KR20160122794A - 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물 및 전자 디바이스 - Google Patents

전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물 및 전자 디바이스 Download PDF

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Abstract

기재와의 사이에 공기를 트랩하지 않고 밀봉할 수 있음과 함께, 수증기의 투과를 억제할 수 있는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물 및 이 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 적용한 전자 디바이스를 제공한다. (A) 하기 화학식(1)로 표시되는 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리부타디엔 중합체와 (B) 광중합 개시제를 포함하고, 질량 평균 분자량이 5만 이상인 열가소성 수지를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물.(식 중, R1 및 R2는 수산기 또는 H2C=C(R7)-COO-를, R3 및 R4는 탄소수 1 내지 16의 치환, 비치환된 N을 포함하지 않는 2가의 유기기를, R5, R6, R7은, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타낸다. l 및 m은 0 또는 1을, n은 15 내지 150을 나타내는 정수이며, x:y=0 내지 100:100 내지 0이다. 단, R1 및 R2가 모두 수산기인 경우는 없음.)
Figure pct00011

Description

전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물 및 전자 디바이스{RESIN COMPOSITION FOR SEALING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전자 디바이스에 사용하기 위한 밀봉용 수지 조성물 및 이 밀봉용 수지 조성물을 사용해서 밀봉된 전자 디바이스에 관한 것이다.
유기 전자 디바이스 및 그들 회로에 대해서는, 여러 가지 패키지 구조가 공지이다. 이들 구조는 일반적으로, 기재와 커버, 발광 다이오드와 같은 기재와 커버 사이에 배치된 활성 유기 부품, 활성 유기 부품을 밀봉함과 함께, 기재와 커버를 접합하는 밀봉재를 포함한다. 기재와 커버의 한쪽, 또는 양쪽은, 투명한 재료, 예를 들어 투명한 유리 또는 플라스틱으로 제작되어, 광을 투과시킬 수 있다. 기재와 커버는, 유연성을 가져도 되고, 유리 또는 플라스틱 외에, 어느 한쪽은 스틸로 구성되는 경우도 있다. 상기 활성 유기 부품은 기재 상에 형성되고, 어떤 형태에서는, 무기 배리어막 또는 무기 및 유기층이 적층된 복층 배리어막으로 구성되는 피복막으로 덮여 있다. 피복막은 활성 유기 부품의 표면 및 주변을 보호한다. 밀봉재는 활성 유기 부품 상에 도포 또는 접합되지만, 피복막이 존재하는 경우에는 그 위에 도포 또는 접합된다. 이들 밀봉재는, 활성 유기 부품을 감싸서 기재와 커버 사이의 공간을 채우고, 기재를 커버에 접착시킨다.
그러나, 활성 유기 부품은, 저분자 성분, 산소나 수증기에 의해 열화되기 쉽다. 예를 들어, 유기 일렉트로루미네센스 디바이스는, 애노드, 발광층 및 캐소드로 이루어지고, 낮은 일함수의 금속층이 캐소드로서 이용되고 있고, 효율적인 전자 주입 및 낮은 작동 전압을 보증한다. 낮은 일함수의 금속은, 산소 및 수증기와의 화학 반응성이 있고, 이러한 반응은 디바이스의 수명을 단축해 버린다. 또한, 산소 및 수증기는, 발광 유기 재료와 반응해서 발광을 억제한다. 이러한 반응의 발생을 방지하기 위해서, 상술한 바와 같이 활성 유기 부품의 표면에는 피복막이 형성되는 경우가 많지만, 무기 배리어막은 핀 홀을 억제하는 것이 어려워, 외부로부터의 산소나 수증기로부터 활성 유기 부품을 완전히 차단할 수는 없다. 따라서, 활성 유기 부품을 둘러싸고 있는 밀봉재는, 피복막의 유무에 관계없이, 외부로부터의 산소 및 수증기, 특히 수증기의 투과를 억제하도록 설계된다.
이러한 밀봉재로서는, 경화성의 필름 형상 밀봉재를 사용할 수 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 일반적으로는, 필름 형상 밀봉재는, 2개의 담체 필름 사이에 설치되고, 이 담체 필름의 한쪽을 제거하여, 노출된 필름 형상 밀봉재를 가압 또는 가열 가압에 의해, 커버 또는 기재 중 어느 한쪽에 접착한다. 그 후, 다른 담체 필름을 제거하고, 커버 및 기재를 서로 접착시킨다. 필름 형상 밀봉재는, 필요에 따라, 자외선 방사 또는 열에 의해 경화시킨다.
또한, 이러한 밀봉재로서, 액상 밀봉재를 사용할 수도 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 일반적으로는, 액상 밀봉재는, 커버 또는 기재 중 어느 한쪽의 전체면에 도포한 후, 필름 형상 밀봉재와 마찬가지로, 커버 또는 기재의 다른 쪽에 대하여 가압 또는 가열 가압함으로써, 커버와 기재를 서로 접착시킬 수 있다. 액상 밀봉재는, 일반적으로는 경화가 필요하고, 자외선 방사 또는 열에 의해 경화시킨다.
필름 형상 밀봉재는, 일반적으로 액상 밀봉재보다도 실온에서 높은 점도를 갖는다. 실온에서 필름 형상 밀봉재를 사용하면, 기재 또는 커버에의 습윤이 나쁘고, 또한 경우에 따라서는 밀봉재가 거의 유동하지 않고 밀봉재와 기재 사이에 공기가 트랩된다. 밀봉재를 유동시켜, 양호한 습윤을 달성해서 트랩되는 공기를 최소한으로 하기 위해서, 필름 형상 밀봉재를 고온에서 접합하는 것이 고려된다. 가열 온도는 100℃를 초과한 경우가 있어, 특별한 장치가 필요해진다. 또한, 필름 형상 밀봉재는, 담체 필름의 사용, 제거 및 폐기를 필요로 한다.
액상 밀봉재로서는, 에폭시기 또는 옥세타닐기를 갖는 화합물 수지를 사용한 밀봉재(예를 들어, 특허문헌 2 참조)나, 이온 중합성을 갖는 시아노아크릴레이트계 단량체를 사용한 밀봉재(예를 들어, 특허문헌 3 참조), 비스페놀형 에폭시아크릴레이트와 에폭시 수지를 사용한 밀봉재(예를 들어, 특허문헌 4 참조)가 개시되어 있다. 그러나, 이들은, 수증기의 투과 억제 효과나 경화 후의 내굴곡성이 불충분하였다. 그래서, 수증기의 투과 억제 효과가 높고, 경화 후의 내굴곡성이 우수한 밀봉재로서, 말단에 우레탄 결합 및 (메트)아크릴레이트기를 갖는 기로 수식한 수소 첨가 폴리부타디엔으로 이루어지는 밀봉재(예를 들어, 특허문헌 5 참조)가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2013-214366호 공보 일본 특허 공개 제2004-231938호 공보 일본 특허 공개 제2008-021480호 공보 일본 특허 공개 제2006-183002호 공보 일본 특허 공개 제2011-116965호 공보
상기 특허문헌 5에 기재된 밀봉재는, 말단에 우레탄 결합 및 (메트)아크릴레이트기를 갖는 기로 수식한 폴리부타디엔이며, 주쇄에 에테르, 에스테르를 포함하지 않는다. 그리고, 이 폴리부타디엔은, 자외선 방사 또는 열의 적용에 의해 가교, 경화시킬 수 있다. 그로 인해, 수증기의 투과 억제 효과가 높다. 또한, 말단에 (메트)아크릴레이트기가 도입되어 있기 때문에 가교점간에 적당한 거리가 존재하고, 가교점 밀도가 너무 높아지지 않기 때문에, 경화 후의 내굴곡성이 우수하다. 한편, 우레탄 결합을 갖는 기로 수식된 부위는 서로 수소 결합을 형성하므로, 폴리부타디엔끼리에 상호 작용이 발생하여, 밀봉재의 점도를 높게 할 수 있다. 이로 인해, 활성 유기 부품뿐만 아니라 단자 전극까지 감싸서 밀봉하는 경우나, 유기 디바이스가 크고 대면적에 균일하게 도포되는 것이 필요한 경우, 밀봉재의 유동성이 부족해서 밀봉재와 기재 사이에 공기가 트랩 되는 경우가 있다. 희석 성분을 첨가하면, 점도를 낮출 수 있지만, 일반적으로 희석 성분은 저분자 성분이다. 그로 인해, 활성 유기 부품은 열화를 받기 쉽고, 밀봉재는 수증기의 투과를 하기 쉬워진다.
그래서, 본 발명은 기재와의 사이에 공기를 트랩하지 않고 밀봉할 수 있음과 함께, 수증기의 투과를 억제할 수 있는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물 및 이 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 적용한 전자 디바이스를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본원 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, (A) 하기 화학식(1)로 표시되는 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리부타디엔 중합체, (B) 광중합 개시제를 포함하고, 질량 평균 분자량이 5만 이상인 열가소성 수지를 포함하지 않는 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]
Figure pct00001
(식 중, R1 및 R2는 각각 독립해서 수산기 또는 H2C=C(R7)-COO-를, R3 및 R4는 각각 독립해서 탄소수 1 내지 16의 치환, 비치환된 N을 포함하지 않는 2가의 유기기를, R5, R6, R7은, 각각 독립해서 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타낸다. l 및 m은 각각 독립해서 0 또는 1을, n은 15 내지 150을 나타내는 정수이며, x:y=0 내지 100:100 내지 0이다. 단, R1 및 R2가 모두 수산기인 경우는 없음.)
상기 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 또한 (C) 반응성 희석제를 포함하고, 상기 (A)성분과 상기 (C)성분의 질량비(A):(C)가 5:95 내지 70:30인 것이 바람직하다.
또한, 상기 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 또한 (D) 수 평균 분자량이 5만 미만인 탄화수소 화합물을 포함하고, 상기 (A)성분 및 상기 (C)성분의 합계와, 상기 (D)성분의 질량비 [(A)+(C)]:(D)가 20:80 내지 70:30인 것이 바람직하다.
또한, 상기 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 상기 (D)성분의 탄화수소 화합물이, 적어도 (d1) 탄화수소계 연화제 및 (d2) 탄화수소계 점착 부여제를 포함하고, 상기 (d1)성분과 상기 (d2)성분의 질량비(d1):(d2)가 20:80 내지 80:20인 것이 바람직하다.
또한, 상기 (C)성분의 반응성 희석제가 2관능의 (메트)아크릴레이트 단량체인 것이 바람직하다.
또한, 상기 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 상기 (d1)성분의 탄화수소계 연화제가 폴리부텐 또는/및 폴리이소부틸렌인 것이 바람직하다.
또한, 상기 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 상기 (d2)성분의 탄화수소계 점착 부여제가 수소화 석유 수지인 것이 바람직하다.
또한, 상기 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 상기 폴리부타디엔 중합체의 부타디엔 골격이 갖는 불포화 결합의 50% 이상이 수소화되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 상기 과제를 해결하기 위해서, 본원 발명에 의한 전자 디바이스는, 상기 어느 하나에 기재된 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용한 밀봉재에 의해 밀봉되어 있는 것을 특징으로 한다.
상기 전자 디바이스는, 가요성을 갖는 것이 바람직하다.
