TR201809526T4 - Artan performans uyumuna sahip püskürtme hedefi. - Google Patents

Artan performans uyumuna sahip püskürtme hedefi. Download PDF

Info

Publication number
TR201809526T4
TR201809526T4 TR2018/09526T TR201809526T TR201809526T4 TR 201809526 T4 TR201809526 T4 TR 201809526T4 TR 2018/09526 T TR2018/09526 T TR 2018/09526T TR 201809526 T TR201809526 T TR 201809526T TR 201809526 T4 TR201809526 T4 TR 201809526T4
Authority
TR
Turkey
Prior art keywords
target
plate
support
face
groove
Prior art date
Application number
TR2018/09526T
Other languages
English (en)
Inventor
Krassnitzer Siegfried
Hagmann Juerg
Kerschbaumer Joerg
Original Assignee
Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon filed Critical Oerlikon Surface Solutions Ag Pfaeffikon
Publication of TR201809526T4 publication Critical patent/TR201809526T4/tr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3435Target holders (includes backing plates and endblocks)
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34Sputtering
    • C23C14/3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3417Arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414Targets
    • H01J37/3423Shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3438Electrodes other than cathode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464Operating strategies
    • H01J37/3467Pulsed operation, e.g. HIPIMS
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3497Temperature of target

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Telescopes (AREA)
  • Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
  • Coating By Spraying Or Casting (AREA)
  • Nozzles (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Packaging For Recording Disks (AREA)

Abstract

Buluş, hem oda sıcaklığında hem de daha yüksek sıcaklıklarda, plakanın ve destek parçasının ısı genleşmesinden bağımsız olarak destek parçasında merkezleme yapan bir plaka ile ilgilidir, burada destek parçası daha yüksek sıcaklıklarda serbestçe genişlemektedir. Buluş, hedefin yüksek güçlü darbe mıknatısının püskürtülmesine ait bir kaplama kaynağı için çok uygun olan bir kasa şekilli hedef destek çerçevesine sahip bir hedef ile ilgilidir.

