KR20150139556A - 실온 및 더 높은 온도 모두에서의 홀더 내의 플레이트의 센터링 - Google Patents

실온 및 더 높은 온도 모두에서의 홀더 내의 플레이트의 센터링 Download PDF

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Abstract

본 발명은 홀더를 구비하는 플레이트를 포함하는 시스템에 관한 것으로, 이 플레이트는 플레이트 및 홀더의 열 팽창에 독립적으로 실온 및 더 높은 온도 모두에서 홀더 내에 센터링되고, 더 높은 온도에서 홀더 내에서 자유롭게 팽창할 수 있다.

Description

실온 및 더 높은 온도 모두에서의 홀더 내의 플레이트의 센터링{CENTERING OF A PLATE IN A HOLDER BOTH AT ROOM TEMPERATURES AND HIGHER TEMPERATURES}
본 발명은 홀더를 구비하는 플레이트를 포함하는 시스템에 관한 것으로, 이 플레이트는 플레이트 및 홀더의 열 팽창에 독립적으로 실온 및 더 높은 온도 모두에서 홀더 내에 센터링되고(centered), 더 높은 온도에서 홀더 내에서 자유롭게 팽창할 수 있다.
최근에, 특히 소위 PVD 프로세스(PVD: 물리적 증착)의 일부인 스퍼터링 프로세스 및 아크 프로세스를 이용하여 코팅이 생성된다. 이러한 기술들에서, 표적들이 분쇄 또는 기화된다. 이러한 프로세스들에서, 표적들이 점점 뜨거워져 반드시 냉각되어야만 한다.
종래 기술에 따르면, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같은 표적의 후면을 냉각시키는 호일 냉각 플레이트 타입의 소위 냉각 플레이트에 의해 냉각이 수행된다. 냉각 매체의 압력은 표적에 대해 호일을 누르고 따라서 냉각 매체로부터 표적으로의 우수한 열 전도를 획득한다.
전력 입력 냉각 플레이트를 통한 열 소멸 및 표적 재료의 열 전도성에 의존하여, 표적들이 자신의 세로방향 팽창 계수에 따라 서로 다르게 가열되고 팽창한다. 이러한 경우에서 표적이 파괴되지 않도록 자유롭게 팽창할 수 있어야만 한다.
프로세스-관련 원인으로 인해, 전체 동작 동안에 표적과 둘러싼 구성요소들 또는 둘러싼 구성요소 사이의 동심 간격이 보장될 수 있도록 냉각 플레이트 상에 놓인 표적이 냉각 플레이트 축에 대해 동심으로 팽창하는 것이 중요하다. 특히, 예를 들어 도 2에 도시된 바와 같이, 만약 표적이 캐소드로서 동작하고 표적이 그 둘레에 위치되어 상이한 전기적 퍼텐셜이 인가된 어노드 링(anode ring)을 구비한다면, 발생할 수 있는 단락을 방지하기 위해서 표적이 냉각 플레이트 축에 대해 센터링된 방식으로 팽창하는 것이 매우 중요하다.
표적이 올바르게 센터링되지 않으면, 표적이 충분히 동심으로 팽창하지 않는다. 그 결과, 어노드 링과 팽창된 표적 사이에서 전기적 단락이 발생할 수 있다.
이 예에서, 어노드 링에 대한 표적의 위치는 냉각 플레이트 상의 자신의 위치에 의해 결정된다. 냉각 플레이트와 표적 사이의 작은 간격을 가지고, 표적의 위치가 충분히 정의되며 표적과 어노드 사이에 접촉이 발생하지 않는다. 그러나, 이러한 작은 간격은 표적의 가능한 팽창을 엄격하게 제한한다. 따라서 최대 허용가능한 표적 온도 또는 동작 온도가 결정되며 따라서 최대 스퍼터링 전력이 제한된다. 간격이 작을수록 허용가능한 스퍼터링 전력이 더 낮다.