또한, 상기 전자 디바이스는, 유기 디바이스이며, 활성 유기 부품을 갖고, 상기 밀봉재는 상기 활성 유기 부품 위, 상방 또는 주위에 배치되는 것이 바람직하다.
상기 유기 디바이스는, 유기 일렉트로루미네센스 디바이스이며, 상기 활성 유기 부품이 애노드, 발광층 및 캐소드로 이루어져 있어도 된다.
또한, 상기 전자 디바이스는, 터치 스크린이며, 유리 또는 중합체로 이루어지는 기재와, 상기 기재 상에 배치되는 실질적으로 투명한 도전성 금속을 갖고, 상기 밀봉재는 상기 금속 위, 상방 또는 주위에 배치되어 있어도 된다.
또한, 상기 전자 디바이스는, 광기전 디바이스이며, 광기전력 전지 또는 광기전력 전지 어레이를 갖고, 상기 밀봉재는, 상기 광기전력 전지 또는 상기 광기전력 전지 어레이 중 임의의 하나의 광기전력 전지 위, 상방 또는 주위에 배치되어 있어도 된다.
또한, 상기 전자 디바이스는, 박막 트랜지스터이며, 반도체층을 갖고, 상기 밀봉재는 상기 반도체층 위, 상방 또는 주위에 배치되어 있어도 된다.
본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 기재와의 사이에 공기를 트랩하지 않고 밀봉할 수 있음과 함께, 수증기의 투과를 억제할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 전자 디바이스는, 상기 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용해서 밀봉되어 있기 때문에, 기재와의 사이에 공기를 트랩하지 않고 밀봉되어 있어, 수증기의 투과에 의한 열화를 저감할 수 있다.
도 1은 예시적인 광기전력 전지의 개략적인 단면도.
도 2는 예시적인 광기전력 전지의 개략적인 단면도.
도 3은 예시적인 광기전력 전지의 개략적인 단면도.
도 4는 예시적인 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도.
도 5는 예시적인 박막 트랜지스터의 개략적인 단면도.
이하에, 본 발명의 실시 형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 명세서에 있어서, 「(메트)아크리」란, 「아크리」 및/또는 「메타크리」를 의미한다.
본 발명의 실시 형태에 따른 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, (A) 하기 화학식(1)로 표시되는 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리부타디엔 중합체, (B) 광중합 개시제를 포함하고, 질량 평균 분자량이 5만 이상인 열가소성 수지를 포함하지 않는다.
Figure pct00002
(식 중, R1 및 R2는 각각 독립해서 수산기 또는 H2C=C(R7)-COO-를, R3 및 R4는 각각 독립해서 탄소수 1 내지 16의 치환, 비치환된 N을 포함하지 않는 2가의 유기기를, R5, R6, R7은, 각각 독립해서 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타낸다. l 및 m은 각각 독립해서 0 또는 1을, n은 15 내지 150을 나타내는 정수이며, x:y=0 내지 100:100 내지 0이다. 단, R1 및 R2가 모두 수산기인 경우는 없음.)
(A) 폴리부타디엔 중합체는, 예를 들어 수산기 말단 알콕실화 폴리부타디엔 중합체 또는/및 수산기 말단 폴리부타디엔 중합체와 저분자량 (메트)아크릴레이트에스테르와의 에스테르 교환, 직접 에스테르화에 의해 또는 (메트)아크릴산 할로겐화물 또는 무수물과의 반응에 의해, 생성시킬 수 있다. 에스테르 교환 및 직접 에스테르화는 적합한 공업적 방법이다. 특히 에스테르 교환의 경우, 대응하는 수산기 말단 알콕실화 폴리부타디엔 중합체 또는/및 수산기 말단 폴리부타디엔 중합체와 저분자량 (메트)아크릴레이트에스테르(바람직하게는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, n-프로필 또는 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸 또는 이소부틸 또는 t-부틸(메트)아크릴레이트에서 선택될 수 있음) 사이의 에스테르 교환 반응을 포함하고 있다. 그 경우, 금속 알콕시드, 금속 산화물, 루이스산 또는 에스테르 교환 반응을 촉진하기 위한 공지된 다른 촉매 또는 그들의 조합에서 선택되는, 적어도 하나의 촉매에 의해, 에스테르 교환 반응을 촉진하는 것이 바람직하다. 제2 선택으로서는, 대응하는 수산기 말단 알콕실화 폴리부타디엔 중합체 또는/및 수산기 말단 폴리부타디엔 중합체의 아크릴산 또는 메타크릴산, 할로겐화물 또는 무수물에 의한 직접 에스테르화 반응을 포함할 수 있다. 아크릴산 또는 메타크릴산에 의한 직접 에스테르화에 있어서, 황산, p-톨루엔술폰산 메탄 술폰산 또는 에스테르화 반응을 촉진하는 공지된 다른 강한 무기산 또는 유기산에서 선택되는 에스테르화 촉매를 사용할 수 있다.
상기 수산기 말단 알콕실화 폴리부타디엔 중합체는, 수산기 말단 폴리부타디엔과 알킬렌옥시드의 반응을 포함하여 이루어지는 공정에 의해 제조된다. 구체적으로는, in-situ 중합법 또는 유리 폴리부타디엔 수지와 알킬렌옥시드 사이의 2차적 반응 스텝 중 어느 하나에 의해, 알킬렌옥시드를 폴리부타디엔 수지 중에 도입할 수 있다. 수산기 말단을 형성하기 위해서, 알킬렌옥시드를 그 자리에서 활성 중합 혼합물에 첨가하는 음이온 중합을 포함하여 이루어지는 공정에 의해 폴리부타디엔 수지를 제조하는 경우에는, in-situ 중합법이 적절하게 사용된다. 알킬렌옥시드를 2차적 반응 스텝에 있어서 첨가하는 경우에는, 음이온 중합 또는 프리래디칼 중합에 의해 폴리부타디엔 수지를 얻을 수 있다. 기타, 알코올, 디올 또는 폴리히드록실 재료를 알콕실화하는 공지된 방법으로, 알킬렌옥시드를 폴리부타디엔 수지 중에 포함해도 된다.
상기 알킬렌옥시드는, 공지된 모든 것에서 선택할 수 있다. 적합한 예에는, 에틸렌옥시드, 프로필렌옥시드, 부틸렌옥시드, 1,2-부틸렌옥시드 및 2,3-부틸렌옥시드의 양쪽 및 스티렌옥시드, 및 이들의 혼합물이 포함된다. 에틸렌옥시드 및 프로필렌옥시드 또는 그들의 혼합물은, 가장 적합하다. 알킬렌옥시드 단위의 수는, 수산기당 1 내지 약 100개에서 변동할 수 있다. 적합한 범위는 1 내지 약 30개이다.
폴리부타디엔 중합체의 질량 평균 분자량은, 바람직하게는 500 이상 50,000 미만, 보다 바람직하게는 1,000 이상 10,000 미만, 더욱 바람직하게는 1,000 이상 5,000 이하이다. 분자량이 50,000 이상이면 수증기의 투과 억제 효과는 높지만, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 점도가 높아지고, 도포성이 저하되어 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물과 기재 사이에 공기가 트랩되는 경우가 있다. 분자량이 500 미만이면 가교 밀도가 너무 높아져, 경화 후의 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 내굴곡성이 부족한 경우가 있다. 또한, 본 발명에 있어서의 질량 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC) 측정에 의해 폴리스티렌 표준 물질을 사용해서 제작한 검량선을 바탕으로 계산된 것이다.
폴리부타디엔 수지의 미세 구조는, 1,2 구조대 1,4 구조 및 1,4 구조 부분에서의 시스대 트랜스 구조의 비율로 표현된다. 1,2 구조량은, 종종 비닐 함유량이라고 칭해진다. 폴리부타디엔의 비닐 함유량은, 약 5% 내지 약 90%에서 변동할 수 있다. 시스대 트랜스 구조의 비율은, 약 1:10 내지 약 10:1에서 변동할 수 있다.
폴리부타디엔 중합체는, 수소화되어 있어도 되고, 시스 및 트랜스의 2종의 1,4 구조는 에틸렌 구조로, 1,2 구조는 1-부텐 구조로 변한다. 수소화에 의해 이중 결합을 감소시켜서, 열 안정성, 내후성, 내약품성, 수증기 배리어성 등을 향상시키는 경우에는, 하기 화학식(2) 내지 (4)에 나타내는 바와 같이, 부타디엔 골격이 갖는 불포화 결합의 50% 이상, 보다 바람직하게는 80% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상 수소화하면 된다. 또한 (A)성분의 폴리부타디엔 중합체는, 화학식(2) 내지 (4)로 표시되는 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리부타디엔 중합체이며, 부타디엔 골격이 갖는 불포화 결합의 50% 이상이 수소화된 것을 포함하는 개념이다.
Figure pct00003
Figure pct00004
Figure pct00005
(식(2) 내지 (4) 중, R1 및 R2는 각각 독립해서 수산기 또는 H2C=C(R7)-COO-를, R3 및 R4는 각각 독립해서 탄소수 1 내지 16의 치환, 비치환된 N을 포함하지 않는 2가의 유기기를, R5, R6, R7은, 각각 독립해서 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타낸다. l 및 m은 각각 독립해서 0 또는 1을, n은 15 내지 150을 나타내는 정수이며, x:y=0 내지 100:100 내지 0이다. 단, R1 및 R2가 모두 수산기인 경우는 없음.)
한편, 1,4 구조가 많은 고 시스-폴리부타디엔의 경우에는, 수소화 후의 구조는 결정성 폴리에틸렌 구조에 가까워지고, 유리 전이 온도도 수소 첨가율의 증가에 수반해서 상승한다. 또한, 1,2 구조가 많은 경우, 1,2 구조의 연쇄에 신디오택틱 또는 이소택틱의 입체 규칙성이 있으면 결정성이 발현될 가능성이 있고, 이들 물성 변화에 따라, 점도 상승에 수반하는 도포성의 저하나, 경화 후의 굴곡성의 부족이 발생하는 경우가 있기 때문에, 이들을 억제하는 경우에는, 90% 미만의 수소 첨가율이 바람직하고, 80% 미만이 보다 바람직하다. 1분자당의 수산기의 평균수는, 약 1 내지 3에서 변동할 수 있지만, 바람직하게는 약 1.5 내지 3, 보다 바람직하게는 1.5 내지 2.5이다.
상기 (A) 폴리부타디엔 중합체를 포함하여 이루어지는 조성물은, 자외선 또는 전자선(EB, Electtron Beam) 등의 방사선의 조사 또는 과산화물의 첨가에 의해, 또는 마이클 부가법에 의해 경화시킬 수 있다.
(B) 광중합 개시제로서는, 예를 들어 벤조페논계 광중합 개시제, 아세토페논계 광중합 개시제, 티오크산톤계 광중합 개시제, 벤조인계 광중합 개시제 등을 들 수 있다.
벤조페논계 광중합 개시제로서는, 예를 들어 카야큐어-BP100(벤조페논, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조), 산요 OBA(벤조일벤조산, 니혼 세이시 가부시끼가이샤 제조), 산요 OBM(벤조일벤조산 메틸, 니혼 세이시 가부시끼가이샤 제조), 트리가놀12(4-페닐벤조페논, 아쿠조), 카야큐어-MBP(3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조), 카야큐어-BMS(〔4-(메틸페닐티오)페닐〕페닐메탄온, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조), 에사큐어-TZT(2,4,6-트리메틸벤조페논, Lamberti), 이르가큐어651(2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, BASF사제), 등을 들 수 있다.
