KR20190013091A - 이중 경화성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화물, 및 그러한 경화물을 포함하는 전자 장치 - Google Patents

이중 경화성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화물, 및 그러한 경화물을 포함하는 전자 장치 Download PDF

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Abstract

(A) 한 분자 내에 적어도 하나의 알케닐기와 적어도 하나의 알콕시기를 포함하는 제1 폴리오가노실록산, (B) 한 분자 내에 적어도 두개의 광 반응성 작용기를 실록산 골격의 측쇄에 포함하는 제2 폴리오가노실록산, (C) 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물, (D) 적어도 하나의 광개시제, 및 (E) 적어도 하나의 축합반응 촉매를 포함하는 이중 경화성 수지 조성물, 상기 이중 경화성 수지 조성물을 경화시켜 제조되는 경화물, 및 상기 경화물을 포함하는 전자 장치가 제공된다:
[화학식 1]
Figure pat00033

상기 화학식 1의 각 치환기는 명세서 상에 정의한 바와 같다.

Description

이중 경화성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화물, 및 그러한 경화물을 포함하는 전자 장치 {Dually-Curable Resin Composition, Cured Body Prepared Therefrom, And Electronic Device Comprising Such Cured Body}
본 기재는 이중 경화성 수지 조성물, 상기 수지 조성물로부터 얻어지는 경화물 및 상기 경화물을 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
실리콘 재료는 소비재 시장뿐 아니라 산업상 밀봉제(sealant), 접착제, 피복물, 주형봉입(potting) 화합물 등으로 널리 사용되고 있다. 이와 같은 재료들로는 실온에서 공기 중의 수분 접촉에 의해서 경화될 수 있는 실온 경화성(Room Temperature Vulcanizing, RTV) 실리콘, 열 경화형(High Temperature Vulcanizing, HTV) 실리콘 및 광(UV-Vis) 경화성 실리콘 등이 사용되고 있다.
통상적으로, 실온 경화성 실리콘 재료(또는 수분 경화성 실리콘 재료)는 경화를 위한 별도의 가열공정이 필요 없기 때문에 전기-전자 장치의 실란트 및 접착제로서 사용되고 있다. 이러한 실온 경화성 실리콘 조성물은 전기 회로 또는 전극을 접촉한 상태로 경화되는 경우, 오랜 시간이 경과한 후에도 실리콘 경화 생성물이 그 전기 회로 또는 전극으로부터 제거될 수 있어, 전자 장치의 수리 및 재생이 가능하다는 특징을 갖는다.
하지만 실온 경화성 실리콘 조성물은 완전히 경화될 때까지의 시간이 오래 걸리는 단점이 있으며 일반적인 실온 경화성 실리콘 조성물은 기재에 대해서 양호한 접착력을 갖고, 실리콘 경화 생성물이 기재로부터 제거되는 경우, 경화물이 부서지거나, 응집 파괴(cohesive failure)를 유발하여 효율적으로 제거하기 어렵다는 문제점이 있어왔다.
실온 경화성 실리콘 조성물과 달리 광 경화성 실리콘 조성물은 UV-Vis 광에 의한 라디칼 중합이 일어나기 때문에 매우 높은 반응속도를 나타낸다. 이러한 광 경화성 실리콘 재료의 빠른 경화속도로 인해 매우 신속한 경화물 제공이 가능하다.
하지만 광 경화성 실리콘 조성물은 UV-Vis 조사에 직접 접하는 표면 구역에서의 경화성은 우수하지만, 그림자 영역(shadow area)에서는 경화성이 불량하고, 특히 UV-Vis 조사가 전달되지 않는 이러한 영역에서는 경화가 이루어지지 않는 문제점이 발생한다.
상기와 같이 공지된 경화성 실리콘 재료들의 결점을 나타내지 않고 실온 경화 및 UV-Vis 조사에 의한 경화에서 모두 우수한 성질을 나타내는 이중 경화 조성물을 모색하는 것이 요구되어 왔다.
특허문헌 1: 국제공개번호 WO 2015/098118 (2015.07.02)
일 구현예는 광에 의한 빠른 경화가 가능하면서도 그림자 영역에서의 경화성이 우수할 뿐만 아니라 높은 경도를 나타내고 접착력 및 이형성이 우수한 이중 경화성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.
다른 구현예는 상기 이중 경화성 수지 조성물을 경화시켜 제조된 경화물을 제공하기 위한 것이다.
또 다른 일 구현예는 상기 경화물을 포함하는 전자 장치를 제공하기 위한 것이다.
일 구현예는, (A) 한 분자 내에 적어도 하나의 알케닐기와 적어도 하나의 알콕시기를 포함하는 제1 폴리오가노실록산, (B) 한 분자 내에 적어도 두개의 광 반응성 작용기를 실록산 골격의 측쇄에 포함하는 제2 폴리오가노실록산, (C) 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물, (D) 적어도 하나의 광개시제, 및 (E) 적어도 하나의 축합반응 촉매를 포함하는, 이중 경화성 수지 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
(Rx)2SiX2
상기 화학식 1에서,
Rx 는 1가 탄화수소기이고, X는 C1 내지 C20 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이다.
상기 (A) 제1 폴리오가노실록산은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00001
상기 화학식 2에서,
R1 내지 R8 은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이되,
R1 내지 R6 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이고, 또한
R1 내지 R6 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,
n은 50 내지 1,000 의 정수이다.
상기 광 반응성 작용기는 머캅토기일 수 있다.
상기 화학식 2에서, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 C2 내지 C10 알케닐기이고, 또한, R1 내지 R6 중 적어도 두개는 C1 내지 C10 알콕시기일 수 있다.
상기 (B) 제2 폴리오가노실록산은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00002
상기 화학식 3에서,
R9 내지 R14 는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
R15 내지 R18 은 각각 독립적으로, 머캅토기, 머캅토기를 포함하는 1가 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이되,
R17 및 R18 중 적어도 하나는 머캅토기 또는 머캅토기를 포함하는 1가 탄화수소기이고,
p는 0 내지 100 이고 q는 2 내지 100 의 정수이다.
