JP6732755B2 - ジベンゾアザピン構造をもつヘテロ環化合物 - Google Patents

ジベンゾアザピン構造をもつヘテロ環化合物 Download PDF

Info

Publication number
JP6732755B2
JP6732755B2 JP2017534313A JP2017534313A JP6732755B2 JP 6732755 B2 JP6732755 B2 JP 6732755B2 JP 2017534313 A JP2017534313 A JP 2017534313A JP 2017534313 A JP2017534313 A JP 2017534313A JP 6732755 B2 JP6732755 B2 JP 6732755B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
groups
formula
aromatic
electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017534313A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018503621A (ja
Inventor
パルハム、アミア・ホサイン
エベルレ、トマス
ヤトシュ、アンヤ
グロスマン、トビアス
クロエベル、ヨナス・バレンティン
Original Assignee
メルク パテント ゲーエムベーハー
メルク パテント ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by メルク パテント ゲーエムベーハー, メルク パテント ゲーエムベーハー filed Critical メルク パテント ゲーエムベーハー
Publication of JP2018503621A publication Critical patent/JP2018503621A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6732755B2 publication Critical patent/JP6732755B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/06—Peri-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/06—Peri-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/12—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D487/16—Peri-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/22—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains four or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D498/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D498/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D498/06—Peri-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D513/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D513/06—Peri-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H10K50/181—Electron blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/18—Carrier blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)