아세토페논계 광중합 개시제로서는, 예를 들어 다로큐어1173(2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, BASF사제), 다로큐어1116(1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, BASF사제), 이르가큐어184(1-히드록시시클로헥실페닐케톤, BASF사제), 다로큐어953(1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, BASF사제), 다로큐어2959(4-(2-히드록시에톡시)-페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, BASF사제)) 등을 들 수 있다.
티오크산톤계 광중합 개시제로서는, 예를 들어 닛소큐어-TX(티오크산톤, 닛본 소다 가부시끼가이샤 제조), 닛소큐어-MTX(2-메틸티오크산톤, 닛본 소다 가부시끼가이샤 제조), 카야큐어-RTX(2,4-디메틸티오크산톤, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조), 카야큐어-CTX(2,4-디클로로티오크산톤, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조), 카야큐어-DETX(2,4-디에틸티오크산톤, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조), 카야큐어-DITX(2,4-디이소프로필티오크산톤, 닛본 가야꾸 가부시끼가이샤 제조) 등을 들 수 있다.
벤조인계 광중합 개시제로서는, 예를 들어 닛소큐어-BO(티오크산톤, 닛본 소다 가부시끼가이샤 제조), 닛소큐어-MBO(벤조인메틸에테르, 닛본 소다 가부시끼가이샤 제조), 닛소큐어-EBO(벤조인에틸에테르, 닛본 소다 가부시끼가이샤 제조), 이르가큐어65(벤질메틸케탈, BASF사제) 등을 들 수 있다.
그 밖의 광중합 개시제로서는, 1-페닐-1,2-프로판디온-2(o-에톡시카르보닐)옥심 등을 들 수 있고, 상품명으로서는, 예를 들어 큐안타큐어-PDO(워드 블렌킨소프사제) 등을 들 수 있다.
광중합 개시제의 양은, 유효한 양이며, 전형적으로는, (메트)아크릴레이트 100질량부당, 0.01 내지 20질량부의 범위이다. 이러한 조성으로 함으로써, 활성 성분 생성 반응을 경유하는 중합 반응을 적절하게 제어할 수 있다. 광중합 개시제의 선택은, 밀봉용 수지 조성물에서 사용되는 (메트)아크릴레이트 및 원하는 경화 속도에 적어도 부분적으로 의존하고, 1종 또는 2종류 이상을 임의의 배합 비율로 사용해도 된다.
본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 질량 평균 분자량이 5만 이상인 열가소성 수지를 포함하지 않는다. 질량 평균 분자량이 5만 이상인 열가소성 수지를 포함하면, 점도가 높아지고, 도포성이 저하된다.
본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, (C) 반응성 희석제를 함유하고 있는 것이 바람직하다. (C) 반응성 희석제는, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 점도를 저하시키고, 도포를 용이하게 하는 것이다. 또한, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 경화 시에 중합할 수 있는 것이며, 그로 인해 단순한 희석 성분과 비교해서 수분의 투과성이 낮고, 밀봉되는 전자적 구성 요소, 활성 유기 부품의 수분에의 폭로를 저지할 수 있거나, 또는 최저한으로 억제할 수 있다. 또한 최적량을 함유시킨 경우, 수증기 배리어성을 향상시킬 수 있다. 또한, 중합하기 때문에 전자 디바이스 밀봉 수지 조성물 중에 포함되는 저분자량 성분을 거의 증가시키지 않고 전자 디바이스를 밀봉할 수 있고, 디바이스 중의 전극 등의 금속 구성 요소의 부식을 저지할 수 있거나 또는 최저한으로 억제할 수 있다.
(C) 반응성 희석제로서는, 예를 들어 아세트산 비닐 등의 비닐에스테르, (메트)아크릴 단량체, N-비닐 단량체 및 폴리티올 화합물 등에서 선택되는 액체 광중합성 모노비닐 단량체 등을 사용할 수 있고, 점도를 저하시키는 효과를 발휘하고, (A) 폴리부타디엔 중합체와 경화계가 동일하고 제어가 용이하다는 관점에서, (메트)아크릴 단량체가 바람직하다.
(메트)아크릴 단량체로서는, 예를 들어 n-부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 이소미리스틸(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트, n-옥타데실(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 모르폴린·(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올·디(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메틸올·(메트)아크릴레이트, 시클로헥산 디메틸올·디(메트)아크릴레이트, 헥산디올·디(메트)아크릴레이트, 노난디올·디(메트)아크릴레이트, 페녹시에틸·아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올·디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판·트리(메트)아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트·트리(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산과 다가 알코올과의 에스테르 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 점도의 저하 효과가 크고, 수증기 배리어성이 높다는 점에서 다관능의 (메트)아크릴레이트 단량체가 바람직하고, 2관능의 (메트)아크릴레이트 단량체가 보다 바람직하다. 또한 (A) 폴리부타디엔 중합체와의 조합에 의해, 수증기 배리어성을 향상시키는 효과가 높아지는 헥산디올·디(메트)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올·디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올·디(메트)아크릴레이트가 바람직하다.
N-비닐 단량체로서는, 예를 들어 N,N-디메틸아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, N-비닐카프로락탐 등을 들 수 있다. 폴리티올 화합물로서는, 분자 내에 머캅토기를 2 내지 6개 갖는 것이라면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 탄소수 2 내지 20 정도의 알칸디티올 등의 지방족 폴리티올류; 크실리렌디티올 등의 방향족 폴리티올류; 알코올류의 할로히드린 부가물의 할로겐 원자를 머캅토기로 치환해서 이루어지는 폴리티올류; 폴리에폭시드 화합물의 황화수소 반응 생성물로 이루어지는 폴리티올류; 분자 내에 수산기 2 내지 6개를 갖는 다가 알코올류와, 티오글리콜산, β-머캅토프로피온산 또는 β-머캅토 부탄산과의 에스테르화물로 이루어지는 폴리티올류 등을 들 수 있다.
본 발명의 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물에 있어서의 (A)성분과 (C)성분의 함유 비율(A):(C)는, 점도, 수증기 배리어성의 관점에서, 질량비로, 5:95 내지 70:30인 것이 중요하고, 바람직하게는 10:90 내지 60:40, 보다 바람직하게는 20:80 내지 60:40, 더욱 바람직하게는 20:80 내지 50:50이다. (A)성분과 (C)성분을 최적인 함유 비율로 함으로써, 점도를 저하 또한 수증기 배리어성을 크게 향상시킬 수 있다. 함유 비율이 최적이 아닌 경우에는, 점도의 저하 효과가 작고 도포 조건에 제한이 생기거나, 점도는 저하되더라도 수증기 배리어성에는 효과가 발휘되지 않는 경우가 있다.
본 발명의 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, (D) 수 평균 분자량이 5만 미만인 탄화수소 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. (D)성분의 탄화수소 화합물은, 본 발명에 있어서, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 수분 투과성을 저하시키고, 밀봉되는 전자적 구성 요소, 활성 유기 부품의 수분에의 폭로를 억제하는 효과를 발휘하는 것이다.
탄화수소 화합물은 다양한 수 평균 분자량을 가질 수 있지만, 바람직하게는 300 이상 50,000 미만, 보다 바람직하게는 500 이상 30,000 미만, 더욱 바람직하게는 500 이상 10,000 이하이다. 분자량을 50,000 미만으로 함으로써, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 점도를 크게 높이지 않고 수증기 배리어성을 향상시킬 수 있다. 수 평균 분자량이 300 미만이면, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은 활성 유기 부품을 직접 또는 박막의 피복막을 개재해서 밀봉하므로, 밀봉 대상인 활성 유기 부품, 특히 낮은 일함수의 금속층으로 이루어지는 전극층에 영향을 주어, 디바이스의 수명을 단축시켜 버리는 경우가 있다. 또한, 수 평균 분자량이 50,000 미만이어도, 질량 평균 분자량이 50,000 이상이면, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 점도를 크게 높여서, 도포성을 현저하게 손상시키기 때문에, 바람직하지 않다.
본 발명의 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물에 있어서의 (A)성분 및 (C)성분의 합계와, (D)성분의 함유 비율 [(A)+(C)]:(D)는, 수증기 배리어성, 점도, 경화 후의 내굴곡성의 관점에서, 질량비로, 20:80 내지 70:30으로 배합하는 것이 가능하고, [(A)+(C)]:(D)는, 30:70 내지 50:50인 것이 바람직하다.
탄화수소 화합물은 포화 탄화수소 화합물이어도 되고, 불포화 탄화수소 화합물이어도 된다. 탄소-탄소의 이중 결합 등의 불포화 결합은, 수소 첨가, 말레화, 에폭시화, 아미노화 또는 유사한 방법에 의해 수식되어 있어도 된다. 수소 첨가는, 수증기 배리어성, 투명성, 다른 포화 탄화수소 화합물과의 상용성이 향상되는 경우가 있어 바람직하다. 말레화, 에폭시화, 아미노화는, 커버 및 기재를 서로 접착시키는 접착성, 다른 관능기 함유 화합물과의 상용성이 향상되는 경우가 있어 바람직하다.
사용 가능한 탄화수소 화합물의 예로서는, 나프텐 오일, 파라핀 오일, 저분자 폴리이소부틸렌 수지, 폴리부텐, 폴리이소프렌 등의 액상고무, 저분자 폴리에틸렌, 저분자 폴리프로필렌, 시클로올레핀 중합체, 석유 수지, 로진계 수지, 테르펜계 수지, 또는 그것의 유도체 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
탄화수소 화합물을 사용하는 경우, 1종의 탄화수소 화합물 또는 복수의 탄화수소 화합물의 조합을 사용할 수 있지만, 본 발명자들은, 예의 검토한 결과, 수증기 배리어성 외에 가소화 효과를 갖는 (d1) 탄화수소계 연화제와, 수증기 배리어성 외에 접착성 향상의 효과를 갖는 (d2) 탄화수소계 점착 부여제를 적어도 함유함으로써, 보다 저점도에서 높은 수증기 배리어성을 얻을 수 있다는 것을 알아내었다.
(d1) 탄화수소계 연화제 및 (d2) 탄화수소계 점착 부여제를 병용함으로써, 점도가 낮고, 또한 높은 수증기 배리어성을 얻을 수 있는 메커니즘은 명백하지 않지만, 이하와 같이 추정된다. 즉, (D)성분의 탄화수소 화합물은 저분자 화합물이기 때문에, 경화 전의 전자 디바이스 밀봉 수지 조성물의 점도를 크게 높이는 일은 없다. 한편, 경화 후에는 (A)성분 및 (B)성분 또는 (A) 내지 (C)성분이 중합해서 형성하는 그물눈 구조의 내부에, (D)성분의 탄화수소 화합물이 감입해서 간극을 매립하여, 수증기 배리어성을 향상시키고 있다고 생각된다. 여기서, 가소화 효과를 갖는 (d1) 탄화수소계 연화제가 없고 (d2) 탄화수소계 점착 부여제뿐이면, 간극을 매립하도록 그물눈 구조에 감입할 수 없거나, 또는 인입해도 너무 단단해서 간극이 발생해 버리므로, 수증기 배리어성이 향상되지 않는다고 생각된다. 반대로, (d2) 탄화수소계 점착 부여제가 없고 (d1) 탄화수소계 연화제뿐이면, 그물눈 구조의 간극을 매립할 수 있었다고 해도 탄화수소 화합물 자신의 수증기 가스 배리어성이 불충분하기 때문에, 수증기 배리어성은 거의 향상되지 않는다고 생각된다.
