KR20170118871A

KR20170118871A - 플라스틱 공정에서의 도금에서 크롬 무함유 에칭이 사용되는 경우의 랙에 대한 저해제 조성물

Info

Publication number: KR20170118871A
Application number: KR1020177026534A
Authority: KR
Inventors: 프랑크 노프케; 안드레아스 코닝쇼펜; 악셀 퍼만; 흐리스토프 베르너
Original assignee: 맥더미드 엔쏜 인코포레이티드
Priority date: 2015-02-23
Filing date: 2016-02-23
Publication date: 2017-10-25
Also published as: WO2016137943A1; ES2727075T3; EP3059277A1; CN107250076A; KR102035012B1; EP3059277B2; US20180044813A1; ES2727075T5; EP3059277B1; CN107250076B; JP2018513267A

Abstract

본 발명은, 적어도 하나의 황 및 적어도 하나의 질소 원자를 갖는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 저해제를 포함하는, 중합체 표면 상의 전기화학적 금속 도금의 저해를 위한 수성 저해 조성물; 및 랙 영역의 절연된 표면을 저해시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 저해 조성물은, 플라스틱 공정에서의 도금을 위해 비-크롬 에칭이 활용되는 경우 랙의 절연된 영역 상의 의도되지 않은 금속화를 방지하기 위한 용액을 제공할 수 있다.

Description

플라스틱 공정에서의 도금에서 크롬 무함유 에칭이 사용되는 경우의 랙에 대한 저해제 조성물

본 발명은 크롬 무함유 에칭이 활용되는 플라스틱 공정에서의 도금에서 랙(rack)의 중합체성 격리 부분(polymeric isolation part)을 방지하기 위한 저해제 조성물(inhibitor composition)에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 크롬 무함유 에칭이 사용되는 플라스틱 공정에서의 도금에서 랙을 저해시키는 방법에 관한 것이다.

표면 기술의 분야에서 전기화학적 도금 공정에서 플라스틱 부품의 표면을 장식용 또는 기술적 목적으로 구리, 니켈 또는 크롬과 같은 금속으로 커버하는 것은 널리 공지되어 있다.

전기화학적 방법으로 도금될 부품은 일반적으로 랙에 고정되어 전기적으로 접촉된다. 전기도금을 보장하기 위해서는 랙으로부터 각각의 부품으로의 전류 흐름(current flow)이 필요하기 때문에, 접촉부는 순수한 금속으로 이루어진다. 그러나, 랙의 나머지 부분은 일반적으로 불활성 중합체로 절연되어, 랙의 나머지 부분에서의, 즉 도금될 부품의 접촉부로 작용하지 않는 랙 영역에서의 금속 도금을 방지한다. 이와 같이, 종종 랙 절연 표면은 도금될 부품의 표면과는 상이한 중합체로 만들어진다. 그럼에도, 랙 절연 중합체가 의도하지 않게 도금될 가능성이 있다. 통상적으로 이러한 의도하지 않은 랙 도금은 불량 및 더 큰 소모 비용을 야기한다. 따라서, 랙의 절연체 상의 도금된 금속을 도금 공정 후에 제거해야 하거나 랙의 절연된 영역 상에 금속이 도금되는 것을 저해시켜야 한다. 첫 번째 대안은 스트리핑(stripping)으로 불리지만, 도금 공정이 완료되고 도금된 부품이 랙으로부터 제거된 후 랙의 전체 절연 영역을 스트리핑하는 것은 매우 효과적이지 못하므로 비경제적이다. 따라서 두 번째 대안이 훨씬 더 효과적이다. 크롬산을 포함하는 도금 대상 부품의 에칭(etching)이 전기화학적 도금 공정에서 사용될 때, 절연된 랙 부품은 크롬산 에칭에 의해 저해된다. 크롬산은 랙의 절연된 영역에서 후속의 전기화학적 도금 단계에 대한 유해물로 작용하여, 절연된 랙 영역을 더 이상 저해할 필요가 없게 된다.

