KR20150058352A

KR20150058352A - 회로 기판 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20150058352A
Application number: KR1020157009682A
Authority: KR
Inventors: 미노루 오노데라; 슈지 마츠나가; 다츠야 스나모토; 시게아키 스즈키
Original assignee: 가부시키가이샤 구라레
Priority date: 2012-09-20
Filing date: 2013-09-12
Publication date: 2015-05-28
Also published as: TWI590722B; US9439303B2; WO2014046014A1; JP6309451B2; CN104663007A; TW201417646A; JPWO2014046014A1; US20150195921A1; CN104663007B; KR102082536B1

Abstract

본 발명은, 열가소성 액정 폴리머 필름과, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 적어도 구비하고, 액정 폴리머 필름을 사용하면서도, 저온 성형이 가능한 회로 기판, 및 그 제조 방법을 제공한다.
상기 열가소성 액정 폴리머 필름은, 절연 기판, 회로층 재료, 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 회로 기판 재료로서, 회로 기판을 구성하는 다른 회로 기판 재료에 대해 상기 접착층을 개재하여 적층되고, 상기 접착층의 유리 전이 온도는 200 ∼ 300 ℃ 이다.

Description

회로 기판 및 그 제조 방법{CIRCUIT BOARD AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}

(관련 출원)

본원은, 일본에서 2012년 9월 20일에 출원한 일본 특허출원 2012-206412, 2012년 10월 18일에 출원한 일본 특허출원 2012-230734, 2012년 10월 18일에 출원한 일본 특허출원 2012-230735 및 2013년 1월 10일에 출원한 일본 특허출원 2013-002507의 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체를 참조에 의해 본 출원의 일부를 이루는 것으로서 인용한다.

본 발명은 광학적 이방성의 용융상(相)을 형성할 수 있는 열가소성 폴리머로 이루어지는 액정 폴리머 필름 (이하, 열가소성 액정 폴리머 필름이라고 칭하는 경우가 있다) 과, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 적어도 구비하고, 열가소성 액정 폴리머 필름을 사용하면서도, 저온 성형이 가능한 회로 기판, 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

최근 퍼스널 컴퓨터 등의 정보 처리 분야, 휴대 전화 등의 무선 통신 분야의 발전은 눈부시다. 이들 분야에 있어서 정보 처리 속도를 향상시키려면, 회로 기판의 전파 속도의 향상, 고주파 영역에서의 저전송 손실을 실현하는 것이 필요하다. 통상 회로 기판은, 유리 크로스에 저유전율의 에폭시계 수지를 함침시켜 이루어지는 절연층에 드릴이나 레이저에 의해 상하에 관통 구멍을 뚫어, 구리 도금에 의한 도통을 실시하고, 표면을 배선 가공한 후, 복수의 배선 기판을 다수 층 적층하는 것이나, 절연성을 갖는 커버레이를 피복함으로써 제조된다.

종래, 휴대 전화, 무선 LAN, 나아가서는 차간 거리 등의 전파를 사용한 통신 기기의 발달에 의해, 특히 정보의 대용량화, 고속화에 수반하여, 통신 신호의 고주파화, 소형화가 진행되고 있다.

이와 같은 고주파 영역에서 사용되는 통신 기기의 회로 기판에는, 저유전율, 저유전 정접을 갖는 절연재가 필요해져, 땜납 내열의 관점에서, 불소 수지, BT 수지 (비스말레이미드·트리아진) 등을 베이스로 한 기재가 사용되고 있다.

또, 내열성, 치수 안정성, 다층 구성에서의 층간 접착력, 저흡수성, 저전송 손실의 관점에서, 열가소성 액정 폴리머 필름이 사용되게 되었지만, 다층 적층시의 온도가 250 ℃ 이상이기 때문에, 통상적인 열 경화형 수지에서 사용되고 있는 적층 설비에서는 성형할 수 없어, 설비 투자가 필요하다.

또, 커버레이에는 절연성, 내열성, 치수 안정성이 필요하고, 플렉시블 회로 기판에는 접착제를 개재한 폴리이미드 필름이 사용되며, 리지드 회로에는 솔더 레지스트 잉크가 사용되고 있다. 최근, 보다 고주파대에서의 전송 손실을 저감시킬 목적으로, 열가소성 액정 폴리머 필름을 커버레이로서 피복하는 방법이 제안되게 되었다.

이와 같은 상황하, 광학적 이방성의 용융상을 형성할 수 있는 열가소성 액정 폴리머로 제조되는 필름과 전기 배선을 포함하는 회로층을 열 압착에 의해 접합시킨 다층 적층판이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조.). 그러나, 특허문헌 1 이나 2 에서는 다층 적층판을 제조하는 경우, 열가소성 액정 폴리머의 융점 부근, 구체적으로는 200 ℃ 보다 훨씬 높은 온도에서 열 성형하지 않으면 안되어, 고온 사양의 프레스기를 사용해야 하는 과제가 있었다.

상기한 문제점을 해결하기 위해서, 액정 폴리머 필름층의 표면을 플라즈마 처리하여 표면 밀착성을 높인 후, 그 액정 폴리머 필름층의 상하면에 폴리페닐렌에테르계 수지로 이루어지는 피복층을 형성한 다층 배선 기판이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 3 참조.). 그러나, 특허문헌 3 의 다층 배선 기판을 구성하는 액정 폴리머 필름층은 플라즈마 처리한 상하에 폴리페닐렌에테르 피복층을 성형하고, 이 폴리페닐렌에테르 피복층의 표면에 회로를 형성하기 때문에, 회로가 폴리페닐렌에테르 표면에 위치하여, 적층 후의 치수 안정성이나 내열성이 떨어지는 경우가 있고, 또한 땜납 내열성을 충분히 높게 할 수 없는 문제가 있었다.

또, 고주파 영역에서의 저유전율, 저유전 정접을 갖고, 땜납 내열성, 도체와의 밀착 접합성이 우수한 고주파 회로 기재가 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 4 참조.). 그러나, 회로 기재인 폴리페닐렌에테르와 액정 폴리머를 포함하는 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물은, 무기 충전재나 부가적 성분과 함께 용융 혼련하고, 압출에 의해 성형한 필름이기 때문에, 개개의 수지의 분산 상태나 앨로이 상태에 의해 유전율이나 유전 정접이 균일해지지 않고, 그 결과적으로 전송 손실도 불균일해질 뿐만 아니라, 땜납 내열성이나 적층 후의 치수 안정성이 불량해지는 문제가 있었다.

또, 고주파대에서의 전송 손실을 저감시킬 목적으로, 저유전율 및 저유전 정접을 나타내는 커버레이 필름이 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 5 참조). 특허문헌 5 에서는 비닐 화합물, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌) 블록 공중합체, 에폭시 수지, 경화 촉매로 이루어지는 필름이고, 고주파 영역에서의 전기 특성은 우수하기는 하지만, 회로 기재로서의 땜납 내열성이 불충분한 과제가 있었다.

또, 고주파 영역에서의 저유전율, 저유전 정접을 갖고, 땜납 내열성, 도체와의 밀착 접합성이 우수한 고주파 회로 기재가 제안되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 6 참조.). 그러나, 특허문헌 6 에서는, 회로 기재인 폴리페닐렌에테르와 액정 폴리머를 포함하는 열가소성 수지를 함유하는 열가소성 수지 조성물은, 땜납 내열성이나 적층 후의 치수 안정성이 불량해지는 문제가 있었다.

또, 최근 전자 기기의 급속한 발전에 수반하여, 탑재되어 있는 프린트 기판에 요구되는 성능도 매우 높아지고 있다. 이들 요망에 부응하는 방법으로서, 리지드 기판과 플렉시블 기판을 적층, 일체화시킨 리지드-플렉스 회로 기판의 수요가 늘고 있다. 리지드-플렉시블 기판에서는, 리지드 기판과 동등한 강성을 갖는 리지드부에 있어서 부품 실장이 가능하고, 또 굴곡성을 갖는 플렉시블부에 있어서 절곡 가능한 입체 배선을 가능하게 한다. 그 때문에, 리지드 플렉시블 기판은, 전자 기기의 소형 경량화, 휴대화, 고밀도화가 가능하다.

예를 들어, 특허문헌 7 에는, 폴리이미드 등의 내열성 수지로 형성된 베이스 필름과, 베이스 필름의 양면에 실시된 동박 등의 금속 도체와, 아크릴계 접착제를 개재하여 커버레이를 순차 적층한 플렉시블부； 및 이 플렉시블부 상에 유리 기재에 에폭시 등을 함침시켜 제조한 프리프레그를 개재하여 구리 피복 적층판을 적층한 리지드부를 구비하는 구조가 기재되어 있다.

특허문헌 8 에는, 신호의 고속화 및 고밀도화 요구에 부응하기 위해서, 회로층을 형성한 폴리이미드 수지 필름으로 이루어지는 플렉시블부에, 유리 섬유 기재와 폴리이미드 수지 필름으로 형성한 리지드부를 열 압착시킨 리지드 플렉스 회로판이 개시되어 있다. 플렉시블부를 형성하는 폴리이미드 수지 필름은, 열 경화형 접착제를 개재하여 피복층으로 덮여 있다. 이 회로판에서는, 플렉시블부의 굴곡성이 우수함과 함께, 회로판의 두께를 얇게 할 수 있기 때문에, 고밀도화 요구에 부응할 수 있다.

그러나, 특허문헌 7 이나 8 에서는, 내열성의 관점에서 폴리이미드 필름이 이용되고 있지만, 폴리이미드는 유전 정접이 크고, 전송 손실이 높기 때문에, 고주파 신호를 전송할 때에 노이즈가 발생하기 쉽다.

일본 공개특허공보 평11-309803호 일본 특허출원 2005-217078호 일본 공개특허공보 2006-191145호 일본 공개특허공보 2011-253858호 일본 공개특허공보 2011-68713호 일본 공개특허공보 2011-253958호 일본 공개특허공보 평7-94835호 일본 공개특허공보 2010-40934호

본 발명의 목적은, 높은 내열성을 갖는 열가소성 액정 폴리머 필름을 사용한 경우이더라도, 이 열가소성 액정 폴리머 필름을, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층과 조합함으로써, 저온 성형에 의해 형성 가능한 회로 기판을 제공하는 것, 및 이와 같은 회로 기판을 저코스트로 효율적으로 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 검토하고, (1) 회로 기판에 있어서, 고주파에서의 유전 특성이 우수한 광학적 이방성의 용융상을 형성할 수 있는 액정 폴리머 필름 (이하, 열가소성 액정 폴리머 필름이라고 칭하는 경우가 있다) 을 사용하면, 회로 기판의 전기 특성 (예를 들어, 유전율, 유전 정접) 을 향상시킬 수 있는 것에 주목하고, 연구를 진행한 결과, (2) 도전 배선 패턴 등의 도전 부분을 열가소성 액정 폴리머 필름에 밀착시킨 회로층이나, 열가소성 액정 폴리머 필름으로 이루어지는 커버레이를 사용하면, 얻어진 회로 기판은, 내열성이 우수할 뿐만 아니라, 열가소성 액정 폴리머 필름의 우수한 유전 특성을 이용하여 고주파에서의 전송 손실을 저감할 수 있는 것을 알아내었다.

(3) 이 지견에 기초하여 연구를 진행하여, 열가소성 액정 폴리머 필름은, 그 열가소성을 이용하여 열 압착에 의해 피착체와 접착시키는 것이 가능하지만, 한편으로, 그 높은 내열성 때문에, 회로 기판을 제조할 때에는, 열가소성 액정 폴리머의 융점 부근, 구체적으로는 240 ℃ 보다 훨씬 높은 온도에서 열 압착시키지 않으면 안되어, 200 ℃ 정도의 가열로 열경화성 수지를 경화시키는 기존의 설비에서는 열 압착시키는 것이 곤란하다는 추가적인 과제를 알아내었다.

그리고 이 과제를 해소하기 위해서 더욱 연구를 진행한 결과, (4) 열가소성 액정 폴리머 필름에 대해, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 적용함과 함께, 상기 접착층이 특정한 유리 전이 온도를 갖는 상태로 양자를 접착시킴으로써, 회로 기판으로서의 우수한 유전 특성을 유지할 수 있을 뿐만 아니라, 기존의 설비로 액정 폴리머 필름을 저온에서 열 압착하는 것이 가능해져, 고내열, 땜납 내열성, 저전송 손실의 회로 기판을 제조할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하였다.

