CN109928977B - 一种稠环化合物及其制备方法和用途 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种稠环化合物及其制备方法和用途。本发明提供了一种稠环化合物，具有如式(I)所示的结构，化合物具有适宜的HOMO能级，能够减小空穴由阳极向发光层注入所需克服的势垒，增加空穴的有效注入，有利于降低器件的工作电压，提高器件的发光效率。本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件的至少有一个功能层中含有上述稠环化合物，以上述化合物作为空穴传输材料，可以降低OLED器件的工作电压，提高电流效率。

Description

一种稠环化合物及其制备方法和用途

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种稠环化合物及其制备方法和用途。

背景技术

有机电致发光二极管(organic light-emitting diodes，OLEDs)由于响应快、能耗低、自发光、色域广、超薄、具有可折叠及柔性等优点，是未来比液晶显示技术更具有应用前景的新型显示技术，从而越来越受到人们的重视。

OLED属于载流子双注入型发光器件，发光机理为：在外界电场的驱动下，电子和空穴分别由阴极和阳极注入到有机发光层，并在有机发光层中复合生成激子，激子辐射跃迁回到基态并发光。早在20世纪60年代，Pope等首次报道了晶体有机蒽作为发光材料的电致发光现象，到1987年美国柯达公司的S.A.VanSlyke和华裔科学家邓青云(C.W.Tang)首次选用了8-Hydroxyquinoline作为发光材料，优化了OLED器件结构，用三芳胺衍生物作为空穴传输层，提高了器件阳极的空穴注入效率，实现了较高的发光效率和发光亮度，并使驱动电压大大降低至10V左右，突破了OLED器件的研究瓶颈，成为OLED发展历史上的一个重要里程碑。

通过空穴传输层等功能层的引入能够让OLED器件结构得到进一步优化，提高了载流子的传输效率，促使空穴和电子在合适的复合区域进行碰撞形成激子，从而提高OLED器件的发光效率。三芳胺及其衍生物类的材料是目前普遍使用的空穴传输层材料，其中以咔唑、三苯胺类应用最为广泛。NPB(N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺)，TPD(N,N’-二苯基-N,N’-(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺)是两种常见的空穴传输材料，NPB和TPD的三芳胺结构具有良好的空穴传输性能，但NPB的玻璃态转化温度小于100℃，TPD的玻璃态转化温度在60℃左右，NPB和TPD在蒸镀过程中分子间容易紧密排列导致形成结晶，无定形成膜性和热稳定性较差；另一方面，空穴传输材料分子量的增加，可以提高材料的热稳定性，但同时也会降低材料的三线态能级，影响器件的使用寿命和发光效率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中的空穴传输材料存在玻璃转化温度低、无定形成膜性、热稳定性较差，无法兼具良好的热稳定性与高三线态能级的缺陷。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

本发明提供一种稠环化合物，具有如式(I)所示的结构：

其中，Ar₁、Ar₂彼此独立地选自氢、氘、卤素、氰基、C1-C30的取代或未取代的烷基、C2-C30的取代或未取代的烯基、C2-C30的取代或未取代的炔基、C3-C30的取代或未取代的环烷基、C1-C30的取代或未取代的烷氧基、C1-C30的取代或未取代的硅烷基、C6-C60的取代或未取代的芳基，或者C3-C30的取代或未取代的杂芳基；

所述杂芳基具有至少一个选自氮、硫、氧、磷、硼或硅的杂原子。

可选地，所述Ar₁、Ar₂彼此独立地选自C6-C60的取代或未取代的芳基，或者C3-C30的取代或未取代的杂芳基。

可选地，所述Ar₁、Ar₂彼此独立地选自下述任一基团：

其中，p为1-5的整数，q1、q2为1-3的整数；

X选自O、C(R1)(R2)或N(R3)，

R1-R3彼此独立地选自氢、氘、卤素、氰基、C1-C30的取代或未取代的烷基、C2-C30的取代或未取代的烯基、C2-C30的取代或未取代的炔基、C3-C30的取代或未取代的环烷基、C1-C30的取代或未取代的烷氧基、C1-C30的取代或未取代的硅烷基、C6-C60的取代或未取代的芳基，或者C3-C30的取代或未取代的杂芳基。

可选地，所述R1-R3彼此独立地选自氢、C1-C6的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、芘基、苝基、碗烯基、三亚苯基、荧蒽基、吡啶基、嘧啶基、吡喃基、噻喃基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、酞嗪基、吩嗪基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吲哚基、咔唑基、吲哚并咔唑基、三芳香胺基、二芳香胺基、菲啶基、吖啶基、呸啶基、蝶啶基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、喹啉基、菲罗啉基或咔啉基。

可选地，所述稠环化合物具有下述任一所示的分子结构：

本发明还提供一种上述所述稠环化合物的制备方法，当Ar₁和Ar₂结构相同时，所述式(I)所示化合物的合成步骤如下所示：

以式(A)所示的化合物和式(B)所示的化合物为起始原料，在催化剂存在下经偶联反应得到中间体化合物(D)；中间体化合物(D)在催化剂作用下发生关环反应得到中间体化合物(E),中间体化合物(E)与化合物(F)在催化剂存在下经偶联反应得到式(I)所示的化合物；

所述式(I)所示化合物的合成路径如下所示：

或者当Ar₁和Ar₂结构不同时，所述式(I)所示化合物的合成步骤如下所示：以式(A)所示的化合物和式(B)所示的化合物为起始原料，在催化剂存在下经偶联反应得到中间体化合物(D)；中间体化合物(D)在催化剂作用下发生关环反应得到中间体化合物(E),中间体化合物(E)与化合物(F)在催化剂存在下经偶联反应得到中间体化合物(G)，中间体化合物(G)和化合物(H)在催化剂存在下经偶联反应得到式(I)所示的化合物；

所述式(I)所示化合物的合成路径如下所示：

其中，W选自氢、氟、氯、溴或碘，-OTf为三氟甲磺酰基。

可选地，中间体化合物(D)在亚磷酸三乙酯作用下发生关环反应得到中间体化合物(E)。

本发明还提供一种上述所述的稠环化合物在有机电致发光器件中的应用。

本发明还提供一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件的至少有一个功能层中含有上述所述稠环化合物。

可选地，所述功能层为空穴传输层和/或电子阻挡层。

可选地，所述功能层为发光层。

本发明还提供一种上述所述有机电致发光器件在有机电致发光显示装置中的应用。

本发明的有益效果：

1)本发明提供的稠环化合物，具有如式(I)所示的结构，由于式(I)所示的结构中具有

所示的结构，使该结构中的氮原子在电场作用下能够快速形成铵离子自由基，空穴在传输层的有效传输大大提高。同时，式(I)所示结构的化合物的HOMO能级为-3.95ev至-4.06ev，该能级能够与两侧的阳极和发光层相匹配，减小空穴由阳极注入到发光层所需克服的势垒，增加了空穴的有效注入。

式(I)所示的稠环化合物，具有高三线态能级，以σ键引入修饰基团Ar1和Ar2，以调节式(I)所示的稠环化合物的三线态能级，使其更利于OLED器件的电子和空穴复合的激子限制在发光层的发光区域内，避免发光层向相邻空穴传输层的能量回传。同时，上述修饰能够提高化合物的LUMO能级，增加对电子的阻挡效果，有效地使电子滞留在发光层内，从而提高电子和空穴的复合几率，使器件的发光效率得到提高。

式(I)所示的稠环化合物，其玻璃态转变温度高、热稳定性和形态学稳定性高，成膜性能优异，能够避免在成膜过程中或成膜后在OLED器件的工作过程中由于发热形成结晶，提升了器件的使用性能和使用寿命。

2)本发明提供的稠环化合物，在Ar1和Ar2位置以σ键引入供电子基团，如取代或未取代的芳基或杂芳基，可进一步提高其空穴传输性能，减少空穴由阳极注入的势垒值，增加空穴的有效注入。

3)本发明提供的稠环化合物的制备方法，起始原料易于获得，反应条件温和，操作步骤简单，为上述稠环化合物的大规模生产提供了一种简单、易于实现的制备方法。

4)本发明提供的有机电致发光器件，至少有一个功能层中含有上述所述稠环化合物。所述功能层为空穴传输层，所述空穴传输层以式(I)所示稠环化合物为空穴传输材料，能够减小空穴由阳极向发光层注入所需克服的势垒，增加空穴的有效注入，有利于降低器件的工作电压，提高器件的发光效率。同时，以式(I)所示的稠环化合物作为空穴传输材料，以σ键引入修饰基团Ar1和Ar2，以调节式(I)所示的稠环化合物的三线态能级，更利于OLED器件的电子和空穴复合的激子限制在发光层的发光区域内，避免发光层向相邻空穴传输层的能量回传。且上述连接方式可使稠环化合物的LUMO能级提高，增加了对电子的阻挡效果，有效地使电子滞留在发光层内，从而提高电子和空穴的复合几率，使器件的发光效率得到提高。由于式(I)所示的稠环化合物，其玻璃态转变温度高、热稳定性和形态学稳定性高，成膜性能优异，以式(I)所示的稠环化合物作为空穴传输材料能够避免在成膜过程中或成膜后在OLED器件的工作过程中由于发热形成结晶，提升了器件的使用性能和使用寿命。

所述功能层还可以是发光层，式(I)所示的稠环化合物可以单独作为发光层主体材料，或者与具有电子传输性能的材料共同形成激基复合物作为发光层的主体材料，式(I)所示的稠环化合物的三线态能级高，能够促进主体材料向客体材料的能量传递，避免能量回传，提高OLED器件的发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例15-28和对比例1中有机电致发光器件的结构示意图。

附图标记说明：

1-阳极，2-空穴注入层，3-空穴传输层，4-发光层，5-电子传输层，6-电子注入层，7-阴极。

具体实施方式

提供下述实施例是为了更好地进一步理解本发明，并不局限于所述最佳实施方式，不对本发明的内容和保护范围构成限制，任何人在本发明的启示下或是将本发明与其他现有技术的特征进行组合而得出的任何与本发明相同或相近似的产品，均落在本发明的保护范围之内。

实施例中未注明具体实验步骤或条件者，按照本领域内的文献所描述的常规实验步骤的操作或条件即可进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规试剂产品。

实施例1

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-1所示的结构：

式C-1所示化合物的合成路径如下所示：

式C-1所示化合物的制备方法具体包括以下步骤：

(1)中间体(D)的制备

氮气保护下，向500ml的四口烧瓶中，室温下加入24.3g(100mmol)式(A)所示的化合物，24.7g(100mmol)式(B)所示的化合物，200ml的甲苯，19.2g(200mmol)叔丁醇钠，91mg(0.1mmol)Pd₂(dba)3，0.6ml(0.3mmol)三叔丁基膦甲苯溶液(三叔丁基膦甲苯溶液中三叔丁基膦的质量分数为10％)，回流反应2小时后，加水淬灭反应，分去水相，旋蒸除去大部分溶剂，析出固体烘干得到36g固体中间体(D)(产率：90％)；

(2)中间体(E)的制备

氮气保护下，向500L的三口烧瓶中，加入36g(90mmol)中间体(D)，300mL的甲苯，44.8g(270mmol)亚磷酸三乙酯，加热，回流反应12h，降温至室温，加水淬灭反应，用碳酸钠水溶液调节pH值8-9，分去水相，旋蒸除去溶剂，过硅胶柱得到20g固体中间体(E)(产率：64％)；

(3)化合物(C-1)的制备

氮气保护下，向500ml的四口烧瓶中，室温下加入20g(58mmol)中间体(E)，28g(120mmol)式(F-1)所示化合物，200ml的甲苯，11.5g(120mmol)叔丁醇钠，182mg(0.2mmol)Pd₂(dba)3，1.2ml(0.6mmol)三叔丁基膦甲苯溶液(三叔丁基膦甲苯溶液中三叔丁基膦的质量分数为10％)，回流反应6小时后，加水淬灭反应，分去水相，旋蒸去溶剂，过硅胶柱得到31g固体化合物(C-1)(产率：82％)。

元素分析：(C₆₂H₄₃N₃)理论值：C,88.72；H,4.81；N,6.47；实测值：C,88.77；H,4.78；N,6.45；MS(ESI)m/z(M+)：理论值：649.25；实测值：649.42。

实施例2

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-2所示的结构：

式C-2所示化合物的制备步骤与实施例1中提供的C-1所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-2所示的化合物代替实施例1步骤(3)中的化合物F-1，产率85％。

实施例3

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-3所示的结构：

式C-3所示化合物的制备步骤与实施例1中提供的C-1所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-3所示的化合物代替实施例1步骤(3)中的化合物F-1，产率87％。

实施例4

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-4所示的结构：

式C-4所示化合物的制备步骤与实施例1中提供的C-1所示化合物的制备步骤的区别在于：

以式F-4所示的化合物代替实施例1步骤(3)中的化合物F-1，产率83％。

实施例5

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-5所示的结构：

式C-5所示化合物的合成路径如下所示：

式C-5所示化合物的制备方法具体包括以下步骤：

(1)以实施例1中所示的合成方法,合成中间体(E)；

(2)化合物(G-1)的制备

氮气保护下，向500ml的四口烧瓶中，室温下加入20g(58mmol)中间体(E)，9.42g(60mmol)式(F-5)所示的化合物，200ml的甲苯，5.75g(60mmol)叔丁醇钠，182mg(0.2mmol)Pd₂(dba)3，1.2ml(0.6mmol)三叔丁基膦甲苯溶液(三叔丁基膦甲苯溶液中三叔丁基膦的质量分数为10％)，回流反应6小时后，加水淬灭反应，分去水相，旋蒸去溶剂，过硅胶柱得到20.0g化合物(G-1)(产率：82％)；

(3)化合物(C-5)的制备

氮气保护下，向500ml的四口烧瓶中，室温下加入20g(47mmol)化合物(G-1)，11.6g(50mmol)化合物(F-1)，200ml的甲苯，5.75g(60mmol)叔丁醇钠，182mg(0.2mmol)Pd₂(dba)3，1.2ml(0.6mmol)三叔丁基膦甲苯溶液(三叔丁基膦甲苯溶液中三叔丁基膦的质量分数为10％)，回流反应6小时后，加水淬灭反应，分去水相，旋蒸去溶剂，过硅胶柱得到22.6g化合物(C-5)(产率：84％)。

元素分析：(C₄₂H₂₇N₃)理论值：C,87.93；H,4.74；N,7.32；实测值：C,87.87；H,4.78；N,7.34；MS(ESI)m/z(M+)：理论值：573.22；实测值：573.42。

实施例6

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-6所示的结构：

式C-6所示化合物的制备步骤与实施例5中提供的C-5所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-3所示的化合物代替实施例5步骤(3)中的化合物F-1，产率87％。

实施例7

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-7所示的结构：

式C-7所示化合物的制备步骤与实施例5中提供的C-5所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-6所示的化合物代替实施例5步骤(3)中的化合物F-1，产率85％。

实施例8

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-8所示的结构：

式C-8所示化合物的制备步骤与实施例5中提供的C-5所示化合物的制备步骤的区别在于：

以式F-4所示的化合物代替实施例5步骤(2)中的化合物F-5，产率81％。

实施例9

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-9所示的结构：

式C-9所示化合物的制备步骤与实施例5中提供的C-5所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-4所示的化合物代替实施例5步骤(2)中的化合物F-5，产率80％；以式F-2所示的化合物代替实施例5步骤(3)中的化合物F-1，产率82％。

实施例10

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-10所示的结构：

式C-10所示化合物的制备步骤与实施例5中提供的C-5所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-4所示的化合物代替实施例5步骤(2)中的化合物F-5，产率83％；以式F-7所示的化合物代替实施例5步骤(3)中的化合物F-1，产率81％。

实施例11

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-11所示的结构：

式C-11所示化合物的制备步骤与实施例5中提供的C-5所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-4所示的化合物代替实施例5步骤(2)中的化合物F-5，产率82％；以式F-8所示的化合物代替实施例5步骤(3)中的化合物F-1，产率80％。

实施例12

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-12所示的结构：

式C-12所示化合物的制备步骤与实施例5中提供的C-5所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-9所示的化合物代替实施例5步骤(2)中的化合物F-5，产率81％；以式F-3所示的化合物代替实施例5步骤(3)中的化合物F-1，产率85％。

实施例13

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-13所示的结构：

式C-13所示化合物的制备步骤与实施例5中提供的C-5所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-10所示的化合物代替实施例5步骤(2)中的化合物F-5，产率84％；以式F-3所示的化合物代替实施例5步骤(3)中的化合物F-1，产率86％。

实施例14

本实施例提供一种稠环化合物，具有下述式C-14所示的结构：

式C-14所示化合物的制备步骤与实施例5中提供的C-5所示化合物的制备步骤的区别仅在于：

以式F-10所示的化合物代替实施例5步骤(2)中的化合物F-5，产率83％。

实施例15

本实施例提供一种有机电致发光器件，如图1所示，包括从下向上依次层叠设置的阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和阴极7。

有机电致发光器件中阳极选用ITO材料；阴极7选用金属Al；

空穴注入层2材料选用HAT(CN)6，HAT(CN)6具有如下所示化学结构：

空穴传输层3材料选用式C-1所示结构的稠环化合物：

发光层4以主体材料RH和客体材料RD共掺杂形成，主体材料RH和客体材料RD掺杂的质量比为100:5：

电子传输层5材料选用如下所述结构的化合物：

电子注入层6材料由下述所示结构的化合物与电子注入材料LiF掺杂形成：

有机致电发光器件形成如下具体结构：ITO/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL，式C-1所示化合物)/有机发光层(RH：RD的质量比为100:5)/电子传输层(ETL)/电子注入层(EIL/LiF)/阴极(Al)。

上述的有机电致发光器件，由于空穴传输层选择式C-1所示的化合物，C-1所示化合物中的

是具有强供电子性质的基团，其中的氮原子在电场作用下形成铵离子自由基，有较好的空穴迁移性，能够保证空穴在传输层的有效传输；同时，式C-1所示化合物在Ar1、Ar2基团位置引入联苯基，利用联苯基供电子性能进一步提高其空穴传输性能，式C-1所示的稠环化合物具有适宜的HOMO能级，能够减小空穴由阳极向发光层注入所需克服的势垒，增加空穴的有效注入，有利于降低器件的工作电压，提高器件的发光效率。

式C-1所示的结构中，具有高三线态能级，以σ键引入修饰基团，对C-1所示化合物的三线态能级(T1)进行调节，C-1所示的化合物三线态能级，有利于OLED器件的电子和空穴复合的激子限制在发光层的发光区域内，避免发光层向相邻空穴传输层的能量回传；同时，上述连接方式的化合物LUMO能级提高，增加了对电子的阻挡效果，有效地使电子滞留在发光层内，从而提高电子和空穴的复合几率，使器件的发光效率得到提高。

式C-1所示的化合物，其玻璃态转变温度高、热稳定性和形态学稳定性高，成膜性能优异，能够避免在成膜过程中或成膜后在OLED器件的工作过程中由于发热形成结晶，提升了器件的使用性能和使用寿命。

作为可替代的实施方式，发光层的客体发光材料还可以选择式(C-1)、(C-2)～式(C-14)所示的任一化合物。

作为可替代的实施方式，发光层的客体发光材料还可以选择具有通式(I)所示化学结构的任一其他化合物。

实施例16

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例17

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例18

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例19

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例20

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例21

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例22

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例23

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例24

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例25

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例26

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例27

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

实施例28

本实施例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层材料选用下述所示结构的化合物：

对比例1

本对比例提供一种有机电致发光器件，与实施例15中提供有机电致发光器件的区别仅在于：空穴传输层选用化合物NPB：

测试例1

1、测定玻璃态转变温度

使用差示扫描量热仪(DSC)对本专利材料进行玻璃态转变温度进行测试，测试范围室温至400℃，升温速率10℃/min，氮气氛围下。

2、分别在298K以及77K温度下测定稠环化合物的甲苯溶液(物质的量浓度：10^{- 5}mol/L)的荧光以及磷光光谱，并根据计算公式E＝1240/λ计算出相应的三线态(T1)能级。

3、使用电化学工作站利用循环伏安法(CV)对本专利材料的HOMO能级进行测试，以铂丝(Pt)为对电极，银/氯化银(Ag/AgCl)为参比电极。在氮气氛围下，在含有0.1M四丁基六氟磷酸铵的二氯甲烷电解液中以100mV/s的扫描速率进行测试，以二茂铁进行电位标定，设定二茂铁的电位在真空状态下的绝对能级为-4.8eV：