Description

本発明は、電子素子での使用に適するジベンゾアザピン構造をもつヘテロ環化合物に関する。本発明は、さらに、それらの製造方法と電子素子に関する。
有機、有機金属および/またはポリマー半導体を含む電子素子は、ますます重要となり、費用の理由とそれらの性能の故に多くの市販製品に使用されている。ここで、例は、複写機における有機物系の電荷輸送材料（たとえば、トリアリールアミン系正孔輸送体）、読み出しおよび表示素子における有機もしくはポリマー発光ダイオード（ＯＬＥＤまたはＰＬＥＤ）または複写機における有機光受容体を含む。有機ソーラーセル（Ｏ-ＳＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ-ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ-ＴＦＴ）、有機集積回路（Ｏ-ＩＣ）、有機光増幅素子および有機レーザーダイオード（Ｏ-ｌａｓｅｒ）が、開発の進んだ段階であり、将来における多大な重要性を有する可能性がある。
多くのこれら電子素子は、夫々の最終用途を問わず、以下の一般的層構造を有し、特定の用途に適合することができる。
（１）基板、
（２）電極、多くは、金属もしくは無機であるが、有機もしくはポリマー伝導性材料からも成る、
（３）電荷注入層（複数）もしくは中間層（複数）、たとえば、電極の不均性の補償用のためであり（「平坦化層」）、多くは、伝導性のドープされたポリマーから成る、
（４）有機半導体、
（５）可能ならば、さらなる電荷輸送層、電荷注入層もしくは電荷ブロック層、
（６）対電極、（２）で特定された材料、
（７）被包。
上記配置は、有機電子素子の一般的構造であり、種々の層を結合することが可能であり、その結果は、最も単純な場合には、その間に有機層をもつ二個の電極から成る配置である。この場合、有機層は、ＯＬＥＤの場合に発光を含むすべての機能を発揮する。この種のシステムは、たとえば、WO 90/13148 A1に記載され、ポリ（p-フェニレン）系のものである。
ジベンゾアザピン構造を有する化合物を含む電子素子は、特に、刊行物JP 2014-160813から知られている。
公知の電子素子は、有益な特性プロファイルを有する。しかしながら、これらの素子の特性を改善する一定のニーズが存在する。
これらの特性は、特別に、それにより電子素子が規定された問題を解決するエネルギー効率を含む。低分子量化合物かポリマー材料の何れかを基礎とし得る有機発光ダイオードの場合には、光収率は、特に、十分に高くあるべきであり、特定の光束を実現するために最小量の電力が印加されねばならない。さらに、最小電圧が、規定された輝度を実現するために必要ともされるべきである。さらに特別な問題は、電子素子の寿命である。
したがって、改善された特性を有する電子素子をもたらす新規な化合物を提供することが、本発明の目的である。効率、駆動電圧および/または寿命に関して改善された特性を示す正孔輸送材料、正孔注入材料、正孔ブロック材料、電子注入材料、電子ブロック材料および/または電子輸送材料を提供することが特別な目的である。さらに、化合物は非常に簡単な方法で入手可能であり、特別に、良好な溶解性と膜形成性を特に示すべきである。たとえば、化合物は、高温での酸化安定性と改善されたガラス転移温度を示すべきである。
さらなる目的は、極めて安価で、一定の品質の秀れた特性を有する電子素子を提供することと見なし得る。
さらに、多くの目的のための電子素子を使用し、または適合することが可能であるべきである。より特別には、電子素子の性能は、広範な温度範囲で維持されるべきである。
驚くべきことに、これら目的と、明確に特定されていないが導入部によりここで検討された関連から直接推論され、見つけられ得る他の目的が、請求項１の全ての特徴を有する化合物により実現されることが見出された。本発明の化合物の適当な変形は、請求項１を言及する従属請求項において保護される。
したがって、本発明は、少なくとも一つの式（Ｉ）の構造を含む化合物を提供し；
式中、使用される記号は、以下のとおりである：
Ｘは、出現毎に同一か異なり、ＮまたはＣＲ１、好ましくは、ＣＲ１であり、ただし、一つの環において、２個以下のＸ基は、Ｎであるか、またはＣは、ＲおよびＲｂ基の付属位置であり；
Ｗは、単結合、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２、Ｏ、ＳまたはＢＲ１、Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｃ、Ｃ=ＮＲ１、Ｃ=Ｃ（Ｒ１）２、Ｓ=Ｏ、ＳＯ２、Ｐ（Ｒ１）およびＰ（=Ｏ）Ｒ１、好ましくは、単結合、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２、ＯまたはＳであり；
Ｒａは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ１）２、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ１、ＣＲ１=Ｃ（Ｒ１）２、ＣＮ、Ｃ（=Ｏ）ＯＲ１、Ｃ（=Ｏ）Ｎ（Ｒ１）２、Ｓｉ（Ｒ１）３、Ｎ（Ｒ１）２、ＮＯ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ１）２、ＯＳＯ２Ｒ１、ＯＲ１、Ｓ（=Ｏ）Ｒ１、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ１、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ１基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、-Ｒ１Ｃ=ＣＲ１-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=ＮＲ１、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ１-、ＮＲ１、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ１）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ１基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または１以上のＲ１基で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれらの構造の組み合わせであり；
Ｒｂは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ１）２、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ１、ＣＲ１=Ｃ（Ｒ１）２、ＣＮ、Ｃ（=Ｏ）ＯＲ１、Ｃ（=Ｏ）Ｎ（Ｒ１）２、Ｓｉ（Ｒ１）３、Ｎ（Ｒ１）２、ＮＯ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ１）２、ＯＳＯ２Ｒ１、ＯＲ１、Ｓ（=Ｏ）Ｒ１、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ１、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ１基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、-Ｒ１Ｃ=ＣＲ１-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ１）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=ＮＲ１、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ１-、ＮＲ１、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ１）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ１基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または１以上のＲ１基で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれらの構造の組み合わせであり；
Ｒ１は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ２）２、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、ＣＲ２=Ｃ（Ｒ２）２、ＣＮ、Ｃ（=Ｏ）ＯＲ２、Ｃ（=Ｏ）Ｎ（Ｒ２）２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｎ（Ｒ２）２、ＮＯ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＳＯ２Ｒ２、ＯＲ２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ２基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、-Ｒ２Ｃ=ＣＲ２-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ２、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ２-、ＮＲ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ２基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または１以上のＲ２基で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれらの構造の組み合わせであり；同時に、２個以上の隣接するＲ１置換基は、一緒に、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
Ｒ２は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ３）２、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ３、ＣＲ３=Ｃ（Ｒ３）２、ＣＮ、Ｃ（=Ｏ）ＯＲ３、Ｃ（=Ｏ）Ｎ（Ｒ３）２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｎ（Ｒ３）２、ＮＯ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）２、ＯＳＯ２Ｒ３、ＯＲ３、Ｓ（=Ｏ）Ｒ３、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ３、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ３基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、-Ｒ３Ｃ=ＣＲ３-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ３、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ３-、ＮＲ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または１以上のＲ３基で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれらの構造の組み合わせであり；同時に、２個以上の隣接するＲ２置換基は、一緒に、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
Ｒ３は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆまたは１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素基（ここで、水素原子は、Ｆで置き代えられてもよい。）であり；同時に、２個以上の隣接するＲ３置換基は、一緒にモノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
ただし、
少なくとも一つのＲａおよび/またはＲｂ基は、１０〜４０個の炭素原子を有する芳香族基もしくは６〜４０個の炭素原子を有する複素環式芳香族基であり、ここで、芳香族および/または複素環式芳香族基は、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含み、夫々、縮合もしくは非縮合であってよくおよび/または１以上のＲ１基により置換されてよい。
この文脈において、「隣接する炭素原子」は、炭素原子が、互いに直接結合することを意味する。さらに、基の定義における「隣接する基」は、これらの基が、同じ炭素原子もしくは隣接する炭素原子に結合することを意味する。これらの定義は、対応して「隣接する基」と「隣接する置換基」にあてはまる。
より特には、必須のＲａおよび/またはＲｂ基は、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含む芳香族および/または複素環式芳香族基を包含すしてよい。したがって、環は、Ｒａおよび/またはＲｂ基が、たとえば、ビフェニル基を含むように、結合を介して互いに結合してよい。さらに、環は、たとえば、２個の炭素原子が少なくとも２個の芳香族および/または複素環式芳香族環に属するように、たとえば、ナフチル基での場合のように縮合してよい。さらに、Ｒａおよび/またはＲｂ基は、間の一つの原子と互いに隣接してもよい。たとえば、Ｒａおよび/またはＲｂ基は、ジアリールアミン化合物を含んでよく、ここで、少なくとも２個のアリール基は、間の窒素原子と隣接する。好ましくは、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含む芳香族および/または複素環式芳香族基は、互いに結合を介して結合もしくは縮合する２個のアリール基を含む。より好ましくは、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含む芳香族および/または複素環式芳香族基は、互いに結合を介して結合する２個のアリール基を含む。
本発明の文脈でのアリール基は、６〜４０個の炭素原子を含む。本発明の文脈でのヘテロアリール基は、２〜４０個の炭素原子と少なくとも１個のヘテロ原子を含むが、ただし、炭素原子とヘテロ原子の総合計は、少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび/またはＳから選ばれる。ここで、アリール基もしくはヘテロアリール基は、単純な芳香族環、すなわち、ベンゼン、または、単純な複素環式芳香族環、たとえば、ピリジン、ピリミジン、チオフェン等、または、縮合アリールもしくはヘテロリール基、たとえば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、キノリン、イソキノリン等の何れかを意味すると理解される。
本発明の文脈での芳香族環構造は、６〜６０個の炭素原子を環構造中に含む。本発明の文脈での複素環式芳香族環構造は、１〜６０個の炭素原子と少なくとも１個のヘテロ原子を環構造中に含むが、ただし、炭素原子とヘテロ原子の総合計は少なくとも５個である。ヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび/またはＳから選ばれる。本発明の文脈での芳香族もしくは複素環式芳香族環系は、必ずしもアリールもしくはヘテロアリール基のみを含むものではなく、加えて、２個以上のアリールもしくはヘテロアリール基は、たとえば、炭素、窒素もしくは酸素原子またはカルボニル基のような非芳香族単位（好ましくは、Ｈ以外の原子は１０％未満である。）により中断されることも可能である構造を意味すると理解されるべきである。たとえば、9,9’-スピロビフルオレン、9,9-ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の構造も、本発明の文脈での芳香族環構造とみなされるべきであり、２個以上のアリール基が、たとえば、直鎖もしくは環式アルキル基によりまたはシリル基により中断される構造も同様である。さらに、２個以上のアリールもしくはヘテロアリール基が、互いに直接結合する構造、たとえば、ビフェニルもしくはテルフェニルも、同様に芳香族もしくは複素環式芳香族環構造とみなされるべきである。
本発明の文脈での環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基は、単環式、二環式もしくは多環式基を意味すると理解される。
本発明の文脈では、Ｃ１〜Ｃ４０-アルキル基は、ここで、個々の水素原子もしくはＣＨ２基は、上記した基により置き代えられてよく、たとえば、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、シクロプロピル、n-ブチル、i-ブチル、s-ブチル、t-ブチル、シクロブチル、2-メチルブチル、n-ペンチル、s-ペンチル、t-ペンチル、2-ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチル、n-ヘキシル、s-ヘキシル、t-ヘキシル、2-ヘキシル、3-ヘキシル、ネオヘキシル、シクロヘキシル、1-メチルシクロペンチル、2-メチルペンチル、n-ヘプチル、2-ヘプチル、3-ヘプチル、4-ヘプチル、シクロヘプチル、1-メチルシクロヘキシル、n-オクチル、2-エチルヘキシル、シクロオクチル、1-ビシクロ[2.2.2]オクチル、2-ビシクロ[2.2.2]オクチル、2-(2,6-ジメチル)オクチル、3-(3,7-ジメチル)オクチル、アダマンチル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、2,2,2-トリフルオロエチル、1,1-ジメチル-n-ヘキサ-1-イル、1,1-ジメチル-n-ヘプタ-1-イル、1,1-ジメチル-n-オクタ-1-イル、1,1-ジメチル-n-デカ-1-イル、1,1-ジメチル-n-ドデカ-1-イル、1,1-ジメチル-n-テトラデカ-1-イル、1,1-ジメチル-n-ヘキサデカ-1-イル、1,1-ジメチル-n-オクタデカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-ヘキサ-1-イル、1,1-ジエチル-n-ヘプタ-1-イル、1,1-ジエチル-n-オクタ-1-イル、1,1-ジエチル-n-デカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-ドデカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-テトラデカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-ヘキサデカ-1-イル、1,1-ジエチル-n-オクタデカ-1-イル、1-(n-プロピル)シクロヘキサ-1-イル、1-(n-ブチル)シクロヘキサ-1-イル、1-(n-ヘキシル)シクロヘキサ-1-イル、1-(n-オクチル)シクロヘキサ-1-イルおよび1-(n-デシルl)シクロヘキサ-1-イル基を意味すると理解される。アルケニル基は、たとえば、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニルまたはシクロオクタジエニルを意味す
ると理解される。アルキニル基は、たとえば、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニルを意味すると理解される。Ｃ１〜Ｃ４０-アルコキシ基は、たとえば、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、n-プロポキシ、i-プロポキシ、n-ブトキシ、i-ブトキシ、s-ブトキシ、t-ブトキシまたは2-メチルブトキシを意味すると理解される。
５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造は、各場合に、上記した基により置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して、芳香族もしくは複素環式芳香族構造に連結していてもよいが、たとえば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ベンズアントラセン、フェナントレン、ベンゾフェナントレン、ピレン、クリセン、ペリレン、フルオランテン、ベンゾフルオランテン、ナフタセン、ペンタセン、ベンゾピレン、ビフェニル、ビフェニレン、テルフェニル、テルフェニレン、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、cis-もしくtans-インデノフルオレン、cis-もしくtans-モノベンゾインデノフルオレン、cis-もしくtans-ジベンゾインデノフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、スピロトルクセン、スピロイソトルクセン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナンスリイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、1,5-ジアザアントラセン、2,7-ジアザピレン、2,3-ジアザピレン、1,6-ジアザピレン、1,8-ジアザピレン、4,5-ジアザピレン、4,5,9,10-テトラアザペリレン、ピラジン、フェナジン、フェノキサジン、フェノチアジン、フルオルビン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1,2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味すると理解される。
好ましい１態様では、本発明の化合物は、式（ＩＩ）の構造を含んでよい：
式中、使用される記号は、上記で与えられる定義を有し、ここで、Ｒｂ基は、１０〜４０個の炭素原子を有する芳香族基もしくは６〜４０個の炭素原子を有する複素環式芳香族基であり、ここで、芳香族基および/または複素環式芳香族基は、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含み、夫々、縮合もしくは非縮合であってよくおよび/または１以上のＲ１基により置換されてよい。
さらに、本発明の化合物は、式（ＩＩＩ）の構造を含んでよい：
式中、使用される記号は、上記で与えられる定義を有し、ここで、Ｒａ基は、１０〜４０個の炭素原子を有する芳香族基もしくは６〜４０個の炭素原子を有する複素環式芳香族基であり、ここで、芳香族基および/または複素環式芳香族基は、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含み、夫々、縮合もしくは非縮合であってよくおよび/または１以上のＲ１基により置換されてよい。
好ましくは、本発明の化合物は、式（ＩＶ）の構造を含んでよい：
式中、使用される記号は、上記で与えられる定義を有し、ここで、少なくとも一つのＲａおよび/またはＲｂ基は、および好ましくは、両Ｒａおよび/またはＲｂ基は、１０〜４０個の炭素原子を有する芳香族基もしくは６〜４０個の炭素原子を有する複素環式芳香族基であり、ここで、芳香族基および/または複素環式芳香族基は、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含み、夫々、縮合もしくは非縮合であってよくおよび/または１以上のＲ１基により置換されてよい。
さらに好ましいのは、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および/または（ＩＶ）において、少なくとも一つのＲａおよび/またはＲｂ基は、正孔輸送基または電子輸送基であることを特徴とする化合物である。
さらに、式（Ｉ）の化合物は、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）および/または（ＩＶ）において、２個以下のＸ基は、Ｎであり、好ましくは、１個以下のＸ基は、Ｎであると、驚くべき優位性を示す。ＸがＣである式（Ｉ）、（ＩＩ）および/または（ＩＩＩ）におけるＲａおよび/またはＲｂ基の付属位置は別として、好ましくは、すべてのＸはＣＲ１基であり、ここで、好ましくは、４個以下の、より好ましくは、３個以下の、特別好ましくは、２個以下のＸであるＣＲ１基は、ＣＨ基ではない。
特に好ましい化合物は、式（Ｖ）の構造を含むものである：
式中、Ｒａ、ＲｂおよびＲ１は、上記詳細な定義であってよく、
特別には、式（Ｉ）に関して、
ｅは、０、１または２、好ましくは、０または１、より好ましくは、０であり、
ｊは、０、１、２または３、好ましくは、０、１または２、より好ましくは、０または１であり、
ｈは、０、１、２、３または４、好ましくは、０、１または２、より好ましくは、０または１であり、
ここで、少なくとも一つのＲａ、Ｒｂ基は、正孔輸送基および/または電子輸送基であり、ここで、ＲａおよびＲｂ基の夫々は、好ましくは、正孔輸送基および/または電子輸送基である。
非常に特に好ましいのは、式（ＶＩ）の構造を含む化合物である：
式中、Ｒａ、ＲｂおよびＲ１は、上記詳細な定義であってよく、
特別には、式（Ｉ）に関して、
ｅは、０、１または２、好ましくは、０または１、より好ましくは、０であり、
ｈは、０、１、２、３または４、好ましくは、０、１または２、より好ましくは、０または１であり、
ここで、Ｒｂ基は、正孔輸送基または電子輸送基であり、Ｒｃ基は、１０〜４０個の炭素原子を有する芳香族基もしくは６〜４０個の炭素原子を有する複素環式芳香族基であり、ここで、芳香族基および/または複素環式芳香族基は、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含み、夫々、縮合もしくは非縮合であってよくおよび/または１以上のＲ１基により置換されてよい。より好ましくは、式（ＶＩ）において、Ｒｃ基は、正孔輸送基および/または電子輸送基であってよい。
特に好ましい化合物は、式（ＶＩＩ）の構造を含むものである：
式中、Ｒａ、ＲｂおよびＲ１は、上記詳細な定義であってよく、
特別には、式（Ｉ）に関して、
ｅは、０、１または２、好ましくは、０または１、より好ましくは、０であり、
ｊは、０、１、２または３、好ましくは、０、１または２、より好ましくは、０または１であり、
ｈは、０、１、２、３または４、好ましくは、０、１または２、より好ましくは、０または１であり、
ここで、少なくとも一つのＲａ、Ｒｂ基は、正孔輸送基および/または電子輸送基であり、Ｗ１は、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２、ＯまたはＳである。
非常に特に好ましいのは、式（ＶＩＩＩ）の構造を含む化合物である：
式中、Ｒａ、ＲｂおよびＲ１は、上記詳細な定義であってよく、
特別には、式（Ｉ）に関して、
ｅは、０、１または２、好ましくは、０または１、より好ましくは、０であり、
ｈは、０、１、２、３または４、好ましくは、０、１または２、より好ましくは、０または１であり、
ここで、Ｒｂ基は、正孔輸送基または電子輸送基であり、Ｒｃ基は、１０〜４０個の炭素原子を有し、少なくとも２個の環を含むアリール基もしくは６〜４０個の炭素原子を有し、少なくとも２個の環を含むヘテロアリール基であり、各基の夫々は、１以上のＲ１基により置換されてよく、Ｙ１は、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２、ＯまたはＳである。より好ましくは、式（ＶＩＩＩ）において、Ｒｃ基は、正孔輸送基および/または電子輸送基であってよい。
式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造を含む化合物において、Ｒｂ基は、正孔輸送基であり、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）から選ばれる同じ式のこの構造において、Ｒａ基は、正孔輸送基である場合であってもよい。
さらに、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ））の構造を含む化合物において、Ｒｂ基は、電子輸送基であり、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）から選ばれる同じ式のこの構造において、Ｒａ基は、正孔輸送基である場合であってよい。
追加的に、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造を含む化合物において、Ｒｂ基は、正孔輸送基であり、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）から選ばれる同じ式のこの構造において、Ｒａ基は、電子輸送基である場合であってよい。
さらに、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造を含む化合物において、Ｒｂ基は、電子輸送基であり、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）から選ばれる同じ式のこの構造において、Ｒａ基は、電子輸送基である場合であってよい。
本発明の化合物の特別な１態様では、式（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造において、添え字ｅ、ｈおよびｊの総合計は、各場合に、好ましくは、３以下、より好ましくは、２以下、特別好ましくは、１以下である。
好ましいのは、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造において、少なくとも一つのＲ１、Ｒａ、Ｒｂおよび/またはＲｃ基は、式（Ｒ１−１）〜（Ｒ１−７２）から選ばれる基である式（Ｉ）の構造を含む化合物である：
式中、使用される記号は以下のとおりである：
Ｙは、Ｏ、ＳまたはＮＲ２、好ましくは、ＯまたはＳであり；
ｊは、出現毎に独立して、０、１、２または３であり、
ｈは、出現毎に独立して、０、１、２、３または４であり、
ｇは、出現毎に独立して、０、１、２、３、４または５であり、
破線の結合は付属位置の印であり、
Ｒ２は、上記で定義されるとおりである。
式（Ｒ１−１）〜（Ｒ１−７２）の構造において、添え字ｇ、ｈとｊの総合計が、各場合に、３以下、好ましくは、２以下、より好ましくは、１以下である場合が好まれてよい。
より好ましくは、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造において、少なくとも一つのＲ１、Ｒａ、Ｒｂおよび/またはＲｃ基は、６〜１８個、好ましくは、６〜１２個の炭素原子を有する芳香族基であってよい。
式（Ｉ）のまたはこの構造の好ましい態様の１つの構造は、上記詳細なとおりの少なくとも一つのＲａおよび/またはＲｂ基を含む。官能基ＲａおよびＲｂの性質は、化合物の特性に影響し、これらの特性は、広範囲に亘り調整可能である。
この文脈で、得られた化合物は、一般的にジベンズアザピン構造要素の存在により、同等の先行技術による化合物よりも、より良好な特性プロファイルを有することを強調しなければならない。特に好ましいのは、式（Ｉ）または以前以後説明される好ましい態様の構造を含む化合物であり、マトリックス材料として、正孔輸送材料として、または電子輸送材料として使用することができる。この目的のために、本発明の化合物、特別に、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造において、Ｒａ、Ｒｂ基は、正孔輸送基および/または電子輸送基である。
さらに、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造において、少なくとも一つのＲａ、Ｒｂ基は、好ましくは、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、フルオレン、スピロビフルオレン、アントラセンまたはベンズイミダゾ-ル基であってよい。少なくとも一つのピリジン、ピリミジン、ピラジン、ピリダジン、トリアジン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、フルオレン、スピロビフルオレン、アントラセンまたはベンズイミダゾ-ル基を有する式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造を有する化合物は、電子輸送材料（ＥＴＭ）として、有利に使用することができる。
電子輸送材料は、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、ベンズイミダゾールおよび/ピリジンから選ばれる少なくとも一つの構造を含む場合が好まれてよく、特に好ましいのは、トリアジン構造である。
電子輸送基は、式（Ｅ−１）〜（Ｅ−１０）の少なくとも一つの構造を有する場合が、さらに好まれてよい：
式中、破線の結合は、付属位置の印であり、
Ｑ’は、出現毎に同一か異なり、ＣＲ１またはＮであり；
Ｑ”は、ＮＲ１、ＯまたはＳであり；
式中、少なくとも一つのＱ’は、Ｎであり、および/または少なくとも一つのＱ”は、ＮＲ１であり、
Ｒ１は、上記で定義されるとおりである。
電子輸送基が、式（Ｅ−１１）〜（Ｅ−２３）の少なくとも一つの構造を有する場合がより好まれてよい：
式中、破線の結合は、付属位置の印であり、Ｒ１は、上記定義を有する。
好ましくは、式（Ｅ−１）〜（Ｅ−２３）の構造を有する化合物に対して、少なくとも１つの、好ましくは、少なくとも２つのＲ１基は、Ａｒａであり、ここで、Ａｒａは、出現毎に同一か異なり、６〜４０個の炭素原子を有するアリール基もしくは３〜４０個の炭素原子を有有するヘテロアリール基であり、夫々、夫々１以上のＲ２基により置換されてよい。
電子を輸送する基ＥにおけるＲ１置換基は、好ましくは、Ｈおよび各場合に、１以上のＲ２基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造より成る基から選ばれ、さらにより好ましい基は、式（Ｅ−１１）、（Ｅ−１７）および（Ｅ−１８）であり、最も好ましい基は、式（Ｅ−１１）である。
非常に特に好ましい電子を輸送する基Ｅの例は、１以上の独立したＲ２基により置換されてよい以下の基であり、ここで、破線の結合は、夫々、付属位置を示す。
本発明の特別な１態様では、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造において、少なくとも一つのＲａ、Ｒｂ基は、好ましくは、カルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、アリールアミンまたはジアリールアミン基であってよい。少なくとも一つのカルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、アリールアミンまたはジアリールアミン基を有する式（Ｉ）の化合物は、好ましくは、マトリックス材料として使用することができる。
正孔輸送基は、好ましくは、トリアリールアミン、カルバゾール、インデノカルバゾールおよびインドロカルバゾールから選ばれる少なくとも一つの構造を含む場合が好まれてよい。
正孔輸送基は、式（Ｌ−１）〜（Ｌ−９）の少なくとも一つの構造を有する場合がさらに好まれてよい。
式中、破線の結合は、付属位置の印であり、ｅは、０、１または２であり、ｊは、０、１、２または３であり、ｈは、０、１、２、３または４であり、ｎは、０または１であり、Ａｒは、６〜４０個の炭素原子を有するアリール基もしくは３〜４０個の炭素原子を有するヘテロアリール基であり、１以上のＲ１基により置換されてよく、Ｒ１は、上記で与えられる定義を有する。
式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の１以上の構造を有する本発明の化合物が、電子輸送基と正孔輸送基の両者を含み、ここで、より好ましくは、少なくとも一つのＲａおよび/またはＲｂ基が、電子輸送基および/または正孔輸送基であるならば、これらの化合物は、好ましくは、電子伝導性と正孔伝導性の両者を含むマトリックス材料として使用することができる。
特に好ましいのは式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）において、少なくとも１個のＲａ、Ｒｂおよび/またはＲｃ基は、ジベンゾフランおよび/またはジベンゾチオフェン基を含み、ここで、好ましくは、少なくとも２個のＲａ、Ｒｂおよび/またはＲｃ基は、ジベンゾフランおよび/またはジベンゾチオフェン基を含み、より好ましくは、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）において、少なくとも１個のＲａ、Ｒｂおよび/またはＲｃ基は、ジベンゾフランおよび/またはジベンゾチオフェン基を含み、ここで、この基は、１以上のＲ１基により置換されてよいことを特徴とする化合物である。
