그러므로 플루오린화 리튬(LiF)과 플루오린화 마그네슘(MgF2)의 몰비는 LiF:MgF2=x:1(0≤x≤1.9)인 것이 바람직하고, LiF:MgF2=x:1(0.1≤x≤0.5)인 것이 더 바람직하고, LiF:MgF2=x:1(x=0.33 근방)인 것이 더욱 바람직하다.
또한 다음의 혼합 및 분쇄 공정을 습식으로 수행하는 경우에는 용매를 준비한다. 용매로서는 아세톤 등의 케톤, 에탄올 및 아이소프로판올 등의 알코올, 에터, 다이옥세인, 아세토나이트릴, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 등을 사용할 수 있다. 리튬과 반응하기 어려운 비양성자성 용매를 사용하는 것이 더 바람직하다. 본 실시형태에서는 아세톤을 사용한다(도 9의 단계 S11 참조).
<단계 S12>
다음으로 상술한 혼합물(902)의 재료를 혼합 및 분쇄한다(도 9의 단계 S12 참조). 혼합은 건식 또는 습식으로 수행할 수 있고, 습식은 보다 작게 분쇄할 수 있기 때문에 바람직하다. 혼합에는 예를 들어 볼밀(ball mill), 비드밀(bead mill) 등을 사용할 수 있다. 볼밀을 사용하는 경우에는 예를 들어 미디어로서 지르코니아 볼을 사용하는 것이 바람직하다. 이 혼합 및 분쇄 공정을 충분히 수행하여 혼합물(902)을 미분쇄하는 것이 바람직하다.
혼합 수단으로서 블렌더, 믹서기, 볼밀을 사용한 혼합이 적합하다.
<단계 S13, 단계 S14>
상술한 식으로 혼합, 분쇄한 재료를 회수하여(도 9의 단계 S13 참조) 혼합물(902)을 얻는다(도 9의 단계 S14 참조).
혼합물(902)은 예를 들어 D50이 600nm 이상 20μm 이하인 것이 바람직하고, 1μm 이상 10μm 이하인 것이 더 바람직하다. 이러한 식으로 미분쇄된 혼합물(902)이면, 추후의 공정에서 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물과 혼합할 때 복합 산화물 입자의 표면에 혼합물(902)을 균일하게 부착시키기 쉽다. 혼합물(902)이 복합 산화물 입자의 표면에 균일하게 부착되면, 가열 후에 복합 산화물 입자의 표층부에 할로젠 및 마그네슘을 빠짐없이 분포시키기 쉽기 때문에 바람직하다. 표층부에 할로젠 및 마그네슘이 포함되지 않는 영역이 있으면, 충전 상태에서 앞서 설명한 의사 스피넬형 결정 구조가 되기 어려워질 우려가 있다.
<단계 S15, 단계 S16, 단계 S17>
또한 단계 S31에서 혼합하기 위하여 미분쇄된 수산화 니켈(Ni(OH)2)을 준비한다. 미분쇄된 수산화 니켈은 수산화 니켈과 아세톤을 혼합하는 단계 S15와 회수하는 단계 S16을 미리 수행한 것이다. 단계 S16에 의하여 미분쇄된 수산화 니켈이 얻어진다(단계 S17 참조).
<단계 S18, 단계 S19, 단계 S20>
또한 단계 S31에서 혼합하기 위하여 미분쇄된 수산화 알루미늄(Al(OH)3)을 준비한다. 미분쇄된 수산화 알루미늄은 수산화 알루미늄과 아세톤을 혼합하는 단계 S18과 회수하는 단계 S19를 미리 수행한 것이다. 단계 S19에 의하여 미분쇄된 수산화 알루미늄이 얻어진다(단계 S20 참조).
또한 본 실시형태에서는 단계 S15 내지 단계 S20에서 니켈 및 알루미늄을 미분쇄하여 혼합하는 제작 방법에 대하여 설명하지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 타이타늄을 비롯한 다른 불순물 원소를 혼합하여도 좋다. 타이타늄을 혼합하는 경우에도 단계 S15 내지 단계 S17과 같은 식으로 미분쇄하여 혼합하는 것이 바람직하다. 타이타늄원으로서는 수산화 타이타늄, 산화 타이타늄 등을 사용할 수 있다.
<단계 S25>
또한 단계 S31에서 혼합하기 위하여 리튬원을 준비한다. 단계 S25로서, 미리 합성된 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물을 준비한다.
미리 합성된 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물을 사용하는 경우, 불순물이 적은 것을 사용하는 것이 바람직하다. 본 명세서 등에서는 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물 및 양극 활물질에 대하여 주성분을 리튬, 코발트, 니켈, 망가니즈, 알루미늄, 및 산소로 하고, 상기 주성분 이외의 원소를 불순물로 한다. 예를 들어 글로 방전 질량 분석법으로 분석하였을 때, 불순물 농도의 합계가 10000ppm wt 이하인 것이 바람직하고, 5000ppm wt 이하인 것이 더 바람직하다. 특히 타이타늄 등의 전이 금속 및 비소의 불순물 농도의 합계가 3000ppm wt 이하인 것이 바람직하고, 1500ppm wt 이하인 것이 더 바람직하다.
예를 들어 미리 합성된 코발트산 리튬(LiCoO2)으로서, NIPPON CHEMICAL INDUSTRIAL CO., LTD. 제조의 코발트산 리튬 입자(상품명: CELLSEED C-10N)를 사용할 수 있다. 이것은 평균 입경(D50)이 약 12μm이고, 글로 방전 질량 분석법(GD-MS)에 의한 불순물 분석에서, 마그네슘 농도 및 플루오린 농도가 50ppm wt 이하이고, 칼슘 농도, 알루미늄 농도, 및 실리콘 농도가 100ppm wt 이하이고, 니켈 농도가 150ppm wt 이하이고, 황 농도가 500ppm wt 이하이고, 비소 농도가 1100ppm wt 이하이고, 리튬, 코발트, 및 산소 이외의 원소의 농도가 150ppm wt 이하인 코발트산 리튬이다.
단계 S25에서의 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물은 결함 및 변형이 적은 층상 암염형 결정 구조를 가지는 것이 바람직하다. 그러므로 불순물이 적은 복합 산화물인 것이 바람직하다. 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물에 불순물이 많이 포함되면 결함 또는 변형이 많은 결정 구조가 될 가능성이 높아진다.
<단계 S31>
다음으로 혼합물(902)과, 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물과, 미분쇄된 수산화 알루미늄과, 미분쇄된 수산화 니켈을 혼합한다(도 9의 단계 S31 참조). 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물 중의 전이 금속의 원자수 M과 혼합물(902)이 가지는 마그네슘의 원자수 Mg의 비는 M:Mg=100:y(0.1≤y≤6)인 것이 바람직하고, M:Mg=100:y(0.3≤y≤3)인 것이 더 바람직하다.
단계 S31의 혼합은, 복합 산화물 입자를 파괴하지 않도록, 단계 S12의 혼합보다 완만한 조건으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어 단계 S12의 혼합보다 회전수가 적거나, 또는 시간이 짧은 조건으로 하는 것이 바람직하다. 또한 습식보다 건식이 완만한 조건이라고 할 수 있다. 혼합에는 예를 들어 볼밀, 비드밀 등을 사용할 수 있다. 볼밀을 사용하는 경우에는 예를 들어 미디어로서 지르코니아 볼을 사용하는 것이 바람직하다.
상술한 식으로 혼합한 재료를 회수함으로써(도 9의 단계 S32 참조) 혼합물(903)이 얻어진다(도 9의 단계 S33 참조).
다음으로 혼합물(903)을 가열한다(도 9의 단계 S34 참조). 본 공정은 어닐링 또는 소성이라고 부르는 경우가 있다.
어닐링은 적절한 온도 및 시간으로 수행하는 것이 바람직하다. 적절한 온도 및 시간은, 단계 S25에서의 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물의 입자 크기 및 조성 등의 조건에 따라 변화된다. 입자가 작은 경우에는 큰 경우에 비하여 낮은 온도 또는 짧은 시간이 더 바람직한 경우가 있다.
예를 들어 단계 S25의 입자의 평균 입경(D50)이 12μm 정도인 경우, 어닐링 온도는 예를 들어 700℃ 이상 950℃ 이하가 바람직하다. 어닐링 시간은 예를 들어 3시간 이상이 바람직하고, 10시간 이상이 더 바람직하고, 60시간 이상이 더욱 바람직하다.
어닐링 후의 강온(降溫) 시간은 예를 들어 10시간 이상 50시간 이하로 하는 것이 바람직하다.
혼합물(903)을 어닐링하면, 혼합물(903) 중의 융점이 낮은 재료(예를 들어 플루오린화 리튬, 융점 848℃)가 먼저 용융되고 복합 산화물 입자의 표층부에 분포되는 것으로 생각된다. 다음으로 이 용융된 재료의 존재에 의하여 다른 재료의 융점 강하가 일어나 다른 재료가 용융되는 것으로 추측된다. 예를 들어 플루오린화 마그네슘(융점 1263℃)이 용융되고, 복합 산화물 입자의 표층부에 분포되는 것으로 생각된다.
상기 혼합물(903)이 가지는 원소는, 복합 산화물 입자 내부보다 표층부 및 입계 근방에서 빠르게 확산된다. 그러므로 마그네슘 및 할로젠은 표층부 및 입계 근방에서 내부보다 농도가 높아진다. 후술하는 바와 같이, 표층부 및 입계 근방의 마그네슘 농도가 높으면 결정 구조의 변화를 더 효과적으로 억제할 수 있다.
상술한 식으로 어닐링한 재료를 회수한다(도 9의 단계 S35 참조). 또한 입자를 체로 치는 것이 바람직하다. 상기 공정을 통하여 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)을 제작할 수 있다(도 9의 단계 S36 참조).
다음으로 도 10을 사용하여 본 발명의 일 형태의 양극 활물질의 제작 방법의 다른 일례에 대하여 설명한다. 도 10은 일부를 제외하고 도 9와 동일하기 때문에 동일한 부분은 간략화를 위하여 생략한다.
<단계 S11 내지 단계 S20>
단계 S11 내지 단계 S20에서, 각 원소원을 준비한다. 도 10에서는 플루오린화 리튬, 플루오린화 마그네슘, 수산화 니켈, 및 수산화 알루미늄을 준비하는 예를 제시하였지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 준비하는 원소원은 이들 중 하나 이상이면 좋다. 예를 들어 플루오린화 리튬만이어도 좋다.
<단계 S26>
다음으로 단계 S26에서, 복합 산화물을 준비한다. 도 9의 단계 S25와 일부 상이하고 이 단계에서 일부의 불순물을 가지는 복합 산화물을 사용하여도 좋다. 예를 들어 마그네슘 및 타이타늄을 포함하는 복합 산화물을 사용하면 추후의 공정에서 혼합하는 불순물의 종류를 줄일 수 있어 바람직하다.
<단계 S31 내지 단계 S36>
그리고 단계 S31 내지 단계 S36에서, 각 원소원과 복합 산화물을 혼합하고, 혼합물(903)을 어닐링한다. 상기 공정을 통하여 양극 활물질(101)을 제작할 수 있다.
(실시형태 3)
도 11을 사용하여 본 발명의 일 형태의 양극 활물질의 제작 방법의 다른 일례에 대하여 설명한다. 본 실시형태는 일부를 제외하고 실시형태 2와 동일하기 때문에 동일한 부분은 간략화를 위하여 생략한다.
<단계 S11 내지 단계 S36>
실시형태 2와 마찬가지로, 각종 불순물 원소와, 리튬, 전이 금속, 및 산소를 가지는 복합 산화물을 혼합하고 어닐링하여 혼합물(904)을 얻는다(단계 S36 참조).
<단계 S42, 단계 S43, 단계 S44>
다음으로 단계 S42 내지 단계 S44를 거치고, 본 발명의 일 형태의 양극 활물질에서, 불순물의 하나로서 금속 Z를 첨가한다. 불순물인 금속 Z의 첨가에는, 예를 들어 졸겔법을 비롯한 액상법, 고상법, 스퍼터링법, 증착법, CVD(화학 기상 성장)법, PLD(pulsed laser deposition)법 등의 방법을 적용할 수 있다.
도 11에 나타내어진 바와 같이, 우선 단계 S42에서, 금속원을 준비한다. 금속원으로서는 금속 알콕사이드, 금속 수산화물, 금속 산화물 등을 사용할 수 있다. 또한 졸겔법을 적용하는 경우에는 졸겔법에 사용하는 용매를 준비한다. 이 용매로서는 알코올이 바람직하고, 특히 첨가물원의 알콕사이드의 알콕실기와 같은 알코올을 사용하는 것이 바람직하다. 용매에 함유되는 물은 3volume% 이하인 것이 바람직하고, 0.3volume% 이하인 것이 더 바람직하다. 용매로서 알코올을 사용함으로써, 물을 사용하는 경우보다 제작 공정에서의 LiCoO2의 열화를 억제할 수 있다. 금속 Z가 알루미늄인 경우에는 예를 들어, 코발트산 리튬이 가지는 코발트의 원자수를 1로 하고, 금속원이 가지는 알루미늄의 원자수가 0.001배 이상 0.02배 이하가 되도록 하면 좋다. 금속 Z가 타이타늄인 경우에는 예를 들어, 코발트산 리튬이 가지는 코발트의 원자수를 1로 하고, 금속원이 가지는 타이타늄의 원자수가 0.001배 이상 0.02배 이하가 되도록 하면 좋다. 금속 Z가 알루미늄 및 타이타늄인 경우에는 예를 들어, 코발트산 리튬이 가지는 코발트의 원자수를 1로 하고, 금속원이 가지는 알루미늄의 원자수가 0.001배 이상 0.02배 이하이며, 금속원이 가지는 타이타늄의 원자수가 0.001배 이상 0.02배 이하가 되도록 하면 좋다.
여기서는 일례로서, 졸겔법을 적용하고, 금속원으로서 타이타늄(IV)테트라아이소프로폭사이드(TTIP)를 사용하고, 용매로서 2-프로판올을 사용하는 예를 제시한다(도 11의 단계 S42 참조).
다음으로 상기 타이타늄알콕사이드를 2-프로판올에 용해시키고, 코발트산 리튬 입자를 더 혼합한다(도 11의 단계 S43 참조).
코발트산 리튬의 입경에 따라, 금속 알콕사이드의 필요량은 다르다. 예를 들어 타이타늄아이소프로폭사이드를 사용하는 경우에서 코발트산 리튬의 입경(D50)이 20μm 정도이면, 코발트산 리튬이 가지는 코발트의 원자수를 1로 하여, 타이타늄아이소프로폭사이드를 그의 타이타늄의 원자수가 0.001배 이상 0.02배 이하가 되도록 첨가하는 것이 바람직하다.
다음으로 금속 알콕사이드의 알코올 용액과 코발트산 리튬의 입자의 혼합액을, 수증기를 포함하는 분위기에서 교반한다. 교반은 예를 들어 자석 교반기(magnetic stirrer)로 수행할 수 있다. 교반 시간은 분위기 중의 물과 금속 알콕사이드가 가수 분해 및 중축합 반응을 일으키는 데 충분한 시간이면 좋고, 예를 들어, 4시간, 25℃, 습도 90% RH(Relative Humidity, 상대 습도)의 조건에서 수행할 수 있다. 또한 습도 제어 및 온도의 제어가 되지 않는 분위기, 예를 들어 흄후드 내의 대기 분위기에서 교반을 수행하여도 좋다. 이러한 경우에는 교반 시간을 더 길게 하는 것이 바람직하고, 예를 들어 실온에서 12시간 이상으로 하면 좋다.
분위기 중의 수증기가 서서히 첨가되고 알코올이 서서히 휘발함으로써 물과 금속 알콕사이드가 반응하여, 완만하게 졸겔 반응을 진행시킬 수 있다. 또한 상온에서 금속 알콕사이드와 물을 반응시킴으로써, 예를 들어 용매의 알코올의 비점을 넘는 온도에서 가열을 수행하는 경우보다 완만하게 졸겔 반응을 진행시킬 수 있다.
또한 물을 적극적으로 첨가하여도 좋다. 완만하게 반응시키고자 하는 경우에는 알코올로 희석한 물을 서서히 첨가하거나, 안정화제를 첨가하는 등 함으로써 반응 시간을 제어하여도 좋다. 완만하게 졸겔 반응을 진행시킴으로써 두께가 균일하며 질이 좋은 피복층을 형성할 수 있다.
상술한 처리가 된 혼합액에서 침전물을 회수한다(도 11의 단계 S44 참조). 회수 방법으로서는 여과, 원심 분리, 증발 건고 등을 적용할 수 있다. 침전물은 금속 알콕사이드를 용해시킨 용매와 같은 알코올로 세정할 수 있다. 또한 증발 건고를 적용하는 경우에는, 본 단계에서는 용매와 침전물의 분리를 수행하지 않아도 되고, 예를 들어 다음 단계(단계 S44)의 건조 공정에서 침전물을 회수하면 좋다.
다음으로 회수한 잔류물을 건조시켜 혼합물(904)을 얻는다(도 11의 단계 S44 참조). 건조 공정은 예를 들어, 80℃에서 1시간 이상 4시간 이하, 진공 또는 통풍 건조할 수 있다.
<단계 S45>
다음으로 얻어진 혼합물을 가열한다(도 11의 단계 S45 참조).
가열 시간은 가열 온도의 범위 내에서의 유지 시간을 1시간 이상 80시간 이하로 하는 것이 바람직하고, 생산성을 고려하면 1시간 이상 20시간 이하로 하는 것이 더 바람직하다.
가열 온도로서는 1000℃ 미만, 바람직하게는 700℃ 이상 950℃ 이하, 더 바람직하게는 850℃ 정도로 한다.
또한 가열은 산소를 포함하는 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다.
본 실시형태에서는 가열 온도를 850℃로 하여 2시간 동안 유지하는 것으로 하고, 승온은 200℃/h, 산소의 유량은 10L/min으로 한다.
단계 S45에서의 가열 온도는 단계 S34에서의 가열 온도보다 낮은 것이 바람직하다.
<단계 S46, 단계 S47>
다음으로 냉각된 입자를 회수한다(도 11의 단계 S46 참조). 또한 입자를 체로 치는 것이 바람직하다. 상기 공정을 통하여 본 발명의 일 형태의 양극 활물질(101)을 제작할 수 있다(도 11의 단계 S47 참조).
본 실시형태는 다른 실시형태와 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태의 양극 활물질의 제작 방법의 다른 일례에 대하여 설명한다. 본 실시형태는 일부를 제외하고 실시형태 2 및 실시형태 3과 동일하기 때문에 동일한 부분은 간략화를 위하여 생략한다.
상술한 실시형태에서는 불순물 원소를 단계 S31 또는 단계 S43에서 혼합하는 방법에 대하여 설명하였지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 도 12를 사용하여 불순물 원소를 첨가할 수 있는 타이밍 및 방법에 대하여 설명한다.
<단계 S01>
도 12의 단계 S01에서는, 우선 리튬, 전이 금속 M, 및 산소를 가지는 복합 산화물(LiMO2)의 재료로서 리튬원 및 전이 금속 M원을 준비한다. 이때, 복합 산화물을 소성할 때의 원료의 하나로서, 제 1 불순물 원소원을 준비하여도 좋다.
제 1 불순물 원소로서는 마그네슘, 플루오린, 알루미늄, 타이타늄, 지르코늄, 바나듐, 철, 크로뮴, 나이오븀, 코발트, 비소, 아연, 실리콘, 황, 인, 붕소 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 제 1 불순물 원소원으로서는 이들의 산화물, 수산화물, 플루오린화물 등을 사용할 수 있다.
리튬원으로서는 예를 들어 탄산 리튬, 플루오린화 리튬 등을 사용할 수 있다.
전이 금속 M으로서는 리튬과 함께 공간군 R-3m에 속하는 층상 암염형 복합 산화물을 형성할 수 있는 금속을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 망가니즈, 코발트, 니켈 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 즉 전이 금속 M원으로서 코발트만을 사용하여도 좋고, 니켈만을 사용하여도 좋고, 코발트와 망가니즈의 2종, 또는 코발트와 니켈의 2종을 사용하여도 좋고, 코발트, 망가니즈, 니켈의 3종을 사용하여도 좋다.
층상 암염형 복합 산화물을 형성할 수 있는 금속을 사용하는 경우, 층상 암염형 결정 구조를 가질 수 있는 범위의 코발트, 망가니즈, 니켈의 혼합비로 하는 것이 바람직하다. 또한 층상 암염형 결정 구조를 가질 수 있는 범위에서, 이들 전이 금속에 알루미늄을 첨가하여도 좋다.