4、材料分子的LUMO能级利用材料的带隙和HOMO进行计算：

其中，带隙

λ_onset为材料的起始光谱吸收值。

表1

测试例2

器件的电流、电压、亮度、发光光谱等特性采用PR650光谱扫描亮度计和KeithleyK 2400数字源表系统同步测试。对实施例19-26和对比例中的所提供的有机电致发光器件进行测试，结果如表2所示：

表2

对比实施例19-26和对比例1中的所提供的有机电致发光器件进行测试，结果如表2所示，相比于对比例1中的器件，实施例19-26中所提供的OLED器件的工作电压降低、电流效率提高，说明以本发明中提供的稠环化合物作为OLED器件的空穴传输材料，能够显著提高器件的发光效率、降低器件的工作电压，提升OLED的性能。

显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种稠环化合物，其特征在于，具有如式(I)所示的结构：

其中，Ar₁、Ar₂彼此独立地选自C6-C60的取代或未取代的芳基，或者C3-C30的取代或未取代的杂芳基；所述杂芳基具有至少一个选自氮、硫、氧、磷、硼或硅的杂原子。

2.根据权利要求1所述的稠环化合物，其特征在于，所述Ar₁、Ar₂彼此独立地选自下述任一基团：

其中，p为1-5的整数，q1、q2为1-3的整数；

X选自O、C(R1)(R2)或N(R3)，

R1-R3彼此独立地选自氢、氘、卤素、氰基、C1-C30的取代或未取代的烷基、C2-C30的取代或未取代的烯基、C2-C30的取代或未取代的炔基、C3-C30的取代或未取代的环烷基、C1-C30的取代或未取代的烷氧基、C1-C30的取代或未取代的硅烷基、C6-C60的取代或未取代的芳基，或者C3-C30的取代或未取代的杂芳基。

3.根据权利要求2所述的稠环化合物，其特征在于，所述R1-R3彼此独立地选自氢、C1-C6的烷基、苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、芘基、苝基、碗烯基、三亚苯基、荧蒽基、吡啶基、嘧啶基、吡喃基、噻喃基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、酞嗪基、吩嗪基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吲哚基、咔唑基、吲哚并咔唑基、三芳香胺基、二芳香胺基、菲啶基、吖啶基、呸啶基、蝶啶基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基、喹啉基、菲罗啉基或咔啉基。

4.根据权利要求1-3任一项所述的稠环化合物，其特征在于，所述稠环化合物具有下述任一所示的分子结构：

5.一种如权利要求1-4任一项所述稠环化合物的制备方法，其特征在于，

当Ar₁和Ar₂结构相同时，所述式(I)所示化合物的合成步骤如下所示：

以式(A)所示的化合物和式(B)所示的化合物为起始原料，在催化剂存在下经偶联反应得到中间体化合物(D)；中间体化合物(D)在催化剂作用下发生关环反应得到中间体化合物(E),中间体化合物(E)与化合物(F)在催化剂存在下经偶联反应得到式(I)所示的化合物；

所述式(I)所示化合物的合成路径如下所示：

或者当Ar₁和Ar₂结构不同时，所述式(I)所示化合物的合成步骤如下所示：

以式(A)所示的化合物和式(B)所示的化合物为起始原料，在催化剂存在下经偶联反应得到中间体化合物(D)；中间体化合物(D)在催化剂作用下发生关环反应得到中间体化合物(E),中间体化合物(E)与化合物(F)在催化剂存在下经偶联反应得到中间体化合物(G)，中间体化合物(G)和化合物(H)在催化剂存在下经偶联反应得到式(I)所示的化合物；

所述式(I)所示化合物的合成路径如下所示：

其中，W选自氢、氟、氯、溴、碘或-OTf，-OTf为三氟甲磺酰基。

6.一种权利要求1-4任一项所述的稠环化合物在有机电致发光器件中的应用。

7.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件的至少有一个功能层中含有权利要求1-4任一项所述稠环化合物。

8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功能层为空穴传输层和/或电子阻挡层。

9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功能层为发光层。

10.一种如权利要求7-9任一项所述有机电致发光器件在有机电致发光显示装置中的应用。

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