TWI727034B - 增幅裝置 - Google Patents
增幅裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI727034B TWI727034B TW106113050A TW106113050A TWI727034B TW I727034 B TWI727034 B TW I727034B TW 106113050 A TW106113050 A TW 106113050A TW 106113050 A TW106113050 A TW 106113050A TW I727034 B TWI727034 B TW I727034B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- amplifier
- voltage
- amplifiers
- output
- power supply
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0216—Continuous control
- H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
- H03F1/0227—Continuous control by using a signal derived from the input signal using supply converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21106—An input signal being distributed in parallel over the inputs of a plurality of power amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21142—Output signals of a plurality of power amplifiers are parallel combined to a common output
Abstract
本發明所要解決的問題在於提供一種增幅裝置,其可以更容易地與電源裝置分離。為了解決此問題,本發明的增幅裝置,具備:至少一個以上的電壓變換部122,其將從外部機器供給的供給電力的電壓變換成更低的電壓;及,至少一個以上的增幅器12,其根據由至少一個以上的電壓變換部變換電壓而成的供給電力,以進行動作並將高頻訊號進行增幅。
Description
本發明關於將射頻(RF)訊號進行增幅的技術。
近年來,預料到一種增幅裝置的需要,其使用固體化電力增幅器(SSPA:Solid State Power Amplifier)來取代由磁控管振盪器(magnetron oscillator)所產生的增幅機能,以作為RF(射頻,Radio Frequency)訊號的振盪增幅元件(amplifying element for oscillation)。現在的磁控管振盪器,其振盪器與電源裝置分離且兩者之間是在高電壓下連接。因此,當使用上述增幅裝置來取代磁控管振盪器時,同樣地也希望該增幅裝置與電源裝置分離。
又,作為關聯技術,已知一種半導體電力增幅器,用來供電至天線的元件,且具備:高頻增幅手段,其包含電力輸出段;電力供給手段,其將用以供電的DC電壓的可變值給予至電力輸出段;及,控制手段,其接收高頻增幅手段的輸入電力的訊號以作為控制輸入,且將響應於控制輸入而決定DC電壓的值之控制訊號給予至電力供給手段(參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] (專利文獻) 專利文獻1:日本特表2009-536483號公報
[發明所欲解決的問題] 然而,相對於磁控管振盪器的動作電壓是5kV左右,使用SSPA之增幅裝置的動作電壓低至只有30V左右,如果進行同樣的電力供給,則使得增幅裝置與電源裝置是在低電壓且大電流下連接,造成連接的纜線必須大幅地變粗,於是會發生纜線的長度受到限定等的不利於實用化的限制,所以會有增幅裝置與電源裝置難以分離的問題。
本發明的實施形態,是為了解決上述問題而完成,本發明的目的是提供一種增幅裝置,其可以更容易地與電源裝置分離。
[解決問題的技術手段] 為了解決上述問題,本實施形態的增幅裝置,具備:至少一個以上的電壓變換部,其將從外部機器供給的供給電力的電壓變換成更低的電壓;及,至少一個以上的增幅器,其根據由前述至少一個以上的電壓變換部變換電壓而成的供給電力,以進行動作並將高頻訊號進行增幅。
[發明的效果] 依據本發明的實施形態,能夠更容易地與電源部分離。
以下,一邊參照圖式一邊說明本發明的實施形態。
首先,針對關於本實施形態的增幅裝置和電源裝置的概略進行說明。第1圖是繪示關於本實施形態的增幅裝置和電源裝置之概略立體圖。第2圖是繪示增幅裝置的構成之概略圖。
如第1圖所示,增幅裝置1,藉由電源纜線3而被連接至電源裝置2,電源裝置2經由電源纜線3而以300V左右的比較高的電壓來對增幅裝置1實行電源供給。向增幅裝置1供給的電力的電壓,在增幅裝置1內被變換成30V左右。
又,如第2圖所示,增幅裝置1,具備:增益模組11,其分配已輸入的RF訊號並輸出;增幅器12,其將被分配並被輸入的RF訊號各自進行增幅;合成器13,其合成藉由複數個增幅器12而各自地增幅的複數個RF訊號並輸出;及,中空導波管14,其被輸入由合成器13輸出的RF訊號。
接著,針對增益模組的構成及增幅器的構成進行說明。第3圖是繪示增益模組的構成之圖。第4圖是繪示增幅器的構成之圖。
如第3圖所示,增益模組11,具備:輸入電力監視部110、RF開關111、可變衰減器112、固定衰減器113、放大器114、分配器115、調整部116、電壓變換部119。
輸入電力監視部110,其判定從外部輸入的RF訊號的電力是否適當,如果適當則將RF訊號向RF開關111輸出。RF開關111,基於來自外部機器的控制而被設定成ON(開啟)或OFF(關閉),僅當被設定成ON時將RF訊號向可變衰減器112輸出。可變衰減器112是可調整衰減量之衰減器,其基於自外部輸入的控制訊號來使被輸入的RF訊號衰減並向固定衰減器113輸出。固定衰減器113是衰減量固定之衰減器,其使被輸入的RF訊號衰減並向放大器114輸出。放大器114,其將被輸入的RF訊號進行增幅並向分配器115輸出。分配器115,其分配被輸入的RF訊號並輸出至複數個調整部116各自之中。
各調整部116,具有振幅相位調整部117和預驅動放大器118,以調整由分配器115輸出的RF訊號的振幅和相位並向對應的增幅器12輸出。振幅相位調整部117,例如是由可變衰減器與相移器構成,其調整被輸入的RF訊號的振幅與相位並向預驅動放大器118輸出。預驅動放大器118,其將被輸入的RF訊號進行增幅並向對應的增幅器12輸出。另外,各調整部116所實行的振幅的調整量和相位的調整量,可各自地調整,這些調整量,例如在增幅裝置1出貨前,以使從各調整部116輸出的RF訊號的振幅和相位彼此相等的方式來調整。
電壓變換部119,是DC/DC轉換器,其將從電源裝置2經由電源纜線3供給的電力的電壓從300V變換成30V,並將30V的直流電壓重疊至從各調整部116向各增幅器12的各個輸出。
如第4圖所示,增幅器12,具備:半導體元件也就是驅動放大器120和末級放大器121、及電壓變換部122。驅動放大器120,其將被輸入至增幅器12中的RF訊號進行增幅並向末級放大器121輸出。末級放大器121,其將從驅動放大器120輸出的RF訊號進行增幅並向合成器13輸出。電壓變換部122,與電壓變換部119同樣,是DC/DC轉換器,其將從電源裝置2經由電源纜線3供給的電力的電壓從300V變換成30V,並將30V的電力向驅動放大器120和末級放大器121供給。從增幅器12輸出的RF訊號,藉由合成器13而被合成並向中空導波管14輸出。
如上述,將來自電源裝置2的以300V左右的比較高的電壓且比較小的電流的方式供給的電力,在增幅裝置1內,變換成30V左右的低電壓,藉此不需要使纜線3變粗變短,就能夠使增幅裝置1與電源裝置2分離。藉此,能夠減少對於使用磁控管振盪器之先前的構成之變更,進一步使得藉由SSPA來取代磁控管能夠容易地進行。
本發明的實施形態是提示的例子,並非用以限定發明的範圍。這些新穎的實施形態,能以其他各種形態來實施,只要在不超過發明的要點的範圍內,可以實行各種省略、置換、變更。這些實施形態及其變化,皆包含在發明的範圍和要點中,並且包含在專利申請範圍中記載的發明和其均等的範圍中。
1‧‧‧增幅裝置2‧‧‧電源裝置3‧‧‧電源纜線11‧‧‧增益模組12‧‧‧增幅器13‧‧‧合成器14‧‧‧中空導波管110‧‧‧輸入電力監視部111‧‧‧RF開關112‧‧‧可變衰減器113‧‧‧固定衰減器114‧‧‧放大器115‧‧‧分配器116‧‧‧調整部117‧‧‧振幅相位調整部118‧‧‧預驅動放大器119、122‧‧‧電壓變換部120‧‧‧驅動放大器121‧‧‧末級放大器
第1圖是繪示關於本實施形態的增幅裝置和電源裝置之概略立體圖。 第2圖是繪示增幅裝置的構成之概略圖。 第3圖是繪示增益模組的構成之圖。 第4圖是繪示增幅器的構成之圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
(請換頁單獨記載) 無
12‧‧‧增幅器
120‧‧‧驅動放大器
121‧‧‧末級放大器
122‧‧‧電壓變換部
Claims (4)
- 一種增幅裝置,具備:至少一個以上的電壓變換部,其將從電源裝置供給的供給電力的電壓變換成更低的電壓;複數個增幅器,其根據由前述至少一個以上的電壓變換部變換電壓而成的供給電力,以進行動作並將高頻訊號進行增幅;調整部,其對應前述複數個增幅器而設置,以調整向前述增幅器輸出的高頻訊號的振幅和相位;高頻開關,其基於來自外部的控制而被設定成ON或OFF,僅當被設定成ON時使被輸入的高頻訊號輸出;可變衰減器,其基於來自外部的控制來使自前述高頻開關輸出的高頻訊號衰減;及,分配器,其分配自前述可變衰減器輸出的高頻訊號並向前述複數個增幅器輸出。
- 如請求項1所述的增幅裝置,其中,前述至少一個以上的電壓變換部,對應並內建於前述複數個增幅器各自之中。
- 如請求項1或2所述的增幅裝置,其中,前述複數個電壓變換部當中的1個,將電壓重疊至從前述分配器向前述複數個增幅器的輸出。
- 如請求項1或2所述的增幅裝置,其中,進一步具備合成器,該合成器將藉由前述複數個增幅器各自地輸出的高頻訊號進行合成並輸出。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016125238 | 2016-06-24 | ||
JP2016-125238 | 2016-06-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201801471A TW201801471A (zh) | 2018-01-01 |
TWI727034B true TWI727034B (zh) | 2021-05-11 |
Family
ID=60783954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106113050A TWI727034B (zh) | 2016-06-24 | 2017-04-19 | 增幅裝置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10840859B2 (zh) |
JP (1) | JPWO2017221768A1 (zh) |
KR (1) | KR20190020651A (zh) |
CN (1) | CN109314495A (zh) |
TW (1) | TWI727034B (zh) |
WO (1) | WO2017221768A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102377839B1 (ko) * | 2019-10-25 | 2022-03-23 | 큐알티 주식회사 | 지능형 다채널 광대역 고주파인가장치 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6603391B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator |
US8542061B2 (en) * | 2010-04-20 | 2013-09-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Charge pump based power amplifier envelope power supply and bias power supply |
TW201603476A (zh) * | 2014-03-28 | 2016-01-16 | 英特爾智財公司 | 提供電源控制信號給電源單元的裝置及方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6218998Y2 (zh) * | 1981-06-17 | 1987-05-15 | ||
JPS63131624A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Nec Corp | 送信装置 |
JPH0492833U (zh) * | 1990-12-29 | 1992-08-12 | ||
JPH06164269A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
JPH07212255A (ja) | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Kokusai Electric Co Ltd | 送信出力制御回路および送信出力制御方法 |
US5491454A (en) * | 1994-10-31 | 1996-02-13 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for reducing distortion in an output signal of an amplifier |
JP3448213B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2003-09-22 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波モジュール |
US6300835B1 (en) * | 1999-12-10 | 2001-10-09 | Motorola, Inc. | Power amplifier core |
JP3323174B2 (ja) | 1999-12-16 | 2002-09-09 | エヌイーシーネットワーク・センサ株式会社 | Tdma方式デジタル無線送信装置 |
JP2001185967A (ja) | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
EP1267487A1 (de) * | 2001-06-15 | 2002-12-18 | Contraves Space AG | Hochfrequenzverstärker |
US6985039B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-01-10 | Paragon Communications Ltd. | Method and apparatus for providing a stable power output of power amplifiers, operating under unstable supply voltage conditions |
JP4440121B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2010-03-24 | Necエレクトロニクス株式会社 | 電圧供給回路およびマイクユニット |
JP5574406B2 (ja) | 2006-05-05 | 2014-08-20 | アストリウム・リミテッド | 高周波電力増幅器 |
CN100582801C (zh) * | 2007-11-29 | 2010-01-20 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种功率放大器的批量检测方法和装置 |
WO2009147891A1 (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | 株式会社 東芝 | カーテシアンループを用いた無線送信装置 |
JP2010154460A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波電力増幅装置 |
EP2432118B1 (en) * | 2010-09-15 | 2012-12-26 | Agence Spatiale Européenne | Radio-frequency power amplifier with fast envelope tracking |
JP2012199746A (ja) | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Nec Corp | ドハティ増幅器及びドハティ増幅器のバイアス設定方法 |
CN104521139A (zh) * | 2012-09-26 | 2015-04-15 | 夏普株式会社 | 放大装置和搭载有放大装置的无线通信装置 |
US8884696B2 (en) * | 2012-10-15 | 2014-11-11 | Intel Mobile Communications GmbH | Control circuit and method for controlling an operation of a power amplifier |