전이 금속 M원으로서는 전이 금속 M으로서 예시한 상기 금속의 산화물, 수산화물 등을 사용할 수 있다. 코발트원으로서는 예를 들어 산화 코발트, 수산화 코발트 등을 사용할 수 있다. 망가니즈원으로서는 산화 망가니즈, 수산화 망가니즈 등을 사용할 수 있다. 니켈원으로서는 산화 니켈, 수산화 니켈 등을 사용할 수 있다. 알루미늄원으로서는 산화 알루미늄, 수산화 알루미늄 등을 사용할 수 있다.
<단계 S02>
다음으로 단계 S02로서, 상기 리튬원, 전이 금속 M원, 및 제 1 불순물 원소원을 혼합한다. 혼합은 건식 또는 습식으로 수행할 수 있다. 혼합에는 예를 들어 볼밀, 비드밀 등을 사용할 수 있다. 볼밀을 사용하는 경우에는 예를 들어 미디어로서 지르코니아 볼을 사용하는 것이 바람직하다.
<단계 S03>
다음으로 단계 S03으로서, 상술한 식으로 혼합한 재료를 가열한다. 추후의 가열 공정과 구별하기 위하여 본 공정을 소성 또는 제 1 가열이라고 하는 경우가 있다. 가열은 800℃ 이상 1100℃ 미만에서 수행되는 것이 바람직하고, 900℃ 이상 1000℃ 이하에서 수행되는 것이 더 바람직하고, 950℃ 정도가 더욱 바람직하다. 온도가 지나치게 낮으면, 리튬원, 전이 금속 M원, 및 제 1 불순물 원소원의 분해 및 용융이 불충분해질 우려가 있다. 한편 온도가 지나치게 높으면, 전이 금속 M으로서 사용하는 산화 환원 반응을 맡는 금속이 과잉으로 환원되거나, 리튬이 증발된다는 등의 원인으로 결함이 생길 우려가 있다. 예를 들어 전이 금속 M으로서 코발트를 사용한 경우, 코발트가 2가가 되는 결함이 생길 수 있다.
가열 시간은 예를 들어 1시간 이상 100시간 이하로 할 수 있고, 2시간 이상 20시간 이하로 하는 것이 바람직하다. 소성은 건조 공기 등 물이 적은 분위기(예를 들어 이슬점이 -50℃ 이하, 더 바람직하게는 -100℃ 이하)에서 수행하는 것이 바람직하다. 예를 들어 1000℃에서 10시간 가열하고, 승온은 200℃/h으로 하고, 건조 분위기의 유량은 10L/min으로 하는 것이 바람직하다. 그 후, 가열한 재료를 실온까지 냉각할 수 있다. 예를 들어 규정된 온도부터 실온까지의 강온 시간을 10시간 이상 50시간 이하로 하는 것이 바람직하다.
다만 단계 S03에서 실온까지 냉각하는 것은 필수적이지 않다. 추후의 공정을 수행하는 데 문제가 없으면 냉각은 실온보다 높은 온도까지로 하여도 좋다.
<단계 S04>
다음으로 단계 S04로서, 상술한 식으로 소성한 재료를 회수하고, 리튬, 전이 금속 M, 제 1 불순물 원소, 및 산소를 가지는 복합 산화물(LiMO2)을 얻는다.
<단계 S11 내지 단계 S13 및 단계 S31>
또한 위의 실시형태에서 설명한 방법과 마찬가지로, 단계 S11 내지 단계 S13 및 단계 S31에 나타낸 바와 같이 리튬, 전이 금속 M, 및 산소를 가지는 복합 산화물을 합성한 후에, 제 2 불순물 원소원을 혼합하여도 좋다. 제 2 불순물 원소로서는 마그네슘, 플루오린, 알루미늄, 타이타늄, 지르코늄, 바나듐, 철, 크로뮴, 나이오븀, 코발트, 비소, 아연, 실리콘, 황, 인, 붕소 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 제 2 불순물 원소원으로서는 이들의 산화물, 수산화물, 플루오린화물 등을 사용할 수 있다.
<단계 S42 및 단계 S43>
또한 위의 실시형태에서 설명한 방법과 마찬가지로, 단계 S42 및 단계 S43에 나타낸 바와 같이 제 2 불순물 원소를 혼합하고, 어닐링한 다음에 제 3 불순물 원소원을 혼합하여도 좋다. 제 3 불순물 원소로서는 마그네슘, 플루오린, 알루미늄, 타이타늄, 지르코늄, 바나듐, 철, 크로뮴, 나이오븀, 코발트, 비소, 아연, 실리콘, 황, 인, 붕소 중 적어도 하나를 사용할 수 있다. 제 3 불순물 원소원으로서는 이들의 산화물, 수산화물, 플루오린화물 등을 사용할 수 있다.
또한 도시하지 않았지만, 제 3 불순물 원소원을 혼합하고, 더 어닐링한 후에, 제 4 불순물 원소원을 혼합하여도 좋다.
이와 같이, 불순물 원소원은 양극 활물질(101)을 제작하는 공정에서 복수의 타이밍으로 혼합할 수 있다.
각 불순물 원소원의 혼합 방법으로서는 졸겔법을 비롯한 액상법, 고상법, 스퍼터링법, 증착법, CVD(화학 기상 성장)법, PLD(pulsed laser deposition)법 등의 방법을 적용할 수 있다.
제 1 불순물 원소원, 제 2 불순물 원소원, 및 제 3 불순물 원소원은 각각 다른 원소이어도 좋지만, 일부가 같은 원소이어도 좋다. 예를 들어 마그네슘을 제 1 불순물 원소원 및 제 2 불순물 원소원의 양쪽에 사용하여도 좋다.
각 불순물 원소원 중에서도, 마그네슘과 플루오린은 동시에 혼합하는 것이 바람직하다. 마그네슘과 플루오린을 동시에 첨가함으로써, 플루오린원의 융제로서의 기능이 충분히 발휘되어, 마그네슘의 양극 활물질(101)의 표층부에서의 분포가 양호해진다.
또한 불순물 원소에 따라 혼합하기에 최적의 타이밍이 다른 경우가 있다. 예를 들어 마그네슘 및 플루오린은 제 1 불순물 원소원보다 제 2 이후의 불순물 원소원으로서 혼합하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명의 일 형태의 제작 방법은 제 1 불순물 원소원 내지 제 3 불순물 원소원 중 어느 하나 이상을 혼합하면 좋다. 즉 도 12에 나타내어진 불순물 원소원의 혼합의 타이밍 중 하나 이상을 채용하면 좋고, 반드시 모든 타이밍에서 불순물 원소를 혼합하여야 하는 것이 아니다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는 도 13 내지 도 16을 사용하여 본 발명의 일 형태의 이차 전지의 예에 대하여 설명한다.
<이차 전지의 구성예 1>
이하에서는 양극, 음극, 및 전해액이 외장체에 감싸여 있는 이차 전지를 예로 들어 설명한다.
[양극]
양극은 양극 활물질층 및 양극 집전체를 가진다. 양극 활물질층은 양극 활물질을 가지고, 도전재 및 바인더를 가져도 좋다. 양극 활물질에는 위의 실시형태에서 설명한 제작 방법을 사용하여 제작한 양극 활물질을 사용한다.
또한 위의 실시형태에서 설명한 양극 활물질과 다른 양극 활물질을 혼합하여 사용하여도 좋다.
다른 양극 활물질로서는 예를 들어 올리빈형 결정 구조, 층상 암염형 결정 구조, 또는 스피넬형 결정 구조를 가지는 복합 산화물 등을 들 수 있다. 예를 들어 LiFePO4, LiFeO2, LiNiO2, LiMn2O4, V2O5, Cr2O5, MnO2 등의 화합물을 들 수 있다.
또한 다른 양극 활물질로서 LiMn2O4 등, 망가니즈를 포함하는 스피넬형 결정 구조를 가지는 리튬 함유 재료에, 니켈산리튬(LiNiO2나 LiNi1-xMxO2(0<x<1)(M=Co, Al 등))을 혼합하는 하는 것이 바람직하다. 이 구성으로 함으로써 이차 전지의 특성을 향상시킬 수 있어 바람직하다.
또한 다른 양극 활물질로서, 조성식 LiaMnbMcOd로 나타낼 수 있는 리튬 망가니즈 복합 산화물을 사용할 수 있다. 여기서 원소 M으로서는 리튬 및 망가니즈 이외에서 선택된 금속 원소, 실리콘, 또는 인을 사용하는 것이 바람직하고, 니켈을 사용하는 것이 더 바람직하다. 또한 리튬 망가니즈 복합 산화물의 입자 전체를 측정하는 경우, 방전 시에 0<a/(b+c)<2 그리고 c>0 그리고 0.26≤(b+c)/d<0.5를 만족하는 것이 바람직하다. 또한 리튬-망가니즈 복합 산화물의 입자 전체의 금속, 실리콘, 및 인 등의 조성은 예를 들어 ICP-MS(유도 결합 플라스마 질량 분석계)를 이용하여 측정될 수 있다. 또한 리튬-망가니즈 복합 산화물의 입자 전체의 산소의 조성은 예를 들어 EDX(에너지 분산형 X선 분석법)를 이용하여 측정될 수 있다. 또한 ICP-MS 분석과 병용하여, 융해 가스 분석(fusion gas analysis), XAFS(X선 흡수 미세 구조) 분석의 가수(valence) 평가를 이용하여 측정될 수 있다. 또한 리튬-망가니즈 복합 산화물이란 적어도 리튬과 망가니즈를 포함하는 산화물을 말하고, 크로뮴, 코발트, 알루미늄, 니켈, 철, 마그네슘, 몰리브데넘, 아연, 인듐, 갈륨, 구리, 타이타늄, 나이오븀, 실리콘, 및 인 등으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 원소가 포함되어도 좋다.
이하에서는 일례로서, 활물질층(200)에 도전재로서 그래핀 화합물을 사용하는 경우의 단면 구성예에 대하여 설명한다.
도 13의 (A)에 활물질층(200)의 종단면도를 나타내었다. 활물질층(200)은 입자상의 양극 활물질(101)과, 도전재로서의 그래핀 및 그래핀 화합물(201)과, 바인더(미도시)를 포함한다.
본 명세서 등에 있어서, 그래핀 화합물이란 다층 그래핀, 멀티 그래핀, 산화 그래핀, 다층 산화 그래핀, 멀티 산화 그래핀, 환원된 산화 그래핀, 환원된 다층 산화 그래핀, 환원된 멀티 산화 그래핀, 그래핀 퀀텀닷(quantum dot) 등을 포함한다. 그래핀 화합물이란 탄소를 가지고, 평판상, 시트상 등의 형상을 가지고, 탄소 육원자 고리로 형성된 2차원적 구조를 가지는 것을 말한다. 이 탄소 육원자 고리로 형성된 2차원적 구조는 탄소 시트라고 하여도 좋다. 그래핀 화합물은 작용기를 가져도 좋다. 또한 그래핀 화합물은 굴곡진 형상을 가지는 것이 바람직하다. 또한 그래핀 화합물은 동그래지고 카본 나노 섬유와 같이 되어 있어도 좋다.
본 명세서 등에 있어서, 산화 그래핀이란 탄소와 산소를 가지고, 시트상의 형상을 가지고, 작용기, 특히 에폭시기, 카복시기, 또는 하이드록시기를 가지는 그래핀 화합물을 말한다.
본 명세서 등에 있어서, 환원된 산화 그래핀이란 탄소와 산소를 가지고, 시트상의 형상을 가지고, 탄소 육원자 고리로 형성된 2차원적 구조를 가지는 것을 말한다. 탄소 시트라고 하여도 좋다. 환원된 산화 그래핀은 1개로도 기능하지만 복수가 적층되어 있어도 좋다. 환원된 산화 그래핀은 탄소의 농도가 80atomic%보다 높고, 산소의 농도가 2atomic% 이상 15atomic% 이하인 부분을 가지는 것이 바람직하다. 이러한 탄소 농도 및 산소 농도로 함으로써, 소량으로도 도전성이 높은 도전재로서 기능할 수 있다. 또한 환원된 산화 그래핀은 라만 스펙트럼에서의 G밴드와 D밴드의 강도비 G/D가 1 이상인 것이 바람직하다. 이러한 강도비인 환원된 산화 그래핀은 소량으로도 도전성이 높은 도전재로서 기능할 수 있다.
활물질층(200)의 종단면에서는, 도 13의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 활물질층(200)의 내부에서 시트상의 그래핀 및 그래핀 화합물(201)이 대략 균일하게 분산된다. 도 13의 (B)에서는 그래핀 및 그래핀 화합물(201)을 굵은 선으로 모식적으로 나타내었지만, 실제로는 탄소 분자의 단층 또는 다층에 대응하는 두께를 가지는 박막이다. 복수의 그래핀 및 그래핀 화합물(201)은 복수의 입자상의 양극 활물질(101)을 일부 덮도록, 또는 복수의 입자상의 양극 활물질(101)의 표면 상에 부착되도록 형성되어 있기 때문에, 서로 면접촉하고 있다. 또한 그래핀 및 그래핀 화합물(201)이 활물질의 적어도 일부에 달라붙어 있는 것이 바람직하다. 또한 그래핀 및 그래핀 화합물(201)이 활물질의 적어도 일부에 겹치는 것이 바람직하다. 또한 그래핀 및 그래핀 화합물(201)의 형상이 활물질의 형상의 적어도 일부와 일치하는 것이 바람직하다. 상기 활물질의 형상이란, 예를 들어 단일의 활물질 입자가 가지는 울퉁불퉁함, 또는 복수의 활물질 입자로 형성되는 울퉁불퉁함을 말한다. 또한 그래핀 및 그래핀 화합물(201)이 활물질의 적어도 일부를 둘러싸는 것이 바람직하다. 또한 그래핀 및 그래핀 화합물(201)에는 구멍(개구)이 있어도 좋다.
여기서, 복수의 그래핀 화합물들이 결합함으로써 그물상 그래핀 화합물 시트(이하 그래핀 화합물 네트 또는 그래핀 네트라고 함)를 형성할 수 있다. 활물질을 그래핀 네트가 피복하는 경우, 그래핀 네트는 활물질들을 결합하는 바인더로서도 기능할 수 있다. 따라서 바인더의 양을 줄일 수 있거나 또는 바인더의 사용을 없앨 수 있기 때문에 전극 체적이나 전극 중량에서 활물질이 차지하는 비율을 높일 수 있다. 즉 이차 전지의 용량을 증가시킬 수 있다.
여기서 그래핀 및 그래핀 화합물(201)로서 산화 그래핀을 사용하고, 활물질과 혼합하여 활물질층(200)이 되는 층을 형성한 후, 환원하는 것이 바람직하다. 즉 완성 후의 활물질층은 환원된 산화 그래핀을 가지는 것이 바람직하다. 그래핀 및 그래핀 화합물(201)의 형성에, 극성 용매 중에서의 분산성이 매우 높은 산화 그래핀을 사용함으로써 그래핀 및 그래핀 화합물(201)을 활물질층(200)의 내부에서 대략 균일하게 분산시킬 수 있다. 균일하게 분산된 산화 그래핀을 함유하는 분산매에서 용매를 휘발 제거하여 산화 그래핀을 환원하기 때문에, 활물질층(200)에 잔류된 그래핀 및 그래핀 화합물(201)은 부분적으로 중첩되고, 서로 면접촉할 정도로 분산되어 있음으로써 3차원적인 도전 경로를 형성할 수 있다. 또한 산화 그래핀의 환원은 예를 들어, 열처리에 의하여 수행하여도 좋고, 환원제를 사용하여 수행하여도 좋다.
따라서 활물질과 점접촉하는 아세틸렌 블랙 등의 입자상의 도전재와 달리, 그래핀 및 그래핀 화합물(201)은 접촉 저항이 낮은 면접촉이 가능한 것이므로, 통상의 도전재보다 소량으로 입자상의 양극 활물질(101)과 그래핀 및 그래핀 화합물(201)의 전기 전도성을 향상시킬 수 있다. 따라서 양극 활물질(101)의 활물질층(200)에서의 비율을 증가시킬 수 있다. 이로써 이차 전지의 방전 용량을 증가시킬 수 있다.
또한 스프레이 드라이 장치를 이용하여 활물질의 표면 전체를 덮어 도전재인 그래핀 화합물을 피막으로서 미리 형성한 후, 활물질들간에 그래핀 화합물로 도전 경로를 형성할 수도 있다.
[음극]
음극은 음극 활물질층 및 음극 집전체를 가진다. 또한 음극 활물질층은 도전재 및 바인더를 가져도 좋다.
[음극 활물질]
음극 활물질로서는 예를 들어 합금계 재료나 탄소계 재료 등을 사용할 수 있다.
또한 음극 활물질로서, 리튬과의 합금화·탈합금화 반응에 의하여 충방전 반응이 가능한 원소를 사용할 수 있다. 예를 들어 실리콘, 주석, 갈륨, 알루미늄, 저마늄, 납, 안티모니, 비스무트, 은, 아연, 카드뮴, 인듐 등 중 적어도 하나를 포함하는 재료를 사용할 수 있다. 이러한 원소는 탄소에 비하여 용량이 크고, 특히 실리콘은 이론 용량이 4200mAh/g으로 높다. 그러므로 음극 활물질에 실리콘을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 이들 원소를 가지는 화합물을 사용하여도 좋다. 예를 들어 SiO, Mg2Si, Mg2Ge, SnO, SnO2, Mg2Sn, SnS2, V2Sn3, FeSn2, CoSn2, Ni3Sn2, Cu6Sn5, Ag3Sn, Ag3Sb, Ni2MnSb, CeSb3, LaSn3, La3Co2Sn7, CoSb3, InSb, SbSn 등이 있다. 여기서는 리튬과의 합금화·탈합금화 반응에 의하여 충방전 반응이 가능한 원소, 및 이러한 원소를 가지는 화합물 등을 합금계 재료라고 하는 경우가 있다.
본 명세서 등에 있어서, SiO란 예를 들어 일산화 실리콘을 가리킨다. 또는 SiO는 SiOx라고 나타낼 수도 있다. 여기서 x는 1 근방의 값을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들어 x는 0.2 이상 1.5 이하가 바람직하고, 0.3 이상 1.2 이하가 더 바람직하다.
탄소계 재료로서는 흑연, 이흑연화성 탄소(소프트 카본), 난흑연화성 탄소(하드 카본), 카본 나노 튜브, 그래핀, 카본 블랙 등을 사용하면 좋다.
흑연으로서는 인조 흑연이나 천연 흑연 등을 들 수 있다. 인조 흑연으로서는 예를 들어 메소카본 마이크로비즈(MCMB), 코크스계 인조 흑연, 피치계 인조 흑연 등을 들 수 있다. 여기서 인조 흑연으로서 구(球)상의 형상을 가지는 구상 흑연을 사용할 수 있다. 예를 들어 MCMB는 구상의 형상을 가지는 경우가 있어 바람직하다. 또한 MCMB는 그 표면적을 작게 하는 것이 비교적 쉬워, 바람직한 경우가 있다. 천연 흑연으로서는 예를 들어 인편상 흑연(flake graphite), 구상화 천연 흑연 등을 들 수 있다.
흑연은 리튬 이온이 흑연에 삽입되었을 때(리튬-흑연 층간 화합물의 생성 시)에, 리튬 금속과 같은 정도로 낮은 전위를 가진다(0.05V 이상 0.3V 이하 vs. Li/Li+). 이 때문에 리튬 이온 이차 전지는 높은 작동 전압을 가질 수 있다. 또한 흑연은 단위 체적당 용량이 비교적 높고, 체적 팽창이 비교적 작고, 저렴하고, 리튬 금속에 비하여 안전성이 높다는 등의 이점을 가지기 때문에 바람직하다.
또한 음극 활물질로서, 이산화 타이타늄(TiO2), 리튬 타이타늄 산화물(Li4Ti5O12), 리튬-흑연 층간 화합물(LixC6), 오산화 나이오븀(Nb2O5), 산화 텅스텐(WO2), 산화 몰리브데넘(MoO2) 등의 산화물을 사용할 수 있다.
또한 음극 활물질로서 리튬과 전이 금속을 포함하는 복합 질화물인 Li3N형 구조를 가지는 Li3-xMxN(M=Co, Ni, Cu)을 사용할 수 있다. 예를 들어 Li2.6Co0.4N3은 충방전 용량이 크기 때문에(900mAh/g, 1890mAh/cm3) 바람직하다.
리튬과 전이 금속을 포함하는 복합 질화물을 사용하면, 음극 활물질 중에 리튬 이온이 포함되기 때문에, 양극 활물질로서 리튬 이온을 포함하지 않는 V2O5, Cr3O8 등의 재료와 조합할 수 있어 바람직하다. 또한 양극 활물질에 리튬 이온을 포함하는 재료를 사용하는 경우에도, 양극 활물질에 포함되는 리튬 이온을 미리 탈리시킴으로써, 음극 활물질로서 리튬과 전이 금속을 포함하는 복합 질화물을 사용할 수 있다.