(d1) 탄화수소계 연화제의 구체적인 예로서는, CALSOL 5120(나프텐계 오일, Calumet Lubricants Co.사제), KAYDOL(파라핀계, 백색 광유, Witco Co.사제), TETRAX(Nippon Oil Co.사제), PARAPOL 1300(ExxonMobil Chemical Co.사제) 및 INDOPOL H-300(BPO Amoco Co.사제), Glissopal(저분자 폴리이소부틸렌, BASF사제), 닛세키 폴리부텐(이소부텐을 주체로 해서 일부 노르말 부텐을 양이온 중합해서 얻어지는 장쇄형상 탄화수소의 분자 구조를 가진 폴리부텐, JX 닛코닛세키 에너지 가부시끼가이샤 제조), 닛산 폴리부텐(이소부텐과 노르말 부텐의 양이온 중합에 의한 폴리부텐, 니찌유 가부시끼가이샤 제조), 펄림(수소화 폴리부텐, 니찌유 가부시끼가이샤 제조), 쿠라프렌 LIR(액상 이소프렌 고무, 가부시끼가이샤 구라레이제), 쿠라프렌 LBR(액상 부타디엔 고무, 가부시끼가이샤 구라레이제)을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
(d2) 탄화수소계 점착 부여제의 예로서는, CLEARON(수소화 테르펜계 수지, 야스하라케미컬 가부시끼가이샤 제조), ESTERGUM 및 SUPER ESTER(수소화 로진계 수지 또는 수소화 로진에스테르계 수지, 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조), PINECRYSTAL(불균화 로진계 수지 또는 불균화 에스테르 로진계 수지, 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조), ESCOREZ 5300 및 5400 시리즈(석유 나프타의 열분해에 의해 생성된 펜텐, 이소프렌, 피페린 및 1,3-펜타디엔 등의 C5 유분을 공중합해서 얻어진 C5계 수소화 디시클로펜타디엔계 수지, ExxonMobil Chemical Co.사제), EASTOTAC(C5계 수소화 디시클로펜타디엔계 수지, Eastman Chemical Co.사제), ESCOREZ 5600 시리즈(부분 수소화 방향족 수식 디시클로펜타디엔계 수지, ExxonMobil Chemical Co.사제), ARCON(석유 나프타의 열분해에 의해 생성된 인덴, 비닐톨루엔 및 α- 또는 β-메틸스티렌 등의 C9 유분을 공중합해서 얻어진 C9계 수소화 석유 수지, 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조), I-MARV(C5 유분 및 C9 유분의 공중합 수소화 석유 수지, 이데미쯔 고산 가부시끼가이샤 제조)를 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
상술한 것 이외의 예로서는, 비수소화 지환식 탄화수소 수지로서, C5, C9, C5/C9 탄화수소 수지, 폴리테르펜 수지, 방향족 수식 폴리테르펜 수지 또는 로진 유도체를 들 수 있다. 비수소화 지환식 탄화수소 수지를 사용하는 경우, 전형적으로는 다른 수소화 또는 부분적 수소화 점착 부여제와 병용된다. 비수소화 지환식 탄화수소 수지는, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 총중량에 대하여 약 30질량% 미만의 양으로 사용해도 된다.
탄화수소계 점착 부여제는, 수소화 석유 수지, 구체적으로는 수소화 지환식 석유 수지를 포함하고 있어도 된다. 수소화 지환식 석유 수지의 구체예로서는, ESCOREZ 5300 시리즈(ExxonMobil Chemical사제), I-MARV P 시리즈(이데미쯔 고산 가부시끼가이샤 제조)를 들 수 있다. 수소화 지환식 석유 수지는, 그 수증기 배리어성 및 투명성이 높기 때문에, 수소화 디시클로펜타디엔계 수지이어도 된다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물에서 사용 가능한 수소화 지환식 석유 수지의 질량 평균 분자량은, 전형적으로는 200 내지 5,000이며, 수소화 지환식 석유 수지의 질량 평균 분자량은 500 내지 3,000인 것이 바람직하다. 질량 평균 분자량이 5,000을 초과한 경우, 접착성이 부족해지거나, 또는 (d1) 탄화수소계 연화제와의 적합성이 저하되는 경우가 있다.
탄화수소계 점착 부여제는, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 접착성, 사용 온도, 도포 조건에 적어도 부분적으로 의존해서 변화할 수 있는 연화 온도 또는 연화점(환구법 연화 온도)을 갖는 경우가 있다. 환구법 연화 온도는 일반적으로 약 50℃ 내지 200℃로 할 수 있고, 약 80℃ 내지 150℃인 것이 바람직하다. 시판되고 있는 일반적인 탄화수소계 점착 부여제의 환구법 연화 온도의 범위는, 전술한 범위이기 때문에 이들을 사용하면 된다. 예를 들어, ESCOREZ 5300 시리즈에서는, ESCOREZ 5380의 연화점이 86℃, ESCOREZ 5300이 105℃, ESCOREZ 5320이 124℃, ESCOREZ 5340이 140℃이므로, 적절히 선택할 수 있다.
(d1) 탄화수소계 연화제 및 (d2) 탄화수소계 점착 부여제를 사용하는 경우, (d1) 탄화수소계 연화제로서 폴리부텐, (d2) 탄화수소계 점착 부여제로서 수소화 디시클로펜타디엔계 수지의 조합을 사용할 수 있다. 또한, (d1) 탄화수소계 연화제로서 폴리부텐, (d2) 탄화수소계 점착 부여제로서 비수소화 지환식 탄화수소 수지의 조합을 사용할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
본 발명의 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물에 있어서는, (d1) 탄화수소계 연화제를 많이 포함하는 점에서 수증기 배리어성, 경화 후의 내굴곡성이 향상되고, (d2) 탄화수소계 점착 부여제를 많이 함유하면 수증기 배리어성이 크게 향상되기 때문에 바람직하다. (d2) 탄화수소계 점착 부여제는, 대부분이 석유, 정유, 송진 유래의 소수성 화합물이기 때문에 수증기 배리어성이 높다. (d1)과 (d2)의 함유 비율(d1):(d2)는 질량비로, 20:80 내지 80:20이면 상승 효과가 보인다.
전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물에는 충전제, 커플링제, 자외선 흡수제, 자외선 안정제, 산화 방지제, 안정제 또는 이들 몇 가지의 조합을 첨가해도 된다. 첨가제의 양은, 전형적으로는, (A) 폴리부타디엔 중합체의 경화 속도에 악영향을 주지 않도록, 또는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 물리적 특성에 악영향을 주지 않도록 선택된다.
사용 가능한 충전제의 예로서는, 칼슘 또는 마그네슘의 탄산염(예를 들어, 탄산칼슘, 탄산마그네슘 및 돌로마이트), 규산염(예를 들어, 카올린, 소성 점토, 엽납석, 벤토나이트, 견운모, 제올라이트, 탈크, 아타풀자이트 및 규회석), 규산(예를 들어, 규조토 및 실리카), 수산화알루미늄, 펄라이트, 황산바륨(예를 들어, 침강 황산바륨), 황산칼슘(예를 들어, 석고), 아황산 칼슘, 카본 블랙, 산화아연, 이산화티타늄이 포함되지만, 이들에 한정되지 않는다.
충전제는 서로 다른 입경을 가져도 된다. 예를 들어, 가시 영역에 있어서 고투과율을 갖는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 제공하는 것이 바람직한 경우, 충전제의 평균 1차 입경은 1 내지 100㎚의 범위인 것이 바람직하고, 또한 5 내지 50㎚의 범위 내인 것이 바람직하다. 또한, 저수분 투과성을 개선하기 위해서 플레이트 또는 비늘 형상 형태의 충전제를 사용하는 경우에는, 이 평균 입경은 0.1 내지 5㎛의 범위 내인 것이 바람직하고, 충전제의 밀봉용 수지 조성물에의 분산 가능성의 관점에서, 소수성 표면 처리 친수성 충전제를 사용하는 것이 가능하다. 소수성 표면 처리 친수성 충전제는, 임의의 종래의 친수성 충전제를 소수 처리에 의해 변성함으로써 얻을 수 있다. 예를 들어, 친수성 충전제의 표면을, n-옥틸트리알콕시실란 등의 소수기를 함유하는 알킬, 알킬 또는 알킬실란 결합제, 디메틸디클로로실란 및 헥사메틸디실라잔 등의 실릴화제, 수산기 말단을 갖는 폴리디메틸실록산, 스테아릴알코올 등의 고급 알코올 또는 스테아르산 등의 고급 지방산으로 처리하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명에 있어서의 평균 입경은, 레이저 회절산란식 입도 분포 측정법에 의해 구해진 것이다.
실리카 충전제의 예로서는, 디메틸디클로로실란으로 처리된 제품, 예를 들어 AEROSIL-R972, R974 또는 R9768(Nippon Aerosil Co., Ltd.사제), 헥사메틸디실라잔으로 처리된 제품, 예를 들어 AEROSIL-RX50, NAX50, NX90, RX200 또는 RX300(Nippon Aerosil Co., Ltd.사제), 옥틸 실란으로 처리된 제품, 예를 들어 AEROSIL-R805(Nippon Aerosil Co., Ltd.사제), 디메틸실리콘유로 처리된 제품, 예를 들어 AEROSIL-RY50, NY50, RY200S, R202, RY200 또는 RY300(Nippon Aerosil Co., Ltd.사제) 및 CAB ASIL TS-720(Cabot Co., Ltd.사제)으로서 시판되고 있는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
충전제는 단독으로 또는 조합하여 사용해도 된다. 충전제를 포함하는 경우에는, 첨가되는 충전제의 양은 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 총량에 대하여 일반적으로 0.01 내지 20질량%이다.
또한, 입자의 표면 개질제로서 사용되지 않는 커플링제를 첨가하여, 전자 디바이스 봉입용 조성물의 접착성을 개선해도 된다. 이러한 커플링제는, 전형적으로는, 유기 성분과 반응 또는 상호 작용하는 부분 및 무기 성분과 반응 또는 상호 작용하는 부분을 갖는다. 유용한 커플링제의 예로서는, 메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란(Shinestsu Chemical Co., Ltd.사제, KBM502, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란(Shinestsu Chemical Co., Ltd.사제, KBM802) 및 글리시딜프로필트리메톡시실란(Shinestsu Chemical Co., Ltd.사제, KBM403)을 들 수 있다.
자외선 흡수제의 예로서는, 벤조트리아졸계 화합물, 옥사졸릭산 아미드계 화합물 및 벤조페논계 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 자외선 흡수제를 사용하는 경우, 자외선 흡수제는 밀봉용 수지 조성물의 전체량에 대하여 약 0.01질량% 내지 3질량%의 양으로 사용하는 것이 가능하다.
