JP3448213B2 - マイクロ波モジュール - Google Patents
マイクロ波モジュールInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波帯の
フェーズドアレイアンテナ等で使用するマイクロ波モジ
ュールに関するものである。
フェーズドアレイアンテナ等で使用するマイクロ波モジ
ュールに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１０と図１１は例えばTransmit/Recei
ve Module Technorogy for X-Band Active Array Radar
DAVID N. McQUIDDY他著（PRDCEEDINGS OF THE IEEE VO
L. 79,No3. MARCH 1991）に示された従来のマイクロ波
モジュールのブロック図及び構成図である。これらの図
において、１−１、１−２、１−３を総称する１はマイ
クロ波高電力増幅器、２はＲＦ基板、３は電源配線基
板、４はモジュールケース、５はコンデンサバンク回
路、６は冷却板、Ｐ１はアンテナＲＦ信号端子、Ｐ２は
給電系ＲＦ信号端子、Ｐ３はドレイン電源端子、Ｐ４は
パルス駆動信号端子、Ｐ５はゲート電源端子である。
ve Module Technorogy for X-Band Active Array Radar
DAVID N. McQUIDDY他著（PRDCEEDINGS OF THE IEEE VO
L. 79,No3. MARCH 1991）に示された従来のマイクロ波
モジュールのブロック図及び構成図である。これらの図
において、１−１、１−２、１−３を総称する１はマイ
クロ波高電力増幅器、２はＲＦ基板、３は電源配線基
板、４はモジュールケース、５はコンデンサバンク回
路、６は冷却板、Ｐ１はアンテナＲＦ信号端子、Ｐ２は
給電系ＲＦ信号端子、Ｐ３はドレイン電源端子、Ｐ４は
パルス駆動信号端子、Ｐ５はゲート電源端子である。
【０００３】マイクロ波高電力増幅器１は、ＲＦ基板２
に実装されており、電源配線基板３とともにモジュール
ケース４に実装されている。モジュールケース４は、冷
却板６に接触している。マイクロ波高電力増幅器１の接
続は、図１１の回路構成であり、図１１において、７は
マイクロ波ＦＥＴ，８は入力整合回路、９は出力整合回
路、１０はゲートバイアス回路である。電源配線基板３
として、ドレイン電源配線基板３−ａ、ゲート電源配線
基板３−ｂ、パルス電源配線基板３−ｃの３系統の電源
配線基板を有する。
に実装されており、電源配線基板３とともにモジュール
ケース４に実装されている。モジュールケース４は、冷
却板６に接触している。マイクロ波高電力増幅器１の接
続は、図１１の回路構成であり、図１１において、７は
マイクロ波ＦＥＴ，８は入力整合回路、９は出力整合回
路、１０はゲートバイアス回路である。電源配線基板３
として、ドレイン電源配線基板３−ａ、ゲート電源配線
基板３−ｂ、パルス電源配線基板３−ｃの３系統の電源
配線基板を有する。
【０００４】次に、マイクロ波モジュールの動作の概略
について、図１０の構成および図１１の回路で説明す
る。給電系ＲＦ信号端子Ｐ２から加えられたＲＦ信号
は、マイクロ波高電力増幅器１−１に加えられ増幅され
た後、マイクロ波高電力増幅器１−２，１−３にて、さ
らに大電力に増幅された後、アンテナＲＦ信号端子Ｐ１
から出力される。この際のマイクロ波高電力増幅器１に
は、電源配線基板３、コンデンサバンク回路５を介して
電源電力が供給される。さらに、マイクロ波高電力増幅
器１のマイクロ波ＦＥＴ７とモジュールケース４は冷却
板６に接触しており、冷却板６の中には冷却液が流れて
おり、マイクロ波高電力増幅器１で発熱した熱は、多層
基板２、モジュールケース４を介して冷却板６から冷却
液へ廃熱される。
について、図１０の構成および図１１の回路で説明す
る。給電系ＲＦ信号端子Ｐ２から加えられたＲＦ信号
は、マイクロ波高電力増幅器１−１に加えられ増幅され
た後、マイクロ波高電力増幅器１−２，１−３にて、さ
らに大電力に増幅された後、アンテナＲＦ信号端子Ｐ１
から出力される。この際のマイクロ波高電力増幅器１に
は、電源配線基板３、コンデンサバンク回路５を介して
電源電力が供給される。さらに、マイクロ波高電力増幅
器１のマイクロ波ＦＥＴ７とモジュールケース４は冷却
板６に接触しており、冷却板６の中には冷却液が流れて
おり、マイクロ波高電力増幅器１で発熱した熱は、多層
基板２、モジュールケース４を介して冷却板６から冷却
液へ廃熱される。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】従来のマイクロ波
モジュールは上記のように構成されているので、以下の
問題がある。 （１）マイクロ波高電力増幅器１に印加する電圧は通常
１０Ｖ程度であり、大電力の増幅を行う場合、この電圧
をマイクロ波モジュールの電源電圧として印加際した場
合には電流量が大きくなる。
モジュールは上記のように構成されているので、以下の
問題がある。 （１）マイクロ波高電力増幅器１に印加する電圧は通常
１０Ｖ程度であり、大電力の増幅を行う場合、この電圧
をマイクロ波モジュールの電源電圧として印加際した場
合には電流量が大きくなる。
【０００６】（２）マイクロ波高電力増幅器１を複数段
直列に多段接続するマイクロ波モジュールの場合、アン
テナＲＦ信号端子Ｐ１に近くに配置されるマイクロ波高
電力増幅器１−３は増幅電力が大きいため消費電流は大
きくなる。ところが、配置場所は給電系ＲＦ信号端子Ｐ
２から遠くに配置される。一方、電源は給電系ＲＦ信号
端子Ｐ２側から供給されるために、これらの増幅電力が
大きいマイクロ波高電力増幅器に供給される電源配線の
インピーダンスが高くなり、高電力増幅器に大電流が流
れるため電圧降下が大きくなり、マイクロ波高電力増幅
器の出力・効率が低下する。
直列に多段接続するマイクロ波モジュールの場合、アン
テナＲＦ信号端子Ｐ１に近くに配置されるマイクロ波高
電力増幅器１−３は増幅電力が大きいため消費電流は大
きくなる。ところが、配置場所は給電系ＲＦ信号端子Ｐ
２から遠くに配置される。一方、電源は給電系ＲＦ信号
端子Ｐ２側から供給されるために、これらの増幅電力が
大きいマイクロ波高電力増幅器に供給される電源配線の
インピーダンスが高くなり、高電力増幅器に大電流が流
れるため電圧降下が大きくなり、マイクロ波高電力増幅
器の出力・効率が低下する。
【０００７】（３）マイクロ波高電力増幅器１のパルス
動作時に電源配線のインピーダンスが高い場合には負荷
変動による電圧変動が大きくなり、マイクロ波高電力増
幅器１の動作が不安定になり、マイクロ波高電力増幅器
１の耐圧を越えた場合にはマイクロ波高電力増幅器を破
損する。 （４）マイクロ波高電力増幅器１は増幅電力が大きくな
るにつれて発熱量が増加し、ＦＥＴ温度が高くなり、出
力、効率が低下する。 （５）マイクロ波モジュールを用いてアレイアンテナを
構成する場合、電源回路が大きくなるため寸法が大きく
なる。
動作時に電源配線のインピーダンスが高い場合には負荷
変動による電圧変動が大きくなり、マイクロ波高電力増
幅器１の動作が不安定になり、マイクロ波高電力増幅器
１の耐圧を越えた場合にはマイクロ波高電力増幅器を破
損する。 （４）マイクロ波高電力増幅器１は増幅電力が大きくな
るにつれて発熱量が増加し、ＦＥＴ温度が高くなり、出
力、効率が低下する。 （５）マイクロ波モジュールを用いてアレイアンテナを
構成する場合、電源回路が大きくなるため寸法が大きく
なる。
【０００８】この発明は上記の様な問題点を解決するた
めになされたものであり、供給する電源電圧を高くし
て、電源電流を少なくし、電源供給の高効率化を図ると
ともに、マイクロ波高電力増幅器に電源を安定に供給で
きるマイクロ波モジュールを得ることを目的とする。さ
らに、冷却効率及びマイクロ波特性の優れたマイクロ波
モジュールの小型化を実現することができるとともにア
レイアンテナを小型に構成するのに好適なマイクロ波モ
ジュールを得ることを目的とする。
めになされたものであり、供給する電源電圧を高くし
て、電源電流を少なくし、電源供給の高効率化を図ると
ともに、マイクロ波高電力増幅器に電源を安定に供給で
きるマイクロ波モジュールを得ることを目的とする。さ
らに、冷却効率及びマイクロ波特性の優れたマイクロ波
モジュールの小型化を実現することができるとともにア
レイアンテナを小型に構成するのに好適なマイクロ波モ
ジュールを得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係るマイクロ
波モジュールは、複数のマイクロ波高電力増幅器を備え
たマイクロ波モジュールにおいて、上記複数のマイクロ
波高電力増幅器に近く配置され、かつ各マイクロ波高電
力増幅器に電源電圧を供給するＤＣ−ＤＣコンバータ電
源回路を備えたことを特徴とするものである。
波モジュールは、複数のマイクロ波高電力増幅器を備え
たマイクロ波モジュールにおいて、上記複数のマイクロ
波高電力増幅器に近く配置され、かつ各マイクロ波高電
力増幅器に電源電圧を供給するＤＣ−ＤＣコンバータ電
源回路を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】また、上記複数のマイクロ波高電力増幅器
を収納しかつ背中合わせに配置される一対のモジュール
ケースと、背中合わせに配置されたこれら一対のモジュ
ールケース間に介在された冷却板とをさらに備えると共
に、冷却板を介在して背中合わせに配置された一対のモ
ジュールケースの厚みを、上記ＤＣ−ＤＣコンバータ電
源回路の厚みと同じにしたことを特徴とするものであ
る。
を収納しかつ背中合わせに配置される一対のモジュール
ケースと、背中合わせに配置されたこれら一対のモジュ
ールケース間に介在された冷却板とをさらに備えると共
に、冷却板を介在して背中合わせに配置された一対のモ
ジュールケースの厚みを、上記ＤＣ−ＤＣコンバータ電
源回路の厚みと同じにしたことを特徴とするものであ
る。
【００１１】また、上記ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路
は、ＭＯＳＦＥＴとＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路から
構成され、当該ＭＯＳＦＥＴを、上記マイクロ波高電力
増幅器の近傍に設け、かつＤＣ−ＤＣコンバータ制御回
路との接続には電源供給ブスバーにて接続することを特
徴とするものである。
は、ＭＯＳＦＥＴとＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路から
構成され、当該ＭＯＳＦＥＴを、上記マイクロ波高電力
増幅器の近傍に設け、かつＤＣ−ＤＣコンバータ制御回
路との接続には電源供給ブスバーにて接続することを特
徴とするものである。
【００１２】また、上記マイクロ波高電力増幅器はマイ
クロ波ＦＥＴを有し、当該マイクロ波ＦＥＴは、上記Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ電源回路のＭＯＳＦＥＴと同一基板
上に実装されることを特徴とするものである。
クロ波ＦＥＴを有し、当該マイクロ波ＦＥＴは、上記Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ電源回路のＭＯＳＦＥＴと同一基板
上に実装されることを特徴とするものである。
【００１３】また、上記ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路
のＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路に対し高速駆動回路を
併設すると共に、上記マイクロ波高電力増幅器はマイク
ロ波ＦＥＴのゲートにゲート電圧を供給するバイアス回
路を有し、パルス駆動信号端子から供給されるパルス駆
動信号を上記高速駆動回路と上記バイアス回路に供給す
ることを特徴とするものである。
のＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路に対し高速駆動回路を
併設すると共に、上記マイクロ波高電力増幅器はマイク
ロ波ＦＥＴのゲートにゲート電圧を供給するバイアス回
路を有し、パルス駆動信号端子から供給されるパルス駆
動信号を上記高速駆動回路と上記バイアス回路に供給す
ることを特徴とするものである。
【００１４】また、上記パルス駆動信号を上記マイクロ
波高電力増幅器のバイアス回路に供給する経路中に遅延
回路を設けたことを特徴とするものである。
波高電力増幅器のバイアス回路に供給する経路中に遅延
回路を設けたことを特徴とするものである。
【００１５】また、上記電源供給ブスバーは、上記基板
の下に配置され、複数のマイクロ波高電力増幅器とスル
ーホールを用いて接続し、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回
路に近づくに従って厚みを増すような形状としたことを
特徴とするものである。
の下に配置され、複数のマイクロ波高電力増幅器とスル
ーホールを用いて接続し、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回
路に近づくに従って厚みを増すような形状としたことを
特徴とするものである。
【００１６】さらに、上記冷却板は、断面形状を台形状
とし、アンテナ出力側を厚くすると共に給電入力側を薄
くして、２個のモジュールケースを背中合わせに実装固
定する構造とし、アンテナ出力側の冷却液流量を多く、
給電入力側冷却流量を少なくしたことを特徴とするもの
である。
とし、アンテナ出力側を厚くすると共に給電入力側を薄
くして、２個のモジュールケースを背中合わせに実装固
定する構造とし、アンテナ出力側の冷却液流量を多く、
給電入力側冷却流量を少なくしたことを特徴とするもの
である。
【００１７】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１と図２はこの
発明の実施の形態１に係るマイクロ波モジュールを示す
構成図とその接続図である。これらの図において、１−
１、１−２、１−３を総称する１はマイクロ波高電力増
幅器、４はモジュールケース、６は冷却板、７はマイク
ロ波ＦＥＴ、８は入力整合回路、９は出力整合回路、１
０はバイアス回路、１１は多層基板、１２は多層基板１
１に設けたスルーホール、１３は電源供給ブスバー、１
４はＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路、１５−１、１５−
２を総称する１５はＭＯＳＦＥＴ，１６はＤＣ−ＤＣコ
ンバータ制御回路、１７は高速駆動回路、Ｐ１はアンテ
ナＲＦ信号端子、Ｐ２は給電系ＲＦ信号端子、Ｐ３はド
レイン電源端子、Ｐ４はパルスス駆動信号端子、Ｐ５は
ゲート電源端子である。
発明の実施の形態１に係るマイクロ波モジュールを示す
構成図とその接続図である。これらの図において、１−
１、１−２、１−３を総称する１はマイクロ波高電力増
幅器、４はモジュールケース、６は冷却板、７はマイク
ロ波ＦＥＴ、８は入力整合回路、９は出力整合回路、１
０はバイアス回路、１１は多層基板、１２は多層基板１
１に設けたスルーホール、１３は電源供給ブスバー、１
４はＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路、１５−１、１５−
２を総称する１５はＭＯＳＦＥＴ，１６はＤＣ−ＤＣコ
ンバータ制御回路、１７は高速駆動回路、Ｐ１はアンテ
ナＲＦ信号端子、Ｐ２は給電系ＲＦ信号端子、Ｐ３はド
レイン電源端子、Ｐ４はパルスス駆動信号端子、Ｐ５は
ゲート電源端子である。
【００１８】図１及び図２に示すように、複数のマイク
ロ波高電力増幅器１−１，１−２，１−３は多層基板１
１の上に実装配置されており、スルーホール１２により
電源供給ブスバー１３を介してＤＣ−ＤＣコンバータ電
源回路１４に接続されている。一対のモジュールケース
４は、図１に示すように、背中合わせに配置されてお
り、冷却板６に接触している。さらに、冷却板６が介在
された一対のモジュールケース４の厚みはＤＣ−ＤＣコ
ンバータ電源回路１４とほぼ同じとなるように構成され
ている。
ロ波高電力増幅器１−１，１−２，１−３は多層基板１
１の上に実装配置されており、スルーホール１２により
電源供給ブスバー１３を介してＤＣ−ＤＣコンバータ電
源回路１４に接続されている。一対のモジュールケース
４は、図１に示すように、背中合わせに配置されてお
り、冷却板６に接触している。さらに、冷却板６が介在
された一対のモジュールケース４の厚みはＤＣ−ＤＣコ
ンバータ電源回路１４とほぼ同じとなるように構成され
ている。
【００１９】マイクロ波高電力増幅器１は、図２の接続
図に示すように、マイクロ波ＦＥＴ７、入力整合回路
８、出力整合回路９、バイアス回路１０から構成され、
マイクロ波ＦＥＴ７のドレイン端子は、電源供給ブスバ
ー１３を介してＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４に接
続されている。ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４は、
ＭＯＳＦＥＴ１５−１、１５−２およびＤＣ−ＤＣコン
バータ制御回路１６により構成される。また、外部から
加えられるパルス駆動信号に対して高速駆動回路１７が
図２のように接続されている。
図に示すように、マイクロ波ＦＥＴ７、入力整合回路
８、出力整合回路９、バイアス回路１０から構成され、
マイクロ波ＦＥＴ７のドレイン端子は、電源供給ブスバ
ー１３を介してＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４に接
続されている。ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４は、
ＭＯＳＦＥＴ１５−１、１５−２およびＤＣ−ＤＣコン
バータ制御回路１６により構成される。また、外部から
加えられるパルス駆動信号に対して高速駆動回路１７が
図２のように接続されている。
【００２０】次に上記実施の形態１の動作について説明
する。図１において、ドレイン電源端子Ｐ３から加えら
れた電源電圧は、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４に
て低電圧に変換された後、電源供給ブスバー１３、スル
ーホール１２を介してマイクロ波高電力増幅器１−１，
１−２，１−３に印加される。給電系ＲＦ信号端子Ｐ２
から入力されたマイクロ波信号は、マイクロ波高電力増
幅器１−１に入力され、このマイクロ波高電力増幅器１
−１で増幅された後、マイクロ波高電力増幅器１−２，
１−３でさらに増幅されてアンテナＲＦ信号端子Ｐ１か
ら出力される。その際、マイクロ波高電力増幅器１にて
発生する熱は、多層基板１１、モジュールケース４を介
して冷却板６に廃熱される。
する。図１において、ドレイン電源端子Ｐ３から加えら
れた電源電圧は、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４に
て低電圧に変換された後、電源供給ブスバー１３、スル
ーホール１２を介してマイクロ波高電力増幅器１−１，
１−２，１−３に印加される。給電系ＲＦ信号端子Ｐ２
から入力されたマイクロ波信号は、マイクロ波高電力増
幅器１−１に入力され、このマイクロ波高電力増幅器１
−１で増幅された後、マイクロ波高電力増幅器１−２，
１−３でさらに増幅されてアンテナＲＦ信号端子Ｐ１か
ら出力される。その際、マイクロ波高電力増幅器１にて
発生する熱は、多層基板１１、モジュールケース４を介
して冷却板６に廃熱される。
【００２１】図２における各部の詳細動作は次の通りで
ある。ドレイン電源端子Ｐ３からＤＣ−ＤＣ電源回路１
４に入力されたドレイン電源は、ＤＣ−ＤＣコンバータ
制御回路１６およびＭＯＳＦＥＴ１５−１と１５−２に
より低電圧に変換されて、マイクロ波高電力増幅器１の
ドレイン端子に印加される。マイクロ波高電力増幅器１
に入力されたマイクロ波信号は、入力整合回路８により
インピーダンス整合された後、マイクロ波ＦＥＴ７のゲ
ートに入力され増幅された後、出力整合回路９にてイン
ピーダンス整合されて出力される。
ある。ドレイン電源端子Ｐ３からＤＣ−ＤＣ電源回路１
４に入力されたドレイン電源は、ＤＣ−ＤＣコンバータ
制御回路１６およびＭＯＳＦＥＴ１５−１と１５−２に
より低電圧に変換されて、マイクロ波高電力増幅器１の
ドレイン端子に印加される。マイクロ波高電力増幅器１
に入力されたマイクロ波信号は、入力整合回路８により
インピーダンス整合された後、マイクロ波ＦＥＴ７のゲ
ートに入力され増幅された後、出力整合回路９にてイン
ピーダンス整合されて出力される。
【００２２】マイクロ波ＦＥＴ７のゲートにはバイアス
回路１０が接続されており、バイアス回路１０には、ゲ
ート電源端子Ｐ５から印加されたゲート電圧とパルス駆
動信号端子Ｐ４から加えられたパルス駆動信号によって
ゲート電圧を制御しマイクロ波ＦＥＴ７のＯＮ／ＯＦＦ
制御を行う。さらに、パルス駆動信号は高速駆動回路１
７にも印加されてＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路１６と
並列に動作し、パルス動作に対応して電圧変動を高速で
制御して、マイクロ波ＦＥＴ７のドレイン電圧がパルス
動作時に変動するの押さえ常に一定の電圧に保つ。
回路１０が接続されており、バイアス回路１０には、ゲ
ート電源端子Ｐ５から印加されたゲート電圧とパルス駆
動信号端子Ｐ４から加えられたパルス駆動信号によって
ゲート電圧を制御しマイクロ波ＦＥＴ７のＯＮ／ＯＦＦ
制御を行う。さらに、パルス駆動信号は高速駆動回路１
７にも印加されてＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路１６と
並列に動作し、パルス動作に対応して電圧変動を高速で
制御して、マイクロ波ＦＥＴ７のドレイン電圧がパルス
動作時に変動するの押さえ常に一定の電圧に保つ。
【００２３】この様にマイクロ波モジュールを構成する
ことにより、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４はマイ
クロ波高電力増幅器１に近接され、マイクロ波高電力増
幅器１に供給するドレイン電源電圧を高くして電源電流
を少なくし、電源供給の高効率化を図るように作用す
る。高速駆動回路１７は、マイクロ波高電力増幅器１を
パルス駆動した場合のマイクロ波ＦＥＴ７のドレイン端
子の電圧変動を抑えるように作用する。
ことにより、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４はマイ
クロ波高電力増幅器１に近接され、マイクロ波高電力増
幅器１に供給するドレイン電源電圧を高くして電源電流
を少なくし、電源供給の高効率化を図るように作用す
る。高速駆動回路１７は、マイクロ波高電力増幅器１を
パルス駆動した場合のマイクロ波ＦＥＴ７のドレイン端
子の電圧変動を抑えるように作用する。
【００２４】すなわち、実施の形態１によれば、複数の
マイクロ波高電力増幅器を従来のＲＦ基板の代わり多層
基板上に実装し、マイクロ波ＦＥＴのドレイン電源端子
をスルーホールを介して電源供給ブスバーへ接続し、Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータで構成された電源回路に電源配線の
代わりに電源供給ブスバーを用いて接続して構成したの
で、多層基板およびスルーホールはマイクロ波高電力増
幅器の電源回路を短い距離で電源供給ブスバーへ接続す
るように作用し、電源供給ブスバーはこれらの配線を低
インピーダンスでＤＣ−ＤＣコンバータ電源へ接続する
ように作用する。さらに、ＤＣ−ＤＣコンバータでは外
部から高電圧、低電流で供給された電源をマイクロ波高
電力増幅器の動作電圧に変換し電源供給ブスバーへ供給
するように作用する。
マイクロ波高電力増幅器を従来のＲＦ基板の代わり多層
基板上に実装し、マイクロ波ＦＥＴのドレイン電源端子
をスルーホールを介して電源供給ブスバーへ接続し、Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータで構成された電源回路に電源配線の
代わりに電源供給ブスバーを用いて接続して構成したの
で、多層基板およびスルーホールはマイクロ波高電力増
幅器の電源回路を短い距離で電源供給ブスバーへ接続す
るように作用し、電源供給ブスバーはこれらの配線を低
インピーダンスでＤＣ−ＤＣコンバータ電源へ接続する
ように作用する。さらに、ＤＣ−ＤＣコンバータでは外
部から高電圧、低電流で供給された電源をマイクロ波高
電力増幅器の動作電圧に変換し電源供給ブスバーへ供給
するように作用する。
【００２５】また、冷却板を２枚のモジュールケースが
背中合わせとなるように配置し、ＤＣ−ＤＣコンバータ
で構成した電源回路と厚みを同じにして構成したので、
これらのマイクロ波モジュールを多数用いて構成するア
レイアンテナの寸法を小さくするとともにアレイアンテ
ナでの電源を各マイクロ波モジュールに分散配置するよ
うに作用する。
背中合わせとなるように配置し、ＤＣ−ＤＣコンバータ
で構成した電源回路と厚みを同じにして構成したので、
これらのマイクロ波モジュールを多数用いて構成するア
レイアンテナの寸法を小さくするとともにアレイアンテ
ナでの電源を各マイクロ波モジュールに分散配置するよ
うに作用する。
【００２６】また、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路の駆
動回路部分と出力回路であるＭＯＳＦＥＴを分離して配
置し、マイクロ波高電力増幅器の近傍にＭＯＳＦＥＴを
配置して構成し、これらの回路とＤＣ−ＤＣコンバータ
の制御回路を電源供給ブスバーで接続して構成すること
で、ＭＯＳＦＥＴはマイクロ波高電力増幅器の近傍に配
置されることによってマイクロ波ＦＥＴがパルス動作
し、電流が変動した場合でも、電圧降下及び電圧変動を
小さくするように作用する。
動回路部分と出力回路であるＭＯＳＦＥＴを分離して配
置し、マイクロ波高電力増幅器の近傍にＭＯＳＦＥＴを
配置して構成し、これらの回路とＤＣ−ＤＣコンバータ
の制御回路を電源供給ブスバーで接続して構成すること
で、ＭＯＳＦＥＴはマイクロ波高電力増幅器の近傍に配
置されることによってマイクロ波ＦＥＴがパルス動作
し、電流が変動した場合でも、電圧降下及び電圧変動を
小さくするように作用する。
【００２７】また、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路を構
成するＭＯＳＦＥＴとマイクロ波高電力増幅器を構成す
るマイクロ波ＦＥＴと同一のＧａＡｓ基板上に構成し一
体化することで、ＭＯＳＦＥＴをマイクロ波高電力増幅
器を構成するＧａＡｓ基板上にＭＭＩＣ回路として一体
化して構成することができ、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源
のスイッチング速度を高くして高速動作を可能とするよ
うに作用する。
成するＭＯＳＦＥＴとマイクロ波高電力増幅器を構成す
るマイクロ波ＦＥＴと同一のＧａＡｓ基板上に構成し一
体化することで、ＭＯＳＦＥＴをマイクロ波高電力増幅
器を構成するＧａＡｓ基板上にＭＭＩＣ回路として一体
化して構成することができ、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源
のスイッチング速度を高くして高速動作を可能とするよ
うに作用する。
【００２８】さらに、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路の
制御回路と並列に高速駆動回路を設けて、マイクロ波高
電力増幅器のパルス動作信号を入力し、同期して動作す
るように構成することで、マイクロ波高電力増幅器のパ
ルス動作による負荷変動に伴う電圧変化を補正するよう
に作用する。
制御回路と並列に高速駆動回路を設けて、マイクロ波高
電力増幅器のパルス動作信号を入力し、同期して動作す
るように構成することで、マイクロ波高電力増幅器のパ
ルス動作による負荷変動に伴う電圧変化を補正するよう
に作用する。
【００２９】実施の形態２．図３は実施の形態２の構成
ブロック図を示すものである。図３において、図２に示
す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してその説明
は省略する。新たな符号として、１８は遅延回路であ
り、更に高速のパルス駆動信号に対応するために、パル
ス駆動信号端子Ｐ４から印加されて、バイアス回路１０
に印加するパルス駆動信号を一定時間（高速駆動回路１
７の制御時間）遅延させて電圧変動補正の時間遅れをな
くすものである。上記以外の動作は実施の形態１と同様
である。
ブロック図を示すものである。図３において、図２に示
す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してその説明
は省略する。新たな符号として、１８は遅延回路であ
り、更に高速のパルス駆動信号に対応するために、パル
ス駆動信号端子Ｐ４から印加されて、バイアス回路１０
に印加するパルス駆動信号を一定時間（高速駆動回路１
７の制御時間）遅延させて電圧変動補正の時間遅れをな
くすものである。上記以外の動作は実施の形態１と同様
である。
【００３０】このように構成することにより、高速駆動
回路１７の電圧制御の時間遅れを補正することが可能と
なり、ハルス動作時のマイクロ波ＦＥＴのドレイン電圧
を一定にするよう作用する。
回路１７の電圧制御の時間遅れを補正することが可能と
なり、ハルス動作時のマイクロ波ＦＥＴのドレイン電圧
を一定にするよう作用する。
【００３１】すなわち、マイクロ波高電力増幅器のバイ
アス回路にパルス動作信号を加える際に遅延回路を通し
てパルス動作信号を高速駆動回路の遅延時間に等しい時
間を遅らせてバイアス回路に印加してマイクロ波高電力
増幅器を構成するマイクロ波ＦＥＴを０Ｎ／ＯＦＦする
構成にすることで、負荷変動を補正し時間差をなくす作
用をする。
アス回路にパルス動作信号を加える際に遅延回路を通し
てパルス動作信号を高速駆動回路の遅延時間に等しい時
間を遅らせてバイアス回路に印加してマイクロ波高電力
増幅器を構成するマイクロ波ＦＥＴを０Ｎ／ＯＦＦする
構成にすることで、負荷変動を補正し時間差をなくす作
用をする。
【００３２】実施の形態３．図４は実施の形態３の構成
図を示すものである。図４に示す実施の形態３において
は、ＭＯＳＦＥＴ１５とＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路
１６の間にも電源供給ブスバー１３−２を設けたもので
ある。
図を示すものである。図４に示す実施の形態３において
は、ＭＯＳＦＥＴ１５とＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路
１６の間にも電源供給ブスバー１３−２を設けたもので
ある。
【００３３】このように構成することにより、電源はＤ
Ｃ−ＤＣコンバータ制御回路１６とＭＯＳＦＥＴ１５の
間の電圧降下を小さくして、パルス動作時のマイクロ波
ＦＥＴ７のドレイン電圧変動を小さくするよう作用す
る。
Ｃ−ＤＣコンバータ制御回路１６とＭＯＳＦＥＴ１５の
間の電圧降下を小さくして、パルス動作時のマイクロ波
ＦＥＴ７のドレイン電圧変動を小さくするよう作用す
る。
【００３４】実施の形態４．図５は実施の形態４の構成
図を示すものである。図５に示す実施の形態４において
は、ＭＯＳＦＥＴ１５とＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路
１６の間に電源供給ブスバー１３−２を設けると共に、
さらに遅延回路１８を設けたものである。
図を示すものである。図５に示す実施の形態４において
は、ＭＯＳＦＥＴ１５とＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路
１６の間に電源供給ブスバー１３−２を設けると共に、
さらに遅延回路１８を設けたものである。
【００３５】このような構成により、電源はＤＣ−ＤＣ
コンバータ制御回路１６とＭＯＳＦＥＴ１５の間の電圧
降下を少なくすることにより、高速駆動回路１７による
電圧制御の時間遅れ補正をより精度良く行うように作用
する。
コンバータ制御回路１６とＭＯＳＦＥＴ１５の間の電圧
降下を少なくすることにより、高速駆動回路１７による
電圧制御の時間遅れ補正をより精度良く行うように作用
する。
【００３６】実施の形態５．図６は実施の形態５の構成
図を示すものである。図６に示す実施の形態５において
は、マイクロ波高電力増幅器１を構成する際にマイクロ
波ＦＥＴ７，ＭＯＳＦＥＴ１５を同一ＧａＡｓ基板上に
構成したものである。
図を示すものである。図６に示す実施の形態５において
は、マイクロ波高電力増幅器１を構成する際にマイクロ
波ＦＥＴ７，ＭＯＳＦＥＴ１５を同一ＧａＡｓ基板上に
構成したものである。
【００３７】このような構成により、ＭＯＳＦＥＴ１５
の高速動作が可能となり、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源の
スイッチング速度を高くして高速動作が可能となる。さ
らにマイクロ波ＦＥＴ７とＭＯＳＦＥＴ１５の距離が小
さくなるため、電圧降下も小さくなる。
の高速動作が可能となり、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源の
スイッチング速度を高くして高速動作が可能となる。さ
らにマイクロ波ＦＥＴ７とＭＯＳＦＥＴ１５の距離が小
さくなるため、電圧降下も小さくなる。
【００３８】実施の形態６．図７は実施の形態６の構成
図を示すものである。図７に示す実施の形態７において
は、マイクロ波ＦＥＴ７，ＭＯＳＦＥＴ１５、入力整合
回路８、出力整合回路９、バイアス回路１０、遅延回路
１８を同一ＧａＡｓ基板上に設けてＭＭＩＣ回路でマイ
クロ波高電力増幅器１を構成したものである。
図を示すものである。図７に示す実施の形態７において
は、マイクロ波ＦＥＴ７，ＭＯＳＦＥＴ１５、入力整合
回路８、出力整合回路９、バイアス回路１０、遅延回路
１８を同一ＧａＡｓ基板上に設けてＭＭＩＣ回路でマイ
クロ波高電力増幅器１を構成したものである。
【００３９】このような構成により、パルス駆動信号の
時間遅れをより精度良く補正することが出来るととも
に、マイクロ波高電力増幅器を小型に構成出来るため、
電源供給ブスバー１３の長さを短くでき、電圧降下も小
さくなる。
時間遅れをより精度良く補正することが出来るととも
に、マイクロ波高電力増幅器を小型に構成出来るため、
電源供給ブスバー１３の長さを短くでき、電圧降下も小
さくなる。
【００４０】実施の形態７．図８は実施の形態７の構成
図を示すものである。図８に示す実施の形態７において
は、電源供給ぶすばブスバー１３に流れるマイクロ波高
電力増幅器１のドレイン電流量に応じて電源供給ブスバ
ー１３の厚みをＤＣ−ＤＣコンバータの電源側に近づく
に従って厚く構成したものである。さらに、冷却板６及
び冷却液の流路の厚みをマイクロ波モジュールのアンテ
ナＲＦ信号端子Ｐ１側を厚くし、給電系ＲＦ信号端子Ｐ
２側を薄くするように構成したものである。
図を示すものである。図８に示す実施の形態７において
は、電源供給ぶすばブスバー１３に流れるマイクロ波高
電力増幅器１のドレイン電流量に応じて電源供給ブスバ
ー１３の厚みをＤＣ−ＤＣコンバータの電源側に近づく
に従って厚く構成したものである。さらに、冷却板６及
び冷却液の流路の厚みをマイクロ波モジュールのアンテ
ナＲＦ信号端子Ｐ１側を厚くし、給電系ＲＦ信号端子Ｐ
２側を薄くするように構成したものである。
【００４１】電源供給側に近づくにつれて各段のマイク
ロ波高電力増幅器１のドレイン電流が加算されるため単
位長さ当たりの電流量が多くなるが、このような構成に
より、電源供給ブスバー１３で発生する単位長さ当たり
の電圧降下を一定にするように作用する。マイクロ波高
電力増幅器１での発熱量はアンテナ側の方がより大電力
増幅を行うため発熱量が大きくなるが、この様に冷却板
を構成することにより、冷却板は、マイクロ波高電力増
幅器の各段の発熱量に応じて冷却効率を高めるように作
用する。さらにマイクロ波モジュールの厚みは一定とな
る。
ロ波高電力増幅器１のドレイン電流が加算されるため単
位長さ当たりの電流量が多くなるが、このような構成に
より、電源供給ブスバー１３で発生する単位長さ当たり
の電圧降下を一定にするように作用する。マイクロ波高
電力増幅器１での発熱量はアンテナ側の方がより大電力
増幅を行うため発熱量が大きくなるが、この様に冷却板
を構成することにより、冷却板は、マイクロ波高電力増
幅器の各段の発熱量に応じて冷却効率を高めるように作
用する。さらにマイクロ波モジュールの厚みは一定とな
る。
【００４２】実施の形態８．図９は実施の形態８の構成
図を示すものである。図９に示す実施の形態８において
は、上述したマイクロ波モジュールを、複数個の素子ア
ンテナ１９、マイクロ波分配器２０、電源分配器２１を
用いてアレイアンテナ構成した例である。マイクロ波信
号はマイクロ波分配器２０にて分配され、給電系ＲＦ信
号端子Ｐ２に印加される。アンテナＲＦ信号端子Ｐ１に
は素子アンテナ１９が接続され、増幅されたマイクロ波
信号は素子アンテナ１９から放射されアレイアンテナと
して合成される。電源分配器２１で分配された電源およ
びパルス駆動信号は、ドレイン電源端子Ｐ３、パルス駆
動信号端子Ｐ４、ゲート電源端子Ｐ５に加えられる。
図を示すものである。図９に示す実施の形態８において
は、上述したマイクロ波モジュールを、複数個の素子ア
ンテナ１９、マイクロ波分配器２０、電源分配器２１を
用いてアレイアンテナ構成した例である。マイクロ波信
号はマイクロ波分配器２０にて分配され、給電系ＲＦ信
号端子Ｐ２に印加される。アンテナＲＦ信号端子Ｐ１に
は素子アンテナ１９が接続され、増幅されたマイクロ波
信号は素子アンテナ１９から放射されアレイアンテナと
して合成される。電源分配器２１で分配された電源およ
びパルス駆動信号は、ドレイン電源端子Ｐ３、パルス駆
動信号端子Ｐ４、ゲート電源端子Ｐ５に加えられる。
【００４３】このような構成により、電源分配器２１で
は比較的高い電圧を用いることができて電圧降下も小さ
く出来る。さらにＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４を
高電力マイクロ波増幅器１の近くに分散して配置するこ
とにより、アレイアンテナとしての小型化が可能とな
る。
は比較的高い電圧を用いることができて電圧降下も小さ
く出来る。さらにＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路１４を
高電力マイクロ波増幅器１の近くに分散して配置するこ
とにより、アレイアンテナとしての小型化が可能とな
る。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、マイ
クロ波モジュールに供給するドレイン電源電圧を高くし
て電源電流を少なくし、電源供給の高効率化をはかる効
果がある。また、マイクロ波高電力増幅器に供給される
ドレイン電圧の電圧降下を小さくする効果がある。さら
に、マイクロ波モジュールに供給するドレイン電源電圧
の種類を少なくする効果がある。
クロ波モジュールに供給するドレイン電源電圧を高くし
て電源電流を少なくし、電源供給の高効率化をはかる効
果がある。また、マイクロ波高電力増幅器に供給される
ドレイン電圧の電圧降下を小さくする効果がある。さら
に、マイクロ波モジュールに供給するドレイン電源電圧
の種類を少なくする効果がある。
【００４５】また、マイクロ波モジュールを多数用いて
構成するアレイアンテナの寸法を小さくするとともにア
レイアンテナでの電源を各マイクロ波モジュールに分散
配置し小型化する効果がある。
構成するアレイアンテナの寸法を小さくするとともにア
レイアンテナでの電源を各マイクロ波モジュールに分散
配置し小型化する効果がある。
【００４６】また、高電力マイクロ波増幅器がパルス駆
動しマイクロ波ＦＥＴがＯＮ／０ＦＦのパルス動作し、
ドレイン電流が変動した場合でも、マイクロ波ＦＥＴへ
印加されるドレイン電圧の電圧降下及び電圧変動を小さ
くする効果がある。
動しマイクロ波ＦＥＴがＯＮ／０ＦＦのパルス動作し、
ドレイン電流が変動した場合でも、マイクロ波ＦＥＴへ
印加されるドレイン電圧の電圧降下及び電圧変動を小さ
くする効果がある。
【００４７】また、ＤＣ−ＤＣコンバータ電源のスイッ
チング速度を高くして高速動作を可能とするとともに、
マイクロ波ＦＥＴとＭＯＳＦＥＴの距離を小さくし、こ
の間の電圧降下および電圧変動を小さくする効果があ
る。
チング速度を高くして高速動作を可能とするとともに、
マイクロ波ＦＥＴとＭＯＳＦＥＴの距離を小さくし、こ
の間の電圧降下および電圧変動を小さくする効果があ
る。
【００４８】また、マイクロ波高電力増幅器のパルス駆
動によるドレイン電流の負荷変動による電圧変化を補正
する効果がある。
動によるドレイン電流の負荷変動による電圧変化を補正
する効果がある。
【００４９】また、マイクロ波高電力増幅器のパルス動
作による負荷変動を補正する際の時間遅れを少なくする
効果がある。
作による負荷変動を補正する際の時間遅れを少なくする
効果がある。
【００５０】また、電流の多い部分の電気抵抗を小さく
し、電源供給ブスバーで発生する単位長さ当たりの電圧
降下を小さくし、各段のマイクロ波高電力増幅器のドレ
イン電圧降下及び変動を小さくする効果がある。
し、電源供給ブスバーで発生する単位長さ当たりの電圧
降下を小さくし、各段のマイクロ波高電力増幅器のドレ
イン電圧降下及び変動を小さくする効果がある。
【００５１】さらに、マイクロ波高電力増幅器の各段の
発熱量に応じて冷却効率を高める効果がある。
発熱量に応じて冷却効率を高める効果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す構成図であ
る。
る。
【図２】 この発明の実施の形態１を示す接続図であ
る。
る。
【図３】 この発明の実施の形態２を示す構成図であ
る。
る。
【図４】 この発明の実施の形態３を示す構成図であ
る。
る。
【図５】 この発明の実施の形態４を示す構成図であ
る。
る。
【図６】 この発明の実施の形態５を示す構成図であ
る。
る。
【図７】 この発明の実施の形態６を示す構成図であ
る。
る。
【図８】 この発明の実施の形態７を示す構成図であ
る。
る。
【図９】 この発明の実施の形態８を示す構成図であ
る。
る。
【図１０】 従来のマイクロ波モジュールを示す構成図
である。
である。
【図１１】 従来のマイクロ波モジュールを示す接続図
である。
である。
１（１−１〜１−３） マイクロ波高電力増幅器、４
モジュールケース、６ 冷却板、７ マイクロ波ＦＥ
Ｔ、１０ バイアス回路、１１ 多層基板、１２ スル
ーホール、１３ 電源供給ブスバー、１４ ＤＣ−ＤＣ
コンバータ電源回路、１５（１５−１、１５−２） Ｍ
ＯＳＦＥＴ、１６ ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路、１
７ 高速駆動回路、１８ 遅延回路、Ｐ１ アンテナＲ
Ｆ信号端子、Ｐ３ ドレイン電源端子、Ｐ２ 給電系Ｒ
Ｆ信号端子、Ｐ４ パルス駆動信号端子、Ｐ５ ゲート
電源端子。
モジュールケース、６ 冷却板、７ マイクロ波ＦＥ
Ｔ、１０ バイアス回路、１１ 多層基板、１２ スル
ーホール、１３ 電源供給ブスバー、１４ ＤＣ−ＤＣ
コンバータ電源回路、１５（１５−１、１５−２） Ｍ
ＯＳＦＥＴ、１６ ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路、１
７ 高速駆動回路、１８ 遅延回路、Ｐ１ アンテナＲ
Ｆ信号端子、Ｐ３ ドレイン電源端子、Ｐ２ 給電系Ｒ
Ｆ信号端子、Ｐ４ パルス駆動信号端子、Ｐ５ ゲート
電源端子。
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平２−177702（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−164269（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−304007（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−152242（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−77210（ＪＰ，Ａ)