또한 컨버전(conversion) 반응이 일어나는 재료를 음극 활물질로서 사용할 수도 있다. 예를 들어 산화 코발트(CoO), 산화 니켈(NiO), 산화 철(FeO) 등, 리튬과 합금화되지 않는 전이 금속 산화물을 음극 활물질에 사용하여도 좋다. 컨버전 반응이 일어나는 재료로서는 Fe2O3, CuO, Cu2O, RuO2, Cr2O3 등의 산화물, CoS0.89, NiS, CuS 등의 황화물, Zn3N2, Cu3N, Ge3N4 등의 질화물, NiP2, FeP2, CoP3 등의 인화물, FeF3, BiF3 등의 플루오린화물도 들 수 있다.
음극 활물질층이 가질 수 있는 도전재 및 바인더로서는 양극 활물질층이 가질 수 있는 도전재 및 바인더와 같은 재료를 사용할 수 있다.
[음극 집전체]
음극 집전체에는, 양극 집전체와 같은 재료를 사용할 수 있다. 또한 음극 집전체는 리튬 등의 캐리어 이온과 합금화되지 않는 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
[전해액]
전해액은 용매와 전해질을 가진다. 전해액의 용매로서는 비양성자성 유기 용매를 사용하는 것이 바람직하고, 예를 들어, 에틸렌카보네이트(EC), 프로필렌카보네이트(PC), 뷰틸렌카보네이트, 클로로에틸렌카보네이트, 바이닐렌카보네이트, γ-뷰티로락톤, γ-발레로락톤, 다이메틸카보네이트(DMC), 다이에틸카보네이트(DEC), 에틸메틸카보네이트(EMC), 폼산메틸, 아세트산메틸, 아세트산 에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 프로피온산프로필, 뷰티르산메틸, 1,3-다이옥세인, 1,4-다이옥세인, 다이메톡시에테인(DME), 다이메틸설폭사이드, 다이에틸에터, 메틸다이글라임, 아세토나이트릴, 벤조나이트릴, 테트라하이드로퓨란, 설폴레인, 및 설톤 등 중에서 1종류, 또는 이들 중 2종류 이상을 임의의 조합 및 비율로 사용할 수 있다.
또한 전해액의 용매로서, 난연성 및 난휘발성인 이온성 액체(상온 용융염)를 하나 또는 복수 사용함으로써, 이차 전지의 내부 단락이나 과충전 등으로 인하여 내부 온도가 상승하여도, 이차 전지의 파열이나 발화 등을 방지할 수 있다. 이온 액체는 양이온과 음이온으로 이루어지며 유기 양이온과, 음이온을 포함한다. 전해액에 사용하는 유기 양이온으로서 4급 암모늄 양이온, 3급 설포늄 양이온, 및 4급 포스포늄 양이온 등의 지방족 오늄 양이온이나, 이미다졸륨 양이온 및 피리디늄 양이온 등의 방향족 양이온을 들 수 있다. 또한 전해액에 사용하는 음이온으로서, 1이 아마이드계 음이온, 1이 메티드계 음이온, 플루오로설폰산 음이온, 퍼플루오로알킬설폰산 음이온, 테트라플루오로보레이트 음이온, 퍼플루오로알킬보레이트 음이온, 헥사플루오로포스페이트 음이온, 또는 퍼플루오로알킬포스페이트 음이온 등을 들 수 있다.
또한 상기 용매에 용해시키는 전해질로서는 예를 들어, LiPF6, LiClO4, LiAsF6, LiBF4, LiAlCl4, LiSCN, LiBr, LiI, Li2SO4, Li2B10Cl10, Li2B12Cl12, LiCF3SO3, LiC4F9SO3, LiC(CF3SO2)3, LiC(C2F5SO2)3, LiN(CF3SO2)2, LiN(C4F9SO2)(CF3SO2), 및 LiN(C2F5SO2)2 등의 리튬 염을 1종류, 또는 이들 중 2종류 이상을 임의의 조합 및 비율로 사용할 수 있다.
이차 전지에 사용하는 전해액은 입자상의 먼지나 전해액의 구성 원소 이외의 원소(이하 단순히 '불순물'이라고도 함)의 함유량이 적은 고순도화된 전해액을 사용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 전해액에 대한 불순물의 중량비를 1% 이하, 바람직하게는 0.1% 이하, 더 바람직하게는 0.01% 이하로 한다.
또한 전해액에 바이닐렌카보네이트, 프로페인설톤(PS), tert-뷰틸벤젠(TBB), 플루오로에틸렌카보네이트(FEC), 리튬비스(옥사레이토)볼레이트(LiBOB), 숙시노나이트릴, 아디포나이트릴 등의 다이나이트릴 화합물 등의 첨가제를 첨가하여도 좋다. 첨가하는 재료의 농도는 예를 들어 용매 전체에 대하여 0.1wt% 이상 5wt% 이하로 하면 좋다.
또한 폴리머를 전해액으로 팽윤시킨 폴리머 겔 전해질을 사용하여도 좋다.
폴리머 겔 전해질을 사용함으로써, 누액성 등에 대한 안전성이 높아진다. 또한 이차 전지의 박형화 및 경량화가 가능하다.
겔화된 폴리머로서는 실리콘(silicone) 겔, 아크릴 겔, 아크릴로나이트릴 겔, 폴리에틸렌옥사이드계 겔, 폴리프로필렌옥사이드계 겔, 플루오린계 폴리머의 겔 등을 사용할 수 있다.
폴리머로서는 예를 들어, 폴리에틸렌옥사이드(PEO) 등의 폴리알킬렌옥사이드 구조를 가지는 폴리머, PVDF, 및 폴리아크릴로나이트릴 등, 및 이들을 포함하는 공중합체 등을 사용할 수 있다. 예를 들어 PVDF와 헥사플루오로프로필렌(HFP)의 공중합체인 PVDF-HFP를 사용할 수 있다. 또한 형성되는 폴리머가 다공질 형상을 가져도 좋다.
또한 전해액 대신에 황화물계나 산화물계 등의 무기물 재료를 가지는 고체 전해질이나, PEO(폴리에틸렌옥사이드)계 등의 고분자 재료를 가지는 고체 전해질을 사용할 수 있다. 고체 전해질을 사용하는 경우에는 세퍼레이터나 스페이서가 불필요하다. 또한 전지 전체를 고체화할 수 있기 때문에, 누액될 우려가 없어져 안전성이 비약적으로 향상된다.
[세퍼레이터]
또한 이차 전지는 세퍼레이터를 가지는 것이 바람직하다. 세퍼레이터로서는 예를 들어, 종이, 부직포, 유리 섬유, 세라믹, 또는 나일론(폴리아마이드), 바이닐론(폴리바이닐 알코올계 섬유), 폴리에스터, 아크릴, 폴리올레핀, 폴리우레탄을 사용한 합성 섬유 등으로 형성된 것을 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 엔벨로프 형상으로 가공하고, 양극 또는 음극 중 어느 한쪽을 감싸도록 배치하는 것이 바람직하다.
세퍼레이터는 다층 구조이어도 좋다. 예를 들어 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 유기 재료 필름에, 세라믹계 재료, 플루오린계 재료, 폴리아마이드계 재료, 또는 이들을 혼합한 것 등을 코팅할 수 있다. 세라믹계 재료로서는 예를 들어 산화 알루미늄 입자, 산화 실리콘 입자 등을 사용할 수 있다. 플루오린계 재료로서는 예를 들어 PVDF, 폴리테트라플루오로에틸렌 등을 사용할 수 있다. 폴리아마이드계 재료로서는 예를 들어 나일론, 아라미드(메타계 아라미드, 파라계 아라미드) 등을 사용할 수 있다.
세라믹계 재료를 코팅하면 내산화성이 향상되기 때문에 고전압으로의 충방전 시의 세퍼레이터의 열화를 억제하여, 이차 전지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 플루오린계 재료를 코팅하면 세퍼레이터와 전극이 밀착되기 쉬워져, 출력 특성을 향상시킬 수 있다. 폴리아마이드계 재료, 특히 아라미드를 코팅하면 내열성이 향상되기 때문에 이차 전지의 안전성을 향상시킬 수 있다.
예를 들어 폴리프로필렌 필름의 양면에, 산화 알루미늄과 아라미드의 혼합 재료를 코팅하여도 좋다. 또한 폴리프로필렌의 필름의, 양극과 접하는 면에 산화 알루미늄과 아라미드의 혼합 재료를 코팅하고, 음극과 접하는 면에 플루오린계 재료를 코팅하여도 좋다.
다층 구조의 세퍼레이터를 사용하면, 세퍼레이터 전체의 두께가 얇아도 이차 전지의 안전성을 유지할 수 있기 때문에 이차 전지의 체적당 용량을 크게 할 수 있다.
[외장체]
이차 전지가 가지는 외장체로서는 예를 들어 알루미늄 등의 금속 재료나 수지 재료를 사용할 수 있다. 또한 필름상의 외장체를 사용할 수도 있다. 필름으로서는 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 이오노머, 폴리아마이드 등의 재료로 이루어지는 막 상에, 알루미늄, 스테인리스, 구리, 니켈 등의 가요성이 우수한 금속 박막을 제공하고, 또한 상기 금속 박막 위에 외장체의 외면으로서 폴리아마이드계 수지, 폴리에스터계 수지 등의 절연성 합성 수지막을 제공한 3층 구조의 필름을 사용할 수 있다.
<이차 전지의 구성예 2>
이하에서는 이차 전지의 구성의 일례로서 고체 전해질층을 사용한 이차 전지의 구성에 대하여 설명한다.
도 14의 (A)에 나타내어진 바와 같이, 본 발명의 일 형태의 이차 전지(400)는 양극(410), 고체 전해질층(420), 및 음극(430)을 가진다.
양극(410)은 양극 집전체(413) 및 양극 활물질층(414)을 가진다. 양극 활물질층(414)은 양극 활물질(411) 및 고체 전해질(421)을 가진다. 또한 양극 활물질층(414)은 도전 조제 및 바인더를 가져도 좋다.
고체 전해질층(420)은 고체 전해질(421)을 가진다. 고체 전해질층(420)은 양극(410)과 음극(430) 사이에 위치하고, 양극 활물질(411)도 음극 활물질(431)도 가지지 않는 영역이다.
음극(430)은 음극 집전체(433) 및 음극 활물질층(434)을 가진다. 음극 활물질층(434)은 음극 활물질(431) 및 고체 전해질(421)을 가진다. 또한 음극 활물질층(434)은 도전 조제 및 바인더를 가져도 좋다. 또한 음극(430)에 금속 리튬을 사용하는 경우에는 도 14의 (B)와 같이 고체 전해질(421)을 가지지 않는 음극(430)으로 할 수 있다. 음극(430)에 금속 리튬을 사용하면 이차 전지(400)의 에너지 밀도를 향상시킬 수 있어 바람직하다.
고체 전해질층(420)이 가지는 고체 전해질(421)로서는 예를 들어 황화물계 고체 전해질, 산화물계 고체 전해질, 할로젠화물계 고체 전해질 등을 사용할 수 있다.
황화물계 고체 전해질에는 싸이오 실리콘계(Li10GeP2S12, Li3.25Ge0.25P0.75S4 등), 황화물 유리(70Li2S·30P2S5, 30Li2S·26B2S3·44LiI, 63Li2S·38SiS2·1Li3PO4, 57Li2S·38SiS2·5Li4SiO4, 50Li2S·50GeS2 등), 황화물 결정화 유리(Li7P3S11, Li3.25P0.95S4 등)가 포함된다. 황화물계 고체 전해질은 높은 전도도를 가지는 재료가 있고, 낮은 온도에서의 합성이 가능하고, 또한 비교적 부드럽기 때문에 충방전을 거쳐도 도전 경로가 유지되기 쉽다는 등의 이점이 있다.
산화물계 고체 전해질에는 페로브스카이트형 결정 구조를 가지는 재료(La2/3-xLi3xTiO3 등), NASICON형 결정 구조를 가지는 재료(Li1+XAlXTi2-X(PO4)3 등), 가닛형 결정 구조를 가지는 재료(Li7La3Zr2O12 등), LISICON형 결정 구조를 가지는 재료(Li14ZnGe4O16 등), 산화물 유리(Li3PO4-Li4SiO4, 50Li4SiO4·50Li3BO3 등), 산화물 결정화 유리(Li1.07Al0.69Ti1.46(PO4)3, Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3 등)가 포함된다. 산화물계 고체 전해질은 대기 중에서 안정적이라는 이점이 있다.
할로젠화물계 고체 전해질에는 LiAlCl4, Li3InBr6, LiF, LiCl, LiBr, LiI 등이 포함된다. 또한 이들 할로젠화물계 고체 전해질을 다공성 산화 알루미늄이나 다공성 실리카의 세공에 충전(充塡)한 복합 재료도 고체 전해질로서 사용할 수 있다.
또한 복수의 고체 전해질을 혼합하여 사용하여도 좋다.
그 중에서도 NASICON형 결정 구조를 가지는 Li1+xAlxTi2-x(PO4)3(0≤x≤1)(이하 LATP)는, 알루미늄과 타이타늄이라는, 본 발명의 일 형태의 이차 전지(400)에 사용하는 양극 활물질이 가져도 좋은 원소를 포함하기 때문에, 사이클 특성 향상에 대한 시너지 효과를 기대할 수 있어 바람직하다. 또한 공정 삭감에 의한 생산성 향상도 기대할 수 있다. 또한 본 명세서 등에 있어서, NASICON형 결정 구조란 M2(XO4)3(M: 전이 금속, X:S, P, As, Mo, W 등)으로 나타내어지는 화합물이며, MO6 팔면체와 XO4 사면체가 정점을 공유하여 3차원적으로 배열된 구조를 가지는 것을 말한다.
[외장체와 이차 전지의 형상]
본 발명의 일 형태의 이차 전지(400)의 외장체에는 다양한 재료 및 형상을 사용할 수 있지만, 양극, 고체 전해질층, 및 음극을 가압하는 기능을 가지는 것이 바람직하다.
예를 들어 도 15는 전고체 전지의 재료를 평가하는 셀의 일례이다.
도 15의 (A)는 평가 셀의 단면 모식도이고, 평가 셀은 하부 부재(761)와, 상부 부재(762)와, 이들을 고정하는 고정 나사나 나비 너트(764)를 가지고, 누르기용 나사(763)를 회전시킴으로써 전극용 판(753)을 눌러 평가 재료를 고정하고 있다. 스테인리스 재료로 구성된 하부 부재(761)와 상부 부재(762) 사이에는 절연체(766)가 제공되어 있다. 또한 상부 부재(762)와 누르기용 나사(763) 사이에는 밀폐를 위한 O링(765)이 제공되어 있다.
평가 재료는 전극용 판(751)에 얹히고 주위를 절연관(752)으로 둘러싸여 상방으로부터 전극용 판(753)에 눌린 상태가 되어 있다. 이 평가 재료와 주변을 확대한 사시도가 도 15의 (B)이다.
평가 재료로서는 양극(750a), 고체 전해질층(750b), 음극(750c)의 적층을 예시하였고, 단면도를 도 15의 (C)에 나타내었다. 또한 도 15의 (A), (B), (C)에서 같은 부분에는 같은 부호를 사용하였다.
양극(750a)과 전기적으로 접속되는 전극용 판(751) 및 하부 부재(761)는 양극 단자에 상당한다고 할 수 있다. 음극(750c)과 전기적으로 접속되는 전극용 판(753) 및 상부 부재(762)는 음극 단자에 상당한다고 말할 수 있다. 전극용 판(751) 및 전극용 판(753)을 개재(介在)하여 평가 재료를 누르면서 전기 저항 등을 측정할 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태의 이차 전지의 외장체에는 기밀성(airtightness)이 우수한 패키지를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 세라믹 패키지나 수지 패키지를 사용할 수 있다. 또한 외장체의 밀봉은, 외기가 차단되어 밀폐된 분위기, 예를 들어 글로브 박스 내에서 수행되는 것이 바람직하다.
도 16의 (A)에, 도 15와 다른 외장체 및 형상을 가지는 본 발명의 일 형태의 이차 전지의 사시도를 나타내었다. 도 16의 (A)의 이차 전지는 외부 전극(771, 772)을 가지고, 복수의 패키지 부재를 가지는 외장체로 밀봉되어 있다.
도 16의 (A) 중의 일점파선을 따라 절단한 단면의 일례를 도 16의 (B)에 나타내었다. 양극(750a), 고체 전해질층(750b), 및 음극(750c)을 가지는 적층체는, 평판에 전극층(773a)이 제공된 패키지 부재(770a)와, 프레임 형상의 패키지 부재(770b)와, 평판에 전극층(773b)이 제공된 패키지 부재(770c)로 둘러싸여 밀봉된 구조를 가진다. 패키지 부재(770a, 770b, 770c)에는 절연 재료, 예를 들어 수지 재료나 세라믹을 사용할 수 있다.
외부 전극(771)은 전극층(773a)을 통하여 양극(750a)과 전기적으로 접속되고 양극 단자로서 기능한다. 또한 외부 전극(772)은 전극층(773b)을 통하여 음극(750c)과 전기적으로 접속되고 음극 단자로서 기능한다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는 위의 실시형태에서 설명한 양극을 가지는 이차 전지의 형상의 예에 대하여 설명한다. 본 실시형태에서 설명하는 이차 전지에 사용되는 재료에 대해서는 위의 실시형태의 기재를 참조할 수 있다.
[코인형 이차 전지]
우선, 코인형 이차 전지의 일례에 대하여 설명한다. 도 17의 (A)는 코인형(단층 편평(扁平)형) 이차 전지의 외관도이고, 도 17의 (B)는 그 단면도이다.
코인형 이차 전지(300)에서, 양극 단자를 겸하는 양극 캔(301)과, 음극 단자를 겸하는 음극 캔(302)이, 폴리프로필렌 등으로 형성된 개스킷(303)에 의하여 절연되고 밀봉되어 있다. 양극(304)은 양극 집전체(305)와, 이와 접하도록 제공된 양극 활물질층(306)으로 형성된다. 또한 음극(307)은 음극 집전체(308)와, 이와 접하도록 제공된 음극 활물질층(309)으로 형성된다.
또한 코인형 이차 전지(300)에 사용되는 양극(304) 및 음극(307)에는, 각각 한쪽 면에만 활물질층을 형성하면 좋다.
양극 캔(301) 및 음극 캔(302)에는 전해액에 대하여 내식성이 있는 니켈, 알루미늄, 타이타늄 등의 금속, 또는 이들의 합금이나, 이들과 다른 금속의 합금(예를 들어 스테인리스강 등)을 사용할 수 있다. 또한 전해액으로 인한 부식을 방지하기 위하여 니켈이나 알루미늄 등으로 피복하는 것이 바람직하다. 양극 캔(301)은 양극(304)과, 음극 캔(302)은 음극(307)과 각각 전기적으로 접속된다.
상술한 음극(307), 양극(304), 및 세퍼레이터(310)를 전해질에 함침(含浸)시켜, 도 17의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 양극 캔(301)을 아래로 하여 양극(304), 세퍼레이터(310), 음극(307), 음극 캔(302)을 이 순서대로 적층하고, 양극 캔(301)과 음극 캔(302)을 개스킷(303)을 개재하여 압착함으로써 코인형 이차 전지(300)를 제작한다.
양극(304)에, 위의 실시형태에서 설명한 양극 활물질을 사용함으로써, 고용량이며 사이클 특성이 우수한 코인형 이차 전지(300)로 할 수 있다.
여기서 이차 전지의 충전 시의 전류의 흐름을 도 17의 (C)를 사용하여 설명한다. 리튬을 사용한 이차 전지를 하나의 폐회로로 간주하였을 때, 리튬 이온의 움직임과 전류의 흐름은 동일한 방향으로 된다. 또한 리튬을 사용한 이차 전지에서는 충전과 방전에서 애노드와 캐소드가 교체되고, 산화 반응과 환원 반응이 교체되게 되므로, 반응 전위가 높은 전극을 양극이라고 부르고, 반응 전위가 낮은 전극을 음극이라고 부른다. 따라서 본 명세서에서는 충전 중이든, 방전 중이든, 역 펄스 전류를 흘리는 경우든, 충전 전류를 흘리는 경우든, 양극은 '양극' 또는 '플러스극'이라고 부르고, 음극은 '음극' 또는 '마이너스극'이라고 부르기로 한다. 산화 반응이나 환원 반응에 관련된 애노드와 캐소드라는 용어를 사용하면, 충전 시와 방전 시에 반대가 되어, 혼란을 일으킬 가능성이 있다. 따라서 본 명세서에서는 애노드와 캐소드라는 용어를 사용하지 않기로 한다. 만약 애노드와 캐소드라는 용어를 사용하는 경우에는 충전 시인지 방전 시인지를 명기하고, 양극(플러스극) 및 음극(마이너스극) 중 어느 쪽에 대응하는지도 병기하기로 한다.