Description

TARIFNAME ARTAN PERFORMANS UYUMUNA SAHIP PÜSKÜRTME HEDEFI Mevcut bulus bir destek parçasina sahip bir plakayi içeren, plakanin destekleme parçasi içinde hem oda sicakliginda hem de daha yüksek sicakliklarda plakanin ve destek parçasinin isil genlesmesinden bagimsiz olarak merkezlendigi, ve plakanin destek parçasi içinde yüksek sicakliklarda serbestçe genlesebildigi bir plaka merkezleme sistemi ile ilgilidir. Mevcut bulus özellikle bir kaplama kaynaginda hedefin yüksek güçlü darbeli magnetron püskürtmesi için çok uygun olan kasa seklindeki hedef yatagina sahip bir hedef ile ilgilidir. Önceki Teknik Püskürtme islemlerini ekonomik olarak yürütmek yüksek güç yogunluklari gerekmektedir. Ancak bu arada püskürtme hedefinin sogutulmasi çok belirleyicidir.
Püskürtme hedefleri günümüzde ya dogrudan veya dolayli olarak sogutulmaktadir.
Dogrudan sogutulan bir hedef örnegin çizimlerde sekil 2'de sematik olarak sunulmustur: Hedef üst yüzeyinin (la) üzerinde püskürtme islemi için uygulanan güç hedef malzemesinin (lb) isi iletkenligine bagimli olarak isi iletimi sayesinde hedefin arka yüzüne (lc) aktarilmaktadir. Bir sogutma sivisi (genellikle su) sogutma sivisi kanali (5) (genellikle su kanali) içinden bir püskürtme kaynaginin ana gövdesinin (10) içinde akar ve isi akisini akis kosullarina uygun bir sekilde yönlendirmektedir. Hedefi (1) sabit bir sekilde su kanalina (5) baglamak için dogal olarak hedefin (1) ve püskürtme kaynaginin ana gövdesinin (10) içinden geçen civatalar (4) kullanilmaktadir. Bunun disinda suyun vakum haznesinin içine akmasinin engellemek için bir contayi (3) yerlestirmek de gerekmektedir. Bu türlü 37157.10 bir püskürtme hedefi sogutma donaniminin uzman kisi tarafindan bilinen bilesenleri sekil 2'de sunulmamistir.
Dolayli olarak sogutulmus bir heder örnegin çizim içinde sekil 3'te sunulmustur.
Bu durumda sogutma sivisi kanali (5) kapalidir, burada kapali sogutma plakasi denilen bir plaka Olusmaktadir. Hedef (1) kapali sogutma plakasiniii üzerine (örn vidalanarak veya kelepçelenerek), hedefin (1) arka yüzü (lc) sogutma üst yüzeyi ile temasa gelecek sekilde ve hedefin arka yüzünün (lc) sogutma üst yüzeyi üzerine bastirilmasi ile hedeften sogutma sivisina bir isi transferine olanak saglayacak veya destekleyecek sekilde monte edilmektedir. Bu türlü bir püskürtme hedefi sogutma plakasi donaniminin uzman kisi tarafindan bilinen bilesenleri sekil 2'de sunulmamistir.
Sogutma metoduna veya ekstrem güç yogunluklarina bagli olarak hedefin yüksek bir sicakligi söz konusu olabilmektedir ve hedef malzemesinin mekanik dayanimi yetersiz kalabilmektedir. Örnegin sekil 3'teki gibi bir sogutma plakasina sogutma plakasinin kenarinda civatalar ile fikse edilmis ve kati sogutma üst yüzeyine preslenmis alüminyum bir hedef durumu. Bir püskürtme hedefi sogutma plakasi donanimi içindeki püskürtme isleminden kaynaklanan isinmada, sekil 3`te sunuldugu gibi civatalarin sikilmasi ile sogutma plakasina isi transferinin kötülesmesine neden olan hedefin zarar görmesine yol açabilecek gerilmeler ve mekanik çarpikliklar ortaya çikana kadar hedefin genlesmesi gerçeklesebilmektedir. Bu sinir kosullari dikkate alinarak bir püskürtme hedefinde, örnegin alüminyumdan bir püskürtme hedefinde güç yogunlugu IOW/cm2 altindaki, mümkünse 5W/cm2 altindaki degerlerde limitlenmek mecburiyetindedir.
Hedefi sikistirmanin ve sogutmanin diger önemli bir metodu sekil 4'de verildigi gibi hareketli bir membrana sahip dolayli bir sogutmadir. Hedef, püskürtme kaynagi ana gövdesi (10) üzerinde uygun ekipmanlar (9) ile fikse edilmektedir 37157.10 (örn. kelepçeler, vidalar, süngüler ile). Içinden sogutma sivisinin (kural olarak su) akip geçtigi sogutma kanali (5) içinde hareketli membranin hedef arka yüzüne (lc) esit olarak baski yapan hidrostatik bir basinç hüküm sürmektedir. Bu türlü hareketli bir membran örnegin bir tür metal folyo olabilmektedir. Bu nedenle hareketli membrana sahip bu türlü sogutma plakasi donanimlari folyo sogutma plakasi donanimlari veya basit bir sekilde folyo sogutma plakalari olarak da tanimlanmaktadir.
Membran ile hedef arka yüzü arasinda azaltilmis bir isi transferi yüzeyi beklenecektir. Bu transfer yüzeyi örn. indiyumdan, kalaydan, grafitten yumusak bir geçme folyonun yerlestirilmesi ile iyilestirilebilmektedir. Örnegin ekstrem ince kendinden yapiskan bir karbon folyo hedef arak yüzüne veya membranin hedef numarali patent dokümaninda tarif edildigi gibi, optimal bir sekilde iyilestirmek için yapistirilabilmektedir.
Bununla birlikte bu metodun dezavantaji hedefin hidrostatik basinç ile bükülmeye maruz kalmasidir. Hedefin mekanik dayanimi ekstrem yüksek güç yogunluklarinda ve artan sicakliklarda bir bükülmeyi ve hedefin bunun sonucu zarar görmesini önlemeye yeterli degildir. Bayonetlerin hedefin sikilmasi ve fikslenmesi için bir dayanak olarak püskürtme kaynagin gövdesinde kullanilmasi halinde özellikle yeterli degildir. Örnegin kural olarak toz metalürjisi ile üretilen alüminyumdan ve titandan veya alüminyumdan ve kromdan hedefler 200°C üzerinde bir sicaklikta çok yumusak ve sünek olacaktir. Bunun sonucu 200 0C üzerinde sicakliklardaki bu türlü hedefler siklikla kuvvetle bükülmekte ve zarar görmektedir.
EP0512456 A1 numarali patent dokümaninda bir hedef plakasi merkezi ve/veya periferal bir bayonet baglanti parçasi sistemi vasitasiyla monte edilmekte veya sökülmektedir. Burada islem haznesinin çeperleri kullanilan hedef plakasina karsi folyo türündeki membranlar vasitasi ile kapatilan sogutma kanallarina sahip bir 37157.10 sogutma plakasini içermektedir. Sogutma akiskanina basinç uygulanmasi ile bayonet baglanti parçasi sistemi bahsedilen mebranlar vasitasi ile sikistirilmaktadir.
Mevcut bulusun amaci Mevcut bulusun amaci, bir sogutma plakasi donaniminin hareketli membran ile kullanimina olanak saglayan bir püskürtme kaynagi donanimini hazirlamaktir, burada hedef, sogutma plakasi cihazinin sogutma kanalindaki hidrostatik basincin etkisi ile yüksek sicakliklarda tahrip edilmeyecektir.
Mevcut bulusun açiklamasi Mevcut bulusun görevi, istem 1'de açiklandigi gibi, bir plaka merkezleme sistemine sahip bir kaplama kaynaginin olusturulmasi sayesinde çözümlenecektir.
Mevcut bulus dogrultusundaki plaka merkezleme sistemi, sekil 1`de sematik olarak gösterildigi gibi, bir destek parçasina sahip bir plakayi içermektedir, burada bir ön yüze (la), bir arka yüze (lc) ve ön yüzden arka yüze kadar uzanan bir kenar yüze (1d) sahip olan ve bir birinci isil genlesme katsayisina (oh) sahip bir birinci malzemeden (lb) imal edilen, destek parçasinin plakanin girisi için bir iç yüze (Ze) sahip kasa seklindeki bir plaka yatagi (2) içerdigi ve bir ikinci isil genlesme katsayisina (0t2) sahip bir ikinci malzemeden imal edildigi plaka (1): - oda sicakliginda plaka yataginin iç yüzünün (Ze) çevresinin plakanin (l) kenar yüzeyinin (ld) çevresinden daha büyük olmasi ile, bu sayede plakanin (l) merkezlenmis pozisyonda plaka yatagi (2) içinde plakanin kenar yüzeyi ile plaka çerçevesinin iç yüzü arasinda tanimlanmis bir aralik genisligine sahip bir araligin bulunmasi ile ve - kenar yüzeyinin, tercihen alt yüz (lc)'ye yakin olan kenar yüzeyinin (1d), 37157.10 kenar yüzeyi (1d) üzerinden disari dogru, tercihen plakanin kenar yüzeyi (1d)`ye paralel bir düzlem içinde uzanan ve plaka yataginin (2) iç yüzünde (Ze) karsilik gelen oluklari (2n) içten kavrayan bir veya daha fazla kilavuz olusumunu (If) içermesi ve/veya kenar yüzeyi (1d)'ni kenar yüzeyi (1d) üzerinden içeri dogru, tercihen plakanin arka yüzün yüzeyine paralel bir düzlem içinde uzanan ve plaka yataginin (2) iç yüzünde (Ze) karsilik gelen kilavuz olusumlarinin (2f) bunlari içten kavrayan bir veya daha fazla oluk (ln) içermesi ile, plaka merkezleme sisteminin bu türlü birbirini içten kavrayan en üç “kilavuz çikintisi-oluk” çifti içermesi ve her “kilavuz çikintisi-oluk” çifti için genis profillerin plakanin kenar yüzeyine tegetsel yönde ve uzun profillerin plakanin kenar yüzeyine dikey yönde, oda sicakliginda tegetsel yöndeki (SB) boslugunun dikey yöndeki (SL) boslugundan daha küçük olacak ve ayni anda (812 S) olacak sekilde eslesmesi ile ve çiftinde, bir olugun genisliginin merkezinin (MN) pozisyonunun, karsilik gelen kilavuz olusturmanin genisliginin merkezinin (MF) pozisyonu ile uyusacak sekilde dagitilmis olmasi ile ve bu pozisyonun oda sicakliginda plaka merkezinden (Pz) eksenel yönde bulunmasi, plakanin (1) veya plaka (1) ve plaka yataginin (2) daha yüksek sicakliklardaki bir isil genlesmeden sonra degismemis olarak plaka merkezinden (Pz) ayni eksenel yönde bulunmasi ve hem oda sicakliginda hem de plakanin (1) veya plaka (1) ve plaka yataginin (2) genlestigi daha yüksek sicakliklarda plaka yatagi (2) içindeki plakanin (1) en fazla (83) bosluguna kadar daima merkezlemis olarak plaka yatagi içinde sabitlenmis olmasi ile karakterize edilir.
Mevcut bulus dogrultusundaki bir plaka merkezleme sisteminde plaka malzemesinin lineer isil genlesme katsayisi tercihen destek parçasinin malzemesinin lineer isil genlesme katsayisindan daha büyüktür veya en azindan 37157.10 esittir, yani ocizaz, tercihen 0ti>0c2'dir.
Mevcut bulusun özellikle tercih edilen bir uygulama sekli destek parçali disk seklinde bir plakayi içeren bir “plaka-destek parçasi” sistemi ile ilgilidir, burada plakanin bir dis plaka kenarina sahip çevresinin uzun uzantilari boyunca dairesel bir üst yüzeye sahip oldugu ve plakanin malzemesinin bir birinci isil genlesme katsayisina ((xi) sahip oldugu ve destek parçasinin çevresinin uzun uzantilari boyunca bir iç destek parçasi siniri ile sinirlanan dairesel bir açikliga sahip oldugu ve destek parçasinin malzemesinin bir ikinci isil genlesme katsayisina (a2) sahip oldugu sistem; - oda sicakliginda destek parçasinin açikliginin çevresinin plakanin üst yüzeyinin çevresinden daha büyük olmasi ile, bu sayede plakanin merkezlenmis durumunda destek parçasinin açikligi içinde bir araligin tanimlanmis bir aralik genisligi (S) ile plaka kenari ile destek parçasinin iç kenar sinirlamasi arasinda bulunmasi ile ve - 0t2<0c1 olmasi ile ve - plaka kenarinin bir veya birden fazla olusumu içermesi, daire seklindeki üst yüzeyin merkez noktasindan bakildiginda radyal yönde plaka kenar üst yüzeyinden baslayarak çikinti uzantilari boyunca uzanan ve karsilik gelen girintilerin içini destek parçasinin sinirinin girinti uzantilari ile içten kavrayan ve/veya plaka kenarindan bakildiginda daire seklindeki üst yüzeyin merkez noktasi yönünde girinti uzantilari boyunca uzanan ve karsilik gelen çikintilarin destek parçasinin çikinti uzantilari ile bunlari içten kavrayan bir ve/veya daha fazla girintiyi içermesi ile - “plaka-destek parçasi” sisteminin birbirini içten kavrayan en azindan üç girinti-çikinti çiftini içermesi ile ve girinti-çikinti çiftleri için uzunluklarin oda sicakliginda girintilerin her birinin 37157.10 en fazla büyüklügü bosluk genisligi (S)'nin büyüklügüne karsilik gelen radyal bir mesafeye ((1) kadar girintiyi içten kavrayacak sekilde seçilmis olmasi, ve girinti-çikinti çiftleri için tegetsel yönde genis profillerin, girintinin karsilik gelen çikinti için boslugunun (sp) (sp = SB) tegetsel yönde (S)'den küçük olan kilavuz rayi olarak hareket edebilecegi sekilde birbiri ile eslesmesi ile ve bu sayede hem oda sicakliginda hem de plakanin destek parçasindan daha güçlü genlestigi daha yüksek sicakliklarda genlesen plakanin en fazla boslugun (sp) daima merkezlenmis olarak destek parçasi içinde sabitlenmis olmasi ile karakterize edilmektedir.
Genlesme katsayisi veya isil genlesme katsayisi bir maddenin sicaklik degisimlerinde boyutlarinin degisimi ile ilgili karakteristik bir degerdir, bu nedenle siklikla isil genlesme katsayisi olarak da tanimlanmaktadir. Burada sorumlu olan etki isil genlesmedir. Isil genlesme kullanilan maddeye baglidir, yani maddeye özel bir malzeme katsayisidir. Isil genlesme bir çok maddede tüm sicaklik araliklari boyunca esit olarak gerçeklesmedigi için isil genlesme katsayisinin kendisi de sicakliga baglidir ve bu nedenle belirli bir referans sicakligi veya belirli bir sicaklik araligi için verilmektedir.
(Lineer isil genlesme katsayisi da denilen) isil uzunluk genlesme katsayisi (Ot) ile (mekansal genlesme katsayisi veya hacimsel genlesme katsayisi ya da kübik genlesme katsayisi da denilen) isil mekânsal genlesme katsayisi (y) arasinda ayirt edilecektir. göreceli uzunluk degisimi (dL/L) arasindaki oransallik katsayisidir. Bununla bu nedenle bir sicaklik degisimindeki göreceli uzunluk degisimi tarif edilmektedir.
K-l (Kelvin basina) birimine sahip olan maddeye özel bir büyüklüktür ve su denklem ile tanimlanir: 0t=1/L°dl/dT, denklem basitlestirilmis olarak Lfinal , Linitial 37157.10 Daha sonra örnegin plakanin plakanin üst yüzeyinin belirli bir yönünde maksimum bir kullanim sicakliginda hangi uzunluga sahip olabilecegi hesaplayabilirdi. Benzer sekilde destek parçasinin isil genlesmesinden sonraki boyutlari hesaplanabilirdi. Böylece plaka ile destek parçasi arasinda plakanin serbest isil genlesmesini destek parçasi içinde maksimum kullanim sicakligina kadar saglamak için hangi aralik genisliklerine gerek oldugu da hesaplanabilmektedir.
