CN109314495A - 放大装置 - Google Patents
放大装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109314495A CN109314495A CN201780038551.9A CN201780038551A CN109314495A CN 109314495 A CN109314495 A CN 109314495A CN 201780038551 A CN201780038551 A CN 201780038551A CN 109314495 A CN109314495 A CN 109314495A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- amplifier
- voltage
- amplifying device
- converter section
- voltage converter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0211—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers with control of the supply voltage or current
- H03F1/0216—Continuous control
- H03F1/0222—Continuous control by using a signal derived from the input signal
- H03F1/0227—Continuous control by using a signal derived from the input signal using supply converters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/02—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
- H03F1/0205—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
- H03F1/0288—Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers using a main and one or several auxiliary peaking amplifiers whereby the load is connected to the main amplifier using an impedance inverter, e.g. Doherty amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/195—High frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/60—Amplifiers in which coupling networks have distributed constants, e.g. with waveguide resonators
- H03F3/602—Combinations of several amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/68—Combinations of amplifiers, e.g. multi-channel amplifiers for stereophonics
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/451—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a radio frequency amplifier
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21106—An input signal being distributed in parallel over the inputs of a plurality of power amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2203/00—Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
- H03F2203/20—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F2203/21—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F2203/211—Indexing scheme relating to power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
- H03F2203/21142—Output signals of a plurality of power amplifiers are parallel combined to a common output
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
具备:至少一个以上的电压转换部(122),所述电压转换部(122)用于将从外部设备供给的供给电力的电压转换为更低的电压;以及至少一个以上的放大器(12),所述至少一个以上的放大器(12)利用被至少一个以上的电压转换部进行电压转换后的供给电力来进行动作,对高频信号进行放大。
Description
技术领域
本发明涉及一种对RF信号进行放大的技术。
背景技术
近年来,预测需要一种使用固态功率放大器(SSPA:Solid State PowerAmplifier)的放大装置,来代替利用作为RF信号(Radio Frequency:射频)的振荡放大元件的磁控振荡器实现的放大功能。在现行的磁控振荡器中,振荡器与电源装置分离,振荡器与电源装置之间通过高电压连接。因此,在用上述的放大装置代替磁控振荡器的情况下,期望同样地将该放大装置与电源装置分离。
另外,作为相关技术,公知一种用于向天线的元件供电的半导体功率放大器,该半导体功率放大器具备:高频放大单元,其包括电力输出级;电力供给单元,其提供用于向电力输出级供给的DC电压的可变值;以及控制单元,其接收高频放大单元的输入电力的信号来作为控制输入,响应于控制输入来向电力供给单元提供用于决定DC电压的值的控制信号(参照专利文献1)。
专利文献1:日本特表2009-536483号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,磁控振荡器的工作电压为5kV左右,与此相对,使用SSPA的放大装置的工作电压低至30V左右,当使电力供给相同时,放大装置与电源装置通过低电压且大电流连接,从而存在如下问题:产生必须使用于连接的线缆非常粗、线缆的长度被限定等阻碍实用化的限制,难以将放大装置与电源装置分离。
本发明的实施方式是为了解决上述的问题而完成的,目的在于提供一种能够更容易地与电源装置分离的放大装置。
用于解决问题的方案
为了解决上述的问题,本实施方式的放大装置具备:至少一个以上的电压转换部,该电压转换部用于将从外部设备供给的供给电力的电压转换为更低的电压;以及至少一个以上的放大器,所述至少一个以上的放大器利用被所述至少一个以上的电压转换部进行电压转换后的供给电力来进行动作,对高频信号进行放大。
发明的效果
根据本发明的实施方式,能够更容易地将电源部分离。
附图说明
图1是表示本实施方式所涉及的放大装置及电源装置的概要立体图。
图2是表示放大装置的结构的概要图。
图3是表示增益模块的结构的图。
图4是表示放大器的结构的图。
具体实施方式
下面,参照附图来说明本发明的实施方式。
首先,说明本实施方式所涉及的放大装置及电源装置的概要。图1是表示本实施方式所涉及的放大装置及电源装置的概要立体图。图2是表示放大装置的结构的概要图。
如图1所示,放大装置1与电源装置2通过电源线缆3连接,电源装置2经由电源线缆3以300V左右的比较高的电压向放大装置1进行电源供给。供给到放大装置1的电力的电压在放大装置1内被转换为30V左右。
另外,如图2所示,放大装置1具备:增益模块11,其将所输入的RF信号进行分配来输出;多个放大器12,分别对被分配而输入的RF信号进行放大;合成器13,其将被多个放大器12分别放大后的多个RF信号进行合成后输出;以及中空波导管14,其被输入由合成器13输出的RF信号。
接着,说明增益模块的结构和放大器的结构。图3是表示增益模块的结构的图。图4是表示放大器的结构的图。
如图3所示,增益模块11具备输入电力监视部110、RF开关111、可变衰减器112、固定衰减器113、放大器114、分配器115、调整部116以及电压转换部119。
输入电力监视部110判定从外部输入的RF信号的电力是否适当,如果适当,则向RF开关111输出RF信号。RF开关111基于来自外部设备的控制而被设定为接通(ON)或断开(OFF),只在被设定为接通的情况下向可变衰减器112输出RF信号。可变衰减器112是能够将衰减量以可变的方式进行调整的衰减器,基于从外部输入的控制信号来使所输入的RF信号衰减后将其输出到固定衰减器113。固定衰减器113是衰减量固定的衰减器,使所输入的RF信号衰减后将其输出到放大器114。放大器114将所输入的RF信号进行放大后输出到分配器115。分配器115将所输入的RF信号进行分配来输出到多个调整部116中的各个调整部。
各调整部116具有振幅相位调整部117和前级驱动放大器118,对从分配器115输出的RF信号的振幅和相位进行调整后将调整后的RF信号输出到对应的放大器12。振幅相位调整部117例如由可变衰减器和移相器构成,对所输入的RF信号的振幅和相位进行调整后将调整后的RF信号输出到前级驱动放大器118。前级驱动放大器118将所输入的RF信号进行放大后输出到对应的放大器12。此外,各调整部116的针对振幅的调整量及针对相位的调整量能够被单独地进行调整,这些调整量例如在放大装置1出厂前被调整为从各调整部116输出的RF信号的振幅相等且相位相等。
电压转换部119是将经由电源线缆3由电源装置2供给的电力的电压从300V转换为30V的DC/DC转换器,将30V的直流电压分别叠加于从各调整部116向各放大器12的输出。
如图4所示,放大器12具备电压转换部122以及作为半导体元件的驱动放大器120及终端放大器121。驱动放大器120将被输入到放大器12的RF信号进行放大后输出到终端放大器121。终端放大器121将由驱动放大器120输出的RF信号进行放大后输出到合成器13。电压转换部122与电压转换部119同样地,是将经由电源线缆3由电源装置2供给的电力的电压从300V转换为30V的DC/DC转换器,将30V的电力供给到驱动放大器120和终端放大器121。从放大器12输出的RF信号被合成器13进行合成后输出到中空波导管14。
如上述的那样,在放大装置1内将从电源装置2以300V左右的比较高的电压且比较小的电流供给的电力转换为30V左右的低电压,由此不将线缆3设定得粗且短而能够将放大装置1与电源装置2分离。由此,能够减少对使用磁控振荡器的以往的结构的变更,进而能够更容易地利用SSPA来代替磁控。
本发明的实施方式是作为例子呈现的,并不意图对发明的范围进行限定。这些新的实施方式能够以其它各种方式来实施,在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式或其变形包含在发明的范围、主旨中,并且包含在权利要求书所记载的发明及与其等同的范围内。
附图标记说明
1:放大装置;12:放大器;13:合成器;115:分配器;119:电压转换部;122:电压转换部。
Claims (4)
1.一种放大装置,具备:
至少一个以上的电压转换部,所述电压转换部用于将从外部设备供给的供给电力的电压转换为更低的电压;以及
至少一个以上的放大器,所述至少一个以上的放大器利用被所述至少一个以上的电压转换部进行电压转换后的供给电力来进行动作,对高频信号进行放大。
2.根据权利要求1所述的放大装置,其特征在于,
所述至少一个以上的电压转换部以与所述至少一个以上的放大器分别对应的方式内置于所述放大装置。
3.根据权利要求1或2所述的放大装置,其特征在于,
所述至少一个以上的放大器和所述至少一个以上的电压转换部为多个,
所述放大装置还具备分配器,该分配器将所输入的高频信号进行分配来输出到多个所述放大器,
多个所述电压转换部中的一个电压转换部将电压叠加于从所述分配器向多个所述放大器的输出。
4.根据权利要求3所述的放大装置,其特征在于,
还具备合成器,该合成器将由多个所述放大器中的各个放大器输出的高频信号进行合成后输出。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016125238 | 2016-06-24 | ||
JP2016-125238 | 2016-06-24 | ||
PCT/JP2017/021822 WO2017221768A1 (ja) | 2016-06-24 | 2017-06-13 | 増幅装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109314495A true CN109314495A (zh) | 2019-02-05 |
Family
ID=60783954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780038551.9A Pending CN109314495A (zh) | 2016-06-24 | 2017-06-13 | 放大装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10840859B2 (zh) |
JP (1) | JPWO2017221768A1 (zh) |
KR (1) | KR20190020651A (zh) |
CN (1) | CN109314495A (zh) |
TW (1) | TWI727034B (zh) |
WO (1) | WO2017221768A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102377839B1 (ko) * | 2019-10-25 | 2022-03-23 | 큐알티 주식회사 | 지능형 다채널 광대역 고주파인가장치 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57200937U (zh) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | ||
JP2001185967A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
CN1391724A (zh) * | 1999-12-10 | 2003-01-15 | 摩托罗拉公司 | 功率放大器内核 |
JP2003017952A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-17 | Contraves Space Ag | 高周波入力信号を増幅するためのアンプ回路及びその使用方法 |
CN101183138A (zh) * | 2007-11-29 | 2008-05-21 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种功率放大器的批量检测方法和装置 |
JP2010154460A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波電力増幅装置 |
CN104521139A (zh) * | 2012-09-26 | 2015-04-15 | 夏普株式会社 | 放大装置和搭载有放大装置的无线通信装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63131624A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Nec Corp | 送信装置 |
JPH0492833U (zh) * | 1990-12-29 | 1992-08-12 | ||
JPH06164269A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力増幅器 |
JPH07212255A (ja) | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Kokusai Electric Co Ltd | 送信出力制御回路および送信出力制御方法 |
US5491454A (en) * | 1994-10-31 | 1996-02-13 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for reducing distortion in an output signal of an amplifier |
JP3448213B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2003-09-22 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波モジュール |
US6603391B1 (en) * | 1999-03-09 | 2003-08-05 | Micron Technology, Inc. | Phase shifters, interrogators, methods of shifting a phase angle of a signal, and methods of operating an interrogator |
JP3323174B2 (ja) | 1999-12-16 | 2002-09-09 | エヌイーシーネットワーク・センサ株式会社 | Tdma方式デジタル無線送信装置 |
US6985039B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-01-10 | Paragon Communications Ltd. | Method and apparatus for providing a stable power output of power amplifiers, operating under unstable supply voltage conditions |
JP4440121B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2010-03-24 | Necエレクトロニクス株式会社 | 電圧供給回路およびマイクユニット |
EP2022168B1 (en) | 2006-05-05 | 2018-09-05 | Astrium Limited | Rf power amplifiers |
WO2009147891A1 (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | 株式会社 東芝 | カーテシアンループを用いた無線送信装置 |
US8542061B2 (en) * | 2010-04-20 | 2013-09-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Charge pump based power amplifier envelope power supply and bias power supply |
EP2432118B1 (en) * | 2010-09-15 | 2012-12-26 | Agence Spatiale Européenne | Radio-frequency power amplifier with fast envelope tracking |
JP2012199746A (ja) | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Nec Corp | ドハティ増幅器及びドハティ増幅器のバイアス設定方法 |
US8884696B2 (en) * | 2012-10-15 | 2014-11-11 | Intel Mobile Communications GmbH | Control circuit and method for controlling an operation of a power amplifier |