더욱 큰 간격을 가질 때, 표적은 규칙으로서 냉각 플레이트 상에 중심을 벗어나서 위치된다. 또한, 중심을 벗어난 지지는 표적 내의 기계적인 스트레스가 호일 냉각 플레이트의 동작 중에 불균일하게 한다. 표적 재료에 의존하여, 이것은 허용가능한 기계적 스트레스를 초과하게 할 수 있다.
본 발명의 목적은 플레이트가 시스템의 온도와 무관하게 홀더 디바이스 내에 센터링되는 것을 가능하게 하는 플레이트-홀딩 디바이스 시스템을 제작하는 것이며; 플레이트는 팽창 프로세스 동안에 파손되지 않도록 홀더 디바이스 내에서 자유롭게 팽창할 수 있다.
본 발명의 목적은 청구항 제 1 항에 기술된 바와 같은 시스템 "플레이트-홀더(plate-holder)"를 제작함으로써 획득된다.
본 발명에 따른 시스템은 플레이트 및 홀더를 구비하고; 플레이트는 외부 플레이트 에지를 갖는 표면을 구비하고 플레이트의 재료는 제1 열 팽창 계수를 가지며, 홀더는 내부 홀더 에지에 의해 범위가 정해지는 개방부(opening)를 구비하고 홀더의 재료는 제2 열 팽창 계수를 가지며, 제1 열 팽창 계수는 제2 열 팽창 계수보다 크고, 이때
- 실온에서, 홀더의 개방부의 원주가 플레이트의 표면의 원주보다 더 크고, 그 결과 플레이트의 센터링된 위치를 가지고 플레이트 에지와 내부 홀더 에지 사이에 정의된 간격 폭 S을 갖는 간격이 존재하고,
- 플레이트 에지가 플레이트 에지 표면에 대해 방사 방향을 따라 연장하고 홀더 에지의 상응하는 리세스와 맞물리는 하나 이상의 돌출부를 구비하고/하거나 플레이트 에지가 플레이트 에지 표면에 대해 방사 방향을 따라 연장하고 홀더 에지의 상응하는 돌출부에 의해 맞물리는 하나 이상의 리세스를 구비하며,
- 플레이트-홀딩 시스템이 서로 맞물리는 적어도 세 개의 이러한 리세스/돌출부 쌍들을 구비하고 각각의 리세스 및 각각의 돌출부가 플레이트 에지 표면에 대해 방사 방향으로 개별 길이 및 개별 폭을 가지며, 리세스의 폭은 상응하는 돌출부의 폭보다 크고, 실온에서의 각각의 리세스/돌출부에 있어서, 리세스와 돌출부 사이의 가장 작은 폭 차이가 방사 방향에서 전술된 간격 폭 S보다 작고, 리세스와 돌출부 사이의 가장 작은 간격 폭이 전술된 가장 작은 폭 차이 sp보다 크고 바람직하게는 적어도 전술된 간격 폭 S만큼 크며, 따라서 리세스/돌출부 쌍들이 가이드 레일로서의 기능을 하기 때문에 실온과 더 높은 온도 모두에서 플레이트가 홀더 내에 센터링되도록 항상 고정된다.
본 설명에서, "방사 방향(radial direction)"이라는 용어는 다음과 같이 정의되는 것으로 이해된다: 만약 플레이트가 자신의 중력 중심을 통해 플레이트 표면에 직교하게 연장하는 축에 고정된다면, 외부 플레이트 에지 상의 위치에서 방사 방향은 온도 증가가 발생할 때 외부 플레이트 에지가 이동하는 위치의 개별 방향이다. 원형 에지를 구비하는 디스크-형태 플레이트에 있어서, 이것은 원의 중심점으로부터 연장해 나가는 플레이트 에지에 직교한 방향이다.
