JP3400516B2 - ターゲット陰極装置 - Google Patents
ターゲット陰極装置Info
- Publication number
- JP3400516B2 JP3400516B2 JP00471694A JP471694A JP3400516B2 JP 3400516 B2 JP3400516 B2 JP 3400516B2 JP 00471694 A JP00471694 A JP 00471694A JP 471694 A JP471694 A JP 471694A JP 3400516 B2 JP3400516 B2 JP 3400516B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- pan
- cathode device
- diaphragm
- cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3497—Temperature of target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
極形状を備えた陰極スパッタリング装置用のターゲット
陰極装置であって、ターゲット本体が、解離可能な固定
装置を用いて冷却系に連結可能である形式のものに関す
る。
に、被膜を形成される基板を製造するために製造工場に
おいて見られるような、陰極スパッタリング装置の連続
運転は、ターゲット本体へのイオンの連続的な衝突を余
儀なくされており、そしてこれによって生ぜしめられる
ターゲット本体のスパッタリングは、ターゲットの規則
的な交換を必要とする。しかしながらこれによって生ぜ
しめられる中断時間は、このような機械の経済的な負荷
を考慮した場合、可能な限り短く保たれねばならない。
しかもこのために行われるターゲット交換作業は、しば
しば次のことによって、すなわち、ターゲット本体が被
膜形成プロセス中における冷却のために冷却系と直接接
触していることによって、困難になり、ひいてはこのよ
うにターゲット本体と冷却系とが直接接触していること
によって、ターゲット交換時に冷却系が多くの場合露出
されねばならず、そして時間のかかる清浄作業を必要と
する。
な衝突に基づいて不可欠である。それというのはこの場
合ターゲット本体は、高い熱負荷に常にさらされている
からである。ターゲット材料の脆弱化及び過熱に対する
処置を施すためには、ターゲット本体と冷却系との間に
おける特に良好な熱伝達を配慮することが必要である。
このことは例外なく次のことによって、すなわちターゲ
ット本体がその下面において全面的に冷却面と接触して
いて、そして該冷却面の下面に冷却液が供給されている
ことによって、行われる。
との間に中間プレートを有しており、この中間プレート
はしかしながらターゲット交換時にターゲットと一緒
に、冷却系から取り外されねばならないので、冷却通路
は剥き出しになり、設けられているシール部材の交換も
しくは清浄が必要である。したがってターゲット本体の
交換は、同時に冷却系への干渉をも意味しており、これ
によって付加的な作業コストは膨大なものになる。さら
に組立て時には冷却系におけるシール性に問題の生じる
おそれが多分にあるので、申し分のない運転再開を保証
するためには、水密検査及び真空密検査を行う必要があ
る。
パッタリング装置におけるターゲット交換にだけ関連し
ているのではなく、構造的な所与性に応じて、陰極スパ
ッタリング装置の磁石が同様に外的な機械的影響にさら
されることをも意味する。つまり磁石の不都合な調整ず
れ又は損傷が、不注意によって容易に発生する可能性が
あり、これによってプラズマ安定性に不都合な影響が与
えられることになる。
は、冒頭に述べた形式のターゲット陰極装置を改良し
て、ターゲット本体の交換を可能な限り迅速に実施する
ことができ、しかもその際に冷却系になんら干渉する必
要のないターゲット陰極装置を提供することである。ま
た、冷却系とターゲット本体との間における強力な接触
によって、可能な限り良好な冷却を行うことができ、こ
れによってターゲット材料の損傷率を最適化できること
が望ましい。さらにまた、プラズマを安定化させるため
の磁石は、ターゲット交換中における機械的な損傷に対
して可能な限り保護されて、冷却系の下に設けられてい
ること、及び冷却系と接触しないことが望まれている。
に本発明の構成では、空間的に閉じられた陰極構造を備
えた陰極スパッタリング装置用のターゲット陰極装置で
あって、ターゲット本体が、解離可能な固定装置を用い
て冷却系に連結可能である形式のものにおいて、ターゲ
ット本体と冷却系との間に分割ダイヤフラムが設けられ
ており、該分割ダイヤフラムが一方では冷却系とかつ他
方ではターゲット本体と、それぞれ別個の固定装置によ
って結合されている。
囲の請求項2以下に記載されている。
項1に記載の請求の範囲を制限することなしに、特殊な
実施例、つまりいわゆる「HLK・陰極」(高出力陰
極:Hoch-Leistungs-Kathode)について、記載される。
しかしながら本発明による思想は、例えばいわゆる「中
間・極・ターゲット」(Zwischen-Pol-Targets)におい
ても使用することができる。
て、すなわち、2つのターゲット本体トラックが互いに
ほぼ平行に並んで延びていて、両ターゲット本体トラッ
クが互いに間隔をおいて位置していることによって、特
徴付けられている。そしてこの場合互いに平行に直線的
に延びるターゲット本体の互いに向かい合っている端面
には、それぞれ2つの半円形のターゲット区分が設けら
れていて、該ターゲット区分によって、互いに平行なタ
ーゲット本体が結合されている。
一体的にターゲット本体装置の下に設けられていて、し
かもこの場合分割ダイヤフラムはターゲット本体の下面
全体と接触している。この場合に重要なことは、有利に
はパンとして構成されている冷却系との分割ダイヤフラ
ムの固定部が、冷却系の縁部においてねじを用いて結合