도 17의 (C)에 나타내어진 2개의 단자에는 충전기가 접속되고, 이차 전지(300)가 충전된다. 이차 전지(300)의 충전이 진행되면, 전극 간의 전위차는 커진다.
[원통형 이차 전지]
다음으로 원통형 이차 전지의 예에 대하여 도 18을 참조하여 설명한다. 원통형 이차 전지(600)의 외관도를 도 18의 (A)에 나타내었다. 도 18의 (B)는 원통형 이차 전지(600)의 단면을 모식적으로 나타낸 도면이다. 도 18의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 원통형 이차 전지(600)는 상면에 양극 캡(전지 뚜껑)(601)을 가지고, 측면 및 저면에 전지 캔(외장 캔)(602)을 가진다. 이들 양극 캡(601)과 전지 캔(외장 캔)(602)은 개스킷(절연 패킹)(610)에 의하여 절연된다.
중공 원통형 전지 캔(602)의 안쪽에는, 띠 형상의 양극(604)과 음극(606)이 세퍼레이터(605)를 개재하여 권회된 전지 소자가 제공된다. 도시하지 않았지만, 전지 소자는 센터 핀을 중심으로 권회되어 있다. 전지 캔(602)은 한쪽 단부가 닫혀 있고, 다른 쪽 단부가 열려 있다. 전지 캔(602)에는 전해액에 대하여 내식성이 있는 니켈, 알루미늄, 타이타늄 등의 금속, 또는 이들의 합금이나, 이들과 다른 금속의 합금(예를 들어 스테인리스강 등)을 사용할 수 있다. 또한 전해액으로 인한 부식을 방지하기 위하여 니켈이나 알루미늄 등으로 전지 캔(602)을 피복하는 것이 바람직하다. 전지 캔(602)의 안쪽에서, 양극, 음극, 및 세퍼레이터가 권회된 전지 소자는 대향하는 한 쌍의 절연판(608, 609)에 의하여 끼워진다. 또한 전지 소자가 제공된 전지 캔(602)의 내부는 비수전해액(미도시)이 주입되어 있다. 비수전해액으로서는 코인형 이차 전지에 사용하는 것과 같은 것을 사용할 수 있다.
원통형 축전지에 사용되는 양극 및 음극은 권회되기 때문에, 활물질을 집전체 양쪽 면에 형성하는 것이 바람직하다. 양극(604)에는 양극 단자(양극 집전 리드)(603)가 접속되고, 음극(606)에는 음극 단자(음극 집전 리드)(607)가 접속된다. 양극 단자(603) 및 음극 단자(607)에는 둘 다 알루미늄 등의 금속 재료를 사용할 수 있다. 양극 단자(603)는 안전 밸브 기구(612)에, 음극 단자(607)는 전지 캔(602)의 바닥에 각각 저항 용접된다. 안전 밸브 기구(612)는 PTC 소자(Positive Temperature Coefficient)(611)를 통하여 양극 캡(601)과 전기적으로 접속된다. 안전 밸브 기구(612)는 전지의 내압(內壓) 상승이 소정의 문턱값을 초과한 경우에, 양극 캡(601)과 양극(604) 사이의 전기적인 접속을 절단하는 것이다. 또한 PTC 소자(611)는 온도가 상승한 경우에 저항이 증대되는 열감 저항 소자이며, 저항의 증대에 따라 전류량을 제한하여 이상 발열을 방지하는 것이다. PTC 소자에는 타이타늄산 바륨(BaTiO3)계 반도체 세라믹 등을 사용할 수 있다.
또한 도 18의 (C)와 같이 복수의 이차 전지(600)를 도전판(613)과 도전판(614) 사이에 끼워 모듈(615)을 구성하여도 좋다. 복수의 이차 전지(600)는 병렬 접속되어도 좋고, 직렬 접속되어도 좋고, 병렬로 접속되고 직렬로 더 접속되어도 좋다. 복수의 이차 전지(600)를 가지는 모듈(615)을 구성함으로써, 큰 전력을 추출할 수 있다.
도 18의 (D)는 모듈(615)의 상면도이다. 도면을 명료화하기 위하여 도전판(613)을 점선으로 나타내었다. 도 18의 (D)에 나타내어진 바와 같이 모듈(615)은 복수의 이차 전지(600)를 전기적으로 접속하는 도선(616)을 가져도 좋다. 도선(616) 위에 도전판을 중첩시켜 제공할 수 있다. 또한 복수의 이차 전지(600) 사이에 온도 제어 장치(617)를 가져도 좋다. 이차 전지(600)가 과열되었을 때에는 온도 제어 장치(617)에 의하여 냉각하고, 이차 전지(600)가 지나치게 냉각되었을 때에는 온도 제어 장치(617)에 의하여 가열할 수 있다. 그러므로 모듈(615)의 성능이 외기 기온으로부터 영향을 받기 어려워진다. 온도 제어 장치(617)가 가지는 열 매체는 절연성과 불연성을 가지는 것이 바람직하다.
양극(604)에, 위의 실시형태에서 설명한 양극 활물질을 사용함으로써, 고용량이며 사이클 특성이 우수한 원통형 이차 전지(600)로 할 수 있다.
<이차 전지의 구조예>
이차 전지의 다른 구조예에 대하여 도 19 내지 도 23을 사용하여 설명한다.
도 19의 (A) 및 (B)는 전지 팩의 외관도를 나타낸 것이다. 전지 팩은 이차 전지(913)와 회로 기판(900)을 가진다. 이차 전지(913)는 회로 기판(900)을 통하여 안테나(914)에 접속된다. 또한 이차 전지(913)에는 라벨(910)이 부착되어 있다. 또한 도 19의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 이차 전지(913)는 단자(951)와, 단자(952)에 접속된다. 또한 회로 기판(900)은 실(915)로 고정되어 있다.
회로 기판(900)은 단자(911) 및 회로(912)를 가진다. 단자(911)는 단자(951), 단자(952), 안테나(914), 및 회로(912)에 접속된다. 또한 단자(911)를 복수로 제공하여, 복수의 단자(911)의 각각을 제어 신호 입력 단자, 전원 단자 등으로 하여도 좋다.
회로(912)는 회로 기판(900)의 이면에 제공되어도 좋다. 또한 안테나(914)는 코일 형상에 한정되지 않고, 예를 들어 선형, 판형이어도 좋다. 또한 평면 안테나, 개구면 안테나, 진행파 안테나, EH 안테나, 자계 안테나, 유전체 안테나 등의 안테나를 사용하여도 좋다. 또는 안테나(914)는 평판 형상의 도체이어도 좋다. 이 평판 형태의 도체는 전계 결합용 도체의 한가지로서 기능할 수 있다. 즉 콘덴서가 가지는 2개의 도체 중 하나의 도체로서, 안테나(914)를 기능시켜도 좋다. 이에 의하여, 전자계, 자계뿐만 아니라 전계에 의한 전력의 송수신도 가능하게 된다.
전지 팩은 안테나(914)와, 이차 전지(913) 사이에 층(916)을 가진다. 층(916)은 예를 들어, 이차 전지(913)로 인한 전자계를 차폐할 수 있는 기능을 가진다. 층(916)으로서는 예를 들어 자성체를 사용할 수 있다.
또한 전지 팩의 구조는, 도 19에 한정되지 않는다.
예를 들어 도 20의 (A) 및 (B)에 나타내어진 바와 같이, 도 19의 (A) 및 (B)에 나타내어진 이차 전지(913)에서, 대향되는 한 쌍의 면에 각각 안테나를 제공하여도 좋다. 도 20의 (A)는 상기 한 쌍의 면 중 한쪽을 나타낸 외관도이고, 도 20의 (B)는 상기 한 쌍의 면 중 다른 쪽을 나타낸 외관도이다. 또한 도 19의 (A) 및 (B)에 나타내어진 이차 전지와 같은 부분에 대해서는 도 19의 (A) 및 (B)에 나타내어진 이차 전지의 설명을 적절히 원용할 수 있다.
도 20의 (A)에 나타내어진 바와 같이, 이차 전지(913)의 한 쌍의 면 중 한쪽에, 층(916)을 개재하여 안테나(914)가 제공되고, 도 20의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 이차 전지(913)의 한 쌍의 면 중 다른 쪽에, 층(917)을 개재하여 안테나(918)가 제공된다. 층(917)은 예를 들어, 이차 전지(913)로 인한 전자계를 차폐할 수 있는 기능을 가진다. 층(917)으로서는 예를 들어 자성체를 사용할 수 있다.
상기 구조로 함으로써 안테나(914) 및 안테나(918)의 양쪽의 크기를 크게 할 수 있다. 안테나(918)는 예를 들어, 외부 기기와의 데이터 통신을 수행할 수 있는 기능을 가진다. 안테나(918)에는, 예를 들어 안테나(914)에 적용 가능한 형상의 안테나를 적용할 수 있다. 안테나(918)를 통한 이차 전지와 다른 기기 간의 통신 방식으로서는 NFC(근거리 무선 통신) 등 이차 전지와 다른 기기 사이에서 사용할 수 있는 응답 방식 등을 적용할 수 있다.
또는 도 20의 (C)에 나타내어진 바와 같이, 도 19의 (A) 및 (B)에 나타내어진 이차 전지(913)에 표시 장치(920)를 제공하여도 좋다. 표시 장치(920)는 단자(911)에 전기적으로 접속된다. 또한 표시 장치(920)가 제공되는 부분에 라벨(910)을 제공하지 않아도 된다. 또한 도 19의 (A) 및 (B)에 나타내어진 이차 전지와 같은 부분에 대해서는 도 19의 (A) 및 (B)에 나타내어진 이차 전지의 설명을 적절히 원용할 수 있다.
표시 장치(920)에는 예를 들어 충전 중인지 여부를 나타내는 화상, 축전량을 나타내는 화상 등을 표시하여도 좋다. 표시 장치(920)로서는 예를 들어, 전자 종이, 액정 표시 장치, 일렉트로루미네선스(EL이라고도 함) 표시 장치 등을 사용할 수 있다. 예를 들어 전자 종이를 사용함으로써 표시 장치(920)의 소비전력을 저감할 수 있다.
또는 도 20의 (D)에 나타내어진 바와 같이, 도 19의 (A) 및 (B)에 나타내어진 이차 전지(913)에 센서(921)를 제공하여도 좋다. 센서(921)는 단자(922)를 통하여 단자(911)에 전기적으로 접속된다. 또한 도 19의 (A) 및 (B)에 나타내어진 이차 전지와 같은 부분에 대해서는 도 19의 (A) 및 (B)에 나타내어진 이차 전지의 설명을 적절히 원용할 수 있다.
센서(921)로서는 예를 들어, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도(硬度), 전계, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정할 수 있는 기능을 가지면 좋다. 센서(921)를 제공함으로써, 예를 들어 이차 전지가 놓여 있는 환경을 나타내는 데이터(온도 등)를 검출하여, 회로(912) 내의 메모리에 기억해 둘 수도 있다.
또한 이차 전지(913)의 구조예에 대하여 도 21 및 도 22를 사용하여 설명한다.
도 21의 (A)에 나타내어진 이차 전지(913)는 하우징(930) 내부에 단자(951)와 단자(952)가 제공된 권회체(950)를 가진다. 권회체(950)는 하우징(930) 내부에서 전해액에 함침된다. 단자(952)는 하우징(930)에 접하고, 단자(951)는 절연재 등에 의하여 하우징(930)에 접하지 않는다. 또한 도 21의 (A)에서는 편의상 하우징(930)을 분리시켜 도시하였지만, 실제로는 권회체(950)가 하우징(930)으로 덮여, 단자(951) 및 단자(952)가 하우징(930) 외측으로 연장된다. 하우징(930)으로서는 금속 재료(예를 들어 알루미늄 등) 또는 수지 재료를 사용할 수 있다.
또한 도 21의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 도 21의 (A)에 나타내어진 하우징(930)을 복수의 재료에 의하여 형성하여도 좋다. 예를 들어 도 21의 (B)에 나타내어진 이차 전지(913)는 하우징(930a)과 하우징(930b)이 접합된 것이고, 하우징(930a)과 하우징(930b)으로 둘러싸인 영역에 권회체(950)가 제공된다.
하우징(930a)으로서는 유기 수지 등, 절연 재료를 사용할 수 있다. 특히 안테나가 형성되는 면에 유기 수지 등의 재료를 사용함으로써, 이차 전지(913)로 인한 전계의 차폐를 억제할 수 있다. 또한 하우징(930a)으로 인한 전계의 차폐가 작으면, 하우징(930a) 내부에 안테나(914) 등의 안테나를 제공하여도 좋다. 하우징(930b)으로서는 예를 들어 금속 재료를 사용할 수 있다.
또한 권회체(950)의 구조에 대하여 도 22에 나타내었다. 권회체(950)는 음극(931), 양극(932), 및 세퍼레이터(933)를 가진다. 권회체(950)는 세퍼레이터(933)를 사이에 두고 음극(931)과 양극(932)이 중첩되어 적층되고, 이 적층 시트를 권회시킨 권회체이다. 또한 음극(931)과, 양극(932)과, 세퍼레이터(933)의 적층을 더욱 복수 중첩시켜도 좋다.
음극(931)은 단자(951) 및 단자(952) 중 한쪽을 통하여 도 19에 나타내어진 단자(911)에 접속된다. 양극(932)은 단자(951) 및 단자(952) 중 다른 쪽을 통하여 도 19에 나타내어진 단자(911)에 접속된다.
양극(932)에, 위의 실시형태에서 설명한 양극 활물질을 사용함으로써, 고용량이며 사이클 특성이 우수한 이차 전지(913)로 할 수 있다.
<래미네이트형 이차 전지>
다음으로 래미네이트형 이차 전지의 예에 대하여 도 23 내지 도 27을 참조하여 설명한다. 래미네이트형 이차 전지는 가요성을 가지는 구성으로 하고, 가요성을 가지는 부분을 적어도 일부 가지는 전자 기기에 실장하면, 전자 기기의 변형에 맞추어 이차 전지도 휠 수 있다.
도 23을 사용하여 래미네이트형 이차 전지(980)에 대하여 설명한다. 래미네이트형 이차 전지(980)는 도 23의 (A)에 나타내어진 권회체(993)를 가진다. 권회체(993)는 음극(994), 양극(995), 및 세퍼레이터(996)를 가진다. 권회체(993)는 도 22에서 설명한 권회체(950)와 마찬가지로 세퍼레이터(996)를 개재하여 음극(994)과 양극(995)이 중첩되어 적층되고, 이 적층 시트를 권회한 것이다.
또한 음극(994), 양극(995), 및 세퍼레이터(996)로 이루어진 적층의 적층 수는 필요한 용량과 소자 체적에 따라 적절히 설계하면 좋다. 음극(994)은 리드 전극(997) 및 리드 전극(998) 중 한쪽을 통하여 음극 집전체(미도시)와 접속되고, 양극(995)은 리드 전극(997) 및 리드 전극(998) 중 다른 쪽을 통하여 양극 집전체(미도시)와 접속된다.
도 23의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 외장체인 필름(981)과, 오목부를 가지는 필름(982)을 열 압착 등에 의하여 접합하여 형성되는 공간에, 상술한 권회체(993)를 수납함으로써, 도 23의 (C)에 나타내어진 바와 같이, 이차 전지(980)를 제작할 수 있다. 권회체(993)는 리드 전극(997) 및 리드 전극(998)을 가지고, 필름(981)과, 오목부를 가지는 필름(982)의 내부에서 전해액에 함침된다.
필름(981)과, 오목부를 가지는 필름(982)은 예를 들어 알루미늄 등의 금속 재료나 수지 재료를 사용할 수 있다. 필름(981) 및 오목부를 가지는 필름(982)의 재료로서 수지 재료를 사용하면, 외부로부터 힘이 가해졌을 때에, 필름(981)과, 오목부를 가지는 필름(982)을 변형시킬 수 있어, 가요성을 가지는 축전지를 제작할 수 있다.
또한 도 23의 (B) 및 (C)는 2장의 필름을 사용하는 경우를 예시한 것이지만, 1장의 필름을 접어서 공간을 형성하고, 이 공간에 상술한 권회체(993)를 수납하여도 좋다.
양극(995)에, 위의 실시형태에서 설명한 양극 활물질을 사용함으로써, 고용량이며 사이클 특성이 우수한 이차 전지(980)로 할 수 있다.
또한 도 23에서는 외장체인 필름에 의하여 형성된 공간에 권회체를 가지는 이차 전지(980)의 일례에 대하여 설명하였지만, 예를 들어 도 24와 같이, 외장체인 필름에 의하여 형성된 공간에 복수의 직사각형의 양극, 세퍼레이터, 및 음극을 가지는 이차 전지로 하여도 좋다.
도 24의 (A)에 나타내어진 래미네이트형 이차 전지(500)는 양극 집전체(501) 및 양극 활물질층(502)을 가지는 양극(503)과, 음극 집전체(504) 및 음극 활물질층(505)을 가지는 음극(506)과, 세퍼레이터(507)와, 전해액(508)과, 외장체(509)를 가진다. 외장체(509) 내부에 제공된 양극(503)과 음극(506) 사이에 세퍼레이터(507)가 설치되어 있다. 또한 외장체(509) 내부는 전해액(508)으로 채워져 있다. 전해액(508)에는 실시형태 3에서 설명한 전해액을 사용할 수 있다.
도 24의 (A)에 나타내어진 래미네이트형 이차 전지(500)에서, 양극 집전체(501) 및 음극 집전체(504)는 외부와 전기적으로 접촉되는 단자로서의 역할도 겸한다. 그러므로 양극 집전체(501) 및 음극 집전체(504)의 일부는, 외장체(509)로부터 외측으로 노출되도록 배치하여도 좋다. 또한 양극 집전체(501) 및 음극 집전체(504)를 외장체(509)로부터 외측으로 노출시키지 않고, 리드 전극을 사용하여 이 리드 전극과 양극 집전체(501), 또는 음극 집전체(504)를, 초음파 접합시켜 리드 전극이 외측으로 노출되도록 하여도 좋다.
래미네이트형 이차 전지(500)에서, 외장체(509)에는, 예를 들어 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 이오노머, 폴리아마이드 등의 재료로 이루어지는 막 위에, 알루미늄, 스테인리스강, 구리, 니켈 등의 가요성이 뛰어난 금속 박막을 제공하고, 또한, 이 금속 박막 위에 외장체의 외면으로서 폴리아마이드계 수지, 폴리에스터계 수지 등의 절연성 합성 수지막을 제공한 3층 구조의 래미네이트 필름을 사용할 수 있다.
또한 래미네이트형 이차 전지(500)의 단면 구조의 일례를 도 24의 (B)에 나타내었다. 도 24의 (A)에서는 간략화를 위하여 2개의 집전체로 구성되는 예를 나타내었지만 실제로는 도 24의 (B)에 나타내어진 바와 같이 복수의 전극층으로 구성된다.
도 24의 (B)에서는, 일례로서, 전극층의 개수를 16개로 한다. 또한 전극층의 개수를 16개로 하여도 이차 전지(500)는 가요성을 가진다. 도 24의 (B)에서는 음극 집전체(504) 8층과 양극 집전체(501) 8층의 총 16층의 구조를 나타내었다. 또한 도 24의 (B)는 음극의 추출부의 단면을 나타낸 것이고, 8층의 음극 집전체(504)를 초음파 접합시켰다. 물론, 전극층의 개수는 16개에 한정되지 않으며, 많아도 좋고, 적어도 좋다. 전극층의 개수가 많은 경우에는 더 큰 용량을 가지는 이차 전지로 할 수 있다. 또한 전극층의 개수가 적은 경우에는 박형화할 수 있어, 가요성이 뛰어난 이차 전지로 할 수 있다.
여기서 래미네이트형 이차 전지(500)의 외관도의 일례를 도 25 및 도 26에 나타내었다. 도 25 및 도 26은 양극(503), 음극(506), 세퍼레이터(507), 외장체(509), 양극 리드 전극(510), 및 음극 리드 전극(511)을 가진다.
도 27의 (A)에 양극(503) 및 음극(506)의 외관도를 나타내었다. 양극(503)은 양극 집전체(501)를 가지고, 양극 활물질층(502)은 양극 집전체(501)의 표면에 형성되어 있다. 또한 양극(503)은 양극 집전체(501)가 일부 노출되는 영역(이하 태브 영역이라 함)을 가진다. 음극(506)은 음극 집전체(504)를 가지고, 음극 활물질층(505)은 음극 집전체(504)의 표면에 형성되어 있다. 또한 음극(506)은 음극 집전체(504)가 일부 노출되는 영역, 즉 태브 영역을 가진다. 양극 및 음극이 가지는 태브 영역의 면적이나 형상은, 도 27의 (A)에 나타내어진 예에 한정되지 않는다.
[래미네이트형 이차 전지의 제작 방법]
여기서 도 25에 외관도를 나타낸 래미네이트형 이차 전지의 제작 방법의 일례에 대하여 도 27의 (B) 및 (C)를 사용하여 설명한다.