도 8은 이것을 직사각형 표면을 갖는 플레이트로 개략적으로 도시한다. 돌출부를 갖는 플레이트 및 홀더가 평행선의 음영으로 도시되었다. 플레이트의 중력 중심을 통과하는 직선은 의미상 플레이트 에지에서의 방사상 방향을 나타낸다. 도면에서, 간격 폭 S가 플레이트 에지 둘레에서 동일해야할 필요가 없으며, 대신 지리학적 특성의 함수로서 선택될 수 있다는 것 또한 명백하다.
본 발명에 따르면, 플레이트 및 홀더의 치수 및 열 팽창 계수를 고려하여, 리세스와 돌출부 사이의 간격 폭을 포함하는 플레이트 에지와 내부 홀더 에지 사이의 모든 간격 폭들은 더 높은 온도가 발생할 때 플레이트가 홀더 내에서 자유롭게 팽창할 수 있도록 선택된다. 고체에서의 열 팽창은 주로 격자 구조 및 결합 상태에 상당히 의존하고, 선형 방정식은 오직 근사치만을 구성한다.
팽창 계수 또는 가열 팽창 계수는 온도 변화가 발생할 때의 치수 변화에 대한 재료의 양상을 기술하는 값이며, 따라서 종종 열 팽창 계수로도 지칭된다. 열 팽창은 이러한 열 팽창 계수를 야기하는 효과이다. 열 팽창은 사용되는 재료에 의존하며; 따라서 이것은 재료-특정적인 재료 상수이다. 다수의 재료에서의 열 팽창이 모든 온도 범위에 걸쳐 균일하게 발생하지 않기 때문에, 열 팽창 계수 자체는 온도 의존적이며 따라서 특정한 기준 온도 또는 특정한 온도 범위에 대해 표시된다.
길이 열 팽창 계수 α(선형 열 팽창 계수로도 알려짐) 및 공간 열 팽창 계수 γ(공간 팽창 계수, 부피 팽창 계수, 또는 체적 팽창 계수로도 알려짐) 사이가 구분된다.
길이 열 팽창 계수(longitudinal thermal expansion coefficient) α는 온도 변화 dT와 고체의 상대적인 길이 변화 dL/L 사이의 비례상수이다. 따라서 이것은 온도 변화로 발생하는 상대적인 길이 변화를 기술하도록 사용된다. 이것은 측정 단위가 K-1(켈빈 당)인 재료-특정적인 값이고 다음의 식에 의해 정의되며: α=1/L·dl/dT; 간략화된 형태로 이 식은 L최종
Figure pct00001
L초기·(1+α·ΔT)일 것이다.
그 다음 최대 동작 온도에서 플레이트 표면의 특정 방향에서 플레이트가 어떤 길이를 가질 것인지를 계산하는 것이 가능할 것이다. 유사한 방식으로, 홀더의 열 팽창에 따라 치수가 계산될 수 있다. 따라서 최대 동작 온도에 이르기까지 홀더 내의 플레이트의 자유로운 열 팽창을 보장하는 데에 필요한 플레이트와 홀더 사이의 간격 폭을 계산하는 것이 가능하다.
예를 들어, L1 최종
Figure pct00002
α1·L1 초기·ΔT라고 가정될 수 있으며, 이때 L1 최종은 온도 T최종에서(예를 들어 플레이트의 최대 동작 온도에서) 특정 방향으로의 플레이트의 길이이고(즉, 디스크-형태 플레이트의 경우에서의 지름), α1은 동작 온도 범위 내의 플레이트의 선형 열 팽창 계수이고, L1 초기는 온도 T초기에서(예를 들어 실온에서) 동일한 방향으로의 플레이트의 길이이며, 홀더의 형태 및 치수와 홀더 재료의 선형 열 팽창 계수를 고려한다는 것을 제외하면 T최종에서 홀더의 치수 계산을 위해 유사한 접근법이 적용될 수 있다.
바람직하게는, 플레이트와 홀더 사이의 간격 폭이 적어도 450℃, 바람직하게는 적어도 500℃, 더욱 바람직하게는 적어도 650℃에 이르는 온도까지 홀더 내측이 자유롭게 팽창할 수 있도록 선택된다.
