CN1250768C - 镀覆组合物 - Google Patents

Abstract

本发明揭示一种适合用于无电镀金镀覆的组合物，该组合物包含一种或多种水可溶的金化合物、一种或多种金络合剂、一种或多种有机的稳定剂化合物、以及一种或多种羧酸均匀增进剂。本发明亦提供一种使用此种组合物的镀覆方法以及使用此种组合物的电子装置。

Description

镀覆组合物

技术领域

本发明涉及无电镀覆金属的领域。具体而言，本发明涉及无电镀金的领域。

背景技术

浸渍或置换镀覆系无电镀覆过程，但在该项领域中系将其分为不同的种类。在浸渍镀覆中，沉积作用系藉由镀覆溶液中的金属离子自基板置换元素金属。在无电镀覆中，一开始系藉由溶液中的金属离子的自动催化还原反应而发生沉积作用。此种无电镀覆需要在还原试剂存在的条件下进行。

浸渍镀覆并不需要使用外加电流，但其仍为电化学置换反应，该电化学置换反应系由相对于该溶液中欲沉积的金属的电动次序的基板位置所驱动。当溶解于镀覆浴槽中的金属离子，系经由与该镀覆浴槽接触且活性更大(惰性较小)的金属所置换时，即发生镀覆。

制造印刷线路板时，典型地是于具有焊垫及/或贯穿孔的印刷线路板的基板上形成可焊的镀层(solderable finishes)，该焊垫及/或贯穿孔系透过罩幕(如，焊锡掩模)而曝露出来。由于无电镀覆亦可在罩幕的表面上沉积金属(此并非所期望的情况)，故此种可焊的镀层通常系藉由浸渍镀覆而形成。由于浸渍镀覆反应系由电化学的电位差所驱动，故镀覆仅于经曝露的金属的区域发生。例如，美国专利第5,143,544号(Iantosca)即揭示一种可用于浸渍镀覆锡-铅合金的溶液，该锡-铅合金适合用作为印刷线路板的基板上的可焊的镀层。然而，就制造印刷线路板时所使用的铅而言，对于更能为环境所接受的选择的需求仍持续增加。因此，在电子零件中使用铅以及铅合金正面临着不确定的未来。参见，例如，美国专利第5,536,908号(Etchells et al.)。

相对于铅而言，银是另一种更能为环境所接受的选择，并已有建议将银用作为可焊的镀层。如上所述，沉积此种可焊的镀层的较佳方法系藉由浸渍镀覆。例如，美国专利第5,955,141号(Souter et al.)揭示某种浸渍银镀覆浴槽，该镀覆浴槽适合用于在印刷线路板上沉积银层。然而，银仍具有许多缺点，例如浸渍银的沉积物的附着力不佳，以及银易有晦暗的倾向；因此，需要使用抗-晦暗涂层。

由于金具有低电阻率且其对于腐蚀性物质的侵蚀具有惰性，在电子工业中已长期使用金作为与表面电性连接的金属。此种金沉积，典型地系使用无电或浸渍金镀覆浴槽进行镀覆。具体而言，在镍底漆上已长期使用金形成可焊的镀层。典型地，该镍底漆系以无电镀覆形成，而金系以浸渍沉积形成。此种制程系称为无电镀覆-镍-浸渍-金，或称为“ENIG”。

一种习知的无电镀金的浴槽的类型系以硫代硫酸盐为主，并以亚硫酸盐离子使其稳定。当此种浴槽系于pH值为6或以下进行操作时，由于在此种pH值的条件下该浴槽会释放出二氧化硫，故该浴槽系不稳定的。已知该种硫代硫酸盐离子在酸性溶液中会分解生成元素硫以及亚硫酸盐离子。当硫代硫酸钠水溶液的pH值系经调整为约4至5时，由于形成元素硫，该溶液将变成混浊。然而，若将亚硫酸钠亦添加至上述溶液中，将不会形成元素硫，且该溶液将会较为稳定以及清澈。因此，在习知的金属镀覆溶液的领域中，系使用亚硫酸钠以及硫代硫酸钠以稳定该溶液。然而，伴随者使用亚硫酸钠所产生的问题是，该种亚硫酸钠离子在微酸性溶液中系不稳定的，而使二氧化硫缓慢地形成并从该溶液中释放出来。该溶液的酸性越大，该二氧化硫行成的速率则越大。此导致亚硫酸钠的消耗量增加以及酸性溶液中的金属硫代硫酸盐复合物的不稳定性提高。

美国专利第5,302,278号(Nobel et al.)揭示一种包含金电镀溶液的金属电镀溶液，该溶液含有硫代硫酸盐并以有机的亚磺酸盐使其稳定。该专利中并未揭示无电镀覆以及浸渍镀覆溶液。

无电镀金的浴槽系含有还原试剂。典型的还原试剂为硫以及烷基硫衍生物；含有烯醇的化合物，例如抗坏血酸(参见美国专利第4,481,035号(Andrascek et al.))；含有硼的化合物，例如硼烷类以及硼氢化物类。这些习知的浴槽仍存有某些缺点。例如，含有硫作为还原试剂的浴槽必须加热至约80℃至90℃以使其具有可接受的沉积速率。该温度对于所使用的某些电子封装材料而言过高。且，在此温度下该镀覆溶液变得不稳定，并自然地在整个溶液中形成细微的金颗粒，而非仅在所需的基板上产生金沉积。使用含有硼的化合物作为还原试剂时，此种化合物首先先遭受水解反应且该水解反应的速率系随温度而增加。许多含有硼的还原试剂在此一非期望的侧反应中消耗掉，而使其浓度的控制变得相当困难。

国际专利申请案WO 99/18254(Scheel et al.)揭示一种用于无电镀金的溶液，该溶液可含有某些还原试剂，例如草酸。该项专利并没有揭示使用亚磺酸或亚磺酸盐作为稳定剂。

浸渍镀金浴槽可以避免许多上述还原试剂所衍生的缺点。然而，此种浸渍镀覆浴槽典型地需要高镀覆温度(例如，70℃或以上)以利操作。通常，此种高温系不利于某些电子封装材料。

因此，仍需要一种稳定的，且相较于习知的镀覆溶液可于较低的温度操作的无电镀金溶液。

发明内容

一方面，本发明提供一种无电镀金的组合物，该组合物包含：a)一种或多种水可溶的金化合物；b)一种或多种金络合剂；c)一种或多种如式R-SO₂-Y所示的有机的稳定剂化合物，其中，R为(C₁-C₁₈)烷基、芳基、或杂芳基，以及Y为氢或一价的阳离子；以及d)一种或多种均匀增进剂。

另一方面，本发明提供了一种在基板上无电沉积金的方法，该方法包含使基板与上述组合物接触的步骤。

本发明又进一步提供一种在正电性小于金的金属上沉积金的方法，该方法包含使含有正电性小于金的金属的基板与上述组合物接触。

又另一方面，本发明又提供一种制造包含沉积金层的电子装置的方法，该方法包含使电子装置基板与组合物接触一段足以沉积所需金层的时间的步骤，该组合物包含：a)一种或多种水可溶的金化合物；b)一种或多种金络合剂；c)一种或多种如式R-SO₂-Y所示的有机的稳定剂化合物，其中，R为(C₁-C₁₈)烷基、芳基、或杂芳基，以及Y为氢或一价的阳离子；以及d)一种或多种均匀增进剂。

本说明书中，除非另有明确地指出，下列缩写即表示下列意义：℃＝摄氏温度；°F＝华氏温度；g＝克；L＝公升；mN＝毫牛顿；mm＝毫米；μin＝微英时；以及μm＝微米。本说明书中“沉积”以及“镀覆”可交替使用。“烷基”系指直链、分支、以及环状烷基。“卤素”系指氟、氯、溴、以及碘。同样地，“卤基”系指氟基、氯基、溴基、以及碘基。除非另有说明，具有两个或多个取代基的芳香族化合物，包含邻位、间位、以及对位取代。除非另有说明，所有比例皆为重量比。所有的数字范围皆为包含的且可以任何顺序组合，除非该等数字范围系明显地限制在100％以下。

本发明提供一种无电镀金的组合物，该组合物包含：a)一种或多种水可溶的金化合物；b)一种或多种金络合剂；c)一种或多种如式R-SO₂-Y所示的有机稳定剂化合物，其中，R为(C₁-C₁₈)烷基、芳基、(C₁-C₁₈)烷芳基、或杂芳基，以及Y为氢或一价的阳离子；以及d)一种或多种均匀增进剂。

任何可于该组合物中提供金(I)的水可溶的金化合物均可用于本发明。适合的金化合物包含，但不限于：碱金属金硫代硫酸盐化合物，例如金硫代硫酸三钠以及金硫代硫酸三钾。该金化合物系以金硫代硫酸三钠较佳。应了解的是，多种其它的水可溶的金化合物亦可用于本发明的组合物，例如碱金属金亚硫酸盐，如金亚硫酸钠以及金亚硫酸钾、金亚硫酸铵；金的卤化物，如氯化金；碱金属金氰化物，如金氰化钠以及金氰化钾以及金氰化铵。然而，本发明较佳系实质上不含有氰化物离子以及亚硫酸盐离子。“实质上不含有”系指本发明的组合物中含有0.05克/公升以下的该种离子。更佳者系本发明的组合物中完全不含氰化物离子以及亚硫酸盐离子。

该一种或多种水可溶的金化合物的总量典型地是自0.1至60克/公升。较佳者，该金化合物的含量自0.5至15克/公升，以及更佳者0.5至5克/公升。此种水可溶的金化合物一般可由多个供应厂商购得，或可由该项领域中已知的方法制得。

多种金络合剂亦可用于本发明。适合的金络合剂包含，但不限于：硫代硫酸；硫代硫酸盐，例如硫代硫酸纳、硫代硫酸钾、以及硫代硫酸铵；乙二胺四乙酸及其盐；氮基三乙酸等。以硫代硫酸以及硫代硫酸盐较佳。更佳者系硫代硫酸纳。

使用该种硫代硫酸盐时，可以以任何可溶于溶液的形式提供，例如碱金属硫代硫酸盐(如，硫代硫酸钠或硫代硫酸钾)或硫代硫酸铵，而以硫代硫酸钠五水合物为最经济且容易取得。

这些一种或多种络合剂，典型地以0.1至150克/公升的总量存在，以及较佳自1至100克/公升。更佳者，该种络合剂以5至75克/公升的量存在，以及又更佳者自10至60克/公升。该一种或多种络合剂一般系市售可得，或可由本领域中已知的方法制得。

用于本发明的一种或多种有机的稳定剂化合物，具有如式R-SO₂-Y所示的结构，其中，R为(C₁-C₁₈)烷基、芳基、或杂芳基，以及Y为氢或一价的阳离子。就Y而言，适合的一价阳离子为碱金属，例如钠以及钾。Y是氢亦为较佳者。就R而言，烷基基团的实例包含，但不限于：甲基、乙基、正-丙基、异-丙基、正-丁基、第三-丁基、异-丁基、正-戊基、新-戊基、己基、辛基、以及癸基。典型的芳基基团系那些芳香环中具有5至14个碳原子的基团。适合的芳基基团包含，但不限于：苯基；(C₁-C₆)烷芳基，例如甲苯基以及二甲苯基；萘基；以及双酚A。适合的杂芳基基团包含，但不限于：呋喃基、吡啶基、苯硫基等。较佳者，R为芳基基团，以及更佳者为苯基。

熟习该项技术者应了解，取代的(C₁-C₁₈)烷基、芳基、或杂芳基亦包含于本发明的范畴。就“取代的(C₁-C₁₈)烷基、芳基、或杂芳基”而言，是指该(C₁-C₁₈)烷基、芳基、或杂芳基基团上的一或多个氢，是以一或多个取代基基团代替。适合的取代基基团包含，但不限于：卤基、羟基、(C₁-C₆)烷氧基、羰(C₁-C₆)烷氧基、硝基、硫基、(C₁-C₆)烷硫基等。

一般而言，该一种或多种有机的稳定剂化合物的用量为至少0.5克/公升，较佳为至少1克/公升。该一种或多种有机的稳定剂化合物的用量的实际上限是以此种化合物于该组合物中达到饱和为限。较佳者，该一种或多种有机的稳定剂化合物的用量是自2克/公升至25克/公升，以及更佳者自3至15克/公升。有机的稳定剂的用量以自3至10克/公升为特别适当。此种有机的稳定剂化合物一般系市售可得，或可由该项领域中已知的方法制得。

不欲受限于理论下，相信该种有机的稳定剂化合物可以使该无电镀金的组合物更稳定，特别是在微酸的条件下使用硫代硫酸盐离子时，使该溶液不会在短时间失效，且不会释放出二氧化硫至任何可测的得的量。

可将一种或多种均匀增进剂添加至本发明的组合物中。此种均匀增进剂典型地系能够提供螯合作用的有机羧酸。在不欲受限于理论下，此种均匀增进剂亦可另外用作为温和的还原剂。已发现此种均匀增进剂所提供的金沉积，相较于不含此种化合物的组合物所提供的金沉积，更为均匀。适合的均匀增进剂包含多羧酸，例如二-以及三-羧酸化合物；经羟基取代的羧酸化合等。该均匀增进剂系以二-羧酸较佳。该均匀增进剂的实例包含，但不限于：草酸、抗坏血酸、柠檬酸、苹果酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸、草醋酸，以及酒石酸。其它适合的均匀增进剂包含苯二酸、己二酸、丁二酸、以及戊二酸。较佳者，该均匀增进剂系草酸、丙二酸、抗坏血酸、以及柠檬酸。更佳者，该均匀增进剂系草酸。

一般而言，该一种或多种均匀增进剂的用量系自0.1至50克/公升，以及较佳系自1至15克/公升。该均匀增进剂特别适合的用量是自2至8克/公升。

本发明特别有用的组合物包含：a)0.5至15克/公升的一种或多种碱金属金硫代硫酸盐化合物；b)1至100克/公升的一种或多种选自硫代硫酸或碱金属硫代硫酸盐所构成的金络合剂；c)2克/公升至25克/公升的一种或多种如式R-SO₂-Y所示的有机稳定剂化合物，其中，R为(C₁-C₁₈)烷基、芳基、或杂芳基，以及Y为氢或一价的阳离子；以及d)1至15克/公升的草酸。

本发明的组合物中亦可进一步包含调节pH值的化合物。任何可调节pH值的化合物均可使用，只要该化合物不会对该组合物的稳定性以及效能造成不利的影响即可。适合的pH值调节化合物包含磷酸盐类，例如二氢磷酸钾一水合物、磷酸二钾、磷酸三钾；硼酸等。此种pH值调节化合物的用量系依所欲维持的pH值以及所选用的特定pH值调节化合物而定。例如，二氢磷酸钾典型地用量为1至50克/公升，以及较佳为5至25克/公升。一般而言，本发明的组合物的pH值系维持在3至9之间，较佳为4至8，以及较佳系自5至7.5。

该组合物中，一般包含水。任何等级的水均可使用，以去离子水较佳。

本发明的镀金组合物亦可视需要含有一种或多种其它的添加剂，例如界面活性剂。阴离子与非离子性界面活性剂系较佳的界面活性剂，更佳者为阴离子界面活性剂。适合的阴离子界面活性剂包含磷酸酯类，例如脂肪族醇类的磷酸酯(包含甘油酯类的磷酸酯)，以及较佳者为长链脂肪族醇类的磷酸酯。适合的磷酸酯阴离子界面活性剂包含那些分别由Rhodia以及Crompton Corporation以商品名R_HODAFAC以及E_MPHOS售出者。此种界面活性剂典型地系以0.1至2克/公升的量使用。

本发明的组合物可依任何顺序，藉由结合上述成分而制备。使用氯化金时，较佳系于该金络合剂、有机的稳定剂化合物、以及均匀增进剂添加至该组合物后，再将该氯化金添加至该组合物中。添加该氯化金的过程中，该组合物的pH值系以维持在≥5较佳。维持该pH值可藉由，例如，添加氢氧化物(如氢氧化钾)。

一般而言，本发明的镀金浴槽是于加热时使用，典型地系自25℃至65℃。较佳者，本发明的浴槽系经加热自30℃至60℃，以及更佳者系自45℃至60℃。温度高于约65℃时亦可使用，惟，本发明组合物的一优点，系该组合物相较于习知的无电镀金过程，其在低温时所沉积的金可更加均匀。在不欲受限于理论下，相信本发明的组合物可藉由混合无电镀覆的制程而沉积金。由于使用本发明的组合物镀金时不需要电流，故其亦可称为无电镀覆过程。然而，本发明的组合物无法在金箔上镀覆金，故本发明的组合物并非自动催化的，因此相信其并不是一个“真正的”无电镀覆制程。然而，相较于习知的浸渍过程，本发明的组合物提供一种较厚的金沉积。例如，与本发明的组合物接触1小时以后，可在镍基板上沉积一层厚达175微英时的金。因此，相信本发明的镀覆过程是“混合”镀覆过程。

藉由控制基板与本发明的镀覆组合物接触的时间长短，可以在该基板上控制所需的金沉积厚度。本发明的组合物的优点系在于该组合物可以提供附着力佳的金沉积。本发明的组合物特别适合在多种基板上沉积金，特别是在正电性小于金的金属上，即，传统上的浸渍镀覆法。正电性小于金的典型金属包含，但不限于：镍、铜、钯、以及铁。可以使用一种以上其正电性小于金的金属。例如，根据本发明，在镍层上的钯层即为一种适合用于沉积金的基板。因此，本发明又进一步提供一种在正电性小于金的金属上沉积金的方法，该方法包含使含有正电性小于金的金属的基板与该上述组合物接触。

本发明的组合物亦适合使用“真正的”无电镀覆过程在基板上镀覆沉积金。就真正的无电沉积而言，典型地系将习知的还原试剂加至本发明的组合物中。可以适当地使用多种习知的还原试剂。然而，本发明的组合物是以不含有硫脲；硫脲衍生物，如甲基硫脲、二甲基硫脲、乙基硫脲、N-甲基硫脲等；对苯二酚；儿茶酚等较佳。此种无电沉积系藉由使欲以金镀覆的基板与该上述组合物接触而达成。

本发明的组合物系特别适合用于制造电子装置，例如印刷线路板、集成电路、以及集成电路封装件。例如，制造包含一金层的电子装置时，该金层可藉由一方法沉积，该方法包含使电子装置基板与组合物接触一段足以沉积所需的金层的时间的步骤，该组合物包含：a)一种或多种水可溶的金化合物；b)一种或多种金络合剂；c)一种或多种如式R-SO₂-Y所示的有机的稳定剂化合物，其中，R为(C₁-C₁₈)烷基、芳基、或杂芳基，以及Y为氢或一价的阳离子；以及d)一种或多种均匀增进剂。适合的金属(正电性小于金的金属)系如上述所揭示者，以及较佳者为镍与镍层上的钯。此种镍以及钯层典型地系由无电沉积所形成。特别适合的集成电路封装件包含，但不限于：导线架、晶圆上的焊垫、以及陶瓷封装件等。本发明亦适合在基板上提供可焊的金镀层(finish)，或在集成电路上沉积金。