상기 화학식 3의 R15 및 R16은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고, R17 또는 R18 은 머캅토기를 포함하는 1가 탄화수소기이며, p는 0 내지 100의 정수이고, q는 2 내지 100 의 정수일 수 있다.
상기 화학식 3의 R9 내지 R14 는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있다.
상기 화학식 1에서 Rx 는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬기이고, X는 C1 내지 C6 알콕시기인 것일 수 있다.
상기 (D) 광 개시제는 2,4,6-트리메틸벤조일 다이페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐 포스핀옥사이드 및 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스피네이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 (E) 축합-반응 촉매는 테트라(아이소프로폭시)티타늄, 테트라(n-부톡시)티타늄, 테트라(t-부톡시)티타늄, 다이(아이소프로폭시)비스(에틸아세토아세테이트)티타늄, 다이(아이소프로폭시)비스(메틸아세토아세테이트)티타늄, 및 다이(아이소프로폭시)비스(아세틸아세토네이트)티타늄 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 이중 경화성 수지 조성물은 상기 (A) 제1 폴리오가노실록산 100 중량부에 대해, 상기 (B) 제2 폴리오가노실록산 1 내지 30 중량부; 상기 (C) 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물 0.5 내지 30 중량부; 상기 (D) 광개시제 0.05 내지 5 중량부; 및 상기 (E) 축합-반응 촉매 0.01 내지 10중량부로 포함할 수 있다.
상기 이중 경화성 수지 조성물은 보강 충전제, 광중합 억제제, 및 안료 중 적어도 하나의 (F) 첨가제를 더 포함할 수 있다.
다른 구현예는 상기 이중 경화성 수지 조성물을 경화시켜 제조된 경화물을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 경화물을 포함하는 전자 장치를 제공한다.
일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 광에 의한 빠른 경화가 가능하면서도 그림자 영역에서의 경화성이 우수하다.
또한 일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물을 경화시켜 제조되는 경화물은 높은 경도를 나타내고 접착력 및 이형성이 우수하여, 전자 장치에 사용되는 경우 우수한 수리성 및 재사용성을 나타낸다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 　다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "1가 탄화수소기" 란 알킬기, 사이클로알킬기, 알케닐기, 아릴기, 아릴알킬기, 또는 할로겐화된 알킬기를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를　의미하고, "사이클로알킬기"란 C3 내지 C20 사이클알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를　의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C6 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "할로겐화된 알킬기"란 알킬기의 적어도 하나의 수소가 할로겐기 중 적어도 하나로 치환된 C1 내지 C20 알킬기를 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20의 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 머캅토기(티올기), 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20의 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20의 알키닐기, C6 내지 C20의 아릴기, C3 내지 C20의 사이클로알킬기, C3 내지 C20의 사이클로알케닐기, C3 내지 C20의 사이클로알키닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20의 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.
본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.
이하, 일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물에 대하여 설명한다.
일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 (A) 한 분자 내에 적어도 하나의 알케닐기와 적어도 하나의 알콕시기를 포함하는 제1 폴리오가노실록산, (B) 한 분자 내에 적어도 두개의 광 반응성 작용기를 실록산 골격의 측쇄에 포함하는 제2 폴리오가노실록산, (C) 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물, (D) 적어도 하나의 광개시제, 및 (E) 적어도 하나의 축합반응 촉매를 포함하는, 이중 경화성 수지 조성물을 제공한다:
[화학식 1]
(Rx)2SiX2
상기 화학식 1에서,
Rx 는 1가 탄화수소기이고, X는 C1 내지 C20 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이다.
종래 광 경화성 실리콘 수지 조성물은 신속한 경화 공정에는 적합한 반면 UV-Vis 조사에 직접 접하는 표면 구역에서의 경화성만 우수할 뿐, 그림자 영역(shadow area)에서의 경화성은 불량하여 이러한 영역에서는 경화가 진행되지 않는 문제가 있었다. 또한 수분 경화 수지 조성물은 경화가 매우 느리게 진행되어 그 경화 속도가 신속 자동화된 제조공정을 지원하기에는 적합하지 않은 문제가 있어왔다.
일 구현예에 따르면 상기 제1 폴리오가노실록산, 제2 폴리오가노실록산, 및 화학식 1로 표시되는 실란 화합물 또는 이들의 부분적으로 가수분해된 축합물을 포함함에 따라 광에 의한 빠른 경화가 가능하면서도 그림자 영역에서의 경화성이 우수할 뿐만 아니라, 높은 경도를 나타내고 접착력 및 이형성이 우수한 이중 경화성 수지 조성물을 제공할 수 있다.
특히, 한 분자 내에 적어도 하나의 알케닐기와 적어도 하나의 알콕시기를 포함하는 상기 제1 폴리오가노실록산은, 한 분자 내에 적어도 두개의 광 반응성 작용기를 그 측쇄에 포함하는 제2 폴리오가노실록산과 축중합되며 이에 따라 신속한 초기 경화속도를 확보할 수 있어 제조공정 효율 개선에 적합하다. 또한, 일 구현예에 따른 이중 경화 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 포함함으로써 광 경화 후 경화되지 않은 그림자 영역(shadow area)에서의 경화가 진행되어 우수한 경도를 나타내는 이중 경화성 수지 조성물을 제공할 수 있다. 뿐만 아니라, 일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물로 제조된 경화물은 기재에 대해 우수한 접착력 및 이형성을 나타내, 이러한 경화물이 전자 장치에 사용되는 경우 우수한 수리성(repairable) 및 재사용성(re-workability)을 나타낸다.
이하, 상기 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물의 각 성분들에 대해 자세히 설명한다.
(A) 제1 폴리오가노실록산
일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 (A) 한 분자 내에 적어도 하나의 알케닐기 및 적어도 하나의 알콕시기를 포함하는 제1 폴리오가노실록산을 포함한다.
일 예에서 상기 제1 폴리오가노실록산 화합물은 한 분자 내에 적어도 하나의 알케닐기 및 적어도 두개의 알콕시기를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 폴리오가노실록산 화합물은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00003
상기 화학식 2에서,
R1 내지 R8 은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이되,
R1 내지 R6 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이고, 또한
R1 내지 R6 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,
n은 50 내지 1,000 의 정수이다.