JP5933471B2 (ja) * | 2013-03-14 | 2016-06-08 | パナソニック株式会社 | フェーズドアレイ送信装置 |
EP2980990B1 (en) | 2013-03-26 | 2019-01-02 | Nec Corporation | Power amplifier |
DE102014104364A1 (de) * | 2014-03-28 | 2015-10-01 | Intel IP Corporation | Eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Bereitstellen eines Versorgungssteuerungssignals für eine Versorgungseinheit |
JP2016119609A (ja) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 富士通株式会社 | 増幅装置 |
-
2017
- 2017-04-19 TW TW106113050A patent/TWI727034B/zh active
- 2017-06-13 WO PCT/JP2017/021822 patent/WO2017221768A1/ja active Application Filing
- 2017-06-13 CN CN201780038551.9A patent/CN109314495A/zh active Pending
- 2017-06-13 KR KR1020187033053A patent/KR20190020651A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-06-13 JP JP2018523931A patent/JPWO2017221768A1/ja active Pending
- 2017-06-13 US US16/098,745 patent/US10840859B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57200937U (zh) * | 1981-06-17 | 1982-12-21 | ||
CN1391724A (zh) * | 1999-12-10 | 2003-01-15 | 摩托罗拉公司 | 功率放大器内核 |
JP2001185967A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器 |
JP2003017952A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-17 | Contraves Space Ag | 高周波入力信号を増幅するためのアンプ回路及びその使用方法 |
CN101183138A (zh) * | 2007-11-29 | 2008-05-21 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种功率放大器的批量检测方法和装置 |
JP2010154460A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 高周波電力増幅装置 |
CN104521139A (zh) * | 2012-09-26 | 2015-04-15 | 夏普株式会社 | 放大装置和搭载有放大装置的无线通信装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20190140604A1 (en) | 2019-05-09 |
WO2017221768A1 (ja) | 2017-12-28 |
US10840859B2 (en) | 2020-11-17 |
TW201801471A (zh) | 2018-01-01 |
JPWO2017221768A1 (ja) | 2019-04-18 |
TWI727034B (zh) | 2021-05-11 |
KR20190020651A (ko) | 2019-03-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102208899B (zh) | 功率放大器 | |
KR101556874B1 (ko) | 고주파 전력 공급 장치, 및 이그니션 전압 선정 방법 | |
WO2012098863A1 (ja) | 高周波電力増幅器 | |
CN103312272B (zh) | 多模式Doherty功率放大器 | |
JP4773165B2 (ja) | 高周波電源装置 | |
CN105052036A (zh) | 用于包络追踪调制器的改进的谐振抑制 | |
CN105103440A (zh) | 具有反馈的包络追踪调制器 | |
JP5382894B2 (ja) | 多重帯域電力増幅器 | |
JP2009536471A (ja) | 電力増幅器 | |
US11133781B2 (en) | Doherty amplifier and Doherty amplifier circuit | |
CN104871430A (zh) | 用于产生高频功率的方法和具有用于给负载供送功率的功率转换器的功率供送系统 | |
KR102140191B1 (ko) | 전력 증폭기용 전력 공급 장치 | |
EP3944493B1 (en) | Doherty amplifier and communication device | |
US20040075503A1 (en) | Power amplifier and communication apparatus | |
CN109314495A (zh) | 放大装置 | |
CN104272587A (zh) | 级联放大器以及放大电路 | |
JP5313970B2 (ja) | 高周波電力増幅器 | |
CN105245191B (zh) | 放大模块的功率控制方法 | |
CN101615891A (zh) | 射频功率放大器电路、功率控制芯片及射频功率放大方法 | |
CN205249146U (zh) | 一种微波变频器 | |
CN103178483A (zh) | 一种具有反向保护功能的射频信号源及反向保护方法 | |
KR101977783B1 (ko) | 전력 증폭기 성능 보정 방법 및 그를 위한 장치 | |
CN112485624B (zh) | 一种无局放试验电源电路 | |
CN114785290B (zh) | 包络跟踪电源调制器、芯片及射频放大系统 | |
US8207791B2 (en) | Amplifier circuit with a first and a second output line |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20190205 |