好ましくは、式（Ｉ）または以前以後の詳細な態様の構造を有する化合物は、Ｒ１基を含んでもよく、ここで、このＲ１基は、出現毎に同一か異なり、好ましくは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｂ（ＯＲ２）２、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルコキシ基、２〜１０個の炭素原子を有するアルケニル基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル基（夫々は、１以上のＲ２基により置換されてよく、ここで、１以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ２基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造から選ばれ；同時に、２個の隣接するＲ１基は一緒になって、またはＲ１基とＲ２基は、一緒になって、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよい。より好ましくは、これらのＲ１基は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルコキシ基、１〜６個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル基（ここで、１以上の水素原子は、ＤもしくはＦで置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ２基により置換されてよい５〜２４個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造から選ばれ；同時に、２個の隣接するＲ１基は一緒になって、またはＲ１基とＲ２基は、一緒になって、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよい。より好ましくは、式（Ｉ）において、少なくとも１つのＲ１基は、６〜１８個の炭素原子を有するアリール基であってよく、３個までのＲ２基により置換されてよい。
好ましくは、式（Ｉ）または以前以後の詳細な態様の構造を有する化合物は、Ｒ２基を含んでよく、ここで、これらのＲ２基は、出現毎に同一か異なり、好ましくは、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｐ（=Ｏ）（Ａｒ１）２、Ｓ（=Ｏ）Ａｒ１、Ｓ（=Ｏ）２Ａｒ１、ＣＮ、ＮＯ２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｂ（ＯＲ３）２、ＯＳＯ２Ｒ３、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ３基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、Ｃ≡Ｃ、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）、ＳＯ、ＳＯ２、Ｏ、ＳもしくはＣＯＮＲ３で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜２４個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または１以上のＲ３基で置換されてよい５〜２４個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれらの構造の組み合わせより成る群から選ばれ；同時に、２個の以上の隣接するＲ２置換基は、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を互いに形成してもよい。より好ましくは、式（Ｉ）におけるは少なくとも一つのＲ２基は、６〜１８個の炭素原子を有するアリールもしくはヘテロアリール基であってよく、３個までのＲ３基により置換されてよい。
特に好ましい化合物は、以下の式１〜７０の構造を含む。
本発明の化合物の好ましい態様は、例において特別に詳らかにされるが、これらの化合物は、本発明の全目的のために、単独でまたはさらなる化合物と組み合わせて使用可能である。
請求項１で特定される条件が集められるならば、上記好ましい態様は、所望のとおりに互いに組み合わせることができる。本発明の特に好ましい１態様では、上記好ましい態様は、同時に適用される。
本発明の化合物は、種々のプロセスにより原則的に調製することができる。しかしながら、今後説明されるプロセスが特に適していることが見出された。
したがって、本発明は、アザピン構造要素を有する化合物において、閉環反応が実行される、式（Ｉ）の構造を含む化合物の製造方法を提供する。
アザピン構造要素を有する化合物、たとえば、9H-トリベンゾz[b,d,f]アザピンは、多くの場合市販されており、例において詳らかにされる出発化合物は、公知の方法により得ることができ、その参照がそれになされる。
これらの化合物は、公知のカップリング反応により、さらなるアリール化合物と反応することができ、得られた中間体化合物は、式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造を有する本発明の化合物を得るために、引き続いて閉環反応を受ける。さらに、閉環反応後に得られた化合物は、さらなる反応で変換されることができ、本発明の化合物を得ることができる。
このために必要な条件は、当業者に知られており、例で与えられる特定に詳細は、これらの反応を実行する当業者を支援するであろう。
Ｃ-Ｃ結合形成および/またはＣ-Ｎ結合形成をもたらす特に適切で好ましいカップリング反応は、ブッフバルト、スズキ、ヤマモト、スチル、ヘック、ネギシ、ソノガシラおよびヒヤマによるものである。これらの反応は、広く知られており、例が、当業者にさらなる指針を提供するだろう。
以下の全ての合成スキームにおいて、化合物は、構造を単純化するために、置換基を少数にして示される。これは、プロセスにおいて任意の所望のさらなる置換基の存在を排除ずるものではない。
全ての例示的実施が以下のスキームにより与えられるが、これらは限定を課すつもりではない。個々のスキームの成分工程は、所望のとおりに互いに組み合わされてよい。
たとえば、スキーム１によれば、9H-トリベンゾz[b,d,f]アザピン化合物から進めて、ブッフバルトカップリングにより反応性中間体を調製することができる。得られた中間体は、触媒、たとえば、Ｐｄ（ＯＡｃ）２により閉環反応を受け、本発明の化合物を得ることができる。
Ｘ＝ハロゲンまたはトリフレ−トであり、ここで、トリフレ−トは、エーテルまたは水酸基から中間反応で得ることもできる。
スキーム２による反応においては、アザピン構造要素を有する反応物から出発して、反応は、たとえば、Ｃｓ２ＣＯ３を使用して、ニトロ基を有するフルオレニル化合物と共に実行される。得られた中間化合物は、中間化合物のニトロ基をアミノ基に変換するために、まず還元されるが、たとえば、還元剤としてＳｎ２Ｃｌを使用することができる。こうして得ることができるアミノ基を有する中間体は、引き続き、たとえば、ＮａＮＯ２による閉環反応を介して本発明の化合物に変換することができる。
スキーム３によれば、アザピン化合物は、エステル基を有するアリールハロゲン化物と反応することができる。得られる中間体のエステル基を、引き続きアルコールに還元することができ、有機金属化合物を使用することができ、たとえば、一つの例はメチルリチウムである。調製された中間体は、引き続き閉環反応を受けることができ、一つの使用可能な試薬は酸である。
スキーム４によれば、アザピン化合物の窒素原子に隣接する脱離基Ｘをもつアザピン化合物は、ニトロ基を有し、その目的のためにニトロ基のオルト位に脱離基Ｘを有するアリール化合物を使用して、ブッフバルトカップリングにより変換することができる。得られた中間体のニトロ基を、引き続き、アミノ基に還元することができるが、たとえば、Ｓｎ２Ｃｌを使用することができる。調製された中間体は、引き続き閉環反応を受けることができ、閉環は、ブッフバルトカップリングによりもたらすことができる。これは、脱離基Ｘを有するアリール化合物を使用するさらなるブッフバルトカップリングで変換することができるジアリールアミノ構造をもたらす。
Ａｒ＝アリール化合物
Ｘ＝ハロゲンまたはトリフレ−トであり、ここで、トリフレ−トは、エーテルまたは水酸基からも中間反応で得ることができる。
本発明の化合物の合成のために示されたプロセスは、例の方法と理解すべきである。当業者は、当分野の技術常識の範囲内で、代替の合成経路を開発することができるであろう。
上記詳細な調製プロセスの原理は、類似化合物のための文献から主として知られており、当業者により、本発明の化合物の調製へ簡単に適合することができる。さらなる情報は、例において見出すことができる。
これらのプロセスに、必要であれば、精製、たとえば、再結晶化もしくは昇華を続けることができ、式（Ｉ）の構造を含む本発明の化合物を、高純度で、好ましくは、９９％超で（１Ｈ ＮＭＲおよび/またはＨＰＬＣにより測定される）得ることができる。
本発明の化合物は、たとえば、比較的長いアルキル基（約４〜２０個の炭素原子）、特別に、分岐アルキル基または随意に置換されたアリール基、たとえば、キシリル、メシチルもしくは分岐テルフェニルあるいはクアテルフェニル基による、適切な置換基を有してもよく、それらは、溶液から化合物を処理することを可能とすることを目的として、通常の有機溶媒、たとえば、トルエンもしくはキシレン中で、室温で十分な濃度で可溶性である溶解度をもたらす。これらの可溶性の化合物は、特に、溶液からの処理、たとえば、印刷法に対して特に良好に適合的である。さらに、少なくとも一つの式（Ｉ）の構造を含む本発明の化合物は、これらの溶媒中で向上した溶解度を既に有することが強調されるべきである。
本発明の化合物をポリマーと混合してもよい。同様に、これらの化合物をポリマー中に共有結合的に組み込むこともできる。これは、特別に、臭素、沃素、塩素、ボロン酸もしくはボロン酸エステル等の反応性脱離基またはオレフィンもしくはオキセタン等の反応性重合可能基により置換された化合物により可能である。これらは、対応するオリゴマー、デンドリマーまたはポリマーの製造のためのモノマーとしての使用を見出し得る。オリゴマー化もしくはポリマー化は、好ましくは、ハロゲン官能基もしくはボロン酸官能基または重合可能基によりなされる。追加的に、この種の基を介してポリマーを架橋することもできる。本発明の化合物とポリマーを、架橋もしくは非架橋層の形態で使用してよい。
したがって、本発明は、さらに、一以上の式（Ｉ）の上記詳細な構造を含む化合物もしくは本発明の化合物を含むオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを提供し、ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーへの本発明の化合物または式（Ｉ）の構造の化合物への一以上の結合が存在する。式（Ｉ）の構造または化合物の結合により、これらは、かくて、オリゴマーもしくはポリマーの側鎖を形成するか、または主鎖内で結合する。ポリマー、オリゴマーまたはデンドリマーは、共役、部分共役もしくは非共役であってよい。オリゴマーまたはポリマーは、直鎖、分岐もしくは樹状であってよい。オリゴマー、デンドリマーおよびポリマー中の本発明の化合物の反復単位に対して、上記記載したのと同じ選好があてはまる。
オリゴマーまたはポリマーの調製のために、本発明のモノマーは、さらなるモノマーとホモ重合するか共重合する。式（Ｉ）の単位もしくは以前以後示した好ましい態様が、０．０１〜９９．９モル％、好ましくは、５〜９０モル％、より好ましくは、２０〜８０モル％の範囲で存在するコポリマーが好ましい。ポリマー基本骨格を形成する適切で好ましいコモノマーは、フルオレン（たとえば、EP842208もしくはWO2000/22026によるもの）、スピロビフルオレン（たとえば、EP707020、EP894107もしくはWO2006/061181によるもの）、パラ-フェニレン（たとえば、WO92/18552によるもの）、カルバゾール（たとえば、WO2004/070772もしくはWO2004/113468によるもの）、チオフェン（たとえば、EP1028136によるもの）、ジヒドロフェナントレン（たとえば、WO 2005/014689によるもの）、cis-およびtrans-インデノフルオレン（たとえば、WO2004/041901もしくはWO2004/113412によるもの）、ケトン（たとえば、WO2005/040302によるもの）、フェナントレン（たとえば、WO2005/104264もしくはWO0207/017066によるもの）または複数のこれらの単位から選ばれる。ポリマー、オリゴマーおよびデンドリマーは、なおさらなる単位、たとえば、正孔輸送単位、特別に、トリアリールアミン系のもの、および/または電子輸送単位をも含んでもよい。
さらに、本発明の化合物は、比較的低い分子量を有してもよい。したがって、本発明は、好ましくは、１００００ｇ／ｍｏｌ以下の、より好ましくは、５０００ｇ／ｍｏｌ以下の、特に好ましくは、４０００ｇ／ｍｏｌ以下の、特別に好ましくは、３０００ｇ／ｍｏｌ以下の、特別好ましくは、２０００ｇ／ｍｏｌ以下の、さらにより好ましくは、１０００ｇ／ｍｏｌ以下の分子量を有する１以上の式（Ｉ）の構造もしくは以前以後詳らかにされる好ましい態様を有する化合物を提供する。
さらに、昇華可能であることが、本発明の好ましい化合物の特徴である。これらの化合物は、一般的に約１２００ｇ／ｍｏｌ未満のモル質量を有する。
追加的に、特に関心のあるものは、高いガラス転移温度を特徴とする本発明の化合物である。これに関連して、好ましいものは、ＤＩＮ５１００５にしたがって測定された少なくとも７０℃の、より好ましくは、少なくとも１００℃の、さらにより好ましくは、少なくとも１２５℃のおよび、特別に好ましくは、少なくとも１５０℃のガラス転移温度を有する一般式（Ｉ）の構造もしくは以前以後詳らかにされる好ましい態様をを含む本発明の化合物である。
本発明は、なおさらに、本発明の化合物または本発明のオリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーと少なくとも一種のさらなる化合物とを含む調合物を提供する。さらなる化合物は、好ましくは、溶媒であってよい。さらなる化合物は、代替として、電子素子で同様に使用されるさらなる有機もしくは無機化合物、たとえば、マトリックス材料であってよい。このさらなる化合物は、ポリマー状であってもよい。
適切で好ましい溶媒は、たとえば、トルエン、アニソール、o-、m-もしくはp-キシレン、メチルベンゾエート、メシチレン、テトラリン、ベラトール、ＴＨＦ、メチル-ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特別に、3-フェノキシトルエン、(-)-フェンコンヌ、1,2,3,5-テトラメチルベンゼン、1,2,4,5-テトラメチルベンゼン、1-メチルナフタレン、2-メチルベンゾチアゾール、2-フェノキシエタノール、2-ピロリジノン、3-メチルアニソール、4-メチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソール、アセトフェノン、α-テルピネオール、ベンゾチアゾール、ブチルベンゾエート、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、エチルベンゾエート、インダン、メチルベンゾエート、ＮＭＰ、p-シメン、フェネトール、1,4-ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ−テル、トリプロピレングリコールジメチルエ−テル、テトラエチレングリコールジメチルエ−テル、2-イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、1,1-ビス(3,4-ジメチルフェニル)エタンもしくはこれら溶媒の混合物である。
本発明は、なおさらに、少なくとも一つのさらなる有機機能性材料を含む組成物を提供する。機能性材料は、一般的には、アノードとカソードとの間に挿入される有機もしくは無機材料である、好ましくは、有機機能性材料は、蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、n-ドーパント、ワイドバンドギャップ材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料より成る群から選ばれる。
したがって、本発明は、式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明した好ましい態様を含む少なくとも一つの化合物と、少なくとも一つのさらなるマトリックス材料とを含む組成物にも関する。本発明の特別な１側面によれば、さらなるマトリックス材料は、正孔を輸送する特性を有する。
本発明は、さらに、少なくとも一つの式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明した好ましい態様を含む化合物と、少なくとも一つのワイドバンドギャップ材料を含む組成物を提供し、ワイドバンドギャップ材料は、US 7,294,849の開示の意味での材料を意味すると理解される。これらのシステムは、エレクトロルミッセンス素子における特に有利な性能データを示す。
好ましくは、追加的化合物は、２．５ｅＶ以上の、好ましくは、３．０ｅＶ以上の、より好ましくは、３．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する。バンドギャップを計算する一つの方法は、最高被占軌道（ＨＯＭＯ）と最低空軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位を介する。
分子軌道、特別には、最高非占軌道（ＨＯＭＯ）と最低空軌道（ＬＵＭＯ）、それらのエネルギー準位および最低三重項状態Ｔ１のエネルギーと最低励起一重項状態Ｓ１のエネルギーは、量子化学計算によって決定される。金属を含まない有機物質を計算するために、最初に、ジオメトリーの最適化が、「基底状態／準実験的／デフォルトスピン／ＡＭ１／電荷０／一重項スピン」法を使用して実行される。続いてジオメトリーの最適化を基準にしてエネルギー計算を実施する。これは、「６−３１Ｇ（ｄ）」ベースセット（電荷０、一重項スピン）を用いる「ＴＤ−ＳＣＦ／ＤＦＴ／デフォルトスピン／Ｂ３ＰＷ９１」法を使用してなされる。金属含有化合物に対しては、ジオメトリーは、「基底状態／ハートリー-フォック／デフォルトスピン／ＬａｎＬ２ＭＢ／電荷０/一重項スピン」法を介して最適化される。エネルギー計算は、「ＬａｎＬ２ＤＺ」ベースセットが金属原子のために使用され、「６−３１Ｇ（ｄ）」ベースセットが金属原子のために使用されるということを除いて、上記記載のとおりの有機物質と同じように実行される。ＨＯＭＯエネルギー準位ＨＥｈまたはＬＵＭＯエネルギー準位ＬＥｈは、ハートリー単位でのエネルギー計算から得られる。これは、サイクリックボルタンメトリ測定により較正されたＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの電子ボルトでのエネルギー準位は、以下のとおり決定するために使用される：
ＨＯＭＯ（ｅＶ）＝（（ＨＥｈ＊２７．２１２）−０．９８９９）／１．１２０６
ＬＵＭＯ（ｅＶ）＝（（ＬＥｈ＊２７．２１２）−２．００４１）／１．３８５
本出願の文脈では、これらの値は、材料のＨＯＭＯおよびＬＵＭＯエネルギー準位とみなすべきである。
最低三重項状態Ｔ１を、上記量子化学計算から明らかである最低エネルギーを有する三重項状態のエネルギーとして定義する。