그러나 크롬산 및 크롬 함유 에칭의 사용은 매우 유해한 것으로 널리 간주되고 있으며, 크롬산은 고위험성 우려 물질(substance of very high concern)(SVHC)의 REACH 목록에 포함되어 있다. 따라서, 이의 미래의 사용은 행정 및 공식 허가의 높은 부담과 환경상의 해로움으로 인해 비용이 많이 드는 것으로 보인다.

크롬산 에칭제를 피하기 위해, 전기화학적으로 도금될 플라스틱 부품을 에칭하기 위한 여러 대체 방법들이 개발중에 있다.

예를 들면, 전기화학적으로 도금될 플라스틱 부품을 금속으로 에칭하기 위한 최근의 공지된 기술은 망간계 에칭 조성물을 사용하는 것으로, 상기 망간 화합물은 다양한 종류의 강산과 조합된다.

그러나, 대안적인 에칭 방법을 사용하는 것은, 랙의 절연 영역의 저해가 더 이상 크롬 기반 에칭 방법에서와 같이 발생하지 않는다는 문제를 내포한다. 따라서, 랙의 절연된 영역이 플라스틱 부품과 함께 금속 도금되거나, 플라스틱의 전기화학적 도금에서 비-크롬 에칭이 경제적으로 작동하게 하기 위해 랙 영역의 저해를 달성하는 여러 다른 방법들이 발견되어야 한다.

따라서, 기타 측면들 중에서도, 본 발명의 목적은, 크롬 무함유 에칭제를 공정에서 활용할 때, 플라스틱의 전기화학적 도금에서 랙의 절연된 영역을 저해시키기 위한 조성물을 제공하는 것이다. 추가로, 본 발명의 하나의 측면은, 크롬 무함유 에칭제를 활용하는 플라스틱 공정에서 이러한 전기화학적 도금을 위한 절연된 랙 영역의 저해 방법을 제공하는 것이다.

놀랍게도, 상기 조성물과 관련하여 본 발명의 목적은 독립 청구항 제1항에 따르는 수성 저해 조성물에 의해 해결되는 것으로 밝혀졌다.

독립 청구항 제1항에 의해, 절연된 표면 상의 전기화학적 금속 도금의 저해를 위한 수성 저해 조성물이 제공되며, 상기 저해 조성물은 하나 이상의 질소 원자 및 하나 이상의 황 원자를 함유하는 저해제를 포함한다.

본 발명에 의해 제공된 수성 저해 조성물은 중합체성 절연 표면 영역에서, 예를 들면 전기화학적으로 도금되어야 하는 부품을 보유하기 위한 랙 상에서, 금속 도금을 신뢰성 있게 저해할 수 있다.

본 발명의 수성 저해 조성물을 사용함으로써, 도금 후 랙의 절연된 영역에 대한 스트리핑 절차를 피할 수 있으므로, 플라스틱 공정에서의 도금이 강화될 수 있다. 비-크롬 에칭액을 사용하기 위해, 절연된 랙 영역의 저해가 제공되어 도금 욕을 재조정하고 스트리핑하는 비용을 방지할 수 있는 대안적이고 더욱 환경 친화적인 방법을 경제적으로 구현하는 것이 필수적이다. 통계적으로 절연된 랙 영역은 도금될 부품의 표면 크기의 2배 정도의 표면을 갖는다는 배경하에서는, 상기 랙 영역을 도금하고 도금 공정 후에 이를 다시 스트리핑하면, 산업적 접근 방식에 있어서, 절연된 랙 영역이 도금될 부품과 함께 도금되는 것을 저해시키기 위한 해법이 없는 한 모든 비-크롬 에칭 대체제를 거의 불가능하게 하는 것으로 예측할 수 있다. 따라서, 본 발명은 비-크롬 에칭제를 활용하는 플라스틱 공정에서의 이러한 도금을 위한 저해 조성물을 제공함으로써, 산업 규모에서의 일반적인 구현을 크게 개선시킨다.

놀랍게도, 동일한 화합물 내에 조합된 적어도 하나의 질소 원자 및 적어도 하나의 황 원자를 함유하는 저해제를 포함하는 저해 조성물을 사용함으로써, 절연된 랙 영역의 표면의 도금의 저해가 조작이 용이하고 환경 친화적인 방식으로 달성될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 본 발명의 조성물을 사용함으로써, 랙이 도금될 부품으로 부하되기 전 또는 심지어 부하된 후에 그리고 도금 공정의 에칭 단계가 수행되기 전에, 랙이 저해 조성물에 침지될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 이러한 간단한 취급은 기존의 플라스틱 도금 플랜트에 용이하게 포함될 수 있다.

본 발명의 조성물의 저해제는 하나 이상의 질소 원자를 함유하고 추가로 하나 이상의 황 원자를 또한 함유하는 매우 다양한 화합물로부터 선택될 수 있다. 이러한 화합물은 티오카바메이트, 티오세미카바자이드, 티오우레아, 질소 함유 디설파이드, 질소 및 황 원자를 함유하는 헤테로사이클릭 화합물, 및 티오시아네이트를 포함한다. 하나 이상의 질소-함유 디설파이드의 예로는 비스(디메틸티오카바밀) 디설파이드, (타이람(thiram)) 비스(디에틸티오카바밀) 디설파이드 등이 있다. 티오시아네이트의 예로는 나트륨 티오시아네이트 및 칼륨 티오시아네이트가 있다. 질소 및 황 원자를 함유하는 헤테로사이클릭 화합물의 예로는 티아졸, 티아졸린, 및 티아졸리딘이 있다.

본 발명의 양태에 따르면 상기 수성 저해 조성물에 포함된 저해제는 황 원자 및 질소 원자를 포함하는 화학식 I에 따르는 적어도 하나의 화합물이다.

화학식 I

R₂N-C(S)Y

상기 화학식 I에서,

R은 서로 독립적으로 수소이거나 분지 또는 비분지 C₁ 내지 C₁₃ 알킬, 알케닐 또는 아릴 그룹이고, Y는 XR¹, NR² ₂ 또는 N(H)NR³ ₂이고, 여기서 X는 O 또는 S이고, R¹, R², R³은 서로 독립적으로 수소, 알칼리 금속 또는 분지 또는 비분지 C₁ 내지 C₁₃ 알킬, 알케닐 또는 아릴 그룹이다. 이러한 화합물의 예는 티오우레아, 티오카바메이트, 티오세미카바자이드를 포함한다.

화학식 I에 따르는 이러한 티오카바메이트의 예는 디메틸 디티오카밤산, 디에틸 디티오-카밤산, 나트륨 디메틸디티오카바메이트 수화물, 나트륨 디에틸디티오카바메이트-삼수화물 등을 포함한다. 화학식 I에 따르는 이러한 티오세미카바자이드의 예는 4,4-디메틸-3-티오세미카바자이드 및 4,4-디에틸-3-티오세미카바자이드를 포함한다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면 상기 저해제는 티오우레아의 그룹으로부터 선택될 수 있다.

본 발명에서 사용될 수 있는 티오우레아 화합물은 화학식 II로 특징지워질 수 있다.

화학식 II

[R₂N]₂CS

상기 화학식 II에서,

각각의 R은 서로 독립적으로 수소이거나 알킬, 사이클로알킬, 알케닐 또는 아릴 그룹이다. 상기 알킬, 사이클로알킬, 알케닐 및 아릴 그룹은 10 이하 또는 그 이상의 탄소 원자, 및 하이드록시, 아미노 및/또는 할로겐 그룹과 같은 치환체를 함유할 수 있다. 상기 알킬 및 알케닐 그룹은 직쇄이거나 분지될 수 있다. 본 발명에서 사용되는 티오우레아는 티오우레아 또는 이의 동족체, 다양한 분야에서 인정되는 유도체, 또는 이의 유사체를 포함한다. 이러한 티오우레아의 예는 티오우레아, 1,3-디메틸-2-티오우레아, 1,3-디부틸-2-티오우레아, 1,3-디데실-2-티오우레아, 1,3-디에틸-2-티오우레아, 1,1-디에틸-2-티오우레아, 1,3-디헵틸-2-티오우레아, 1,1-디페닐-2-티오우레아, 1-에틸-1-(1-나프틸)-2-티오우레아, 1-에틸-1-페닐-2-티오우레아, 1-에틸-3-페닐-2-티오우레아, 1-페닐-2-티오우레아, 1,3-디페닐-2-티오우레아, 1,1,3,3-테트라메틸-2-티오우레아, 1-알릴-2-티오우레아, 3-알릴-1,1-디에틸-2-티오우레아 및 1-메틸-3-하이드록시에틸-2-티오우레아, 2,4-디티오뷰렛, 2,4,6-트리티오뷰렛, 이소티오우레아의 알콕시 에테르, 하이드록시에탄올 알릴티오우레아, n-알릴티오우레아, 하이드록시에틸티오우레아 등을 포함한다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면 상기 저해 조성물은 2 내지 13의 pH 값을 갖는다. 따라서, 상기 저해제는 적절한 pH 값을 제공하기 위한 농도로 상기 수성 저해 조성물에 포함될 수 있다. 본 발명의 관점에서, pH 값은 실제 pH 값으로서 측정되며, 예를 들면, 유리 전극을 사용하여 고 알칼리 용액의 pH 값을 측정함으로써 발생하는 알칼리 실패(alkali failure)와 같은 임의의 측정 실패에 의해 영향을 받지 않는다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면 저해제는 ≥0.10g/l 내지 ≤100g/l, 바람직하게는 ≥1g/l 내지 ≤10g/l의 농도 범위로 상기 조성물에 포함될 수 있다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면 상기 저해 조성물은 적어도 하나의 완충제를 추가로 포함할 수 있다. 본 발명에 따르는 조성물에서 완충제로 사용될 수 있는 화합물은 포스페이트, 하이드로겐포스페이트, 보레이트, 에틸렌아민, 또는 에틸렌아민과 염산 또는 황산 등과 같은 강산과의 어덕트, 예를 들면 에탄올아민, 에틸렌디아민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 또는 카복실산의 염, 예를 들면 칼륨 포르메이트, 나트륨 아세테이트, 나트륨 칼륨 타르트레이트, 또는 암모늄 시트레이트일 수 있다. 이와 같이, 생산 라인에서 상기 조성물의 pH 값은 상기 조성물의 우수한 장기간 성능 수명을 달성하도록 안정화될 수 있다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면 본 발명의 저해 조성물은 상기 조성물에서의 상기 저해제 화합물의 용해도를 증가시키기 위한 제제를 추가로 포함할 수 있다.

이러한 제제는 당업계에 공지되어 있으며, 예를 들면 공-용매, 하이드로트로프(hydrotrope)와 같은 공-용제, 염 형성제, 침강 저해제, 복합체 형성제(complex builder), pH 조절제 및 계면활성제와 같은 제제들 중에서 선택될 수 있다.

이에 따라, 수성 조성물 중의 저해제의 농도가 높을수록, 예를 들면 더 짧은 침지(dipping) 시간 또는 중합체 랙 영역(rack area)에서의 더 우수한 저해제 부하량으로 인한 더 효과적인 저해와 같은, 저해제 조성물의 더 우수한 효율이 달성될 수 있다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면 상기 저해 조성물은 랙 절연의 중합체를 위한 팽윤제(swelling agent)를 추가로 포함할 수 있다. 이들 제제는 당업계에 널리 공지되어 있으며, 예를 들면, 방향족 및 지방족 염소계 용매, 방향족 탄화수소, 글리콜 에테르, 케톤, 및 알데히드로부터 선택될 수 있다.

랙의 절연성 중합체의 팽윤으로, 저해제 화합물의 더 우수한 흡수가 달성될 수 있다. 따라서, 용해도 증강제와 동일한 효과를 실현할 수 있다.

본 발명의 또 다른 양태에 따르면 본 발명의 저해 조성물은 물, 바람직하게는 탈이온수 중의 이미 혼합된 용액(ready mixed solution)의 형태로 사용자에게 제공될 수 있다. 또는, 상기 성분들은 수송 비용을 줄이기 위해 농축물로서 수송될 수 있다.

추가로 본 발명은 독립 청구항 제10항에서 청구된 바와 같이 랙 영역의 절연된 표면 상에서의 전기화학적 금속 도금의 저해 방법에 관한 것이다. 따라서, 랙 영역의 절연된 표면 상에서의 전기화학적 금속 도금의 저해 방법이 제공되며, 상기 방법은, 하기의 전기화학적 금속 도금 공정으로부터 저해되어야 하는 랙의 절연된 표면을 본 발명에 따르는 저해 조성물과 접촉시키는 단계를 포함한다.

본 발명의 방법은 플라스틱 공정에서의 공지된 도금에서 용이하게 구현할 수 있다는 이점이 있다. 랙의 절연 영역의 저해 단계를 구현하기 위한 가장 좋은 방식은, 도금될 부품을 운반하기 위해 이전에 사용된 랙을 분해하고 도금 부품을 제거한 경우의 방식이다. 그런 다음, 랙의 절연되지 않은 접속 영역에서, 도금된 금속을 제거하는 랙 스트리핑 공정이 존재한다. 이러한 스트리핑 공정에서, 랙의 절연된 영역을 저해시키는 단계가 다음과 같이 사용될 수 있다.

예를 들면, 본 발명의 방법에 따라 랙을 완전히 스트리핑하고 예비-세정하는 공정은 하기 일련의 단계들을 포함할 수 있다:

a) 랙 후크(rack hook) 스트리핑 단계,

b) 하나 이상의 수세(rinsing) 단계,

c) 본 발명의 저해 조성물을 사용하는 저해 단계,

d) 임의로 하나 이상의 수세 단계,

e) 건조 단계,

f) 도금될 신규 부품들에 의한 랙 조립 단계,

g) 산 또는 알칼리 세정 단계, 및

h) 하나 이상의 수세 단계.

또 다른 예에서, 본 발명의 방법에 따라 랙을 완전히 스트리핑하고 예비-세정하는 공정은 하기 일련의 단계들을 포함할 수 있다:

a') 랙 후크 스트리핑 단계,

b') 하나 이상의 수세 단계,

c') 건조 단계,

d') 도금될 신규 부품들에 의한 랙 조립 단계,

e') 산 또는 알칼리 세정 단계,

f') 본 발명의 저해 조성물을 사용하는 저해 단계, 및

g') 임의로 하나 이상의 수세 단계.

환언하면, 본 발명의 방법의 하나의 양태에 따르면, 표면을 저해 조성물과 접촉시키는 단계는, 플라스틱 부품 상에 금속을 전기화학 도금하는 이전 실행에서 랙의 접촉 영역 상에 도금된 금속으로부터 랙을 스트리핑하는 공정 라인에 포함된다. 이러한 스트리핑 공정에서, 본 발명에 따른 저해 단계는 도금될 신규 부품들이 랙 상에 놓이는 랙 조립 단계 전 또는 심지어 조립 단계 후에 수행될 수 있다. 이와 같이, 기존 공정으로의 구현은 매우 다양하다.

상기 언급된 또 다른 스트리핑 및 예비-세정 공정에 따라, 단계 e') 및 f')를 하나의 공정 단계로 조합하는 것이 또한 가능하며, 즉. 산 또는 알칼리 세정 단계가 본 발명의 저해 조성물을 사용하는 저해 단계와 동시에 수행될 수 있다. 이에 따라, 공정 시간은 본 발명의 저해로 매우 짧게 유지될 수 있다.

스트리핑 공정에 이후에 수행되는, 플라스틱 상의 전기화학적 금속 도금을 위한 공지된 공정의 일례는 다음과 같이 요약될 수 있다:

Ⅰ) 에칭 단계,

Ⅱ) 하나 이상의 수세 단계,

Ⅲ) 중화 단계,

Ⅳ) HCl 침지 단계,

Ⅴ) 팔라듐 활성화 단계,

Ⅵ) 하나 이상의 수세 단계,

Ⅶ) 가속화제(accelerator) 또는 전도도(conductivity) 단계,

Ⅷ) 하나 이상의 수세 단계,

Ⅸ) 니켈 또는 구리 무전해 도금 단계 또는 임의의 구리 또는 니켈 전해 침착 단계, 및

Ⅹ) 최종 금속 또는 합금 층의 임의의 적용 단계.

에칭 단계 I)에서, 공지된 크롬산 에칭제의 대체제가 사용될 수 있다. 이러한 대체제의 하나의 예로는 망간계 에칭제가 있다. 이러한 에칭제는 예를 들면 미국 특허 US 8603352, PCT 특허 출원 WO 2013163316 A2, 또는 PCT 특허 출원 WO 2013112268 A2에 기재되어 있다.

