KR20180009342A - 유기 전계발광 소자용 물질 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플루오렌 유도체, 및 이러한 화합물이 방사층에서 매트릭스 물질로서 및/또는 정공 수송 물질로서 및/또는 전자 차단제 또는 여기 차단제 물질로서 및/또는 전자 수송 물질로서 사용되는 유기 전자 소자에 관한 것이다.
Description
본 발명은 유기 반도체용 물질 및 유기 전자 소자에서의 이의 용도에 관한 것이다.
유기 반도체는 많은 상이한 유형의 전자 적용물을 위해 개발되고 있다. 이러한 유기 반도체가 기능성 물질로서 사용되는 유기 전계발광 소자 (OLED) 의 구조는 예를 들어 US 4539507, US 5151629, EP 0676461 및 WO 98/27136 에 기재되어 있다. 그러나, 여전히 고품질 및 긴 수명의 디스플레이를 위한 이러한 소자의 사용을 위하여 추가 개선이 바람직하다. 예를 들어, 현재 여전히 특히 용액-가공된 또는 적어도 일부 용액-가공된 유기 전계발광 소자의 수명 및 효율의 개선이 필요하다. 추가 요건은 화합물이 용액으로부터의 가공을 위한 표준 유기 용매 중에 충분히 높은 용해도를 갖는 것이다. 더욱 특히, 상승된 온도에서의 사용을 위해, 높은 유리 전이 온도가 긴 수명의 달성에 필수적이다. 일반적으로, 수명, 효율 및/또는 전압에서의 추가 개선이 바람직하다. 따라서, 개선된 물질, 예를 들어 형광 및 인광 방사체용 호스트 물질이 여전히 요구되고 있으나, 추가 개선이 전하 수송 물질, 즉 정공 및 전자 수송 물질, 및 전하 차단제 물질의 경우에 또한 필요하다. 구체적으로는 이러한 물질의 특성은 흔히 유기 전계발광 소자의 수명 및 효율에 대한 제한 인자이다.
최근의 선행기술로서, WO 2009/124627 및 WO 2011/060859 가 언급될 수 있다. WO 2009/124627 은 바람직하게는 2 개의 페닐 기 각각에서 2 개의 아릴 기에 의해 치환된 9,9-디페닐플루오렌 유도체를 개시한다. 명백하게 개시된 유일한 구조는 페닐 기의 3' 및 5' 위치에서, 즉 플루오렌에 대한 결합을 위한 2 개의 메타 위치에서 각각 치환된 것이다. 메타 위치 중 오로지 하나에서 치환된 구조는 개시되지 않는다. WO 2011/060859 는 바람직하게는 하나 이상의 트리아진 구조를 갖는 9,9-디페닐플루오렌 유도체를 개시한다. 오로지 3' 위치에서만 치환되고 임의의 트리아진 기를 포함하지 않는 구조의 명백한 개시는 없다. 오로지 3' 위치만에서의 치환에 대해 중요한 의미가 있는 것으로 여겨지지 않는다.
놀랍게도, 하나 이상의 페닐 기, 바람직하게는 모든 페닐 기 상의 3' 위치에서 각각 치환된 9,9-디페닐플루오렌 유도체는 유기 전계발광 소자에서의 사용에 매우 양호한 적합성을 갖고, 여기서의 선행 기술을 뛰어 넘는 뚜렷한 개선을 야기한다는 것이 밝혀졌다. 따라서 본 발명은 이러한 화합물 및 유기 전자 소자에서의 이의 용도를 제공한다. 페닐 기 상에서의 치환에 따르면, 본 발명의 화합물은 특히 정공 수송 물질, 전자 또는 여기자 차단제 물질, 형광 또는 인광 화합물용 매트릭스 물질, 정공 차단제 물질 및 전자 수송 물질로서 적합하다. 본 발명의 물질은 선행 기술에 따른 물질에 비해 유기 전자 소자의 수명의 증가 및/또는 효율의 증가를 가능하게 한다. 또한, 이러한 화합물은 높은 열 안정성을 갖는다. 일반적으로, 이러한 물질은 유기 전자 소자에서의 사용에 매우 양호한 적합성을 갖는데, 이는 이들이 높은 유리 전이 온도를 갖기 때문이다. 또한, 이러한 화합물은 유기 용매 중에서의 높은 용해도를 갖고, 이에 따라 용액으로부터의 가공에 양호한 적합성을 갖는다.
명백하게 하기 위해, 9,9-디페닐플루오렌의 구조 및 넘버링을 아래 나타낸다:
따라서 본 발명은 하나 이상의 하기 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물을 제공한다:
[식 중, 사용된 기호는 하기와 같음:
A1, A2, A3, A4 는 각 경우에 동일 또는 상이하고, N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, 단 1 개의 사이클에서 A1, A2, A3, A4 기 중 둘 이하는 N 이고;
V1, V2, V3 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, N 또는 CR2, 바람직하게는 CR2 이고, 단 1 개의 사이클에서 V1, V2, V3 기 중 둘 이하는 N 이고;
W1, W2, W3 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, N 또는 CR3, 바람직하게는 CR3 이고, 단 1 개의 사이클에서 W1, W2, W3 기 중 둘 이하는 N 이고;
X1, X2, X3 는 각 경우에 동일 또는 상이하고, N 또는 CR4, 바람직하게는 CR4 이고, 단 1 개의 사이클에서 X1, X2, X3 기 중 둘 이하는 N 이고;
R1, R2, R3, R4 는 각 경우에 동일 또는 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR5)2, CHO, C(=O)R5, CR5=C(R5)2, CN, C(=O)OR5, C(=O)N(R5)2, Si(R5)3, N(R5)2, NO2, P(=O)(R5)2, OSO2R5, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 탄소수 1 내지 40 의 직쇄형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기, 또는 탄소수 3 내지 40 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 이러한 계의 조합이고; 동시에 둘 이상의 인접한 R1 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고; 동시에 둘 이상의 인접한 R2 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고; 동시에 둘 이상의 인접한 R3 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고; 동시에 둘 이상의 인접한 R4 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고;
R5 는 각 경우에 동일 또는 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR6)2, CHO, C(=O)R6, CR6=C(R6)2, CN, C(=O)OR6, C(=O)N(R6)2, Si(R6)3, N(R6)2, NO2, P(=O)(R6)2, OSO2R6, OR6, S(=O)R6, S(=O)2R6, 탄소수 1 내지 40 의 직쇄형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기, 또는 탄소수 3 내지 40 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R6C=CR6-, -C≡C-, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, -C(=O)O-, -C(=O)NR6-, NR6, P(=O)(R6), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 이러한 계의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R5 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고;
R6 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, H, D, F 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 히드로카르빌 라디칼 (여기서 수소 원자는 또한 F 로 대체될 수 있음) 이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R6 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고;
단,
W1 및 V1 라디칼은 서로 가교되지 않고;
V1, V2, V3 기의 R2 라디칼 및 X1, X2, X3 기의 R4 라디칼은 총 12 개 이상의 방향족 탄소 고리 원자를 포함하고;
R1, R2, R3 및 R4 라디칼은 트리아진 구조를 포함하지 않고,
V1, V2, V3 및 W1, W2, W3 기는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 포함하는 CR2 및/또는 CR3 기 (즉 여기서 R2 및 R3 은 방향족 또는 헤테로방향족 고리계임) 를 총 2 개 이하 포함함].
본 발명의 맥락에서 아릴 기는 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유하고; 본 발명의 맥락에서 헤테로아릴 기는 2 내지 60 개의 탄소 원자 및 적어도 1 개의 헤테로원자를 함유하고, 단 탄소 원자 및 헤테로원자의 합계는 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 아릴 기 또는 헤테로아릴 기는 단순 방향족 사이클, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 사이클, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜, 등, 또는 융합 아릴 또는 헤테로아릴 기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 피렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 등을 의미하는 것으로 본원에서 이해된다.
본 발명의 맥락에서 방향족 고리계는 고리계에 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 맥락에서 헤테로방향족 고리계는 고리계에 2 내지 60 개의 탄소 원자 및 하나 이상의 헤테로원자를 함유하고, 단 탄소 원자 및 헤테로원자의 합계는 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는, 반드시 오로지 아릴 또는 헤테로아릴 기만을 함유할 필요는 없지만 또한 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기에 짧은 비방향족 단위 (바람직하게는 10% 미만의 H 이외의 원자), 예를 들어 sp3-혼성 탄소, 질소 또는 산소 원자가 개입되는 계를 의미하는 것으로 이해된다. 예를 들어, 계 예컨대 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤, 벤조페논, 등은 또한 본 발명의 맥락에서 방향족 고리계로 여겨질 것이다. 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는, 또한 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 서로 단일 결합에 의해 결합되는 계, 예를 들어 바이페닐, 테르페닐 또는 바이피리딘을 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 맥락에서, 개별적 수소 원자 또는 CH2 기가 또한 상기 언급된 기에 의해 대체될 수 있는 C1- 내지 C40-알킬 기는 더 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸 및 2,2,2-트리플루오로에틸을 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명의 맥락에서, 알케닐 기는 특히 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐 및 시클로옥테닐을 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명의 맥락에서, 알키닐 기는 특히 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 이해된다. C1- 내지 C40-알콕시 기는 더 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시를 의미하는 것으로 이해된다. 5-60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 또한 각 경우에 상기 정의된 R 라디칼에 의해 치환될 수 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 계에 결합될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 벤즈안트라센, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤지미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린e, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유래된 기를 의미하는 것으로 이해된다.
이는 바람직하게는 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물에서 V1, V2, V3 기 중 하나 이상이 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계인 R2 라디칼을 포함하는 경우일 수 있다.
W1 및 V1 라디칼은 서로 가교되지 않는다. 이는, W1 및 V1 라디칼이 결합에 의해 서로 결합되지 않거나, W1 및 V1 라디칼에 존재하는 임의의 R3 또는 R2 라디칼이 서로 결합되지 않고, 이는 또한 가능한 R5 또는 R6 치환기를 통한 결합을 배제한다는 것을 의미한다.
R1, R2, R3 및 R4 라디칼은 임의의 트리아진 구조를 포함하지 않고, 이는 또한 가능한 R5 또는 R6 치환기에서 트리아진 구조의 존재를 배제한다. 트리아진 구조는 본 발명의 맥락에서 고리에 6 개의 고리 원자 및 적어도 3 개의 질소 원자를 갖는 방향족 라디칼이고, 이에 따라 특히 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진 및 1,2,3,5-테트라진 구조를 배제한다.
V1, V2, V3 및 W1, W2, W3 기는, 가능한 R5 또는 R6 치환기를 포함하는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 포함하는 CR2 및/또는 CR3 기를 총 2 개 이하 포함하고, 이에 따라 이러한 R2 에 존재하는 R5 또는 R6 치환기를 포함하는 R2 및/또는 R3 라디칼 총 2 개 이하는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 포함한다.