즉, 본 발명은, 광학적 이방성의 용융상을 형성할 수 있는 열가소성 폴리머로 이루어지는 액정 폴리머 필름 (이하, 열가소성 액정 폴리머 필름이라고 칭한다) 과,

폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 적어도 구비하는 회로 기판으로서,

상기 열가소성 액정 폴리머 필름은, 절연 기판 (또는 기판층), 회로층 재료 (또는 회로층 절연 재료), 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 회로 기판 재료로서, 회로 기판을 구성하는 다른 회로 기판 재료에 대해 상기 접착층을 개재하여 적층되고,

상기 접착층의 유리 전이 온도가 200 ∼ 300 ℃ 인 회로 기판이다.

상기 회로 기판에 있어서, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착제층에, 폴리페닐렌에테르계 수지가 10 질량％ 이상 포함되어 있어도 된다.

또, 열가소성 액정 폴리머 필름의 융점이 295 ℃ 이상이어도 된다.

폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 사용한 회로 기판의 인장 탄성률이 2.0 ㎬ 이상이어도 된다.

상기 회로 기판은, 열가소성 액정 폴리머 필름과 그 편면 또는 양면에 형성된 도전 부분 (예를 들어 도전 배선 패턴) 을 포함하는 회로층을 구비하고 있어도 되고, 상기 회로층의 적어도 일방의 면이, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 개재하여, 다른 회로 기판 재료에 대해 적층되어 있어도 된다.

이와 같은 회로 기판은, 열가소성 액정 폴리머 필름과, 그 편면 또는 양면에 형성된 도전 부분 (예를 들어 도전 배선 패턴) 을 포함하는 회로층을 복수 (적어도 2 층) 구비하고 있고,

상기 회로층간에, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층이 형성된 회로 기판이어도 된다.

예를 들어, 회로층을 갖는 경우, 회로층은, 최대 조도가 2.0 ㎛ 이하인 저조도의 도전 배선 패턴을 포함하고 있어도 된다.

또, 회로층 및 접착층 중 적어도 일방이 복수 층으로 이루어지는 회로 기판이어도 된다.

한편으로, 회로 기판에 있어서, 열가소성 액정 폴리머 필름은 커버레이여도 되고, 상기 커버레이가, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 개재하여, 도전 부분의 적어도 일부를 피복하고 있는 회로 기판이어도 된다.

상기 회로 기판에 있어서, 땜납 내열 온도가 295 ℃ 이상이어도 된다.

또, 회로 기판에 있어서, 예를 들어, 10 ㎓ 의 주파수에 있어서의 삽입 손실이 3.0 dB/10 ㎝ 이하여도 된다. 회로 기판은, 예를 들어, 5 ㎓ 의 주파수에 있어서의 삽입 손실이 2.0 dB/10 ㎝ 이하여도 된다.

또한, 본 발명은 회로 기판의 제조 방법에 대해서도 포함하고, 상기 제조 방법은,

폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착성 시트와, 열가소성 액정 폴리머 필름을 각각 준비하는 공정과,

상기 접착성 시트를 개재하여, 상기 열가소성 액정 폴리머 필름을, 절연 기판, 회로층 재료, 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 회로 기판 재료로서, 다른 회로 기판 재료에 대해 중첩하고, 상기 접착성 시트가, 유리 전이 온도 200 ∼ 300 ℃ 를 갖는 접착층이 될 때까지 가열 온도 150 ∼ 250 ℃ 에서 열 압착하는 열 압착 공정을 적어도 구비하는 회로 기판의 제조 방법이다.

또, 열 압착 공정에서, 가열 시간이 30 초 ∼ 20 분이어도 된다.

상기 제조 방법에 있어서, 열 압착 공정에서, 열 압착시의 압력이 1 ∼ 3 ㎫ 여도 된다.

본 발명의 회로 기판은, 저유전율의 액정 폴리머 필름에 대해 접착성을 부여하기 위해서 저유전율의 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 사용하고, 상기 접착층이 특정한 유리 전이 온도를 가짐으로써, 도전 부분 (예를 들어, 도전 배선 패턴, 특히 저조도의 도전 배선 패턴 등) 을 포함하는 회로층과 강고하게 접착할 수 있으므로, ㎓ 의 고주파대에서의 전송 손실을 저감시킨 회로 기판을 제조할 수 있다.

또한, 청구의 범위 및/또는 명세서 및/또는 도면에 개시된 적어도 2 개의 구성 요소의 어떠한 조합도 본 발명에 포함된다. 특히, 청구의 범위에 기재된 청구항의 2 개 이상의 어떠한 조합도 본 발명에 포함된다.

이 발명은, 첨부 도면을 참고로 한 이하의 적합한 실시형태의 설명으로부터, 보다 명료하게 이해된다. 그러나, 도면은 반드시 일정한 축척으로 나타내고 있는 것은 아니고, 본 발명의 원리를 나타내는 데에 있어서 과장한 것으로 되어 있다. 실시형태 및 도면은 단순한 도시 및 설명을 위한 것이며, 이 발명의 범위를 정하기 위해서 이용되어야 하는 것이 아니다. 이 발명의 범위는 첨부된 클레임에 의해 정해진다.
도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이다.
도 2 는, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이다.
도 3 은, 본 발명의 또 다른 실시형태에 관련된 리지드-플렉스 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이다.
도 4 는, 도 3 에서 이용되고 있는 플렉시블부의 주요부 개략 단면도이다.
도 5 는, 도 3 에서 이용되고 있는 리지드부의 주요부 개략 단면도이다.
도 6 은, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 리지드-플렉스 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이다.
도 7 은, 본 발명의 또 다른 실시형태에 관련된 리지드-플렉스 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이다.
도 8 은, 본 발명의 또 다른 실시형태에 관련된 리지드-플렉스 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이다.
도 9 는, 도 6 의 실시형태에 관련된 리지드-플렉스 회로 기판의 제조 방법을 설명하기 위한 개략 단면도이다.

본 발명의 회로 기판에 대하여 설명한다.

본 발명의 회로 기판은, 열가소성 액정 폴리머 필름과,

상기 열가소성 액정 폴리머 필름은, 절연 기판, 회로층 재료, 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 회로 기판 재료로서, 회로 기판을 구성하는 다른 회로 기판 재료에 대해 상기 접착층을 개재하여 적층 일체화되어 있다.

여기서, 회로층 재료란, 절연 기판과 도전 부분으로 구성된 회로층을 형성하기 위한 재료를 의미하고 있고, 구체적으로는, 절연 기판과 도전성 재료를 의미하고 있다. 또, 회로 기판을 구성하는 회로 기판 재료로는, 통상 회로 기판에 있어서 사용되는 부재이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 절연성 재료로 형성되는 절연 기판； 절연 기판의 적어도 일방의 면에 대해 도전 부분 (도전 회로, 도전 배선 패턴 등) 이 형성되어 있는 회로층； 절연성 재료로 형성되는 커버레이 등을 들 수 있다.

또, 회로 기판은, 1 층의 도전 회로를 갖는 단층 회로 기판이어도 되고, 적어도 플렉시블 부분에 있어서, 복수 (예를 들어, 2 ∼ 10 층, 바람직하게는 2 ∼ 8 층) 의 도전 회로를 갖는 다층 회로 기판이어도 된다.

본 발명의 특징의 하나로서, 회로 기판에 형성된 상기 접착층의 유리 전이 온도가 소정의 온도 범위 내에 존재하는 것을 들 수 있다. 이것은, 회로 기판에 있어서 접착 상태에 있는 접착층이 갖는 유리 전이 온도가 소정의 온도 범위 내에 있는 것을 나타내고 있으며, 이와 같은 유리 전이 온도를 갖는 접착층은, 예를 들어, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착성 시트에 대해, 특정한 가열 조건하에 있어서 열을 가함으로써, 얻을 수 있다.

즉, 이와 같은 접착층은, 예를 들어, 특허문헌 5 에서 실시되는 바와 같은 폴리페닐렌에테르계 수지를 장시간에 걸친 가열에 의해 열 경화시켜 얻어진 열 경화물과는 크게 다르며, 접착성을 가지면서도, 유리 전이 온도에 의해 규정되는 특정한 부드러운 상태를 가질 수 있다.

예를 들어, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 회로 기판은, 열가소성 액정 폴리머 필름과, 그 편면 또는 양면에 형성된 도전 부분 (예를 들어 도전 배선 패턴, 도전 회로) 을 포함하는 회로층을 구비하고 있고, 상기 회로층의 적어도 일방의 면이, 접착층을 개재하여, 다른 회로 기판 재료에 대해 적층되어 있는 회로 기판이어도 된다.

이와 같은 회로 기판에서는, 접착층을 개재하여 회로 기판 재료가, 절연성 재료로 형성되는 절연 기판； 절연 기판의 적어도 일방의 면에 대해 도전 부분 또는 도전층이 형성되어 있는 회로층； 절연성 재료로 형성되는 커버레이 등에 대해 적층되어 있다.

도 1 은, 열가소성 액정 폴리머 필름으로 이루어지는 절연 기판과 그 편면에 형성된 도전 배선 패턴을 포함하는 회로층을 구비하고 있는 회로 기판으로서, 상기 회로층의 적어도 일방의 면이, 접착층을 개재하여, 다른 회로 기판 재료에 적층되어 있는 회로 기판을 설명하기 위한 개략 단면도이다.

도 1 에 나타내는 바와 같이, 회로 기판 (1000) 은, 열가소성 액정 폴리머 필름으로 이루어지는 절연 기판 (1002A) 의 일방의 면에 도전 회로 (또는 도전 부분) (1001A) 가 형성된 회로층 (1004A) 을 적어도 구비하고 있고, 상기 회로층 (1004A) 의 도전 회로측의 면이, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (1005) 을 개재하여, 다른 회로 기판 재료의 하나인 회로층 (1004B) 에 대해 적층되어 있다. 또한, 이 회로층 (1004B) 에서는, 도전 회로 (또는 도전 부분) (1001B) 가 절연 기판 (1002B) 의 일방의 면에 형성되어 있다.

여기서, 도전 회로 (1001A 및 1001B) 는 서로 마주 보도록 접착층측에 있어서 형성되어 있지만, 예를 들어, 도전 회로의 적어도 일방은 접착층과 상반되는 면에 형성되어 있어도 된다.

또, 회로층 (1004B) 을 구성하는 절연 기판 (1002B) 은 접착층 (1005) 을 개재하여 접착할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 내열성, 치수 안정성, 저전송 손실성의 관점에서, 열가소성 액정 폴리머 필름이어도 된다.

도 1 에서는, 2 층의 도전 회로 (1001A 및 1001B) 를 구비하는 회로 기판을 나타내고 있지만, 도전 회로는 1 층만이어도 되고, 3 층 이상의 도전 회로가 형성된 다층 회로 기판이어도 된다.

예를 들어, 고집적화의 관점에서는, 바람직하게는 절연 기판의 양면에 도전 기판을 갖는 회로층 (A) 를 복수 층 포함하는 다층 회로 기판이어도 된다. 통상적으로는 (A)/(B)/(A) 의 4 층 회로 기판이 바람직하지만, 또한 반복하여, (A)/(B)/(A)/(B)/(A) 의 6 층 회로, (A)/(B)/(A)/(B)/(A)/(B)/(A) 의 8 층 회로로 하는 것도 가능하다.

또, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 회로 기판은 열가소성 액정 폴리머 필름으로 이루어지는 커버레이를 구비하고 있고, 상기 커버레이는, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 개재하여, 도전 부분 (예를 들어, 도전 배선 패턴 등) 의 적어도 일부를 피복하고 있어도 된다.

또한, 회로 기판에 있어서의 절연 기판 재료 (예를 들어 플렉시블 절연 기판 재료) 및 커버레이로는, 본 발명의 특정한 접착성 수지를 사용하는 한, 반드시 모든 것이 열가소성 액정 폴리머 필름은 아니어도 되고, 필요에 따라, 절연 기판 재료 및 커버레이로서 통상적으로 사용되는 다양한 것을 선택할 수 있다. 바람직하게는 내열성, 치수 안정성, 저전송 손실성의 관점에서, 절연 기판 재료 및 커버레이가 열가소성 액정 폴리머 필름이어도 된다.

또, 본 발명의 회로 기판에 있어서는 상기 회로층 (A) 의 양면에 액정 폴리머 필름을 커버레이 (C) 로서 형성하고, 폴리페닐렌에테르계 수지를 접착층 (B) 로서 회로층 (A) 를 피복시켜도 된다. 통상적으로는 커버레이 (C)/접착층 (B)/회로층 (A) /접착층 (B)/커버레이 (C) 의 구성이 바람직하다.

도 2 는, 열가소성 액정 폴리머 필름으로 이루어지는 커버레이가, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 개재하여, 도전 배선 패턴을 포함하는 회로층에 대해 적층되어 있는 회로 기판을 설명하기 위한 개략 단면도이다.

도 2 에 나타내는 바와 같이, 단층의 회로 기판 (2000) 에서는, 열가소성 액정 폴리머 필름으로 이루어지는 커버레이 (2003) 는, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (2005) 을 개재하여, 도전 회로 (2001) 를 피복하고 있다. 여기서, 도전 회로 (2001) 는, 절연 기판 (2002) 상에 형성되어, 회로층 (2004) 을 형성하고 있다. 그리고, 커버레이 (2003) 는, 회로층 (2004) 에 대해 적층되어 있다.

여기서, 절연 기판 (2002) 으로는 접착층 (2005) 을 개재하여 접착할 수 있는 한 특별히 한정되지 않지만, 내열성, 치수 안정성, 저전송 손실성의 관점에서, 열가소성 액정 폴리머 필름이어도 된다.

(열가소성 액정 폴리머 필름)

열가소성 액정 폴리머 필름은, 절연 기판으로서 사용해도 되고, 커버레이로서 사용해도 된다.

본 발명의 열가소성 액정 폴리머 필름은, 용융 성형 가능한 액정성 폴리머 (또는 광학적으로 이방성의 용융상을 형성할 수 있는 폴리머) 로 구성되고, 이 열가소성 액정 폴리머는, 용융 성형할 수 있는 액정성 폴리머이면 특히 그 화학적 구성에 대해서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 열가소성 액정 폴리에스테르, 또는 이것에 아미드 결합이 도입된 열가소성 액정 폴리에스테르 아미드 등을 들 수 있다.

또 열가소성 액정 폴리머는, 방향족 폴리에스테르 또는 방향족 폴리에스테르 아미드에, 또한 이미드 결합, 카보네이트 결합, 카르보디이미드 결합이나 이소시아누레이트 결합 등의 이소시아네이트 유래의 결합 등이 도입된 폴리머여도 된다.

본 발명에 사용되는 열가소성 액정 폴리머의 구체예로는, 이하에 예시하는 (1) 내지 (4) 로 분류되는 화합물 및 그 유도체로부터 유도되는 공지된 열가소성 액정 폴리에스테르 및 열가소성 액정 폴리에스테르 아미드를 들 수 있다. 단, 광학적으로 이방성의 용융상을 형성할 수 있는 폴리머를 형성하기 위해서는, 여러 가지 원료 화합물의 조합에는 적당한 범위가 있는 것은 말할 필요도 없다.

(1) 방향족 또는 지방족 디하이드록시 화합물 (대표예는 표 1 참조)

(2) 방향족 또는 지방족 디카르복실산 (대표예는 표 2 참조)

(3) 방향족 하이드록시카르복실산 (대표예는 표 3 참조)

(4) 방향족 디아민, 방향족 하이드록시아민 또는 방향족 아미노카르복실산 (대표예는 표 4 참조)

이들 원료 화합물로부터 얻어지는 액정 폴리머의 대표예로서 표 5 및 표 6 에 나타내는 구조 단위를 갖는 공중합체를 들 수 있다.

이들 공중합체 중, p―하이드록시벤조산 및/또는 6-하이드록시기-2-나프토산을 적어도 반복 단위로서 포함하는 중합체가 바람직하고, 특히, (i) p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시기-2-나프토산의 반복 단위를 포함하는 중합체, (ii) p-하이드록시벤조산 및 6-하이드록시기-2-나프토산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 방향족 하이드록시카르복실산과, 4,4'-디하이드록시비페닐 및 하이드로퀴논으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 방향족 디올과, 테레프탈산, 이소프탈산 및 2,6-나프탈렌디카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 방향족 디카르복실산의 반복 단위를 포함하는 중합체가 바람직하다.

예를 들어, (i) 의 중합체에서는, 열가소성 액정 폴리머가, 적어도 p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시기-2-나프토산의 반복 단위를 포함하는 경우, 반복 단위 (A) 의 p-하이드록시벤조산과, 반복 단위 (B) 의 6-하이드록시기-2-나프토산의 몰비 (A)/(B) 는, 액정 폴리머 중, (A)/(B) = 10/90 ∼ 90/10 정도인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 (A)/(B) = 50/50 ∼ 85/15 정도여도 되고, 더욱 바람직하게는 (A)/(B) = 60/40 ∼ 80/20 정도여도 된다.

또, (ii) 의 중합체의 경우, p-하이드록시벤조산 및 6-하이드록시기-2-나프토산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 방향족 하이드록시카르복실산 (C) 와, 4,4'-디하이드록시비페닐 및 하이드로퀴논으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 방향족 디올 (D) 와, 테레프탈산, 이소프탈산 및 2,6-나프탈렌디카르복실산으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 방향족 디카르복실산 (E) 의, 액정 폴리머에 있어서의 각 반복 단위의 몰비는, 방향족 하이드록시카르복실산 (C)：상기 방향족 디올 (D)：상기 방향족 디카르복실산 (E) = 30 ∼ 80：35 ∼ 10：35 ∼ 10 정도여도 되고, 보다 바람직하게는 (C)：(D)：(E) = 35 ∼ 75：32.5 ∼ 12.5：32.5 ∼ 12.5 정도여도 되며, 더욱 바람직하게는 (C)：(D)：(E) = 40 ∼ 70：30 ∼ 15：30 ∼ 15 정도여도 된다.

또, 방향족 디카르복실산에서 유래하는 반복 구조 단위와 방향족 디올에서 유래하는 반복 구조 단위의 몰비는, (D)/(E) = 95/100 ∼ 100/95 인 것이 바람직하다. 이 범위를 벗어나면, 중합도가 오르지 않고 기계 강도가 저하되는 경향이 있다.

또한, 본 발명에서 말하는 용융시에 있어서의 광학적 이방성이란, 예를 들어 시료를 핫 스테이지에 얹고, 질소 분위기하에서 승온 가열하고, 시료의 투과광을 관찰함으로써 인정할 수 있다.

열가소성 액정 폴리머로서 바람직한 것은, 융점 (이하, Tm 이라고 칭한다) 이 295 ℃ 이상인 범위의 것이며, 더욱 바람직하게는 Tm 이 310 ∼ 400 ℃ 인 것이다. 또한, Tm 은 시차 주사 열량계 ((주) 시마즈 제작소 DSC) 에 의해 주흡열 피크가 나타나는 온도를 측정함으로써 구해진다.

상기 열가소성 액정 폴리머에는, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 변성 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리올레핀, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리아미드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리에테르에테르케톤, 불소 수지 등의 열가소성 폴리머, 각종 첨가제, 충전제 등을 첨가해도 된다.

본 발명에 사용되는 열가소성 액정 폴리머 필름 (1) 은, 열가소성 액정 폴리머를 압출 성형하여 얻어진다. 열가소성 액정 폴리머의 강직한 봉상 (棒狀) 분자의 방향을 제어할 수 있는 한, 주지의 T 다이법, 라미네이트체 연신법 등의 임의의 압출 성형법을 적용할 수 있지만, 특히 인플레이션법이 바람직하다.

본 발명에 사용되는 열가소성 액정 폴리머 필름 (1) 은, 295 ℃ 이상의 융점을 갖고 있는 것이 바람직하고, 이와 같은 높은 융점으로 하려면, 일단 저융점의 필름을 얻어, 불활성 분위기하에서 열 처리함으로써, 열 처리 전의 융점을 증가시켜도 된다. 그 필름의 융점이 지나치게 낮은 경우, 납 프리는 땜납 접합시의 리플로우 공정이나 땜납으로 부품 접합시에 휨이나 치수 변화를 발생시키는 경우가 있다. 바람직하게는 310 ℃ 이상, 보다 바람직하게는 330 ℃ 이상이다. 또, 그 필름의 융점이 400 ℃ 를 초과하는 경우, 회로층을 제조할 때의 동박을 열 압착하는 공정에서 고온의 적층 설비가 필요해지기 때문에, 필름의 융점의 상한은 400 ℃ 정도여도 된다.

또한, 열가소성 액정 폴리머로 이루어지는 필름으로서 보다 높은 내열성이나 융점을 필요로 하는 경우에는, 일단 얻어진 필름을 가열 처리함으로써, 내열성이나 융점을 높일 수 있다. 가열 처리 조건의 일례를 설명하면, 일단 얻어진 필름의 융점이 283 ℃ 인 경우에도, 260 ℃ 에서 5 시간 가열하면, 융점은 320 ℃ 가 된다.

(폴리페닐렌에테르계 수지층을 포함하는 접착층 또는 접착성 시트)

접착층 또는 접착성 시트는, 폴리페닐렌에테르계 수지를 적어도 포함하고 있다. 폴리페닐렌에테르계 수지는, 하기 화학식 1 로 나타내는 단위로 실질적으로 구성된다.

폴리페닐렌에테르계 수지는, 탄소-탄소 이중 결합, 탄소-탄소 삼중 결합을 포함하는 관능기를 측사슬로서 도입하고, 경화성인 쪽이 바람직하다. 이 경우, 접착층은, 접착성 시트의 경화물로서 얻어진다.

또, 폴리페닐렌에테르계 수지는, 하기 화학식 2 의 일반식으로 나타내는 화합물군을 포함하고 있어도 된다.

[화학식 1]

식 중, Ra, Rb, Rc, Rd 는 동일하거나 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 (예를 들어, C_1-4 알킬기), 할로겐화알킬기 (예를 들어, 할로겐화 C_1-4 알킬기) 또는 페닐기이다.

[화학식 2]

식 중, A₁, A₂ 는 동일 또는 상이한 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬형 알킬기를 나타내고, X₁ 은 지방족 탄화수소 잔기 및 그들의 치환 유도체, 아르알킬기 및 그들의 치환 유도체, 산소 원자, 황 원자, 술포닐기, 또는 카르보닐기를 나타내고, Y₁ 은, 지방족 탄화수소 잔기 및 그들의 치환 유도체, 방향족 탄화수소 잔기 및 그들의 치환 유도체, 또는 아르알킬기 및 그들의 치환 유도체를 나타내고, Z₁ 은, 산소 원자, 황 원자, 술포닐기, 또는 카르보닐기를 나타내고, A₂ 와 직접 결합한 2 개의 페닐기, A₂ 와 X₁, A₂ 와 Y₁, A₂ 와 Z₁ 의 결합 위치는 모두 페놀성 수산기의 오르토 위치 및 파라 위치를 나타내고, r 은 0 ∼ 4, s 는 2 ∼ 6 을 나타낸다.

또, 폴리페닐렌에테르계 수지가 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지인 경우, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지는, 하기 일반식 (3) 으로 나타내는 단위로 실질적으로 구성되어도 된다.

[화학식 3]

(식 중, R₁, R₂, R₃, R₄, R₅, R₆, R₇ 은, 동일하거나 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기, 할로겐화알킬기 또는 페닐기이다. -(O-X-O)- 는 이하의 구조식 (4) 로 나타내고, -(Y-O)- 는 구조식 (5) 로 정의되는 1 종류의 구조, 또는 구조식 (5) 로 정의되는 2 종류 이상의 구조가 랜덤하게 배열한 것이다. Z 는, 탄소수 1 이상의 유기기이고, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 할로겐 원자를 포함하는 경우도 있다. a, b 는, 적어도 어느 일방이 0 이 아닌, 0 ∼ 300 의 정수를 나타낸다. c, d 는, 0 또는 1 의 정수를 나타낸다.