最低励起一重項状態Ｓ１を、上記量子化学計算から明らかである最低エネルギーを有する励起一重項状態のエネルギーとして定義する。
ここに記載された方法は、使用されるソフトウエアパッケージとは独立しており、常に同じ結果が得られる。この目的のためによく利用されるプログラムの例は、「ガウシアン09W (Gaussian Inc.)と「Q-Chem 4.1 (Q-Chem, Inc.)」である。
本発明は、式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明した好ましい態様を含む少なくとも一つの化合物と、少なくとも一つの燐光エミッターとを含む組成物にも関し、用語「燐光エミッター」は、燐光ドーパントを意味するとも理解される。
用語「燐光ドーパント」は、発光が、スピン禁制遷移、たとえば、より高いスピン量子数を有する状態、たとえば、五重項状態からの遷移により生じる化合物を典型的には包含する。
適切な燐光発光ドーパントは、特別に、適切な励起により、好ましくは、可視域で発光する化合物であり、また、２０より大きい、好ましくは、３８〜８４の、より好ましくは、５６〜８０の原子番号を有する少なくとも一つの原子を含む。燐光発光ドーパントとして使用されるのは、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含む化合物、特に、イリジウム、白金または銅を含む化合物である。
本出願の文脈では、すべてのルミネッセントイリジウム、白金または銅錯体が、燐光化合物とみなされる。燐光ドーパントの例は、以下のセクションで加えられる。
マトリックス材料とドーパントとを含む系中でのドーパントは、混合物中でより少ない割合を有する成分を意味すると理解される。対応して、マトリックス材料は、マトリックス材料とドーパントとを含む系中で、混合物中でより多い割合を有する成分を意味すると理解される。
混合マトリックス系での使用のための好ましい燐光ドーパントは、以後特定される好ましい燐光ドーパントである。
燐光ドーパントの例は、出願WO 2000/70655、WO 2001/41512、WO 2002/02714、WO 2002/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 2005/033244、WO 2005/019373およびUS2005/0258742に見出され得る。一般的には、先行技術による燐光発光ＯＬＥＤのために使用され、有機エレクトロルミネッセンス素子分野の当業者に知られるようなすべての燐光発光錯体が、本発明の素子での使用のために適切である。
燐光ドーパントの明確な例は、以下の表に示される。
式（Ｉ）の構造を含む上記化合物もしくは上記詳細な好ましい態様は、好ましくは、電子素子での活性成分として使用することができる。電子素子は、アノード、カソードおよび少なくとも１つの層を含む素子を意味すると理解され、前記層は、少なくとも１種の有機または有機金属化合物を含む。したがって、本発明の電子素子は、アノード、カソード、およびの式（Ｉ）の構造を含む少なくとも１種の化合物を含む少なくとも１つの層を含む。ここで、好ましい電子素子は、有機エレクトロルミネッセント素子（ＯＬＥＤ、ＰＬＥＤ）、有機集積回路（Ｏ−ＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（Ｏ−ＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（Ｏ−ＬＥＴ）、有機ソーラーセル（Ｏ−ＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容体、有機電場消光素子（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）および有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）からなる群から選択され、少なくとも１つの層に前述の式（Ｉ）の構造を含む少なくとも１種の化合物を含む。有機エレクトロルミネッセント素子が、特に好ましい。活性成分は、一般に、アノードとカソードの間に導入された有機または無機材料、たとえば電荷注入、電荷輸送または電荷ブロック材料であるが、特別には、発光材料およびマトリックス材料である。
本発明の好ましい１態様は、有機エレクトロルミネセンス素子である。有機エレクトロルミネセンス素子は、カソード、アノードと少なくとも一つの発光層を含む。これらの層とは別に、さらなる層、たとえば、各場合に、１以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、励起子ブロック層、電子ブロック層、電荷生成層および/または有機もしくは無機ｐ／ｎ接合を含んでもよい。同時に、一以上の正孔輸送層が、たとえば、ＭｏＯ３もしくはＷＯ３等の金属酸化物または（過）フッ素化電子不足芳香族系によりp-ドープされ、および/または一以上の電子輸送層が、n-ドープされることも可能である。たとえば、エレクトロルミネセンス素子中で励起子ブロック機能および/または電荷バランス調節能を有する中間層も、同様に２個の発光層の間に導入されることも可能である。しかしながら、これらの層の夫々は、必ずしも存在する必要がないことに留意する必要がある。
この場合に、有機エレクトロルミネセンス素子は、１つの発光層を含むかまたは複数の発光層を含むことができる。複数の発光層が存在するならば、これらは、好ましくは、３８０ｎｍ〜７５０ｎｍ間に全体で複数の最大発光長を有し、全体として、白色発光が生じるものであり、換言すれば、蛍光もしくは燐光を発し得る種々の発光化合物が、発光層に使用される。特別好ましいのは、３層構造であり、その３層は青色、緑色およびオレンジ色もしくは赤色発光を呈する（基本構造については、たとえば、WO 2005/011013参照。）か、または３個超の発光層を有するシステムである。システムは１以上の層が蛍光であり、一以上の他の層が燐光であるハイブリッドシステムであってもよい。
本発明の好ましい１態様では、有機エレクトロルミッセンス素子は、１以上の発光層に、マトリックス材料として、好ましくは、電子伝導マトリックス材料として、好ましくは、さらなるマトリックス材料、好ましくは、正孔伝導マトリックス材料と組み合わせて、式（Ｉ）の構造を含む化合物もしくは上記詳細な好ましい態様を含む。発光層は、少なくとも一つの発光化合物を含む。
使用されるマトリックス材料は、一般的に、先行技術によりその目的のために知られる任意の材料であってよい。マトリックス材料の三重項準位は、好ましくは、エミッターの三重項準位よりも高い。
本発明の化合物のために適切なマトリックス材料は、たとえば、WO2004/013080、WO2004/093207、W2006/005627もしくはWO 2010/006680によるケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホンであり、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、たとえば、ＣＢＰ（N.N-ビスカルバゾリルビフェニル）、m-ＣＢＰまたはWO2005/039246、US2005/0069729、JP 2004/288381、EP1205527、WO2008/086851もしくはUS2009/0134784に記載されたカルバゾール誘導体、たとえば、WO2007/063754もしくはWO2008/056746によるインドロカルバゾール誘導体、たとえば、WO 2010/136109もしくはWO 2011/000455によるインデノカルバゾール誘導体、たとえば、EP1617710、EP1617711、EP1731584、JP 2005/347160によるアザカルバゾール、たとえば、WO 2007/137725によるバイポーラーマトリックス材料、たとえば、WO2005/111172によるシラン、たとえば、WO 2006/117052によるアザボロールもしくはボロン酸エステル、たとえば、WO 2010/054729によるジアザシロール誘導体、たとえば、WO 2010/054730によるジアザホスホール誘導体、たとえば、WO 2010/015306、WO2007/063754もしくはWO02008/056746によるトリアジン誘導体、たとえば、EP652273もしくはWO2009/062578による亜鉛錯体、たとえば、WO 2009/148015によるジベンゾフラン誘導体、または、たとえば、US 2009/0136779、WO 2010/050778、WO 2011/042107もしくはWO 2011/088877による架橋カルバゾール誘導体である。
複数の異なるマトリックス材料、特別に、少なくとも一つの電子伝導性マトリックス材料と少なくとも一つの正孔伝導性マトリックス材料を混合物として使用することも好ましいこともある。好ましいのは、同様に、電荷輸送マトリックス材料と、たとえば、WO 2010/108579に記載されたとおりの、あるとしても電荷輸送に顕著な関与を有さない電気的に不活性なマトリックス材料との混合物の使用である。
マトリックスと一緒に２以上の三重項エミッターの混合物を使用することがさらに好ましい。この場合に、より短い波長の発光スペクトルを有する三重項エミッターは、より長い波長の発光スペクトルを有する三重項エミッターのためのコマトリックスとしての役割を果たす。
より好ましくは、好ましい１態様において、式（Ｉ）の構造を含む本発明の化合物を、有機電子素子、特別に、有機エレクトロルミッセンス素子、たとえば、ＯＬＥＤもしくはＯＬＥＣにおいて、発光層でのマトリックス材料として使用することができる。この場合に、式（Ｉ）の構造を含む化合物もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を含むマトリックス材料は、１以上のドーパント、好ましくは、燐光ドーパントと組み合わせて電子素子中に存在する。
この場合に、発光層中のマトリックス材料の割合は、蛍光発光層に対して、５０．０〜９９．９体積％、好ましくは、８０．０〜９９．５体積％、より好ましくは、９２．０〜９９．５体積％であり、燐光発光層に対して、８５．０〜９７．０体積％である。
対応して、ドーパントの割合は、蛍光発光層に対して、０．１〜５０．０体積％、好ましくは、０．５〜２０．０体積％、より好ましくは、０．５〜８．０体積％であり、燐光発光層に対して、３．０〜１５．０体積％である。
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層は、また、複数のマトリックス材料（混合マトリックス系）および/または複数のドーパントを含む系を含んでもよい。この場合にも、ドーパントは、一般的には、系中でより少ない割合を有するそれらの材料であり、マトリックス材料は、系中でより多い割合を有するそれらの材料である。しかしながら、個々の場合では、系中の単一のマトリックス材料の割合は、単一のドーパントの割合よりも少ないこともある。
本発明のさらに好ましい態様では、式（Ｉ）の構造を含む化合物もしくは以前以後説明されたその好ましい態様は、混合マトリックス系の成分として使用される。混合マトリックス系は、好ましくは、２または３種の異なるマトリックス材料、より好ましくは、２種の異なるマトリックス材料を含む。この場合に、２種の材料の内の一つは、好ましくは、正孔輸送特性を有する材料であり、他方は電子輸送特性を有する材料である。しかしながら、混合マトリックス成分の所望の電子輸送および正孔輸送特性は、単一の混合マトリックス成分中で主としてまたは完全に結合されてもよく、この場合には、さらなる混合マトリックス成分が、他の機能を果たす。ここで、２種の異なるマトリックス材料は、１：５０〜１：１、好ましくは、１：２０〜１：１、より好ましくは、１：１０〜１：１、最も好ましくは、１：４〜１：１の比で存在してよい。混合マトリックス系は、好ましくは、燐光有機エレクトロルミッセンス素子中で使用される。混合マトリックス系に関するより詳細な情報源の一つは、出願WO 2010/108579である。
本発明は、さらに、１以上の本発明の化合物および/または少なくとも１つの本発明のオリゴマー、ポリマーもしくはデンドリマーを１以上の電子伝導層中に電子伝導化合物として含む電子素子、好ましくは、有機エレクトロルミッセンス素子を提供する。
好ましいカソードは、低仕事関数を有する金属、金属合金または、たとえば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属もしくはランタノイド（たとえば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）のような種々の金属を含む多層構造である。追加的に適切なのは、アルカリ金属、アルカリ土類金属および銀より成る合金、たとえば、マグネシウムと銀から成る合金である。多層構造の場合、前記金属に加えて、比較的高仕事関数を有するさらなる金属、たとえば、Ａｇが使用されてもよく、その場合、たとえば、Ｍｇ／Ａｇ、Ｃａ／ＡｇもしくはＢａ／Ａｇのような金属の組み合わせが一般的に使用される。金属カソードと有機半導体との間に高誘電定数を有する材料の薄い中間層を導入することが好ましいこともある。この目的に有益な材料の例は、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属フッ化物だけでなく、また対応する酸化物もしくは炭酸塩（たとえば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ２ＣＯ３等）である。この目的に有益なものは、同様に有機アルカリ金属錯体、たとえば、Ｌｉｑ（リチウムキノリナート）である。この層の層厚は、好ましくは、０．５〜５ｎｍである。
好ましいアノードは、高い仕事関数を有する材料である。アノードは、好ましくは、４．５ｅＶ対真空超の仕事関数を有する。第１に、たとえば、Ａｇ、ＰｔもしくはＡｕのような高レドックスポテンシャルを有する金属が、この目的に適切である。第２に、金属/金属酸化物電極（たとえば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯｘ、Ａｌ／ＰｔＯｘ）が、また、好まれてもよい。幾つかの用途のために、少なくとも一つの電極は、有機材料の放射（Ｏ-ＳＣ）もしくは発光（ＯＬＥＤ／ＰＬＥＤ、Ｏ−ｌａｓｅｒ）の何れかを可能にするために透明もしくは一部透明である必要がある。ここで、好ましいアノード材料は、導電性混合金属酸化物である。特に好ましいのは、イリジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはイリジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）である。さらに、ドープされた導電性有機材料、特別にドープされた導電性ポリマー、たとえばＰＥＤＯＴ、ＰＡＮＩまたはこれらのポリマーの誘導体が好ましい。ｐ-ドープされた正孔輸送材料を正孔注入層としてアノードに適用することがさらに好ましく、この場合、適切なｐ-ドーパントは、金属酸化物、たとえばＭｏＯ３もしくはＷＯ３または（過）フッ素化された電子不足芳香族系である。さらに適切なｐ-ドーパントは、ＨＡＴ−ＣＮ（ヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン）またはNovaled製の化合物ＮＰＤ９である。このような層により、大きさの観点で、低ＨＯＭＯ、すなわち高いＨＯＭＯ値を有する材料における正孔注入が簡単になる。
さらなる層において、一般的に、層のために先行技術により使用されるとおりの任意の材料を使用することができ、当業者は、発明力を行使することなく、電子素子において、本発明による材料とこれら任意の材料を組み合わせることができるだろう。
このような素子の寿命は、水および/または空気の存在でひどく低下することから、素子は、（用途に応じて）対応して構造化され、接点を接続され、最後に気密シールされる。
追加的に好ましいのは、電子素子、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子であり、１以上の層が、昇華プロセスにより被覆されることを特徴とする。この場合に、材料は、１０−５mbar未満、好ましくは１０−６mbar未満の通常の初期圧力で、真空昇華システム中での気相堆積により適用される。初期圧力は、さらにより低くても、たとえば、１０−７mbar未満でも可能でもある。
同様に好ましいのは、電子素子、特別に、有機エレクトロルミネッセンス素子であり、１以上の層が、ＯＶＰＤ（有機気相堆積）法もしくはキャリアガス昇華により被覆されることを特徴とする。この場合に、材料は、１０−５mbar〜１barの圧力で適用される。この方法の特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）法であり、材料はノズルにより直接適用され、ひいては構造化される（たとえば、M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301）。
追加的に好ましい電子素子、特別に、有機エレクトロルミネッセンス素子は、１以上の層が、溶液から、たとえば、スピンコーティングにより、もしくは、たとえばスクリーン印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷あるいはノズル印刷、より好ましくは、ＬＩＴＩ（光誘起熱画像化、熱転写印刷）あるいはインクジェット印刷のような任意の所望の印刷プロセスにより製造されることを特徴とする。この目的のために、可溶性の化合物が必要であり、それらは、たとえば適切な置換により得られる。
電子素子、特別に、有機エレクトロルミネセンス素子は、また、１以上の層を溶液から適用し、また、１以上の他の層を気相堆積により適用することによりハイブリッドシステムとしても製造され得る。たとえば、式（Ｉ）の構造を含む本発明の化合物とマトリックス材料を含む発光層を溶液から適用し、正孔ブロック層および/または電子輸送層をそこに減圧下気相堆積により適用することもできる。
これらの方法は当業者に一般的に知られており、当業者により問題なく、式（Ｉ）の構造を含む本発明の化合物または上記詳細な好ましい態様を含む電子素子、特別に、有機エレクトロルミネセンス素子に適用することができる。
本発明の電子素子、特別に、有機エレクトロルミネセンス素子は、先行技術を凌駕する１以上の以下の驚くべき優位性で注目すべきである。
１．式（Ｉ）の構造を有する化合物もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を有するオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを、特別に、電子伝導材料および/または正孔伝導材料として含む電子素子、特別に、有機エレクトロルミネセンス素子は、極めて良好な寿命を有する。