Bu türlü bir hesaplama örnegin Lit-imi a Ot. ° Liinmai ° ATI oldugunu kabulü ile gerçeklesebilir, burada (Llf'inal) plakanin bir (Tüm) sicakliginda (örnegin plakanin maksimum kullanim sicakliginda) belirli bir yönde uzunlugu (disk seklindeki bir plaka durumunda çap), (on) plakanin sicaklik kullanim araliginda lineer isil genlesme katsayisi, (Liinmal) plakanin ayni yöndeki, fakat bir (Tinitiui) sicakligindaki (örnegin oda sicakligindaki) uzunlugu ve (TI-mi) sicakliginda, ancak destek parçasinin seklinin ve boyutlarinin ve de destek parçasinin malzemesinin lineer isil genlesme katsayisi dikkate alinarak destek parçasinin boyutlarinin hesaplanmasi için de benzer sekilde gerçeklesebilmektedir.
Plaka ile destek parçasi arasindaki açikligin genislikleri tercihen plakanin destek parçasi içinde en azindan 450 °C bir sicakliga kadar, tercihen en azindan 500 0C bir sicakliga kadar, daha da tercihen en azindan 650 °C bir sicakliga kadar serbestçe genlesebilmektedir.
Plaka içindeki girintiler ve/veya çikintilar tercihen esit uzaklikta dagitilmaktadir. bir bölümü içermektedir.
Mevcut bulusun tercih edilen bir uygulama sekli dogrultusunda plaka yildiz seklinde monte edilmis kilavuzlari içeren disk seklinde bir hedef olabilmektedir, burada her iki kilavuz hedef merkezinde bulunan ortak bir eksene sahiptir ve destek parçasinin yildiz seklindeki uygun oluklarinin içine çikinti yaparlar, 37157.10 örnegin destek plakasi bir sogutma plakali donaniminin parçasidir. Böylece hedef bulus dogrultusundaki hedef sogutma plakasi tasarimi sayesinde sicakliktan bagimsiz olarak sogutma plakasi üzerinde merkezlenmektedir. Böylece hedef tarafinda bir anot halkasinin kullanim durumunda hedef ile anot halkasi arasindaki aralik konsantrik olarak kalabilir veya bulus dogrultusunda konsantrik olarak tutulabilmektedir.
Bu sayede katot olarak çalisan hedef ile anot halkasi arasinda arzu edilmeyen bir temas nedeni ile ortaya çikabilecek kisa devreler engellenmektedir.
Bu sayede de bir sogutma plakali donanimda hedef ile hedef destek parçasi arasindaki (örn. hedef ile hedef destek halkasi arasindaki) destek yüzeyi konsantrik olarak kalir ve folyolu sogutma plakalarinin kullaniminda hedef içinde esit gerilimler ortaya çikmaktadir. Deste yüzeyi böylece minimize edilebilmektedir. Sogutma plakasi içindeki, içine hedefin dillerinin çikinti yaptigi, girintilerin yerine hedef içinde girintiler öngörmek ve sogutma plakali donanimin giris parçasini, örnegin hedef destek halkasini, içeri dogru çikinti yapan ve sekil 'te gösterildigi gibi hedefin girintilerini içten kavrayan çikintilar ile uygulamak da mümkündür. Özel bir avantaj mevcut bulusun mevcut sogutma plakalarindaki kullanimda ortaya çikar, burada hedef ile sogutma plakasi arasindaki çok az bir aralik bir ara halkanin kullanimi ile büyütülebilmektedir. Hedef bir ara halkanin içine ve bu daha sonra sogutma plakasinin üzerine monte edilirse hedef ile sogutma plakasi arasindaki toplam bosluk (aralik 1 ve 2) ve bununla birlikte uygulanan güç sekil 6'da gösterildigi gibi artabilmektedir.
Mevcut bulusun tercih edilen bir uygulama sekli dogrultusunda bulus dogrultusundaki plaka merkezleme sistemi, plakanin (1) bir hedef (1), destek parçasinin (2) bir hedef tasiyici ve kasa seklindeki plaka yataginin (2) hedefin (l) girisi için kasa seklinde bir hedef yatagi (2) oldugu bir hedef merkezleme 37157.10 sistemidir.
Mevcut bulus dogrultusundaki hedef tercihen bir üst yüzü (la), bir alt yüzü (lc) ve bir dis yüzü (1d) içerir, burada hedefin üst yüzü veya ön yüzü bir birinci yüzey olarak, hedefin alt yüzü veya arka yüzü bir ikinci yüzey olarak ve hedefin dis yüzü veya dis kenar yüzeyi üst yüzden alt yüze kadar uzanan üçüncü bir yüzey olarak tanimlanmaktadir.
Kasa seklindeki hedef yatagi (2) kilavuz çikintilari (2f) ve/veya oluklar (2n) ile donatilmis bir iç yüzü (Ze) içerir, kilavuz çikintilarinin (2f) her biri iç yüz (Ze) boyunca içeri dogru uzanir ve/veya oluklarin (2n) her biri iç yüz (Ze) boyunca disari dogru uzanmaktadir.
Hedefin kenar yüzeyi (1d) benzer sekilde tercihen yüzey bölümü (1d) alt yüze (lc) yakin kilavuz çikintilari (lf) ve/veya oluklar (ln) ile donatilmistir, burada kilavuz çikintilarinin (If) her biri kenar yüzeyi (1d) boyunca disari dogru, prensip olarak tercihen ikinci yüzeye (le) paralel uzanirlar ve/veya oluklarin (I 11) her biri kenar yüzeyi (1d) boyunca disari dogru, prensip olarak tercihen ikinci yüzeye (lc) paralel uzanmaktadirlar.
Hedefin desteklenmesi için, hedef hedef yataginin üzerine yerlestirildiginde hedefin ve/veya hedef yataginin her birinin kilavuz çikintilarinin, hedefin ve/veya hedef yataginin her birinin karsi gelen oluklarinin içine geçmeleri için, birbirinden aralikli en azindan üç kilavuz çikintisi ve/veya oluk hedefin ve hedef yataginin her birinde yer almaktadir.
Kilavuz çikintilari ve/veya oluklar, her “kilavuz çikintisi-oluk” çiftinde olugun genisligi ve uzunlugu karsilik gelen kilavuz çikintisinin genisliginden ve uzunlugundan daha büyüktür.
Tüm oluklar tercihen ayni sekle ve ayni boyutlara sahiptir ve kilavuz çikintilarin tümü de ayni sekle ve ayni boyutlara sahiptir. 37157.10 genisliginin merkezinin pozisyonu, karsilik gelen kilavuz çikintisinin genisliginin merkezinin pozisyonu ile örtüsecek sekilde dagitilmistir ve bu pozisyon, oda sicakliginda hedef merkezden geçen eksenel bir yönde yer alacak sekilde ve hedefin ve/veya hedef yataginin daha yüksek sicakliklarda isil genlesmesinden sonra hedef merkezinden geçen ayni eksenel yönde degismeden kalacagi sekilde seçilmistir.
Hedef belirli bir sekle sahip olabilmektedir, örnegin yuvarlak, dikdörtgen, üçgen veya oval bir püskürtme hedefi olabilmektedir.
Kasa seklindeki hedef yatagi tercihen hedefi, örnegin püskürtme hedefini kolaylikla yataklanacak sekilde içine alan özel, sert ve sicakliga dayanikli bir çeliktendir.
Kasa seklindeki hedef yatagi ile püskürtme hedefi arasindaki boyutsal toleranslar sicaklik artisinda mekanik stres olusturmadan bir genlesmeye olanak saglamaktadirlar.
Mevcut bulusun tercih edilen bir uygulama sekli dogrultusunda hedef disk seklindedir.
Mevcut bulusun tercih edilen bir uygulama sekli dogrultusunda kasa seklindeki hedef yatagi bir tasiyici halkadir.
Mevcut bulus dogrultusundaki bir tasiyici halka bir üst yüzü (Za), bir alt yüzü (20) bir iç yüzü (26) ve bir dis yüzü (2d) içerir, burada tasiyici halka (2) hedefin bir püskürtme kaynagi parçasina (10) monte edilmesine hizmet eder ve bu arada destek halkasinin iç yüzü (Ze) en azindan kismen hedefin dis yüzünü (1d) çevrelemektedir. 37157.10 Destek halkasi iç yüzünde bir merkezleme fonksiyonunu yerine getiren en azindan üç kilavuz olugundan veya kilavuz muylusundan çok sayida içermektedir.
Benzer sekilde hedef dis yüzünde radyal “kilavuz kulaklari”m veya “kilavuz 01uk1ari”ni içerir, bu sayede hedefin tasiyici halka içinde kilavuzlanmasi her zaman merkezlenmistir.
Destek halkasinin iç yüzüne ters çok sayida girinti ve/veya uzanti hedefin dis yüzündeki kilavuz muylularina ve/veya kilavuz oluklarina uygun bir sekilde hedefi destek halkasinin içinde merkezlerler ve hedefin dis yüzü ile destek halkasinin iç yüzü arasindaki bosluk uzunluk ve genislik degisimlerinin her yöne gerçeklesebilecegi sekilde seçilmistir.
Hedef tercihen önce destek halkasi içine yerlestirilir ve böylece ilgili “kilavuz muylusu-girinti” çifti ve/veya “kilavuz olugu-uzatma” çifti sabitlenir ve gerekli ise hedefin destek halkasina mekanik olarak fikslenmesi için bir sabitleme klipsi kullanilmaktadir. Bir yayli rondela örnegin sabitleme klipsi olarak bu baglamda çok uygun olabilmektedir.
Mevcut bulus çerçevesinde bir destek halkasi bir “ara halka” olarak görülebilir ve bu nedenle ara halka olarak tanimlanir, çünkü hedef ile püskürtme kaynagi parçasi arasinda pozisyonlanmaktadir.
Püskürtme kaynagi parçasi tercihen hedefin sogutulmasi için hareketli membrana sahip kapali sogutma plakasi türünün bir sogutma donanimini içerir ve böylece çok iyi bir sogutma etkisi veya iyi bir isi transferi hedef arka yüzüne bastiran hareketli membran vasitasi ile saglanabilmektedir.
Püskürtme kaynagi parçasi hareketli membranli bir sogutma plakali donanim içerirse, ara halkanin çok sert, sicakliga dayanikli ve manyetik olmayan bir çelikten imal edilmesi özellikle avantajdir. Bu sekilde ara halkanin ve buna bagli 37157.10 olarak hedefin hareketli membrani esit bir sekilde hedef arka yüzüne bastiran hidrostatik basinç nedeni ile olusabilecek bükülmesi engellenmektedir.
Destek halkasi örnegin 1.3974 gibi sicakliga dayanikli bir çelikten ve 1 saat süreyle 1020 ° C'de tavlanmis bir çözeltiden geçirilmektedir.
Destek halkasi tercihen dis yüzünde, zaten destek halkasi içine alinmis hedefin mevcut bulus dogrultusunda püskürtme kaynagi parçasi içine montajini veya püskürtme kaynagi parçasi içinden sökülmesini kolaylastiracak bir bayonet içermektedir.
Bir püskürtme hedefi içinde isi transferinin iyilestirilmesi ve bunun sonucu olarak isi yükünün azaltilmasi ve güç yogunlugunun yükseltilmesi için püskürtme bahsedildigi gibi tercihen bir karbon folyo yapistirilmaktadir.
Mevcut bulus dogrultusunda bir hedef-hedef yatagi-püskürtme kaynagi parçasi sisteminin kullanimi ile hedefler hem düsük püskürtme güç yogunluklari ile, örnegin > 0 W/cm2 ile < 50 W/cm2 araliginda hem de düsük püskürtme güç yogunluklari ile, örnegin 50 W/cm2 ile < 100 W/cm2 araliginda çalistirilabilmektedir.
Hedefin dis yüzü ile destek halkasinin iç yüzü arasindaki mesafe toleransi mevcut bulus dogrultusunda farkli genlesme katsayilarina (al ve on) sahip farkli malzemelerin (1 ve 2) yüzdesel genlesmesi hesaplanacak sekilde seçilmelidir. Örnegin A1 veya Ti gibi tipik kaplama malzemesinden olusan hedef ile 1.3974 çelikten bir destek halkasinin bir kombinasyonu için, yukarida tarif edildigi gibi, bir mesafe toleransi seçilebilmektedir.
Yani bu türlü bir sistem için ve hedefin 150 mm bir çap için mevcut bulus dogrultusunda 0.5 mm radyal bir mesafe toleransi (5/2) seçilebilirdi, bu sonuçta 37157.10 çap olarak 1 mm'lik bir mesafe toleransi (S) yaklasik olarak % 0.7'ye karsilik gelmektedir. Radyal mesafe toleransi (3/2) bu baglamda tercihen 0.1 mm ile 5 mm arasindadir, (SIZ) daha tercihen 0.3 mm ile 1 mm arasindadir ve (8/2) özellikle tercihen yaklasik 0.5 mm'dir.
Hedef, kilavuz çikintilari ile bulus dogrultusunda donatilmis ise, kilavuz çikintilari tercihen hedefin imal edildigi ayni malzemedendir.
Destek halkasi, kilavuz çikintilari ile bulus dogrultusunda donatilmis ise, kilavuz çikintilari tercihen destek halkasinin imal edildigi ayni malzemedendir.
Mevcut bulusun tercih edilen bir uygulamasi dogrultusunda hedefin ön yüz yüzeyi düz degildir.
Mevcut bulusun tercih edilen diger bir seçenegi dogrultusunda hedefin ön yüz yüzeyi hedefin arka yüz yüzeyinden daha büyüktür.
Bir PVD kaplamasi için malzeme kaynagi olarak sunlari içeren bir kaplama kaynagi açiklanmistir; a) bir destek parçasi içine yerlestirilmis ve bir plaka ön yüzüne ve bir plaka arka yüzüne sahip plaka ve merkezleme için ekipmanlar, burada plaka ön yüzü, üst yüzeyin PVD islemi esnasinda tabaka malzemesinden gaz fazina geçmek için öngörülmüstür ve merkezleme araci merkezlemenin farkli plaka sicakliklarinda saglanabilecegi sekilde tasarlanmistir, b)plaka arka yüzünde öngörülmüs ve hareketli membran olarak tasarlanmis kapali bir sogutma plakasina sahip sogutma donanimi, burada plaka arka yüzü ile membran arasinda iyi bir isi temasinin saglanmasi için plaka arka yüzüne kendinden yapiskan bir grafit folyo yapistirilmistir, 37157.10 burada destek parçasinda ve sogutma donaniminda bir bayonet baglanti parçasi elemanlari öngörülmüstür ve böylece destek parçasi merkezlenmis plaka ile sogutma donanimina bir bayonet baglanti parçasi vasitasi ile fikslenmistir.
Kaplama kaynaginda plakanin malzemesi bir birinci isil genlesme katsayisina (on) sahip olabilir ve destek parçasinin malzemesi bir ikinci isil genlesme katsayisina ((12) sahip olabilir, burada: OL1>CX2 geçerlidir.
Kaplama kaynaginda destek parçasi plaka arka yüzünün kenar bölgesinde plakanin yüzeysel yerlestirilmesi için bir dayanak parçasi içerebilir ve destek parçasi plaka ön yüzü üstünde bir kanali içerir ve böylece plakanin destek parçasinin içine yerlestirilmesi, bunu orada kanal içine mandallanan tutturma halkasi vasitasi ile fikse edilebilmektedir.
Kaplama kaynaginda destek halkasi sert, sicakliga dayanan, manyetik olmayan çelikten, tercihen dövülmüs ve 1 saat süreyle 1020°C'de tavlanmis bir çözeltiden geçirilmis bir 1.3974 çelikten imal edilmektedir.
Kaplama kaynaginda bir gerilim kaynaginin baglantisi için hedefin bir elektroda karsi negatif potansiyele ayarlanmasina olanak saglayan ekipmanlar öngörülebilir ve böylece hedef katot olarak ve elektrot anot olarak kullanilabilmektedir.
Anot hedef etrafinda yer alabilir ve anot halkasi olarak tasarlanabilmektedir.
Bir PVD sistemi en azindan yukarida tarif edilen gibi bir kaplama kaynagi ile açiklanmistir.
Hareket“ membi'an Sogutma akiskanina sahip sogutma kanali An Halka SogunmPlaka

Claims (7)

ISTEMLER
1. Bir PVD kaplamasi için malzeme tedariki olarak bir kaplama kaynagi olup, asagidakileri içermektedir a) bir destek parçasi, ve bir plaka ön yüzüne (la), bir plaka arka yüzüne (lc) ve bir merkezleme aracina sahip, destek parçasi içine yerlestirilmis bir plaka; destek parçasi, plakanin (l) yerlestirilmesi için çerçeve seklindeki bir plaka yatagina (2) sahiptir, plaka (1) bir hedeftir, ve plaka ön yüzü (la), PVD islemi esnasinda yüzeyden kaplama malzemesinin gaz fazina dönüstürülmesi için saglanmaktadir ve merkezleme araci, merkezlemenin farkli plaka sicakliklarinda saglanabilecegi sekilde tasarlanmaktadir, b) plaka arka yüzünde (lc) bulunan bir sogutma cihazi, bir sogutma kanali (5) ve hareketli bir membran olarak tasarlanan kapali bir sogutma plakasi ile donatilmaktadir; plaka arka yüzü ( 10) ve membran arasinda iyi bir termal temasin saglanmasi amaciyla, kendinden yapiskanli bir grafit film plaka arka yüzüne (lc) yapistirilmaktadir; burada bir bayonet baglanti parçasinin elemanlari, destek parçasi ve sogutma cihazinin üzerinde bulundurulmaktadir, böylelikle merkezlenmis plakaya sahip destek parçasi, bayonet baglanti parçasi vasitasiyla sogutma cihazina takilmaktadir, burada: 0 hedefin (l) desteklenmesi için, birbirinden aralikli olan en az üç kilavuz çikintisi (If, 20 ve/veya oluk (ln, 2n), sirasiyla hedef (1) ve hedef yataginda (2) bulundurulmaktadir; hedefin (l) hedef yataginin (2) üzerine yerlestirilmesi durumunda, hedefin (l) ve/veya hedef yataginin (2) kilavuz çikintilarinin (if, 2f), hedef yataginin (2) ve/veya hedefin (1) ilgili oluklari (ln, 2n) içinde tutulmasi için hedefin (1) ve/veya hedef yataginin (2) kilavuz çikintilari (If, 20, hedef yataginin (2) ve/veya hedefin (l) oluklari (ln, 2n) ile “kilavuz çikintisi-oluk” çiftleri olusturmaktadir, - “kilavuz çikintisi-oluk” çiftleri (lf, ln; 2f, 2n), her bir “kilavuz çikintisi-oluk” çiftinde (lf, In; 2f, 2n), olugun (ln, 2n) genislik merkezinin pozisyonu, ilgili kilavuz çikintisinin (lf, 21°) genislik merkezinin pozisyonuna denk gelecek sekilde dagitilmaktadir ve bu pozisyon, oda sicakliginda hedef merkezinin eksenel yönünde konumlandirilmak üzere seçilmektedir, ve plakanin (1) ve/veya plaka yataginin (2) daha yüksek sicakliklardaki bir isil genlesmesinden sonra bu pozisyon, hedef merkezin ayni eksenel yönünde degismemis olarak kalmaktadir, - plaka (l) malzemesi, bir birinci isil genlesme katsayisina (oci) sahiptir ve destek parçasi malzemesi, bir ikinci isil genlesme katsayisina (OCZ) sahiptir, burada: 0L1>0t2.
2. Plaka arka yüzünün kenar bölgesinde, destek parçasinin, plakanin yassi sekilde desteklenmesi için bir dayanak parçasina sahip olmasi ve plaka ön yüzü üzerinde, destek parçasinin bir kanali içermesi, böylelikle plaka destek parçasinin içine yerlestirildikten sonra, kanal içine tutturulan bir tutturma halkasi vasitasi ile buraya takilabilmesi ile karakterize edilen, istem l'e göre kaplama kaynagi.
3. Destek halkasinin, sert, isil kararliliga sahip, manyetik olmayan bir çelikten, tercihen dövülmüs ve bir saat süreyle 10200C'deki bir çözeltiyle tavlanmis 1.3974 çelikten meydana getirildigi, önceki istemlerden birine göre kaplama kaynagi.
4. Kaplama kaynaginin, bir voltaj kaynagina baglantinin gerçeklestirilmesi amaciyla, hedefin bir katot olarak kullanilabilmesi ve elektrotun bir anot olarak kullanilabilmesi için bir elektrota göre hedefe bir negatif potansiyelin uygulanmasini mümkün kilan araçlar ile donatildigi, önceki istemlerden birine göre kaplama kaynagi.
5. Anodun hedef etrafinda konumlandirildigi ve bir anot halkasi olarak 5 tasarlandigi, istem 4`e göre kaplama kaynagi.
6. Kaplama kaynaginin, yüksek güçlü darbeli magnetron püskürtmesi için uygun oldugu, önceki istemlerden birine göre kaplama kaynagi. 10
7. Önceki istemlerden birine göre en azi bir kaplama kaynagina sahip bir PVD
TR2018/09526T 2013-04-08 2014-04-07 Artan performans uyumuna sahip püskürtme hedefi. TR201809526T4 (tr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361809524P 2013-04-08 2013-04-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TR201809526T4 true TR201809526T4 (tr) 2018-07-23

Family

ID=50486885

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TR2018/09526T TR201809526T4 (tr) 2013-04-08 2014-04-07 Artan performans uyumuna sahip püskürtme hedefi.

Country Status (21)

Country Link
US (2) US9536714B2 (tr)
EP (2) EP2984673B1 (tr)
JP (2) JP6360884B2 (tr)
KR (2) KR102190319B1 (tr)
CN (2) CN105210169B (tr)
AR (2) AR096021A1 (tr)
BR (2) BR112015025747A2 (tr)
CA (2) CA2908892C (tr)
ES (1) ES2675332T3 (tr)
HK (2) HK1214403A1 (tr)
HU (1) HUE038784T2 (tr)
IL (2) IL241980B (tr)
MX (2) MX350171B (tr)
MY (2) MY178843A (tr)
PH (2) PH12015502328B1 (tr)
PL (1) PL2984674T3 (tr)
RU (2) RU2665058C2 (tr)
SG (3) SG11201508311VA (tr)
TR (1) TR201809526T4 (tr)
TW (2) TW201443258A (tr)
WO (2) WO2014166621A1 (tr)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10435784B2 (en) 2016-08-10 2019-10-08 Applied Materials, Inc. Thermally optimized rings
CN110892502B (zh) 2017-06-01 2022-10-04 欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔 用于脆性材料的安全经济蒸发的靶组件
CN108130516A (zh) * 2018-01-03 2018-06-08 梧州三和新材料科技有限公司 一种使用泡沫金属增强冷却的真空镀阴极靶
US11600517B2 (en) * 2018-08-17 2023-03-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Screwless semiconductor processing chambers
CN110066980A (zh) * 2019-05-31 2019-07-30 德淮半导体有限公司 环状靶材部件、半导体工艺设备及其工作方法
JP2023505717A (ja) * 2019-12-13 2023-02-10 エヴァテック・アーゲー Pvd源のガスリング

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5724890Y2 (tr) * 1979-10-31 1982-05-29
EP0393344A1 (de) * 1989-04-20 1990-10-24 Balzers Aktiengesellschaft Haltevorrichtung für Targets von Zerstäubungsquellen und Verfahren zum Festhalten eines Targets in einer Halterung
DE4015388C2 (de) * 1990-05-14 1997-07-17 Leybold Ag Kathodenzerstäubungsvorrichtung
KR100231397B1 (ko) * 1991-01-28 1999-11-15 튜그룰 야사르 음극 스퍼터링용 타겟
DE9102052U1 (tr) * 1991-02-21 1991-06-13 Hauzer Holding B.V., Venlo, Nl
JP3030921B2 (ja) * 1991-05-01 2000-04-10 日新電機株式会社 イオン源の引出し電極装置
DE59208623D1 (de) * 1991-05-08 1997-07-24 Balzers Hochvakuum Verfahren zur Montage bzw. Demontage einer Targetplatte in einem Vakuumprozessraum, Montageanordnung hierfür sowie Targetplatte bzw. Vakuumkammer
DE4133564C2 (de) * 1991-10-10 1999-11-18 Leybold Ag Vorrichtung zur lösbaren Befestigung eines Targets oder Targetgrundkörpers auf der Kathodenhalterung
RU2037559C1 (ru) * 1992-08-10 1995-06-19 Волин Эрнст Михайлович Способ нанесения покрытий на изделия методом ионного распыления и устройство для его осуществления
GB2318590B (en) * 1995-07-10 1999-04-14 Cvc Products Inc Magnetron cathode apparatus and method for sputtering
DE19535894A1 (de) 1995-09-27 1997-04-03 Leybold Materials Gmbh Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung
US6217832B1 (en) * 1998-04-30 2001-04-17 Catalytica, Inc. Support structures for a catalyst
JP4251713B2 (ja) * 1999-05-21 2009-04-08 株式会社アルバック スパッタ装置
US6589352B1 (en) 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit
JP4101524B2 (ja) * 2002-02-05 2008-06-18 芝浦メカトロニクス株式会社 成膜装置
JP2010116605A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Fujikura Ltd ターゲット保持装置、ならびにこれを用いた成膜装置および成膜方法
JP2011165964A (ja) * 2010-02-10 2011-08-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法
DE102012006717A1 (de) 2012-04-04 2013-10-10 Oerlikon Trading Ag, Trübbach An eine indirekte Kühlvorrichtung angepasstes Target

Also Published As

Publication number Publication date
EP2984673B1 (de) 2020-03-11
PL2984674T3 (pl) 2018-10-31
EP2984673A1 (de) 2016-02-17
RU2665058C2 (ru) 2018-08-28
SG11201508324VA (en) 2015-11-27
IL241980B (en) 2020-08-31
AR096021A1 (es) 2015-12-02
CN105324830A (zh) 2016-02-10
KR102234454B1 (ko) 2021-04-01
TW201443263A (zh) 2014-11-16
MY185549A (en) 2021-05-19
BR112015025749A2 (pt) 2017-07-18
EP2984674A1 (de) 2016-02-17
PH12015502338B1 (en) 2016-02-22
JP6655531B2 (ja) 2020-02-26
KR20150139555A (ko) 2015-12-11
WO2014166621A1 (de) 2014-10-16
JP2016514771A (ja) 2016-05-23
ES2675332T3 (es) 2018-07-10
MX2015014209A (es) 2016-05-10
CA2908892C (en) 2021-08-24
RU2665059C2 (ru) 2018-08-28
JP6360884B2 (ja) 2018-07-18
AR099253A1 (es) 2016-07-13
SG10201708186QA (en) 2017-11-29
SG11201508311VA (en) 2015-11-27
RU2015147496A (ru) 2017-05-16
CN105210169B (zh) 2017-04-19
BR112015025747A2 (pt) 2017-07-18
HK1219562A1 (zh) 2017-04-07
RU2015147497A (ru) 2017-05-16
JP2016519719A (ja) 2016-07-07
TW201443258A (zh) 2014-11-16
MX2015014210A (es) 2016-05-05
CN105210169A (zh) 2015-12-30
HUE038784T2 (hu) 2018-11-28
US9564300B2 (en) 2017-02-07
KR102190319B1 (ko) 2020-12-14
CA2908892A1 (en) 2014-10-16
US20160064201A1 (en) 2016-03-03
PH12015502328A1 (en) 2016-02-22
MY178843A (en) 2020-10-20
CA2908897A1 (en) 2014-10-16
CA2908897C (en) 2023-03-14
PH12015502328B1 (en) 2016-02-22
KR20150139556A (ko) 2015-12-11
PH12015502338A1 (en) 2016-02-22
US20160071706A1 (en) 2016-03-10
MX350171B (es) 2017-08-28
EP2984674B1 (de) 2018-06-06
HK1214403A1 (zh) 2016-07-22
IL241979B (en) 2020-07-30
MX350172B (es) 2017-08-28
WO2014166620A1 (de) 2014-10-16
US9536714B2 (en) 2017-01-03
CN105324830B (zh) 2017-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TR201809526T4 (tr) Artan performans uyumuna sahip püskürtme hedefi.
JP3400516B2 (ja) ターゲット陰極装置
SG152231A1 (en) Plasma confinement ring assemblies having reduced polymer deposition characteristics
BR112019025350A2 (pt) Conjunto de alvo para evaporação segura e econômica de materiais quebradiços
JP5910150B2 (ja) プラズマ処理用マグネトロン電極
TW202103234A (zh) 罩幕結構和fcva設備
US9368331B2 (en) Sputtering apparatus
CN104928632A (zh) 一种阴极电弧源
JP5827344B2 (ja) 処理装置およびシールド
US20150139794A1 (en) Counter plate and turbo machine comprising a counter plate
EP2487275B1 (en) Composite shielding
US20180144913A1 (en) Tubular target
US20130042812A1 (en) Composite shielding
JP2635362B2 (ja) ターゲットユニット
WO2013093503A2 (en) Mount for optical element of a laser
KR102367377B1 (ko) 애노드 냉각 기능이 개선된 이온 빔 발생장치
KR20140126519A (ko) 스퍼터링 장치
JP2018109206A (ja) ガスフロースパッタリング装置及びスパッタリングターゲット原料の製造方法