본 발명에 따르면 플레이트 재료의 선형 열 팽창 계수가 홀더 재료의 선형 열 팽창 계수보다 더 크며, 즉 α1＞α2이다.
바람직하게는, 플레이트가 디스크-형태이다.
바람직하게는, 플레이트 내의 리세스 및/또는 돌출부가 서로로부터 등거리에 있도록 분포된다.
바람직하게는, 홀더가 환형이거나 또는 플레이트를 수용하기 위한 환형 부분을 구비한다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 플레이트는 별 패턴으로 배치되고, 자신의 공유 축이 표적 중심에 위치되며, 별 패턴으로 배치된 홀더의 상응하는 홈(리세스)으로의 돌출부를 가이드하는 디스크-형태 표적일 수 있다. 예를 들어 홀더는 냉각 플레이트 디바이스의 일부이다. 따라서 표적은 본 발명에 따른 표적 냉각 플레이트 설계에 의해 온도-독립적인 방식으로 냉각 플레이트 상에 센터링된다. 결과적으로 표적 둘레에 어노드 링을 사용하는 경우에서, 표적과 어노드 링 사이의 간격이 동일한 중심을 가지고 남아있으며 본 발명에 따라 동일한 중심을 갖도록 유지되는 것이 가능하다.
따라서 캐소드(cathode)로서 동작하는 표적과 어노드 링 사이의 의도하지 않은 접촉으로 인해 발생할 수 있는 단락(short circuit)을 방지하는 것이 가능하다.
또한 이것의 결과로서, 호일 냉각 플레이트들이 사용될 때 냉각 플레이트 디바이스 내의 표적과 표적 홀더 사이(예를 들어, 표적과 표적 홀더 링 사이)의 접촉 표면이 동일한 중심을 가지고 남아있으며, 표적 내에 균일한 스트레스가 생성된다. 따라서 접촉 영역을 최소화하는 것이 가능하다.
표적 돌출부가 튀어나오는(돌출하는) 리세스를 냉각 플레이트 내에 제공하는 대신, 도 4에 도시된 바와 같이 표적 내에 리세스를 제공하고 표적의 리세스 내에서 맞물리도록 안쪽 방향으로 돌출하는 돌출부를 구비하는 냉각 플레이트 디바이스의 수신 바디, 예를 들어 표적 홀딩 링을 구현하는 것이 가능하다.
현존하는 냉각 플레이트에서 본 발명을 이용하여 구체적인 장점이 획득되며, 이때 표적과 냉각 플레이트 사이의 매우 작은 간격이 스페이서 링(spacer ring)의 사용을 통해 확장될 수 있다. 만약 표적이 스페이서 링 내에 장착되고 이 스페이서 링이 냉각 플레이트에 장착되면, 표적과 냉각 플레이트 사이의 전체적인 백래쉬(play)(백래쉬 1 및 백래쉬 2)를 증가시키는 것이 가능하며, 따라서 도 5에 도시된 바와 같이 사용되는 전력량을 증가시키는 것 또한 가능하다.
이제 본 발명이 도면들과 관련하여 더욱 자세하게 기술될 것이다.
도 1은 표적 및 홀더를 개략적으로 도시한 도면,
도 2는 표적, 냉각 플레이트 및 어노드 링을 구비한 코팅 소스를 도시한 도면,
도 3은 위에서 보여진 본 발명에 따른 홀더를 구비하는 플레이트의 실시예의 세부사항의 단면도,
도 4는 본 발명에 따른 홀더를 구비하는 플레이트의 실시예의 상면도,
도 5는 본 발명의 실시예의 단면도의 세부사항을 도시한 도면,
도 6은 본 발명에 따른 홀더를 구비하는 플레이트의 상면도 및 그와 관련된 상세도,
도 7은 돌출부가 둥근 영역을 구비하는 리세스/돌출 쌍을 도시한 도면,
도 8은 플레이트가 직사각형 표면을 구비하는 본 발명에 따른 플레이트 및 홀더의 상면도.