２．式（Ｉ）の構造を有する化合物もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を有する、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーを、電子伝導材料および/または正孔伝導材料として含む電子素子、特別に、有機エレクトロルミネセンス素子は、優れた効率を有する。より特別には、効率は、式（Ｉ）の構造単位を含まない類似化合物と比べて、遙かにより高い。
３．式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を有する本発明の化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、極めて高い安定性を示し、極めて長い寿命を有する。
４．式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーにより、電子素子、特別に、有機エレクトロルミネセンス素子におけるチャンネルの光学的損失の形成を回避することができる。結果として、これらの素子は、エミッターの高いＰＬ効率とそれゆえの高いＥＬ効率と、優れたマトリックスのドーパントへのエネルギー移送を特徴とする。
５．式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーの電子素子、特別に、有機エレクトロルミッセンス素子の層での使用は、電子伝導体構造および/または正孔伝導体構造の高い移動度をもたらす。
６．式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、優れた熱安定性を特色とし、約１２００ｇ／ｍｏｌ未満のモル質量を有する化合物は、良好な昇華性を有する。
７．式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、優れたガラス膜形成性を有する。
８．式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、溶液から極めて良好な膜を形成する。
９．式（Ｉ）の構造もしくは以前以後説明されたその好ましい態様を有する化合物、オリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーは、驚くほど高い三重項準位Ｔ１をも有し、これは、特に、電子伝導材料として使用される化合物にあてはまる。
上記したこれらの利点は、さらなる電子特性での低下を伴わない。
本発明は、さらに、本発明の化合物および/または本発明のオリゴマー、ポリマーまたはデンドリマーの、正孔輸送材料、正孔注入材料、正孔ブロック材料、電子注入材料、電子ブロック材料、および/または電子輸送材料としての電子素子での使用を提供する。
本発明で説明された態様の変形が、本発明の範囲に入ることが指摘されねばならない。本発明で開示された任意の特徴は、明確に除外されなければ、同じ目的か、等価か、類似する目的に役立つ代替的特徴により交換されてよい。したがって、特に断らなければ、本発明で開示された任意の特徴は、一般的な一連の例としてか、等価か類似する特徴とみなされなければならない。
本発明のすべての特徴は、特定の特徴および/または工程が相互に排除しないならば、とにかく互いに組み合わせてよい。これは、特別に、本発明の好ましい特徴にあてはまる。同様に、非本質的な組み合わせの特徴は、（組み合わせではなく）別に、使用されてよい。
多くの特徴、特別に、本発明の好ましい態様の特徴は、それ自身で発明性があり、本発明の態様の単なる部分としてだけではないとみなされねばならない。現在クレームされた任意の発明に加えてまたその代替として、独立した保護が、これらの特徴のために与えられてよい。
本発明で開示された技術的教示を抽出し、他の例と組み合わせてよい。
本発明を、以下の例によってより詳細に説明するが、それにより本発明が制限されるものではない。
当業者は、所与の説明を使用して発明力を行使することなく、本発明のさらなる電子素子を製造することができ、したがって、特許請求の範囲の全般にわたって本発明を実施することができよう。
例
以下の合成を、別段の指定がない限り、無水溶媒中で保護ガス雰囲気下で実施する。金属錯体をさらに、遮光して、または黄色光下で処理する。溶媒及び試薬を、たとえば、Sigma-ALDRICHまたはABCRから購入することができる。角括弧中のそれぞれの数値または個々の化合物に対して示されている番号は、文献から知られている化合物のＣＡＳ番号に関連する。
調製例
ａ）6,12-ジブロモ-9H-9-アザトリベンズ[b,d,f]アザピン
１００ｇ（３７３．２ミリモル）の9H-トリベンズ[b,d,f]アザピンを、最初に８００ｍＬのＤＭＦに入れる。その後、１３２．８ｇ（７４６．４ミリモル）のＮＢＳを小分けして添加し、この温度で４時間、撹拌を続ける。その後、１５０ｍＬの水を混合物に添加し、ＣＨ２Ｃｌ２による抽出を実施する。有機相をＭｇＳＯ４で脱水させ、減圧下で溶媒を除去する。生成物を高温のヘキサンによる抽出撹拌にかけ、吸引濾過する。収率１２２ｇ（２９５ミリモル）、理論値の７９％、１ＨＮＭＲによる純度は約９７％。
同じような方法で、以下の化合物を調製する：
ｂ）6,12-ビス-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-4-イル)-9H-9-アザトリベンゾ[a,c,e]シクロヘプテン
７０．０ｇ（１６８ミリモル）の6,12-ジブロモ-9H-アザトリベンズ[b,d,f]アザピンと、７１ｇ（３４３ミリモル）の9,9’-ジメチルフルオレン-4-ボロン酸と、６．８ｇ（７１ミリモル）のＫ２ＣＯ２とを、２００ｍＬのトルエンと、２５０ｍＬの1,4-ジオキサンと、１５０ｍＬの水とに懸濁させる。この懸濁液に対して、９．６ｇ（８．３ミリモル）のテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)を添加する。反応混合物を還流下で１６時間、加熱する。冷ました後、有機相を除去し、１００ｍＬの水で三度洗浄し、濃縮乾固させる。残留物をトルエンによる熱抽出にかけ、トルエンから再結晶化させ、最後に高真空で昇華させる。収率は６１ｇ（９８ミリモル）、理論値の５７％、１ＨＮＭＲによる純度は約９８％。
同じような方法で、以下の化合物を調製する：
6-カルバゾール-9-イル-12-(4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジン-2-イル)-9H-9-アザトリベンゾ[a,c,e]シクロヘプテンの合成
１５０ｍＬのジ-n-ブチルエーテル中、８０ｇ（１５９．５ミリモル）の6-クロロ12-(4,6-ジフェニル-[1,3,5]トリアジン-2-イル)-9H-9-アザトリベンゾ[a,c,e]シクロヘプテンに対して、６７．７ｇ（１４５ミリモル）のカルバゾールを添加し、溶液を脱気する。その後、その混合物に１０ｇ（０．１５８ミリモル）の銅粉末と、１．３８ｇ（０．００７ミリモル）のヨウ化銅と、２２ｇ（１５９．６ミリモル）のＫ２ＣＯ３とを添加し、混合物を保護ガス下で、１４４℃で４日間、撹拌する。有機相をＭｇＳＯ４で脱水させ、減圧下で溶媒を除去する。収率：３２ｇ（５０ミリモル）、理論値の４０％。
ｃ）9-(2-クロロフェニル)-6,12-ビス-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-4-イル)-9H-9-アザトリベンゾ[a,c,e]シクロヘプテン
保護ガス下で、４３．９ｇ（７０ミリモル）の6,12-ビス-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-4-イル)-9H-9-アザトリベンゾ[a,c,e]シクロヘプテンと、１４ｇ（７３ミリモル）の1-ブロモ-2-クロロベンゼンと、８ｇ（８４ミリモル）のナトリウムtert-ブトキシドと、３．５ｍＬのトリス-tert-ブチルホスフィン（トルエン中１Ｍ）と、０．３９３ｍｇ（１．７ミリモル）の酢酸パラジウムとを、３００ｍＬのp-キシレンに懸濁させる。反応混合物を還流下で、１１０℃で１２時間、加熱する。冷ました後、有機相を除去し、２００ｍＬの水で三度洗浄し、次いで濃縮乾固させる。生成物をカラムクロマトグラフィを介して、シリカゲルで、トルエン／ヘプタン（１：２）とともに精製する。収率は４５ｇ（６１．６ミリモル）、理論値の８８％、１ＨＮＭＲによる純度は約９４％。
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
ｄ）環化
保護ガス下で、４５ｇ（６１ミリモル）の9-(2-クロロフェニル)-6,12-ビス-(9,9-ジメチル-9H-フルオレン-4-イル)-9H-9-アザトリベンゾ[a,c,e]シクロヘプテンを２５０ｍLのジメチルアセトアミドに溶解させる。この溶液に対して、２１ｇ（１５４ミリモル）のＫ２ＣＯ３、１０ｍｌのトリ-tert-ブチルホスフィン（モル／Ｌ）と、２．７ｇ（１２．５ミリモル）のＰｄ（ＯＡｃ）２と、１．８ｇ（１８．５ミリモル）のピバル酸とを添加する。次いで、混合物を１３０℃で８０時間、撹拌する。この後、反応混合物を室温に冷まし、ジクロロメタンで抽出する。結合した有機相をＮａ２ＳＯ４で脱水させ、濃縮させる。残留物をトルエンによる熱抽出にかけ、トルエンから再結晶化させ、最後に高真空で昇華させる。収率は３７ｇ（５２ミリモル）、理論値の８７％、ＨＰＬＣによる純度は約９９．９％。
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
ｅ）2-[2-(6,12-ビス-[1,1’;3’,1’’]テルフェニル-5’-イル-9-アザトリベンゾ[a,c,e]シクロヘプテン-9-イル)フェニル]プロパン-2-オル
１７７ｇ（２１３ミリモル）のメチル2-(6,12-ビス-[1,1’;3’,1’’]テルフェニル-5’-イル-9-アザトリベンゾ[a,c,e]-シクロヘプテン-9-イル)安息香酸を、１５００ｍＬの無水ＴＨＦに溶解させ、脱気する。混合物を−７８℃に冷却し、５６９ｍＬ（８５４ミリモル）のメチルリチウムを４０分以内に添加する。混合物を１時間以内に−４０℃まで温めておき、ＴＬＣを介して変換を監視する。変換の完了時に、混合物を−３０℃で、ＭｅＯＨで慎重にクエンチする。反応溶液を１／３に濃縮し、１ＬのＣＨ２Ｃｌ２を添加し、混合物を洗浄し、有機相をＭｇＳＯ４で脱水し、濃縮する。収率は１５８ｇ（１８９ミリモル）、理論値の８９％。
同じような方法で、以下の化合物を調製することができる：
ｆ）環化
３６ｇ（４３．６ミリモル）の2-[2-(6,12-ビス-[1,1’:3’,1’’]テルフェニル-5’-イル-9-アザトリベンゾ[a,c,e]シクロヘプテン-9-イル)フェニル]プロパン-2-オルを１２００ｍＬの脱気トルエンに溶解させ、４０ｇのポリリン酸と２８ｍＬのメタンスルホン酸の懸濁液を添加し、混合物を６０℃まで１時間加熱する。混合物を冷却し、水を混合する。固形物が沈殿し、それをＣＨ２Ｃｌ２／ＴＨＦ（１：１）に溶解させる。溶液を２０％のＮａＯＨで慎重にアルカリ化させ、相を分離させ、ＭＧＳＯ４で脱水させる。残留物をトルエンによる熱抽出にかけ、トルエン／ヘプタン（１：２）から再結晶化させ、最後に高真空で昇華させる。収率は２８ｇ（３５ミリモル）、理論値の８１％。
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
ｇ）8-クロロ-9-(2-ニトロフェニル)-9H-9-アザトリベンズ[b,d,f]アザピン
保護ガス下で、２４．６ｇ（８９ミリモル）の8-クロロ-9H-9-アザトリベンズ[b,d,f]アザピンと、１７．９ｇ（８９ミリモル）の1,2-ブロモニトロベンゼンと、０．８ｇ（０．８８ミリモル）のトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムと、１．７９ｇ（７．９ミリモル）の酢酸パラジウムとを、５００ｍＬのトルエンに懸濁させる。反応混合物を還流下で８時間、加熱する。冷ました後、有機相を除去し、２００ｍＬの水で三度洗浄し、次いで濃縮乾固させる。純度は８７％である。収率：２５．５ｇ（６３ミリモル）、理論値の７２％。
同じような方法で、以下の化合物を調製することができる：
ｈ）2-(8-クロロ-9H-9-アザトリベンズ[b,d,f]アザピニル)フェニルアミン
１６．７ｇ（４２ミリモル）の8-クロロ-9-(2-ニトロフェニル)-9H-9-アザトリベンズ[b,d,f]アザピンを２００ｍＬのエタノールに懸濁させる。６０℃で撹拌しながら、２５ｍＬの濃ＨＣｌに溶解された２６ｇ（１４０ミリモル）のＳｎＣｌ２を小分けして添加し、混合物を還流下で８時間、沸騰させる。その後、沈殿物を濾過し、減圧下で乾燥させる。純度は９０％である。収率：１４．２ｇ（３８ミリモル）、理論値の９２％。
同じような方法で、以下の化合物を得ることができる：
ｉ）環化
保護ガス下で、９．９ｇ（２７ミリモル）の2-(8-クロロ-9H-9-アザトリベンズ[b,d,f]アザピニル)フェニルアミンと、０．２４ｇ（０．２６ミリモル）のトリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウムと、０．５３ｇ（２．３７ミリモル）の酢酸パラジウムとを、１５０ｍＬのトルエンに懸濁させる。反応混合物を還流下で８時間、加熱する。その後、４ｇ（２６ミリモル）の4-ブロモベンゼンを添加し、混合物を還流下で、さらに８時間沸騰させる。冷ました後、有機相を除去し、８０ｍＬの水で三度洗浄し、次いで濃縮乾固させる。残留物をトルエンによる熱抽出にかけ、トルエン／ヘプタン（１：２）から再結晶化させ、最後に高真空で昇華させる。純度は、ＨＰＬＣによると９９．９％である。収率：７．９ｇ（１９．４ミリモル）、理論値の７２％。
同じような方法で、以下の化合物を調製する：
素子例
ＯＬＥＤの製造
本発明によるＯＬＥＤおよび先行技術によるＯＬＥＤは、WO2004/058911による一般的な方法によって製造され、これは、ここに記載する状況（層厚の変化、材料）に適合される。
以下の例Ｃ１−Ｉ６−４（表１および２を参照）では、種々のＯＬＥＤのデータが提示されている。厚さ５０ｎｍの構造化されたＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）で被覆された、清浄にした（研究室のガラス洗浄機、Merck Extran洗浄剤で洗浄した）ガラス薄板が、改善された処理のために、２０ｎｍのＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（3,4-エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレン・スルホン酸）で水溶液からのスピン、Heraeus Clevios Metals GmbH独国からCLEVIOS（登録商標）P VP AI 4083として購入）で被覆される。これらの被覆されたガラス薄板はＯＬＥＤが適用される基板を形成する。
ＯＬＥＤは、基本的に、次の層構造を有する：基板／随意に、正孔注入層（ＨＩＬ）／正孔輸送層（ＨＴＬ）／随意に、中間層（ＩＬ）／電子ブロック層（ＥＢＬ）／発光層（ＥＭＬ）／随意に、正孔ブロック層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／随意に、電子注入層（ＥＩＬ）および最後にカソード。カソードは、１００ｎｍ厚のアルミニウム層により形成される。ＯＬＥＤの正確な構造を、表１に見ることができる。ＯＬＥＤの製造のために必要な材料を、表３に示す。
すべての材料は、真空室において、熱気相堆積により適用される。この場合、発光層は、常に、少なくとも一種のマトリックス材料（ホスト材料）と、共蒸発により特定の体積割合で一種または複数種のマトリックス材料に添加される発光ドーパント（エミッター）とから成る。ここでは、ＳＴ１：ＣＢＰ：ＴＥＲ１（５５％：３５％：１０％）のような形で与えられている詳細は、材料ＳＴ１が５５体積％の割合で層中に存在し、ＣＢＰが３５体積％の割合で層中に存在し、ＴＥＲ１が１０体積％の割合で層中に存在することを意味する。同じように、電子輸送層も、２種の材料の混合物から成ってもよい。
ＯＬＥＤは、標準方法により特性決定される。この目的のために、エレクトロルミネセンススペクトル、ランベルト放射特性を仮定して、電流-電圧-輝度特性線（ＩＵＬ特性線）から計算した、輝度の関数としての電流効率（ｃｄ／Ａで測定）、および寿命が測定される。エレクトロルミネセンススペクトルは、輝度１０００ｃｄ／ｍ２で測定され、ＣＩＥ１９３１ｘおよびｙ色座標はそこから計算される。表２でのパラメータＵ１０００は、輝度１０００ｃｄ／ｍ２に対して必要とされる電圧を示す。ＣＥ１０００は、１０００ｃｄ／ｍ２で達成される電流効率を示す。
寿命ＬＴは、一定の電流で動作する過程で、輝度が、開始輝度から、ある比率Ｌ１に低下するまでの時間として定義される。表Ｘ２中のＬ０；ｊ０＝４０００ｃｄ／ｍ２とＬ１＝８０％という数値は、列ＬＴに報告される寿命が、開始輝度が４０００ｃｄ／ｍ２から３２００ｃｄ／ｍ２に低下した後の時間に対応することを意味する。同じように、Ｌ０；ｊ０＝２０ｍＡ／ｃｍ２とＬ１＝８０％は、２０ｍＡ／ｃｍ２で動作する過程で、開始輝度が、時間ＬＴ後に、その開始輝度の８０％に低下することを意味する。
寿命の値は、当業者に公知の変換式を用いて他の開始輝度の数値に変換されることができる。ここでは、開始輝度の寿命１０００ｃｄ／ｍ２が標準値である。
種々のＯＬＥＤについてのデータを、表２に要約する。例Ｃ１〜Ｃ５は先行技術によるＯＬＥＤの比較例であり、例Ｉ１−Ｉ６−４は、本発明の材料を含むＯＬＥＤのデータを示している。
いくつかの例を、本発明の化合物の優位性を証明するために、以下により詳細に説明する。しかしこれは、表２に示されるデータの単なる選択であることが指摘されねばならない。表から察することができるように、とくに詳細に言及されていない本発明の化合物を使用するときでさえも、先行技術と比べて顕著な改善を、達成することもできるが、それらは、ある場合には、すべてのパラメータにおいて、ある場合には効率または電圧あるいは寿命での改善のみが観察される。しかしながら、種々の用途が、異なるパラメータに関する最適化を必要とすることから、前述したパラメータの一つの改善でさえも、著しい進歩である。
ＯＬＥＤ Ｃ１〜Ｃ５は先行技術による比較例である。
電子輸送材料としての、本発明の化合物の使用
ＯＬＥＤの電子輸送層で本発明の化合物を使用することによって、駆動電圧、外部量子効率、さらに特に電力効率に関しても著しい増加を実現することができる。さらに、改善された寿命は、燐光ドーパントの場合に得られる。
正孔ブロック材料としての、本発明の化合物の使用
ＯＬＥＤの正孔ブロック側における本発明の化合物の使用は、よって駆動電圧、パワー効率、寿命および処理の複雑性に関して著しい改善を与える。
燐光ＯＬＥＤにおけるマトリックス材料としての、本発明の化合物の使用
本発明の材料は、燐光ＯＬＥＤでマトリックス材料として使用されるとき、よって、すべてのパラメータにおいて、とくに寿命、ある場合にはパワー効率に関しても、先行技術と比べて著しい改善を与える。