우선, 음극(506), 세퍼레이터(507), 및 양극(503)을 적층한다. 도 27의 (B)에, 적층된 음극(506), 세퍼레이터(507), 및 양극(503)을 나타내었다. 여기서는 음극을 5개, 양극을 4개 사용한 예를 나타내었다. 다음으로 양극(503)의 태브 영역들을 서로 접합하고, 최표면에 위치하는 양극의 태브 영역에 양극 리드 전극(510)을 접합한다. 접합에는 예를 들어 초음파 용접 등을 사용하면 좋다. 마찬가지로 음극(506)의 태브 영역들을 서로 접합하고, 최표면에 위치하는 음극의 태브 영역에 음극 리드 전극(511)을 접합한다.
다음으로 외장체(509) 위에 음극(506), 세퍼레이터(507), 및 양극(503)을 배치한다.
다음으로 도 27의 (C)에 나타내어진 바와 같이, 외장체(509)를 파선으로 나타낸 부분에서 접는다. 그 후, 외장체(509)의 외주부를 접합한다. 접합에는 예를 들어 열압착 등을 사용하면 좋다. 이때 나중에 전해액(508)을 도입할 수 있도록, 외장체(509)의 일부(또는 한 변)에 접합되지 않는 영역(이하 도입구라고 함)을 제공한다.
다음으로 외장체(509)에 제공된 도입구에서, 전해액(508)(미도시)을 외장체(509)의 내측으로 도입한다. 전해액(508)의 도입은, 감압 분위기, 또는 불활성 분위기에서 수행하는 것이 바람직하다. 그리고 마지막에 도입구를 접합한다. 이로써 래미네이트형 이차 전지(500)를 제작할 수 있다.
양극(503)에, 위의 실시형태에서 설명한 양극 활물질을 사용함으로써, 고용량이며 사이클 특성이 우수한 이차 전지로 할 수 있다.
전고체 전지에서는 적층한 양극이나 음극의 적층 방향으로 소정의 압력을 가함으로써, 내부에서 계면의 접촉 상태를 양호하게 유지할 수 있다. 양극이나 음극의 적층 방향으로 소정의 압력을 가함으로써, 전고체 전지의 충방전으로 인한 적층 방향으로의 팽창을 억제할 수 있어, 전고체 전지의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 7)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 전자 기기에 실장하는 예에 대하여 설명한다.
먼저, 위의 실시형태에서 설명한, 휠 수 있는 이차 전지를 전자 기기에 실장하는 예를 도 28의 (A) 내지 (G)에 나타내었다. 휠 수 있는 이차 전지를 적용한 전자 기기로서는 예를 들어 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대용 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치, 파친코기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.
또한 플렉시블 이차 전지를, 가옥이나 빌딩의 내벽 또는 외벽이나, 자동차의 내장 또는 외장의 곡면을 따라 제공할 수도 있다.
도 28의 (A)는 휴대 전화기의 일례를 나타낸 것이다. 휴대 전화기(7400)는 하우징(7401)에 제공된 표시부(7402) 외에, 조작 버튼(7403), 외부 접속 포트(7404), 스피커(7405), 마이크로폰(7406) 등을 구비한다. 또한 휴대 전화기(7400)는 이차 전지(7407)를 가진다. 상기 이차 전지(7407)에 본 발명의 일 형태의 이차 전지를 사용하면 경량이고 장수명의 휴대 전화기를 제공할 수 있다.
도 28의 (B)는 휴대 전화기(7400)를 만곡시킨 상태를 나타낸 것이다. 휴대 전화기(7400)를 외부의 힘으로 변형시켜 전체를 만곡시키면, 그 내부에 제공된 이차 전지(7407)도 만곡된다. 이때 만곡된 이차 전지(7407)의 상태를 도 28의 (C)에 나타내었다. 이차 전지(7407)는 박형 축전지이다. 이차 전지(7407)는 만곡된 상태로 고정되어 있다. 또한 이차 전지(7407)는 집전체에 전기적으로 접속된 리드 전극을 가진다. 예를 들어 집전체는 구리박이며, 일부를 갈륨과 합금화시켜, 집전체와 접하는 활물질층과의 밀착성을 향상시킴으로써, 이차 전지(7407)가 만곡된 상태에서의 신뢰성이 높은 구성이 되어 있다.
도 28의 (D)는 팔찌형 표시 장치의 일례를 나타낸 것이다. 휴대용 표시 장치(7100)는 하우징(7101), 표시부(7102), 조작 버튼(7103), 및 이차 전지(7104)를 가진다. 또한 휘어진 이차 전지(7104)의 상태를 도 28의 (E)에 나타내었다. 이차 전지(7104)는 휘어진 상태로 사용자의 팔에 장착될 때에 하우징이 변형되어 이차 전지(7104)의 일부 또는 전체의 곡률이 변화된다. 또한 임의의 점에서의 곡선의 만곡의 정도를 상당하는 원의 반경의 값으로 나타낸 것을 곡률 반경이라고 말하고, 곡률 반경의 역수는 곡률이라고 말한다. 구체적으로는 하우징 또는 이차 전지(7104)의 주표면의 일부 또는 전체가 곡률 반경 40mm 이상 150mm 이하의 범위 내에서 변화된다. 이차 전지(7104)의 주표면에서의 곡률 반경이 40mm 이상 150mm 이하의 범위이면, 높은 신뢰성을 유지할 수 있다. 상기 이차 전지(7104)에 본 발명의 일 형태의 이차 전지를 사용함으로써 경량이고 장수명의 휴대용 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 28의 (F)는 손목시계형의 휴대 정보 단말기의 일례를 나타낸 것이다. 휴대 정보 단말기(7200)는 하우징(7201), 표시부(7202), 밴드(7203), 버클(7204), 조작 버튼(7205), 입출력 단자(7206) 등을 구비한다.
휴대 정보 단말기(7200)는 이동 전화, 전자 메일, 문장 열람 및 작성, 음악 재생, 인터넷 통신, 컴퓨터 게임 등의 다양한 애플리케이션을 실행할 수 있다.
표시부(7202)는 그 표시면이 만곡되어 제공되고, 만곡된 표시면을 따라 표시를 수행할 수 있다. 또한 표시부(7202)는 터치 센서를 구비하고, 손가락이나 스타일러스 등으로 화면을 터치함으로써 조작할 수 있다. 예를 들어 표시부(7202)에 표시된 아이콘(7207)에 접촉함으로써 애플리케이션을 기동할 수 있다.
조작 버튼(7205)은 시각 설정 외에, 전원의 온/오프 동작, 무선 통신의 온/오프 동작, 매너 모드의 실행 및 해제, 전력 절약 모드의 실행 및 해제 등, 다양한 기능을 가지게 할 수 있다. 예를 들어 휴대 정보 단말기(7200)에 제공된 운영 체제(operating system)에 의하여 조작 버튼(7205)의 기능을 자유롭게 설정할 수도 있다.
또한 휴대 정보 단말기(7200)는 통신 규격화된 근거리 무선 통신을 실행하는 것이 가능하다. 예를 들어 무선 통신할 수 있는 헤드셋과 상호 통신함으로써, 핸즈프리로 통화할 수도 있다.
또한 휴대 정보 단말기(7200)는 입출력 단자(7206)를 구비하고, 다른 정보 단말기와 커넥터를 통하여 직접 데이터를 주고받을 수 있다. 또한 입출력 단자(7206)를 통하여 충전을 수행할 수도 있다. 또한 충전 동작은 입출력 단자(7206)를 통하지 않고 무선 급전에 의하여 수행하여도 좋다.
휴대 정보 단말기(7200)의 표시부(7202)에는, 본 발명의 일 형태의 이차 전지를 가진다. 본 발명의 일 형태의 이차 전지를 사용함으로써 경량이고 장수명의 휴대 정보 단말기를 제공할 수 있다. 예를 들어 도 28의 (E)에 나타내어진 이차 전지(7104)를 휘어진 상태로 하우징(7201) 내부에 제공하거나 또는 휘어질 수 있는 상태로 밴드(7203) 내부에 제공할 수 있다.
휴대 정보 단말기(7200)는 센서를 가지는 것이 바람직하다. 센서로서, 예를 들어, 지문 센서, 맥박 센서, 및 체온 센서 등의 인체 센서나, 터치 센서, 가압 센서, 및 가속도 센서 등이 탑재되어 있는 것이 바람직하다.
도 28의 (G)는 완장형 표시 장치의 일례를 나타낸 것이다. 표시 장치(7300)는 표시부(7304)를 포함하고 본 발명의 일 형태의 이차 전지를 가진다. 또한 표시 장치(7300)는 표시부(7304)에 터치 센서를 가질 수도 있고, 또한 휴대 정보 단말기로서 기능시킬 수도 있다.
표시부(7304)는 그 표시면이 만곡되어 있고, 만곡된 표시면을 따라 표시를 수행할 수 있다. 또한 표시 장치(7300)는 통신 규격화된 근거리 무선 통신 등에 의하여 표시 상황을 변경할 수 있다.
또한 표시 장치(7300)는 입출력 단자를 구비하고, 다른 정보 단말기와 커넥터를 통하여 직접 데이터를 주고받을 수 있다. 또한 입출력 단자를 통하여 충전을 수행할 수도 있다. 또한 충전 동작은 입출력 단자를 통하지 않고 무선 급전에 의하여 수행하여도 좋다.
표시 장치(7300)가 가지는 이차 전지로서 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지를 사용함으로써 경량이고 장수명의 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한 상술한 실시형태에서 나타낸 사이클 특성이 좋은 이차 전지를 전자 기기에 실장하는 예를 도 28의 (H), 도 29, 및 도 30을 참조하여 설명한다.
일상용 전자 기기에 이차 전지로서 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지를 사용함으로써 경량이고 장수명의 제품을 제공할 수 있다. 예를 들어 일상용 전자 기기로서는 전동 칫솔, 전기 면도기, 전동 미용 기기 등을 들 수 있고, 이들 제품의 이차 전지로서는 사용자가 잡기 쉽도록 형상이 스틱 형상이며, 소형, 경량, 또한 대용량의 이차 전지가 요구되고 있다.
도 28의 (H)는 담배 수용 흡연 장치(전자 담배)라고도 불리는 장치의 사시도이다. 도 28의 (H)에서 전자 담배(7500)는 가열 소자를 포함하는 애토마이저(7501)와, 애토마이저에 전력을 공급하는 이차 전지(7504)와, 액체 공급 보틀이나 센서 등을 포함하는 카트리지(7502)로 구성되어 있다. 안전성을 높이기 위하여 이차 전지(7504)의 과충전이나 과방전을 방지하는 보호 회로를 이차 전지(7504)에 전기적으로 접속하여도 좋다. 도 28의 (H)에 나타내어진 이차 전지(7504)는 충전 기기와 접속할 수 있도록 외부 단자를 가진다. 이차 전지(7504)는 잡았을 때 선단 부분이 되므로 전체의 길이가 짧고 또한 중량이 가벼운 것이 바람직하다. 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지는 고용량, 양호한 사이클 특성을 가지므로, 장기간에 걸쳐 장시간의 사용이 가능한 소형 또한 경량의 전자 담배(7500)를 제공할 수 있다.
다음으로, 도 29의 (A) 및 (B)에 반으로 접을 수 있는 태블릿형 단말기의 일례를 나타내었다. 도 29의 (A) 및 (B)에 나타내어진 태블릿형 단말기(9600)는 하우징(9630a), 하우징(9630b), 하우징(9630a)과 하우징(9630b)을 연결하는 가동(可動)부(9640), 표시부(9631a)와 표시부(9631b)를 가지는 표시부(9631), 스위치(9625) 내지 스위치(9627), 잠금부(9629), 조작 스위치(9628)를 가진다. 표시부(9631)에는 가요성을 가지는 패널을 사용함으로써 더 넓은 표시부를 가지는 태블릿형 단말기로 할 수 있다. 도 29의 (A)는 태블릿형 단말기(9600)가 열린 상태를 나타낸 것이고, 도 29의 (B)는 태블릿형 단말기(9600)가 닫힌 상태를 나타낸 것이다.
또한 태블릿형 단말기(9600)는 하우징(9630a) 및 하우징(9630b) 내부에 축전체(9635)를 가진다. 축전체(9635)는 가동부(9640)를 거쳐, 하우징(9630a)과 하우징(9630b)에 걸쳐 제공되어 있다.
표시부(9631)는 일부 또는 전체를 터치 패널의 영역으로 할 수 있고, 또한 상기 영역에 표시된 아이콘을 포함하는 화상, 텍스트, 입력 폼(form) 등을 터치함으로써 데이터를 입력할 수 있다. 예를 들어 하우징(9630a) 측의 표시부(9631a) 전체에 키보드 버튼을 표시시키고, 하우징(9630b) 측의 표시부(9631b)에 텍스트, 화상 등의 정보를 표시시켜 사용하여도 좋다.
또한 하우징(9630b) 측의 표시부(9631b)에 키보드를 표시시키고, 하우징(9630a) 측의 표시부(9631a)에 텍스트, 화상 등의 정보를 표시시켜 사용하여도 좋다. 또한 표시부(9631)에 터치 패널의 키보드 표시 전환 버튼을 표시하여, 상기 버튼을 손가락이나 스타일러스 등으로 터치함으로써 표시부(9631)에 키보드를 표시시키는 구성으로 하여도 좋다.
또한 하우징(9630a) 측의 표시부(9631a)의 터치 패널의 영역과 하우징(9630b) 측의 표시부(9631b)의 터치 패널의 영역에 대하여 동시에 터치 입력할 수도 있다.
또한 스위치(9625) 내지 스위치(9627)에는 태블릿형 단말기(9600)를 조작하기 위한 인터페이스뿐만 아니라, 다양한 기능의 전환을 수행할 수 있는 인터페이스로 하여도 좋다. 예를 들어 스위치(9625) 내지 스위치(9627) 중 적어도 하나는 태블릿형 단말기(9600)의 전원의 온·오프를 전환하는 스위치로서 기능하여도 좋다. 또한 예를 들어 스위치(9625) 내지 스위치(9627) 중 적어도 하나는 세로 표시 또는 가로 표시 등의 표시의 방향을 전환하는 기능, 또는 흑백 표시나 컬러 표시로 전환하는 기능을 가져도 좋다. 또한 예를 들어 스위치(9625) 내지 스위치(9627) 중 적어도 하나는 표시부(9631)의 휘도를 조정하는 기능을 가져도 좋다. 또한 표시부(9631)의 휘도는 태블릿형 단말기(9600)에 내장되어 있는 광 센서로 검출되는, 사용 시의 외광의 광량에 따라 최적으로 할 수 있다. 또한 태블릿형 단말기에는 광 센서뿐만 아니라 자이로스코프, 가속도 센서 등 기울기를 검출하는 센서 등 다른 검출 장치가 내장되어도 좋다.
또한 도 29의 (A)에서는 하우징(9630a) 측의 표시부(9631a)와 하우징(9630b) 측의 표시부(9631b)의 표시 면적이 거의 같은 예를 나타내었지만, 표시부(9631a) 및 표시부(9631b)의 각각의 표시 면적은 특별히 한정되지 않고, 한쪽의 크기와 다른 쪽의 크기가 달라도 좋고, 표시의 품질도 달라도 좋다. 예를 들어 한쪽이 다른 쪽보다 고정세(高精細)한 표시를 할 수 있는 표시 패널이어도 좋다.
도 29의 (B)는 태블릿형 단말기(9600)를 반으로 접은 상태이며, 태블릿형 단말기(9600)는 하우징(9630), 태양 전지(9633), DCDC 컨버터(9636)를 포함하는 충방전 제어 회로(9634)를 가진다. 또한 축전체(9635)로서 본 발명의 일 형태에 따른 축전체를 사용한다.
또한 상술한 바와 같이, 태블릿형 단말기(9600)는 반으로 접을 수 있기 때문에, 사용하지 않을 때는 하우징(9630a) 및 하우징(9630b)이 서로 중첩되도록 접을 수 있다. 접음으로써, 표시부(9631)를 보호할 수 있어, 태블릿형 단말기(9600)의 내구성을 높일 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지를 사용한 축전체(9635)는 고용량, 양호한 사이클 특성을 가지므로, 장기간에 걸쳐 장시간의 사용이 가능한 태블릿형 단말기(9600)를 제공할 수 있다.
또한 도 29의 (A) 및 (B)에 나타내어진 태블릿형 단말기(9600)는 상술한 것 외에도, 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시하는 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시부에 표시하는 기능, 표시부에 표시된 정보를 터치 입력에 의하여 조작하거나 편집하는 터치 입력 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능 등을 가질 수 있다.
태블릿형 단말기(9600)의 표면에 장착된 태양 전지(9633)에 의하여, 전력을 터치 패널, 표시부, 또는 영상 신호 처리부 등에 공급할 수 있다. 또한 태양 전지(9633)는 하우징(9630)의 한쪽 면 또는 양면에 제공할 수 있고, 축전체(9635)의 충전을 효율적으로 수행하는 구성으로 할 수 있다. 또한 축전체(9635)로서는 리튬 이온 전지를 사용하면, 소형화를 도모할 수 있다는 등의 이점이 있다.
또한 도 29의 (B)에 나타내어진 충방전 제어 회로(9634)의 구성 및 동작에 대하여 도 29의 (C)의 블록도를 참조하여 설명한다. 도 29의 (C)는, 태양 전지(9633), 축전체(9635), DCDC 컨버터(9636), 컨버터(9637), 스위치(SW1) 내지 스위치(SW3), 표시부(9631)를 나타낸 것이고, 축전체(9635), DCDC 컨버터(9636), 컨버터(9637), 스위치(SW1) 내지 스위치(SW3)는 도 29의 (B)에 나타내어진 충방전 제어 회로(9634)에 상당한다.
먼저, 외광에 의하여 태양 전지(9633)로 발전하는 경우의 동작의 예에 대하여 설명한다. 태양 전지로 발전된 전력은 축전체(9635)를 충전하기 위한 전압이 되도록 DCDC 컨버터(9636)로 승압 또는 강압된다. 또한 표시부(9631)의 동작에 태양 전지(9633)로부터의 전력이 사용될 때는, 스위치(SW1)를 온으로 하고, 컨버터(9637)에서 표시부(9631)에 필요한 전압으로 승압 또는 강압한다. 또한 표시부(9631)에서의 표시를 수행하지 않을 때에는, 스위치(SW1)를 오프로 하고 스위치(SW2)를 온으로 하여 축전체(9635)를 충전하는 구성으로 하면 좋다.
또한 발전 수단의 일례로서, 태양 전지(9633)에 대하여 설명하였지만, 특별히 한정되지 않고, 압전 소자(피에조 소자)나 열전 변환 소자(펠티에 소자) 등 다른 발전 수단에 의하여 축전체(9635)를 충전하는 구성이어도 좋다. 예를 들어 무선(비접촉)으로 전력을 송수신하여 충전하는 무접점 전력 전송(傳送) 모듈이나 다른 충전 수단을 조합하여 충전하는 구성으로 하여도 좋다.
도 30은 다른 전자 기기의 예를 나타낸 것이다. 도 30에서 표시 장치(8000)는 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(8004)를 사용한 전자 기기의 일례이다. 구체적으로 표시 장치(8000)는 TV 방송 수신용 표시 장치에 상당하며, 하우징(8001), 표시부(8002), 스피커부(8003), 이차 전지(8004) 등을 가진다. 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(8004)는 하우징(8001) 내부에 제공되어 있다. 표시 장치(8000)는 상용 전원으로부터 전력을 공급받을 수도 있고, 이차 전지(8004)에 축적된 전력을 이용할 수도 있다. 따라서 정전 등으로 인하여 상용 전원으로부터 전력을 공급받을 수 없을 때에도 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(8004)를 무정전 전원으로서 사용하면 표시 장치(8000)를 이용할 수 있게 된다.
표시부(8002)에는 액정 표시 장치, 유기 EL 소자 등의 발광 소자를 각 화소에 구비한 발광 장치, 전기 영동 표시 장치, DMD(Digital Micromirror Device), PDP(Plasma Display Panel), FED(Field Emission Display) 등의, 반도체 표시 장치를 사용할 수 있다.
또한 표시 장치에는 TV 방송 수신용 외에, 퍼스널 컴퓨터용, 광고 표시용 등, 모든 정보 표시용 표시 장치가 포함된다.
도 30에 나타내어진 설치형 조명 장치(8100)는 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(8103)를 사용한 전자 기기의 일례이다. 구체적으로는 조명 장치(8100)는 하우징(8101), 광원(8102), 이차 전지(8103) 등을 가진다. 도 30은 하우징(8101) 및 광원(8102)이 설치된 천장(8104) 내부에, 이차 전지(8103)가 제공되어 있는 경우를 예시한 것이지만, 이차 전지(8103)는 하우징(8101) 내부에 제공되어 있어도 좋다. 조명 장치(8100)는 상용 전원으로부터 전력을 공급받을 수도 있고, 이차 전지(8103)에 축적된 전력을 이용할 수도 있다. 따라서 정전 등으로 인하여 상용 전원으로부터 전력을 공급받을 수 없을 때에도 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(8103)를 무정전 전원으로서 사용하면 조명 장치(8100)를 이용할 수 있게 된다.