단계 X)에서, 적용되는 최종 금속 또는 합금 층은 구리, 니켈, 크롬, 주석, 아연, 철, 코발트, 은, 팔라듐, 금, 및 이들의 조합과 같은 예들로부터 선택될 수 있다.

랙의 절연된 영역의 저해를 위한 본 발명의 단계를 포함하는 또 다른 일련의 단계들에서, 스트리핑 순서는 하기 단계들을 포함할 수 있다:

ⅰ) 본 발명의 저해 조성물을 사용하는 저해 단계와 조합된 랙 후크 스트리핑 단계,

ⅱ) 하나 이상의 수세 단계,

ⅲ) 건조 단계,

ⅳ) 도금될 신규 부품들에 의한 랙 조립 단계

ⅴ) 산 또는 알칼리 세정 단계, 및

ⅵ) 하나 이상의 수세 단계.

환언하면, 본 발명의 방법의 또 다른 양태에서, 표면을 저해 조성물과 접촉시키는 단계는 단일 공정 단계로 랙을 스트리핑하는 단계와 조합될 수 있다. 이에 따라, 더 짧은 공정 시간이 달성될 수 있다.

본 발명의 방법의 바람직한 양태에서, 저해될 표면은 ≥10℃ 내지 ≤100℃ 범위, 바람직하게는 ≥40℃ 내지 ≤70℃ 범위의 온도에서 저해 조성물과 접촉하게 된다.

일반적으로, 저해 단계에서 저해 조성물의 온도가 높을수록 저해 효과가 개선되는 것으로 밝혀졌다. 그러나, 실온에서도, 절연된 랙 영역의 저해는 산업 규모에서 단계의 구현 측면에서 충분히 짧은 침지 시간에서도 일반적으로 높은 효율로 발생한다.

본 발명의 방법에 따라, 저해될 표면은 ≤90분의 시간 동안, 바람직하게는 ≤10분 내지 ≥10초의 시간 동안 저해 조성물과 접촉하게 된다.

본 발명의 방법 및 본 발명의 저해 조성물은, PVC, 플라스티졸(Plastisol), 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리우레탄, PTFE, Halar®(ECTFE, 즉, 에틸렌-클로로트리플루오로에틸렌 공중합체), 부분적으로 할로겐화된, 특히 부분적으로 플루오르화된 중합체 등으로 이루어진 그룹의 중합체성 표면의 전기화학적 금속 도금을 저해시키는데 사용될 수 있다.

본 발명의 수성 저해 조성물을 후속적으로 금속 도금되는 것이 저해되어야 하는 표면과 접촉하게 하기 위해, 상기 표면을 본 발명의 저해 조성물로 침지시킬 수 있거나, 또는 예를 들면 분무 노즐과 같은 적절한 수단을 사용하여 상기 조성물을 저해될 표면 상으로 분무할 수 있다. 접촉 후 표면을 탈이온수 또는 수돗물로 수세할 수 있다.

후속적으로 금속 도금되는 것이 금지되어야 하는 표면을 본 발명의 저해 조성물로 침지시킴으로써 상기 표면이 상기 조성물과 접촉하게 되는 경우, 교반 수단의 사용이, 저해제의 더욱 균질한 분포를 위해 포함될 수 있다.

본 발명은 다음의 실시예에 의해 추가로 설명되지만, 본 발명의 아이디어는 임의 방식에서 이들 양태로 한정되지 않는다.

실시예

실시예 1 (본 발명에 따르는 실시예)

하기 저해제들을 1000ml의 물에 첨가하여 수성 저해 조성물을 제공한다. 랙 후크 스트리핑 단계 이후 그리고 플라스틱 부품의 부하 전에 상이한 조건들 하에 본 발명의 수성 저해 조성물을 사용함으로써 랙 절연에 대한 금속화(metallization)의 영향을 하기 표 1에 기재한다.

참조용으로, 저해 화합물을 첨가하지 않고 랙을 상이한 조건하에 수돗물로 침지시켰다.