Claims (25)

  1. 式（ＩＩ）の化合物；
    式中、使用される記号は、以下のとおりである：
    Ｘは、出現毎に同一か異なり、Ｎ、ＣＲ１またはＲａ基の付属位置としてのＣであり、ただし、一つの環において、２個以下のＸ基は、Ｎであり；
    Ｗは、単結合、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２、ＯまたはＳであり；
    ＲａおよびＲｂは、１０〜４０個の炭素原子を有する芳香族基もしくは６〜４０個の炭素原子を有する複素環式芳香族基であり、ここで、芳香族基および/または複素環式芳香族基は、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含み、夫々、縮合もしくは非縮合であってよくおよび/または１以上のＲ１基により置換されてよく；
    Ｒ１は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ２）２、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、ＣＲ２=Ｃ（Ｒ２）２、ＣＮ、Ｃ（=Ｏ）ＯＲ２、Ｃ（=Ｏ）Ｎ（Ｒ２）２、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｎ（Ｒ２）２、ＮＯ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＳＯ２Ｒ２、ＯＲ２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ２基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、-Ｒ２Ｃ=ＣＲ２-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ２）２、Ｓｎ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ２、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ２-、ＮＲ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ２基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または１以上のＲ２基で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれらの構造の組み合わせであり；同時に、２個以上の隣接するＲ１置換基は、一緒に、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
    Ｒ２は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、Ｂ（ＯＲ３）２、ＣＨＯ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ３、ＣＲ３=Ｃ（Ｒ３）２、ＣＮ、Ｃ（=Ｏ）ＯＲ３、Ｃ（=Ｏ）Ｎ（Ｒ３）２、Ｓｉ（Ｒ３）３、Ｎ（Ｒ３）２、ＮＯ２、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）２、ＯＳＯ２Ｒ３、ＯＲ３、Ｓ（=Ｏ）Ｒ３、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ３、１〜４０個の炭素原子を有する直鎖アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基、３〜４０個の炭素原子を有する分岐あるいは環式アルキル、アルコキシもしくはチオアルコキシ基（夫々は、１以上のＲ３基により置換されてよく、ここで、１以上の隣接しないＣＨ２基は、-Ｒ３Ｃ=ＣＲ３-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ３）２、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｇｅ（Ｒ３）２、Ｓｎ（Ｒ３）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=Ｓ、Ｃ=Ｓｅ、Ｃ=ＮＲ３、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ３-、ＮＲ３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ３）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、ここで、１以上の水素原子は、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮもしくはＮＯ２で置き代えられてよい。）または、各場合に、１以上のＲ３基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族もしくは複素環式芳香族環構造、または１以上のＲ３基で置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有するアリールオキシもしくはヘテロアリールオキシ基またはこれらの構造の組み合わせであり；同時に、２個以上の隣接するＲ２置換基は、一緒に、モノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよく；
    Ｒ３は、出現毎に同一か異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆまたは１〜２０個の炭素原子を有する脂肪族、芳香族および/または複素環式芳香族炭化水素基（ここで、水素原子は、Ｆで置き代えられてもよい。）であり；同時に、２個以上の隣接するＲ３置換基は、一緒にモノあるいはポリ環式の脂肪族もしくは芳香族環構造を形成してもよい。
  2. 式（ＩＶ）の構造を含む、請求項１記載の化合物：
    式中、使用される記号は、請求項１で与えられる定義を有する。
  3. 少なくとも一つのＲａおよび/またはＲｂ基は、トリアリールアミン、カルバゾール、インデノカルバゾールおよびインドロカルバゾールから選ばれる少なくとも一つの構造を含む正孔輸送基またはトリアジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、ベンズイミダゾールおよびピリジンから選ばれる少なくとも一つの構造を含む電子輸送基であることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  4. ２個以下のＸ基は、Ｎであることを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  5. すべてのＸ基はＣＲ１であるが、一つのＸは、Ｒａ基の付属位置であり、２個以下のＸであるＣＲ１基は、ＣＨ基ではないことを特徴とする、請求項１記載の化合物。
  6. 式（Ｖ）の構造を含む、請求項１〜５何れか１項記載の化合物：
    式中、Ｒａ、ＲｂおよびＲ１は、請求項１で与えられる定義を有し、ｅは、０、１または２であり、ｊは、０、１、２または３であり、ｈは、０、１、２、３または４であり、ここで、少なくとも一つのＲａ、Ｒｂ基は、正孔輸送基および/または電子輸送基であり、ここで、正孔輸送基は、トリアリールアミン、カルバゾール、インデノカルバゾールおよびインドロカルバゾールから選ばれる少なくとも一つの構造を含み、電子輸送基は、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、ベンズイミダゾールおよびピリジンから選ばれる少なくとも一つの構造を含む。
  7. 式（ＶＩ）の構造を含む、請求項１〜６何れか１項記載の化合物：
    式中、Ｒａ、ＲｂおよびＲ１は、請求項１で与えられる定義を有し、ｅは、０、１または２であり、ｈは、０、１、２、３または４であり、ここで、Ｒｂ基は、正孔輸送基および/または電子輸送基であり、Ｒｃ基は、１０〜４０個の炭素原子を有する芳香族基もしくは６〜４０個の炭素原子を有する複素環式芳香族基であり、ここで、芳香族基および/または複素環式芳香族基は、少なくとも２個の隣接する芳香族および/または複素環式芳香族環を含み、夫々、縮合もしくは非縮合であってよく、および/または１以上のＲ１基により置換されてよく、また、正孔輸送基は、トリアリールアミン、カルバゾール、インデノカルバゾールおよびインドロカルバゾールから選ばれる少なくとも一つの構造を含み、電子輸送基は、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、ベンズイミダゾールおよびピリジンから選ばれる少なくとも一つの構造を含む。
  8. 式（ＶＩＩ）の構造を含む、請求項１〜７何れか１項記載の化合物：
    式中、Ｒａ、ＲｂおよびＲ１は、請求項１で与えられる定義を有し、ｅは、０、１または２であり、ｊは、０、１、２または３であり、ｈは、０、１、２、３または４であり、ここで、少なくとも一つのＲａ、Ｒｂ基は、正孔輸送基および/または電子輸送基であり、Ｗ１は、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２、ＯまたはＳであり、また、正孔輸送基は、トリアリールアミン、カルバゾール、インデノカルバゾールおよびインドロカルバゾールから選ばれる少なくとも一つの構造を含み、電子輸送基は、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、ベンズイミダゾールおよびピリジンから選ばれる少なくとも一つの構造を含む。
  9. 式（ＶＩＩＩ）の構造を含む、請求項１〜８何れか１項記載の化合物：
    式中、Ｒａ、ＲｂおよびＲ１は、請求項１で与えられる定義を有し、ｅは、０、１または２であり、ｈは、０、１、２、３または４であり、ここで、Ｒｂ基は、正孔輸送基および/または電子輸送基であり、Ｒｃ基は、１０〜４０個の炭素原子を有し、少なくとも２個の環を含むアリール基もしくは６〜４０個の炭素原子を有し、少なくとも２個の環を含むヘテロアリール基であり、各基の夫々は、１以上のＲ１基により置換されてよく、およびＹ１は、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２、ＯまたはＳであり、また、正孔輸送基は、トリアリールアミン、カルバゾール、インデノカルバゾールおよびインドロカルバゾールから選ばれる少なくとも一つの構造を含み、電子輸送基は、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、イミダゾール、ベンズイミダゾールおよびピリジンから選ばれる少なくとも一つの構造を含む。
  10. 式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の１つにおいて、Ｒｂ基は、正孔輸送基であり、式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の１つにおいて、Ｒａ基は、正孔輸送基であることを特徴とする、請求項１〜９何れか１項記載の化合物。
  11. 式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の１つにおいて、Ｒｂ基は、電子輸送基であり、式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の１つにおいて、Ｒａ基は、正孔輸送基であることを特徴とする、請求項１〜１０何れか１項記載の化合物。
  12. 式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の１つにおいて、Ｒｂ基は、正孔輸送基であり、式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の１つにおいて、Ｒａ基は、電子輸送基であることを特徴とする、請求項１〜１０何れか１項記載の化合物。
  13. 式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の１つにおいて、Ｒｂ基は、電子輸送基であり、式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の１つにおいて、Ｒａ基は、電子輸送基であることを特徴とする、請求項１〜１０何れか１項記載の化合物。
  14. 式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）の構造において、少なくとも一つのＲ１、Ｒａ、Ｒｂおよび/またはＲｃ基は、式（Ｒ１−２）〜（Ｒ１−７２）から選ばれる基であることを特徴とする、請求項１〜１３何れか１項記載の化合物：
    式中、使用される記号は以下のとおりである：
    Ｙは、Ｏ、ＳまたはＮＲ２であり；
    ｊは、出現毎に独立して、０、１、２または３であり、
    ｈは、出現毎に独立して、０、１、２、３または４であり、
    ｇは、出現毎に独立して、０、１、２、３、４または５であり、
    破線の結合は付属位置の印であり、
    Ｒ２は、請求項１で定義されるとおりである。
  15. 式（Ｒ１−２）〜（Ｒ１−７２）の構造において、添え字ｇ、ｈとｊの総合計が、３以下であることを特徴とする、請求項１４記載の化合物。
  16. 電子輸送基は、式（Ｅ−２４）〜（Ｅ−３９）の少なくとも一つの構造を有することを特徴とする、請求項３および７〜１５何れか１項記載の化合物：
    式中、破線の結合は、付属位置の印である。
  17. 正孔輸送基は、式（Ｌ−１）〜（Ｌ−９）の少なくとも一つの構造を有することを特徴とする、請求項３および７〜１５何れか１項記載の化合物：
    式中、破線の結合は、付属位置の印であり、ｅは、０、１または２であり、ｊは、０、１、２または３であり、ｈは、０、１、２、３または４であり、ｎは、０または１であり、Ａｒは、６〜４０個の炭素原子を有するアリール基もしくは３〜４０個の炭素原子を有するヘテロアリール基であり、１以上のＲ１基により置換されてよく、Ｒ１は、請求項１で与えられる定義を有する。
  18. 式（ＩＩ）、（ＩＶ）、（Ｖ）、（ＶＩ）、（ＶＩＩ）および/または（ＶＩＩＩ）において、少なくとも１個のＲａ、Ｒｂおよび/またはＲｃ基は、ジベンゾフランおよび/またはジベンゾチオフェン基を含み、ここで、この基は、１以上のＲ１基により置換されてよいことを特徴とする、請求項１〜１７何れか１項記載の化合物。
  19. 以下の式の群から選ばれる化合物。
  20. 請求項１〜１９何れか１項記載の少なくとも一つの化合物と、蛍光エミッター、燐光エミッター、ホスト材料、マトリックス材料、電子輸送材料、電子注入材料、正孔伝導材料、正孔注入材料、電子ブロック材料および正孔ブロック材料より成る群から選ばれる少なくとも一つのさらなる化合物とを含む組成物。
  21. 請求項１〜１９何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項２０記載の少なくとも一つの組成物と少なくとも一つの溶媒とを含む調合物。
  22. 閉環反応が、アザピン構造要素を有する化合物において、実行されることを特徴とする、請求項１〜１９何れか１項記載の化合物の製造方法。
  23. 請求項１〜１９何れか１項記載の化合物の、または請求項２０記載の組成物の、電子ブロック材料、正孔注入材料および/または正孔輸送材料としての電子素子での使用。
  24. 請求項１〜１９何れか１項記載の少なくとも一つの化合物または請求項２０記載の組成物を含む電子素子。
  25. 電子素子は、有機エレクトロルミッセンス素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機ソーラーセル、有機光学検査素子、有機光受容器、有機電場消光素子、発光電子化学セルおよび有機レーザーダイオードより成る群から選ばれる、請求項２４記載の電子素子。
JP2017534313A 2014-12-23 2015-11-24 ジベンゾアザピン構造をもつヘテロ環化合物 Active JP6732755B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP14004390.2 2014-12-23
EP14004390 2014-12-23
PCT/EP2015/002359 WO2016102039A1 (de) 2014-12-23 2015-11-24 Heterocyclische verbindungen mit dibenzazapin-strukturen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018503621A JP2018503621A (ja) 2018-02-08
JP6732755B2 true JP6732755B2 (ja) 2020-07-29