일 예로, 상기 화학식 2의 R1 내지 R6 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C10 알케닐기, 예를 들어, C2 내지 C4 알케닐기, 예를 들어, 바이닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 옥테닐기, 노네닐기, 데세닐기, 운데세닐기, 또는 도데세닐기일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 2의 R1 내지 R6 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 예를 들어, C1 내지 C4 알콕시기, 예를 들어, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 2의 R1 내지 R6 중 적어도 두개는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알콕시기일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제1 폴리오가노실록산의 중량평균분자량은 20,000 내지 50,000 일 수 있고, 일 예에 따른 제1 폴리오가노실록산의 점도는 400 cst 내지 3,000 cst 일 수 있다. 상기 제1 폴리오가노실록산의 점도가 상기 범위 내인 경우 생성된 이중 경화성 수지 조성물의 취급 및 가공성이 개선되며, 일 예에 따른 경화물의 기계 강도가 개선된다.
(B) 제2 폴리오가노실록산
일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 (B) 한 분자 내에 적어도 두개의 광 반응성 작용기를 포함하는 제2 폴리오가노실록산을 포함한다. 상기 제2 폴리오가노실록산에 포함된 광 반응성 작용기는 실록산 골격의 측쇄에 위치하고 상기 제1 폴리오가노실록산과 가교결합을 형성한다.
상기 광 반응성 작용기는 광(UV/Vis)을 조사하는 경우 광 반응성을 나타낼 수 있음을 의미한다. 구체적으로 광을 조사하는 경우 광 반응성 작용기가 광반응을 일으키고 이 과정에서 실록산 골격의 주쇄 및/또는 측쇄의 광 반응성 작용기가 광 개시제에 의해 라디칼을 형성하여 축중합 반응이 일어나게 되는 것이다.
일 실시예에서 상기 광 반응성 작용기가 상기 제2 폴리오가노실록산 골격의 측쇄에 위치함에 따라 상기 제1 폴리오가노실록산의 양 말단에 위치한 반응기, 즉 일 예에서 알케닐기와 결합하여 가교밀도를 높여주며, 광 반응성 작용기가 실록산 골격의 말단에 위치하는 경우와 대비하여, 경화 후 경도, 탄성도 및 강도가 우수하다.
일 예로, 상기 광 반응성 작용기는 머캅토기(-SH)일 수 있고, 예를 들어 광이 조사되는 경우 상기 머캅토기는 티일(thiyl) 라디컬(-S·)을 형성하여 상기 제1 폴리오가노실록산 내에 포함된 알케닐기와 가교결합을 일으킨다.
이러한 라디칼에 의한 가교결합은 고속 경화성의 이중 경화성 수지 조성물 제공을 가능하게 한다. 종래 공지된 바와 같이, 많은 수분 경화성 실리콘 재료는 완전 경화될 때 우수한 물성 및 성능을 제공하는 반면 저속 경화라는 단점이 있었으나, 일 예에 따른 상기 제2 폴리오가노실록산은 분자 내 상기 광 반응성 작용기를 포함함에 따라 상기 수분 경화성 수지 조성물의 단점을 해결한다.
일 실시예에 따른 제2 폴리오가노실록산은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00004
상기 화학식 3에서,
R9 내지 R14 는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
R15 내지 R18 은 각각 독립적으로, 머캅토기, 머캅토기를 포함하는 1가 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이되,
R17 및 R18 중 적어도 하나는 머캅토기 또는 머캅토기를 포함하는 1가 탄화수소기이고,
p는 0 내지 100의 정수이고, q는 2 내지 100의 정수이다.
일 예로, R17 및 R18 중 적어도 하나는 머캅토기(-SH) 또는 머캅토기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기일 수 있다.
일 예로, R17 및 R18 중 적어도 하나는 머캅토기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 예를 들어, 머캅토기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 예를 들어, 머캅토기를 포함하는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬기일 수 있다.
일 예로, 화학식 3의 R15 및 R16은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고, R17 또는 R18 은 머캅토기를 포함하는 1가 탄화수소기이며, 이 때 p는 0 내지 100의 정수이고, q는 2 내지 100의 정수일 수 있다.
일 예로, 화학식 3의 R9 내지 R14 는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기 일 수 있고, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 예를 들어, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬기일 수 있다.
일 예로, 화학식 3의 R9 내지 R14 는 각각 독립적으로 메틸기, 에틸기, 프로필기 또는 부틸기일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2폴리오가노실록산의 중량평균분자량은 500 내지 1,500 일 수 있고, 일 예에 따른 2 폴리오가노실록산의 점도는 50 cst 내지 250 cst일 수 있다. 상기 제2 폴리오가노실록산의 점도가 상기 범위 내인 경우 생성된 이중 경화성 수지 조성물의 취급 및 가공성이 개선된다.
상기 제2 폴리오가노실록산은 상기 제1 폴리오가노실록산 100 중량부에 대해, 1 내지 30 중량부, 예를 들어, 예를 들어, 1 내지 20 중량부, 예를 들어, 5 내지 20 중량부, 예를 들어, 5 내지 15 중량부로 포함될 수 있다. 상기 제2 폴리오가노실록산이 상기 범위 내로 포함되는 경우, 신속한 초기 경화속도를 확보할 수 있으며 우수한 저장 안정성을 나타낸다.
(C) 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물
일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 (C) 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해 축합된 축합물을 포함한다. 화학식 1로 표시되는 실란 화합물은 상기 제1 폴리오가노실록산과 가교결합을 형성한다.
[화학식 1]
(Rx)2SiX2
상기 화학식 1에서,
Rx 는 1가 탄화수소기이고, X는 C1 내지 C20 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이다.
일 실시예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물을 적어도 2종 이상 포함할 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1의 Rx 는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬기이고, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1의 X는 C1 내지 C6 알콕시기일 수 있고, 예를 들어, 메톡시기 또는 에톡시기일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물은 디메틸디메톡시 실란 또는 디메틸디에톡시 실란일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1로 표시되는 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물은, 상기 제1 폴리오가노실록산 100 중량부에 대하여 0.5 내지 30 중량부, 예를 들어, 0.5 내지 20 중량부, 예를 들어, 0.5 내지 15 중량부로 포함될 수 있다. 상기 실란 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우, 일 예에 따른 이중 경화성 수지 조성물의 경화성이 충분히 확보됨과 동시에 수분 차단 하에서 생성된 조성물의 저장 수명이 개선되며, 생성된 조성물이 공기 중의 수분에 의해서 신속하게 경화된다.
(D) 광개시제
일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 적어도 하나의 (D) 광개시제를 포함한다. 광개시제는 광경화 반응을 개시하는 것으로서, 통상적으로 광경화성 수지 조성물에 사용될 수 있는 공지된 광개시제를 사용할 수 있다.
일 예에 따른 광개시제는 자외광 또는 가시광 영역에서 광을 흡수하고, 라디칼 중합이 가능한 화합물이면, 광개시제, 광개시 보조제에 한정하지 않고 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 광개시제는 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-하이드록시-사이클로헥실-페닐-케톤, 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 1-[4-(2-하이드록시에톡시)-페닐]-2-하이드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 2-하이드록시-1-{4-[4-(2-하이드록시-2-메틸-프로피오닐)-벤질]페닐}-2-메틸-프로판-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일 다이페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐 포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일에톡시페닐 포스핀옥사이드 등을 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
일 예로, 상기 광개시제는 2,4,6-트리메틸벤조일 다이페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐 포스핀옥사이드 또는 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐 포스피네이트일 수 있고, 예를 들어, 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐 포스피네이트일 수 있다.
상기 광개시제는, 제1 폴리오가노실록산 100 중량부에 대하여 0.05 내지 5 중량부, 예를 들어, 0.05 내지 3 중량부, 예를 들어, 0.05 내지 2 중량부, 예를 들어, 0.05 내지 1 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위의 광개시제가 일 예에 따른 이중 경화성 수지 조성물에 포함되는 경우, 노광시 광중합이 충분히 일어나 미반응 개시제의 영향 없이 신속한 경화가 진행될 수 있고, 충분한 경도를 나타내는 경화물을 얻을 수 있다.
(E) 축합반응 촉매
일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 적어도 하나의 축합반응 촉매를 포함한다. 일 예에 따른 (E) 축합반응 촉매는 티타늄 화합물일 수 있다. 예를 들어, 축합반응 촉매는 테트라(아이소프로폭시)티타늄, 테트라(n-부톡시)티타늄, 테트라(t-부톡시)티타늄, 다이(아이소프로폭시)비스(에틸아세토아세테이트)티타늄, 다이(아이소프로폭시)비스(메틸아세토아세테이트)티타늄, 또는 다이(아이소프로폭시)비스(아세틸아세토네이트)티타늄일 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다.
일 예로, 상기 축합반응 촉매는 다이(아이소프로폭시)비스(에틸아세토아세테이트)티타늄일 수 있다.
상기 축합반응 촉매는, 제1 폴리오가노실록산 100 중량부에 대하여 0.01 내지 10 중량부, 예를 들어, 0.05 내지 10 중량부, 예를 들어, 0.05 내지 5 중량부, 예를 들어 0.05 내지 3 중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위의 축합반응 촉매가 일 예에 따른 이중 경화성 수지 조성물에 포함되는 경우, 생성된 조성물이 공기 중의 수분에 의해서 경화 반응이 진행될 시 신속한 반응이 일어나 빠른 경화가 가능하다.
(F) 첨가제
일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 적어도 하나의 첨가제를 더 포함한다. 일 예에 따른 (F) 첨가제로는 보강 충전제(reinforcing filler), 광중합 억제제, 안료 및 이들의 조합을 들 수 있다.
상기 보강 충전제는 일 실시예에 따른 이중 경화성 수지 조성물을 경화시킴으로써 수득된 경화물에 기계 강도를 부여하고, 기재로부터의 이형성을 개선시키기 위한 보강 충전제이다.
일 예로, 보강 충전제로는 예를 들어, 퓸드 실리카 미분말, 침강 실리카 미분말, 용융(fused) 실리카 미분말, 하소 실리카 미분말, 퓸드 이산화 티타늄 미분말, 유리 섬유 및 이들 미분말을 오가노실란, 실라잔, 및 실록산 올리고머로 표면 처리함으로써 수득된 소수성화된 미분말을 포함할 수 있고, 예를 들어, 퓸드 실리카 미분말일 수 있다. 상기 미분말의 입자 직경에 대해서는 특별한 제한이 없지만, 그것은 레이저 회절/산란 유형 입자 크기 분포를 사용하는 측정법에 따른 중간 직경이 예를 들어, 0.01 ㎛ 내지 1,000 ㎛ 범위일 수 있다.
상기 보강 충전제는, 상기 제1 폴리오가노실록산 100 중량부에 대해 0.1 내지 50 중량부, 예를 들어, 1 내지 50 중량부, 예를 들어, 10 내지 50 중량부, 예를 들어, 10 내지 30 중량부로 포함될 수 있다.
상기 광중합 억제제는 일 실시예에 따른 이중 경화성 수지 조성물의 광 경화시 라디칼 반응을 억제하는 것으로, 일 예로 하이드로퀴논(hydroquinone), t-부틸하이드로퀴논(t-buthylhydroquinone), p-메톡시페놀(p-methoxyphenol), 니트로벤젠(nitrobenzone), BHT(2,6-di-tetra- butyl-4-methylphenol), 알루미늄 N-니트로소페닐하이드록실-아민(Aluminum N-nitrosophenylhydroxyl-amine) 등을 들 수 있다.
일 예로, 상기 광중합 억제제는 다이부틸하이드록시톨루엔 또는 다이부틸하이드록시톨루엔과 N-니트로소페닐하이드록실-아민의 조합 일 수 있다.
상기 광중합 억제제는, 상기 제1 폴리오가노실록산 100 중량부에 대해 0.01 내지 1 중량부, 예를 들어, 0.01 내지 0.5 중량부, 0.01 내지 0.1 중량부로 포함될 수 있다.
상기 안료는 이중 경화성 수지 조성물에 적용시 시각적 구별을 위한 것으로, 색이 발현되고 광(UV-Vis)이 투과될 수 있는 물질이면 제한 없이 사용될 수 있다. 일 예로, 안료는 소량 사용되며 소디움 알루미노 술포 실리케이트(Sodium alumino sulpho silicate) 또는 산화철(Iron oxide) 등이 포함될 수 있다.
또한, 상기 이중 경화성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서, 산화방지제, 자외선흡수제, 가소제, 접착 촉진제, 충전제, 광증감제, 계면활성제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 전술한 이중 경화성 수지 조성물을 이용하여 제조된 경화물(Cured Body)를 제공한다.
상기 경화물은 일 예에 따른 이중 경화성 수지 조성물을 경화시킴으로써 제조된다. 이중 경화성 수지 조성물의 경화 방법은 특별히 제한되지 않지만, 일 예에서는, 신속한 경화를 위하여 광(UV-Vis)에 노출시켜 광경화 반응이 먼저 진행되도록 하고, 이 후 공기 중의 수분 접촉에 의해서 조성물이 추가 경화 반응이 진행되도록하여, 광(UV-Vis) 노출된 부분과 그림자 영역 (Shadow area)을 경화시켜서 일 예에 따른 경화물을 제조할 수 있다.
일 예에 따른 경화물은 경화 동안 접촉된 기재에 대해서 우수한 접착력을 나타내고 이것이 기재로부터 효율적으로 박리될 수 있음으로써 양호한 이형성을 나타낸다.
또 다른 구현예에 따르면 상기 경화물을 포함하는 전기 전자 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다.
상기 전기 전자 장치는 특별히 제한되지 않지만, 금속 산화물 막 전극, 예컨대 인듐 주석 산화물 (ITO)이 형성된 전극 또는 전기 회로, 및 기재, 예컨대 유리, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 페놀 수지, 세라믹 등 상의 은, 구리, 알루미늄, 금 등의 금속 전극을 함유하는 전자 장치를 들 수 있다. 상기 전극의 예는 액정 디스플레이 (LCD) 장치의 전극 및 각종 PCB 모듈을 포함하고, 일 예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 신속한 경화특성 및 우수한 수리성, 재활용성을 가지고, 전극의 코팅과 씰링(sealing) 및 각종 전기 전자 장치의 수밀성, 기밀성을 위한 보호 봉입(potting), 갭 충진 등을 위해서 사용될 수 있다.
일 예로, 상기 전자 장치는 상기 경화물의 경화 동안 접촉된 기재에 대한 높은 접착력 및 그 기재로부터의 높은 이형성으로 인해서 전자 장치의 수리 및 재생이 가능하다.
특히, 일 실시예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 전자 장치 또는 반도체 장치의 갭필(gap-filling) 조성물로서 유용하다. 상기 이중 경화성 수지 조성물은 양호한 유동성을 유지함으로써 상기 전자 장치들 사이의 좁은 갭을 용이하게 채울 수 있고, 결과적으로 UV-Vis 조사에 의해 제조된 경화물은 전자 장치 또는 반도체 장치의 좁은 갭에 충분히 채워져서 전자 장치의 수밀성, 기밀성 및 신뢰성을 확보할 수 있다. 또한, 필요에 따라 경화물이 잔류물 없이 전자 장치로부터 쉽게 제거되어, 이중 경화성 수지 조성물로부터 경화된 경화물을 갖는 장치들에 우수한 재가공성을 제공한다.
이하, 본 발명의 실시예들을 기재한다. 하기 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
합성예
합성예 1: 제1 폴리오가노실록산의 합성 (A-1)
500ml 3구 플라스크에 하이드록시 말단 폴리다이메틸실록산(PDMS) 100중량부에 대해 비닐트리메톡시실란(vinyltrimethoxy silane) 5 내지 10 중량부를 투입하고, 0.03 내지 0.1 중량부의 초산촉매를 첨가한 후, 상기 혼합물을 교반기(stirrer)로 혼합하였다. 이 때 교반하면서 약 150℃ 내지 약 160℃ 의 온도까지 승온시키고, 3 시간 후 상기 반응 혼합물로부터 잔여 촉매 및 비닐트리메톡시실란을 제거하기 위하여 진공 소거처리하고, 일 실시예에 따른 제1 폴리오가노실록산을 얻었다.
실시예 1 및 실시예 2, 및 비교예 1 내지 비교예 5: 이중 경화성 수지 조성물의 제조
합성예 1에서 제조한 제1 폴리오가노실록산, 제2 폴리오가노실록산 및 실란 화합물과 하기 기재한 성분들을 하기 표 1 에 나타난 조성으로 혼합하여 상온에서 교반한 후 각각 실시예 1 , 실시예 2 및 비교예 1 내지 비교예 5에 따른 이중 경화성 수지 조성물을 제조하였다.
(B-1) 제2 폴리오가노실록산: 양 말단에 트리메틸실록시기를 포함하고 하기 화학식 A로 표시되는 [(머캅토프로필)메틸실록산]-다이메틸실록산 코폴리머([(Mercaptopropyl)methylsiloxane]-Dimethylsiloxane copolymer)
[화학식 A]
Figure pat00005
상기 화학식 A에서, m은 43, n은 5이다.
(B-2) 하기 화학식 B로 표시되는 머캅토 다이메톡시 말단-캡핑 폴리다이메틸실록산(Mercapto dimethoxy end-capped Polydimethylsiloxane)
[화학식 B]
Figure pat00006
상기 화학식 B에서, n은 점도가 450cst (25C)인 수이다.
(D) 광개시제: 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐 포스피네이트
(E) 축합반응 촉매: 다이(아이소프로폭시)비스(에틸아세토아세테이트)티타늄 (Diisopropoxy Bis(Ethylacetoacetate) titanium)
(F-1) 보강 충전제: 퓸드실리카 (Fumed silica)
(F-2) 광중합 억제제: 다이부틸하이드록시톨루엔 (Dibutylhydroxytoluene)
(F-3) 안료: 소디움 알루미노 술포실리케이트 (Sodium alumino sulpho silicate)
Figure pat00007
경화물의 제조 및 평가
상기 실시예 1, 실시예 2, 및 비교예 1 내지 5에서 제조된 이중 경화성 수지 조성물들을 광 경화를 위해 파장 395nm 또는 405nm 를 조사하는 UV LED 램프를 사용하여 1,000 내지 5,000 mJ/cm2 의 에너지에 노출하여 광 경화 반응을 진행시켰고, 이후 25℃±2℃, 상대 습도 50%±5% 조건에서 실온 경화를 진행하여 경화물을 제조하였다.