されているということである。そしてこれとは別個にタ
ーゲット本体は分割ダイヤフラムと結合されており、こ
の構成によってターゲット本体は単独で、つまり冷却系
を露出させることなしに、取り外すことが可能である。
ターゲット本体1を有しているいわゆるHLKターゲッ
トが、横断面図で示されている。プレート状に構成され
たターゲット本体1は、爪状条片2′,2″によって残
りのターゲット保持装置に固定されている。それぞれ外
側の爪状条片2′は、上から挿入されたねじによって、
残りのターゲット保持装置と解離可能に結合されてお
り、したがって固定ねじを緩めることによって、爪状条
片2′を外すことができる。爪状条片2′,2″による
ターゲット本体1の固定は次のように、すなわち、爪状
条片の階段状のサイド区分がそれぞれ、ターゲット本体
1の側部における同様に階段状に構成された突出部に接
触し、該突出部に対して、ねじの圧着力によって下方に
向けられた圧着力が生ぜしめられるように、行われる。
使用する代わりに、中央の中空ねじを用いて分割ダイヤ
フラムに固定可能な丸いターゲット本体を使用すること
も可能である。
発明による分割ダイヤフラム3に接触しており、この場
合ターゲット本体1と分割ダイヤフラム3とが相対的に
まったく動かないように接触していることはない。すな
わち分割ダイヤフラム3は、熱膨張に基づいてある程度
の範囲内でターゲット本体1に対して運動することがで
きる。
本体1の下において一体的に全面にわたって延在してい
る。そして分割ダイヤフラム3には複数の孔が設けられ
ており、これらの孔を貫いてそれぞれ中央及び縁部範囲
において、爪状条片のための固定ねじを挿入することが
できる。分割ダイヤフラム3の厚さは有利には次のよう
に、すなわち、分割ダイヤフラムの固有弾性度がターゲ
ット本体1のいかなる熱膨張をも可能にし、そして常に
直接ターゲット本体1の下面に接触しているように、寸
法設定されている。
の左側及び右側においてそれぞれ、固定条片4′によっ
て残りの装置に対して固定される。
するための爪状条片2′と固定条片4′とは空間的に互
いに隔てられている。例えば図1に示されている実施例
では、固定条片4′は下から長いねじ10を用いてその
下面を引き付けられ、これによって分割ダイヤフラム3
は固定条片4′と、パン5として構成された下面との間
においてプレスされる。中央範囲には同様に複数の固定
条片4″が設けられており、これらの固定条片4″は爪
状条片2″と一緒に、上から挿入可能なねじ9によって
固定可能である。
フラムは上からパン5に押し付けられ、このパン5はそ
の縁部範囲にシール部材6を有しており、このシール部
材6は、パン5によって形成された冷却通路7内におけ
る冷却液の流出を阻止する。この場合冷却通路7は、分
割ダイヤフラムの下面の可能な限り大きな部分が冷却液
と接触するように、構成されている。
は、磁石装置8が設けられており、この磁石装置8は有
利にはパンの下において次のように、すなわち磁極がパ
ンによって覆われるように、設けられている。磁石と冷
却液との直接的な接触は、この装置によって完全に回避
されている。
必要なことは、爪状条片2′の縁部範囲において上から
挿入されたねじ、つまり爪状条片2′だけを解放するね
じを緩めることだけである。中央の爪状条片2″のため
のねじを緩めるもしくは外すことによってターゲット本
体1を装置から取り外すことができ、しかもこの際に、
少なくとも外側の固定条片4′によってパン5と堅く結
合されている分割ダイヤフラム3が解離することはな
い。そして新たなターゲット本体1の挿入は逆の順序で
行われる。
イヤフラムのための固定装置とが本発明のように分けら
れていることによって、迅速かつきれいなターゲット交
換が可能であり、このようなターゲット交換は、特に生
産工場における運転において有利である。冷却回路系に
おいて場合によっては生じることのある非シール性の問
題は、この配置形式において回避されている。
磁石の配置形式を挙げることができる。上に述べた実施
例では磁石が、冷却通路7内における冷却液と接触しな
いので、磁石が腐食のおそれにさらされることはない。
さらにまた磁石はパン形状によって、外部の機械的な損
傷に対して保護されており、したがってターゲット本体
の交換がこのような機械的な損傷に対するおそれを意味
することはない。
ゲット装置は、その端部範囲にそれぞれ2つの半円形の
結合部材を有しており、したがって冷却通路7は閉じら
れた冷却回路を形成している。特に冷却通路7のカーブ
範囲において、冷却液は、そこで生じる遠心力によって
カーブ外側範囲に押し付けられ、その結果として、カー
ブ内側範囲において十分な冷却液が存在しなくなること
がある。このことに基づいて、特にカーブ範囲には、冷
却通路を長手方向において貫通する仕切りプレートが設
けられており、この仕切りプレートは、カーブ外側範囲
に向かっての冷却液のシフトを阻止するために働く。こ
のように構成されていることによって、分割ダイヤフラ
ムの下面を冷却液によって濡らすこと、ひいてはターゲ
ット本体を最適に冷却することが達成される。
いるターゲット本体との間に分離ダイヤフラムを本発明
のように配置することによって、ターゲット本体の交換
時に長時間のロスタイムを要する中断時間を回避するこ
とが可能になり、さらに冷却回路に可能な限り手を触れ
ないでおくことが可能になる。そしてこのような処置に
よって、陰極スパッタリング装置の運転確実性が著しく
高められ、経済性が改善される。
ット本体にそれぞれ結合された冷却系とを示す横断面図
である。
分割ダイヤフラム、4′,4″ 固定条片、 5 パ
ン、 6 シール部材、 7 冷却通路(冷却系)、
8 磁石装置、 9 ねじ、 10 長いねじ
Claims (13)
- 【請求項1】 閉じられた陰極構造を備えた陰極スパッ
タリング装置用のターゲット陰極装置であって、ターゲ
ット本体(1)が、解離可能な固定装置を用いて冷却系
に連結可能である形式のものにおいて、ターゲット本体