Family

ID=52344910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017534313A Active JP6732755B2 (ja) 2014-12-23 2015-11-24 ジベンゾアザピン構造をもつヘテロ環化合物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10636979B2 (ja)
EP (1) EP3237387B1 (ja)
JP (1) JP6732755B2 (ja)
KR (2) KR20230106749A (ja)
CN (1) CN107108623B (ja)
WO (1) WO2016102039A1 (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102516053B1 (ko) * 2015-10-22 2023-03-31 삼성디스플레이 주식회사 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
DE102016110970A1 (de) * 2016-06-15 2017-12-21 Technische Universität Dresden Effiziente lichtemittierende Emittermoleküle für optoelektronische Anwendungen durch gezielte Verstärkung der Emission aus ladungsseparierten CT-Zuständen auf Basis dual fluoreszierender Benzol-(Poly)carboxylat-Akzeptoren
KR102435083B1 (ko) * 2016-07-27 2022-08-24 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR20180055998A (ko) * 2016-11-17 2018-05-28 삼성디스플레이 주식회사 헤테로환 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102489186B1 (ko) 2016-12-14 2023-01-18 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 유기 전계 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
WO2018110930A1 (en) * 2016-12-14 2018-06-21 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Organic electroluminescent compound and organic electroluminescent device comprising the same
US11038121B2 (en) 2018-04-09 2021-06-15 Beijing Summer Sprout Technology Co., Ltd. 9 membered ring carbazole compounds
CN108997347B (zh) * 2018-06-28 2020-05-01 宁波卢米蓝新材料有限公司 一种稠环化合物及其制备方法和用途
CN108864108B (zh) * 2018-06-28 2021-07-06 宁波卢米蓝新材料有限公司 一种稠环化合物及其制备方法和用途
CN108727398B (zh) * 2018-06-28 2020-03-17 宁波卢米蓝新材料有限公司 一种稠环化合物及其制备方法和用途
CN110835346A (zh) * 2018-08-17 2020-02-25 上海和辉光电有限公司 一种有机电致发光材料及其制备方法和应用
CN110669048A (zh) * 2018-12-06 2020-01-10 广州华睿光电材料有限公司 基于含氮稠环的有机化合物及其应用
KR20200071193A (ko) 2018-12-10 2020-06-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 다환 화합물
KR102654683B1 (ko) * 2019-03-27 2024-04-04 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
CN109928977B (zh) * 2019-03-27 2020-09-08 宁波卢米蓝新材料有限公司 一种稠环化合物及其制备方法和用途
KR102663763B1 (ko) * 2019-07-22 2024-05-07 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR20210014411A (ko) * 2019-07-30 2021-02-09 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102676126B1 (ko) * 2019-08-22 2024-06-18 덕산네오룩스 주식회사 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
KR102391274B1 (ko) * 2019-12-05 2022-04-27 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
WO2021129337A1 (zh) * 2019-12-23 2021-07-01 广州华睿光电材料有限公司 一种有机化合物及有机电子器件
CN111454265B (zh) * 2020-05-07 2021-08-24 宁波卢米蓝新材料有限公司 一种稠杂环化合物及其制备方法和应用
CN114478546A (zh) * 2022-02-22 2022-05-13 上海天马微电子有限公司 一种有机化合物、电致发光材料及其应用

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6387544B1 (en) * 1998-04-10 2002-05-14 The Trustees Of Princeton University OLEDS containing thermally stable glassy organic hole transporting materials
KR20100041043A (ko) * 2008-10-13 2010-04-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 발광재료로서 채용하고 있는 유기 발광 소자
KR101506919B1 (ko) * 2008-10-31 2015-03-30 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 전자재료용 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자
KR101305934B1 (ko) * 2010-11-19 2013-09-12 한국과학기술연구원 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
JP6199752B2 (ja) * 2013-01-24 2017-09-20 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに含窒素複素環化合物
KR102139781B1 (ko) * 2013-06-03 2020-07-30 에스에프씨 주식회사 유기발광 화합물 및 이를 포함하는 유기전계발광소자
WO2016052962A1 (en) * 2014-09-29 2016-04-07 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Organic electroluminescent compound and organic electroluminescent device comprising the same
WO2016080791A1 (en) * 2014-11-20 2016-05-26 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. A plurality of host materials and an organic electroluminescent device comprising the same

Also Published As

Publication number Publication date
EP3237387B1 (de) 2023-09-06
CN107108623A (zh) 2017-08-29
WO2016102039A1 (de) 2016-06-30
EP3237387A1 (de) 2017-11-01
US10636979B2 (en) 2020-04-28
CN107108623B (zh) 2020-09-04
US20180331301A1 (en) 2018-11-15
KR102554986B1 (ko) 2023-07-12
KR20230106749A (ko) 2023-07-13
KR20170096039A (ko) 2017-08-23
JP2018503621A (ja) 2018-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6732755B2 (ja) ジベンゾアザピン構造をもつヘテロ環化合物
KR102480535B1 (ko) 디아자디벤조푸란 또는 디아자디벤조티오펜 구조를 갖는 화합물
KR102540425B1 (ko) 유기 전계발광 소자 (oled) 용 재료로서 비스벤조푸란-융합된 2,8-디아미노인데노[1,2-b]플루오렌 유도체 및 관련 화합물
KR102492870B1 (ko) 헤테로시클릭 스피로 화합물
KR102509655B1 (ko) 전자 디바이스에서의 사용을 위한 복소환 화합물
JP6576915B2 (ja) Ｏｌｅｄでの使用のためのホウ素含有化合物
JP5677983B2 (ja) 有機電子デバイス
KR102543777B1 (ko) 유기 전계발광 소자용 재료
JP6749913B2 (ja) ２個のジベンゾフランまたはジベンゾチオフェン置換基を有するカルバゾール
KR20230010818A (ko) 디벤조푸란 및/또는 디벤조티오펜 구조를 포함하는 헤테로시클릭 화합물
KR20240033302A (ko) 디아자디벤조푸란 또는 디아자디벤조티오펜 구조를 갖는 카르바졸
KR102539246B1 (ko) 발레로락탐 구조를 갖는 화합물
TW202212326A (zh) 具有螺聯茀結構之化合物
JP6576929B2 (ja) ヘテロ環化合物
KR20160074630A (ko) 전자 소자용 물질
KR102550880B1 (ko) Oled에서 사용하기 위한 함질소 헤테로환
JP2019530676A (ja) カルバゾール構造を有する化合物
JP2017531628A (ja) ベンゾ［ｃ］クマリン構造をもつヘテロ環化合物
KR20230020434A (ko) 전자 디바이스용 재료

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20181122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190730

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191028

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200403

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200609

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200708

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6732755

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250