[화학식 4]

구조식 (4) 중, R₈, R₉, R₁₀, R₁₄, R₁₅ 는, 동일하거나 또는 상이해도 되고, 할로겐 원자 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다. R₁₁, R₁₂, R₁₃ 은, 동일하거나 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다.

[화학식 5]

식 중, R₁₆, R₁₇ 은, 동일하거나 또는 상이해도 되고, 할로겐 원자 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다. R₁₈, R₁₉ 는, 동일하거나 또는 상이해도 되고, 수소 원자, 할로겐 원자 또는 탄소수 6 이하의 알킬기 또는 페닐기이다.

이와 같은 화합물은 일본 공개특허공보 2004-59644호에 기재되어 있으며, 예를 들어 미츠비시 가스 화학 (주) 로부터, OPE-2st 시리즈로서 출시되고 있다.

또한 접착층에는, 열가소성 액정 폴리머 필름과의 접착성을 개선하기 위해서, 엘라스토머성 스티렌계 폴리머를 폴리페닐렌에테르계 수지와 조합해도 되며, 엘라스토머성 스티렌계 폴리머로는, 폴리스티렌-폴리(에틸렌/부틸렌) 블록-폴리스티렌 공중합체 (SEBS), 폴리스티렌-폴리(에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌 공중합 (SEPS), 폴리스티렌-폴리(에틸렌-에틸렌/프로필렌) 블록-폴리스티렌 공중합체 (SEEPS) 또는 그 수첨물 (SEEPS-OH) 등의 스티렌계 열가소성 엘라스토머； 범용 폴리스티렌 (GPPS) 에 고무 성분을 혼합한 하이 임팩트 폴리스티렌 또는 그 수첨물 등을 들 수 있다.

폴리페닐렌에테르계 수지는, 예를 들어, 접착층 또는 접착성 시트 전체의 10 질량％ 이상으로 배합되어도 되고 (예를 들어, 10 ∼ 80 질량％), 바람직하게는 15 질량％ 이상 (예를 들어, 15 ∼ 70 질량％) 이어도 되고, 특히 바람직하게는 25 질량％ 이상이어도 된다.

또, 폴리페닐렌에테르 수지의 함유량이 지나치게 적으면, 삽입 손실이 커진다. 한편, 지나치게 많으면, 열가소성 액정 폴리머 필름과의 접착력의 저하나 적층 후의 치수 안정성이 불량해지는 경우가 있다.

또, 엘라스토머성 스티렌계 폴리머는, 예를 들어, 접착층 또는 접착성 시트 전체의 90 질량％ 이하로 포함되어 있어도 되고, 바람직하게는 85 질량％ 이하 (예를 들어 10 ∼ 70 질량％), 보다 바람직하게는 75 질량％ 이하 (예를 들어, 20 ∼ 60 질량％) 여도 된다. 보다 바람직하게는 30 ∼ 80 질량％ 이다.

또한 접착층 또는 접착성 시트에는, 물성을 개선하기 위해서 반응성 수지를 배합할 수 있다. 반응성 수지로는, 아크릴계 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지를 들 수 있다. 반응성 수지는, 예를 들어, 접착층 또는 접착성 시트 전체의 2 질량％ 이하여도 되고, 바람직하게는 1.5 질량％ 이하여도 된다.

또한, 접착하기 위해서 사용되는 접착성 시트의 두께는, 예를 들어, 5 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내에서 선택할 수 있으며, 5 ∼ 50 ㎛ 의 범위 내가 보다 바람직하다.

(기판 또는 커버레이의 재료)

본 발명의 회로 기판에서는, 열가소성 액정 폴리머 필름이, 절연 기판, 회로층 재료, 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 회로 기판 재료로서, 회로 기판을 구성하는 다른 회로 기판 재료에 대해, 상기 접착층을 개재하여 적층된 구조를 갖는 한, 그 밖의 회로 기판을 구성하는 부재에 대해서는, 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서 적절히 선택할 수 있다.

예를 들어, 절연 기판 (바람직하게는 플렉시블 절연 기판) 및 커버레이의 재료는, 치수 안정성, 저흡습성, 저전송 손실 등의 관점에서, 열가소성 액정 폴리머를 사용하는 것이 바람직하지만, 필요에 따라, 열가소성 액정 폴리머 이외의 고주파용 기판 재료를 사용해도 된다.

이와 같은 고주파용 기판 재료는, 유기계 재료여도 되고, 무기계 재료여도 된다. 유기계 재료로는, 예를 들어, 플렉시블 기판 재료로는, 폴리이미드 필름, 시클로올레핀 폴리머 필름 등을 들 수 있다. 또, 리지드 기판 재료로는, 불소 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴계 수지 등을 들 수 있다. 또한, 이들 유기계 재료는 단독으로 사용해도 되고, 유리 포백 (布帛) (예를 들어 유리 매트, 유리 직포) 등을 보강재로서 병용하여, 유리 불소 기판 또는 유리 에폭시 기판으로서 사용해도 된다. 또 무기계 재료로는, 세라믹 등을 들 수 있다.

(도전 부분)

도전 부분 (또는 도전 회로나 도전 배선 패턴) 은, 절연 기판의 적어도 일방의 면에 형성되고, 소정 패턴의 신호 라인이나 어스, 전원면 등을 구성하고 있어도 된다. 이와 같은 회로층은 공지 또는 관용의 방법에 의해 형성되며, 스퍼터링법, 도금법 등을 이용해도 된다.

또는, 절연 기판에 대해, 도체박을 공지 또는 관용의 방법에 의해 접착한 후, 감광성 레지스트 처리, 노광, 에칭 가공을 거쳐, 소정의 패턴의 신호 라인을 절연 기판의 일방의 면에 형성해도 된다.

도체박은, 기판의 재료에 따라, 기판 재료와 도체박을 직접 열 압착 등에 의해 접착해도 되고, 적당한 접착제를 개재하여 기판 재료와 도체박을 접착해도 된다.

도체로는, 전기적 접속에 사용되는 금속이 적합하고, 구리 외 금, 은, 니켈, 알루미늄 등을 들 수 있다. 이들 금속 중, 구리가 바람직하게 사용된다.

회로층의 두께는 1 ∼ 50 ㎛ 의 범위 내가 바람직하고, 5 ∼ 20 ㎛ 의 범위 내가 보다 바람직하다. 회로층에 이용되고 있는 금속층 또는 회로층에 포함되는 도전 배선 패턴은, 그 금속층의 표면의 최대 조도가 2.0 ㎛ 이하인 저조도인 것이 바람직하다. 상기 표면의 최대 조도가 2.0 ㎛ 보다 크면, 전송 손실이 커질 우려가 있다. 보다 바람직하게는 1.5 ㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 1.0 ㎛ 이하이다.

예를 들어, 회로층은, 표면 조도가 2.0 ㎛ 이하인 전해 동박 혹은 압연 동박을 기판 재료 (바람직하게는 열가소성 액정 폴리머 필름) 의 융점보다 30 ℃ 낮은 온도에서 열 압착하고, 이어서, 소정의 배선이 되도록 염화 제2철 용액 등으로 에칭하여 작성한다. 또한 양면의 도전을 취하기 위해서, 레이저 등으로 스루홀이나 비아를 형성하고, 내벽에 구리 도금함으로써 층간 접속을 갖는 회로층을 형성할 수 있다.

(회로 기판의 제조 방법)

이와 같은 회로 기판은, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착성 시트와, 열가소성 액정 폴리머 필름 각각을 준비하는 공정과,

상기 접착성 시트를 개재하여, 열가소성 액정 폴리머 필름을, 절연 기판, 회로층 재료, 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 회로 기판 재료로서, 다른 회로 기판 재료에 대해 적층하고, 상기 접착성 시트가, 유리 전이 온도 200 ∼ 300 ℃ 를 갖는 접착층이 될 때까지 150 ∼ 250 ℃ 에서 열 압착하는 열 압착 공정을 적어도 구비하는 제조 방법에 의해 얻을 수 있다.

상기 열 압착 후의 접착층은, 유연성을 가지면서도, 땜납 내열성 및/또는 적층 후의 치수 안정성을 갖는 관점에서 유리 전이 온도가 200 ℃ 이상이고, 바람직하게는 220 ℃ 이상, 더욱 바람직하게는 240 ℃ 이상이어도 된다. 또한, 유리 전이 온도의 상한은 300 ℃ 이하이고, 바람직하게는 280 ℃ 이하, 더욱 바람직하게는 270 ℃ 이하여도 된다.

또, 상기 접착층은, 유연성을 유지한 상태로 사용되는 것이 바람직하기 때문에, 회로 기판이, 열가소성 액정 폴리머 필름간이 접착층으로 접속된 적층 부분을 갖고 있는 경우, 회로 기판의 탄성률로서, 예를 들어, 그 적층 부분의 인장 탄성률은, 예를 들어, 2.0 ㎬ 이상이어도 되고, 보다 바람직하게는 2.5 ㎬ 이상, 더욱 바람직하게는 3.0 ㎬ 이상이어도 된다. 또한, 그 상한으로는, 5.0 ㎬ 정도여도 된다.

또한, 회로 기판의 탄성률은, 후술하는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된 값을 나타낸다.

열 압착 공정에서 사용되는 가열 압착의 수단으로서 특별히 제한은 없고, 진공 열 프레스 방식, 롤 열 프레스 방식, 더블 벨트 열 프레스 방식 등을 채용할 수 있다.

열 압착시의 조건은, 접착층이 소정의 유리 전이 온도를 나타내는 한, 회로 기판 재료의 종류나, 접착층에 포함되는 각 물질의 배합 비율 등등에 맞추어 적절히 설정할 수 있다.

가열 온도는, 고온을 필요로 하지 않고 열 압착할 수 있는 관점에서 150 ∼ 250 ℃ (예를 들어, 150 ∼ 190 ℃ 정도) 이고, 바람직하게는 160 ∼ 230 ℃ 정도 (예를 들어, 160 ∼ 180 ℃ 정도), 보다 바람직하게는 170 ∼ 200 ℃ 정도여도 된다.

또 적층 압력은, 예를 들어 1 ∼ 3 ㎫ 정도, 바람직하게는 1.3 ∼ 2.8 ㎫ 정도, 더욱 바람직하게는 1.5 ∼ 2.5 ㎫ 정도여도 된다.

또 적층 시간은, 예를 들어 30 초 ∼ 20 분 정도, 바람직하게는 1 ∼ 15 분 정도, 더욱 바람직하게는 2 ∼ 10 분 정도여도 된다.

(회로 기판)

본 발명의 회로 기판은, 저전송 손실성의 관점에서 10 ㎓ 의 주파수에 있어서의 삽입 손실이 예를 들어 3.0 dB/10 ㎝ 이하, 바람직하게는 2.5 dB/10 ㎝ 이하, 보다 바람직하게는 2.0 dB/10 ㎝ 이하여도 된다. 여기서, 삽입 손실이란, 후술하는 실시예에 기재한 방법에 의해 측정되는 값이다.

또, 상기한 회로 기판으로 구성되는 본 발명의 회로는, 5 ㎓ 의 주파수에 있어서의 삽입 손실이 2.0 dB/10 ㎝ 이하, 바람직하게는 1.8 dB/10 ㎝ 이하, 보다 바람직하게는 1.5 dB/10 ㎝ 이하여도 된다.

또, 회로 기판은, 특정한 접착층을 개재한 회로 기판 내의 층간 접착성도 우수하며, 예를 들어, 커버레이와 회로층의 접착층간을 박리시키는 경우나, 접착층을 개재하여 이웃하는 회로층간을 박리시키는 경우 등의 강도를 층간 접착력으로서 평가하면, 층간 접착력은, 예를 들어, 0.5 kN/m 이상이어도 되고, 바람직하게는 0.8 kN/m 이상이어도 된다. 여기서, 층간 접착력이란, 후술하는 실시예에 기재한 방법에 의해 측정되는 값이다.

또, 회로 기판은, 땜납 내열성도 우수하며, 예를 들어, JIS C5016 시험법에 준거한 회로 기판 (특히, 절연 기판 부분이나 커버레이 부분) 에 있어서의 땜납 내열 온도는, 예를 들어, 290 ℃ 이상이어도 되고, 바람직하게는 295 ℃ 이상이어도 된다. 여기서, 땜납 내열 온도란, 후술하는 실시예에 기재한 방법에 의해 측정되는 값이다.

또, 회로 기판은, 치수 안정성도 우수하며, IPC-TM-6502.2.4 에 준하여 측정한 가열 전후의 치수 변화율이, 예를 들어, ±0.18 ％ 이내여도 되고, 바람직하게는 ±0.13 ％ 이여도 되고, 보다 바람직하게는 ±0.08 ％ 이내, 특히 바람직하게는±0.05 ％ 이내여도 된다.

(리지드-플렉스 회로 기판)

또, 본 발명은 또 다른 실시형태로서, 리지드부와 플렉시블부로 구성된 리지드-플렉스 회로 기판을 포함하고 있어도 된다.

이 경우, 절연 기판 및 커버레이로서, 고주파 영역에서의 유전 특성이 우수한 열가소성 액정 폴리머 필름을 이용하여 플렉시블부 (또는 플렉시블 회로판) 를 형성하고, 이 플렉시블 회로판에 대해 리지드 회로층이 적층된 리지드부를 형성하면, 얻어진 리지드-플렉스 회로 기판은, 내열성이 우수할 뿐만 아니라, 열가소성 액정 폴리머 필름의 우수한 유전 특성을 이용하여 고주파에서의 전송 손실을 저감시킬 수 있다.

예를 들어, 이와 같은 플렉시블부와 리지드부를 구비하는 리지드-플렉스 회로 기판은,

상기 플렉시블부는, 절연 재료로서 광학적 이방성의 용융상을 형성할 수 있는 열가소성 액정 폴리머 필름을, 적어도 절연 기판, 회로층 재료, 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 회로 기판 재료로서 구비하는 플렉시블 회로판으로 구성되고,

상기 리지드부는, 상기 플렉시블부로부터 연장된 플렉시블 회로판과, 그 적어도 일방의 면에 배치 형성된 리지드 회로층을 구비하는 리지드 회로판으로 구성되고,

상기 열가소성 액정 폴리머 필름은, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 개재하여, 리지드-플렉스 회로 기판을 구성하는 다른 회로 기판 재료에 대해, 적층 일체화되어 있는 리지드-플렉스 회로 기판이어도 된다. 또한, 여기서, 리지드 회로층은, 리지드 절연 기판과, 그 적어도 일방에 형성된 도전 부분 (예를 들어, 도전 회로 등) 을 구비하고 있다.

이와 같은 리지드-플렉스 회로 기판은, 특정한 접착층을 이용하기 때문에 저온 성형할 수 있을 뿐만 아니라, 플렉시블부의 절연 재료로서 열가소성 액정 폴리머 필름을 사용하고 있기 때문에, 내열성 및 치수 안정성이 우수하다. 또, 리지드-플렉스 회로 기판은, 층간 접착력이 우수함과 함께, 저전송 손실을 달성할 수 있다.

또, 본 발명의 리지드-플렉스 회로 기판은, 저온 성형성을 갖고 있기 때문에, 열 경화형 수지에서 사용되고 있는 적층 설비 등을 이용하여, 효율적으로, 상기의 우수한 성질을 갖는 리지드-플렉스 회로 기판을 제조하는 것이 가능하다.

예를 들어, 상기 플렉시블부는, 플렉시블 절연 기판과 그 적어도 일방의 면에 형성된 도전 부분 (예를 들어, 도전 회로) 을 구비하는 플렉시블 회로층, 및 이 플렉시블 회로층에 형성되어 있는 도전 부분을 피복하기 위한 커버레이를 구비하는 플렉시블 회로판으로 형성되고；

상기 플렉시블 절연 기판 및 커버레이는 열가소성 액정 폴리머 필름으로 구성되고；

리지드부는, 리지드 절연 기판과 그 적어도 일방의 면에 형성된 도전 부분 (예를 들어, 도전 회로) 을 구비하는 리지드 회로층과, 이 리지드 회로층을 적어도 일방의 면에 배치 형성하고 있는 상기 플렉시블 회로판을 구비하는 리지드 회로판으로 구성되고；

상기 열가소성 액정 폴리머 필름은, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 개재하여, 리지드-플렉스 회로 기판을 구성하는 다른 회로 기판 재료에 대해, 적층되어 있어도 된다.

예를 들어, 상기 플렉시블 절연 기판, 커버레이 및 리지드 절연 기판은, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층에 의해 서로 접착되어 있어도 된다.

상기 리지드 절연 기판은, 열가소성 액정 폴리머 필름으로 형성되어 있어도 되고, 또는 전술한 다른 유기 및/또는 무기 기판 재료로 형성되어 있어도 된다.

또, 이와 같은 리지드-플렉스 회로 기판은,

플렉시블부를 형성하기 위한 절연 기판 재료로서 열가소성 액정 폴리머 필름을 사용하고,

플렉시블부 및 리지드부를 구성하는 절연 기판, 회로층, 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종의 다른 회로 기판 재료를 접착시키기 위해서, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 사용하고,

상기 열가소성 액정 폴리머 필름과, 상기 다른 회로 기판 재료를, 열 압착에 의해 일체 성형함으로써, 제조할 수 있다.

보다 구체적으로는, 도 3 내지 도 5 를 이용하여, 리지드-플렉스 회로 기판을 설명한다. 도 3 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 리지드-플렉스 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이고, 도 4 는, 플렉시블부의 주요부 개략 단면도이고, 도 5 는, 리지드부를 설명하기 위한 주요부 개략 단면도이다.

도 3 에 나타내는 바와 같이, 리지드-플렉스 회로 기판 (30) 은, 플렉시블부 (31) 와 리지드부 (32, 32) 를 구비하고 있다. 리지드부 (32, 32) 에서는, 플렉시블부 (31) 로부터 연장되어 있는 플렉시블 회로판 (7) 의 양면에, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (5) 을 개재하여 리지드 회로층 (4A, 4B) 을 각각 적층하고 있다.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 상기 플렉시블부 (31) 는, 플렉시블 절연 기판 (2) 과, 그 일방의 면에 형성된 도전 부분 (도전 회로) (11A) 을 갖는 플렉시블 회로층과, 이 도전 부분 (11A) 을 피복하기 위한 커버레이 (3) 를 구비하는 플렉시블 회로판 (7) 으로 형성되어 있다. 여기서, 플렉시블 기판 (2) 및 커버레이 (3) 는, 광학적 이방성의 용융상을 형성할 수 있는 열가소성 액정 폴리머로 구성되어 있고, 플렉시블 기판 (2) 과 커버레이 (3) 는, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (5) 을 개재하여 접착되어 있다.

한편, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 리지드부 (32) 에서는, 상기 플렉시블부 (31) 로부터 연장된 플렉시블 회로판 (7) 의 양면에, 리지드 회로층 (4A, 4B) 이, 각각 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (5, 5) 을 개재하여 접착·배치 형성되어 있다. 여기서, 리지드 회로층 (4A, 4B) 에서는, 리지드 절연 기판 (8B, 8C) 에 대해 도전 부분 (도전 회로) (11B, 11C) 이 각각 형성되어 있다. 또, 도전 부분 (11B 로부터 11C) 을 관통하는 스루홀 (20) 이 형성되고, 그 스루홀 (20) 에는 스루홀 도금 (21) 이 형성되어 있다.

도 6 은, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 리지드-플렉스 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이다. 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 은, 플렉시블부 (131) 와 리지드부 (132, 132) 를 구비하고 있다. 상기 플렉시블부 (131) 는, 일방의 면에 도전 부분 (111A) 을 갖는 플렉시블 절연 기판 (102) 과, 이 도전 부분 (111A) 을 피복하기 위한 커버레이 (103) 를 구비하는 플렉시블 회로판 (107) 으로 형성되어 있다. 또한, 커버레이 (103) 는, 플렉시블부 (131) 에 있어서는 커버레이로서 작용하지만, 리지드부 (132, 132) 에 있어서는, 리지드부로서 작동하는 도전 부분 (111D) 을 갖고 있다. 그 때문에, 이와 같은 경우, 커버레이 (103) 는, 리지드부에 있어서는, 커버레이로서 작용하지 않고, 실질적으로는 도전 부분을 갖는 회로층의 일부로서 작용하는 것이지만, 플렉시블부에서의 구조에 기초하여 커버레이라고 칭하고 있다. 또, 이와 같은 호칭은, 다른 실시형태에 있어서도 공통적으로 사용된다.

플렉시블 절연 기판 (102) 및 커버레이 (103) 는, 각각 열가소성 액정 폴리머로 구성되어 있고, 플렉시블 절연 기판 (102) 과 커버레이 (103) 는, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (105) 을 개재하여 접착되어 있다.

리지드부 (132) 에서는, 상기 플렉시블부 (131) 로부터 연장된 플렉시블 회로판 (107) 의 양면에, 리지드 회로층 (104A, 104B) 이, 각각 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (105, 105) 을 개재하여 접착·배치 형성되어 있다. 플렉시블 회로판 (107) 의 리지드 회로층 (104A) 의 측에는, 도전 부분 (111D) 이 형성되어 있다. 여기서, 리지드 회로층 (104A, 104B) 은, 각각, 리지드 절연 기판 (108B, 108C) 과, 그 리지드 절연 기판에 대해 형성된 도전 부분 (도전 회로) (111B, 111C) 을 구비하고 있다. 또, 도전 부분 (111B 로부터 111C) 을 관통하는 스루홀 (120) 이 형성되고, 그 스루홀 (120) 에는 스루홀 도금 (121) 이 형성되어 있다.

도 7 은, 본 발명의 또 다른 실시형태에 관련된 리지드-플렉스 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이다. 리지드-플렉스 회로 기판 (230) 은, 플렉시블부 (231) 와 리지드부 (232, 232) 를 구비하고 있다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 상기 플렉시블부 (231) 는, 양방의 면에 도전 부분 (211A, 211E) 을 갖는 플렉시블 절연 기판 (202) 과, 이 도전 부분 (211A) 을 피복하기 위한 커버레이 (203) 를 구비하는 플렉시블 회로판 (207) 으로 형성되어 있다. 또한, 커버레이 (203) 는, 플렉시블부에 있어서는 커버레이로서 작용하지만, 리지드부에 있어서는, 도전 부분 (211D) 을 갖고 있다. 그 때문에, 커버레이 (203) 는, 리지드부에 있어서는, 실질적으로는 도전 부분을 갖는 회로층의 일부로서 작용하고 있다.

플렉시블 절연 기판 (202) 및 커버레이 (203) 는, 열가소성 액정 폴리머로 구성되어 있고, 플렉시블 절연 기판 (202) 과 커버레이 (203) 는, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (205) 을 개재하여 접착되어 있다.

리지드부 (232) 에서는, 상기 플렉시블부 (231) 로부터 연장된 플렉시블 회로판 (207)의 양면에, 리지드 회로층 (204A, 204B) 이, 각각 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (205, 205) 을 개재하여 접착·배치 형성되어 있다. 플렉시블 회로판 (207) 의 양면에는, 도전 부분 (211D, 211E) 이 형성되어 있다. 여기서, 리지드 회로층 (204A, 204B) 은, 각각 리지드 절연 기판 (208B, 208C) 과, 그 리지드 절연 기판에 대해 형성된 도전 부분 (도전 회로) (211B, 211C) 을 구비하고 있다. 또, 도전 부분 (211B 로부터 211C) 을 관통하는 스루홀 (220) 이 형성되고, 그 스루홀 (220) 에는 스루홀 도금 (221) 이 형성되어 있다.

도 8 은, 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 리지드-플렉스 회로 기판을 나타내는 개략 단면도이다. 리지드-플렉스 회로 기판 (330) 은, 플렉시블부 (331) 와 리지드부 (332, 332) 를 구비하고 있다. 도 8 에 나타내는 바와 같이, 상기 플렉시블부 (331) 는, 양방의 면에 도전 부분 (311A, 311E) 을 갖는 플렉시블 절연 기판 (302) 과, 이들 도전 부분 (311A, 311E) 을 각각 피복하기 위한 커버레이 (303, 306) 를 구비하는 플렉시블 회로판 (307) 으로 형성되어 있다.

플렉시블 절연 기판 (302) 및 커버레이 (303, 306) 는, 열가소성 액정 폴리머로 구성되어 있고, 플렉시블 절연 기판 (302) 과 커버레이 (303, 306) 는, 각각 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (305) 을 개재하여 접착되어 있다.

리지드부 (332) 에서는, 상기 플렉시블부 (331) 로부터 연장된 플렉시블 회로판 (307) 의 양면에, 리지드 회로층 (304A, 304B) 이, 각각 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층 (305, 305) 을 개재하여 접착·배치 형성되어 있다. 여기서, 리지드 회로층 (304A, 304B) 은, 각각 리지드 절연 기판 (308B, 308C) 과, 그 리지드 절연 기판에 대해 형성된 도전 부분 (도전 회로) (311B, 311C) 을 구비하고 있다. 또, 도전 부분 (311B 로부터 311C) 을 관통하는 스루홀 (320) 이 형성되고, 그 스루홀 (320) 에는 스루홀 도금 (321) 이 형성되어 있다.

또, 커버레이로서 사용되는 열가소성 액정 폴리머 필름과, 플렉시블 절연 기판으로서 사용되는 열가소성 액정 폴리머 필름의 융점은, 동일해도 되고, 상이해도 된다.

플렉시블 절연 기판 또는 커버레이로서 사용되는 열가소성 액정 폴리머 필름의 두께는 1 ∼ 100 ㎛ 의 범위 내가 바람직하고, 5 ∼ 50 ㎛ 의 범위 내가 보다 바람직하다.

(리지드 기판)

리지드 기판은, 고주파용 기판 재료로서 이용할 수 있는 한, 유기계 재료로 구성되어도 되고, 무기계 재료로 구성되어도 된다. 유기계 재료로는, 열가소성 액정 폴리머 시트를 사용할 수도 있지만, 불소 수지, 에폭시 수지, 아크릴계 수지, 열가소성 액정 폴리머 등을 사용해도 된다. 또한, 이들 유기계 재료는 단독으로 사용해도 되고, 유리 포백 (예를 들어 유리 크로스, 유리천) 등을 보강재로서 병용해도 된다. 또 무기계 재료로는, 세라믹 등을 들 수 있다.

리지드 기판의 두께는, 리지드-플렉시블 기판의 목적에 따라 적절히 설정할 수 있으며, 예를 들어 0.5 ∼ 2.5 ㎜ 정도여도 되고, 바람직하게는 0.6 ∼ 2.3 ㎜ 정도여도 되며, 보다 바람직하게는 0.7 ∼ 2.1 ㎜ 정도여도 된다. 또, 리지드층까지 얇게 할 필요가 있는 경우에는, 다층 플렉스로서, 리지드부도 플렉시블 기판과 동일하게 열가소성 액정 폴리머 필름으로 형성해도 된다. 이 경우, 리지드층으로서, 열가소성 액정 폴리머 필름은, 단층으로 소정의 두께를 갖는 것이어도 되고, 얇은 열가소성 액정 폴리머 필름 (예를 들어, 200 ㎛ ∼ 1 ㎜ 정도) 을 2 층 이상 (예를 들어, 2 ∼ 10 층 정도, 바람직하게는 2 ∼ 5 층 정도) 겹쳐 일체화하여 시트상으로 한 것이어도 된다.

또한, 본 발명은, 변형 실시양태로서, 하기에 기재되는 바와 같은 응용예를 포함하고 있어도 된다.

(응용예 1)

플렉시블부와 리지드부를 구비하는 리지드-플렉스 회로 기판에 있어서,

상기 플렉시블부는, 절연 재료로서 광학적 이방성의 용융상을 형성할 수 있는 열가소성 액정 폴리머 (이하, 열가소성 액정 폴리머라고 칭한다) 로 이루어지는 필름을 사용한 플렉시블 회로판으로 구성되고,

상기 리지드부는, 리지드 절연 기판과 그 적어도 일방의 면에 도전 부분을 갖는 리지드 회로층과, 이 리지드 회로층을 적어도 일방의 면에 배치 형성하고 있는 상기 플렉시블 회로판을 구비하는 리지드 회로판으로 구성되고,

상기 열가소성 액정 폴리머 필름끼리, 및 플렉시블 회로판과 리지드 회로층은, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층에 의해, 서로 접착되어 있는 리지드-플렉스 회로 기판.

(응용예 2)

응용예 1 의 리지드-플렉스 회로 기판에 있어서,

플렉시블부는, 적어도 일방의 면에 도전 부분을 갖는 플렉시블 절연 기판과, 이 플렉시블 기판에 형성되어 있는 도전 부분을 피복하기 위한 커버레이를 구비하는 플렉시블 회로판으로 형성되고；

리지드부는, 리지드 절연 기판과 그 적어도 일방의 면에 도전 부분을 갖는 리지드 회로층과, 이 리지드 회로층을 적어도 일방의 면에 배치 형성하고 있는 상기 플렉시블 회로판을 구비하는 리지드 회로판으로 구성되고；

상기 플렉시블 기판, 커버레이 및 리지드 회로층은, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층에 의해, 서로 접착되어 있는 리지드-플렉스 회로 기판.

(응용예 3)

응용예 1 또는 2 의 리지드-플렉스 회로 기판에 있어서, 열가소성 액정 폴리머의 융점이 295 ℃ 이상임과 함께, 접착층의 유리 전이 온도가 200 ℃ 이상인 리지드-플렉스 회로 기판.

(응용예 4)

응용예 1 내지 3 중 어느 한 항의 리지드-플렉스 회로 기판에 있어서, 땜납 내열 온도가 295 ℃ 이상인 리지드-플렉스 회로 기판.

(응용예 5)

응용예 1 내지 4 중 어느 한 항의 리지드-플렉스 회로 기판에 있어서, 접착제층이 폴리페닐렌에테르계 수지를 10 질량％ 이상 포함하는 리지드-플렉스 회로 기판.

(응용예 6)

응용예 1 내지 5 중 어느 한 항의 리지드-플렉스 회로 기판에 있어서, 리지드 절연 기판이 열가소성 액정 폴리머 필름으로 이루어지는 리지드-플렉스 회로 기판.

(응용예 7)

응용예 6 의 리지드-플렉스 회로 기판에 있어서, 리지드 절연 기판이 2 층 이상의 열가소성 액정 폴리머 필름으로 이루어지는 리지드-플렉스 회로 기판.

(응용예 8)

응용예 1 내지 7 중 어느 한 항의 리지드-플렉스 회로 기판에 있어서, 리지드 절연 기판이 유리 불소 기판 또는 유리 에폭시 기판으로 이루어지는 리지드-플렉스 회로 기판.

(응용예 9)

플렉시블부와 리지드부를 구비하는 리지드-플렉스 회로 기판의 제조 방법으로서,

플렉시블부 및 리지드부를 구성하는 각 회로 기판 재료를 접착시키기 위해서, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 사용하고,

열 압착에 의해 일체 성형하는 리지드-플렉스 회로 기판의 제조 방법.

실시예

이하에 실시예 및 비교예에 기초하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

[필름의 융점 ℃]

시차 주사 열량계를 이용하여, 10 ℃／분의 속도로 승온했을 때에 나타나는 주흡열 피크를 융점으로 하였다.

[분자 배향도 (SOR)]

마이크로파 분자 배향도 측정기에 있어서, 액정 폴리머 필름을, 마이크로파의 진행 방향으로 필름면이 수직이 되도록, 마이크로파 공진 도파관 중에 삽입하고, 그 필름을 투과한 마이크로파의 전기장 강도 (마이크로파 투과 강도) 가 측정된다.

그리고, 이 측정값에 기초하여, 다음 식에 의해 m 값 (굴절률이라고 칭한다) 이 산출된다.

m = (Zo/△z) X [1 － νmax/νo]

단, Zo 는 장치 상수, △z 는 물체의 평균 두께, νmax 는 마이크로파의 진동수를 변화시켰을 때, 최대의 마이크로파 투과 강도를 주는 진동수, νo 는 평균 두께 제로일 때 (즉, 물체가 없을 때) 의 최대 마이크로파 투과 강도를 주는 진동수이다.

다음으로, 마이크로파의 진동 방향에 대한 물체의 회전각이 0° 일 때, 즉, 마이크로파의 진동 방향과, 물체의 분자가 가장 잘 배향되어 있는 방향으로서, 최소 마이크로파 투과 강도를 주는 방향이 합치하고 있을 때의 m 값을 m₀, 회전각이 90° 일 때의 m 값을 m₉₀ 으로 하여, 분자 배향도 SOR 이 m₀/m₉₀ 에 의해 산출된다.

[땜납 내열 온도 ℃]

JIS C5016 시험법에 준거하여, 커버레이를 갖는 회로 기판을 땜납욕 상에 1 분간 정치하고, 변색, 변형, 발포 등의 외관 변화가 발생하지 않는 온도를 측정하였다.

[접착층의 유리 전이 온도 (℃)]

동적 점탄성 측정 (DMA) 으로 측정하였다. 열 압착 후의 회로 기판으로부터 10 ㎜ × 40 ㎜ 의 시험편을 잘라내고, 시험편 중의 접착층 부분에 대해, DMS6100 으로 3 ℃／분의 속도로 25 ℃ 부터 220 ℃ 까지 승온했을 때에 나타나는 tanD 의 피크 온도를 유리 전이 온도 (Tg) 로 하였다.

[회로 기판의 탄성률]

2 매의 열가소성 액정 폴리머 필름 (또는, 열가소성 액정 폴리머 필름과 도전 부분을 구비하는 회로층) 이, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층에서 열 압착된 적층 부분 (예를 들어, 회로 기판의 플렉시블부) 을 10 ㎜ × 100 ㎜ 로 잘라내고, ASTM D 882 에 준거하여, 인장 탄성률을 측정하였다.

[도전 배선의 조도 ㎛]

도전 배선의 조도는, 촉침식의 표면 조도계를 사용하여 측정하였다. 미츠토요 제조 서프테스트 SJ201 을 사용하여, JIS B0601-2001 에 준거하여 Rz 를 측정하였다.

[층간 접착력 kN/m]

JIS C5016 시험법에 준거하여, 90° 의 각도로, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 개재한 회로 기판 재료간 (플렉시블 회로층간, 또는 플렉시블 회로층과 커버레이간) 을 박리시킬 때의 강도를 층간 접착력으로 하였다.

[5 ㎓ 에서의 삽입 손실 dB/10 ㎝]

스트립 라인 구조로 임피던스가 50 Ω 가 되도록, 신호선의 폭이 95 ㎛, 신호선의 길이 방향의 길이 100 ㎜ 의 회로를 제조하였다.

마이크로파 네트워크 애널라이저 (Agilent Technology 사 제조 「8722ES」) 를 사용하여, 캐스케이드 마이크로텍 제조 프로브 (ACP40-250) 로 5 ㎓ 에서의 삽입 손실을 측정하였다.

[10 ㎓ 에서의 삽입 손실 dB/10 ㎝]

스트립 라인 구조로 임피던스가 50 Ω 가 되도록, 신호선의 폭이 140 ㎛, 신호선의 길이 방향의 길이 100 ㎜ 의 회로를 제조하였다.

마이크로파 네트워크 애널라이저 (Agilent Technology 사 제조 「8722ES」) 를 사용하여, 캐스케이드 마이크로텍 제조 프로브 (ACP40-250) 로 10 ㎓ 에서의 삽입 손실을 측정하였다.

[치수 안정성]

IPC-TM-6502.2.4 에 준하여 측정하였다. 가열 조건은 150 ℃ × 30 분이며, 가열 전후의 샘플의 치수 변화율 (％) 을 측정하였다.

[참고예 A1]

p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시-2-나프토산의 공중합물 (몰비：73/27) 로, 융점이 280 ℃, 두께가 50 ㎛ 인 열가소성 액정 폴리머 필름을 기재 필름으로 하고, 질소 분위기하에서 260 ℃ 4 시간, 추가로 280 ℃ 2 시간 열 처리함으로써 융점을 300 ℃ 로 증가시키고, 기재 필름 상하에 소정의 표면 조도의 두께 12 ㎛ 의 압연 동박을 세트하고, 1 쌍의 롤로 연속 프레스기로 롤 온도 290 ℃, 선압 100 ㎏/㎝, 라인 속도 2 m/분의 조건으로 구리 피복 적층판을 얻었다 (구리 피복 적층판 A 로 한다).

[참고예 A2]

p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시-2-나프토산의 공중합물 (몰비：73/27) 로, 융점이 280 ℃, 두께가 50 ㎛ 인 열가소성 액정 폴리머 필름을 기재 필름으로 하고, 질소 분위기하에서 260 ℃ 4 시간, 추가로 280 ℃ 4 시간 열 처리함으로써 융점을 330 ℃ 로 증가시키고, 기재 필름 상하에 소정의 표면 조도의 두께 12 ㎛ 의 압연 동박을 세트하고, 1 쌍의 롤로 연속 프레스기로 롤 온도 290 ℃, 선압 100 ㎏/㎝, 라인 속도 2 m/분의 조건으로 구리 피복 적층판을 얻었다 (구리 피복 적층판 B 로 한다).

[참고예 A3]

p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시-2-나프토산의 공중합물 (몰비：73/27) 로, 융점이 280 ℃, 두께가 50 ㎛ 인 열가소성 액정 폴리머 필름을 기재 필름으로 하고, 질소 분위기하에서 260 ℃ 4 시간, 추가로 280 ℃ 7 시간 열 처리함으로써 융점을 370 ℃ 로 증가시키고, 기재 필름 상하에 소정의 표면 조도의 두께 12 ㎛ 의 압연 동박을 세트하고, 1 쌍의 롤로 연속 프레스기로 롤 온도 300 ℃, 선압 100 ㎏/㎝, 라인 속도 2 m/분의 조건으로 구리 피복 적층판을 얻었다 (구리 피복 적층판 C 로 한다).

[참고예 A4]

p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시-2-나프토산의 공중합물 (몰비：73/27) 로, 융점이 280 ℃, 두께가 50 ㎛ 인 열가소성 액정 폴리머 필름을 기재 필름으로 하고, 기재 필름 상하에 소정의 표면 조도의 두께 12 ㎛ 의 압연 동박을 세트하고, 1 쌍의 롤로 연속 프레스기로 롤 온도 260 ℃, 선압 100 ㎏/㎝, 라인 속도 2 m/분의 조건으로 구리 피복 적층판을 얻었다 (구리 피복 적층판 D 로 한다).

[실시예 A1]

참고예 A1 에서 얻어진 구리 피복 적층판 A 의 동박 조도를 1.0 ㎛ 로 하고, 스트립 라인 구조가 되도록 배선 가공한 회로층과, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지 (미츠비시 가스 화학 (주) 「OPE2st」) 50 질량부, 스티렌계 폴리머 ((주) 쿠라레 「SEPTON8007L」) 50 질량부, 에폭시 수지 (재팬 에폭시 레진 (주) 「JER152」) 1 질량부, 및 경화 촉진제를 톨루엔에 용해한 후, 시트상으로 건조 고화시킨 접착성 시트 (두께 25 ㎛) 를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 열 압착하여 접착시키고, 회로층/접착층/회로층으로 구성된 적층체 (회로 기판) 를 얻었다. 얻어진 적층체의 각종 물성을 평가하고, 표 7 에 나타내었다.

[실시예 A2]

참고예 A2 에서 얻어진 구리 피복 적층판 B 의 동박 조도를 1.0 ㎛ 로 하고, 스트립 라인 구조가 되도록 배선 가공한 회로층과, 접착성 시트에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 30 질량부, 스티렌계 폴리머를 70 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 A1 과 동일하게 얻은 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 열 압착하여, 양자를 접착시켰다. 얻어진 적층체의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 A3]

참고예 A2 에서 얻어진 구리 피복 적층판 B 의 동박 조도를 0.5 ㎛ 로 하고, 스트립 라인 구조가 되도록 배선 가공한 회로층과, 실시예 A1 에서 얻어진 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 열 압착하여 접착시켰다. 얻어진 적층체의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 A4]

참고예 A2 에서 얻어진 구리 피복 적층판 B 의 동박 조도를 2.0 ㎛ 로 하고, 스트립 라인 구조가 되도록 배선 가공한 회로층과, 접착성 시트에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 60 질량부, 스티렌계 폴리머를 40 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 A1 과 동일하게 얻은 접착성 시트 (접착층 (2)) 를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 열 압착하여 접착시켰다. 얻어진 적층체의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 A5]

참고예 A3 에서 얻어진 구리 피복 적층판 C 의 동박 조도를 0.8 ㎛ 로 하고, 스트립 라인 구조가 되도록 배선 가공한 회로층과, 실시예 A1 에서 얻어진 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 열 압착하여 접착시켰다. 얻어진 적층체의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 A6]

참고예 A3 에서 얻어진 구리 피복 적층판 C 의 동박 조도를 0.5 ㎛ 로 하고, 스트립 라인 구조가 되도록 배선 가공한 회로층과, 실시예 A4 에서 얻어진 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 열 압착하여 접착시켰다. 얻어진 적층체의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 A7]

참고예 A4 에서 얻어진 구리 피복 적층판 D 의 동박 조도를 1.0 ㎛ 로 하고, 스트립 라인 구조가 되도록 배선 가공한 회로층과, 실시예 A1 에서 얻어진 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 열 압착하여 접착시켰다. 얻어진 적층체의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 A8]

참고예 A2 에서 얻어진 구리 피복 적층판 B 의 동박 조도를 3.0 ㎛ 로 하고, 스트립 라인 구조가 되도록 배선 가공한 회로층과, 실시예 A1 에서 얻어진 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 열 압착하여 접착시켰다. 얻어진 적층체의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 A9]

참고예 A2 에서 얻어진 구리 피복 적층판 B 의 동박 조도를 2.0 ㎛ 로 하고, 스트립 라인 구조가 되도록 배선 가공한 회로층과, 접착성 시트에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 10 질량부, 스티렌계 폴리머를 90 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 A1 과 동일하게 얻은 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 열 압착하여 접착시켰다. 얻어진 적층체의 각종 물성을 평가하였다.

실시예 A1 ∼ A9 는, 모두, 열가소성 액정 폴리머 필름을 기판 회로 재료로서 사용하고 있음에도 불구하고, 180 ℃ 에 있어서의 저온에서 일체로 적층 가능하였다.

이들 실시예 중, 열가소성 폴리머 필름의 융점이 300 ℃ 이상이면, 높은 층간 접착력을 실현할 수 있는 경향이 있고, 도전 배선의 조도가 낮으면, 삽입 손실의 값을 낮게 할 수 있는 경향이 있다. 또, 접착층에 있어서의 폴리페닐렌에테르계 폴리머의 비율이 높으면, 층간 접착력이 향상되는 경향이 있다.

[참고예 B1]

p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시-2-나프토산의 공중합물 (몰비：73/27) 로, 융점이 280 ℃, 막두께 25 ㎛ 인 열가소성 액정 폴리머 필름을, 질소 분위기하에서 260 ℃ 4 시간, 추가로 280 ℃ 2 시간 열 처리함으로써 융점을 300 ℃ 로 증가시켰다 (필름 A 로 한다).

[참고예 B2]

p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시-2-나프토산의 공중합물 (몰비：73/27) 로, 융점이 280 ℃, 두께가 25 ㎛ 인 열가소성 액정 폴리머 필름을, 질소 분위기하에서 260 ℃ 4 시간, 추가로 280 ℃ 4 시간 열 처리함으로써 융점을 330 ℃ 로 증가시켰다 (필름 B 로 한다).

[참고예 B3]

p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시-2-나프토산의 공중합물 (몰비：73/27) 로, 융점이 280 ℃, 두께가 25 ㎛ 인 열가소성 액정 폴리머 필름을 베이스 필름 C 로 하였다.

[참고예 B4]

p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시-2-나프토산의 공중합물 (몰비：73/27) 로, 융점이 280 ℃, 두께가 50 ㎛ 인 열가소성 액정 폴리머 필름을, 질소 분위기하에서 260 ℃ 4 시간, 추가로 280 ℃ 4 시간 열 처리함으로써 융점을 330 ℃ 로 증가시킨 필름의 상하에 표면 조도가 1.0 ㎛ 이고, 두께 12 ㎛ 의 압연 동박을 세트하고, 1 쌍의 롤로 연속 프레스기로 롤 온도 300 ℃, 선압 100 ㎏/㎝, 라인 속도 2 m/분의 조건으로 구리 피복 적층판을 얻었다. 이 구리 피복 적층판을 배선 가공하고 회로층으로 하였다.

[실시예 B1]

참고예 B1 에서 얻어진 필름 A 와, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지 (미츠비시 가스 화학 (주) 「OPE2st」) 50 질량부, 스티렌계 폴리머 ((주) 쿠라레 「SEPTON8007L」) 50 질량부, 에폭시 수지 (재팬 에폭시 레진 (주) 「JER152」) 1 질량부, 및 경화 촉진제를 톨루엔에 용해한 후, 시트상으로 건조 고화시킨 접착성 시트 (두께 25 ㎛) 를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하고 커버레이와 접착성 시트의 적층체로 하였다. 이어서, 이 적층체 중의 접착층이 참고예 B4 의 회로층의 배선 가공면에 접하도록 배치하고, 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하였다. 얻어진 회로 기판의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 B2]

참고예 B2 에서 얻어진 필름 B 와, 접착성 시트에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 30 질량부, 스티렌계 폴리머를 70 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 B1 과 동일하게 얻은 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하고 커버레이와 접착성 시트의 적층체로 하였다. 이어서, 이 적층체 중의 접착성 시트가 참고예 B4 의 회로층의 배선 가공면에 접하도록 배치하고, 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하여, 커버레이와 회로층이 접착층에 의해 일체화한 회로 기판을 얻었다. 얻어진 회로 기판의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 B3]

참고예 B2 에서 얻어진 필름 B 와, 접착성 시트에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 20 질량부, 스티렌계 폴리머를 80 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 B1 과 동일하게 얻은 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하고 커버레이와 접착성 시트의 적층체로 하였다. 이어서, 이 적층체 중의 접착성 시트가 참고예 B4 의 회로층의 배선 가공면에 접하도록 배치하고, 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하여, 커버레이와 회로층이 접착층에 의해 일체화한 회로 기판을 얻었다. 얻어진 회로 기판의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 B4]

참고예 B2 에서 얻어진 필름 B 와, 접착성 시트에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 60 질량부, 스티렌계 폴리머를 40 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 B1 과 동일하게 얻은 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하고 커버레이와 접착성 시트의 적층체로 하였다. 이어서, 이 적층체 중의 접착성 시트가 참고예 B4 의 회로층의 배선 가공면에 접하도록 배치하고, 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하여, 커버레이와 회로층이 접착층에 의해 일체화한 회로 기판을 얻었다. 얻어진 회로 기판의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 B5]

참고예 B3 에서 얻어진 필름 C 와, 실시예 B1 에서 얻어진 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하고 커버레이와 접착성 시트의 적층체로 하였다. 이어서, 이 적층체 중의 접착성 시트가 참고예 B4 의 회로층의 배선 가공면에 접하도록 배치하고, 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하여, 커버레이와 회로층이 접착층에 의해 일체화한 회로 기판을 얻었다. 얻어진 회로 기판의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 B6]

참고예 B2 에서 얻어진 필름 B 와, 접착성 시트에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 10 질량부, 스티렌계 폴리머를 90 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 것 이외에는, 실시예 B1 과 동일하게 얻은 접착성 시트를 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하고 커버레이와 접착성 시트의 적층체로 하였다. 이어서, 이 적층체 중의 접착성 시트가 참고예 B4 의 회로층의 배선 가공면에 접하도록 배치하고, 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하여, 커버레이와 회로층이 접착층에 의해 일체화한 회로 기판을 얻었다. 얻어진 회로 기판의 각종 물성을 평가하였다.

[비교예 B1]

커버레이로서 12.5 ㎛ 두께의 폴리이미드 필름 (토레·듀퐁사 제조, 「카프톤」) 을 사용하고, 접착성 재료로서 12.5 ㎛ 두께의 에폭시계 접착재 (닉칸 제조 CISV) 를 사용하였다. 이어서, 이 접착성 재료가 참고예 B4 의 회로층의 배선 가공면에 접하도록 배치하고, 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하여, 커버레이와 회로층이 접착층에 의해 일체화한 회로 기판을 얻었다. 얻어진 회로 기판의 각종 물성을 평가하였다.

실시예 B1 ∼ B6 은, 모두, 열가소성 액정 폴리머 필름을 기판 회로 재료로서 사용하고 있음에도 불구하고, 180 ℃ 에 있어서의 저온에서 적층 일체 가능하였다.

한편, 폴리이미드에 대해 에폭시 수지를 접착층으로서 사용한 비교예 B1 에서는, 삽입 손실의 값이 높기 때문에, 고주파대에서의 전송 손실을 저감시킬 수 없었다.

[참고예 C1]

p-하이드록시벤조산과 6-하이드록시-2-나프토산의 공중합물 (몰비：73/27) 을 용융 압출하고, 인플레이션 성형법에 의해, 융점이 280 ℃, 막두께 25 ㎛, SOR 1.05, 유전율 3.0 의 열가소성 액정 폴리머 필름을 얻었다.

[참고예 C2]

참고예 C1 에서 얻어진 열가소성 액정 폴리머 필름 (A) 를, 질소 분위기하에서 260 ℃ 4 시간, 추가로 280 ℃ 4 시간 열 처리함으로써, 융점이 330 ℃, 막두께 25 ㎛, SOR 1.05, 유전율 3.0 의 열가소성 액정 폴리머 필름을 얻었다.

[참고예 C3]

참고예 C1 에서 얻어진 열가소성 액정 폴리머 필름 상에 표면의 최대 조도가 1.0 ㎛ 이고, 두께 12 ㎛ 의 압연 동박을 세트하고, 1 쌍의 롤로 연속 프레스기로 롤 온도 280 ℃, 선압 100 ㎏/㎝, 라인 속도 2 m/분의 조건으로 가열 압착하여 편면 구리 피복 적층판을 얻었다. 이 구리 피복 적층판을 배선 가공하고 융점 280 ℃ 의 플렉시블 기판 (102 및 103) 을 제조하였다.

[참고예 C4]

참고예 C2 에서 얻어진 열가소성 액정 폴리머 필름 상에 표면 조도가 1.0 ㎛ 이고, 두께 12 ㎛ 의 압연 동박을 세트하고, 1 쌍의 롤로 연속 프레스기로 롤 온도 300 ℃, 선압 100 ㎏/㎝, 라인 속도 2 m/분의 조건으로 편면 구리 피복 적층판 (6) 을 얻었다. 이 구리 피복 적층판을 배선 가공하고 융점 330 ℃ 의 플렉시블 기판 (102 및 103) 을 제조하였다.

[참고예 C5]

참고예 C2 에서 얻어진 열가소성 액정 폴리머 필름 상에 표면 조도가 1.0 ㎛ 이고, 두께 12 ㎛ 의 압연 동박을 세트하고, 1 쌍의 롤로 연속 프레스기로 롤 온도 300 ℃, 선압 100 ㎏/㎝, 라인 속도 2 m/분의 조건으로 편면 구리 피복 적층판을 얻었다. 이 구리 피복 적층판을 배선 가공하고 리지드 기판 (104) 을 제조하였다.

[실시예 C1]

열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지 (미츠비시 가스 화학 (주) 「OPE2st」) 50 질량부, 스티렌계 폴리머 ((주) 쿠라레 「SEPTON8007L」) 50 질량부, 에폭시 수지 (재팬 에폭시 레진 (주) 「JER152」) 1 질량부, 및 경화 촉진제를 톨루엔에 용해한 후, 시트상으로 건조 고화시킨 접착성 시트 (105) (두께 25 ㎛) 를 제조하였다.

이어서, 참고예 C4 에서 얻어진 플렉시블 기판 (102 및 103) 과, 참고예 C5 에서 얻어진 리지드 기판 (104) 과, 접착성 시트 (105) 를 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이 배치하고, 진공하, 가압력 2 ㎫ 로 180 ℃ 5 분간 가열 압착하여 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 을 얻었다.

양면의 도전을 취하기 위해서, 리지드부에 있어서 레이저로 스루홀 (120) 을 형성하고, 이 스루홀 (120) 에 구리 도금하여 스루홀 도금 (121, 121) 을 형성하였다. 얻어진 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 의 각종 물성을 평가하였다.

[실시예 C2]

접착성 시트 (105) 에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 30 질량부, 스티렌계 폴리머를 70 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 이외에는, 실시예 C1 과 동일하게 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 을 얻었다. 얻어진 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 의 각종 물성을 평가하였다. 또한, 접착층의 유리 전이 온도는 200 ℃ 이다.

[실시예 C3]

접착성 시트 (105) 에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 20 질량부, 스티렌계 폴리머를 80 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 이외에는, 실시예 C1 과 동일하게 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 을 얻었다. 얻어진 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 의 각종 물성을 평가하였다. 또한, 접착층의 유리 전이 온도는 185 ℃ 이다.

[실시예 C4]

접착성 시트 (105) 에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 60 질량부, 스티렌계 폴리머를 40 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 이외에는, 실시예 C1 과 동일하게 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 을 얻었다. 얻어진 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 의 각종 물성을 평가하였다. 또한, 접착층의 유리 전이 온도는 238 ℃ 이다.

[실시예 C5]

접착성 시트 (105) 에 있어서의 각 수지 성분의 비율을, 열경화성 폴리페닐렌에테르계 수지를 10 질량부, 스티렌계 폴리머를 90 질량부, 에폭시 수지를 1 질량부로 변경하는 이외에는, 실시예 C1 과 동일하게 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 을 얻었다. 얻어진 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 의 각종 물성을 평가하였다. 또한, 접착층의 유리 전이 온도는 170 ℃ 이다.

[참고 비교예 C1]

참고예 C4 에서 얻어진 플렉시블 기판 (102 및 103) 과, 참고예 C5 에서 얻어진 리지드 기판 (104) 과, 접착층 (105) 으로서의 참고예 C1 의 액정 폴리머 필름 (A) 를 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이 배치하고, 진공하, 가압력 4 ㎫ 로 300 ℃ 60 분간 가열 압착하여 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 을 얻었다.

[참고 비교예 C2]

참고예 C3 에서 얻어진 플렉시블 기판 (102 및 103) 과, 참고예 C5 에서 얻어진 리지드 기판 (104) 과, 접착층 (105) 으로서의 참고예 C1 의 액정 폴리머 필름 (A) 를 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이 배치하고, 진공하, 가압력 4 ㎫ 로 300 ℃ 60 분간 가열 압착하여 리지드-플렉스 회로 기판 (130) 을 얻었다.

표 9 에 나타내는 바와 같이, 실시예 C1 내지 C5 는, 모두 저온, 저압, 단시간에서의 성형이더라도 유전 특성이 우수한 리지드-플렉스 회로 기판을 얻을 수 있다. 특히, 폴리페닐렌에테르계 수지의 비율이 20 질량％ ∼ 60 질량％ 인 경우, 접착력, 유전 특성, 치수 안정성 모두에 있어서 매우 우수한 것이다.

한편, 선행 기술의 범위는 아니지만, 실시예 C 의 효과를 비교하는 데에 있어서 이용된 참고 비교예 C1 및 C2 에서는, 유전 특성이 우수한 리지드-플렉스 회로 기판은 얻어지기는 했지만, 적층 조건이 보다 엄격하고, 장시간에 걸친 고온 고압에서의 가열 압착을 필요로 하고 있다.

산업상 이용가능성

본 발명의 열가소성 액정 폴리머 필름은, 고주파대에 있어서의 전기·전자 제품의 기판 재료로서 이용하는 것이 가능하다. 또, 본 발명에 의하면, 열가소성 액정 폴리머 필름을 기판 재료 또는 커버레이로서 구비하는 회로 기판을, 예를 들어 통상적인 열 경화형 수지에서 사용되고 있는 적층 설비 등으로, 저온에서 효율적으로 제조할 수 있고, 가공 코스트를 억제하는 것이 가능하다.

이상과 같이, 본 발명의 적합한 실시형태를 설명하였지만, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지 추가, 변경 또는 삭제가 가능하고, 그러한 것도 본 발명의 범위 내에 포함된다.

1001A, 1001B, 2001, 11A, 11B, 11C, 111A, 111B, 111C, 111D, 211A, 211B, 211C, 211D, 211E, 311A, 311B, 311C, 311E : 도전 부분
1002A, 1002B, 2002 : 절연 기판
1004A, 1004B, 2004 : 회로층
30, 130, 230, 330 : 리지드-플렉스 회로 기판
2, 102, 202, 302 : 플렉시블 절연 기판
3, 103, 203, 303, 306, 2003 : 커버레이
4A, 4B, 104A, 104B, 204A, 204B, 304A, 304B : 리지드 회로층
5, 105, 205, 305, 1005, 2005 : 접착층
7, 107, 207, 307 : 플렉시블 회로판
8B, 8C, 108B, 108C, 208B, 208C, 308B, 308C : 리지드 절연 기판
31, 131, 231, 331 : 플렉시블부
32, 132, 232, 332 : 리지드부

Claims

광학적 이방성의 용융상을 형성할 수 있는 열가소성 폴리머로 이루어지는 액정 폴리머 필름 (이하, 열가소성 액정 폴리머 필름이라고 칭한다) 과,
폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 적어도 구비하는 회로 기판으로서,
상기 열가소성 액정 폴리머 필름은, 절연 기판, 회로층 재료, 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 회로 기판 재료로서, 회로 기판을 구성하는 다른 회로 기판 재료에 대해 상기 접착층을 개재하여 적층되고,
상기 접착층의 유리 전이 온도가 200 ∼ 300 ℃ 인, 회로 기판.
제 1 항에 있어서,
폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층에 폴리페닐렌에테르계 수지가 10 질량％ 이상 포함되어 있는, 회로 기판.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
열가소성 액정 폴리머 필름의 융점이 295 ℃ 이상인, 회로 기판.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
열가소성 액정 폴리머 필름으로 이루어지는 절연 기판과, 그 편면 또는 양면에 형성된 도전 부분을 포함하는 회로층을 구비하고 있고,
상기 회로층의 적어도 일방의 면이, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 개재하여, 다른 회로 기판 재료에 대해 적층되어 있는, 회로 기판.
제 4 항에 있어서,
열가소성 액정 폴리머 필름과, 그 편면 또는 양면에 형성된 도전 부분을 포함하는 회로층을 적어도 2 층 구비하고 있고,
상기 회로층간에, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층이 형성된, 회로 기판.
제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
도전 부분의 최대 조도가 2.0 ㎛ 이하인, 회로 기판.
제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
회로층 및 접착층 중 적어도 일방이 복수 층으로 이루어지는, 회로 기판.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
열가소성 액정 폴리머 필름을 커버레이로 하고, 상기 커버레이는, 폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착층을 개재하여, 도전 배선 패턴의 적어도 일부를 피복하고 있는, 회로 기판.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
땜납 내열 온도가 295 ℃ 이상인, 회로 기판.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
10 ㎓ 의 주파수에 있어서의 삽입 손실이 3.0 dB/10 ㎝ 이하인, 회로 기판.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
열가소성 액정 폴리머 필름간이 접착층에서 접속된 적층 부분을 갖고 있고, 그 적층 부분의 인장 탄성률이 2.0 ㎬ 이상인, 회로 기판.
회로 기판의 제조 방법으로서,
폴리페닐렌에테르계 수지를 포함하는 접착성 시트와, 열가소성 액정 폴리머 필름을 각각 준비하는 공정과,
상기 접착성 시트를 개재하여, 상기 열가소성 액정 폴리머 필름을, 절연 기판, 회로층 재료, 및 커버레이로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나의 회로 기판 재료로서, 다른 회로 기판 재료에 대해 중첩하고, 상기 접착성 시트가, 유리 전이 온도 200 ∼ 300 ℃ 를 갖는 접착층이 될 때까지 가열 온도 150 ∼ 250 ℃ 에서 열 압착하는 열 압착 공정을 적어도 구비하는, 회로 기판의 제조 방법.
제 12 항에 있어서,
열 압착 공정에서, 가열 시간이 30 초 ∼ 20 분인, 회로 기판의 제조 방법.
제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,
열 압착 공정에서, 열 압착시의 압력이 1 ∼ 3 ㎫ 인, 회로 기판의 제조 방법.