特開 昭57−3405（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−95424（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H03F 1/00 - 3/60
H01Q 3/26
Claims (4)
- 【請求項１】 マイクロ波ＦＥＴを有する複数のマイク
ロ波高電力増幅器を備えたマイクロ波モジュールにおい
て、 上記複数のマイクロ波高電力増幅器に近接して配置さ
れ、かつ各マイクロ波高電力増幅器に電源電圧を供給す
るＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路を備え、上記ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路は、ＭＯＳＦＥＴと
ＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路から構成され、当該ＭＯ
ＳＦＥＴを、上記マイクロ波高電力増幅器の近傍に設
け、かつＤＣ−ＤＣコンバータ制御回路との接続には電
源供給ブスバーにて接続し、 上記ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路のＤＣ−ＤＣコンバ
ータ制御回路に対し、パルス駆動信号端子から供給され
るパルス駆動信号の入力に基づいて上記ＤＣ−ＤＣコン
バータ制御回路から上記ＭＯＳＦＥＴに供給される電圧
変動を制御することで上記マイクロ波ＦＥＴのドレイン
電圧を一定の電圧に保つ高速駆動回路を併設すると共
に、上記マイクロ波高電力増幅器は、遅延回路を介して
上記パルス駆動信号端子から供給されるパルス駆動信号
の入力に基づいて上記マイクロ波ＦＥＴのゲートにゲー
ト電圧を供給するバイアス回路を有する ことを特徴とす
るマイクロ波モジュール。 - 【請求項２】 請求項１記載のマイクロ波モジュールに
おいて、上記複数のマイクロ波高電力増幅器を収納しか
つ背中合わせに配置される一対のモジュールケースと、
背中合わせに配置されたこれら一対のモジュールケース
間に介在された冷却板とをさらに備えると共に、冷却板
を介在して背中合わせに配置された一対のモジュールケ
ースの厚みを、上記ＤＣ−ＤＣコンバータ電源回路の厚
みと同じにしたことを特徴とするマイクロ波モジュー
ル。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のマイクロ波モジ
ュールにおいて、上記マイクロ波ＦＥＴは、上記ＤＣ−
ＤＣコンバータ電源回路のＭＯＳＦＥＴと同一基板上に
実装されることを特徴とするマイクロ波モジュール。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項に記載
のマイクロ波モジュールにおいて、上記電源供給ブスバ
ーは、上記基板の下に配置され、複数のマイクロ波高電
力増幅器とスルーホールを用いて接続し、給電入力側の
ＤＣ−ＤＣコ ンバータ電源回路に近づくに従って厚みを
増すような形状とするのに対し、上記冷却板は、断面形
状を台形状とし、アンテナ出力側を厚くすると共に給電
入力側を薄くして、２個のモジュールケースを背中合わ
せに実装固定する構造とし、アンテナ出力側の冷却液流
量を多く、給電入力側冷却流量を少なくしたことを特徴
とするマイクロ波モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14597498A JP3448213B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | マイクロ波モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14597498A JP3448213B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | マイクロ波モジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11340755A JPH11340755A (ja) | 1999-12-10 |
| JP3448213B2 true JP3448213B2 (ja) | 2003-09-22 |
Family
ID=15397296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14597498A Expired - Fee Related JP3448213B2 (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | マイクロ波モジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3448213B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100694834B1 (ko) | 2005-06-01 | 2007-03-14 | 주식회사 영신알에프 | 다각 입체형 알에프 엠프 모듈 |
| TWI727034B (zh) * | 2016-06-24 | 2021-05-11 | 日商東京計器股份有限公司 | 增幅裝置 |
| JP6850645B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2021-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
1998
- 1998-05-27 JP JP14597498A patent/JP3448213B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11340755A (ja) | 1999-12-10 |
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