실시예 2 (본 발명에 따르는 실시예)

하기 저해제들을 1000ml의 예비-세정제(pre cleaner)에 첨가하여 수성 저해 조성물을 제공한다. 금속화되어야 하는 플라스틱 부품을 상이한 조건들 하에 부하한 후 이러한 수성 저해 조성물을 사용함으로써 랙 절연에 대한 금속화의 영향을 하기 표 2에 기재한다.

참조용으로, 저해 화합물을 첨가하지 않고 랙을 상이한 조건하에 동일한 예비-세정제 용액으로 침지시켰다.

Claims

중합체 표면 상의 전기화학적 금속 도금의 저해(inhibition)를 위한 수성 저해 조성물로서, 상기 저해 조성물이 적어도 하나의 황 및 적어도 하나의 질소 원자를 갖는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 저해제를 포함하는, 수성 저해 조성물.
제1항에 있어서, 상기 저해제가 화학식 I에 따르는 적어도 하나의 화합물인, 수성 저해 조성물.
화학식 I
R₂N-C(S)Y
상기 화학식 I에서,
R은 서로 독립적으로 H이거나 분지 또는 비분지 C₁ 내지 C₁₃ 알킬, 알케닐 또는 아릴 그룹이고, Y는 XR¹, NR² ₂ 또는 N(H)NR³ ₂이고, 여기서 X는 O 또는 S이고, R¹, R², R³은 서로 독립적으로 H, 알칼리 금속 또는 분지 또는 비분지 C₁ 내지 C₁₃ 알킬, 알케닐 또는 아릴 그룹이다.
제1항에 있어서, 상기 저해제가 티오우레아, 티오카바메이트, 및 티오세미카바자이드로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 수성 저해 조성물.
제3항에 있어서, 상기 저해제가 티오우레아인, 수성 저해 조성물.
제1항에 있어서, 상기 조성물의 pH 값이 2 내지 13인, 수성 저해 조성물.
제1항에 있어서, 상기 저해제가 ≥0.1g/l 내지 ≤100g/l의 농도 범위, 바람직하게는 ≥1g/l 내지 ≤10g/l의 농도 범위로 포함되는, 수성 저해 조성물.
제1항에 있어서, 적어도 하나 완충제를 추가로 포함하는, 수성 저해 조성물.
제1항에 있어서, 상기 조성물에서의 상기 저해제 화합물의 용해도를 증가시키기 위한 제제를 추가로 포함하는, 수성 저해 조성물.
제1항에 있어서, 랙 절연(rack insulation)의 중합체를 위한 하나 이상의 팽윤제를 추가로 포함하는, 수성 저해 조성물.
랙 영역의 절연된 표면의 저해 방법으로서, 상기 방법이 상기 표면을 제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항에 따르는 수성 저해 조성물과 접촉시키는 단계를 포함하는, 방법.
제10항에 있어서, 상기 표면을 상기 저해 조성물과 접촉시키는 단계가 플라스틱 라인 상의 도금을 에칭하는 단계 전에 상기 공정 라인에 포함되는, 방법.
제10항에 있어서, 상기 표면을 상기 저해 조성물과 접촉시키는 단계가 단일 공정 단계로 상기 랙을 스트리핑(stripping)하는 단계와 조합되거나, 또는 상기 표면을 상기 저해 조성물과 접촉시키는 단계가 상기 에칭 단계 전에 단일 공정 단계에서 예비-세정하는 단계와 조합되는, 방법.
제10항에 있어서, 상기 표면이 ≥10℃ 내지 ≤100℃의 범위, 바람직하게는 ≥40℃ 내지 ≤70℃ 범위의 온도에서 상기 저해 조성물과 접촉하게 되는, 방법.
제10항에 있어서, 상기 표면이 ≤90분의 시간 동안, 바람직하게는 ≤10분 내지 ≥10초의 시간 동안 상기 저해 조성물과 접촉하게 되는, 방법.
제10항에 있어서, 상기 랙의 절연된 영역 상의 절연이, PVC, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리우레탄, PTFE, ECTFE, 부분적으로 할로겐화된, 특히 부분적으로 플루오르화된 중합체로 이루어진 그룹의 중합체인, 방법.