또한 도 30에는 천장(8104)에 설치된 설치형 조명 장치(8100)를 예시하였지만, 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지는 천장(8104) 외에 예를 들어 측벽(8105), 바닥(8106), 창문(8107) 등에 설치되는 설치형 조명 장치에 사용될 수도 있고, 탁상형 조명 장치 등에 사용될 수도 있다.
또한 광원(8102)에는 전력을 이용하여 인공적으로 광을 얻는 인공 광원을 사용할 수 있다. 구체적으로는 백열 전구, 형광등 등의 방전 램프, LED나 유기 EL 소자 등의 발광 소자를, 상기 인공 광원의 일례로 들 수 있다.
도 30에 나타내어진 실내기(8200) 및 실외기(8204)를 가지는 에어컨디셔너는 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(8203)를 사용한 전자 기기의 일례이다. 구체적으로는 실내기(8200)는 하우징(8201), 송풍구(8202), 이차 전지(8203) 등을 가진다. 도 30에는 이차 전지(8203)가 실내기(8200)에 제공되는 경우를 예시하였지만, 이차 전지(8203)는 실외기(8204)에 제공되어도 좋다. 또는 실내기(8200)와 실외기(8204) 양쪽 모두에 이차 전지(8203)가 제공되어 있어도 좋다. 에어컨디셔너는 상용 전원으로부터 전력을 공급받을 수도 있고, 이차 전지(8203)에 축적된 전력을 이용할 수도 있다. 특히 실내기(8200)와 실외기(8204)의 양쪽 모두에 이차 전지(8203)가 제공되어 있는 경우, 정전 등으로 인하여 상용 전원으로부터 전력을 공급받을 수 없을 때에도 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(8203)를 무정전 전원으로서 사용하면 에어컨디셔너를 이용할 수 있게 된다.
또한 도 30에는 실내기와 실외기로 구성되는 세퍼레이트형 에어컨디셔너를 예시하였지만, 실내기의 기능과 실외기의 기능을 하나의 하우징에 가지는 일체형 에어컨디셔너에 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지를 사용할 수도 있다.
도 30에 나타내어진 전기 냉동 냉장고(8300)는 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(8304)를 사용한 전자 기기의 일례이다. 구체적으로는 전기 냉동 냉장고(8300)는 하우징(8301), 냉장실용 문(8302), 냉동실용 문(8303), 이차 전지(8304) 등을 가진다. 도 30에서는 이차 전지(8304)가 하우징(8301)의 내부에 제공되어 있다. 전기 냉동 냉장고(8300)는 상용 전원으로부터 전력을 공급받을 수도 있고, 이차 전지(8304)에 축적된 전력을 이용할 수도 있다. 따라서 정전 등으로 인하여 상용 전원으로부터 전력을 공급받을 수 없을 때에도 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(8304)를 무정전 전원으로서 사용하면 전기 냉동 냉장고(8300)를 이용할 수 있게 된다.
또한 상술한 전자 기기 중에서 전자 레인지 등의 고주파 가열 장치나 전기 밥솥 등의 전자 기기는 짧은 시간에 높은 전력을 필요로 한다. 따라서 상용 전원으로는 불충분한 전력을 보조하기 위한 보조 전원으로서, 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지를 사용함으로써, 전자 기기의 사용 시에 상용 전원의 차단기가 작동되는 것을 방지할 수 있다.
또한 전자 기기가 사용되지 않는 시간대, 특히 상용 전원의 공급원이 공급할 수 있는 총 전력량 중 실제로 사용되는 전력량의 비율(전력 사용률이라고 부름)이 낮은 시간대에 이차 전지에 전력을 축적해 둠으로써, 상기 시간대 외의 시간대에서 전력 사용률이 높아지는 것을 억제할 수 있다. 예를 들어 전기 냉동 냉장고(8300)의 경우, 기온이 낮고 냉장실용 문(8302), 냉동실용 문(8303)이 개폐되지 않는 야간에 이차 전지(8304)에 전력을 축적한다. 그리고 기온이 높아지고, 냉장실용 문(8302), 냉동실용 문(8303)의 개폐가 수행되는 낮에 있어서, 이차 전지(8304)를 보조 전원으로서 사용함으로써 낮의 전력 사용률을 낮게 억제할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 의하여 이차 전지의 사이클 특성이 양호해져, 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태에 의하여 고용량의 이차 전지로 할 수 있고, 이로써 이차 전지의 특성을 향상시킬 수 있으므로, 이차 전지 자체의 소형화와 경량화가 가능하다. 그러므로 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 본 실시형태에서 설명한 전자 기기에 탑재함으로써 더 장수명이고 더 경량의 전자 기기로 할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 8)
본 실시형태에서는 위의 실시형태에서 설명한 이차 전지를 사용한 전자 기기의 예에 대하여 도 31 내지 도 32를 사용하여 설명한다.
도 31의 (A)는 웨어러블 디바이스의 예를 나타낸 것이다. 웨어러블 디바이스는 전원으로서 이차 전지를 사용한다. 또한 웨어러블 디바이스는 사용자가 생활 속에서 사용하거나 옥외에서 사용하는 데에 있어, 방말(防沫) 성능, 내수 성능, 또는 방진 성능을 높이기 위하여, 접속되는 커넥터 부분이 노출된 유선으로의 충전뿐만 아니라 무선 충전도 가능한 웨어러블 디바이스가 요구되고 있다.
예를 들어 도 31의 (A)에 나타내어진 바와 같은 안경형 디바이스(4000)에 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 탑재할 수 있다. 안경형 디바이스(4000)는 프레임(4000a)과 표시부(4000b)를 가진다. 만곡을 가지는 프레임(4000a)의 템플부에 이차 전지를 탑재함으로써, 경량이면서 중량 밸런스가 좋고, 계속 사용 시간이 긴 안경형 디바이스(4000)로 할 수 있다. 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 제공함으로써 하우징의 소형화에 따른 공간 절약화에 대응할 수 있는 구성을 실현할 수 있다.
또한 헤드셋형 디바이스(4001)에 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 탑재할 수 있다. 헤드셋형 디바이스(4001)는 적어도 마이크로폰부(4001a)와, 플렉시블 파이프(4001b)와, 이어폰부(4001c)를 가진다. 플렉시블 파이프(4001b) 내나 이어폰부(4001c) 내에 이차 전지를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 제공함으로써 하우징의 소형화에 따른 공간 절약화에 대응할 수 있는 구성을 실현할 수 있다.
또한 몸에 직접 장착할 수 있는 디바이스(4002)에 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 탑재할 수 있다. 디바이스(4002)의 박형의 하우징(4002a) 내에, 이차 전지(4002b)를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 제공함으로써 하우징의 소형화에 따른 공간 절약화에 대응할 수 있는 구성을 실현할 수 있다.
또한 옷에 장착할 수 있는 디바이스(4003)에 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 탑재할 수 있다. 디바이스(4003)의 박형의 하우징(4003a) 내에, 이차 전지(4003b)를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 제공함으로써 하우징의 소형화에 따른 공간 절약화에 대응할 수 있는 구성을 실현할 수 있다.
또한 벨트형 디바이스(4006)에 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 탑재할 수 있다. 벨트형 디바이스(4006)는 벨트부(4006a) 및 와이어리스 급전 수전부(4006b)를 가지고, 벨트부(4006a)의 내부에 이차 전지를 탑재할 수 있다. 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 제공함으로써 하우징의 소형화에 따른 공간 절약화에 대응할 수 있는 구성을 실현할 수 있다.
또한 손목시계형 디바이스(4005)에 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 탑재할 수 있다. 손목시계형 디바이스(4005)는 표시부(4005a) 및 벨트부(4005b)를 가지고, 표시부(4005a) 또는 벨트부(4005b)에 이차 전지를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 제공함으로써 하우징의 소형화에 따른 공간 절약화에 대응할 수 있는 구성을 실현할 수 있다.
표시부(4005a)에는 시각뿐만 아니라, 메일이나 전화의 착신 등, 다양한 정보를 표시시킬 수 있다.
또한 손목시계형 디바이스(4005)는 팔에 직접 감는 형태의 웨어러블 디바이스이기 때문에, 사용자의 맥박, 혈압 등을 측정하는 센서를 탑재하여도 좋다. 사용자의 운동량 및 건강에 관한 데이터를 축적하여 건강을 관리할 수 있다.
도 31의 (B)에, 팔에서 푼 손목시계형 디바이스(4005)의 사시도를 나타내었다.
또한 측면도를 도 31의 (C)에 나타내었다. 도 31의 (C)에는, 내부에 이차 전지(913)가 포함된 상태를 나타내었다. 이차 전지(913)는 실시형태 5에서 제시한 이차 전지이다. 이차 전지(913)는 표시부(4005a)와 중첩되는 위치에 제공되어 있으며, 소형 및 경량이다.
도 32의 (A)에는 로봇 청소기의 일례를 나타내었다. 로봇 청소기(6300)는 하우징(6301) 상면에 배치된 표시부(6302), 측면에 배치된 복수의 카메라(6303), 브러시(6304), 조작 버튼(6305), 이차 전지(6306), 각종 센서 등을 가진다. 도시되지 않았지만, 로봇 청소기(6300)에는, 타이어, 흡인구 등이 제공되어 있다. 로봇 청소기(6300)는 자주식이고, 먼지(6310)를 검지하고, 밑면에 제공된 흡인구로부터 먼지를 흡인할 수 있다.
예를 들어 로봇 청소기(6300)는 카메라(6303)가 촬영한 화상을 해석하고, 벽, 가구 또는 단차 등의 장애물의 유무를 판단할 수 있다. 또한 화상 해석에 의하여, 배선 등, 브러시(6304)에 얽히기 쉬운 물체를 검지한 경우에는 브러시(6304)의 회전을 멈출 수 있다. 로봇 청소기(6300)는 내부에 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(6306)와, 반도체 장치 또는 전자 부품을 가진다. 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(6306)를 로봇 청소기(6300)에 사용함으로써, 로봇 청소기(6300)를 가동 시간이 길고 신뢰성이 높은 전자 기기로 할 수 있다.
도 32의 (B)에는 로봇의 일례를 나타내었다. 도 32의 (B)에 나타내어진 로봇(6400)은 이차 전지(6409), 조도 센서(6401), 마이크로폰(6402), 상부 카메라(6403), 스피커(6404), 표시부(6405), 하부 카메라(6406), 장애물 센서(6407), 이동 기구(6408), 및 연산 장치 등을 가진다.
마이크로폰(6402)은 사용자의 목소리 및 환경음 등을 검지하는 기능을 가진다. 또한 스피커(6404)는 음성을 출력하는 기능을 가진다. 로봇(6400)은 마이크로폰(6402) 및 스피커(6404)를 사용하여 사용자와 의사소통을 할 수 있다.
표시부(6405)는 각종 정보의 표시를 수행하는 기능을 가진다. 로봇(6400)은 사용자가 원하는 정보를 표시부(6405)에 표시시킬 수 있다. 표시부(6405)에는 터치 패널을 탑재하여도 좋다. 또한 표시부(6405)는 탈착 가능한 정보 단말기이어도 좋고, 로봇(6400)의 정위치에 설치하면 충전 및 데이터의 수수를 할 수 있다.
상부 카메라(6403) 및 하부 카메라(6406)는 로봇(6400)의 주위를 촬상하는 기능을 가진다. 또한 장애물 센서(6407)는 이동 기구(6408)를 사용하여 로봇(6400)이 전진할 때의 진행 방향에서의 장애물의 유무를 감지할 수 있다. 로봇(6400)은 상부 카메라(6403), 하부 카메라(6406), 및 장애물 센서(6407)를 사용하여 주위의 환경을 인식함으로써 안전하게 이동할 수 있다.
로봇(6400)은 내부에 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(6409)와, 반도체 장치 또는 전자 부품을 가진다. 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지를 로봇(6400)에 사용함으로써, 로봇(6400)을 가동 시간이 길고 신뢰성이 높은 전자 기기로 할 수 있다.
도 32의 (C)는 비행체의 일례를 나타낸 것이다. 도 32의 (C)에 나타내어진 비행체(6500)는 프로펠러(6501), 카메라(6502), 및 이차 전지(6503) 등을 가지고, 자율적으로 비행하는 기능을 가진다.
예를 들어 카메라(6502)로 촬영된 화상 데이터는 전자 부품(6504)에 기억된다. 전자 부품(6504)은 화상 데이터를 해석하여, 이동할 때의 장애물의 유무 등을 검지할 수 있다. 또한 전자 부품(6504)에 의하여, 이차 전지(6503)의 축전 용량의 변화에서 배터리 잔량을 추정할 수 있다. 비행체(6500)는 내부에 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지(6503)를 가진다. 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지를 비행체(6500)에 사용함으로써, 비행체(6500)를 가동 시간이 길고 신뢰성이 높은 전자 기기로 할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시형태 9)
본 실시형태에서는 차량에 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 탑재하는 예를 나타낸다.
이차 전지를 차량에 탑재하면 하이브리드 자동차(HEV), 전기 자동차(EV), 또는 플러그인 하이브리드 자동차(PHEV) 등, 차세대 클린 에너지 자동차를 구현할 수 있다.
도 33에서, 본 발명의 일 형태인 이차 전지를 사용한 차량을 예시하였다. 도 33의 (A)에 나타내어진 자동차(8400)는 주행을 위한 동력원으로서 전기 모터를 사용하는 전기 자동차이다. 또는 주행을 위한 동력원으로서 전기 모터와 엔진을 적절히 선택하여 사용하는 것이 가능한 하이브리드 자동차이다. 본 발명의 일 형태를 사용함으로써 항속 거리가 긴 차량을 구현할 수 있다. 또한 자동차(8400)는 이차 전지를 가진다. 이차 전지는 차량 내의 바닥 부분에 대하여 도 18의 (C) 및 (D)에 나타내어진 이차 전지의 모듈을 복수 배열하여 사용하면 된다. 또한 도 21에 나타내어진 이차 전지를 복수 조합한 전지 팩을 차량 내의 바닥 부분에 설치하여도 좋다. 이차 전지는 전기 모터(8406)를 구동시킬 뿐만 아니라 헤드라이트(8401)나 실내등(미도시) 등의 발광 장치에 전력을 공급할 수 있다.
또한 이차 전지에 의하여 자동차(8400)가 가지는 스피드 미터, 태코미터 등의 표시 장치에 전력을 공급할 수 있다. 또한 이차 전지에 의하여 자동차(8400)가 가지는 내비게이션 시스템 등의 반도체 장치에 전력을 공급할 수 있다.
도 33의 (B)에 나타내어진 자동차(8500)는 자동차(8500)가 가지는 이차 전지에 플러그인 방식이나 비접촉 급전 방식 등으로 외부의 충전 설비로부터 전력을 공급받아 충전할 수 있다. 도 33의 (B)에 지상 설치형의 충전 장치(8021)로부터 자동차(8500)에 탑재된 이차 전지(8024)에 케이블(8022)을 통하여 충전하는 상태를 나타내었다. 충전에 대하여 충전 방법이나 커넥터의 규격 등은 CHAdeMO(등록 상표)나 콤보 등의 소정의 방식으로 적절히 수행하면 된다. 충전 장치(8021)는 상용 시설에 제공된 충전 스테이션이어도 좋고, 또한 일반 주택의 전원이어도 좋다. 예를 들어 플러그인 기술을 이용하여 외부로부터의 전력 공급에 의하여 자동차(8500)에 탑재된 이차 전지(8024)를 충전할 수 있다. 충전은 ACDC 컨버터 등의 변환 장치를 통하여 교류 전력을 직류 전력으로 변환하여 수행할 수 있다.
또한 도시하지 않았지만, 수전 장치를 차량에 탑재하여 지상의 송전 장치로부터 전력을 비접촉으로 공급하여 충전할 수도 있다. 이 비접촉 급전 방식의 경우에는 도로나 외벽에 송전 장치를 조합함으로써 정차 시뿐만 아니라 주행 시에도 충전할 수 있다. 또한 이 비접촉 급전 방식을 이용하여 차량끼리 전력의 송수신을 하여도 좋다. 또한 차량의 외장부에 태양 전지를 제공하여, 정차 시나 주행 시에 이차 전지를 충전하여도 좋다. 이러한 비접촉의 전력의 공급에는 전자기 유도 방식이나 자계 공명 방식을 이용할 수 있다.
또한 도 33의 (C)는 본 발명의 일 형태에 따른 이차 전지를 사용한 이륜차의 일례이다. 도 33의 (C)에 나타내어진 스쿠터(8600)는 이차 전지(8602), 사이드 미러(8601), 방향 지시등(8603)을 구비한다. 이차 전지(8602)는 방향 지시등(8603)에 전기를 공급할 수 있다.
또한 도 33의 (C)에 나타내어진 스쿠터(8600)는 좌석 아래 수납(8604)에 이차 전지(8602)를 수납할 수 있다. 이차 전지(8602)는 좌석 아래 수납(8604)이 소형이라도 좌석 아래 수납(8604)에 수납할 수 있다. 이차 전지(8602)는 탈착 가능하고, 충전 시에는 이차 전지(8602)를 옥내에 가져가 충전하고, 주행 전에 수납하면 된다.
본 발명의 일 형태에 의하여 이차 전지의 사이클 특성이 양호하게 되어, 이차 전지의 용량을 크게 할 수 있다. 따라서 이차 전지 자체의 소형화와 경량화가 가능하다. 이차 전지 자체의 소형화 및 경량화는 차량의 경량화에 기여하기 때문에 항속 거리를 길게 할 수 있다. 또한 차량에 탑재된 이차 전지를 차량 이외의 것의 전력 공급원으로서 사용할 수도 있다. 이 경우 예를 들어 전력 수요의 피크 시에 상용 전원을 사용하는 것을 회피할 수 있다. 전력 수요의 피크 시에 상용 전원을 사용하는 것을 회피할 수 있으면 에너지 절약, 및 이산화탄소의 배출의 삭감에 기여할 수 있다. 또한 사이클 특성이 양호하면 이차 전지를 장기에 걸쳐 사용할 수 있으므로, 코발트를 비롯한 희소 금속의 사용량을 줄일 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합하여 실시할 수 있다.
(실시예 1)
본 실시예에서는 실시형태 1에서 설명한 양극 활물질을 제작하고, 그 특징을 분석하고, 특성을 평가하였다.
<양극 활물질의 제작 및 분석>
도 11에 나타내어진 제작 방법을 참조하여 본 실시예에서 제작한 시료에 대하여 설명한다.
전이 금속 M으로서 코발트를 가지고, 불순물을 특별히 가지지 않는 양극 활물질로서, 시판의 코발트산 리튬(NIPPON CHEMICAL INDUSTRIAL CO., LTD. 제조, CELLSEED C-10N)을 사용하였다. 이것을 시료 1(비교예)로 하였다.
시료 1에, 도 11의 단계 S42 내지 단계 S44와 마찬가지로 졸겔법으로 산화 타이타늄을 첨가하였다. 시료 1이 가지는 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 타이타늄의 원자수가 0.5가 되도록 TTIP를 첨가하였다. 그리고 단계 S45와 마찬가지로 가열하였다. 가열 조건은 850℃, 2시간, 산소 분위기(유량; 10L/분)로 하였다. 이와 같이 전이 금속 M으로서 코발트를 가지고 불순물로서 타이타늄을 가지는 양극 활물질을 시료 2로 하였다.
시료 1에, 도 11의 단계 S11 내지 단계 S14 및 단계 S31과 마찬가지로 고상법으로 플루오린화 리튬 및 플루오린화 마그네슘을 첨가하였다. 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 플루오린화 리튬의 분자수가 0.17, 플루오린화 마그네슘의 분자수가 0.5가 되도록 첨가하였다. 그리고 단계 S34와 마찬가지로 가열하였다. 가열은 알루미나의 도가니에 원료를 넣고, 뚜껑을 덮어 수행하였다. 가열 조건은 850℃, 60시간으로 하였다. 이와 같이 전이 금속 M으로서 코발트를 가지고 불순물로서 마그네슘 및 플루오린을 가지는 양극 활물질을 시료 3으로 하였다.