시스템 "플레이트-홀더"를 함께 구성하는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트로서, 플레이트가 자신의 원주의 넓은 영역에 걸쳐 연장하는 원형 표면 및 외부 플레이트 에지를 구비하고 플레이트의 재료가 제1 열 팽창 계수 α1을 가지며, 홀더가 내부 홀더 에지에 의해 범위가 정해지는 자신의 원주의 넓은 영역에 걸쳐 연장하는 원형 개방부(opening)를 구비하고 홀더의 재료가 제2 열 팽창 계수 α2를 가지며,
- 실온에서, 홀더의 개방부의 원주가 플레이트의 표면의 원주보다 더 크고, 그 결과 홀더의 개방부 내에 플레이트의 센터링된 위치를 가지고 플레이트 에지와 내부 홀더 에지 사이에 정의된 간격 폭 S을 갖는 간격이 존재하고,
- α2＜α1이고,
- 플레이트 에지가 원형 표면의 중심점으로부터 보이고 방사 방향에서 플레이트 에지로부터 돌출부 길이만큼 연장하는 하나 이상의 돌출부를 구비하고 리세스 길이를 갖는 홀더 에지의 상응하는 리세스 내에서 맞물리고/맞물리거나, 플레이트 에지가 플레이트 에지로부터 보이고 원형 표면의 중심점을 향해 리세스 길이만큼 연장하는 하나 이상의 리세스를 구비하고 돌출부 길이를 갖는 홀더 에지 상의 상응하는 돌출부에 의해 맞물리고,
- "플레이트-홀딩" 시스템이 적어도 세 개의 이러한 리세스/돌출부 쌍들을 구비하고, 리세스/돌출부 쌍들에 있어서, 실온에서 최대 d인 방사상 공간을 제외하고 자신의 크기가 간격 폭 S에 대응하는 돌출부에 의해 리세스들이 각각 방사 방향으로 맞물리도록 길이가 선택되고,
상기 리세스/돌출부 쌍들에 있어서, 접선 방향에서 리세스가 접선 방향에서의 자신의 백래쉬 sp가 S보다 작은 상응하는 돌출부에 대한 가이드 레일로서 기능할 수 있도록 폭 프로파일들이 서로 부합되며,
그 결과, 실온과 플레이트가 홀더보다 더 많이 팽창하는 더 높은 온도 모두에서, 팽창하는 플레이트가 최대로 백래쉬 sp를 제외하면 홀더 내에 항상 센터링되도록 고정되는 것을 특징으로 하는 홀더를 구비하는 플레이트가 개시되었다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 간격 폭 S, 방사상 공간 d 및 백래쉬 sp가 적어도 450℃, 바람직하게는 적어도 500℃, 더욱 바람직하게는 적어도 650℃에 이르는 온도까지 홀더 내측이 자유롭게 팽창할 수 있도록 선택될 수 있다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 플레이트 내의 리세스 및/또는 돌출부가 서로로부터 등거리에 있도록 분포된다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 홀더가 환형이거나 또는 플레이트를 수용하기 위한 환형 부분을 구비한다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 네 개의 리세스/돌출부 쌍들이 제공된다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 플레이트가 PVD 프로세스에서 사용하기 위한 표적이고 플레이트-홀딩 시스템이 상응하는 코팅 소스의 부분이다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 표적이 캐소드(cathode)로서 사용될 수 있고 전극이 어노드로서 사용될 수 있도록 표적에 전극에 대해 음의 퍼텐셜을 인가하는 것을 가능하게 하는 전압 소스에 접속하기 위한 수단이 제공된다. 전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 홀더의 적어도 부분들이 냉각 디바이스의 적어도 한 부분을 구성할 수 있다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 홀더가 스페이서 링(spacer ring)으로서 구현된다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 냉각 디바이스는 호일 냉각 플레이트 타입 디바이스이다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 어노드가 표적 둘레에 배치되고 어노드 링으로서 구현된다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 백래쉬 sp는 최대 간격 폭 S의 1/2 크기이고 바람직하게는 간격 폭 S보다 10배 더 작은 크기이다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 적어도 하나의 돌출부, 바람직하게는 몇몇 돌출부들, 그리고 특히 바람직하게는 모든 돌출부들의 가이드 영역 내의 폭 프로파일이, 축 방향에서 i) 에지를 구비하지 않음으로써 상응하는 리세스에 의해 형성되는 전파방해(jamming)가 가이드 레일 내에서 발생하는 것을 불가능하게 하거나, 또는 ii) 적어도 리세스가 가이드되는 방사상 서브섹션 내에 평행한 직선 벽들을 구비한다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 적어도 하나의 리세스, 바람직하게는 몇몇 리세스들, 그리고 특히 바람직하게는 모든 리세스들의 가이드 영역 내의 폭 프로파일이, 적어도 리세스가 가이딩 기능을 수행하는 방사상 서브섹션 내에 i) 평행한 직선 벽들을 구비하거나, 또는 ii) 에지를 구비하지 않음으로써 상응하는 리세스에 의해 형성되는 전파방해가 가이드 레일 내에서 발생하는 것을 불가능하게 한다.
전술된 홀더를 구비하는 플레이트에 있어서, 적어도 하나의 리세스/돌출부 쌍, 바람직하게는 몇몇 리세스/돌출부 쌍들, 그리고 특히 바람직하게는 모든 리세스/돌출부 쌍들에 대해, 청구항 제 13 항 및 제 14 항의 대안 i) 또는 청구항 제 13 항 및 제 14 항의 대안 ii)이 구현되는 것을 특징으로 한다.
전술된 적어도 하나의 코팅 소스를 구비한 PVD 시스템이 개시되었다.

Claims (16)

  1. 시스템 "플레이트-홀더(plate-holder)"를 함께 구성하는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트로서,
    상기 플레이트가 자신의 원주의 넓은 영역에 걸쳐 연장하는 원형 표면 및 외부 플레이트 에지를 구비하고, 상기 플레이트의 재료가 제1 열 팽창 계수 α1을 가지며, 상기 홀더가 내부 홀더 에지에 의해 범위가 정해지는 자신의 원주의 넓은 영역에 걸쳐 연장하는 원형 개방부(opening)를 구비하고, 상기 홀더의 재료가 제2 열 팽창 계수 α2를 가지는 디스크-형태 플레이트에 있어서,
    - 실온에서, 상기 홀더의 상기 개방부의 원주가 상기 플레이트의 상기 표면의 원주보다 더 크고, 그 결과 상기 홀더의 상기 개방부 내에 상기 플레이트의 센터링된 위치를 가지고 상기 플레이트 에지와 상기 내부 홀더 에지 사이에 정의된 간격 폭 S을 갖는 간격이 존재하고,
    - α2＜α1이고,
    - 상기 플레이트 에지가 상기 원형 표면의 중심점으로부터 보이고 방사 방향에서 상기 플레이트 에지로부터 돌출부 길이만큼 연장하는 하나 이상의 돌출부를 구비하고 리세스 길이를 갖는 상기 홀더 에지의 상응하는 리세스 내에서 맞물리고/맞물리거나 상기 플레이트 에지가 상기 플레이트 에지로부터 보이고 상기 원형 표면의 상기 중심점을 향해 리세스 길이만큼 연장하는 하나 이상의 리세스를 구비하고 돌출부 길이를 갖는 상기 홀더 에지 상의 상응하는 돌출부에 의해 맞물리고,
    - 상기 시스템 "플레이트-홀더"가 적어도 세 개의 이러한 리세스/돌출부 쌍들을 구비하고 상기 리세스/돌출부 쌍들에 있어서, 실온에서 최대 d인 방사상 공간을 제외하고 자신의 크기가 상기 간격 폭 S에 대응하는 상기 돌출부에 의해 상기 리세스들이 각각 상기 방사 방향으로 맞물리도록 길이가 선택되고,
    상기 리세스/돌출부 쌍들에 있어서, 접선 방향에서 상기 리세스가 상기 접선 방향에서의 자신의 백래쉬 sp가 S보다 작은 상응하는 돌출부에 대한 가이드 레일로서 기능할 수 있도록 폭 프로파일들이 서로 부합되며,
    그 결과, 실온과 상기 플레이트가 상기 홀더보다 더 많이 팽창하는 더 높은 온도 모두에서 상기 팽창하는 플레이트가 최대로 백래쉬 sp를 제외하면 상기 홀더 내에 항상 센터링되도록 고정되는 것을 특징으로 하는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 간격 폭 S, 상기 방사상 공간 d 및 상기 백래쉬 sp가 적어도 450℃, 바람직하게는 적어도 500℃, 더욱 바람직하게는 적어도 650℃에 이르는 온도까지 상기 홀더 내측이 자유롭게 팽창할 수 있도록 선택되는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 플레이트 내의 상기 리세스 및/또는 돌출부가 서로로부터 등거리에 있도록 분포되는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 홀더가 환형이거나 또는 상기 플레이트를 수용하기 위한 환형 부분을 구비하는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    네 개의 리세스/돌출부 쌍들이 제공되는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플레이트가 PVD 프로세스에서 사용하기 위한 표적이고 상기 시스템 플레이트-홀더가 상응하는 코팅 소스의 부분인, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 표적이 캐소드(cathode)로서 사용될 수 있고 상기 전극이 어노드(anode)로서 사용될 수 있도록 상기 표적에 전극에 대해 음의 퍼텐셜을 인가하는 것을 가능하게 하는 전압 소스에 접속하기 위한 수단이 제공되는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  8. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 홀더의 적어도 부분들이 냉각 디바이스의 적어도 한 부분을 구성할 수 있는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 홀더가 스페이서 링(spacer ring)으로서 구현되는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 냉각 디바이스는 상기 호일 냉각 플레이트 타입 디바이스인, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 어노드가 상기 표적 둘레에 배치되고 어노드 링으로서 구현되는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 백래쉬 sp는 최대 상기 간격 폭 S의 1/2 크기이고 바람직하게는 상기 간격 폭 S보다 10배 더 작은 크기인, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 돌출부, 바람직하게는 몇몇 돌출부들, 그리고 특히 바람직하게는 모든 돌출부들의 가이드 영역 내의 상기 폭 프로파일이, 축 방향에서 i) 에지를 구비하지 않음으로써 상기 상응하는 리세스에 의해 형성되는 전파방해(jamming)가 상기 가이드 레일 내에서 발생하는 것을 불가능하게 하거나, 또는 ii) 적어도 상기 리세스가 가이드되는 방사상 서브섹션 내에 평행한 직선 벽들을 구비하는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 리세스, 바람직하게는 몇몇 리세스들, 그리고 특히 바람직하게는 모든 리세스들의 가이드 영역 내의 상기 폭 프로파일이, 적어도 상기 리세스가 가이딩 기능을 수행하는 상기 방사상 서브섹션 내에 i) 평행한 직선 벽들을 구비하거나, 또는 ii) 에지를 구비하지 않음으로써 상기 상응하는 리세스에 의해 형성되는 전파방해가 상기 가이드 레일 내에서 발생하는 것을 불가능하게 하는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  15. 제 13 항 및 제 14 항에 있어서,
    적어도 하나의 리세스/돌출부 쌍, 바람직하게는 몇몇 리세스/돌출부 쌍들, 그리고 특히 바람직하게는 모든 리세스/돌출부 쌍들에 대해, 청구항 제 13 항 및 제 14 항의 대안 i) 또는 청구항 제 13 항 및 제 14 항의 대안 ii)이 구현되는 것을 특징으로 하는, 홀더를 구비하는 디스크-형태 플레이트.
  16. 제 6 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 따른 적어도 하나의 코팅 소스를 구비한 PVD 시스템.
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