사용 가능한 산화 방지제의 예로서는, 힌더드 페놀계 화합물 및 인산에스테르계 화합물을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 산화 방지제를 사용하는 경우, 산화 방지제는 밀봉용 수지 조성물의 총량에 대하여 약 0.01 내지 2질량%의 양으로 사용하는 것이 가능하다.
사용 가능한 안정제의 예로서는, 페놀계 안정제, 힌더드 아민계 안정제, 이미다졸계 안정제, 디티오카르바메이트계 안정제, 인계 안정제, 황에스테르계 안정제 및 페노티아진을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 안정제를 사용하는 경우, 안정제는 밀봉용 수지 조성물의 총량에 대하여 약 0.001 내지 3질량%의 양으로 사용하는 것이 가능하다.
전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은 공지된 여러 가지 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들어, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은 상기 화합물을 완전히 혼합함으로써 제조할 수 있다. 조성물을 혼합하기 위해서 니더 또는 3 롤 등의 임의의 혼합기를 사용할 수 있다. 얻어지는 조성물은, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물로서 사용할 수도 있고, 다른 성분과 조합해서 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 형성할 수도 있다.
본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 스크린 인쇄법 또는 유사한 방법을 사용해서 기재, 커버 또는 전자 디바이스의 임의의 구성 요소 등에 코팅해서, 전자 디바이스를 밀봉할 수 있다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 기재 등에의 코팅은, 공지된 방법, 예를 들어 다이 코팅, 스핀 코팅, 닥터 블레이드 코팅, 캘린더링 등을 사용해서 실시할 수도 있다. 또한, 밀봉할 때에는, 상온(25℃) 내지 100℃, 바람직하게는 상온(25℃) 내지 80℃에서, 압력을 가하지 않고 접합하거나, 또는 1.0㎫ 이하의 압력으로 30초 내지 5분간 가압해서 접합하면 된다. 그 후, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 자외선 등의 조사에 의해 경화시킴으로써, 밀봉재로서 전자 디바이스를 밀봉하게 된다. 밀봉재의 두께는 적절히 설계할 수 있고, 예를 들어 약 5 내지 200㎛, 약 10 내지 100㎛ 또는 약 25 내지 100㎛ 등의 다양한 두께로 할 수 있다.
본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 물을 조금밖에 포함하지 않거나, 전혀 포함하지 않기 때문에, 전자 디바이스에 대한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물 자신에 의한 수분의 악영향을 최저한으로 억제할 수 있다. 또한, 수분의 투과성이 낮기 때문에, 봉입되는 전자적 구성 요소, 활성 유기 부품의 수분에의 폭로를 저지할 수 있거나, 또는 최저한으로 억제될 수 있다. 또한, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 산성 성분을 조금밖에 포함하지 않거나, 전혀 포함하지 않도록 설계할 수 있기 때문에, 전자 디바이스 중의 전극 등의 금속 구성 요소의 부식을 저지할 수 있거나, 또는 최저한으로 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 양호한 접착 특성을 나타낸다. 또한, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은 충분한 도포성을 갖기 때문에, 밀봉되는 전자 디바이스 내의 공극으로서 공기가 거의 포착되지 않거나, 전혀 포착되지 않는다. 또한, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 전자 디바이스 용도로 사용되는 접착제에서 문제가 되는 일이 많은 가스의 방출을 저감할 수 있다. 또한, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 기재 필름 상에 도포하거나, 또는 도포한 후에 밀봉용 수지 조성물이 경화되지 않는 1J/㎠ 미만의 낮은 자외선을 조사해서 시트 형상으로 성형해서 접착성 봉입층으로 하고, 취급성을 개선할 수도 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 기재 필름과 접착성 봉입층을 포함하는 시트를 접착성 봉입용 시트라고 한다. 접착성 봉입용 시트를 사용해서 밀봉을 행하는 경우에는, 50℃ 내지 100℃, 0.3 내지 1.0㎫의 압력으로 30초 내지 5분간, 가열 가압해서 접합하면 된다.
본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 전자 스펙트럼의 가시 영역(약 380㎚ 내지 약 800㎚의 파장 영역)에 있어서 높은 투과율(적어도 약 80%)을 가져도 된다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물이 가시 영역에서 이러한 고투과율을 갖는 경우, 광을 차단하는 일 없이 전자 디바이스의 발광 또는 수광 표면 측에 밀봉재로서 배치해서 밀봉할 수 있다.
게다가, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 다양한 전자 디바이스에서 사용할 수 있다. 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 적용한 전자 디바이스에서는, 충격 또는 진동에 의해 기체의 어긋남이나 박리가 발생하는 밀봉 문제의 발생을 최저한으로 억제할 수 있다. 또한, 경화 후의 내굴곡성을 향상시킨 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용할 수 있는 전자 디바이스로서, 플렉시블 디스플레이를 들 수 있다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용할 수 있는 전자 디바이스의 다른 종류로서는, 유기 발광 다이오드, 광기전력 전지, 박막 트랜지스터 및 터치 스크린을 들 수 있다.
이어서, 상기 전자 디바이스가 유기 일렉트로루미네센스 디바이스인 경우에 대해서 설명한다. 유기 일렉트로루미네센스 디바이스는, 적어도 애노드, 발광층 및 캐소드를 갖는 활성 유기 부품 발광 유닛을 갖고 있으며, 이 활성 유기 부품 위, 상방 또는 주위에는, 본 명세서에 기재된 어느 하나의 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 도포해서 경화시킴으로써 밀봉재가 형성되어 있다. 또한, 활성 유기 부품은, 본 명세서에 기재된 복수의 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 각각 경화시킨 밀봉재에 의해 밀봉되어 있어도 되고, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용해서 형성된 밀봉재와 다른 밀봉재를 병용해서 밀봉되어 있어도 된다.
유기 일렉트로루미네센스 디바이스에서는, 활성 유기 부품 발광 유닛을 적층체라고 칭하기도 한다. 적층체는, 다양한 구성을 가져도 되고, 예를 들어 내장되어 있는 1개의 발광 유닛 또는 2개 이상의 발광 유닛의 조합을 포함해도 된다. 또한, 적층체의 임의 구성 요소의 하나로서, 색 필터층을 포함해도 된다.
적층체는 디바이스의 기재 상에 담지되어 있어도 된다. 디바이스의 기재는, 강성을 갖고 있거나, 경질(용이하게 굴곡되지 않음)이어도 되고, 가요성을 갖고 있어도 된다. 경질 기재는, 이트리아 안정화 지르코니아(YSZ), 유리 및 금속 등의 무기 재료를 포함해도 되고, 폴리에스테르, 폴리이미드 및 폴리카르보네이트 등의 수지 재료를 포함해도 된다. 가요성을 갖는 기재는 수지 재료로 구성되고, 예를 들어 불소 함유 중합체(예를 들어, 3불화 폴리에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTFE), 불화비닐리덴(VDF)과 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE)과의 공중합체), 폴리이미드, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 지환식 폴리올레핀 또는 에틸렌-비닐알코올 공중합체를 포함해도 된다.
디바이스의 형상, 구조, 치수 등은 한정되지 않는다. 디바이스의 기재는, 플레이트 형상을 갖는 경우가 많다. 디바이스는 투명, 무색, 반투명, 또는 불투명해도 된다. 기재는, SiO, SiN, DLF(다이아몬드 모양 피막) 또는 DLG(다이아몬드 모양 유리) 등의 무기 재료를 포함하는 기체 차단층으로 코팅해도 된다. 기체 차단층 피막은 또한, 그 위에 중합체와 무기층이 교대로 배치되는 가요성 가시광 투과성 기재를 포함해도 되고, 이 피막은 미국 특허 제7,018,713 B2호(Padiyath et al.)에 기재되어 있다. 기체 차단층은, 진공 증착, 물리 증착 및 플라즈마 CVD(화학 증착) 등의 방법을 사용해서 형성해도 된다.
애노드는 일반적으로 유기 발광층에 홀을 공급하는 작용을 한다. 애노드에는, 임의의 공지된 애노드 재료를 사용할 수 있다. 애노드 재료의 일함수는 일반적으로 4.0eV 이상이며, 애노드 재료의 적합한 예로서는, 산화주석, 산화아연, 산화인듐 및 인듐 산화주석(ITO) 등의 반도체 금속 산화물, 금, 은, 크롬 및 니켈과 같은 금속 및 폴리아닐린 및 폴리티오펜 등의 유기 전기 도전성 재료를 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 애노드는, 예를 들어 진공 증착, 스퍼터링, 이온 도금, CVD 또는 플라즈마 CVD에 의해 형성되는 필름 형상의 것을 통상 포함한다. 몇 가지의 용도에 있어서, 애노드는 에칭 등으로 패터닝되어도 된다. 애노드의 두께는 광범위에 걸쳐 상이해도 되고, 일반적으로 약 10㎚ 내지 50㎛로 할 수 있다.
애노드와 함께 사용하는 캐소드는, 일반적으로, 전자를 유기 발광층 중에 주입하는 작용을 한다. 캐소드에는, 임의의 공지된 캐소드 재료를 사용할 수 있다. 캐소드 재료의 일함수는 통상 4.5eV 이하이고, 캐소드 재료의 적합한 예로서는, Li, Na, K 및 Cs 등의 알칼리 금속, LiF/Al 등의 복합체 재료, Mg 및 Ca 등의 알칼리 토금속, 금, 은, 인듐 및 이테르븀 등의 희토류 금속, 및 MgAg 등의 합금을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 캐소드는, 예를 들어 진공 증착, 스퍼터링, 이온 도금, CVD 또는 플라즈마 CVD에 의해 형성되는 필름 형상의 것을 통상 포함한다. 몇 가지의 용도에 있어서, 캐소드는 에칭 등으로 패터닝되어도 된다. 캐소드의 두께는 광범위에 걸쳐 상이해도 되고, 일반적으로 약 10㎚ 내지 50㎛로 할 수 있다.
애노드와 캐소드 사이에 배치되는 발광 유닛은 다양한 층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 발광 유닛은 유기 발광층만을 포함하는 단층 구조이어도 되고, 또는, 유기 발광층/전자 수송층, 홀 수송층/유기 발광층, 홀 수송층/유기 발광층, 홀 수송층/유기 발광층/전자 수송층, 유기 발광층/전자 수송층/전자 주입층, 또는 전자 주입층/홀 수송층/유기 발광층/전자 수송층/전자 주입층과 같은 다층 구조이어도 된다. 이들 층의 각각을 이하에 설명한다.
유기 발광층은, 적어도 하나의 발광 재료를 포함할 수 있고, 임의로 홀 수송 재료, 전자 수송 재료 등을 포함해도 된다. 발광 재료는 특별히 한정되지 않고, 유기 일렉트로루미네센스 디바이스의 제조에서 통상 사용되는 발광 재료를 사용할 수 있다. 발광 재료로서는, 금속 착체, 저분자량 형광성 착색 재료, 형광성 중합체 화합물 또는 인광 재료를 들 수 있다. 금속 착체의 적합한 예로서는, 트리스(8-퀴놀리네이트)알루미늄 착체(Alq3), 비스(벤조퀴놀리네이트)베릴륨 착체(BeBq2), 비스(8-퀴놀리네이트)아연 착체(Znq2) 및 페난트롤린계 유로퓸 착체(Eu(TTA)3(펜))을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 저분자량 형광성 착색 재료의 적합한 예는, 페릴렌, 퀴나크리돈, 쿠마린 및 2-티오펜카르복실산(DCJTB)을 포함하지만 이들에 한정되지 않는다. 형광성 중합체 화합물의 적합한 예로서는, 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV, 9-클로로메틸안트라센(MEH-PPV) 및 폴리플루오렌(PF)을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 인광 재료의 적합한 예로서는, 플라티나옥타에틸포르피린 및 시클로메탈화 이리듐화합물을 들 수 있다.