시료 1에, 도 11의 단계 S11 내지 단계 S14 및 단계 S31과 마찬가지로 고상법으로 플루오린화 리튬 및 플루오린화 마그네슘을 첨가하였다. 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 플루오린화 리튬의 분자수가 0.17, 플루오린화 마그네슘의 분자수가 0.5가 되도록 첨가하였다. 그리고 단계 S34와 마찬가지로 가열하였다. 가열 조건은 900℃, 20시간, 산소 분위기(유량; 10L/분)로 하였다. 다음으로 단계 S42 내지 단계 S44와 마찬가지로 졸겔법으로 산화 타이타늄을 첨가하였다. 타이타늄의 첨가량 및 가열 조건은 시료 2와 같은 식으로 하였다. 이와 같이 전이 금속 M으로서 코발트를 가지고 불순물로서 마그네슘, 플루오린, 및 타이타늄을 가지는 양극 활물질을 시료 4로 하였다.
시료 1에, 도 11의 단계 S11 내지 단계 S20 및 단계 S31과 마찬가지로 고상법으로 플루오린화 리튬, 플루오린화 마그네슘, 수산화 니켈, 및 수산화 알루미늄을 첨가하였다. 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 플루오린화 리튬의 분자수가 0.33, 플루오린화 마그네슘의 분자수가 1, 니켈의 원자수가 0.5, 알루미늄의 원자수가 0.5가 되도록 첨가하였다. 그리고 단계 S34와 마찬가지로 가열하였다. 가열 조건은 900℃, 10시간으로 하고, 가열 후에 입자의 고착을 털도록 유봉(乳棒)으로 쳤다. 이 가열과 고착을 터는 공정을 총 3번 반복하였다. 이와 같이 전이 금속 M으로서 코발트 및 니켈을 가지고 불순물로서 마그네슘, 플루오린, 및 알루미늄을 가지는 양극 활물질을 시료 5로 하였다.
시료 5에, 단계 S42 내지 단계 S44와 마찬가지로 졸겔법으로 산화 타이타늄을 첨가하였다. 타이타늄의 첨가량 및 가열 조건은 시료 2와 같은 식으로 하였다. 이와 같이 전이 금속 M으로서 코발트 및 니켈을 가지고 불순물로서 마그네슘, 플루오린, 알루미늄, 및 타이타늄을 가지는 양극 활물질을 시료 6으로 하였다.
시료 1 내지 시료 6의 제작 조건을 표 1에 나타낸다.
[표 1]
도 34의 (A)는 시료 2의 표면 SEM 이미지이다. 도 34의 (A)에 나타내어진 바와 같이, 양극 활물질이 크랙으로 추측되는 오목부를 가지는 상태가 관찰되었다. 오목부의 확대 이미지를 도 34의 (B)에 나타내었다. 도 34의 (B)의 직선 부분에 대하여 선상 EDX 분석한 결과를 도 34의 (C)에 나타내었다.
도 34의 (C)에 나타내어진 바와 같이, 오목부는 다른 영역보다 타이타늄의 농도가 높은 것이 확인되었다. 즉 오목부의 내벽의 일부에 타이타늄을 가지는 것이 확인되었다. 또한 산소도 존재하는 것이 확인되었다. 그러므로 오목부에 타이타늄 산화물이 매립되어 있는 것으로 추측된다.
또한 코발트는 양극 활물질의 어느 영역에서도 균일하게 검출되었다. 산소는 오목부에서 약간 감소하고, 다른 부분에서는 대략 균일하게 검출되었다.
도 35의 (A)는 시료 2의 단면 STEM 이미지이다. 도 35의 (A) 중의 하얀 점선의 사각 부분을 확대한 이미지를 도 35의 (B)에 나타내었다. 양극 활물질(1000) 상에 관찰되는 것은 STEM 관찰을 위하여 성막한 C 및 Pt을 가지는 보호막(1001)이다. 양극 활물질(1000)의 표층부인 도 35의 (B) 중의 하얀 점선의 사각 부분의 EDX 매핑 이미지를 도 36의 (A) 내지 (C)에 나타내었다. 도 36의 (A)는 산소, 도 36의 (B)는 코발트, 도 36의 (C)는 타이타늄에 대한 매핑 이미지이다.
산소와 코발트는 양극 활물질의 표층부 및 내부의 전체에 균일하게 분포되어 있었다. 한편 도 36의 (C) 및 도 35의 (B)의 하얀 점선의 동그라미로 나타낸 바와 같이, 타이타늄은 오목부에 매립되도록 존재하는 상태가 관찰되었다.
이와 같이, 타이타늄 산화물은 오목부에 선택적으로 부착된 것으로 생각된다.
상술한 결과에서, 시료 2는 오목부(101c) 및 매립부(102)를 가지고, 매립부(102)의 타이타늄 농도가 표층부보다 높은 양극 활물질(101)인 것이 밝혀졌다.
도 37의 (A)는 시료 4의 표면 SEM 이미지이다. 화살표로 나타낸 바와 같이, 볼록부를 가지는 양극 활물질이 관찰되었다. 도 37의 (A)의 하얀 점선 부분의 단면 STEM 이미지를 도 37의 (B)에 나타내었다. 볼록부인 도 37의 (B)의 하얀 점선의 사각 부분을 확대한 단면 STEM 이미지를 도 37의 (C)에 나타내었다.
도 37의 (C)의 하얀 점선의 사각 부분의 EDX 매핑 이미지를 도 38의 (A) 내지 (E)에 나타내었다. 도 38의 (A)는 산소, 도 38의 (B)는 플루오린, 도 38의 (C)는 마그네슘, 도 38의 (D)는 타이타늄, 도 38의 (E)는 코발트에 대한 매핑 이미지이다. 또한 EDX에서 플루오린은 코발트와 가까운 위치에 피크가 검출되기 때문에 검출 정확도가 낮아진다. 본 실시예 등에 있어서, 내부의 플루오린은 백그라운드 레벨이다.
도 38의 (B)에서, 볼록부는 백그라운드 레벨과는 다른 농도의 플루오린을 가지는 플루오린 고농도 영역을 가지는 것이 확인되었다. 플루오린 고농도 영역의 플루오린 농도는 불순물 금속 고농도 영역보다 높았다.
또한 도 38의 (C) 및 (D)에서, 볼록부는 마그네슘 및 타이타늄의 농도가 내부 및 플루오린 고농도 영역보다 높은 불순물 금속 고농도 영역을 가지는 것이 확인되었다. 이와 같이, 볼록부는 플루오린 고농도 영역 및 불순물 금속 고농도 영역을 가지는 것이 확인되었다. 양극 활물질이 가지는 과잉의 마그네슘 및 타이타늄이 불순물 금속 고농도 영역에 응집되어 있는 것으로 추측된다. 또한 플루오린 고농도 영역이 볼록부의 중앙 부근에 존재하기 때문에 플루오린 고농도 영역의 존재가 불순물의 응집을 초래한 가능성이 시사되었다.
또한 양극 활물질의 내부 및 표층부에서 산소 및 코발트는 균일하게 존재하였다. 또한 플루오린 고농도 영역을 제외한 볼록부에서 산소, 마그네슘, 및 타이타늄은 균일하게 존재하였다.
도 39의 (A)는 시료 6의 표면 SEM 이미지이다. 화살표로 나타낸 바와 같이, 다수의 볼록부를 가지는 양극 활물질이 관찰되었다. 도 39의 (A)의 하얀 점선 부분의 단면 STEM 이미지를 도 39의 (B)에 나타내었다. 볼록부인 도 39의 (B)의 하얀 점선의 사각 부분을 확대한 단면 STEM 이미지를 도 39의 (C)에 나타내었다.
도 39의 (C)의 하얀 점선의 사각 부분의 EDX 매핑 이미지를 도 40의 (A) 내지 (G)에 나타내었다. 도 40의 (A)는 산소, 도 40의 (B)는 플루오린, 도 40의 (C)는 마그네슘, 도 40의 (D)는 타이타늄, 도 40의 (E)는 니켈, 도 40의 (F)는 알루미늄, 도 40의 (G)는 코발트에 대한 매핑 이미지이다.
도 40의 (A) 내지 (G)에서, 볼록부는 플루오린의 농도가 표층부, 내부, 및 불순물 금속 고농도 영역보다 높은 플루오린 고농도 영역을 가지는 것이 확인되었다. 또한 볼록부는 마그네슘, 타이타늄, 및 니켈의 농도가 표층부, 내부, 및 플루오린 고농도 영역보다 높은 불순물 금속 고농도 영역을 가지는 것이 확인되었다.
도 40의 (E)의 니켈의 매핑 이미지에서, 표층부 및 내부의 일부에 니켈 고농도 영역이 존재하는 것이 확인되었다. 양극 활물질이 가지는 과잉의 마그네슘, 타이타늄, 및 니켈이 불순물 금속 고농도 영역에 응집되어 있는 것으로 추측된다. 특히 니켈은 내부(101b)에서 불순물 금속 고농도 영역으로 끌어당겨지고, 내부(101b)의 일부에 존재하는 니켈 고농도 영역은 그 흔적인 가능성이 시사되었다.
한편 알루미늄은 표층부의 농도가 내부 또는 볼록부보다 높았다. 알루미늄은 불순물 금속 고농도 영역에 응집되지 않고, 표층부에 머무른 것이 확인되었다.
도 41의 (A)에 시료 6의 볼록부의 극미 전자 회절 이미지를 나타내었다. 이는 입방정의 [110] 입사로 추측된다. 그러므로 볼록부는 스피넬형 또는 암염형 결정 구조를 가지는 것으로 추측된다. 도 41의 (B)에 시료 6의 내부의 극미 전자 회절 이미지를 나타내었다. 이는 육방정으로 추측된다. 그러므로 내부는 층상 암염형 결정 구조를 가지는 것으로 추측된다.
또한 시료 1, 시료 3, 및 시료 5에서는, 오목부 또는 볼록부는 관찰되지 않았다.
<이차 전지의 제작 및 평가>
시료 1 내지 시료 6의 양극 활물질을 사용하여 이차 전지를 제작하였다. 우선 시료 1 내지 시료 6의 양극 활물질, AB, 및 PVDF를, 활물질:AB:PVDF=95:3:2(중량비)로 혼합하여 슬러리를 제작하고, 이 슬러리를 알루미늄의 집전체에 코팅하였다. 슬러리의 용매로서 NMP를 사용하였다.
집전체에 슬러리를 코팅한 후, 용매를 휘발시켰다. 그리고, 210kN/m로 가압한 후, 1467kN/m로 더 가압하였다. 이상의 공정에 의하여 양극을 얻었다. 양극의 담지량은 약 7mg/cm2로 하였다. 밀도는 3.8g/cc 이상이었다.
제작한 양극을 사용하여 CR2032형(지름 20mm 높이 3.2mm)의 코인형 전지 셀을 제작하였다.
상대 전극에는 리튬 금속을 사용하였다.
전해액이 가지는 전해질에는 1mol/L의 육플루오린화 인산 리튬(LiPF6)을 사용하고, 전해액에는 에틸렌카보네이트(EC)와 다이에틸카보네이트(DEC)가 EC:DEC=3:7(체적비)로 혼합된 것에 바이닐렌카보네이트(VC)를 2wt% 첨가한 것을 사용하였다.
세퍼레이터에는 두께 25μm의 폴리프로필렌을 사용하였다.
양극 캔 및 음극 캔에는 스테인리스(SUS)로 형성된 것을 사용하였다.
시료 1 및 시료 2의 이차 전지의 충방전 사이클 특성을 도 42에, 시료 3 및 시료 4의 이차 전지의 충방전 사이클 특성을 도 43에, 시료 5 및 시료 6의 이차 전지의 충방전 사이클 특성을 도 44에 나타내었다. 모두 45℃에서 측정하였다. 충전은 CC/CV(0.5C, 4.6V, 0.05C cut)로, 방전은 CC(0.5C, 2.5V cut)로 하고, 다음 충전 전에 10분간 휴지 시간을 두었다. 또한 본 실시예 등에서 1C는 200mA/g으로 하였다.
불순물로서 마그네슘 및 플루오린을 가지는 시료 3 내지 시료 6은, 45℃로 비교적 온도가 높음에도 불구하고, 양호한 사이클 특성을 나타내었다.
불순물이 편재한 영역으로서 오목부 또는 볼록부를 가지는 시료 2, 시료 4, 및 시료 6은 모두, 이들을 가지지 않는 같은 조건의 시료보다 방전 용량이 증가되어 있었다. 예를 들어 시료 1의 방전 용량이 215.5mAh/g이었고, 한편 시료 2의 방전 용량은 221.1mAh/g이었다. 시료 3의 방전 용량이 228.9mAh/g이었고, 한편 시료 4의 방전 용량은 232.7mAh/g이었다. 시료 5의 방전 용량이 221.5mAh/g이었고, 한편 시료 6의 방전 용량은 227.2mAh/g이었다.
불순물로서 타이타늄을 가지는 시료 2, 시료 4, 및 시료 6에서는, 양극 활물질의 표면에 타이타늄 산화물을 가진다. 그러므로 타이타늄 산화물의 존재에 의하여 전해액과 양극 활물질의 계면에서의 습윤성이 개선된 것으로 생각된다. 그러므로 리튬 이온의 용매화 및 탈용매화가 일어나기 쉬워져, 이차 전지의 저항이 억제된 것으로 생각된다.
시료 2에서는, 불순물이 편재한 영역의 존재에 의하여 크랙에서의 전이 금속의 용출, 결정 구조의 붕괴, 내부(101b)의 깨짐 등이 억제된 결과, 방전 용량이 증가된 것으로 생각된다. 또한 시료 4 및 시료 6에서는, 불순물이 편재한 영역의 존재에 의하여 내부(101b)에서 마그네슘을 비롯한 과잉의 불순물이 제거되고, 내부(101b)를 적절한 불순물 농도로 할 수 있었다. 그러므로 이차 전지로 하였을 때의 저항이 억제되어, 방전 용량이 증가된 것으로 생각된다.
(실시예 2)
본 실시예에서는 실시형태 2에서 설명한 방법을 사용하여 양극 활물질을 제작하고, 그 특징을 분석하고, 특성을 평가하였다.
<양극 활물질의 제작 및 분석>
도 9 및 도 10에 나타내어진 제작 방법을 참조하여 본 실시예에서 제작한 시료에 대하여 설명한다.
전이 금속 M으로서 코발트를 가지고, 불순물을 특별히 가지지 않는 양극 활물질로서, 실시예 1과 같은 시료 1(비교예)을 준비하였다.
시료 1에, 도 9의 단계 S11 내지 단계 S20 및 단계 S25와 마찬가지로 고상법으로 플루오린화 리튬, 플루오린화 마그네슘, 수산화 니켈, 및 수산화 알루미늄을 첨가하였다. 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 플루오린화 리튬의 분자수가 0.33, 플루오린화 마그네슘의 분자수가 1, 니켈의 원자수가 0.5, 알루미늄의 원자수가 0.5가 되도록 첨가하였다. 그리고 단계 S34와 마찬가지로 가열하였다. 가열 조건은 850℃, 60시간으로 하였다. 이와 같이 전이 금속 M으로서 코발트 및 니켈을 가지고 불순물로서 마그네슘, 플루오린, 및 알루미늄을 가지는 양극 활물질을 시료 11로 하였다.
도 10의 단계 S11 내지 단계 S14 및 단계 S26과 마찬가지로 고상법으로 불순물을 포함하는 복합 산화물에 플루오린화 리튬을 첨가하였다. 불순물을 포함하는 복합 산화물로서는 불순물로서 타이타늄, 알루미늄, 및 마그네슘을 가지는 것을 사용하였다. 불순물을 포함하는 복합 산화물이 가지는 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 플루오린화 리튬의 분자수가 0.17이 되도록 첨가하였다. 그리고 단계 S34와 마찬가지로 가열하였다. 가열 조건은 850℃, 20시간으로 하였다. 이와 같이 전이 금속 M으로서 코발트를 가지고 불순물로서 마그네슘, 플루오린, 알루미늄, 및 타이타늄을 가지는 양극 활물질을 시료 12로 하였다.
불순물을 포함하는 복합 산화물이 가지는 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 플루오린화 리튬의 분자수가 1.17이 되도록 첨가한 것 외에는 시료 12와 같은 식으로 제작한 양극 활물질을 시료 13으로 하였다.
불순물을 포함하는 복합 산화물이 가지는 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 플루오린화 리튬의 분자수가 2.33이 되도록 첨가한 것 외에는 시료 12와 같은 식으로 제작한 양극 활물질을 시료 14로 하였다.
도 10의 단계 S11 내지 단계 S14 및 단계 S26과 마찬가지로 고상법으로 불순물을 포함하는 복합 산화물에 플루오린화 리튬 및 플루오린화 마그네슘을 첨가하였다. 불순물을 포함하는 복합 산화물로서는 불순물로서 타이타늄, 알루미늄, 및 마그네슘을 가지는 것을 사용하였다. 불순물을 포함하는 복합 산화물이 가지는 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 플루오린화 리튬의 분자수가 0.17, 플루오린화 마그네슘의 분자수가 0.5가 되도록 첨가하였다. 그리고 단계 S34와 마찬가지로 가열하였다. 가열 조건은 900℃, 10시간, 산소 분위기(유량; 10L/분)로 하였다. 이와 같이 전이 금속 M으로서 코발트를 가지고 불순물로서 마그네슘, 플루오린, 알루미늄, 및 타이타늄을 가지는 양극 활물질을 시료 15로 하였다.
도 10의 단계 S11 내지 단계 S20 및 단계 S26과 마찬가지로 고상법으로 불순물을 포함하는 복합 산화물에 플루오린화 리튬, 플루오린화 마그네슘, 수산화 니켈, 및 수산화 알루미늄을 첨가하였다. 불순물을 포함하는 복합 산화물로서는 불순물로서 타이타늄, 알루미늄, 및 마그네슘을 가지는 것을 사용하였다. 불순물을 포함하는 복합 산화물이 가지는 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 플루오린화 리튬의 분자수가 0.33, 플루오린화 마그네슘의 분자수가 1, 니켈의 원자수가 0.5, 알루미늄의 원자수가 0.5가 되도록 첨가하였다. 그리고 단계 S34와 마찬가지로 가열하였다. 가열 조건은 900℃, 10시간으로 하였다. 이와 같이 전이 금속 M으로서 코발트 및 니켈을 가지고 불순물로서 마그네슘, 플루오린, 알루미늄, 및 타이타늄을 가지는 양극 활물질을 시료 16으로 하였다.
가열 시간을 2시간으로 한 것 외에는 시료 13과 같은 식으로 제작한 양극 활물질을 시료 17로 하였다.
가열 시간을 60시간으로 한 것 외에는 시료 13과 같은 식으로 제작한 양극 활물질을 시료 18로 하였다.
불순물을 포함하는 복합 산화물에, 플루오린화 리튬에 더하여 수산화 니켈 및 수산화 알루미늄을 첨가한 것 외에는 시료 13과 같은 식으로 제작한 양극 활물질을 시료 19로 하였다. 또한 불순물을 포함하는 복합 산화물이 가지는 코발트의 원자수를 100으로 하였을 때, 니켈의 원자수가 0.5, 알루미늄의 원자수가 0.5가 되도록 첨가하였다.
시료 1, 시료 11 내지 시료 19의 제작 조건을 표 2에 나타낸다.
[표 2]
도 45는 시료 13의 표면 SEM 이미지이다. 크랙은 관찰되지 않았고, 요철이 적은 매끄러운 형상인 것이 확인되었다.
도 46의 (A)는 시료 13의 다른 일부의 표면 SEM 이미지이다. 도 46의 (B) 내지 (G)는 도 46의 (A)와 같은 영역의 EDX 매핑 이미지이다. 도 46의 (B)는 코발트, 도 46의 (C)는 타이타늄, 도 46의 (D)는 산소, 도 46의 (E)는 마그네슘, 도 46의 (F)는 탄소, 도 46의 (G)는 알루미늄에 대한 매핑 이미지이다.
도 46의 (B) 내지 (G)에서, 시료 13은 타이타늄, 마그네슘, 및 알루미늄이 편재한 영역을 가지는 양극 활물질인 것이 확인되었다. 타이타늄과 마그네슘이 편재한 영역은 일부 중첩되어 있었다.
도 47의 (A)는 시료 19의 표면 SEM 이미지이다. 이것에서도 크랙은 관찰되지 않았고, 요철이 적은 매끄러운 형상인 것이 확인되었다.
도 47의 (B) 내지 (H)는 도 47의 (A)와 같은 영역의 SEM-EDX 매핑 이미지이다. 도 47의 (B)는 니켈, 도 47의 (C)는 코발트, 도 47의 (D)는 타이타늄, 도 47의 (E)는 산소, 도 47의 (F)는 마그네슘, 도 47의 (G)는 탄소, 도 47의 (H)는 알루미늄에 대한 매핑 이미지이다. 도 47의 (B)의 니켈은 백그라운드 레벨이었다. 또한 탄소는 시료를 고정하는 도전 테이프에 사용하였기 때문에 이것이 검출된 가능성이 있다. 또한 도시되지 않았지만 플루오린은 백그라운드 레벨이었다.