(1)と冷却系(7)との間に分割ダイヤフラム(3)
が設けられており、該分割ダイヤフラム(3)が一方で
は冷却系(7)とかつ他方ではターゲット本体(1)
と、それぞれ別個の固定装置によって結合されているこ
とを特徴とするターゲット陰極装置。 - 【請求項2】 冷却系がパン(5)であり、該パン
(5)が、パン(5)の縁部範囲に解離可能にしっかり
と結合されている分割ダイヤフラム(3)と共に、閉じ
られた冷却通路(7)を形成している、請求項1記載の
ターゲット陰極装置。 - 【請求項3】 パン(5)における分割ダイヤフラム
(3)の固定が、ねじ(10)によって行われており、
該ねじ(10)が、下からパン(5)を通して固定条片
に螺合していて、該固定条片を上から分割ダイヤフラム
(3)に押し付けている、請求項2記載のターゲット陰
極装置。 - 【請求項4】 分割ダイヤフラム(3)とパン(5)と
の間にシール部材(6)が設けられている、請求項1か
ら3までのいずれか1項記載のターゲット陰極装置。 - 【請求項5】 ターゲット本体(1)が、上から装着さ
れた爪状条片(2′,2″)によって固定可能である、
請求項1から4までのいずれか1項記載のターゲット陰
極装置。 - 【請求項6】 爪状条片(2′,2″)がねじ(9)に
よって固定可能である、請求項5記載のターゲット陰極
装置。 - 【請求項7】 トラック状に閉じられた陰極構造が、互
いに平行に延びる2つの陰極区分を有しており、両陰極
区分がその端部において、それぞれ2つの半円形のター
ゲットトラック区分と互いに結合可能である、請求項1
から6までのいずれか1項記載のターゲット陰極装置。 - 【請求項8】 分割ダイヤフラム(3)が、冷却パン装
置を完全に覆うプレートである、請求項1から7までの
いずれか1項記載のターゲット陰極装置。 - 【請求項9】 分割ダイヤフラム(3)が弾性的であ
る、請求項1から8までのいずれか1項記載のターゲッ
ト陰極装置。 - 【請求項10】 パン(5)が少なくともカーブ区分に
おいて次のような形状、すなわち、カーブ外側に向けら
れた部分がカーブ内側に向けられた部分よりも浅くなる
ような形状を有している、請求項1から9までのいずれ
か1項記載のターゲット陰極装置。 - 【請求項11】 少なくとも冷却通路(7)のカーブ範
囲において、少なくとも1つの仕切りプレートを有して
おり、該仕切りプレートが冷却流を、カーブ内側範囲と
カーブ外側範囲とに分割している、請求項1から10ま
でのいずれか1項記載のターゲット陰極装置。 - 【請求項12】 鉛直なパン投影範囲の内側においてパ
ン(5)の下に、磁石(8)が配置されている、請求項
1から11までのいずれか1項記載のターゲット陰極装
置。 - 【請求項13】 鉛直なパン投影範囲の外側においてパ
ンのそばに、磁石(8)が配置されている、請求項1か
ら12までのいずれか1項記載のターゲット陰極装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4301516A DE4301516C2 (de) | 1993-01-21 | 1993-01-21 | Targetkühlung mit Wanne |
DE4301516.6 | 1993-01-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06256941A JPH06256941A (ja) | 1994-09-13 |
JP3400516B2 true JP3400516B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=6478621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00471694A Expired - Lifetime JP3400516B2 (ja) | 1993-01-21 | 1994-01-20 | ターゲット陰極装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5421978A (ja) |
JP (1) | JP3400516B2 (ja) |
DE (1) | DE4301516C2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108320832A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-07-24 | 东莞中子科学中心 | 一种散裂中子源靶体插件的遥控维护结构 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6689254B1 (en) * | 1990-10-31 | 2004-02-10 | Tokyo Electron Limited | Sputtering apparatus with isolated coolant and sputtering target therefor |
DE4410466C1 (de) * | 1994-03-25 | 1995-09-14 | Balzers Hochvakuum | Targethalterung, Target und ihre Verwendung |
DE4426751A1 (de) * | 1994-07-28 | 1996-02-01 | Leybold Ag | Schwimmende Zentralbefestigung, insbesondere für großflächige Sputterkatoden |
DE19508405A1 (de) * | 1995-03-09 | 1996-09-12 | Leybold Ag | Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar |
US5683560A (en) * | 1995-07-08 | 1997-11-04 | Balzers Und Leybold Deutschland Holding Ag | Cathode assembly |
DE19535894A1 (de) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Leybold Materials Gmbh | Target für die Sputterkathode einer Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zu seiner Herstellung |
US5736019A (en) | 1996-03-07 | 1998-04-07 | Bernick; Mark A. | Sputtering cathode |
DE19614598A1 (de) * | 1996-04-13 | 1997-10-16 | Singulus Technologies Gmbh | Vorrichtung zur Kathodenzerstäubung |
US6068742A (en) * | 1996-07-22 | 2000-05-30 | Balzers Aktiengesellschaft | Target arrangement with a circular plate, magnetron for mounting the target arrangement, and process for coating a series of circular disc-shaped workpieces by means of said magnetron source |
DE19731025C2 (de) * | 1997-07-18 | 1999-10-14 | Ardenne Anlagentech Gmbh | Targetkathodenanordnung |
DE19746988A1 (de) * | 1997-10-24 | 1999-05-06 | Leybold Ag | Zerstäuberkathode |
DE19805471A1 (de) * | 1998-02-11 | 1999-08-12 | Leybold Materials Gmbh | Verfahren zur Reparatur von Targetgrundplatten und nach diesem Verfahren reparierte Targetgrundplatte |
DE19836125C2 (de) * | 1998-08-10 | 2001-12-06 | Leybold Systems Gmbh | Zerstäubungsvorrichtung mit einer Kathode mit Permanentmagnetanordnung |
DE19916938A1 (de) * | 1999-04-15 | 2000-10-19 | Leybold Systems Gmbh | Vorrichtung zur Kühlung eines Targets mit einem Kühlmedium |
DE10018858B4 (de) * | 2000-04-14 | 2005-08-18 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Magnetronanordnung |
JP2004523658A (ja) * | 2001-03-27 | 2004-08-05 | フンダシオン テクニケル | 大きい表面領域を有するターゲットのための強力な磁気ガイドを伴うアーク蒸着装置 |
US20030209431A1 (en) * | 2001-04-10 | 2003-11-13 | Brown Jeffrey T. | Magnetron sputtering source with improved target utilization and deposition rate |
FR2842348B1 (fr) * | 2002-07-10 | 2004-09-10 | Tecmachine | Cathode pour pulverisation sous vide |
ATE395447T1 (de) * | 2004-06-22 | 2008-05-15 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Zerstäubungskatode für beschichtungsprozesse |
US7087145B1 (en) * | 2005-03-10 | 2006-08-08 | Robert Choquette | Sputtering cathode assembly |
US20060289305A1 (en) * | 2005-06-27 | 2006-12-28 | Applied Materials, Inc. | Centering mechanism for aligning sputtering target tiles |
KR101814228B1 (ko) * | 2010-05-04 | 2018-01-04 | 오를리콘 서피스 솔루션스 아크티엔게젤샤프트, 페피콘 | 세라믹 타겟을 사용한 스파크 증착 방법 |
KR101079621B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2011-11-03 | 박경일 | 타겟과 백킹 플레이트의 비접착식 체결구조 |
DE102012006717A1 (de) * | 2012-04-04 | 2013-10-10 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | An eine indirekte Kühlvorrichtung angepasstes Target |