화학식 (I) 의 구조 하나 이상을 포함하는 화합물의 바람직한 구현예는 하기 화학식 (II) 의 구조를 함유하는 화합물의 것이다:
[식 중, 사용된 기호는 특히 화학식 (I) 과 관련하여 상기 정의된 바와 같을 수 있고, 여기서 V1, V2, V3 및 W1, W2, W3 기는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 포함하는 R2 또는 R3 라디칼 총 1 개 이하를 포함함].
바람직한 배열에서, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물은 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조로 나타내어질 수 있다. 바람직하게는, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물은 분자량이 5000 g/mol 이하, 바람직하게는 4000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 3000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 2000 g/mol 이하, 가장 바람직하게는 1200 g/mol 이하이다.
또한, 바람직한 본 발명의 화합물의 특징은 이들이 승화될 수 있다는 것이다. 이러한 화합물은 일반적으로 약 1200 g/mol 미만의 몰 질량을 갖는다.
또한, 바람직한 본 발명의 화합물의 특징은 이들이 높은 표준 유기 용매 중의 용해도, 바람직하게는 톨루엔 중의 10 mg/ml 이상의 용해도를 갖는다는 것이다.
바람직하게는, 사이클 당 A1, A2, A3 및 A4 기 중 하나 이하는 N 이다. 더 바람직하게는, 모든 A1, A2, A3 및 A4 기는 CR1 이다.
바람직하게는, 또한 V1, V2 및 V3 기 중 하나 이하는 N 이다. 더 바람직하게는, 모든 V1, V2 및 V3 기는 CR2 이다.
바람직하게는, 또한 W1, W2 및 W3 기 중 하나 이하는 N 이다. 더 바람직하게는 모든 W1, W2 및 W3 기는 CR3 이다.
바람직하게는, 또한 사이클 당 X1, X2 및 X3 기 중 하나 이하는 N 이다. 더 바람직하게는, 모든 X1, X2 및 X3 기는 CR4 이다.
바람직하게는, 화학식 (I) 및/또는 (II) 에서 A1, A2, A3, A4 기의 R1 라디칼 중 아무것도 및 R1 라디칼에 직접 또는 간접적으로 결합될 수 있는 R5, R6 치환기 중 아무것도 질소 원자를 포함하지 않는다.
추가 구현예에서, 화학식 (I) 및/또는 (II) 에서 V1, V2, V3 기의 R2 라디칼 중 아무것도 및 R2 라디칼에 직접 또는 간접적으로 결합될 수 있는 R5, R6 치환기 중 아무것도 질소 원자를 포함하지 않는다.
이는 또한 화학식 (I) 및/또는 (II) 에서 W1, W2, W3 기의 R3 라디칼 중 아무것도 및 R3 라디칼에 직접 또는 간접적으로 결합될 수 있는 R5, R6 치환기 중 아무것도 질소 원자를 포함하지 않는 경우일 수 있다.
바람직하게는, 화학식 (I) 및/또는 (II) 에서 X1, X2, X3 기의 R4 라디칼 중 아무것도 및 R4 라디칼에 직접 또는 간접적으로 결합될 수 있는 R5, R6 치환기 중 아무것도 질소 원자를 포함하지 않는다.
또한, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물, 특히 5 개 이하의 질소 원자, 바람직하게는 3 개 이하의 질소 원자, 특히 바람직하게는 1 개 이하의 질소 원자를 갖는, 특히 바람직하게는 질소 원자를 갖지 않는 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 화합물이 바람직하다.
이는 또한 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물이 바람직하게는 5 개 이하, 바람직하게는 3 개 이하, 더 바람직하게는 1 개 이하의 불소 이외의 헤테로원자를 갖고, 특히 바람직하게는 불소 이외의 헤테로원자를 갖지 않는 경우일 수 있다.
특히 바람직하게는, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물, 또는 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 화합물은 탄화수소 또는 플루오르화 탄화수소, 바람직하게는 탄화수소이다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 기호 W3 및 V3 는 각각 독립적으로 C-H, C-D 및 C-F 이다. 화학식 (II) 에서 기호 W2 및 V2 는 바람직하게는 각각 독립적으로 C-H, C-D 및 C-F 일 수 있다. 화학식 (I) 에서, 기호 W2, 및 기호 V2 중 하나는 각각 C-H, C-D 및 C-F 일 수 있다.
이는 또한 화학식 (I) 및/또는 (II) 에서 A1, A2, A3, A4 기의 R1 라디칼이 플루오렌 구조의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는 경우일 수 있다. 이는 또한 R1 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R5, R6 치환기와 함께의 융합 고리계의 형성을 배제한다.
바람직하게는, V1, V2, V3 기에서 R2 라디칼은 R2 라디칼이 결합되는 페닐 기의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는다. 이는 R2 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R5, R6 치환기와 함께의 융합 고리계의 형성을 배제한다.
추가 바람직한 배열에서, W1, W2, W3 기의 R3 라디칼은 R3 라디칼이 결합되는 페닐 기의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는다. 이는 또한 R3 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R5, R6 치환기와 함께의 융합 고리계의 형성을 배제한다.
또한, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물, 및 특히 X1, X2, X3 기의 R4 라디칼이 R4 라디칼이 결합되는 페닐 기의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 화합물이 바람직하다. 이는 또한 R4 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R5, R6 치환기와 함께의 융합 고리계의 형성을 배제한다.
이는 또한 화학식 (I) 및/또는 화학식 (II) 의 구조를 포함하는 화합물, 또는 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 화합물이 플루오렌 기에 의해 정의된 거울 평면 (mirror plane) 에 대해 대칭인 경우일 수 있다. 플루오렌 기에 의해 정의된 거울 평면은 플루오렌 기의 모든 탄소 원자를 포함하고, 이에 따라 플루오렌 기의 9 위치의 탄소 원자에 결합된 페닐 기는 동일한 치환기를 갖는다.
추가 바람직한 구현예에서, 화학식 (I) 및/또는 화학식 (II) 의 구조를 포함하는 화합물, 또는 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 화합물은, 플루오렌 기에 의해 정의된 거울 평면에 대해 비대칭이다. 이에 따라 플루오렌 기의 9 위치에 결합된 페닐 기는 바람직하게는 동일한 치환을 갖지 않는다.
하기 화학식 (III) 의 구조에 의해 나타내어질 수 있는 화합물이 또한 바람직하다:
[식 중, 사용된 R1, R2, R3, R4 는 특히 화학식 (I) 에 대해 상기 정의된 바와 같고, 각각의 m 은 독립적으로 0 또는 1 이고, 여기서 지수 m 의 합계는 1 이하이고, 각각의 n 은 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2, 특히 바람직하게는 0 또는 1, 특히 바람직하게는 0 이고, 각각의 o 는 독립적으로 0, 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 1, 2 또는 3, 특히 바람직하게는 1 또는 2 임].
바람직하게는, 화학식 (III) 에서 지수 n 의 합계는 2 이하, 더 바람직하게는 1 이하일 수 있고, 이러한 합계는 특히 바람직하게는 0 이다. 화학식 (III) 에서 지수 m 의 합계는 바람직하게는 0 이고, 이에 따라 플루오렌 기에 결합된 페닐 라디칼은 바람직하게는 임의의 추가 치환기를 포함하지 않는다.
이는 또한 화학식 (III) 에서 지수 o 의 합계가 적어도 2, 바람직하게는 2, 3 또는 4 인 경우일 수 있다.
이는 또한 화학식 (III) 에서 R1 라디칼이 플루오렌 구조의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는 경우일 수 있다. 이는 또한 R1 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R5, R6 치환기와 함께의 융합 고리계의 형성을 배제한다.
바람직하게는, 화학식 (III) 에서 R2 라디칼은 R2 라디칼이 결합되는 페닐 기의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는다. 이는 또한 R2 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R5, R6 치환기와 함께의 융합 고리계의 형성을 배제한다.
추가 바람직한 배열에서, 화학식 (III) 의 R3 라디칼은 R3 라디칼이 결합되는 페닐 기의 고리 원자와 함께의 융합 고리계를 형성하지 않는다. 이는 또한 R3 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R5, R6 치환기와 함께의 융합 고리계의 형성을 배제한다.
또한, 화학식 (III) 의 R4 라디칼이 R4 라디칼이 결합되는 페닐 기의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 화학식 (III) 의 구조로 나타내어질 수 있는 화합물이 바람직하다. 이는 또한 R4 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R5, R6 치환기와 함께의 융합 고리계의 형성을 배제한다.
또한, 하기 화학식 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 화합물이 특히 바람직하다:
[식 중, 사용된 R4 기호는 특히 화학식 (I) 에 대해 상기 정의된 바와 같음].
더 바람직하게는, R4 라디칼은 임의의 질소 원자, 특히 바람직하게는 임의의 헤테로원자를 갖지 않는다. 특히 바람직하게는, R4 라디칼은 방향족 고리계, 특히 아릴 라디칼, 또는 H 일 수 있다.
또한, 화학식 (IV) 에서 R4 라디칼이 R4 라디칼이 결합되는 페닐 기의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 화학식 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 화합물이 바람직하다. 이는 또한 R4 라디칼에 결합될 수 있는 가능한 R5, R6 치환기와 함께의 융합 고리계의 형성을 배제한다.
바람직하게는, 화학식 (III) 및/또는 (IV) 에서 R4 라디칼 중 1 개 이하는 질소 원자를 포함하고 바람직하게는 아무것도 질소 원자를 포함하지 않고, 또는 R4 라디칼에 직접 또는 간접적으로 결합될 수 있는 R5, R6 치환기 중 하나는 질소 원자를 포함한다.
특히 바람직하게는, 화학식 (III) 및/또는 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 화합물은 탄화수소 또는 플루오르화 탄화수소, 바람직하게는 탄화수소이다.
이는 특히 화학식 (I), (II), (III) 및/또는 (IV) 의 구조에서, 하나 이상의 R1, R2, R3 및/또는 R4 라디칼이 하기 화학식 (R1-1) 내지 (R1- 45) 로부터 선택되는 기인 경우일 수 있다:
[식 중, 사용된 기호는 하기와 같음:
Y 는 O, S 또는 NR5 이고;
j 는 독립적으로 각 경우에 0, 1, 2 또는 3 이고;
h 는 독립적으로 각 경우에 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
g 는 독립적으로 각 경우에 0, 1, 2, 3, 4 또는 5 이고:
점선은 부착 위치를 표시하고;
R5 는 특히 화학식 (I) 에 대해 상기 정의된 바와 같음].
더 바람직하게는, 화학식 (I), (II), (III) 및/또는 (IV) 의 구조에서 R1, R2, R3 및/또는 R4 라디칼 중 둘 이상 및 특히 바람직하게는 모두는 H, D, F, 탄소수가 1 내지 20 이고 수소 원자가 또한 F 로 대체될 수 있는 지방족 탄화수소 라디칼, 또는 화학식 (R1-1) 내지 (R1- 45) 로부터 선택되는 기이다.