유기 발광층은, 상술한 바와 같이 발광 재료로부터 임의의 적합한 방법을 사용해서 형성할 수 있다. 예를 들어, 유기 발광층은, 진공 증착 또는 물리 증착 등의 필름 형성법을 사용해서 형성할 수 있다. 유기 발광층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 약 5㎚ 내지 100㎚로 할 수 있다.
유기 발광 유닛은, 홀 수송 재료로 이루어지는 홀 수송층 및/또는 홀 주입층을 포함해도 된다. 홀 수송 재료는, 일반적으로, 애노드로부터 홀을 분사하고, 홀을 수송하거나, 또는 캐소드로부터 분사되는 전자를 막는 작용을 한다. 홀 수송 재료의 적합한 예로서는, N,N'-디페닐-N,N'-디(m-톨릴)벤지딘(TPD), N,N,N’, N’-테트라키스(m-톨릴)-1,3-페닐렌디아민(PDA), 1,1-비스[N,N-디(p-톨릴)아미노]페닐]시클로헥산(TPAC) 및 4,4',4”-트리스[N,N', N”-트리페닐-N,N', N”-트리(m-톨릴)아미노]-페닐렌(m-MTDATA)을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 홀 수송층 및 홀 주입층은, 각각 진공 증착 및 물리 증착 등의 필름 형성법을 사용해서 형성할 수 있다. 이들 층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 5㎚ 내지 100㎚로 할 수 있다.
유기 발광 유닛은, 전자 수송 재료로 이루어지는 전자 수송층 및/또는 전자 주입층을 포함할 수 있다. 전자 수송 재료는 전자를 수송하거나, 또는 애노드로부터 분사되는 홀을 막는 작용을 한다. 전자 수송 재료의 적합한 예로서는, 2-(4-제3급-부틸페닐)-5-(4-비페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD) 및 3-(4-tert-부틸페닐)-4-페닐-5-(4-비페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ)AIQ를 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 전자 수송층 및 전자 주입층은 각각 진공 증착 및 물리 증착 등의 필름 형성법을 사용해서 형성할 수 있다. 이들 층의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 5㎚ 내지 100㎚로 할 수 있다.
본 명세서에 개시되는 유기 일렉트로루미네센스 디바이스에서는, 상기 적층체를 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용한 밀봉재에 의해 밀봉할 수 있다. 밀봉재는, 기재 상에 배치된 적층체의 노출면 전체를 덮는 층의 상태로 형성할 수 있다.
유기 일렉트로루미네센스 디바이스에서는, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물이 단독으로 접착 특성을 갖기 때문에, 밀봉재를 적층하기 위해서 별도로 접착층을 형성할 필요가 없다. 즉, 접착제를 더 적층하는 것이 생략되어, 제조 프로세스를 간이화할 수 있고, 또한 신뢰성이 강화될 수 있다. 또한, 종래 기술과 달리, 적층체를 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물로 덮을 수 있으므로, 적층체와 커버 사이에 중공부가 남지 않는다. 중공부가 없으면 수분 투과가 감소하고, 그것에 의해 디바이스 특성의 열화를 방지할 수 있음과 함께 컴팩트하고 얇은 디바이스를 얻을 수 있다. 중공부가 있는 것이 바람직한 경우, 디바이스를 둘러싸는 접착제의 가스킷을 사용해도 된다.
또한, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은 스펙트럼의 가시 영역(380㎚ 내지 800㎚)에서 투명성을 가질 수 있다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물의 평균 투과성은, 80% 이상 또는 90% 이상으로 할 수 있으므로, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물이 유기 일렉트로루미네센스 디바이스의 발광 효율을 실질적으로 저감시키는 일은 없다. 이것은, 톱 에미션형 유기 일렉트로루미네센스 디바이스에서 특히 유익하다.
적층체의 외측에는, 적층체의 상부 및 저부를 보호하기 위한 부동태 필름을 형성해도 된다. 부동태 필름은, SiO, SiN, DLG 또는 DLF 등의 무기 재료로 이루어지고, 예를 들어 진공 증착 및 스퍼터링 등의 피막 형성법을 사용해서 형성할 수 있다. 부동태 필름의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로 약 5㎚ 내지 100㎚이다.
적층체의 외측에는, 수분 및/또는 산소를 흡수할 수 있는 재료 또는 그 재료로 이루어지는 층을 배치할 수도 있다. 이러한 층은 원하는 효과를 얻을 수 있는 한 어떠한 장소에 배치되어도 된다.
상기 구성 요소 외에, 유기 일렉트로루미네센스 디바이스는 공지된 여러 가지 구성 요소를 추가적으로 포함할 수 있다.
풀 컬러 장치가 원하는 경우에는, 백색 발광 부분을 갖는 유기 일렉트로루미네센스 디바이스를 색 필터와 조합하여 사용할 수 있다. 이러한 조합은 3색 발광법에서는 불필요하다. 또한, 색변환법(CCM)이나, 색순도를 보정하는 색 필터를 채용하고 있는 유기 일렉트로루미네센스 디바이스를 조합하여 사용하는 것이 가능하다.
또한, 유기 일렉트로루미네센스 디바이스는 최외층으로서 보호 피막을 가져도 된다. 이 보호 피막은, 수증기 차단 특성 또는 산소 차단 특성을 갖는 보호 피막이어도 되고, 이러한 보호 피막은 「기체 차단 피막」 또는 「기체 차단층」이라고도 불린다. 기체 차단층은 수증기 차단 특성을 갖는 여러 가지 재료로 형성될 수 있다. 적합한 재료에는, 불소 함유 중합체(예를 들어, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌트리플루오라이드, 폴리클로로트리플루오로에틸렌(PCTEF), 폴리이미드, 폴리카르보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 지환식 폴리올레핀 및 에틸렌-비닐알코올 공중합체)를 포함하는 중합체층을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 이러한 중합체층, 또는 이러한 중합체층을 무기 박막(예를 들어, 산화규소, 질화규소, 산화 알루미늄, DLG 또는 DLF)으로, 필름 형성법(예를 들어, 스퍼터링)을 사용해서 코팅해서 얻어지는 적층체도 사용할 수 있다. 또한, 기체 차단층은, 그 위에 중합체층과 무기층이 교대로 배치된 가요성 가시광 투과성 기재를 갖고 있어도 된다. 이들 보호 피막으로서는, 미국 특허 제7,018,713 B2호(Padiyath et al.)에 기재되어 있는 것을 사용할 수 있다. 기체 차단층의 두께는 광범위에 걸쳐 상이해도 되고, 일반적으로 약 10㎚ 내지 500㎛로 할 수 있다.
본 명세서에 개시되는 유기 일렉트로루미네센스 디바이스는, 다양한 분야에 있어서의 조명 또는 디스플레이 수단으로서 이용할 수 있다. 용도로서는, 예를 들어 형광램프 대신 사용되는 조명 장치나, 컴퓨터 장치, 텔레비전 수신기, DVD(디지털 비디오 디스크), 오디오 기기, 측정 기계 설비, 휴대 전화, PDA(휴대 정보 단말기) 및 패널 등의 표시 장치나, 백라이트 및 프린터 등의 광원 어레이 등을 들 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 기재 상에 배치되는 금속 및 금속 산화물을 포함하는 구성 요소를 봉입하기 위해서 사용해도 된다. 예를 들어, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 산화인듐 주석(ITO) 등의 실질적으로 투명한 도전성 금속이 유리 등의 기재 상에 또는 3아세트산 셀룰로오스 등의 중합체 피막 상에 침착되어 있는 터치 스크린에 사용해도 된다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 금속 및/또는 기재를 부식시킬 우려가 있는 산성 요소를 전혀 포함하지 않거나, 포함하고 있어도 소량으로 할 수 있기 때문에, 금속 및/또는 기재의 부식을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 광기전력 전지 위, 상방 또는 주위에 배치되는 밀봉재로서 사용해도 된다. 광기전력 전지는, 어레이 형상으로 구성된 것(상호 접속되어 있는 일련의 광기전력 전지)이어도 되고, 어레이 형상으로 구성된 복수의 광기전력 전지의 일부 또는 전부가 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물에 의해 밀봉되어 있어도 된다.
일반적으로, 광기전력 전지는, 광을 전기로 변환하기 위해서 사용되는 반도체 디바이스이며, 태양 전지라고 불리는 경우도 있다. 광기전력 전지는, 광에 폭로되면, 플러스 전극과 마이너스 전극 사이에 전압을 발생시키고, 결과로서 전자를 흘린다. 전압의 크기는 전지의 표면에 형성되는 광기전 정션에 대하여 광이 충돌하는 강도에 비례한다. 전형적으로는, 태양 전지나 태양 전지 모듈이, 소정의 장치에 전력을 공급하거나, 또는 축전하기 위해서 공적인 전압을 발생시키도록 상호 접속되어, 단일 전기 발생 유닛으로서 기능하는 태양 전지 어레이를 형성한다.
광기전력 전지에서 사용되는 반도체 재료는, 결정질 또는 다결정질 실리콘 또는 박막 실리콘, 예를 들어 비정질, 반결정질 실리콘, 갈륨 비소, 2셀렌화구리인듐, 유기 반도체, CIG 등을 포함한다. 광기전력 전지에는, 웨이퍼에 의한 반도체 재료와 박막에 의한 반도체 재료의 2종이 사용되고 있다. 웨이퍼에 의한 것은, 단일 결정 또는 다결정 잉곳으로부터 기계적으로 톱질하거나(鋸引, saw), 또는 주조함으로써 제작되는 반도체 재료의 얇은 시트이다. 박막에 의한 것은, 스퍼터링 또는 화학 증착 프로세스 등을 사용해서 기재 또는 초 기재(super substrate) 상에 배치되는 반도체 재료의 연속층이다.
웨이퍼 및 박막의 광기전력 전지는, 모듈이 1개 이상의 지지체를 필요로 할 정도로 취성인 경우가 많다. 지지체는 강성, 예를 들어 유리 플레이트 강성 재료로 형성되어 있어도 되고, 또는 가요성 재료, 예를 들어 금속막 및/또는 폴리이미드 또는 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 적합한 중합체 재료로 이루어지는 시트로 형성되어 있어도 된다. 지지체는, 광기전력 전지와 광원 사이에 위치하는 최상층이나 기재로 할 수 있고, 이 경우, 지지체는 광원으로부터의 광을 통과시킨다. 이 대신 또는 이것 외에, 지지체는, 광기전력 전지 뒤에 위치하는 저층이어도 된다.
전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 광기전력 전지 위, 상방 또는 주위에 배치할 수 있다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용함으로써, 광기전력 전지를 환경으로부터 보호할 수 있거나, 및/또는 전지를 지지체에 접착시킬 수 있다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 동일한 조성 또는 상이한 조성을 포함하는 몇 가지 밀봉재 중 하나로서 적용해도 된다. 또한, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 전지에 직접 도포한 후에 경화해도 되고, 미리 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 시트 형상으로 성형한 접착성 봉입층을 광기전력 전지에 적층하고, 그 후 접착성 봉입층을 경화시켜도 된다.
도 1은, 광기전력 전지(1A)의 단편 구조를 도시하는 도면이며, 광기전력 전지(1A)는 소자 상태의 광기전력 전지(101A)가 접착성 봉입용 층(102A, 103A)에 의해 봉입되어 이루어진다. 또한, 접착성 봉입용 층(102A, 103A)의 외측 면에는, 전방면측 기재(104A) 및 이면측 기재(105A)가 각각 설치되어 있다.
도 2는, 변형예에 의한 광기전력 전지(1B)의 단편 구조를 도시하는 도면이며, 광기전력 전지(1B)는 소자 상태의 광기전력 전지(101B)가 화학 증착 등의 적합한 방법에 의해 전방면측 기재(104B) 상에 배치되어 있다. 그리고, 예를 들어 제거 가능한 기재 필름(도시 생략)을 포함하는 접착성 봉입용 시트의 접착성 봉입용 층(103B)을 광기전력 전지(1B) 상에 배치하고, 기재 필름을 박리해서 그 위에 이면측 기재(105B)를 적층한 상태에서, 접착성 봉입용 층(103B)을 경화시킴으로써, 소자 상태의 광기전력 전지(101B)가 밀봉되어 있다. 광기전력 전지(1B)에 있어서는, 제거 가능한 기재 필름을 포함하는 접착성 봉입용 시트의 접착성 봉입용 층(103B)을 이면측 기재(105B)에 접합하고, 기재 필름을 박리해서 그 면을 소자 상태의 광기전력 전지(101B)에 접합해서, 접착성 봉입용 층(102B)을 경화시켜도 된다.
도 3은, 별도의 예시적인 광기전력 전지(1C)의 단편 구조를 도시하는 도면이며, 화학 증착 등의 적합한 방법에 의해 소자 상태의 광기전력 전지(101C)가 이면측 기재(105C) 상에 배치되어 있다. 그리고, 예를 들어 제거 가능한 기재 필름(도시 생략)을 포함하는 접착성 봉입용 시트의 접착성 봉입용 층(102C)을 사용해서 소자 상태의 광기전력 전지(101C)가 밀봉되어 있다. 필요에 따라 전방면측 기재를 이용해도 되고, 제거 가능한 기재 필름을 전방면측 기재로서 사용해도 된다.
전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은, 박막 트랜지스터의 반도체층 위, 상방 또는 주위에 배치할 수도 있다. 박막 트랜지스터는, 반도체 재료로 형성된 박막과, 기재에 접촉하는 유전체층 및 금속을 배치함으로써 제작되는 특별한 종류의 전계 효과 트랜지스터이다. 박막 트랜지스터를 사용해서 발광 디바이스를 구동할 수 있다.
유용한 반도체 재료로서는, 광기전력 전지에 대해서 상술한 것 및 유기 반도체를 들 수 있다. 유기 반도체로서는, 루브렌, 테트라센, 펜타센, 페릴렌디이미드, 테트라시아노퀴노디메탄 등의 소분자 및 폴리(3-헥실 티오펜)를 포함하는 폴리티오펜, 폴리플루오렌, 폴리디아세틸렌, 폴리(2,5-티에닐렌비닐렌), 폴리(p-페닐렌비닐렌) 등의 중합체를 포함하는 방향족 또는 다른 콘쥬게이트 전자계를 들 수 있다. 무기 재료의 증착은, 화학 증착 또는 물리 증착을 사용해서 실시할 수 있다. 유기 재료의 증착은, 소분자의 진공 증착 또는 중합체 또는 소분자의 용액 유연에 의해 실시할 수 있다.
박막 트랜지스터는, 일반적으로, 게이트 전극과, 게이트 전극 상의 게이트 유전체와, 게이트 유전체에 인접한 소스 전극 및 드레인 전극과, 게이트 유전체에 인접하고, 또한 소스 및 드레인 전극에 인접한 반도체층을 포함한다(예를 들어, S.M.Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd edition, John Wiley and Sons, page 492, New York(1981) 참조). 이들 구성 요소는, 여러 가지 구성으로 짜맞출 수 있다.
박막 트랜지스터로서는, 예를 들어 미국 특허 제7,279,777 B2호(Bai et al.)에 개시되어 있는 박막 트랜지스터를 들 수 있다. 도 4는, 이러한 박막 트랜지스터(2A)의 단면 구조를 나타낸다. 기재(201)와, 기재(201) 상에 배치되는 게이트 전극(202)과, 게이트 전극(202) 상에 배치되는 유전체 재료(203)와, 유전체 재료(203) 및 기판(201) 상에 배치되는 임의의 표면 개질 피막(204)과, 표면 개질 피막(204) 상에 형성된 반도체층(205)과, 반도체층(205)에 접촉하는 소스 전극(206) 및 드레인 전극(207)을 포함한다. 반도체층(205)의 적어도 일부는, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용한 밀봉재(208)에 의해 밀봉되어 있다.
박막 트랜지스터의 다른 예로서, 미국 특허 제7,352,038 B2호(Kelley et al.)에 개시되어 있는 예시적인 박막 트랜지스터를 들 수 있다. 도 5는, 이러한 박막 트랜지스터(2B)의 단면 구조를 나타낸다. 박막 트랜지스터(2B)는, 기재(209) 상에 배치되는 게이트 전극(210)을 갖고, 게이트 전극(210) 상에는 게이트 유전체(211)가 배치되어 있다. 실질적 비불소화 중합체층(212)은, 게이트 유도체(211)와 유기 반도체층(213) 사이에 개재한다. 소스 전극(214) 및 드레인 전극(215)은 유기 반도체층(213) 상에 설치된다. 유기 반도체층(213)의 적어도 일부는, 본 발명에 의한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용한 밀봉재(216)에 의해 밀봉되어 있다.
이하, 실시예에 의해 본 발명에 대해서 재차 설명하겠지만, 실시예는 어떠한 방법으로도 본 발명을 한정하는 것을 의도하는 것은 아니다.
(실시예 1 내지 30 및 비교예 1 내지 7)
하기 (A) 및 (C), (d1), (d2)의 각 성분을 표 1 내지 4에 나타낸 비율(질량부)로, (B)성분은, (A)성분 및 (C)성분의 합계 3질량%의 비율로 배합하고, 적절히 용매로서 톨루엔을 첨가해서 용액을 조정하였다. 용액을 진공 용기에서 탈용매하고, 각각 실시예 1 내지 30 및 비교예 1 내지 7의 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 얻었다. 각 조성물의 수증기 배리어성, 도포성, 신뢰성에 대해서 평가를 행하였다.
(A) 폴리부타디엔 중합체
A1:EMA-3000(말단 아크릴기 도입 폴리부타디엔, 우레탄 결합 없음, Mn3000, 닛본 소다 가부시끼가이샤 제조)
A2:CN308(말단 아크릴기 도입 폴리부타디엔, 우레탄 결합 없음, 수소화, Mw4600, Sartomer사제)
A3:TEAI-1000(말단 아크릴기 도입 폴리부타디엔, 우레탄 결합 있음, 수소화, Mn1000, 닛본 소다 가부시끼가이샤 제조)
A4:BI-3000(폴리부타디엔, 우레탄 결합 없음, 수소화, Mn3000, 닛본 소다 가부시끼가이샤 제조)
메타크릴레이트화 폴리이소프렌:UC-203(이소프렌 중합물의 무수 말레산 부가물과 2-히드록시에틸메타크릴레이트와의 에스테르화물 올리고머, Mn35,000, 가부시끼가이샤 구라레이제)
(B) 광중합 개시제
B1:ESACURE TZT(2,4,6-트리메틸벤조페논, Lamberti사제)
B2:ESACURE KIP 100F(폴리{2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판-1-온}과 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온과의 블렌드, Lamberti사제)
B3:Irgacure819(비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드, BASF사제)
(C) 반응성 희석제
C1:1.6HX-A(1.6-헥산디올디아크릴레이트, 교에샤 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)
C2:DCP-A(디메틸올-트리시클로데칸디아크릴레이트, 교에샤 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)
C3:CD595 (1,10-데칸디올디아크릴레이트, Sartomer사제)
C4:라이트에스테르 ID(이소데실메타크릴레이트, 교에샤 가가꾸 가부시끼가이샤 제조)
(d1) 탄화수소계 연화제
d1-1:닛산 폴리부텐(200N)(폴리부텐, Mn2650, 니찌유 가부시끼가이샤 제조)
d1-2:Glissopal 1000(폴리이소부틸렌, Mn1000, BASF사제)
d1-3:닛산 폴리부텐(015N)(폴리부텐, Mn580, 니찌유 가부시끼가이샤 제조)
d1-4:Oppanol B10N(폴리이소부틸렌, Mw36,000, Mn12,000, BASF사제)
d1-5:쿠라프렌 LIR30(액상 이소프렌 고무, Mw29,000, Mn28,000, 가부시끼가이샤 구라레사제)
d1-6:Oppanol B15N(폴리이소부틸렌, Mw75,000, Mn22,000, BASF사제)
(d2) 탄화수소계 점착 부여제
d2-1:ESCOREZ 5320(C5계 수소화 디시클로펜타디엔계 수지, 연화점 124℃, Mw640, Mn430, ExxonMobil Chemical사제)
d2-2:I-MARV P100(C5 디시클로펜타디엔/C9 공중합계 수소화 석유 수지, 연화점 100℃, Mw660, 이데미쯔 고산 가부시끼가이샤 제조)
d2-3:ESCOREZ 1310(C5계 석유 수지, 연화점 94℃, Mw1600, Mn1000, ExxonMobil Chemical사제)
d2-4:파인 크리스탈 KE311(수소화 로진에스테르계 수지, 연화점 95℃, Mn580, 아라까와 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조)
실시예·비교예에 관한 각 조성물의 수증기 배리어성, 도포성, 신뢰성, 내굴곡성에 대해서 평가를 행하였다.
(수증기 배리어성)
실시예·비교예에 관한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 25㎛ 두께가 되도록, 베이커식 어플리케이터로 유리 플레이트 상에 도포하였다. 그 후, 고압 수은등으로 파장 365㎚의 자외선을 5J/㎠ 조사해서 경화시키고, 시험용 시트를 얻었다. 얻어진 시트를 주름이나 느슨해짐이 없도록 저습도 챔버와 고습도 챔버 사이에 장착하고, 차압식 가스·증기 투과율 측정 장치(GTR테크 가부시끼가이샤 제조, GTR-10XAWT), 가스 크로마토그래프(야나코 테크니컬 사이언스 가부시끼가이샤 제조, G2700T)를 사용하여, JIS K7129C에 준거하여, 40℃, 90% RH 및 60℃, 90% RH의 투습도를 구하였다. 수증기 배리어성은 이하의 평가 기준에 따라, 5단계로 평가하였다. 또한, 평가에 있어서 D 이상의 것은 합격품, E는 불합격품을 의미한다(이하, 동일함).
A Excellent
:60℃의 투습도가 100g/㎡day 이하 또한 40℃의 투습도가 20g/㎡day 이하
B Very Good
:60℃의 투습도가 100g/㎡day 이하 또한 40℃의 투습도가 50g/㎡day 이하
C Good
:60℃의 투습도가 100g/㎡day 이하 또한 40℃의 투습도가 100g/㎡day 이하
D Average
:60℃의 투습도가 100g/㎡day 이상 또한 40℃의 투습도가 100g/㎡day 이하
E Poor
:60℃ 및 40℃의 투습도가 100g/㎡day 이상
(도포성)
조건 1로서, 이하의 수순으로 밀봉용 수지 조성물의 도포 실험을 행하였다. JIS R 3202에 준거한 1.2㎜ 두께의 플로트 유리를 30㎜×30㎜의 크기로 조정하고, 4변에 베젤로서 3㎜ 폭을 남기고, 금속 칼슘을 100㎚의 두께로 증착하고, 유리 기판을 제작하였다. 한편, 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물은 다른 플로트 유리에 25㎛ 두께가 되도록 도포하였다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 도포한 면을 아래로 하여, 도포 유리와 유리 기판을 합쳐서, 기판 유리/전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물/유리의 구성 시험 샘플을 얻었다. 이어서, 시험 샘플 둘레에 상술한 1.2㎜ 두께의 플로트 유리 2장과 두께 25㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 1장을 겹쳐 두고 클리어런스를 확보한 상태에서 진공 라미네이터로 80℃, 0.6㎫의 압력으로 1분간 가압하였다. 가압 후의 샘플을 라미네이터로부터 취출하고, 고압 수은등으로 파장 365㎚의 자외선을 5J/㎠ 조사해서 경화를 행한 후, 접합이 행하여졌는지, 2개의 유리 사이를 보이드 없이 밀봉용 수지 조성물이 충전되어 있는지를 육안으로 관찰하였다. 조건 2는 라미네이터에 의한 가압을 상온으로 한 것 이외는 조건 1과 마찬가지의 조건에서 행하였다. 조건 3은 유리 기판의 베젤 부분에 높이 5㎛ 폭 150㎛ 피치 2㎜의 더미 배선을 스트라이프 형상으로 설치한 것 이외는 조건 1과 마찬가지의 조건에서 행하였다. 조건 4는 라미네이터에 의한 가압을 상온으로 한 것 이외는 조건 3과 마찬가지의 조건에서 행하였다. 도포성은 이하의 평가 기준에 따라, 5단계로 평가하였다.
A Excellent
: 모든 조건에서 보이드가 관찰되지 않는 샘플이 얻어졌다.
B Very Good
: 조건 1, 2, 3에서 보이드가 관찰되지 않는 샘플이 얻어졌다.
C Good
: 조건 1 및 2에서 보이드가 관찰되지 않는 샘플이 얻어졌다.
D Average
: 조건 1에서 보이드가 관찰되지 않는 샘플이 얻어졌다.
E Poor
: 어떠한 조건에서든 보이드가 관찰되었거나 또는 접합이 되어 있지 않았다.
(신뢰성)
도포성 시험에서 보이드가 관찰되지 않은 샘플을, 40℃, 90% RH에서 1000시간 처리하고, 그 후, 실온(25℃)까지 냉각시킨 후, 칼슘 증착막의 변화로부터 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 개재해서 수분 침입량을 측정하였다. 신뢰성은 이하의 평가 기준에 따라, 2단계로 평가하였다.
A Excellent
:1000시간 후의 수분 침입량이 3㎜ 이하
E Poor
:1000시간 후의 수분 침입량이 3㎜ 이상 또는 보이드나 박리의 발생이 관찰되었다.
(내굴곡성)
실시예·비교예에 관한 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 100㎛ 두께의 PET 필름에 25㎛ 두께가 되도록 도포하였다. 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 도포한 면을 아래로 하여, 도포 필름과 다른 100㎛ 두께의 PET 필름을 보이드가 들어가지 않도록 접합한 후, 고압 수은등으로 파장 365㎚의 자외선을 5J/㎠ 조사해서 경화를 행하고, 100㎛ 두께 PET 필름/25㎛ 두께의 밀봉용 수지 조성물/100㎛ 두께 PET 필름의 구성 시험 샘플을 얻었다. 이어서, 얻어진 시험 샘플을 JIS K 5600-5-11999에 준하여, 25㎜ 직경의 맨드럴을 사용해서 내굴곡성 시험을 행하였다. 내굴곡성은 이하의 평가 기준에 따라, 3단계로 평가하였다.
A Excellent
: 샘플의 굽힘이 가능 또한 필름으로부터의 박리, 샘플의 변색, 깨짐이 관찰되지 않았다.
D Average
: 샘플의 굽힘이 가능하지만, 백화 등의 변색이 관찰되었다.
E Poor
: 샘플이 구부러지지 않았거나, 또는 시험 후의 샘플에 박리, 깨짐이 관찰되었다.
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
표 1 내지 3에 나타내는 바와 같이, 실시예 1 내지 30은, 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리부타디엔 중합체와 광중합 개시제를 포함하고, 질량 평균 분자량이 5만 이상인 열가소성 수지를 포함하지 않는 조성이기 때문에, 수증기 배리어성과 도포성을 양립시켜, 신뢰성 평가에 있어서 양호한 결과로 되었다. 또한, 실시예 11 내지 14, 16 내지 30은, 폴리부타디엔 중합체와 반응성 희석제의 질량비가, 6:94 내지 70:30이며, 청구항에 규정된 5:95 내지 70:30이 되는 범위에서 반응성 희석제를 포함하므로, 양호한 수증기 배리어성을 가지면서 도포성이 향상되었다. 또한, 실시예 1, 2, 4 내지 6, 8, 9는, 폴리부타디엔 중합체와 반응성 희석제의 합계와 평균 분자량이 5만 미만인 탄화수소 화합물과의 질량비가, 청구항에 규정된 20:80 내지 70:30이 되는 범위에서 평균 분자량이 5만 미만인 탄화수소 화합물을 포함하므로, 양호한 수증기 배리어성을 나타냈다.
표 4에 나타내는 바와 같이, 비교예 1 및 비교예 2는, 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리부타디엔 중합체가 우레탄 결합을 갖기 때문에, 서로 수소 결합을 형성해서 점도가 높아지고, 도포성이 떨어지는 결과로 되었다. 비교예 3은, (메트)아크릴로일기를 포함하지 않는, 단순한 폴리부타디엔 중합체로 구성된 조성이기 때문에, 수증기 배리어성이 떨어진 결과로 되었다. 비교예 4는, (메트)아크릴로일기를 포함하지만 폴리부타디엔 이외의 구조의 중합체이기 때문에, 수증기 배리어성이 떨어진 결과로 되었다. 비교예 5 및 6은 질량 평균 분자량이 5만 이상인 열가소성 수지를 포함하기 때문에, 내굴곡성은 우수했지만, 점도가 높아지고, 도포성이 떨어지는 결과로 되었다. 비교예 7은, 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리부타디엔 중합체를 포함하지 않는 조성이기 때문에, 수증기 배리어성 및 내굴곡성이 떨어지는 결과로 되었다.
1A, 1B, 1C : 광기전력 전지
101A, 101B, 101C : 소자 상태의 광기전력 전지
102A, 103A, 103B, 102C : 접착성 봉입용 층
104A, 104B : 전방면측 기재
105A, 105B, 105C : 이면측 기재
2A, 2B :박막 트랜지스터
201, 208 : 기재
202, 209 : 게이트 전극
203 : 유전체 재료
204 : 표면 개질 피막
205 : 반도체층
206, 213 : 소스 전극
207, 214 : 드레인 전극
210 : 게이트 유전체
211 : 실질적 비불소화 중합체층
212 : 유기 반도체층

Claims (15)

  1. (A) 하기 화학식(1)로 표시되는 말단에 (메트)아크릴로일기를 갖는 폴리부타디엔 중합체,
    (B) 광중합 개시제
    를 포함하고, 질량 평균 분자량이 5만 이상인 열가소성 수지를 포함하지 않는,
    것을 특징으로 하는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pct00010

    (식 중, R1 및 R2는 각각 독립해서 수산기 또는 H2C=C(R7)-COO-를, R3 및 R4는 각각 독립해서 탄소수 1 내지 16의 치환, 비치환된 N을 포함하지 않는 2가의 유기기를, R5, R6, R7은, 각각 독립해서 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타낸다. l 및 m은 각각 독립해서 0 또는 1을, n은 15 내지 150을 나타내는 정수이며, x:y=0 내지 100:100 내지 0이다. 단, R1 및 R2가 모두 수산기인 경우는 없음.)
  2. 제1항에 있어서,
    (C) 반응성 희석제를 더 포함하고, 상기 (A)성분과 상기 (C)성분의 질량비(A):(C)가 5:95 내지 70:30인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물.
  3. 제2항에 있어서,
    (D) 수 평균 분자량이 5만 미만인 탄화수소 화합물을 더 포함하고, 상기 (A)성분 및 상기 (C)성분의 합계와, 상기 (D)성분의 질량비 [(A)+(C)]:(D)가 20:80 내지 70:30인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 (D)성분의 탄화수소 화합물이, 적어도 (d1) 탄화수소계 연화제 및 (d2) 탄화수소계 점착 부여제를 포함하고, 상기 (d1)성분과 상기 (d2)성분의 질량비(d1):(d2)가 20:80 내지 80:20인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (C)성분의 반응성 희석제가 2관능의 (메트)아크릴레이트 단량체인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물.
  6. 제4항 또는 제5항에 있어서,
    상기 (d1)성분의 탄화수소계 연화제가 폴리부텐 또는/및 폴리이소부틸렌인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물.
  7. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (d2)성분의 탄화수소계 점착 부여제가 수소화 석유 수지인 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폴리부타디엔 중합체의 부타디엔 골격이 갖는 불포화 결합의 50% 이상이 수소화되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 전자 디바이스 밀봉용 수지 조성물을 사용한 밀봉재에 의해 밀봉되어 있는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  10. 제9항에 있어서,
    가요성을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  11. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는, 유기 디바이스이며, 활성 유기 부품을 갖고, 상기 밀봉재는 상기 활성 유기 부품 위, 상방 또는 주위에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 유기 디바이스는, 유기 일렉트로루미네센스 디바이스이며, 상기 활성 유기 부품이 애노드, 발광층 및 캐소드로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  13. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는, 터치 스크린이며, 유리 또는 중합체로 이루어지는 기재와, 상기 기재 상에 배치되는 실질적으로 투명한 도전성 금속을 갖고, 상기 밀봉재는 상기 금속 위, 상방 또는 주위에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  14. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는, 광기전 디바이스이며, 광기전력 전지 또는 광기전력 전지 어레이를 갖고, 상기 밀봉재는, 상기 광기전력 전지 또는 상기 광기전력 전지 어레이 중 임의의 하나의 광기전력 전지 위, 상방 또는 주위에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
  15. 제9항 또는 제10항에 있어서,
    상기 전자 디바이스는, 박막 트랜지스터이며, 반도체층을 갖고, 상기 밀봉재는 상기 반도체층 위, 상방 또는 주위에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
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