下列的实施例系用以进一步说明本发明的多个观点，但并非以任何观点局限本发明的范畴

实施例

实施例1

藉由将金属态的金(Au⁰)溶于热盐酸及硝酸的混合物中，以制备镀金溶液。当金属态的金完全溶解后，将该溶液加热至干燥状态。接着，以热的去离子水洗涤所留下的盐，并再次加热直到于该溶液中不再测得硝酸盐为止，生成HAuCl₄。

将上述所制得的HAuCl₄慢慢地添加至Na₂O₃S₂饱和溶液中，直到无法再进入溶液中为止，而于该状态下产生乳状溶液。将异丙醇加入其中，直到该溶液呈澄清并开始形成白色沉淀。将该溶液静置过夜以完全反应。假设所有的金均由金的状态还原为亚金的状态。过滤该溶液，并将沉淀物置于烘箱中干燥，以形成AuNa₃O₆S₄。

实施例2

镀金浴槽系藉由将表1中的成分并依所示的量结合而制备。

                表1

成分	量(克/公升)
		AuNa3O6S4形式的金硫代硫酸钠亚磺酸苯二氢磷酸钾草酸水	15010155加至1公升

该浴槽的pH值为5.5。该浴槽的温度维持在120°F(约49℃)。将多个欲藉由浸渍镀覆金的基板(含有镍层的FR-4基板)浸渍于该浴槽5分钟。将该基板自该浴槽中移除后，洗涤该基板并使其干燥；分析所得的金沉积，发现其厚度为4至7微英时。

实施例3

使用市售可得的无电镀覆的镍产品(E_VERON ^TM BP无电镀覆的镍，购自Shipley Company，Marlboroug，Massachusetts)，以镍镀覆位于晶圆上的铝垫。使用标准化的镀覆条件(190°F)，以12微英时/分钟的速率沉积镍。无电镀镍的后，洗涤该镍镀层。

洗涤后，使该经镍镀覆的铝基板与实施例2的镀金浴槽接触。以接近2微英时/分钟的速率，使金沉积于该镍层上。镀金后，将该基板自该镀覆浴槽中移除，洗涤该基板并使其干燥。

实施例4

除了该晶圆上的垫为铜以及该无电镀镍的浴槽系于185°F的温度下操作外，重复实施例3的程序。以10微英时/分钟的速率沉积镍。

实施例5

根据实施例2制备镀金浴槽，惟，各成分的量系如2中所示。

                表2

成分	量(克/公升)
		AuNa3O6S4形式的金硫代硫酸钠亚磺酸苯二氢磷酸钾草酸水	15510205加至1公升

该浴槽的pH值为7。该浴槽的温度维持在120°F(约49℃)。

实施例6

使用实施例5的镀覆浴槽将金镀覆于十六个含有无电沉积的镍层的RF-4试品(约1×12英时)。使用X-射线萤光(“XRF”)光谱测量沉积于各个试品的金的厚度。于每个试品测量两次。大部分试品所沉积的金的厚度系7至8微英时，其平均值为7.06微英时。

实施例7

使一个含有无电沉积的镍层的RF-4试品(约1×12英时)与实施例5的镀覆浴槽接触。30分钟后，将该试品自该浴槽中移除，所沉积的金的厚度藉由XRF光谱测量为78微英时。

实施例8

使一个含有无电沉积的镍层的RF-4试品(约1×12英时)与实施例5的镀覆浴槽接触。60分钟后，将该试品自该浴槽中移除，所沉积的金的厚度藉由XRF光谱测量为173微英时。

实施例9

评估该等含有无电沉积的镍层以及根据实施例2所沉积的金层(7至9微英时)的RF-4试品(约1×12英时)的导线接合能力。使用K&S模式4523铝线接合物，将铝线(1密尔)以超音波接合至数个试品上的金层。使用K&S模式4524金线接合物，将金线(1.3密尔)以热音(thermosonically)接合至数个试品上的金层。对于部分接合至试品的铝线及金线进行拉扯。部分试品在进行拉扯前，系于150℃的条件下烘烤1小时。部分试品系先经烘烤(1小时，150℃)，然后接合铝线或金线，在进行拉扯。以克为单位纪录使该线断裂所需的力量。其结果示于表3。

                            表3

线材	接合以及拉扯(克)	接合、烘烤以及拉扯(克)	烘烤、接合以及拉扯(克)
				铝金	8.5至8.611.5至12	8.5至8.613至13.5	8至8.111至11.5

实施例10

除了该试品系含有无电沉积的镍层、覆盖于该镍层以无电沉积的钯，以及覆盖于该钯层上的金以外，重复实施例9的程序。获得可接受的铝线及金线接合结果。

实施例11

评估十个含有无电沉积的镍层以及根据实施例2所沉积的金层(7至9微英时)的RF-4试品(约1×12英时)上所沉积的金的焊接能力。使用M_ENISCO ST-50湿润平衡(wetting balance)评估焊接能力。五个试品系于镀金后进行测试，以及另外五个试品系先于150℃的条件下烘烤16小时再进行测试。不含铅的焊料系于245℃的条件下使用。所使用的助溶剂(flux)为K_ESTER 422-CX非净化型(no clean type)。针对各个试品，测量零串时间(zero cross time)(以秒为单位)以及2秒时的湿润力(wetting force)(以毫牛顿/毫米为单位)。于各个试品测定两次，并记录其平均值。其结果示于表4。

                          表4

试品	零串时间(秒)	2秒时的湿润力(毫牛顿/毫米)
			镀覆后烘烤后	0.150.25	0.260.28

Claims (10)

1.一种无电镀金的镀覆组合物，该组合物包括：

a)一种或多种水可溶的金化合物；

b)一种或多种金络合剂；

c)一种或多种如式R-SO₂-Y所示的有机稳定剂化合物，其中，R为(C₁-C₁₈)烷基、(C₅-C₁₄)芳基、或选自呋喃基、吡啶基或苯硫基的杂芳基，以及Y为氢或一价的阳离子；以及

d)一种或多种均匀增进剂，其选自多羧酸化合物或羟基取代的羧酸化合物。

2.如权利要求1的组合物，其中，该金化合物为碱金属金硫代硫酸盐化合物。

3.如权利要求1的组合物，其中，R为苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、或双酚A。

4.如权利要求1至3任一项的组合物，其中，该一种或多种有机稳定剂化合物的含量至少为2克/公升。

5.如权利要求1至3任一项的组合物，其中，该一种或多种均匀增进剂选自草酸、抗坏血酸、柠檬酸、苹果酸、乙醇酸、丙二酸、乳酸、草醋酸、酒石酸、苯二酸、己二酸、丁二酸、以及戊二酸。

6.如权利要求1至3任一项的组合物，其中，该组合物基本上不含氰化物离子以及亚硫酸盐离子。

7.一种在基板上无电镀沉积金的方法，该方法包括使基板与权利要求1至6任一项中的组合物接触的步骤。

8.一种在正电性小于金的金属上沉积金的方法，该方法包括使含有正电性小于金的金属的基板与权利要求1至6任一项中的组合物接触。

9.一种制造包括沉积金层的电子装置的方法，该方法包括使电子装置基板与权利要求1至6任一项中的组合物接触的步骤。

10.如权利要求9的方法，其中，该电子装置基板选自印刷线路板的基板、集成电路、导线架、晶圆上的焊垫、以及陶瓷封装件。