JP5933471B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2016-06-08 | パナソニック株式会社 | フェーズドアレイ送信装置 |
JP6160689B2 (ja) | 2013-03-26 | 2017-07-12 | 日本電気株式会社 | 電力増幅器 |
JP2016119609A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 富士通株式会社 | 増幅装置 |
-
2017
- 2017-04-19 TW TW106113050A patent/TWI727034B/zh active
- 2017-06-13 WO PCT/JP2017/021822 patent/WO2017221768A1/ja active Application Filing
- 2017-06-13 JP JP2018523931A patent/JPWO2017221768A1/ja active Pending
- 2017-06-13 KR KR1020187033053A patent/KR20190020651A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-06-13 US US16/098,745 patent/US10840859B2/en active Active
- 2017-06-13 CN CN201780038551.9A patent/CN109314495A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6603391B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator |
US8542061B2 (en) * | 2010-04-20 | 2013-09-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Charge pump based power amplifier envelope power supply and bias power supply |
TW201603476A (zh) * | 2014-03-28 | 2016-01-16 | 英特爾智財公司 | 提供電源控制信號給電源單元的裝置及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10840859B2 (en) | 2020-11-17 |
CN109314495A (zh) | 2019-02-05 |
JPWO2017221768A1 (ja) | 2019-04-18 |
WO2017221768A1 (ja) | 2017-12-28 |
US20190140604A1 (en) | 2019-05-09 |
TW201801471A (zh) | 2018-01-01 |
KR20190020651A (ko) | 2019-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101709347B1 (ko) | 결합셀 도허티 전력 증폭 장치 및 방법 | |
US8115546B2 (en) | Apparatus and method for maximizing performance of peaking amplifier in doherty amplifier | |
JP2019110590A5 (zh) | ||
US9438187B2 (en) | Amplifying device, transmitting device | |
JP2009260658A (ja) | 電力増幅器 | |
WO2010125714A1 (ja) | 電力増幅器 | |
US20100148862A1 (en) | Method and apparatus for enhancing performance of doherty power amplifier | |
TWI727034B (zh) | 增幅裝置 | |
WO2007133323A3 (en) | Systems and methods of rf power transmission, modulation, and amplification | |
JP2011120142A (ja) | 高周波電力増幅装置 | |
JP2016171500A (ja) | 電力増幅装置、及び電力増幅装置の制御方法 | |
US20160204743A1 (en) | Power amplification apparatus and control method of power amplification apparatus | |
JP2011211655A (ja) | 高周波増幅器 | |
JP6183453B2 (ja) | 電力増幅装置および電力増幅方法 | |
WO2008090598A1 (ja) | 増幅装置 | |
JP2015033083A (ja) | マルチバンド増幅器 | |
JP4212596B2 (ja) | ドハティ型増幅器 | |
WO2012086015A1 (ja) | 増幅装置 | |
JP2020156024A (ja) | 増幅装置 | |
CN106034095B (zh) | 数字预失真发射机及其控制方法 | |
JP2006319533A (ja) | 増幅器 | |
EP2479889B1 (en) | Amplifier system and method of operating an amplifier system | |
US9306512B2 (en) | ASK modulation amplification circuit | |
KR100855685B1 (ko) | 다이렉트 디지털 d급 증폭기를 이용한 오디오 시스템 | |
JP5010542B2 (ja) | 高周波電力増幅器、および増幅方法 |