언급된 화학식 (R1-1) 내지 (R1-45) 의 기 중에서, 화학식 (R1-1) 내지 (R1-37) 및 (R1-42) 내지 (R1-45) 의 기가 바람직하다. 언급된 화학식 (R1-1) 내지 (R1-45) 의 기 중에서, 또한 화학식 (R1-1) 내지 (R1-33) 및 (R1-42) 내지 (R1-45) 의 기가 특히 바람직하다. 화학식 (R1-1), (R1-3), (R1-5), (R1-6), (R1-15), (R1-29), (R1-31), (R1-32), (R1-42), (R1-43), (R1-44) 및/또는 (R1-45) 의 기가 매우 특히 바람직하다.
이는 또한 화학식 (R1-1) 내지 (R1-45) 의 구조에서 지수 g, h 및 j 의 합계가 각 경우에 3 이하, 바람직하게는 2 이하, 더 바람직하게는 1 이하인 경우일 수 있다. 가장 바람직하게는, 화학식 (R1-1) 내지 (R1-45) 의 구조 각각에서 지수 g, h 및 j 의 합계는 0 이다.
이는 특히 화학식 (I), (II), (III) 및/또는 (IV) 의 구조에서 하나 이상의 R5 라디칼이 탄소수 1 내지 20 의 지방족 히드로카르빌 라디칼로부터 선택되고, 수소 원자가 F 로 또한 대체될 수 있는 경우일 수 있다. 이러한 맥락에서, R5 라디칼은 바람직하게는 임의의 R6 치환기를 포함하지 않는다.
이는 또한 화학식 (R1-1) 내지 (R1-45) 의 구조에서, R5 라디칼이 H, F, 또는 탄소수가 1 내지 20 이고 수소 원자가 또한 F 로 대체될 수 있는 지방족 히드로카르빌 라디칼로부터 선택되는 기인 경우일 수 있다. 이러한 맥락에서, R5 라디칼은 바람직하게는 임의의 R6 치환기를 포함하지 않는다.
특정 구현예에서, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물 또는 화학식 (I), (II), (III) 및/또는 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 것은, DIN EN ISO 11357-1 및 DIN EN ISO 11357-2 에 따라 측정되는 유리 전이 온도가 적어도 70 ℃, 더 바람직하게는 적어도 110 ℃, 보다 더 바람직하게는 적어도 125 ℃, 특히 바람직하게는 적어도 150 ℃ 이다.
바람직한 화학식 (I) 내지 (IV) 의 화합물의 예는 아래 도시된 구조 (1) 내지 (46) 이다.
더 바람직하게는, 화학식 (I) 및/또는 화학식 (II) 의 구조를 포함하는 화합물 또는 화학식 (I), (II), (III) 및/또는 화학식 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 것은 넓은 밴드 갭 물질일 수 있다.
바람직하게는, 화학식 (I) 및/또는 화학식 (II) 의 구조를 포함하는 화합물 또는 화학식 (I), (II), (III) 및/또는 화학식 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 것은, 2.5 eV 이상, 바람직하게는 3.0 eV 이상, 매우 바람직하게는 3.5 eV 이상의 밴드 갭을 가질 수 있다. "넓은 밴드 갭" 물질은 본 발명의 맥락에서 3.0 eV 이상의 밴드 갭을 갖는 물질을 나타낸다. 밴드 갭을 계산하는 한 방식은 최고 점유 분자 오비탈 (HOMO) 및 최저 비점유 분자 오비탈 (LUMO) 의 에너지 수준을 통한다.
물질의 HOMO 및 LUMO 에너지 및 삼중항 수준 및 단일항 수준은 양자-화학 계산을 통해 측정된다. 이러한 목적으로, 본 발명의 경우에, "Gaussian09, Revision D.01" 소프트웨어 패키지 (Gaussian Inc.) 가 사용된다. 금속 없는 유기 성분의 계산을 위해 ("org." 방법으로 나타냄), 기하학 최적화가 전하 0 및 다중도 1 을 사용하여 반경험적 방법 AM1 에 의해 먼저 수행된다 (가우스 인풋 라인 (Gaussian input line) "# AM1 opt"). 이후, 최적화된 기하학을 기초로, 단일-지점 에너지 계산이 전자 바닥 상태 및 삼중항 수준에 대해 실행된다. 이는 6-31G(d) 기저계 (basis set) (가우스 인풋 라인 "# B3PW91/6-31G(d) td=(50-50,nstates=4)") (전하 0, 다중도 1) 와 함께 TDDFT (시간 종속 밀도 함수 이론 (time dependent density functional theory)) 방법 B3PW91 을 사용하여 이루어진다. 유기금속 화합물 ("M-org." 방법으로 나타내어짐) 의 경우, 기하학은 Hartree-Fock 방법 및 LanL2MB 기저계에 의해 최적화된다 (가우스 인풋 라인 "#HF/LanL2MB opt") (전하 0, 다중도 1). 에너지 계산은 "LanL2DZ" 기저계가 금속 원자에 대해 사용되고 "6-31G(d)" 기저계가 리간드에 대해서 사용된 것을 제외하고는, 유기 성분에 관한 것과 유사하게 상기 기재된 바와 같이 실행된다 (가우스 인풋 라인 "# B3PW91/gen pseudo=lanl2 td=(50-50,nstates=4)". 에너지 계산으로부터, HOMO 는 2 개의 전자에 의해 점유된 마지막 오비탈 (alpha occ. 고유값) 로서 얻어지고, LUMO 는 Hartree 단위로 제 1 비점유 오비탈 (alpha virt. 고유값) 로서 얻어지는데, 여기서 HEh 및 LEh 는 Hartree 단위로의 HOMO 에너지 및 Hartree 단위로의 LUMO 에너지를 각각 나타낸다. 이는 하기와 같이 순환 전압전류법 측정에 의해 보정된 전자 볼트로의 HOMO 및 LUMO 값을 측정하는데 사용된다:
HOMO(eV) = (HEh*27.212)*0.8308-1.118
LUMO(eV) = (LEh*27.212)*1.0658-0.5049
이러한 값은 이러한 출원의 맥락에서 물질의 HOMO 및 LUMO 로서 여겨진다. 두 값 사이의 차이의 규모는 본 출원의 맥락에서 밴드 갭으로서 여겨진다.
물질의 삼중항 수준 T1 은 양자-화학 에너지 계산에 의해 밝혀진 최저 에너지를 갖는 삼중항 상태의 상대적 여기 에너지 (eV) 로 정의된다.
물질의 단일항 수준 S1 은 양자-화학 에너지 계산에 의해 밝혀진 제 2-최저 에너지를 갖는 단일항 상태의 상대적 여기 에너지 (eV) 로서 정의된다.
에너지적 최저 단일항 상태는 S0 로 나타내어진다.
본원에 기재된 방법은 사용된 소프트웨어 패키지에 독립적이다. 이러한 목적으로 흔히 이용된 프로그램의 예는 "Gaussian09" (Gaussian Inc.) 및 Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.) 이다. 본 발명의 경우에, 에너지는 사전-프로그래밍된 매개변수의 세트와 함께 소프트웨어 패키지 "Gaussian09, Revision D.01" 을 사용하여 계산된다.
화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하거나, 화학식 (I), (II), (III) 또는 (IV) 로 나타내어질 수 있는 본 발명의 화합물은, 당업자에게 통상적인 지식인 합성 단계에 의해 제조될 수 있다. 사용된 출발 화합물은 예를 들어 3,3'-디브로모벤조페논 (J. Mater. Chem. C 2014, 2028-2036) 일 수 있다. 이는 예를 들어 치환 또는 비치환 2-리티오바이페닐과의 반응에 의해 도식 1 에 따라 전환되어, 상응하는 트리아릴메탄올을 생성할 수 있고, 이는 이후 산성 조건 하에, 예를 들어 아세트산 및 미네랄 산 예컨대 히드로겐 브로마이드의 존재 하에 환화된다. 이러한 반응에 필요한 오르가노리튬 화합물은 알킬리튬 화합물 예컨대 n-부틸리튬을 사용한 상응하는 2-브로모바이페닐 화합물의 트랜스금속화에 의해 제조될 수 있다. 유사한 방식으로, 당연히 상응하는 Grignard 화합물을 사용할 수 있다.
도식 1
이에 따라 수득된 디브로마이드는 당업자에 공지된 방법에 의해 추가로 전환될 수 있다. 예를 들어, 보론산을 사용한 팔라듐-촉매작용 반응 (스즈키 커플링 (Suzuki coupling)) 또는 오르가노주석 화합물을 사용한 팔라듐-촉매작용 반응 (네기시 커플링 (Negishi coupling)) 은 본 발명의 방향족 또는 헤테로방향족 화합물을 야기한다. 도식 2 에 따르면, 2 당량으로 디브로마이드의 반응에 의해, 대칭적으로 치환된 9,9-디페닐플루오렌을 제조할 수 있다. 도식 3 및 4 에 따르면, 유사한 방식으로 3 개의 생성물의 혼합물을 수득할 수 있고, 이 중 하나는 각 경우에 9,9-디페닐플루오렌에 대해 비대칭적으로 치환된다. 이러한 혼합물은 이후 크로마토그래피에 의해 분리될 수 있다.
도식 2
도식 3
도식 4
도식 4 에 따라 형성된 모노브로모 화합물은 예를 들어 또다른 커플링 반응에 의해 추가 치환될 수 있다. 또한, 도식 5 에 따라 남은 브롬 기를, 예를 들어 오르가노리튬 화합물 예컨대 n-부틸리튬을 사용한 트랜스금속화, 및 양성자 공급원 예컨대 물을 사용한 후속 반응에 의해 수소 라디칼로 전환할 수 있다.
도식 5
본 발명은 또한 치환 또는 비치환 2-리티오바이페닐 또는 상응하는 Grignard 화합물과 3,3'-디브로모벤조페논을 반응시켜 트리아릴메탄올을 생성하는 단계, 이후 산성 조건 하의 환화 단계 및 임의로는 이후 브롬 기의 추가 전환 단계를 포함하는, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물, 또는 화학식 (I), (II), (III) 또는 (IV) 로 나타내어질 수 있는 것을 제조하는 방법을 제공한다.