EP2841619A4 (en) * | 2012-04-26 | 2015-06-03 | Intevac Inc | ENGINE SOURCE FOR PROCESSING PHYSICAL STEAM SEPARATION |
DE102013112861B4 (de) * | 2013-01-15 | 2018-11-15 | VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG | Magnetronanordnung und Target für eine Magnetronanordnung |
CN103409793B (zh) * | 2013-07-31 | 2016-01-13 | 安徽大晟新能源设备科技有限公司 | 准单晶铸锭炉的水冷盘及其制备方法 |
DE102013216303A1 (de) * | 2013-08-16 | 2015-02-19 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Sputtertarget, Vorrichtung zum Befestigen eines Sputtertargets, Verfahren zum Erkennen des Lösens eines Sputtermaterials sowie Herstellungsverfahren |
US9328410B2 (en) | 2013-10-25 | 2016-05-03 | First Solar, Inc. | Physical vapor deposition tile arrangement and physical vapor deposition arrangement |
RU2555264C1 (ru) * | 2014-03-18 | 2015-07-10 | Борис Львович Горберг | Узел катода магнетронного распылителя |
DE102015101206A1 (de) | 2015-01-28 | 2016-07-28 | Von Ardenne Gmbh | Magnetronanordnung mit Planartarget |
TWI641712B (zh) * | 2017-12-04 | 2018-11-21 | 國家中山科學研究院 | Heating stage device applied to sputtering target gun |
SE542687C2 (en) * | 2018-06-27 | 2020-06-23 | Impact Coatings Ab Publ | Arc source system for a cathode |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU699032A1 (ru) * | 1976-11-04 | 1979-12-07 | Минский радиотехнический институт | Катодный узел |
SU823459A1 (ru) * | 1979-06-11 | 1981-04-23 | Предприятие П/Я А-1067 | Катодный узел |
DE3613018A1 (de) * | 1986-04-17 | 1987-10-22 | Santos Pereira Ribeiro Car Dos | Magnetron-zerstaeubungskathode |
JPS6335770A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-16 | Seiko Epson Corp | スパツタリングタ−ゲツト用バツキングプレ−ト |
CH672319A5 (en) * | 1987-12-20 | 1989-11-15 | Bogdan Zega | Sputtering target cooling system - has metal membrane sepg. cooling liq. circuit from sputtering chamber |
DE3810175A1 (de) * | 1988-03-25 | 1989-10-05 | Elektronische Anlagen Gmbh | Kathodenzerstaeubungsvorrichtung |
DE59009549D1 (de) * | 1989-06-05 | 1995-09-28 | Balzers Hochvakuum | Verfahren zum Kühlen von Targets sowie Kühleinrichtung für Targets. |
DE4015388C2 (de) * | 1990-05-14 | 1997-07-17 | Leybold Ag | Kathodenzerstäubungsvorrichtung |
DE9014857U1 (de) * | 1990-10-26 | 1992-02-20 | Multi-Arc Oberflächentechnik GmbH, 5060 Bergisch Gladbach | Großflächige Kathodenanordnung mit gleichmäßigem Abbrandverhalten |
DE9102052U1 (de) * | 1991-02-21 | 1991-06-13 | Hauzer Holding B.V., Venlo | Indirekt gekühlter Verdampfer mit Schnellwechselsystem |
EP0512456B1 (de) * | 1991-05-08 | 1997-06-18 | Balzers Aktiengesellschaft | Verfahren zur Montage bzw. Demontage einer Targetplatte in einem Vakuumprozessraum, Montageanordnung hierfür sowie Targetplatte bzw. Vakuumkammer |