얻어진 경화물에 각각에 대해, 하기 방법을 사용하여 부착력, 응집 파괴율 및 경도를 측정하고 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다.
(1) 접착력 시험 및 응집 파괴율
상기 실시예 1, 실시예 2 및 비교예 1 내지 5에 따른 수지 조성물을 포함하는 접착제 층을, 유리 기재 상에 25mm X 10mm X 1 mm 크기가 되도록 적용하고 그 위에 다른 유리 기재를 덮어, 전단 시험을 할 수 있는 형태로 준비한다.
이후, 1) 광(UV-Vis) 에 노출 시켜 경화를 시키고, 2) 광 경화시킨 시료를 25℃±2℃, 50%±5% 실내습도(Room Humidity, RH)에서 7일 동안 방치하여 조성물을 추가로 실온 경화시키고, 3) 광 노출 없이 25℃±2℃, 50%±5% 실내습도(Room Humidity, RH)에서 7일 동안 방치하여 실온에서만 경화 시킨 샘플들을 각각 제조하였다.
상기 각각의 조건에 경화된 샘플들을 인장시험기를 이용하여 50mm/분의 속도로 상하로 일정하게 당기도록 하여, 박리 시험을 수행하였다. 박리시험 후 접착제 파단 면의 조건을 육안으로 관찰하였고, 응집 파괴가 발생한 이중 경화성 수지 조성물의 비율을 응집 파괴(CF)율로서 결정하였다.
100%의 CF율은 경화된 접착제의 박막이 박리 시험 후 기재 상에 약 100% 남아있음을 의미하는 것으로, 이형성이 떨어지는 것을 의미한다.
50%의 CF율은 경화된 접착제의 박막이 박리 시험 후 기재 상에 약 50% 남아있음을 의미한다.
0%의 CF율은 이중 경화성 수지 조성물의 박리 동안 응집 파괴가 억제되고, 이중 경화성 수지 조성물이 기재로부터의 양호한 이형성을 갖는다는 것을 의미한다.
(2) 경도
상기 실시예 1, 실시예 2, 및 비교예 1 내지 5에 따른 수지 조성물을 1 내지 2mm 두께의 시트상 시료를 준비하여 광경화 시킨 후, 같은 시료를 25℃±2℃, 50%±5% 실내습도(Room Humidity, RH)에서 7일 동안 방치하여 조성물을 추가로 실온 경화시키고 이를 6 내지 8mm 의 두께가 되도록 적층하여 각 경화물의 쇼어 경도를 측정함으로써 경화를 평가한다. 쇼어 A 경도를 ASTM D 2240-05를 사용하여 측정하였다.
Figure pat00008
상기 실시예 1 및 실시예 2의 경화물은 (A) 한 분자 내에 적어도 하나의 알케닐기와 적어도 하나의 알콕시기를 포함하는 제1 폴리오가노실록산과, (B) 한 분자 내에 적어도 두개의 광 반응성 작용기를 실록산 골격의 측쇄에 포함하는 제2 폴리오가노실록산 및 (C) 상기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물을 모두 포함함으로써, 상기 표 2에 나타난 바와 같이, 쇼어 A 30 이상의 우수한 경도를 유지하면서도, 광 경화 및/또는 수분 경화 후 응집 파괴가 발생하지 않아 우수한 이형성을 나타낸다.
반면, 실온 경화성 수지인 실란 화합물만을 포함하고 있는 비교예 2는 광 경화가 일어나지 않아 경화 반응 속도는 현저히 느린 문제를 가지며, 바이닐-말단 캡핑된 폴리다이메틸실록산을 포함하는 비교예 3은 실온 경화에 필요한 실란 화합물을 포함하지 않아 그림자 영역에서의 미경화 상태를 보였다. 또한, 3개의 머캅토기를 갖는 유기 경화제를 포함하는 비교예 4는 노광시 광(UV-Vis) 반응에 의한 신속한 경화 특성 및 그림자 영역에서의 경화 상태를 나타내나, 제1 폴리오가노실록산과의 혼화성이 떨어져 혼합시 투명성이 떨어지고 저장시 분리되며, 경화 후 기재와의 접착성에 있어 부분 응집파괴(cohesive failure) 형태를 보였다.
일 예에 따른 제2 폴리오가노실록산과 달리, 분자 내의 머캅토기가 실록산 골격의 말단에 위치하는 비교예 5의 경우, 노광시 광(UV-Vis) 반응에 의한 경화시, 실록산 말단의 상기 머캅토기와 제1 폴리오가노실록산 양 말단의 반응기가 서로 반응하여, 가교 결합보다는 수지의 길이가 길어지는 형태의 반응이 우선적으로 일어나, 경화 조성물의 경화 밀도가 현저히 떨어지고 광 경화 및 실온 경화 후 기재와의 접착성에 있어 100%의 응집 파괴율을 보였다.
또 일 예에 따른 화학식 1의 실란 화합물이 아닌, 실란 화합물을 포함하고 있는 비교예 1의 경우, 수분 경화 후의 기재와의 접착성에 있어 100%의 응집 파괴율을 나타내었다.
결론적으로, 일 구현예에 따른 이중 경화성 수지 조성물은 광경화 및/또는 수분 경화 후의 접착성 및 이형성이 우수하고, 이로부터 제조되는 경화물은 우수한 경도를 나타냄을 알 수 있다. 또한 이에 따라 상기 경화물이 전자 장치에 사용되는 경우 우수한 수리성 및 재사용성을 나타낸다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.　　그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (14)

  1. (A) 한 분자 내에 적어도 하나의 알케닐기와 적어도 하나의 알콕시기를 포함하는 제1 폴리오가노실록산,
    (B) 한 분자 내에 적어도 두개의 광 반응성 작용기를 실록산 골격의 측쇄에 포함하는 제2 폴리오가노실록산,
    (C) 하기 화학식 1로 표시되는 적어도 하나의 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물,
    (D) 적어도 하나의 광개시제, 및
    (E) 적어도 하나의 축합-반응 촉매를 포함하는, 이중 경화성 수지 조성물:
    [화학식 1]
    (Rx)2SiX2
    상기 화학식 1에서,
    Rx 는 1가 탄화수소기이고, X는 C1 내지 C20 알콕시기, 히드록시기, 할로겐, 카르복실기, 또는 이들의 조합이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 광 반응성 작용기는 머캅토기인, 이중 경화성 수지 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 폴리오가노실록산은 하기 화학식 2로 표시되는, 이중 경화성 수지 조성물:
    [화학식 2]
    Figure pat00009

    상기 화학식 2에서,
    R1 내지 R8 은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알키닐기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 또는 이들의 조합이되,
    R1 내지 R6 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 알케닐기이고, 또한
    R1 내지 R6 중 적어도 하나는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기이고,
    n은 50 내지 1,000 의 정수이다.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 화학식 2에서, R1 내지 R6 중 적어도 하나는 C2 내지 C10 알케닐기이고, 또한, R1 내지 R6 중 적어도 두개는 C1 내지 C10 알콕시기인, 이중 경화성 수지 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제2 폴리오가노실록산은 하기 화학식 3으로 표시되는, 이중 경화성 수지 조성물:
    [화학식 3]
    Figure pat00010

    상기 화학식 3에서,
    R9 내지 R14 는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이고,
    R15 내지 R18 은 각각 독립적으로, 머캅토기, 머캅토기를 포함하는 1가 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C20 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 헤테로아릴기, 또는 이들의 조합이되,
    R17 및 R18 중 적어도 하나는 머캅토기 또는 머캅토기를 포함하는 1가 탄화수소기이고,
    p는 0 내지 100의 정수이고, q는 2 내지 100 의 정수이다.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 화학식 3의 R15 및 R16은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고, R17 또는 R18 은 머캅토기를 포함하는 1가 탄화수소기이며, p는 0 내지 100의 정수이고, q는 2 내지 100의 정수인, 이중 경화성 수지 조성물.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 화학식 3의 R9 내지 R14 는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기인, 이중 경화성 수지 조성물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 화학식 1에서 Rx 는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C4 알킬기이고, X는 C1 내지 C6 알콕시기인, 이중 경화성 수지 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 (D) 광 개시제는 2,4,6-트리메틸벤조일 다이페닐 포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐 포스핀옥사이드, 및 에틸(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스피네이트 중 적어도 하나를 포함하는, 이중 경화성 수지 조성물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 (E) 축합반응 촉매는 테트라(아이소프로폭시)티타늄, 테트라(n-부톡시)티타늄, 테트라(t-부톡시)티타늄, 다이(아이소프로폭시)비스(에틸아세토아세테이트)티타늄, 다이(아이소프로폭시)비스(메틸아세토아세테이트)티타늄, 및 다이(아이소프로폭시)비스(아세틸아세토네이트)티타늄 중 적어도 하나를 포함하는, 이중 경화성 수지 조성물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 (A) 제1 폴리오가노실록산 100 중량부에 대해,
    상기 (B) 제2 폴리오가노실록산 1 내지 30 중량부;
    상기 (C) 실란 화합물 또는 이의 부분적으로 가수분해된 축합물 0.5 내지 30 중량부;
    상기 (D) 광개시제 0. 05 내지 5 중량부; 및
    상기 (E) 축합-반응 촉매 0.01 내지 10중량부로 포함하는, 이중 경화성 수지 조성물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 이중 경화성 수지 조성물은 보강 충전제, 광중합 억제제, 및 안료 중 적어도 하나의 (F) 첨가제를 더 포함하는, 이중 경화성 수지 조성물.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 이중 경화성 수지 조성물을 경화시켜 제조되는 경화물.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 경화물을 포함하는, 전자 장치.
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TW107125920A TW201910437A (zh) 2017-07-31 2018-07-26 可雙重固化樹脂組成物、由其製備之固化體、及包含此固化體之電子裝置
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US16/634,821 US11390748B2 (en) 2017-07-31 2018-07-31 Dually-curable resin composition, cured body prepared therefrom, and electronic device comprising such cured body
JP2020503902A JP7343475B2 (ja) 2017-07-31 2018-07-31 二重硬化性樹脂組成物、該組成物から調製された硬化体、及び該硬化体を含む電子機器
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230006153A (ko) * 2021-07-02 2023-01-10 주식회사 케이비지 자외선 수분 하이브리드 경화형 폴리실록산 조성물, 이로부터 제조된 폴리실록산 경화막 및 이의 용도
KR20230009094A (ko) * 2021-07-08 2023-01-17 주식회사 케이비지 실리콘 컨포멀 코팅 조성물, 이로부터 제조된 실리콘 경화막 및 이의 용도

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190013091A (ko) 2017-07-31 2019-02-11 다우 실리콘즈 코포레이션 이중 경화성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화물, 및 그러한 경화물을 포함하는 전자 장치
TWI831823B (zh) 2018-10-08 2024-02-11 美商陶氏有機矽公司 可雙重固化有機聚矽氧烷組成物
TW202118833A (zh) 2019-11-13 2021-05-16 美商陶氏有機矽公司 室溫儲存穩定的uv/vis及濕氣可雙重固化聚矽氧烷組成物
EP4136137A1 (de) 2020-04-14 2023-02-22 Wacker Chemie AG Polysiloxane mit strahlen- und feuchtigkeitsvernetzbaren gruppen
TW202210558A (zh) * 2020-09-01 2022-03-16 美商陶氏全球科技公司 增強基板黏著力的uv/水分雙重固化組合物
CN114316891B (zh) * 2021-12-30 2023-11-28 深圳市安品有机硅材料有限公司 一种深度固化室温硫化有机硅胶及其制备方法
KR102619618B1 (ko) * 2022-12-22 2024-01-04 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼즈 인크. 실리콘계 조성물 및 이의 경화물

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2447386A1 (fr) * 1979-01-24 1980-08-22 Rhone Poulenc Ind Compositions organopolysiloxaniques photopolymerisables
US4269963A (en) * 1979-12-03 1981-05-26 Dow Corning Corporation Mercaptoorganopolysiloxanes and curable compositions including same
US4528081A (en) * 1983-10-03 1985-07-09 Loctite Corporation Dual curing silicone, method of preparing same and dielectric soft-gel compositions thereof
US4608312A (en) * 1983-08-26 1986-08-26 General Electric Company Ultraviolet radiation curable silicone release compositions
US5169879A (en) * 1983-10-26 1992-12-08 Dow Corning Corporation Fast ultraviolet radiation curing silicone composition
US5124212A (en) * 1983-10-26 1992-06-23 Dow Corning Corporation Articles prepared from fast ultraviolet radiation curing silicone composition
US4946874A (en) * 1983-10-26 1990-08-07 Dow Corning Corporation Fast ultraviolet radiation curing silicone composition containing two vinyl polymers
JPS62197453A (ja) * 1986-02-25 1987-09-01 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコ−ン組成物
US4952711A (en) * 1989-05-25 1990-08-28 Loctite Corporation Crosslinking of (meth) acryloxyalkenylene functional siloxane prepolymers
US5212211A (en) * 1990-11-19 1993-05-18 Loctite Corporation Polymodal-cure silicone composition, and method of making the same
JPH04198270A (ja) * 1990-11-27 1992-07-17 Toshiba Silicone Co Ltd 光硬化型シリコーン組成物及びその接着剤組成物
JP3725178B2 (ja) * 1991-03-22 2005-12-07 東レ・ダウコーニング株式会社 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物
US5399651A (en) * 1994-05-10 1995-03-21 Dow Corning Corporation Adhesion promoting additives and low temperature curing organosiloxane compositions containing same
US5516823A (en) * 1994-05-10 1996-05-14 Dow Corning Corporation Adhesion promoting compositions and curable organosiloxane compositions containing same
JPH09151328A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd オルガノポリシロキサン組成物用硬化触媒および硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JPH09183908A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および該組成物を使用して基材と被着体を接着させる方法
JPH09208829A (ja) * 1996-01-31 1997-08-12 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および該組成物を使用して基材と被着体を接着させる方法
KR20010053068A (ko) * 1998-06-24 2001-06-25 유진 에프. 밀러 이중 경화 실리콘 조성물
US6827985B2 (en) * 2001-05-02 2004-12-07 Henkel Corporation Curable silicone compositions having enhanced cure-through-volume
US7105584B2 (en) * 2003-04-18 2006-09-12 Nscg, Inc. Dual-cure silicone compounds exhibiting elastomeric properties
JP4180477B2 (ja) * 2003-09-10 2008-11-12 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 室温硬化性ポリオルガノシロキサン組成物
WO2005108498A1 (ja) * 2004-05-07 2005-11-17 Kaneka Corporation 硬化性組成物
WO2008088523A1 (en) * 2006-12-21 2008-07-24 Dow Corning Corporation Dual curing polymers and methods for their preparation and use
TWI483995B (zh) * 2010-08-18 2015-05-11 Cheil Ind Inc 聚有機矽氧烷與由該聚有機矽氧烷獲得之封裝材料以及包含該封裝材料之電子元件
KR101512951B1 (ko) * 2011-12-22 2015-04-16 주식회사 다이셀 경화성 수지 조성물 및 그의 경화물
WO2013146130A1 (ja) 2012-03-30 2013-10-03 東レ株式会社 シランカップリング剤、感光性樹脂組成物、硬化膜及びタッチパネル部材
DE102013104600B4 (de) * 2013-01-11 2019-10-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schichten oder dreidimensionale Formkörper mit zwei Bereichen unterschiedlicher Primär- und/oder Sekundärstruktur, Verfahren zur Herstellung des Formkörpers und Materialien zur Durchführung dieses Verfahrens
CN106751887B (zh) * 2013-02-14 2018-11-13 株式会社大赛璐 固化性树脂组合物、固化物、密封材料及半导体装置
KR102224557B1 (ko) * 2013-12-27 2021-03-09 듀폰 도레이 스페셜티 머티리얼즈 가부시키가이샤 실온-경화성 실리콘 고무 조성물, 그의 용도, 및 전자 장치의 수리 방법
JP6691870B2 (ja) * 2014-03-27 2020-05-13 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 充填されたポリジオルガノシロキサンを含有する組成物、及びこれを使用する方法
CN103992650A (zh) * 2014-04-11 2014-08-20 郝建强 紫外线/湿气双固化有机硅树脂组成物
WO2016101129A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-30 Henkel (China) Company Limited 1k high temperature debondable adhesive
JP6524669B2 (ja) * 2015-01-16 2019-06-05 セメダイン株式会社 光硬化性組成物
KR20180072714A (ko) * 2015-10-19 2018-06-29 다우 코닝 도레이 캄파니 리미티드 활성 에너지선 경화성 핫 멜트 실리콘 조성물, 이의 경화물, 및 필름의 제조 방법
US10035911B2 (en) * 2016-05-19 2018-07-31 Momentive Performance Materials Inc. Curable, dual cure, one part silicone composition
US20180334587A1 (en) 2017-05-19 2018-11-22 Ppg Industries Ohio, Inc. Dual-cure epoxy-siloxane coating compositions
KR20190013091A (ko) 2017-07-31 2019-02-11 다우 실리콘즈 코포레이션 이중 경화성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화물, 및 그러한 경화물을 포함하는 전자 장치
TW202118833A (zh) * 2019-11-13 2021-05-16 美商陶氏有機矽公司 室溫儲存穩定的uv/vis及濕氣可雙重固化聚矽氧烷組成物

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230006153A (ko) * 2021-07-02 2023-01-10 주식회사 케이비지 자외선 수분 하이브리드 경화형 폴리실록산 조성물, 이로부터 제조된 폴리실록산 경화막 및 이의 용도
KR20230009094A (ko) * 2021-07-08 2023-01-17 주식회사 케이비지 실리콘 컨포멀 코팅 조성물, 이로부터 제조된 실리콘 경화막 및 이의 용도

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