본 발명은 보다 또한 본 발명의 화합물 및 하나 이상의 추가 유기적 기능성 물질을 포함하는 조성물을 제공한다. 추가 유기적 기능성 물질은 본 발명의 화합물과 상이하다. 기능성 물질은 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입된 유기 또는 무기 물질이다. 바람직하게는, 유기적 기능성 물질은 형광 방사체, 인광 방사체, 호스트 물질, 매트릭스 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질, 정공 전도체 물질, 정공 주입 물질, 전자 차단제 물질 및 정공 차단제 물질로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명은 또한 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조 하나 이상을 포함하는 화합물 또는 상기 및 하기에 상술된 바람직한 구현예, 및 하나 이상의 방사체, 및 전자 수송 물질 및 정공 전도체 물질로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물을 포함하는 조성물을 제공한다. 방사체는 형광 방사체 및 인광 방사체를 포함하고, 또한 형광 방사체 및 인광 방사체의 혼합물을 사용할 수 있다. 인광 방사체가 바람직하다.
본 발명은 보다 또한 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조 하나 이상을 포함하는 화합물 또는 바람직한 구현예, 및 하나 이상의 유기 용매를 포함하는 용액을 제공한다. 이러한 유형의 용액은, 예를 들어 스핀-코팅 또는 인쇄 방법에 의한 용액으로부터의 유기 전자 소자의 생성에 필요하다.
이러한 목적으로, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합한 및 바람직한 용매는 예를 들어 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, α-펜콘, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 헥사메틸인단, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, 메틸 벤조에이트, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄 또는 이러한 용매의 혼합물이다.
따라서 본 발명은 또한 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조 하나 이상을 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물, 및 하나 이상의 용매, 특히 유기 용매를 포함하는 제형을 제공한다. 이러한 제형은 바람직하게는 용액, 현탁액 또는 미니에멀전, 특히 용액을 포함한다. 상기 용액이 제조될 수 있는 방식은 당업자에 공지되어 있고, 예를 들어 WO 02/072714, WO 03/019694 및 여기서 언급된 문헌에 기재되어 있다.
화학식 (I) 의 구조 하나 이상을 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 본 발명의 화합물은, 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED) 에서 사용하는데 적합하다. 치환기에 따라, 화합물은 상이한 기능으로 및 층에서 사용된다. 이러한 경우, 바람직한 구현예는 상기 언급된 화학식에 해당한다.
따라서 본 발명은 또한 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물 또는 화학식 (I), (II), (III) 및/또는 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 것의 용도를 제공한다.
본 발명은 보다 또한 전자 소자, 특히 유기 전계발광 소자에서, 특히 넓은 밴드 갭 물질로서의, 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물 또는 화학식 (III) 및/또는 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 것의 용도를 제공한다.
본 발명은 또한 하나 이상의 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물 또는 화학식 (III) 및/또는 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 것을 포함하는 전자 소자를 제공하고, 여기서 전자 소자는 바람직하게는 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED), 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 또는 유기 광수용체로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명은 보다 또한 방사층 또는 또다른 층일 수 있는 하나 이상의 유기 층이 하나 이상의 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 화합물 또는 화학식 (III) 및/또는 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 것을 포함함을 특징으로 하는, 하나 이상의 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하거나 화학식 (III) 및/또는 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 화합물을 포함하는 유기 전자 소자, 특히 애노드, 캐소드 및 하나 이상의 방사층을 포함하는 유기 전계발광 소자를 제공한다.
또한, 본 발명은 또한 하나 이상의 화학식 (I) 및/또는 (II) 의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물 또는 화학식 (III) 및/또는 (IV) 로 나타내어질 수 있는 것, 및 하나 이상의 인광 방사체 및 본 발명의 화합물과 상이한 하나 이상의 매트릭스 물질을 포함하는 방사층을 포함하는 유기 전계발광 소자를 제공한다. 바람직하게는, 추가 매트릭스 물질은 정공- 및/또는 전자-전도성 매트릭스 물질일 수 있고, 특히 정공-전도성 및 전자-전도성 특성을 모두 갖는 "쌍극성" 매트릭스 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 본 발명의 화합물은 넓은 밴드 갭 물질의 특성을 갖고, 추가 매트릭스 물질은 정공- 및/또는 전자-전도성이다.
캐소드, 애노드 및 방사층 이외에, 유기 전계발광 소자는 또한 추가 층을 포함할 수 있다. 이는 예를 들어 각 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단제 층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전자 차단제 층, 여기 차단제 층, 전하 생성 층 (IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer) 및/또는 유기 또는 무기 p/n 접합부로부터 선택된다. 또한 층, 특히 전하 수송층은 또한 도핑될 수 있다. 층의 도핑은 개선된 전하 수송에 유리할 수 있다. 그러나, 이러한 층 모두가 반드시 존재할 필요는 없고 층의 선택은 항상 사용된 화합물 및 특히 또한 소자가 형광 또는 인광 전계발광 소자인지 여부에 가변적임이 이해되어야 한다.
본 발명의 추가 바람직한 구현예에서, 유기 전계발광 소자는 둘 이상의 방사층을 포함하는데, 하나 이상의 유기층은 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조 하나 이상을 포함하는 화합물 또는 상기 상술된 바람직한 화합물 중 하나를 포함한다. 더 바람직하게는, 이러한 방사층은 전체적으로 380 nm 내지 750 nm 의 여러 방사 최대치를 가져, 전체는 백색 방사를 야기하는데; 다른 말로는, 형광 또는 인광일 수 있고 청색 및 황색, 오렌지색 또는 적색 광을 방사하는 다양한 방사성 화합물이 방사층에서 사용된다. 특히 바람직한 것은 3층 시스템, 즉 3 개의 방사층을 갖는 시스템이고, 여기서 이러한 층 중 하나 이상은 화학식 (I) 의 구조 하나 이상을 포함하는 하나 이상의 화합물을 포함하고, 여기서 3 개의 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방사를 나타낸다 (기본 구조에 대해서는, 예를 들어 WO 05/011013 참조). 방사체는 또한 백색 방사가 넓은 방사 밴드를 갖는 것이고 그 결과 백색 방사를 나타내는데 적합하다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물은, 방사층에서 형광 또는 인광 화합물을 위한 매트릭스 물질로서 사용된다. 형광 화합물을 위한 매트릭스 물질에서, 바람직하게는 하나 이상의 R1, R2, R3 및/또는 R4 기는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 특히 안트라센을 함유하는 방향족 고리계이다. 동일한 바람직한 사항이 상기 언급된 화학식의 구조에서 R1, R2, R3 및/또는 R4 기에 적용된다.
매트릭스 및 도펀트로 구성된 시스템에서 매트릭스 물질은, 구성성분이 시스템에서 더 높은 비율로 존재하는 것을 의미하는 것으로 이해된다. 매트릭스 및 둘 이상의 도펀트로 구성된 시스템에서, 매트릭스는 구성성분이 혼합물에서 가장 높은 비율을 갖는 것을 의미하는 것으로 이해된다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 사용된 매트릭스는 혼합물의 하나 이상의 구성성분이 화학식 (I) 의 화합물이거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물인 혼합물이다. 바람직하게는, 이러한 혼합물의 한 구성성분은 정공 수송 화합물 및 다른 전자 수송 화합물이다. 바람직한 정공 수송 화합물은 방향족 아민 및 카르바졸 유도체이다. 바람직한 전자 수송 화합물은 트리아진 유도체이다.
한 구현예에서, 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물이 방사체와의 혼합물에서 단독 매트릭스 물질로서 사용된다. 본 발명의 추가 구현예에서, 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물은 추가 매트릭스 물질 및 방사체와 함께 혼합물의 형태로 사용된다. 바람직하게는, 이러한 매트릭스 물질의 혼합물의 한 구성성분은 정공 수송 화합물 및 다른 전자 수송 화합물이다. 특히 바람직하게는, 이러한 매트릭스 물질의 혼합물의 한 구성성분은, 화학식 (I) 의 구조 하나 이상을 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 넓은 밴드 갭 물질을 포함한다.
화학식 (I) 의 구조 하나 이상을 포함하는 화합물과 함께 사용될 수 있는 바람직한 전자-전도성 화합물은 WO 2014/094964 에 기재된 것, 특히 바람직한 LUMO 가 -2.4 eV 이하인 전자-전도성 화합물을 포함한다.
LUMO 가 -2.4 eV 이하인 적합한 전자-전도성 화합물의 예는 아래 표에 도시된 화합물이다:
하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물이 방사층에서 방사성 화합물용 매트릭스 물질로서 사용되는 경우, 이는 하나 이상의 인광 물질 (삼중항 방사체) 와의 조합으로 사용될 수 있다. 인광은 본 발명의 맥락에서 더 높은 스핀 다중도, 즉 1 초과의 스핀 상태를 갖는 여기된 상태, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 발광을 의미하는 것으로 이해된다. 본 발명의 맥락에서, 모든 이리듐, 백금, 오스뮴, 금 및 구리 화합물, 특히 발광하는 것은 인광 물질로서 나타내어진다. 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물 및 방사성 화합물의 혼합물은, 방사체 및 매트릭스 물질의 전제 혼합물을 기준으로, 99 중량% 내지 1 중량%, 바람직하게는 98 중량% 내지 10 중량%, 더 바람직하게는 97 중량% 내지 60 중량%, 특히 95 중량% 내지 70 중량% 의 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물을 함유한다. 상응하여, 혼합물은 방사체 및 매트릭스 물질의 전체 혼합물을 기준으로 1 중량% 내지 99 중량%, 바람직하게는 2 중량% 내지 90 중량%, 더 바람직하게는 3 중량% 내지 40 중량%, 특히 5 중량% 및 30 중량% 의 방사체를 함유한다. 단지 하나의 방사체보다는 둘 이상의 방사체의 혼합물의 사용의 경우에, 이러한 바람직한 사항은 상응하여 방사층에서의 방사체의 총 비율에 적용된다.
적합한 인광 화합물 (= 삼중항 방사체) 는 특히 적합하게 여기되었을 때 바람직하게는 가시광 영역의 빛을 방사하고, 또한 20 초과, 바람직하게는 38 초과, 및 84 미만, 더 바람직하게는 56 초과 및 80 미만의 원자 번호의 원자 하나 이상을 함유하는 화합물이다. 사용된 바람직한 인광 방사체는 구리, 몰리브데늄, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다.
상기 기재된 방사체의 예는 출원 WO 00/70655, WO 01/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 2005/033244, WO 2014/023377, WO 2015/104045, WO 2015/117718 또는 아직 미공개된 출원 EP 15000307.7 에서 찾을 수 있다. 또한, 적합한 방사체는 상술된 본 발명의 화합물이다. 일반적으로, 선행 기술에 따르고 유기 전계발광 분야의 당업자에 공지된 인광 OLED 에 사용된 모든 인광 착물이 적합하고, 당업자는 진보적 기술을 발휘하지 않고도 추가 인광 착물을 사용할 수 있을 것이다.
적합한 인광 화합물의 예는 아래 표에 도시되어 있다:
더 바람직하게는, 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물은 추가 매트릭스 물질, 예를 들어 전자- 및/또는 정공-전도성 매트릭스 물질, 및 인광 화합물과의 조합으로 매트릭스 물질로서 사용될 수 있다. 이러한 조합의 한 구현예에서, 본 발명의 화합물은 바람직하게는 상기 및 하기에 상세히 기재된 넓은 밴드 갭 물질로서 효과적이다. 여기서 추가 매트릭스 물질은 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물, 또는 본 발명의 화합물과 상이한 화합물일 수 있다. 바람직하게는, 방사층에서 매트릭스 물질의 총 비율은, 방사체 및 매트릭스 물질의 전체 혼합물을 기준으로 99 내지 1 중량%, 바람직하게는 98 내지 10 중량%, 더 바람직하게는 97 내지 60 중량%, 특히 95 내지 70 중량% 의 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물이다. 상응하여, 혼합물은 방사체 및 매트릭스 물질의 전체 혼합물을 기준으로 1 내지 99 중량%, 바람직하게는 2 내지 90 중량%, 더 바람직하게는 3 내지 40 중량%, 특히 5 내지 30 중량% 의 방사체를 함유한다. 단지 하나의 방사체보다는 둘 이상의 방사체의 혼합물의 사용의 경우에, 이러한 바람직한 한계치는 방사층에서의 방사체의 총 비율에 상응하여 적용된다. 본 발명의 매트릭스 물질의 비율은 매트릭스 물질을 기준으로, 바람직하게는 5 내지 95 중량%, 특히 20 내지 85 중량%, 특히 바람직하게는 50 내지 75 중량% 범위이다. 이에 따라, 전자- 및/또는 정공-전도성 매트릭스 물질로서 사용된 화합물의 비율은 매트릭스 물질을 기준으로 95 내지 5 중량%, 특히 바람직하게는 80 내지 15 중량% 범위, 특히 바람직하게는 50 내지 25 중량% 범위이다.
하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물이 형광 화합물용 매트릭스 물질로서 사용되는 경우, 방사층에서 매트릭스 물질의 비율은 50.0 내지 99.9 중량%, 바람직하게는 80.0 내지 99.5 중량%, 더 바람직하게는 90.0 내지 99.0 중량% 이다. 상응하여, 도펀트의 비율은 0.1 내지 50.0 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 20.0 중량%, 더 바람직하게는 0.5 내지 15 중량%, 가장 바람직하게는 1.0 내지 10.0 중량% 이다.
바람직한 도펀트는 모노스티릴아민, 디스티릴아민, 트리스티릴아민, 테트라스티릴아민, 스티릴포스핀, 스티릴 에테르 및 아릴아민의 부류로부터 선택된다. 모노스티릴아민은 하나의 치환 또는 비치환 스티릴 기 및 하나 이상의 바람직하게는 방향족 아민을 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 디스티릴아민은 2 개의 치환 또는 비치환 스티릴 기 및 하나 이상의 바람직하게는 방향족 아민을 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 트리스티릴아민은 3 개의 치환 또는 비치환 스티릴 기 및 하나 이상의 바람직하게는 방향족 아민을 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 테트라스티릴아민은 4 개의 치환 또는 비치환 스티릴 기 및 하나 이상의 바람직하게는 방향족 아민을 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 스티릴 기는 더 바람직하게는 보다 추가 치환기를 또한 가질 수 있는 스틸벤이다. 상응하는 포스핀 및 에테르는 아민과 유사하게 정의된다. 아릴아민 또는 방향족 아민은 본 발명의 맥락에서 질소에 직접 결합된 3 개의 치환 또는 비치환 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 함유하는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 바람직하게는, 이러한 방향족 또는 헤테로방향족 고리계 중 하나 이상은 바람직하게는 적어도 14 개의 방향족 고리 원자를 갖는 융합 고리계이다. 이의 바람직한 예는 방향족 안트라센아민, 방향족 안트라센디아민, 방향족 피렌아민, 방향족 피렌디아민, 방향족 크리센아민 또는 방향족 크리센디아민이다. 방향족 안트라센아민은 디아릴아미노 기가 바람직하게는 9 위치에서 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 안트라센디아민은 2 개의 디아릴아미노 기가 바람직하게는 9,10 위치에서 안트라센 기에 직접 결합되는 화합물을 의미하는 것으로 이해된다. 방향족 피렌아민, 피렌디아민, 크리센아민 및 크리센디아민은 유사하게 정의되는데, 여기서 디아릴아미노 기는 바람직하게는 1 위치 또는 1,6 위치에서 피렌에 결합된다. 추가 바람직한 도펀트는 인데노플루오렌아민 및 -플루오렌디아민 (예를 들어 WO 06/122630 에 따름), 벤조인데노플루오렌아민 및 -플루오렌디아민 (예를 들어 WO 08/006449 에 따름), 및 디벤조인데노플루오렌아민 및 -플루오렌디아민 (예를 들어 WO 07/140847 에 따름) 로부터 선택된다. 스티릴아민의 부류로부터의 도펀트의 예는 치환 또는 비치환 트리스틸벤아민 또는 WO 06/000388, WO 06/058737, WO 06/000389, WO 07/065549 및 WO 07/115610 에 기재된 도펀트이다. 추가 적합한 형광 도펀트는 WO 2010/012328 에 개시된 융합 방향족 탄화수소이다.
본 발명의 추가 구현예에서, 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하거나 바람직한 구현예에 따르는 화합물은 정공 수송 물질 또는 정공 주입 물질 또는 전자 차단제 물질 또는 여기 차단제 물질로서 사용된다. 이 경우에, 화합물은 바람직하게는 하나 이상의 N(Ar)2 기, 바람직하게는 적어도 2 개의 N(Ar)2 기에 의해 치환되고, 및/또는 이는 정공 수송을 개선시키는 추가 기를 함유한다. 화합물은 바람직하게는 정공 수송층 또는 정공 주입층 또는 전자 차단제 층 또는 여기 차단제 층에서 사용된다. 정공 주입층은 본 발명의 맥락에서 애노드에 바로 인접하는 층이다. 정공 수송층은 본 발명의 맥락에서 정공 주입층과 방사층 사이의 층이다. 전자 차단제 층 또는 여기 차단제 층은 본 발명의 맥락에서 애노드 측 상의 방사층에 바로 인접하는 층이다. 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물이 정공 수송 물질 또는 정공 주입 물질로서 사용되는 경우, 이는 이들이 전자 수용체 화합물, 예를 들어 F4-TCNQ 또는 EP 1476881 또는 EP 1596445 에 기재된 화합물로 도핑될 때 바람직할 수 있다.
본 발명의 보다 추가 구현예에서, 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물은 전자 수송층 또는 정공 차단제 층에서 전자 수송 물질 또는 정공 차단제 물질로서 사용된다. 여기서 치환기 중 하나 이상이, 전자-결핍 헤테로사이클, 예를 들어 이미다졸, 피라졸, 티아졸, 벤지미다졸, 벤조티아졸, 옥사디아졸, 벤조티아디아졸, 페난트롤린, 등이거나, 또는 C(=O)Ar, P(=O)Ar2, S(=O)Ar 또는 S(O)2Ar 인 헤테로아릴 기인 경우가 바람직하다. 또한 화합물이 전자 공여체 화합물로 도핑되는 경우가 바람직할 수 있다. 정공 차단제 층은 본 발명의 맥락에서 방사층과 전자 수송층 사이에 배치되고, 방사층에 바로 인접하는 층이다. 하나 이상의 화학식 (I) 구조를 포함하는 화합물이 전자 수송 물질로서 사용되는 경우, 이를 추가 화합물과의 혼합물로서 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 바람직한 혼합물 구성성분은 알칼리 금속 화합물, 바람직하게는 리튬 화합물, 더 바람직하게는 Liq (리튬 퀴놀리네이트) 또는 Liq 유도체이다.
추가로 바람직한 것은 하나 이상의 층이 승화 공정에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는, 유기 전계발광 소자이다. 이러한 경우, 물질은 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 압력 하에 진공 승화 시스템에서 증착에 의해 적용된다. 그러나, 압력이 또한 보다 낮을 수 있다는 것 (예를 들어 10-7 mbar 미만) 에 유의해야 한다.
하나 이상의 층이 OVPD (유기 증기 상 침착) 방법에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 또한 바람직하다. 이러한 경우, 물질은 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이러한 방법의 특수한 경우는 OVJP (유기 증기 제트 인쇄) 방법이고, 여기서 물질은 노즐에 의해 직접 적용되고 이에 따라 구조화된다 (예를 들어, M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
또한 하나 이상의 층이 예를 들어 스핀-코팅, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄 또는 오프셋 인쇄, 더 바람직하게는 LITI (광-유도 열 이미징, 열 전사 인쇄) 또는 잉크젯 인쇄에 의해 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는, 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 이러한 목적을 위해, 가용성 화합물이 요구된다. 높은 용해도는 화합물의 적합한 치환에 의해 달성될 수 있다. 여기서 단지 개별적 물질의 용액 뿐만 아니라 또한 복수의 화합물, 예를 들어 매트릭스 물질 및 도펀트를 함유하는 용액을 적용할 수 있다.
유기 전계발광 소자는 또한 용액으로부터 하나 이상의 층을 적용하고 증착에 의해 하나 이상의 다른 층을 적용함으로써 혼성 시스템으로서 제조될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물 및 인광 도펀트를 포함하는 방사층을 용액으로부터 적용하고, 여기에 감압 하에 증착에 의하여 정공 차단제 층 및/또는 전자 수송층을 적용하는 것이 가능하다. 또한 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물 및 인광 도펀트를 포함하는 방사층을 감압 하에 증착에 의해 적용하고, 용액으로부터 하나 이상의 다른 층을 적용할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 또한 예를 들어 용액으로부터 방사층을 적용하고, 여기에 감압 하에 증착에 의하여 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물을 임의로는 유기 알칼리 금속 화합물과의 조합으로 포함하는 전자 수송층을 적용하는 것이 가능하다.
이러한 방법은 당업자에게 일반적인 용어로 공지되어 있고, 하나 이상의 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물 또는 상기 상술된 바람직한 구현예를 포함하는 유기 전계발광 소자에 대해 어려움 없이 당업자에 의해 적용될 수 있다.
본 발명의 화합물은 유기 전계발광 소자에서 사용될 때 선행 기술을 뛰어넘는 하기의 놀라운 이점을 갖는다:
1. 본 발명의 화합물은 높은 열 안정성을 갖고 분해 없이 승화될 수 있음.
2. 본 발명의 화합물은 표준 유기 용매, 예를 들어 톨루엔 중의 높은 용해도 및 매우 양호한 필름 형성 특성을 갖고, 이에 따라 용액으로부터의 가공에 특히 양호한 적합성을 가짐.
3. 본 발명의 화합물은 특히 넓은 밴드 갭 물질로서 적합하고, 효율의 개선을 야기함.
4. 본 발명의 화합물에 의해 제조된 OLED 는 일반적으로 매우 긴 수명을 가짐.
5. 본 발명의 화합물에 의해 제조된 OLED 는 일반적으로 매우 높은 양자 효율을 가짐.
본 출원 본문은 OLED 및 PLED 및 상응하는 디스플레이와 관련한 본 발명의 화합물의 사용을 목표로 한다. 이러한 상세한 설명의 제한에도 불구하고, 당업자는 추가 진보적 활동 없이 또한 다른 전자 소자, 예를 들어 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 또는 유기 광수용체에서 본 발명의 화합물을 사용할 수 있다.
상응하는 소자에서 본 발명의 화합물의 용도, 및 또한 이러한 소자 자체는 또한 본 발명의 주제의 일부를 이룬다.
본 발명은 이하의 실시예에 의해 더 상세하게 기재되나, 이에 의해 본 발명을 제한할 어떠한 의도도 없다. 당업자는 진보적 기술을 발휘하지 않고도, 본 발명의 추가 화합물을 제조하고 유기 전자 전계발광 소자에서 이를 사용할 수 있다.
실시예
모든 합성은 달리 나타내지 않는 한, 아르곤 분위기 및 건조 용매 중에서 실시된다. 문헌으로부터 공지된 구성성분에 대하여 괄호 안의 수치는 상응하는 CAS 번호이다.
파트 A: 본 발명의 화합물의 제조
A.1 3,3'-디브로모벤조페논
K1
의 제조
3,3'-디브로모벤조페논 K1 은 J. Mater. Chem. C 2014, 2, 2028-2036 에 따라 제조될 수 있다.
A.2 9,9-비스(3-브로모페닐)플루오렌
F(Br)
2
의 제조
640 ml 의 톨루엔, 520 ml 의 테트라히드로푸란 및 60 ml 의 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르의 혼합물 중 2-브로모바이페닐 (80.0 g, 343 mmol) 및 1,2-디브로모에탄 (3.6 ml, 43 mmol) 의 용액 약 10 ml 에, 8.8 g 의 마그네슘 (334 mmol) 을 첨가하고, 가열한다. 반응의 개시 이후, 가열을 제거하고, 남은 용액을 환류가 유지되는 방식으로 적가한다. 첨가 완료시에, 혼합물을 1 h 동안 환류까지 가열시킨다. 이후, 가벼운 환류 하에, 800 ml 의 테트라히드로푸란 중 케톤 K1 (80.0 g, 235 mmol) 의 용액을 적가하고, 혼합물을 5 h 동안 환류 하에 교반한다. 가열을 제거하고, 혼합물을 14 h 동안 교반한다. 용매를 회전 증발기에서 완전히 제거한다. 남은 잔여물을, 빙초산 920 ml 및 아세트산 중 히드로겐 브로마이드의 33 % 용액 13.2 ml 의 혼합물에 용해시키고, 6 h 동안 환류까지 가열한다. 가열의 제거 이후, 혼합물을 16 h 동안 교반한다. 형성된 고체 물질을 흡입 여과하고, 약 150 ml 의 빙초산으로 및 매 회 250 ml 의 에탄올로 3 회 세척한 후, 진공 건조 캐비넷에서 건조시킨다. 이는 1H NMR 에 의해 약 99 % 의 순도를 갖는 담회색 고체로서 생성물 101.6 g (213 mmol, 이론의 91%) 을 남긴다.
유사한 방식으로, 케톤 K1 및 적절한 브로마이드로부터 하기 화합물 BuF(Br) 2 을 제조할 수 있다:
A.3 치환 9,9-디페닐플루오렌 유도체의 제조
이하 기재된 합성에서 사용된 보론산 및 보론산 에스테르는 하기 표에 요약되어 있다:
A.3.1
F(BS1)
2
의 제조
9,9-비스-(3-브로모페닐)플루오렌 F(Br) 2 (15.4 g, 32.4 mmol), 2-[3-(3,5-디페닐페닐)페닐]-4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥소보롤란 (28.7 g, 66.4 mmol), 1.87 g 의 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0) 및 100 ml 의 수중 테트라에틸암모늄 히드록시드 20% 용액을, 14 h 동안 350 ml 의 테트라히드로푸란 중에서 환류 하에 가열한다. 냉각 이후, 용매를 회전 증발기에서 제거한다. 남은 잔여물을 알루미나의 층 (염기성, 활성 레벨 1) 을 통해 약 300 ml 의 에틸 아세테이트로 가열-추출한다. 가열을 제거한 후에, 혼합물을 추가 48 h 동안 실온에서 교반한다. 형성된 고체 물질을 흡입 여과하고, 톨루엔으로부터 5 회 재결정화하고, 마지막으로 2 회 분별 승화 (390 ℃, p 약 10-5 mbar) 시킨다. 이는 HPLC 에 의해 99.9 % 의 순도를 갖는 무색 고체로서 10.2 g (11.0 mmol, 이론의 34%) 을 남긴다.
유사한 방식으로, 하기 화합물을 제조할 수 있다:
A.3.2 비대칭적 치환된 9,9-디페닐플루오렌의 제조
방법 A)
9,9-디페닐플루오렌의 거울 평면에 대하여 비대칭적으로 치환된 화합물은, 아래 도식에 의해 예로써 나타낸 바와 같이, 3 개의 생성물의 혼합물로서 각각 0.55 당량의 2 개의 상이한 보론산 및/또는 보론산 에스테르 (표 1 에서 붕소 A 및 붕소 B) 와 F(Br) 2 의 동시 반응에 의해 F(BS1) 2 의 제조와 유사하게 수득될 수 있다:
이러한 혼합 치환의 미정제 생성물은 크로마토그래피 (예를 들어 CombiFlash Torrent, A. Semrau 사제) 에 의해 분리될 수 있다. 이러한 목적에 적합한 크로마토그래피 매질 (media) 및 용리액 혼합물은 당업자에 공지되어 있다. 이에 따라 단리된 생성물은 임의로는 마지막으로 A.3.1 에 따른 F(BS1) 2 의 제조와 유사하게 재결정화 및/또는 승화에 의해 추가 정제될 수 있다.
표 1: 방법 A 에 의한 F(Br) 2 와 2 개의 보론산/보론산 에스테르 (붕소 A 및 붕소 B) 의 동시 반응으로부터의 생성물
보고된 수율은 각 경우에 크로마토그래피 분리 이후 및 괄호 안은 이의 승화 이후 단리된 생성물을 기준으로 한다.
방법 B)
9,9-디페닐플루오렌의 거울 평면에 대해 비대칭적으로 치환된 추가 화합물은, 하기 도식에 의해 예로써 나타내어지는 3 개의 생성물의 혼합물로서 F(Br)2 와 단지 0.5 당량의 보론산 또는 보론산 에스테르의 반응에 의해 방법 A 와 유사하게 수득될 수 있다.
이러한 아화학량론적 치환의 미정제 생성물은 크로마토그래피 (예를 들어 CombiFlash Torrent, A. Semrau 사제) 에 의해 분리될 수 있다. 이러한 목적에 적합한 크로마토그래피 매질 및 용리액 혼합물은 당업자에 공지되어 있다.
이에 따라 수득된 F(BS1)(Br) 은 추가 정제 없이, n-부틸리튬과의 반응 및 물을 수용한 후속 켄칭에 의해 F(BS1)(H) 를 제조하는데 사용될 수 있다:
F(BS1)(Br) (4.9 g, 7.0 mmol) 을 초기에 50 ml 의 테트라히드로푸란 중에 충전하고, -78 ℃ 로 냉각시킨다. 2.85 ml 의 n-부틸리튬 용액 (n-헥산 중 2.5 M, 7.1 mmol) 을 천천히 적가하고, 혼합물을 1 h 동안 교반한 후, 냉각을 제거한다. 약 0 ℃ 의 내부 온도에서, 1 ml 의 물을 적가한다. 혼합물을 1 h 동안 교반한 후, 나트륨 술페이트를 통해 건조시킨다. 유기 용매를 회전 증발기에서 제거한다. 잔여물을 톨루엔과 헵탄의 혼합물 (2:1 v/v) 로부터 1 회 재결정화한다. 최종 분별 승화 (340 ℃, p 약 10-5 mbar) 는 2.5 g 의 F(BS1)(H) (4.0 mmol, 이론의 57%) 를 HPLC 에 의해 99.9 % 의 순도를 갖는 무색 고체로서 남긴다.
파트 B: 소자 실시예
이미 문헌, 예를 들어 WO 2004/037887 에 완전한 용액-기반 OLED 의 제조의 상세한 설명이 많이 있다. WO 2004/058911 에서를 비롯하여, 진공-기반 OLED 의 제조의 이전의 상세한 설명이 또한 많이 있었다. 이하 논의되는 실시예에서, 용액-기반 및 진공-기반 방식으로 적용된 층은 OLED 내에서 조합되고, 이에 따라 방사층에 이르기까지 및 방사층을 포함하는 가공이 용액으로부터 실행되었고 후속 층 (정공 차단제 층 및 전자 수송층) 에서는 진공으로부터 실행되었다. 이러한 목적으로, 이전에 기재된 일반적 방법은 본원에 기재된 상황에 매칭되고 하기와 같이 결합된다:
구성성분의 구조는 하기와 같다:
- 기판
- ITO (50 nm)
- 정공 주입층 (HIL) (20 nm)
- 정공 수송층 (HTL) (20 nm)
- 방사층 (EML) (60 nm)
- 정공 차단제 층 (HBL) (10 nm)
- 전자 수송층 (ETL) (40 nm)
- 캐소드.
사용된 기판은 두께 50 nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 산화물) 로 코팅된 유리 플레이트이다. 더 양호한 가공을 위해, 이는 PEDOT:PSS (폴리(3,4-에틸렌디옥시-2,5-티오펜) 폴리스티렌술포네이트, Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG, Germany 사제) 로 코팅된다. PEDOT:PSS 는 공기 하에 물로부터 회전 (spin on) 되고, 이후 10 분 동안 180 ℃ 에서 공기 하에 베이킹되어, 잔여 물을 제거한다. 정공 수송층 및 방사층은 이러한 코팅된 유리 플레이트에 적용된다. 사용된 정공 수송층은 가교가능하다. 아래 나타낸 구조의 중합체가 사용되는데, 이는 WO 2010/097155 에 따라 합성될 수 있다.
정공 수송 중합체는 톨루엔 중에 용해된다. 상기 용액의 전형적 고체 함량은, 본원에서와 같이 소자의 전형적인 20 nm 의 층 두께가 스핀-코팅에 의해 달성될 때 약 5 g/l 이다. 층은 불활성 기체 분위기, 본 발명의 경우 아르곤에서 회전되고, 60 분 동안 180 ℃ 에서 베이킹된다.
방사층은 항상 하나 이상의 매트릭스 물질 (호스트 물질) 및 방사성 도펀트 (방사체) 로 구성된다. 또한, 복수의 매트릭스 물질 및 공동-도펀트의 혼합물이 발생할 수 있다. H1 (40%):H2 (40%):D (20%) 같은 형태로 주어진 상세한 사항은, 본원에서 물질 H1 이 40 % 의 중량비로 방사층에 존재하고, 물질 H2 가 또한 40 % 의 중량비로 존재하고, 도펀트 D 가 20 % 의 중량비로 존재함을 의미한다. 방사층을 위한 혼합물은 톨루엔 또는 임의로는 클로로벤젠에 용해된다. 상기 용액의 전형적 고체 함량은, 본원에서와 같이 소자의 전형인 60 nm 의 층 두께가 스핀-코팅에 의해 달성되는 경우에 약 18 g/l 이다. 층은 불활성 기체 분위기, 본 발명의 경우에 아르곤 하에 회전되고, 10 분 동안 160 ℃ 에서 베이킹된다. 사용된 물질은 표 2 및 3 에 열거되어 있고 - 이는 본 발명 실시예 및 비교예의 화합물 모두이다.
전자 수송층을 위한 물질은 진공 챔버에서 열 증착에 의해 적용된다. 전자 수송층은 예를 들어 하나 초과의 물질로 이루어질 수 있고, 물질은 특정 부피비로 공동-증발에 의해 서로 첨가된다. ETM1:ETM2 (50%:50%) 와 같은 형태로 주어진 상세한 사항은, 본원에서 ETM1 및 ETM2 물질이 각각 50 % 의 부피비로 층에 존재함을 의미한다. 본 발명의 경우에 사용된 물질은 표 2 에 나타나 있다.
캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층의 열 증발에 의해 형성된다.
OLED 는 표준 방식으로 특징지어진다. 이러한 목적으로, 전계발광 스펙트럼, 랑베르 방사 특징 (Lambertian radiation charateristic) 을 가정한 전류-전압-휘도 특징 (IUL 특징) 및 (작동) 수명이 측정된다. IUL 특징은, 매개변수 예컨대 특정 밝기에서의 작동 전압 U (V) 및 외부 양자 효율 (%) 을 측정하는데 사용된다. LD80 @ 10 000 cd/m2 는, 10 000 cd/m2 의 출발 밝기로 주어진 OLED 가 출발 세기의 80 %, 즉 8000 cd/m2 로 하락될 때까지의 수명이다. 다양한 OLED 의 광전자 특징은 표 5 에 수집되어 있다. 비교예는 선행 기술에 따른 비교예이고; 실시예 I1-I9 는 본 발명의 물질을 포함하는 OLED 의 데이터를 나타낸다. EML 에서 사용된 물질의 정확한 상세한 설명은 표 4 에서 찾을 수 있다.
실시예 중 일부가, 본 발명의 화합물의 이점을 설명하기 위해 이하에서 상세하게 설명된다.
표 2: OLED 에서 사용된 물질의 구조식 (본 발명의 물질 없음)
표 3: OLED 에서 사용된 본 발명의 물질의 구조식
표 4: 상이한 소자 실시예에서의 EML 혼합물 (실시예 Comp1 및 I1 내지 I6 에서는 RefH1, H2 및 DG 가 40:40:20 의 비율로 혼합되고; 실시예 Comp2 및 I7 내지 I9 에서는 20:54:20:6 의 비율로의 RefH1, H2, DG 및 DR 의 혼합물이 사용됨).
표 5: 본 발명의 물질을 포함하는 작업예
표 5 가 나타내는 바와 같이, 본 발명의 물질은 OLED 의 EML 에서 넓은 밴드 갭 물질로서 사용될 때 특히 수명 뿐만 아니라 또한 효율 및 작동 전압과 관련하여 선행 기술을 뛰어 넘는 개선을 야기한다.
Claims (15)
- 하나 이상의 하기 화학식 (I) 의 구조를 포함하는 화합물:
[식 중, 사용된 기호는 하기와 같음:
A1, A2, A3, A4 는 각 경우에 동일 또는 상이하고, N 또는 CR1, 바람직하게는 CR1 이고, 단 1 개의 사이클에서 A1, A2, A3, A4 기 중 둘 이하는 N 이고;
V1, V2, V3 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, N 또는 CR2, 바람직하게는 CR2 이고, 단 1 개의 사이클에서 V1, V2, V3 기 중 둘 이하는 N 이고;
W1, W2, W3 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, N 또는 CR3, 바람직하게는 CR3 이고, 단 1 개의 사이클에서 W1, W2, W3 기 중 둘 이하는 N 이고;
X1, X2, X3 는 각 경우에 동일 또는 상이하고, N 또는 CR4, 바람직하게는 CR4 이고, 단 1 개의 사이클에서 X1, X2, X3 기 중 둘 이하는 N 이고;
R1, R2, R3, R4 는 각 경우에 동일 또는 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR5)2, CHO, C(=O)R5, CR5=C(R5)2, CN, C(=O)OR5, C(=O)N(R5)2, Si(R5)3, N(R5)2, NO2, P(=O)(R5)2, OSO2R5, OR5, S(=O)R5, S(=O)2R5, 탄소수 1 내지 40 의 직쇄형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기, 또는 탄소수 3 내지 40 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R5C=CR5-, -C≡C-, Si(R5)2, Ge(R5)2, Sn(R5)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR5, -C(=O)O-, -C(=O)NR5-, NR5, P(=O)(R5), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 이러한 계의 조합이고; 동시에 둘 이상의 인접한 R1 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고; 동시에 둘 이상의 인접한 R2 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고; 동시에 둘 이상의 인접한 R3 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고; 동시에 둘 이상의 인접한 R4 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고;
R5 는 각 경우에 동일 또는 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, B(OR6)2, CHO, C(=O)R6, CR6=C(R6)2, CN, C(=O)OR6, C(=O)N(R6)2, Si(R6)3, N(R6)2, NO2, P(=O)(R6)2, OSO2R6, OR6, S(=O)R6, S(=O)2R6, 탄소수 1 내지 40 의 직쇄형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기, 또는 탄소수 3 내지 40 의 분지형 또는 시클릭 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (이들 각각은 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R6C=CR6-, -C≡C-, Si(R6)2, Ge(R6)2, Sn(R6)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR6, -C(=O)O-, -C(=O)NR6-, NR6, P(=O)(R6), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있음), 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계, 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R6 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 이러한 계의 조합이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R5 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고;
R6 은 각 경우에 동일 또는 상이하고, H, D, F 또는 탄소수 1 내지 20 의 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 히드로카르빌 라디칼 (여기서 수소 원자는 또한 F 로 대체될 수 있음) 이고; 동시에, 둘 이상의 인접한 R6 치환기는 함께 모노- 또는 폴리시클릭, 지방족 또는 방향족 고리계를 또한 형성할 수 있고;
단,
W1 및 V1 라디칼은 서로 가교되지 않고;
V1, V2, V3 기의 R2 라디칼 및 X1, X2, X3 기의 R4 라디칼은 총 12 개 이상의 방향족 탄소 고리 원자를 포함하고;
R1, R2, R3 및 R4 라디칼은 트리아진 구조를 포함하지 않고,
V1, V2, V3 및 W1, W2, W3 기는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 포함하는 CR2 및/또는 CR3 기를 총 2 개 이하 포함함]. - 제 1 항에 있어서, 하나 이상의 하기 화학식 (II) 의 구조를 포함하는 화합물:
[식 중, 사용된 기호는 제 1 항에 정의된 바와 같고, 여기서 V1, V2, V3 및 W1, W2, W3 기는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 포함하는 하나 이하의 R2 또는 R3 라디칼을 포함함]. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 분자량이 5000 g/mol 이하, 바람직하게는 4000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 3000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 2000 g/mol 이하, 가장 바람직하게는 1000 g/mol 이하인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 총 5 개 이하의 질소 원자, 바람직하게는 총 3 개 이하의 질소 원자, 더 바람직하게는 총 5 개 이하의 불소 이외의 헤테로원자, 바람직하게는 총 3 개 이하의 불소 이외의 헤테로원자를 갖는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 탄화수소 또는 플루오르화 탄화수소, 바람직하게는 탄화수소인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 넓은 밴드 갭 물질인 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 하나 이상의 항에 있어서, A1, A2, A3, A4 기의 R1 라디칼이, 플루오렌 구조의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 하나 이상의 항에 있어서, V1, V2, V3 기의 R2 라디칼이, R2 라디칼이 결합되는 페닐 기의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 하나 이상의 항에 있어서, W1, W2, W3 기의 R3 라디칼이, R3 라디칼이 결합되는 페닐 기의 고리 원자와 함께 융합 고리계를 형성하지 않는 것을 특징으로 하는 화합물.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 하기 화학식 (III) 의 구조로 나타내어질 수 있는 화합물:
[식 중, 사용된 R1, R2, R3, R4 기호는 제 1 항에 정의된 바와 같고, 각각의 m 은 독립적으로 0 또는 1 이고, 여기서 지수 m 의 합계는 1 이하이고, 각각의 n 은 독립적으로 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, 각각의 o 는 독립적으로 0, 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 1, 2 또는 3 임]. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 하기 화학식 (IV) 의 구조로 나타내어질 수 있는 화합물:
[식 중, 사용된 R4 기호는 제 1 항에 정의된 바와 같음]. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물 하나 이상, 및 형광 방사체, 인광 방사체, 호스트 물질, 매트릭스 물질, 전자 수송 물질, 전자 주입 물질, 정공 전도체 물질, 정공 주입 물질, 전자 차단제 물질 및 정공 차단제 물질로 이루어지는 군으로부터 선택되는 추가 화합물 하나 이상을 포함하는 조성물.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물 하나 이상 및/또는 제 12 항에 따른 조성물 하나 이상 및 용매 하나 이상을 포함하는 제형.
- 전자 소자에서, 바람직하게는 넓은 밴드 갭 물질로서의, 제 1 항 내지 제 11 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물 또는 제 12 항에 따른 조성물의 용도.
- 유기 전계발광 소자 (OLED, PLED), 유기 전계-효과 트랜지스터 (O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 태양 전지 (O-SC), 유기 전계-켄치 소자 (O-FQD), 발광 전기화학 전지 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 또는 유기 광수용체로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 하나 이상의 제 1 항 내지 제 11 항 중 하나 이상의 항에 따른 화합물 또는 제 12 항에 따른 조성물을 포함하는 전자 소자.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190106313A (ko) * | 2018-03-08 | 2019-09-18 | 대주전자재료 주식회사 | 붕소원자를 포함하는 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전기발광소자 |
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Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6296208B2 (ja) * | 2016-03-10 | 2018-03-20 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
| WO2017154883A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
| WO2018041769A1 (de) | 2016-08-30 | 2018-03-08 | Merck Patent Gmbh | Bl- und trinukleare metallkomplexe aufgebaut aus zwei miteinander verknüpften tripodalen hexadentaten liganden zur verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen |
| JP7020420B2 (ja) | 2016-09-29 | 2022-02-16 | 住友化学株式会社 | 発光素子 |
| TWI776926B (zh) | 2017-07-25 | 2022-09-11 | 德商麥克專利有限公司 | 金屬錯合物 |
| KR20200098574A (ko) | 2017-12-13 | 2020-08-20 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 금속 착물 |
| KR20200120698A (ko) | 2018-02-13 | 2020-10-21 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 금속 착물 |
| US11925106B2 (en) | 2018-12-28 | 2024-03-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Condensed cyclic compound, composition including the same, and organic light-emitting device including the condensed cyclic compound |
| TW202035345A (zh) * | 2019-01-17 | 2020-10-01 | 德商麥克專利有限公司 | 用於有機電致發光裝置之材料 |
| TW202043247A (zh) | 2019-02-11 | 2020-12-01 | 德商麥克專利有限公司 | 金屬錯合物 |
| TW202136471A (zh) | 2019-12-17 | 2021-10-01 | 德商麥克專利有限公司 | 有機電致發光裝置用的材料 |
| EP4196486A1 (de) | 2020-08-13 | 2023-06-21 | Merck Patent GmbH | Metallkomplexe |
| CN116113676A (zh) | 2020-09-29 | 2023-05-12 | 默克专利有限公司 | 用于oled中的单核三足六齿铱络合物 |
| WO2022243403A1 (de) | 2021-05-21 | 2022-11-24 | Merck Patent Gmbh | Verfahren zur kontinuierlichen aufreinigung von mindestens einem funktionalen material und vorrichtung zur kontinuierlichen aufreinigung von mindestens einem funktionalen material |
| WO2023117835A1 (en) | 2021-12-21 | 2023-06-29 | Merck Patent Gmbh | Electronic devices |
| EP4311849A1 (en) | 2022-07-27 | 2024-01-31 | UDC Ireland Limited | Metal complexes |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1993154A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-19 | Yamagata Promotional Organization for Industrial Technology | Electron transporting materials and organic light-emitting devices therewith |
| JP2011082238A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
| KR20110043667A (ko) * | 2009-05-15 | 2011-04-27 | 제일모직주식회사 | 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자 |
Family Cites Families (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4539507A (en) | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
| US5151629A (en) | 1991-08-01 | 1992-09-29 | Eastman Kodak Company | Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I) |
| EP0676461B1 (de) | 1994-04-07 | 2002-08-14 | Covion Organic Semiconductors GmbH | Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien |
| DE19652261A1 (de) | 1996-12-16 | 1998-06-18 | Hoechst Ag | Arylsubstituierte Poly(p-arylenvinylene), Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung in Elektroluminszenzbauelementen |
| DE60031729T2 (de) | 1999-05-13 | 2007-09-06 | The Trustees Of Princeton University | Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute |
| JP4357781B2 (ja) | 1999-12-01 | 2009-11-04 | ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ | 有機ｌｅｄ用燐光性ドーパントとしての式ｌ２ｍｘの錯体 |
| US20020121638A1 (en) | 2000-06-30 | 2002-09-05 | Vladimir Grushin | Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds |
| CN102041001B (zh) | 2000-08-11 | 2014-10-22 | 普林斯顿大学理事会 | 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光 |
| JP4154140B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 金属配位化合物 |
| JP4154139B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
| JP4154138B2 (ja) | 2000-09-26 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 発光素子、表示装置及び金属配位化合物 |
| JP4307839B2 (ja) | 2001-03-10 | 2009-08-05 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 有機半導体の溶液および分散液 |
| DE10141624A1 (de) | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Covion Organic Semiconductors | Lösungen polymerer Halbleiter |
| DE10207859A1 (de) | 2002-02-20 | 2003-09-04 | Univ Dresden Tech | Dotiertes organisches Halbleitermaterial sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE10249723A1 (de) | 2002-10-25 | 2004-05-06 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Arylamin-Einheiten enthaltende konjugierte Polymere, deren Darstellung und Verwendung |
| CN100384961C (zh) * | 2002-12-13 | 2008-04-30 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电场致发光器件 |
| EP1578885A2 (de) | 2002-12-23 | 2005-09-28 | Covion Organic Semiconductors GmbH | Organisches elektrolumineszenzelement |
| JP2004300314A (ja) | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多孔質絶縁膜形成材料及びそれを用いた多孔質絶縁膜 |
| DE10333232A1 (de) | 2003-07-21 | 2007-10-11 | Merck Patent Gmbh | Organisches Elektrolumineszenzelement |
| DE10345572A1 (de) | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Metallkomplexe |
| DE10357044A1 (de) | 2003-12-04 | 2005-07-14 | Novaled Gmbh | Verfahren zur Dotierung von organischen Halbleitern mit Chinondiiminderivaten |
| DE102004031000A1 (de) | 2004-06-26 | 2006-01-12 | Covion Organic Semiconductors Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| TW200613515A (en) | 2004-06-26 | 2006-05-01 | Merck Patent Gmbh | Compounds for organic electronic devices |
| TW200639140A (en) | 2004-12-01 | 2006-11-16 | Merck Patent Gmbh | Compounds for organic electronic devices |
| DE102005023437A1 (de) | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen |
| DE102005058543A1 (de) | 2005-12-08 | 2007-06-14 | Merck Patent Gmbh | Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102006015183A1 (de) | 2006-04-01 | 2007-10-04 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102006025846A1 (de) | 2006-06-02 | 2007-12-06 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102006031990A1 (de) | 2006-07-11 | 2008-01-17 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| TWI395358B (zh) * | 2007-05-28 | 2013-05-01 | Cheil Ind Inc | 用於有機電光元件之具有茀衍生化合物的材料以及包含此之有機電光元件 |
| DE102008017591A1 (de) * | 2008-04-07 | 2009-10-08 | Merck Patent Gmbh | Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| DE102008035413A1 (de) | 2008-07-29 | 2010-02-04 | Merck Patent Gmbh | Verbindungen für organische elektronische Vorrichtungen |
| WO2010074440A2 (ko) | 2008-12-24 | 2010-07-01 | 제일모직 주식회사 | 고분자 중합체, 이를 포함하는 유기 광전 소자, 및 이를 포함하는 표시장치 |
| KR101233376B1 (ko) | 2008-12-29 | 2013-02-15 | 제일모직주식회사 | 유기광전소자 및 이를 포함하는 표시장치 |
| KR101732199B1 (ko) | 2009-02-27 | 2017-05-02 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 알데히드기를 포함하는 중합체, 상기 중합체의 변환 및 가교, 가교된 중합체, 및 상기 중합체를 함유하는 전계발광 소자 |
| CN101643381A (zh) * | 2009-07-24 | 2010-02-10 | 南京邮电大学 | 二芳基芴类中间体制备方法 |
| JP5784608B2 (ja) * | 2009-09-16 | 2015-09-24 | メルク パテント ゲーエムベーハー | 電子素子製造のための調合物 |
| DE102009053644B4 (de) | 2009-11-17 | 2019-07-04 | Merck Patent Gmbh | Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen |
| US8642190B2 (en) * | 2009-10-22 | 2014-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fluorene derivative, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
| US8617724B2 (en) * | 2010-01-28 | 2013-12-31 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Polymer compound and light emitting device using the same |
| EP2428512B1 (en) * | 2010-09-08 | 2014-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Fluorene compound, light-emitting element, light-emitting device, electronic device and lighting device |
| CN103154187B (zh) | 2010-10-04 | 2015-06-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 复合材料、发光元件、发光装置、电子装置以及照明装置 |
| JP6007126B2 (ja) * | 2012-02-29 | 2016-10-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フルオレン化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 |
| KR20130106520A (ko) * | 2012-03-20 | 2013-09-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 인광 화합물 및 이를 이용한 유기발광다이오드소자 |
| EP3424907A3 (de) * | 2012-07-23 | 2019-02-13 | Merck Patent GmbH | Verbindungen und organische elektronische vorrichtungen |
| KR102104855B1 (ko) * | 2012-07-23 | 2020-04-27 | 메르크 파텐트 게엠베하 | 2-디아릴아미노플루오렌의 유도체 및 이를 함유하는 유기 전자 화합물 |
| WO2014023377A2 (de) | 2012-08-07 | 2014-02-13 | Merck Patent Gmbh | Metallkomplexe |
| US20150340621A1 (en) | 2012-12-18 | 2015-11-26 | Merck Patent Gmbh | Organic electroluminescent device |
| CN103194215B (zh) * | 2013-04-15 | 2014-12-17 | 武汉大学 | 一种聚集诱导发光分子的制备方法 |
| KR102148643B1 (ko) * | 2013-09-26 | 2020-08-28 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 신규한 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
| EP3077477B1 (de) * | 2013-12-06 | 2018-02-28 | Merck Patent GmbH | Verbindungen und organische elektronische vorrichtungen |
| US11005050B2 (en) | 2014-01-13 | 2021-05-11 | Merck Patent Gmbh | Metal complexes |
| EP3102650B1 (de) | 2014-02-05 | 2018-08-29 | Merck Patent GmbH | Metallkomplexe |
| KR101626523B1 (ko) | 2014-03-12 | 2016-06-01 | (주)피엔에이치테크 | 새로운 유기전계발광소자용 화합물 및 그를 포함하는 유기전계발광소자 |
| US10038153B2 (en) | 2014-04-03 | 2018-07-31 | Versitech Limited | Platinum (II) emitters for OLED applications |
| CN104037339B (zh) | 2014-06-25 | 2016-05-18 | 上海道亦化工科技有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
| KR102357467B1 (ko) | 2014-07-22 | 2022-02-04 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| WO2018041769A1 (de) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | Merck Patent Gmbh | Bl- und trinukleare metallkomplexe aufgebaut aus zwei miteinander verknüpften tripodalen hexadentaten liganden zur verwendung in elektrolumineszenzvorrichtungen |
-
2016
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- 2016-05-13 TW TW105114944A patent/TWI703112B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1993154A1 (en) * | 2007-05-16 | 2008-11-19 | Yamagata Promotional Organization for Industrial Technology | Electron transporting materials and organic light-emitting devices therewith |
| KR20110043667A (ko) * | 2009-05-15 | 2011-04-27 | 제일모직주식회사 | 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자 |
| JP2011082238A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Huang, J. 등, Chemistry-A European Journal, 2014, 제20권, 페이지 5317-5326 * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190106313A (ko) * | 2018-03-08 | 2019-09-18 | 대주전자재료 주식회사 | 붕소원자를 포함하는 유기 화합물 및 이를 이용한 유기 전기발광소자 |
| US11937497B2 (en) | 2018-11-06 | 2024-03-19 | Lg Chem, Ltd. | Organic light-emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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