-
1993
- 1993-01-21 DE DE4301516A patent/DE4301516C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-12-28 US US08/174,149 patent/US5421978A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-01-20 JP JP00471694A patent/JP3400516B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108320832A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-07-24 | 东莞中子科学中心 | 一种散裂中子源靶体插件的遥控维护结构 |
CN108320832B (zh) * | 2018-03-21 | 2024-06-07 | 东莞中子科学中心 | 一种散裂中子源靶体插件的遥控维护结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5421978A (en) | 1995-06-06 |
DE4301516A1 (de) | 1994-07-28 |
DE4301516C2 (de) | 2003-02-13 |
JPH06256941A (ja) | 1994-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3400516B2 (ja) | ターゲット陰極装置 | |
US4583586A (en) | Apparatus for cleaning heat exchanger tubes | |
US5203980A (en) | Large surface cathode arrangement of uniform consumption | |
JPH0237491Y2 (ja) | ||
US5223111A (en) | Device for applying thin layers onto a substrate | |
CA2173891A1 (en) | Device for applying thin layers to a substrate | |
ES8104550A1 (es) | Un dispositivo de paso de tubos intercambiadores de calor alargados | |
KR101653425B1 (ko) | 인쇄기 | |
US4747927A (en) | Target plate for cathode disintegration | |
JP4351547B2 (ja) | 換気エレメント | |
JP3747447B2 (ja) | スパッタ装置 | |
JPH08251858A (ja) | 冷却装置付き電気機械 | |
US7106594B2 (en) | Simplified mounting configuration that applies pressure force to one central location | |
GB2298654A (en) | Cathod arrangement for a device for sputtering a pair of targets | |
EP0276962A1 (en) | Cooling device for a sputter target and source | |
AU1206295A (en) | An arrangement in autoclaving systems | |
JP2635362B2 (ja) | ターゲットユニット | |
ES2013726B3 (es) | Ensamblaje por bridas de placas tubulares en los radiadores, comportando placas tubulares macizas de titanio | |
JP5079212B2 (ja) | 真空スパッタリング用カソード | |
JP4729184B2 (ja) | 複数条の燃焼格子用の液冷式中央桁材要素および中央桁材 | |
JPH0559540A (ja) | スパツタリングカソード | |
JPH02205669A (ja) | スパッタ装置 | |
JPH01107541A (ja) | ドライプロセス装置 | |
JPH0539341Y2 (ja) | ||
US4622677A (en) | Method and device for clamping the electrode contact shoes around the electrode of an electric furnace |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080221 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110221 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120221 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130221 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130221 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140221 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |