KR20190020651A - 증폭 장치 - Google Patents

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Abstract

외부 기기로부터 공급되는 공급 전력의 전압을 보다 낮은 전압으로 변환하는 하나 이상의 전압 변환부(122)와, 하나 이상의 전압 변환부에 의해 전압이 변환된 공급 전력에 의해 동작하고, 고주파 신호를 증폭하는 하나 이상의 증폭기(12)를 구비한다.

Description

증폭 장치
본 발명은 RF 신호를 증폭하는 기술에 관한 것이다.
최근 RF 신호 (Radio Frequency)의 발진 증폭 소자로서의 마그네트론 발진기에 의한 증폭 기능의 대체로서 고체화 전력 증폭기 (SSPA: Solid State Power Amplifier)를 이용한 증폭 장치의 수요가 예상되고 있다. 현행의 마그네트론 발진기는 발진기와 전원 장치가 분리되어 있고, 이들 사이가 높은 전압에 의해 접속되어 있다. 그 때문에 마그네트론 발진기를 상술한 증폭 장치로 대체하는 경우에는 마찬가지로 전원 장치를 분리하는 것이 바람직하다.
또한 관련 기술로서 전력 출력단을 포함하는 고주파 증폭 수단과, 전력 출력단에 급전하기 위한 DC 전압의 가변값을 부여하는 전력 공급 수단과, 고주파 증폭 수단의 입력 전력의 신호를 제어 입력으로서 수신하고, 제어 입력에 응답하여 DC 전압의 값을 결정하는 제어 신호를 전력 공급 수단에 부여하는 제어 수단을 구비하는 안테나 소자에 급전하기 위한 반도체 전력 증폭기가 알려져 있다 (특허 문헌 1 참조).
일본 특표 2009-536483호 공보
그러나 마그네트론 발진기의 동작 전압이 5kV 정도인 반면, SSPA를 이용한 증폭 장치는 작동 전압이 30V 정도로 낮아, 전력 공급을 동일하다고 하면, 증폭 장치와 전원 장치를 낮은 전압이며 대전류로 접속하게 되고, 접속하는 케이블을 극단적으로 두껍게 해야 하는, 케이블의 길이가 제한되는 등의 실용화를 저해하는 제약이 생겨 증폭 장치와 전원 장치를 분리하는 것이 곤란하다는 문제가 있다.
본 발명의 실시 형태는 상술한 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것이고, 보다 용이하게 전원 장치와 분리할 수 있는 증폭 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 과제를 해결하기 위해, 본 실시 형태의 증폭 장치는 외부 기기로부터 공급되는 공급 전력의 전압을 보다 낮은 전압으로 변환하는 하나 이상의 전압 변환부와, 상기 하나 이상의 전압 변환부에 의해 전압이 변환된 공급 전력에 의해 동작하고, 고주파 신호를 증폭하는 하나 이상의 증폭기를 구비한다.
본 발명의 실시 형태에 의하면, 보다 용이하게 전원부를 분리할 수 있다.
도 1은, 본 실시 형태에 따른 증폭 장치 및 전원 장치를 나타내는 개략 사시도이다.
도 2는, 증폭 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 3은, 게인 모듈의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는, 증폭기의 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하면서 본 발명의 실시 형태에 대하여 설명한다.
우선, 본 실시 형태에 따른 증폭 장치 및 전원 장치의 개략에 대하여 설명한다. 도 1은 본 실시 형태에 따른 증폭 장치 및 전원 장치를 나타내는 개략 사시도이다. 도 2는 증폭 장치의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 증폭 장치(1)는 전원 장치(2)와 전원 케이블(3)에 의해 접속되어 있고, 전원 장치(2)는 전원 케이블(3)을 통하여 300V 정도의 비교적 높은 전압으로 증폭 장치(1)로 전원 공급을 한다. 증폭 장치(1)로 공급된 전력의 전압은 증폭 장치(1) 내에서 30V 정도로 변환된다.
또한 증폭 장치(1)는 도 2에 나타낸 바와 같이 입력된 RF 신호를 분배하여 출력하는 게인 모듈(11)과 분배되어 입력된 RF 신호를 각각 증폭하는 복수의 증폭기(12)와 복수의 증폭기(12) 각각에 의해 증폭된 복수의 RF 신호를 합성하여 출력하는 합성기(13)와 합성기(13)에 의해 출력된 RF 신호가 입력되는 중공 도파관(14)를 구비한다.
이어서, 게인 모듈의 구성 및 증폭기의 구성에 대하여 설명한다. 도 3은 게인 모듈의 구성을 나타내는 도면이다. 도 4는 증폭기의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 게인 모듈(11)은 입력 전력 감시부(110), RF 스위치(111), 가변 감쇠기(112), 고정 감쇠기(113), 앰프(114), 분배기(115), 조정부(116), 전압 변환부(119)를 구비한다.
입력 전력 감시부(110)는 외부로부터 입력된 RF 신호의 전력이 적정한지 여부를 판정하여, 적정하면 RF 신호를 RF 스위치(111)로 출력한다. RF 스위치(111)는 외부 기기로부터의 제어에 기초하여 ON 또는 OFF로 설정되고, ON으로 설정된 경우에만 가변 감쇠기(112)로 RF 신호를 출력한다. 가변 감쇠기(112)는 감쇠량을 가변으로 조정 가능한 감쇠기이며, 외부로부터 입력되는 제어 신호에 기초하여 입력된 RF 신호를 감쇠시켜 고정 감쇠기(113)로 출력한다. 고정 감쇠기(113)는 감쇠량이 고정된 감쇠기이며, 입력된 RF 신호를 감쇠시켜 앰프(114)로 출력한다. 증폭기(114)는 입력된 RF 신호를 증폭하여 분배기(115)로 출력한다. 분배기(115)는 입력된 RF 신호를 분배하여 복수의 조정부(116)의 각각으로 출력한다.
각 조정부(116)는 진폭 위상 조정부(117)와 프리 드라이버 앰프(118)를 가지며, 분배기(115)로부터 출력된 RF 신호의 진폭 및 위상을 조정하여 대응하는 증폭기(12)로 출력한다. 진폭 위상 조정부(117)는, 예를 들어 가변 감쇠기와 이상기로 구성되고, 입력된 RF 신호의 진폭과 위상을 조정하여 프리 드라이버 앰프(118)로 출력한다. 프리 드라이버 앰프(118)는 입력된 RF 신호를 증폭하여 대응하는 증폭기 (12)로 출력한다. 또한 각 조정부(116)에 의한 진폭의 조정량 및 위상의 조정량은 개별적으로 조정 가능하게 되어 있고, 이러한 조정량은, 예를 들어 증폭 장치(1)의 출하 전에 각 조정부(116)로부터 출력되는 RF 신호의 진폭 및 위상이 서로 동등해지도록 조정된다.
전압 변환부(119)는 전원 케이블(3)을 통하여 전원 장치(2)에 의해 공급된 전력의 전압을 300V에서 30V로 변환하는 DC/DC 컨버터이고, 30V의 직류 전압을 각 조정부(116)로부터 각 증폭기(12)로의 출력 각각에 중첩한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 증폭기(12)는 반도체 소자인 드라이버 앰프(120) 및 파이널 앰프(121)와 전압 변환부(122)를 구비한다. 드라이버 앰프(120)는 증폭기(12)에 입력된 RF 신호를 증폭하여 파이널 앰프(121)로 출력한다. 파이널 앰프(121)는 드라이브 앰프(120)에 의해 출력된 RF 신호를 증폭하여 합성기(13)로 출력한다. 전압 변환부(122)는 전압 변환부(119)와 마찬가지로, 전원 케이블(3)을 통하여 전원 장치(2)에 의해 공급된 전력의 전압을 300V에서 30V로 변환하는 DC/DC 컨버터이고, 30V의 전력을 드라이버 앰프(120) 및 파이널 앰프(121)로 공급한다. 증폭기(12)로부터 출력된 RF 신호는 합성기(13)에 의해 합성되어 중공 도파관(14)으로 출력된다.
상술한 바와 같이, 전원 장치(2)로부터 300V 정도의 비교적 높은 전압이며 비교적 작은 전류로 공급되는 전력을 증폭 장치(1) 내에서 30V 정도의 낮은 전압으로 변환함으로써, 케이블(3)을 굵고 짧게 하지 않고 증폭 장치(1)와 전원 장치(2)를 분리할 수 있다. 이에 따라 마그네트론 발진기가 사용되는 종래의 구성에 대한 변경을 적게 할 수 있으며, 나아가서는 마그네트론을 SSPA에 의해 대체하는 것을 보다 용이하게 할 수 있다.
본 발명의 실시 형태는 예시로 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이러한 신규한 실시 형태는 그 밖의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 생략, 치환, 변경을 할 수 있다. 이러한 실시 형태나 그 변형은 발명의 범위나 요지에 포함됨과 함께 특허 청구 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다.
1 증폭 장치
12 증폭기
13 합성기
115 분배기
119 전압 변환부
122 전압 변환부.

Claims (4)

  1. 외부 기기로부터 공급되는 공급 전력의 전압을 보다 낮은 전압으로 변환하는 하나 이상의 전압 변환부와,
    상기 하나 이상의 전압 변환부에 의해 전압이 변환된 공급 전력에 의해 동작하고, 고주파 신호를 증폭하는 하나 이상의 증폭기
    를 구비하는 증폭 장치.
  2. 제1항에 있어서,　상기 하나 이상의 전압 변환부는, 상기 하나 이상의 증폭기의 각각에 대응하여 내장되는 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,　상기 하나 이상의 증폭기 및 상기 하나 이상의 전압 변환부는 복수이며,
    입력된 고주파 신호를 분배하여 상기 복수의 증폭기로 출력하는 분배기를 추가로 구비하고,
    상기 복수의 전압 변환부 중 하나는 상기 분배기에서 상기 복수의 증폭기로 출력되는 전압을 중첩하는 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
  4. 제3항에 있어서,　상기 복수의 증폭기 각각에 의해 출력된 고주파 신호를 합성하여 출력하는 합성기를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 증폭 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210049397A (ko) * 2019-10-25 2021-05-06 큐알티 주식회사 지능형 다채널 광대역 고주파인가장치

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009536483A (ja) 2006-05-05 2009-10-08 アストリウム・リミテッド 高周波電力増幅器

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6218998Y2 (ko) 1981-06-17 1987-05-15
JPS63131624A (ja) * 1986-11-20 1988-06-03 Nec Corp 送信装置
JPH0492833U (ko) * 1990-12-29 1992-08-12
JPH06164269A (ja) * 1992-11-26 1994-06-10 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅器
JPH07212255A (ja) 1994-01-21 1995-08-11 Kokusai Electric Co Ltd 送信出力制御回路および送信出力制御方法
US5491454A (en) * 1994-10-31 1996-02-13 Motorola, Inc. Method and apparatus for reducing distortion in an output signal of an amplifier
JP3448213B2 (ja) * 1998-05-27 2003-09-22 三菱電機株式会社 マイクロ波モジュール
US6603391B1 (en) * 1999-03-09 2003-08-05 Micron Technology, Inc. Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator
US6300835B1 (en) * 1999-12-10 2001-10-09 Motorola, Inc. Power amplifier core
JP3323174B2 (ja) 1999-12-16 2002-09-09 エヌイーシーネットワーク・センサ株式会社 Ｔｄｍａ方式デジタル無線送信装置
JP2001185967A (ja) 1999-12-27 2001-07-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅器
EP1267487A1 (de) * 2001-06-15 2002-12-18 Contraves Space AG Hochfrequenzverstärker
US6985039B2 (en) * 2003-04-25 2006-01-10 Paragon Communications Ltd. Method and apparatus for providing a stable power output of power amplifiers, operating under unstable supply voltage conditions
JP4440121B2 (ja) * 2005-01-06 2010-03-24 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 電圧供給回路およびマイクユニット
CN100582801C (zh) * 2007-11-29 2010-01-20 中兴通讯股份有限公司 一种功率放大器的批量检测方法和装置
WO2009147891A1 (ja) * 2008-06-02 2009-12-10 株式会社 東芝 カーテシアンループを用いた無線送信装置
JP2010154460A (ja) * 2008-12-26 2010-07-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 高周波電力増幅装置
US8542061B2 (en) * 2010-04-20 2013-09-24 Rf Micro Devices, Inc. Charge pump based power amplifier envelope power supply and bias power supply
EP2432118B1 (en) * 2010-09-15 2012-12-26 Agence Spatiale Européenne Radio-frequency power amplifier with fast envelope tracking
JP2012199746A (ja) 2011-03-22 2012-10-18 Nec Corp ドハティ増幅器及びドハティ増幅器のバイアス設定方法
JPWO2014050721A1 (ja) * 2012-09-26 2016-08-22 シャープ株式会社 増幅装置および増幅装置を搭載した無線通信装置
US8884696B2 (en) * 2012-10-15 2014-11-11 Intel Mobile Communications GmbH Control circuit and method for controlling an operation of a power amplifier
JP5933471B2 (ja) * 2013-03-14 2016-06-08 パナソニック株式会社 フェーズドアレイ送信装置
EP2980990B1 (en) 2013-03-26 2019-01-02 Nec Corporation Power amplifier
DE102014104364A1 (de) * 2014-03-28 2015-10-01 Intel IP Corporation Eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bereitstellen eines Versorgungssteuerungssignals für eine Versorgungseinheit
JP2016119609A (ja) * 2014-12-22 2016-06-30 富士通株式会社 増幅装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009536483A (ja) 2006-05-05 2009-10-08 アストリウム・リミテッド 高周波電力増幅器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210049397A (ko) * 2019-10-25 2021-05-06 큐알티 주식회사 지능형 다채널 광대역 고주파인가장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20190140604A1 (en) 2019-05-09
CN109314495A (zh) 2019-02-05
WO2017221768A1 (ja) 2017-12-28
US10840859B2 (en) 2020-11-17
TW201801471A (zh) 2018-01-01
JPWO2017221768A1 (ja) 2019-04-18
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