도 47의 (B) 내지 (H)에 나타내어진 바와 같이, 코발트 및 산소는 거의 모든 영역에서 검출되었다. 한편 타이타늄, 마그네슘, 및 알루미늄은 편재한 영역이 관찰되었다. 타이타늄과 마그네슘은 같은 영역에 존재하고 있는 반면, 한편 알루미늄은 다른 영역에 관찰되었다. 이와 같이, 시료 19도 타이타늄, 마그네슘, 및 알루미늄이 편재한 영역을 가지는 양극 활물질인 것이 확인되었다.
또한 시료 19는 단계 S13 내지 단계 S17과 마찬가지로 수산화 니켈을 첨가하였음에도 불구하고, SEM-EDX에서 니켈 농도는 백그라운드 레벨이었다. 니켈은 다른 불순물 원소보다 양극 활물질(101)의 내부(101b)에 고용되기 쉬운 것으로 추측된다.
<이차 전지의 제작>
상술한 식으로 제작한 시료 1, 시료 11 내지 시료 18의 양극 활물질을 사용하여, 실시예 1과 마찬가지로 이차 전지를 제작하였다. 다만 양극의 제작 공정에서 가압은 수행하지 않았다. 양극의 담지량은 20mg/cm2 이상 21mg/cm2 이하로 하였다.
<충전 후 결정 구조>
시료 11, 시료 13, 및 시료 15의 이차 전지에 대하여 충전 후의 결정 구조를 XRD에 의하여 분석하였다. 우선 용량을 확인하기 위하여 1번 충방전을 수행하였다. 충전은 CC/CV(0.2C, 4.5V, 0.05C cut)로, 방전은 CC(0.2C, 3.0V cut)로 하였다. 다음으로 충전 후 구조의 분석을 위하여 4.50V, 4.55V, 또는 4.6V로 충전을 수행하였다. 충전은 CC/CV(0.2C, 각 전압, 0.02C cut)로 하였다. 또한 본 실시예 등의 충전 후 결정 구조의 측정에서 1C는 191mA/g으로 하였다. 충방전 및 XRD 측정은 25℃에서 수행하였다.
충전 후 구조의 분석을 위한 충전 용량을 표 3에 나타낸다.
[표 3]
다음으로 충전 상태의 이차 전지를 아르곤 분위기의 글로브 박스 내에서 해체하여 양극을 꺼내고 DMC(다이메틸카보네이트)로 세정하여 전해액을 제거하였다. 그리고 CuKα1선을 사용한 분말 XRD에 의하여 해석을 수행하였다. XRD 장치는 Bruker AXS K.K. 제조 D8 ADVANCE를 사용하고, 분말 시료용 세팅으로 하였고, 시료의 높이는 장치가 요구하는 측정면에 맞추었다. 또한 시료를 만곡시키지 않고 평탄하게 세팅하였다.
도 48은 충전 후의 시료 11, 시료 13, 및 시료 15의 분말 XRD 패턴을 나타낸 것이다. 2θ=20° 부근을 확대한 패턴을 도 49의 (A)에, 2θ=38° 부근을 확대한 패턴을 도 49의 (B)에, 2θ=45° 부근을 확대한 패턴을 도 50의 (A)에, 2θ=61° 부근을 확대한 패턴을 도 50의 (B)에 나타내었다. 비교를 위하여 의사 스피넬, H1-3, 및 CoO2의 XRD 패턴을 함께 나타내었다.
4.6V로 충전한 시료 11 및 시료 13은 의사 스피넬형 결정 구조를 가지는 것이 확인되었다. 또한 피크가 날카로워, 결정성이 높은 것으로 추측된다.
이들 XRD 패턴에서 산출되는 시료 11의 4.6V 충전에서의 격자 상수는 a축이 2.818Å이고, c축이 13.79Å이었다. 시료 13의 격자 상수는 a축이 2.816Å이고, b축이 13.74Å이었다. 또한 1Å은 10-10m이다.
4.6V로 충전한 시료 15는 의사 스피넬도 H1-3도 아닌 결정 구조이었다. 시료 15는, 주된 피크는 2θ가 19.27°, 37.37°, 45.11°, 66.37°, 69.64° 부근에 나타났다.
<사이클 특성>
도 51의 (A)는 시료 1, 시료 11 내지 시료 14의 사이클 특성의 그래프이다. 도 51의 (B)는 시료 1, 시료 11, 시료 15, 및 시료 16의 사이클 특성의 그래프이다. 도 52는 시료 1, 시료 11, 시료 13, 시료 17, 및 시료 18의 사이클 특성의 그래프이다. 도 53의 (A) 및 (B)는 시료 1, 시료 13, 및 시료 19의 사이클 특성의 그래프이다.
모두 45℃에서 측정하였다. 충전은 CC/CV(0.5C, 4.6V, 0.05C cut)로, 방전은 CC(0.5C, 2.5V cut)로 하였다. 또한 본 실시예 등의 사이클 특성의 측정에서 1C는 200mA/g으로 하였다.
도 51의 (A)에 나타내어진 바와 같이, 불순물을 특별히 가지지 않는 시료 1보다, 타이타늄, 마그네슘, 플루오린 등의 불순물을 가지는 시료 11 내지 시료 14가 매우 양호한 사이클 특성을 나타내었다. 또한 시료 14는 이차 전지의 제작 공정에 기인하는 불량때문에 사이클 특성을 28번까지만 평가하였지만, 불량이 생기기 전까지는 양호한 특성을 나타내었다.
코발트의 원자수를 100으로 하였을 때의 플루오린화 리튬의 분자수를 0.17 내지 2.33으로 한 시료 12 내지 시료 14는 모두 양호한 사이클 특성을 나타내었다. 그 중에서도 1.17로 한 시료 13이 가장 양호한 특성을 나타내었다.
도 51의 (B)에 나타내어진 바와 같이, 불순물을 특별히 가지지 않는 시료 1보다, 마그네슘, 플루오린 등의 불순물을 가지는 시료 15 및 시료 16이 더 양호한 사이클 특성을 나타내었다.
도 52에 나타내어진 바와 같이, 불순물을 특별히 가지지 않는 시료 1보다, 타이타늄, 마그네슘, 알루미늄, 플루오린 등의 불순물을 가지는 시료 11, 시료 13, 시료 17, 및 시료 18이 더 양호한 사이클 특성을 나타내었다.
가열 시간을 2시간 내지 60시간으로 한 시료 13, 시료 17, 및 시료 18은 모두 양호한 사이클 특성을 나타내었다. 그 중에서도 가열 시간을 20시간으로 한 시료 13이 가장 양호한 특성을 나타내었다.
도 53의 (A)는 방전 용량을 나타낸 그래프이고, 도 53의 (B)는 방전 용량 유지율(維持率)을 나타낸 그래프이다. 불순물을 특별히 가지지 않는 시료 1보다, 타이타늄, 마그네슘, 플루오린 등의 불순물을 가지는 시료 13 및 시료 19가 더 양호한 사이클 특성을 나타내었다. 특히 플루오린화 리튬, 니켈원, 알루미늄원을 첨가한 시료 19가 가장 양호한 특성을 나타내었다.
첫 번째 방전 용량은 시료 1이 215.5mAh/g이었고, 한편 시료 13은 226.6mAh/g이고, 시료 19는 226.5mAh/g이었다. 30사이클 후의 방전 용량 유지율은 시료 1이 61.3%이었고, 한편 시료 13은 91.3%이고, 시료 19는 93.9%이었다.
101: 양극 활물질
101a: 표층부
101b: 내부
101c: 오목부
101d: 니켈 고농도 영역
102: 매립부
103: 볼록부
103a: 플루오린 고농도 영역
103b: 금속 불순물 고농도 영역
1000: 양극 활물질
1001: 보호막
101a: 표층부
101b: 내부
101c: 오목부
101d: 니켈 고농도 영역
102: 매립부
103: 볼록부
103a: 플루오린 고농도 영역
103b: 금속 불순물 고농도 영역
1000: 양극 활물질
1001: 보호막
Claims (15)
- 양극 활물질로서,
타이타늄을 포함하고,
상기 양극 활물질의 표면에 오목부가 존재하고, 상기 오목부의 내벽의 일부에 상기 타이타늄이 존재하는, 양극 활물질. - 제 1 항에 있어서,
상기 오목부는 깊이 100nm 이상, 폭 20nm 이상인, 양극 활물질. - 제 1 항에 있어서,
마그네슘 및 플루오린을 더 포함하고,
상기 오목부의 상기 내벽의 일부에 상기 마그네슘 및 상기 플루오린이 존재하는, 양극 활물질. - 양극 활물질로서,
타이타늄 및 마그네슘과, 상기 마그네슘이 편재한 영역 및 상기 타이타늄이 편재한 영역을 포함하는, 양극 활물질. - 제 4 항에 있어서,
상기 마그네슘이 편재한 상기 영역 및 상기 타이타늄이 편재한 상기 영역은 상기 양극 활물질의 표면 상에 존재하는, 양극 활물질. - 제 4 항에 있어서,
코발트 및 산소를 더 포함하고,
상기 코발트 및 상기 산소는 균일하게 존재하는, 양극 활물질. - 제 4 항에 있어서,
리튬을 더 포함하는, 양극 활물질. - 제 4 항에 있어서,
상기 마그네슘이 균일하게 분포하는 영역 및 상기 타이타늄이 균일하게 분포하는 영역을 포함하는, 양극 활물질. - 제 4 항에 있어서,
상기 마그네슘이 편재한 상기 영역 및 상기 타이타늄이 편재한 상기 영역은 상기 양극 활물질의 표면 상의 볼록부인, 양극 활물질. - 제 4 항에 있어서,
상기 볼록부는 높이 50nm 이상의 부분을 포함하는, 양극 활물질. - 제 4 항에 있어서,
니켈과, 상기 니켈이 편재한 영역을 더 포함하는, 양극 활물질. - 제 4 항에 있어서,
알루미늄, 표층부, 및 내부를 더 포함하고,
상기 표층부는 상기 내부보다 알루미늄의 농도가 높은, 양극 활물질. - 제 4 항에 있어서,
플루오린과, 상기 플루오린이 편재한 영역을 더 포함하는, 양극 활물질. - 이차 전지로서,
제 4 항에 따른 양극 활물질을 포함하는, 이차 전지. - 전자 기기로서,
제 14 항에 따른 이차 전지를 포함하는, 전자 기기.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019215105 | 2019-11-28 | ||
| JPJP-P-2019-215105 | 2019-11-28 | ||
| JPJP-P-2019-222975 | 2019-12-10 | ||
| JP2019222975 | 2019-12-10 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210066723A true KR20210066723A (ko) | 2021-06-07 |
Family
ID=75996773
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020200155859A KR20210066723A (ko) | 2019-11-28 | 2020-11-19 | 양극 활물질, 이차 전지, 전자 기기 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11936036B2 (ko) |
| JP (1) | JP2021093356A (ko) |
| KR (1) | KR20210066723A (ko) |
| CN (1) | CN112864380A (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023012579A1 (ja) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | リチウムイオン電池 |
| WO2023242669A1 (ja) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | リチウムイオン二次電池 |
| WO2024084368A1 (ja) * | 2022-10-21 | 2024-04-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 二次電池、電子機器および車両 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018508116A (ja) | 2015-12-23 | 2018-03-22 | エルジー・ケム・リミテッド | 二次電池用正極活物質及びこれを含む二次電池 |
| JP2018190700A (ja) | 2016-10-12 | 2018-11-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 正極活物質粒子、および正極活物質粒子の作製方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1708297A3 (en) * | 1996-12-27 | 2007-03-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Powdery material, electrode member, method for manufacturing same and secondary cell |
| JP3031546B1 (ja) | 1998-11-13 | 2000-04-10 | 宇部興産株式会社 | リチウム遷移金属系ハロゲン化酸化物とその製造方法及びその用途 |
| CN1263182C (zh) | 2000-09-25 | 2006-07-05 | 三星Sdi株式会社 | 用于可充电锂电池的正电极活性材料及其制备方法 |
| JP3777988B2 (ja) | 2001-01-23 | 2006-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | リチウム二次電池用正極活物質及びその製造方法 |
| TW565961B (en) | 2001-11-30 | 2003-12-11 | Sanyo Electric Co | Nonaqueous electrolyte secondary battery and its manufacturing method |
| AU2003266620A1 (en) | 2002-09-26 | 2004-04-19 | Seimi Chemical Co., Ltd. | Positive electrode active substance for lithium secondary battery and process for producing the same |
| JP4274801B2 (ja) | 2003-01-09 | 2009-06-10 | パナソニック株式会社 | 非水電解質二次電池用正極活物質の製造法 |
| JP5080808B2 (ja) | 2004-07-20 | 2012-11-21 | Ａｇｃセイミケミカル株式会社 | リチウム二次電池用正極活物質及びその製造方法 |
| KR100822013B1 (ko) | 2005-04-15 | 2008-04-14 | 주식회사 에너세라믹 | 불소화합물코팅 리튬이차전지 양극 활물질 및 그 제조방법 |
| US20080241693A1 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Minoru Fukuchi | Lithium transition metal complex oxide for lithium ion secondary battery cathode active material and method for producing the same, lithium ion secondary battery cathode active material, and lithium ion secondary battery |
| JP4715830B2 (ja) | 2007-10-19 | 2011-07-06 | ソニー株式会社 | 正極活物質、正極および非水電解質二次電池 |
| JP2010080407A (ja) | 2008-09-29 | 2010-04-08 | Sony Corp | 正極活物質、正極および非水電解質二次電池に関する。 |
| EP2351124A4 (en) | 2008-09-30 | 2012-08-29 | Envia Systems Inc | BATTERY MATERIALS FOR POSITIVE ELECTRODE POSITIVE ELECTRODE METAL OXIDE RICH IN LITHIUM DOPED BY FLUOR OF HIGH SPECIFIC CAPACITY AND BATTERY CORRESPONDING |
| JP5111421B2 (ja) | 2009-03-27 | 2013-01-09 | 株式会社日立製作所 | リチウム二次電池用正極材料，リチウム二次電池及びそれを用いた二次電池モジュール |
| US8609283B2 (en) | 2009-09-09 | 2013-12-17 | Sony Corporation | Positive electrode active material, positive electrode, nonaqueous electrolyte cell, and method of preparing positive electrode active material |
| CN103635431B (zh) | 2011-06-17 | 2016-06-01 | 尤米科尔公司 | 用核心材料的元素和一种或多种金属氧化物的混合物涂覆的锂金属氧化物粒子 |
| JP2013048061A (ja) | 2011-08-29 | 2013-03-07 | Sony Corp | 二次電池、電池パック、電動車両、電力貯蔵システム、電動工具および電子機器 |
| CN102610806B (zh) | 2012-02-27 | 2014-11-12 | 宁德新能源科技有限公司 | 一种锂离子电池及其正极活性材料 |
| JP6103034B2 (ja) | 2013-02-28 | 2017-03-29 | 三洋電機株式会社 | 非水電解質二次電池用正極、及びその正極を用いた非水電解質二次電池 |
| JP6194235B2 (ja) | 2013-11-20 | 2017-09-06 | 日本化学工業株式会社 | リチウム二次電池用正極活物質、リチウム二次電池用正極活物質の製造方法及びリチウム二次電池 |
| WO2015083901A1 (ko) | 2013-12-02 | 2015-06-11 | 주식회사 엘앤에프신소재 | 리튬 이차 전지용 양극 활물질, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지 |
| CN110380046B (zh) * | 2014-05-09 | 2022-09-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 锂离子二次电池及电子装置 |
| JP6551878B2 (ja) | 2015-02-12 | 2019-07-31 | 国立大学法人 岡山大学 | リチウムイオン電池の正極材料の製造方法及びこの方法で製造した電極材料 |
| CN105655554B (zh) | 2016-01-11 | 2018-05-01 | 山东玉皇新能源科技有限公司 | 一种富锂锰基正极材料的水热改性方法 |
| CN110957479A (zh) | 2016-07-05 | 2020-04-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 正极活性物质 |
| US20180145317A1 (en) | 2016-11-18 | 2018-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Positive electrode active material, method for manufacturing positive electrode active material, and secondary battery |
| CN108110225B (zh) | 2016-11-24 | 2023-01-31 | 株式会社半导体能源研究所 | 正极活性物质粒子及正极活性物质粒子的制造方法 |
| KR20190140072A (ko) * | 2017-05-03 | 2019-12-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 양극 활물질 입자의 제작 방법 및 이차 전지 |
| CN117096337A (zh) | 2017-05-19 | 2023-11-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 锂离子二次电池 |
| KR102529620B1 (ko) | 2017-06-26 | 2023-05-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 양극 활물질의 제작 방법 및 이차 전지 |
| JP7116019B2 (ja) * | 2019-07-01 | 2022-08-09 | トヨタ自動車株式会社 | リチウムイオン二次電池用正極材料 |
-
2020
- 2020-11-19 KR KR1020200155859A patent/KR20210066723A/ko active Search and Examination
- 2020-11-19 US US16/952,189 patent/US11936036B2/en active Active
- 2020-11-24 JP JP2020194333A patent/JP2021093356A/ja active Pending
- 2020-11-27 CN CN202011363231.0A patent/CN112864380A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018508116A (ja) | 2015-12-23 | 2018-03-22 | エルジー・ケム・リミテッド | 二次電池用正極活物質及びこれを含む二次電池 |
| JP2018190700A (ja) | 2016-10-12 | 2018-11-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 正極活物質粒子、および正極活物質粒子の作製方法 |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| Belsky, A. et al., "New developments in the Inorganic Crystal Structure Database(ICSD): accessibility in support of materials research and design", Acta Cryst., (2002), B58, 364-369. |
| Motohashi, T. et al., "Electronic phase diagram of the layered cobalt oxide system LixCoO2(0.0≤x≤1.0)", Physical Review B, 80(16); 165114 |
| Toyoki Okumura et al., "Correlation of lithium ion distribution and X-ray absorption near-edge structure in O3-and O2-lithium cobalt oxides from first-principle calculation", Journal of Materials Chemistry, 2012, 22, p.17340-17348 |
| W. E. Counts et al., "Fluoride Model Systems: II, The Binary Systems CaF2-BeF22, MgF2-BeF2, and LiF-MgF2", Journal of the American Ceramic Society, (1953), 36[1], 12-17. Fig.01471 |
| Zhaohui Chen et al., "Staging Phase Transitions in LixCoO2", Journal of The Electrochemical Society, 2002, 149(12), A1604-A1609 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2021093356A (ja) | 2021-06-17 |
| US20210167368A1 (en) | 2021-06-03 |
| US11936036B2 (en) | 2024-03-19 |
| CN112864380A (zh) | 2021-05-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7401582B2 (ja) | 二次電池、正極及び正極活物質 | |
| JP7451592B2 (ja) | リチウムイオン二次電池 | |
| CN113165910A (zh) | 正极活性物质的制造方法 | |
| US11936036B2 (en) | Positive electrode active material, secondary battery, and electronic device | |
| KR20220055428A (ko) | 이차 전지 및 전자 기기 | |
| CN113165908A (zh) | 正极活性物质及二次电池 | |
| KR20210092234A (ko) | 양극 활물질, 이차 전지, 전자 기기, 및 차량 | |
| KR20220122655A (ko) | 양극 활물질, 이차 전지, 전자 기기 | |
| KR20210092253A (ko) | 양극 활물질 및 이차 전지 | |
| KR20210143215A (ko) | 양극 활물질 및 이차 전지 | |
| KR20220027974A (ko) | 양극 활물질, 양극, 이차 전지, 및 이들의 제작 방법 | |
| KR20210151153A (ko) | 양극 활물질의 제작 방법 | |
| WO2021116819A1 (ja) | 正極活物質の作製方法、キルン、加熱炉 | |
| WO2021152428A1 (ja) | 二次電池、携帯情報端末、車両および正極活物質の作製方法 | |
| KR20220133190A (ko) | 양극 활물질, 이차 전지, 전자 기기 | |
| KR20230107849A (ko) | 그래핀, 전극, 이차 전지, 차량, 및 전자 기기 | |
| KR20230006856A (ko) | 전극, 음극 활물질, 이차 전지, 차량, 및 전자 기기, 그리고 음극 활물질의 제작 방법 | |
| WO2022034414A1 (ja) | 二次電池、電子機器、車両、及び正極活物質の作製方法 | |
| WO2020099991A1 (ja) | 正極活物質、二次電池、電子機器および車両 | |
| KR20230053598A (ko) | 전극의 제작 방법, 이차 전지, 전자 기기, 및 차량 | |
| KR20230160287A (ko) | 전지, 전자 기기, 및 차량 | |
| KR20230053590A (ko) | 양극 활물질의 제작 방법 및 이차 전지의 제작 방법 | |
| CN116998029A (zh) | 复合氧化物的制造方法、正极、锂离子二次电池、电子设备、蓄电系统以及移动体 | |
| CN115312756A (zh) | 正极活性物质、二次电池、电子设备及车辆 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination |