KR20150020500A - 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법 및 이의 방법으로 제조된 미세 전극 회로 검사용 핀 - Google Patents

Abstract

미세전극회로 검사용 핀이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 미세전극회로 검사용 핀은 양단중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀 및 상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고 상기 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고, 상기 핀과 상기 하우징은 반도체 멤스 공정에 의해 동시에 형성되어 상기 핀 및 상기 하우징의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상 면은 평탄하게 형성된다.

Description

미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법 및 이의 방법으로 제조된 미세 전극 회로 검사용 핀{METHOD FOR TESTING ELECTRODE CIRCUIT PIN AND ELECTRODE CIRCUIT TESTING PIN USING THE SAME}

본 발명은 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법에 관한 것으로서, 핀과 하우징간의 구조적 결함을 해결함과 아울러, 미세 전극 회로를 측정하는 경우 발생되는 충격을 완화함과 아울러, 측정 속도를 향상시킬 수 있는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법 및 이의 방법으로 제조된 미세 전극 회로 검사용 핀에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼(wafer) 상에 회로패턴 및 검사를 위한 접촉패드를 형성하는 패브리케이션(fabrication) 공정과 회로패턴 및 접촉패드가 형성된 웨이퍼를 각각의 반도체 칩으로 조립하는 어셈블리(assembly) 공정을 통해서 제조된다.

패브리케이션 공정과 어셈블리 공정 사이에는 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드에 전기 신호를 인가하여 웨이퍼의 전기적 특성을 검사하는 검사 공정이 수행된다. 이 검사 공정은 웨이퍼의 불량을 검사하여 어셈블리 공정 시 불량이 발생한 웨이퍼의 일 부분을 제거하기 위해 수행하는 공정이다.

검사 공정 시에는 웨이퍼에 전기적 신호를 인가하는 테스터라고 하는 검사 장비와 웨이퍼와 테스터 사이의 인터페이스 기능을 수행하는 프로브 카드라는 검사 장비가 주로 이용된다. 이 중에서 프로브 카드는 테스터로부터 인가되는 전기 신호를 수신하는 인쇄 회로기판 및 웨이퍼 상에 형성된 접촉 패드와 접촉하는 복수개의 핀을 포함한다.

최근 반도체 칩이 고집적화됨에 따라 패브리케이션 공정에 의해 웨이퍼에 형성되는 회로 패턴이 고집적되었고, 이에 의해 이웃하는 접촉 패드간의 간격, 즉 피치(pitch)가 매우 좁게 형성되고 있다.

이에 따라 각각의 핀은 인접한 핀과의 피치가 줄어들 수 있도록 그 두께가 얇게 설계되고 있다.

그러나 이와 같이 핀의 두께가 얇아지게 되면 강도가 저하되어 검사 공정에서 가해지는 횡방향의 힘에 의해 핀이 손상되거나 또는 핀에 접촉되는 웨이퍼 상의 접촉패드가 손상되는 문제점이 있다.

또한, 피검사물인 웨이퍼의 접촉패드에 단차가 존재하는 경우에는 특정 프로브와 접촉되지 못하는 접촉패드가 존재하게 되고, 이에 따라 정확한 검사가 이루어지지 않는 경우가 발생되는 문제점이 있다.

이에 의해, 종래에는 스프링 구조의 핀을 사용하고 있으나, 이는 구조적인 문제로 인하여 검사시 힘을 인가하는 경우 블록을 긁으면서 동작하게 되고, 이때 블록의 옥사이드층이 깨지게 되어 누설이 발생되는 문제가 있다.

이를 해결하기 위해, 종래에는 하우징을 갖는 핀을 개발하고 있으나, 하우징과 핀을 별도로 설계 및 제작하고 있으며, 이는 하우징과 핀 모두 반도체 검사 시 반도체 전극의 미세 피치에 대응하기 위하여 매우 작은 크기로 제작되므로 하우징과 프로브의 결합 공정이 고난이도를 요구한다.

또한, 하우징과 핀을 결합하는 경우 핀셋 등 기구를 이용함에 따라 하우징 또는 핀에 필요이상의 힘이 가할 시 변형되어 불량이 발생하고, 하우징과 핀의 개별 제작으로 인해 제작 시간이 늘어나는 문제점이 있다.

또한, 개별 제작 시 하우징과 핀의 서로 다른 공정환경 등의 요인으로 하우징과 핀 결합 시 기존 설계된 크기와 미세한 차이로 인해 결합이 되지 않거나 필요이상으로 하우징 내부면과 핀 외부면이 이격되어 동작이 제대로 되지 않는 문제점이 있다.

본 발명과 관련된 선행문헌으로는 대한민국 공개특허 제10-2009-0117053호(공개일 2009년 11월 12일)가 있으며, 상기 선행문헌에는 가변강성 기능을 가진 수직형 미세 접촉 프로브에 대한 기술이 개시된다.

본 발명의 목적은, 하우징과 핀을 반도체 멤스(MEMS) 공정을 통해 동시에 제조함으로써, 하우징과 핀 간의 제조시 공차 오류로 인한 구조적 결함을 미연에 방지하도록 제조할 수 있는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법 및 이의 방법으로 제조된 미세 전극 회로 검사용 핀을 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은, 핀에 지그재그 형상의 굴곡부를 형성함으로서 미세 전극 회로를 물리적으로 접촉하여 검사하는 경우 발생되는 충격을 완화할 수 있는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법 및 이의 방법으로 제조된 미세 전극 회로 검사용 핀을 제공함에 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 미세 전극 회로 측정시 상하로 변형되는 핀에 하우징을 사용하여 커버 역할을 하도록 하여 측정 신호 누설을 효율적으로 방지할 수 있는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법 및 이의 방법으로 제조된 미세 전극 회로 검사용 핀을 제공함에 있다.

일 태양에 있어서, 본 발명은 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀 및 상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고 상기 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고, 상기 핀과 상기 하우징은 반도체 멤스 공정에 의해 동시에 형성되어 상기 핀 및 상기 하우징의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상 면은 평탄하게 형성된다.

다른 태양에 있어서, 본 발명은 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀, 및 상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고 상기 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고, 상기 접촉부는 가로 길이가 상기 탄성부의 가로 길이보다 작게 형성되고, 상기 관통부는 가로 길이가 상기 탄성부의 가로 길이보다 작고 상기 접촉부의 가로 길이보다 크게 형성되어 상기 핀이 하우징으로부터 분리되지 않도록 한다.

다른 태양에 있어서, 본 발명은 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고, 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀, 및 상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고 상기 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고, 상기 관통부의 단면의 넓이는 상기 하우징의 단면의 넓이보다 작고, 상기 하우징 및 관통부의 단면은 사각 형상으로 형성된다.

다른 태양에 있어서, 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고, 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀, 및 상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고, 상기 관통부와 밀접하는 상기 접촉부의 측면에는 상기 관통부를 향해 오목 또는 볼록한 다수의 요철부가 더 형성된다.

다른 태양에 있어서, 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고, 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀, 및 상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고, 상기 하우징에는 상기 하우징의 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀을이 더 형성된다.

상기 핀의 일단은 상기 접촉부가 형성되고 타단은 상기 하우징과 연결된다.

상기 관통부가 형성된 상기 하우징의 반대면에는 탄성 복원력을 갖는 보조탄성부가 연결되고 상기 보조탄성부의 일단에은 보조접촉부가 형성된다.

상기 하우징은 상기 보조탄성부를 커버하도록 연장되어 형성되고, 상기 보조접촉부를 외부로 노출하는 보조관통부가 형성된다. 상기 보조관통부의 단면의 넓이는 상기 하우징의 단면의 넓이보다 작고, 상기 하우징 및 보조관통부의 단면은 사각 형상으로 형성다.

상기 관통부가 형성된 상기 하우징의 반대면에는 보조접촉부가 형성된다.

상기 탄성부는 지그재그 형상으로 형성된다. 상기 접촉부는 접촉 단자가 더 형성되되, 상기 접촉 단자의 단부는 직각 형상, 세모 형상, 다단의 직각 돌출 형상 중 어느 하나의 단면으로 형성된다.

상기 접촉부와 상기 접촉 단자의 높이는 서로 상이하다. 상기 접촉부와 상기 접촉 단자는 다른 금속으로 형성된다.

또 다른 태양에 있어서, 본 발명은 하부 하우징을 형성하는 하부 하우징 형성 단계; 상기 하부 하우징의 테두리를 따라 상방으로 직립되는 측벽 하우징과, 상기 측벽 하우징으로 에워싸이는 공간에 핀을 형성하는 핀 및 측벽 하우징 형성 단계; 및 상기 핀 및 측벽 하우징의 상부에 상부 하우징을 형성하는 상부 하우징 형성 단계를 포함한다.

또 다른 태양에 있어서, 본 발명은 하부 하우징을 형성하는 하부 하우징 형성 단계; 상기 하부 하우징의 상부에 핀을 형성하는 핀 형성 단계; 및 상기 하부 하우징의 테두리를 따라 상방으로 직립되는 측벽 하우징 및 상기 핀의 상부에 상부 하우징을 형성하는 측벽하우징 및 상부 하우징 형성 단계를 포함한다.

상기 핀과 상기 하부 하우징, 상기 측벽 하우징, 상기 상부 하우징 사이에는 희생부를 형성하고 상기 하부 하우징과 상기 상부 하우징 중 적어도 하나 이상에, 상기 하우징 측벽의 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀을 더 형성한다.

상기 하부 하우징 형성 단계는, 베이스를 준비하고, 상기 베이스 상부에 상기 하부 하우징을 형성한다.

상기 핀 및 측벽 하우징 형성 단계는, 상기 하부 하우징의 상부에, 상기 하부 하우징의 가로 길이보다 작은 가로 길이를 갖는 제 1희생부를 형성하고, 상기 하부 하우징의 테두리를 따라 상방으로 직립되는 측벽 하우징을 형성하고 상기 제 1희생부 상부에 상기 핀을 형성하고 상기 측벽 하우징과 상기 핀 사이의 상기 제 1희생부 상면에 제 2희생부를 형성한다.

상기 측벽 하우징의 내측에 위치되는 상기 핀의 상부에 상기 측벽 하우징의 내측 공간의 가로길이와 동일한 제 3희생부를 형성하고, 상기 측벽 하우징 및 상기 제 3희생부 상부에 상기 하부 하우징의 형상에 대응되는 상부 하우징을 형성하고, 상기 하부 하우징, 상기 핀, 상기 측벽 하우징, 상기 상부 하우징을 제외한 부분을 제거한다.

상기 하부 하우징, 상기 핀, 상기 측벽 하우징, 상기 상부 하우징은 반도체 멤스 공정을 통해 니켈-코발트로 형성하고, 상기 제 1희생부, 상기 제 2희생부, 상기 제 3희생부는 반도체 멤스 공정을 통해 구리로 형성한다.

상기 핀은 상기 측벽 하우징의 내부 공간에서 탄성을 가지도록 형성된 탄성부와, 상기 탄성부의 양단 중 적어도 하나 이상에 상기 측벽 하우징의 외부로 돌출되는 접촉부를 갖도록 형성되고, 상기 접촉부 측면에 상기 측벽 하우징의 내측벽을 향해 오목 또는 볼록한 다수의 요철부를 더 형성한다.

상기 접촉부의 단부에, 돌출되는 접촉 단자를 형성하되, 상기 접촉 단자의 단부를 직각 형상, 세모 형상, 다단의 직각 돌출 형상 중 어느 하나의 단면을 갖도록 형성한다.

상기 핀 및 측벽 하우징 형성단계를 반복하여 상기 접촉부와 상기 접촉 단자의 높이가 서로 상이하게 형성된다. 상기 접촉부와 상기 접촉 단자는 다른 금속으로 형성된다.

본 발명은, 핀과 하우징을 반도체 멤스(MEMS) 공정을 통해 동시에 제조함으로써, 하우징과 핀 간의 제조 시 공차 오류로 인한 구조적 결함을 미연에 방지하도록 제조할 수 있는 효과를 갖는다.

또한, 본 발명은 핀에 지그재그 형상의 굴곡부를 형성함으로서 미세 전극 회로를 물리적으로 접촉하여 검사하는 경우 발생되는 충격을 완화할 수 있는 효과를 갖는다.

또한, 본 발명은 미세 전극 회로 검사 시 상하로 변형되는 핀에 하우징이 커버 역할을 하도록 하여 측정 신호 누설을 효율적으로 방지할 수 있는 효과를 갖는다.

도 1은 본 발명의 미세 전극 회로 검사용 핀의 외부와 내부를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명에 따르는 하부 하우징 형성 과정을 보여주는 도면들이다.
도 3 내지 도 4는 본 발명에 따르는 핀 및 측벽 하우징을 형성하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따르는 상부 하우징 형성 과정을 보여주는 도면들이다.
도 8은 본 발명에 따르는 접촉 단자의 형상을 보여주는 도면들이다.
도 9는 본 발명에 따르는 미세 전극 회로 검사용 핀의 다른 실시예를 보여주는 도면들이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 미세 전극 회로 검사용 핀의 제조 방법을 설명한다. 그리고, 상기 제조 방법을 통해 제조되는 미세 전극 회로 검사용 핀의 구조를 설명한다.

본 발명의 미세 전극 회로 검사용 핀의 제조 방법은 크게 하부 하우징 형성 단계 --> 핀 및 측벽 하우징 형성 단계 --> 상부 하우징 형성 단계를 통해 제조된다.

하부 하우징 형성 단계(도 1 내지 도 2 참조)

도 1은 본 발명의 미세 전극 회로 검사용 핀의 외부와 내부를 보여주는 도면이고, 도 2는 본 발명의 하부 하우징 형성 단계를 보여주는 도면들이다.

도 1 및 도 2를 참조 하면, 베이스(B)를 준비한다. 이때, 베이스(B)는 상부가 평탄하고 이후 상기 베이스(B)로부터 미세 전극 회로 검사용 핀의 분리가 용이한 웨이퍼, 세라믹 등으로 형성하는 것이 바람직하고, 상기 베이스(B) 상부에는 금속층이 형성될 수 있다.

베이스(B) 상부에 하부 하우징(110)을 형성한다. 이때, 하부 하우징(110)은 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co)를 포함하도록 형성하는 것이 바람직하고, 반도체 멤스(MEMS) 공정을 통해 형성될 수 있다. 즉, 하부 하우징(110)은 반도체 멤스 공정 중에서 개구부를 갖는 마스크를 형성하고 상기 개구부를 도금으로 충진하는 공정을 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 도 2a와 같이 베이스(B) 상부에 포토레지스트(PR)를 도포하고, 도 2b와 같이 상기 포토레지스트(PR)를 노광 및 현상하여 상기 베이스(B) 상부가 외부로 노출된 개구부를 형성하고, 도 2c와 같이 상기 개구부를 도금으로 충진하여 하부 하우징(110)을 형성할 수 있다.

이하 상술되는 반도체 멤스 공정은 하부 하우징(110)을 형성하는 반도체 멤스 공정과 동일하므로 상세한 설명은 생략하도록 한다.

하부 하우징(110)은 평탄화 처리를 위해 필요한 높이보다 크게 형성하고, 화학적 기계적 연마(CMP)를 이용하여 필요한 높이에 맞추는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하부 하우징(110)의 높이는 20㎛이하가 되도록 형성될 수 있다.

핀 및 측벽 하우징 형성 단계(도 3 내지 도 4 참조)

도 3을 참조 하면, 하부 하우징(110)의 상부에 제 1희생부(SP1)를 형성한다. 이때, 제 1희생부(SP1)의 가로 길이는 하부 하우징(110)의 가로 길이 보다 작게 형성하는 것이 바람직하고, 이후 하부 하우징(110) 상부에 형성되는 측벽 하우징(120)의 내측 공간의 가로 길이와 동일하게 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 제 1희생부(SP1)는 선택적으로 습식 식각이 가능한 금속으로 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 구리로 형성하는 것이 바람직하고, 반도체 멤스 공정을 통해 형성될 수 있다.

도 1을 참조하면 하우징(100)의 외부로 노출되는 접촉부 및 보조접촉부(220,230)의 하부에 제 1희생부(SP1)를 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하부 하우징 형성 단계에서 하부 하우징(110)과 동일한 높이로 선택적으로 습식 식각이 가능한 금속층을 접촉부 및 보조접촉부(220,230)가 형성되는 하부에 반도체 멤스 공정을 통해 형성하고, 상기 금속층 상부에 제 1희생부(SP1)가 형성될 수 있다.

물론, 접촉부 및 보조접촉부(220,230)가 형성되는 하부는 제 1희생부(SP1)만으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 접촉부 및 보조접촉부(220,230)가 형성되는 하부 및 하부 하우징(110) 상부에 제 1희생부(SP1)를 형성하고, 상기 접촉부 및 보조접촉부(220,230)가 형성되는 하부에 상기 제 1희생부(SP1)를 형성하기 위해 상기 하부 하우징(110) 상부에 필요한 높이보다 크게 형성된 제 1희생부(SP1)를 화학적 기계적 연마를 이용하여 필요한 높이에 맞춤으로써 형성될 수 있다.

제 1희생부(SP1)는 핀(200)과 하부 하우징(110) 사이에서 스페이서(spacer) 역할을 한다.

이어, 도 4를 참조 하면, 하부 하우징(110)의 상부에 하부 하우징(110)의 외주면을 따라서 직립되는 측벽 하우징(120) 및 제 1희생부(SP1)의 상부에 핀(200) 및 제 2희생부(SP2)를 형성한다. 이때, 측벽 하우징(120), 핀(200)을 반도체 멤스 공정을 통해 형성하고, 측벽 하우징(120) 및 핀(200)을 제 2희생부(SP2)를 형성하기 위한 마스크로 이용하여 상기 제 2희생부(SP2)를 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 측벽 하우징(120) 및 핀(200) 사이에 형성된 개구부에 제 2희생부(SP2)가 형성될 수 있다. 또한, 핀(200) 및 측벽 하우징(120)은 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co)를 포함하도록 형성하는 것이 바람직하고, 반도체 멤스 공정을 통해 형성될 수 있다. 또한, 제 2희생부(SP2)는 선택적으로 습식 식각이 가능한 금속으로 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 구리로 형성하는 것이 바람직하고, 반도체 멤스 공정을 통해 형성될 수 있다.

제 2희생부(SP2)는 핀(200)과 측면 하우징(120) 사이에서 스페이서(spacer) 역할을 한다.

핀(200) 및 측벽 하우징(120)은 평탄화 처리를 위해 필요한 높이보다 크게 형성하고, 화학적 기계적 연마를 이용하여 필요한 높이에 맞추는 것이 바람직하다. 예를 들면, 핀(200)의 높이는 20㎛이하가 되도록 형성될 수 있다.

상부 하우징 형성 단계(도 5 내지 도 7 참조)

도 5를 참조 하면, 핀(200) 및 제 2희생부(SP2)의 상부에 제 3희생부(SP3)를 형성한다. 이때, 제 3희생부(SP3)의 가로 길이는 하우징 측벽(120)의 내측 공간의 가로 길이와 동일하게 형성하는 것이 바람직하고, 제 1희생부(SP1)의 가로 길이와 동일하게 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 3희생부(SP3)는 선택적으로 습식 식각이 가능한 금속으로 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 구리로 형성하는 것이 바람직하고, 반도체 멤스 공정을 통해 형성될 수 있다.

제 3희생부(SP3)는 핀(200)과 상부 하우징(130) 사이에서 스페이서(spacer) 역할을 한다.

이어, 도 6을 참조 하면, 제 3희생부(SP3)의 상부에 상부 하우징(130)을 형성한다. 이때, 상부 하우징(130)은 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co)를 포함하도록 형성하는 것이 바람직하고, 반도체 멤스 공정을 통해 형성될 수 있다.

상부 하우징(130)은 평탄화 처리를 위해 필요한 높이보다 크게 형성하고, 화학적 기계적 연마를 이용하여 필요한 높이에 맞추는 것이 바람직하다. 예를 들면, 상부 하우징(130)의 높이는 20㎛이하가 되도록 형성될 수 있다.

이어, 도 7을 참조 하면, 스페이서 역할을 하는 희생부(SP1,SP2,SP3)를 제거한다. 이때, 희생부(SP1,SP2,SP3)의 제거는 희생부(SP1,SP2,SP3)를 선택적으로 습식 식각하는 용액을 사용하여 제거하는 것이 바람직하다.

이에 따라, 도 1 및 도 7에 도시되는 바와 같은 내부를 갖는 미세 전극 회로 검사용 핀이 형성된다.

앞서 언급한 미세 전극 회로 검사용 핀의 제조 방법은 기본적인 실시예를 설명한 것이며 실시예를 변형하여 제조하는 것도 가능하다. 예를 들면, 핀 및 측벽 하우징 형성 단계에서 측벽 하우징(120)을 미형성하고, 상부 하우징 형성 단계에서 측벽 하우징(120) 및 상부 하우징(130)을 동시에 형성 또는 핀 및 측벽 하우징 형성 단계에서 제 2희생부(SP2)를 미형성하고, 상부 하우징 형성 단계에서 제 2희생부(SP2) 및 제 3희생부(SP3)를 동시에 형성하는 것이 대표적인 예에 해당된다.

한편, 도 1을 참조 하면, 본 발명에서는 핀 및 측벽 하우징 형성 단계에서 핀(200)이 측벽 하우징(120)의 내부 공간에서, 상기 측벽 하우징(120)의 길이 방향을 따라 지그재그로 절곡되는 탄성부(210)와, 상기 탄성부(210)의 길이방향의 양단에서 상기 측벽 하우징(120)의 양단으로 돌출되는 접촉부 및 보조접촉부(220,230)를 갖도록 형성할 수 있다.

이에 더하여, 접촉부 및 보조접촉부(220,230) 각각의 측면에 다수의 요철부(220a,230a)를 더 형성할 수 있다.

요철부(220a,230a)는 접촉부 및 보조접촉부(220,230)와 하우징 측벽(120)이 붙지 않도록 하는 기능을 수행한다. 본 발명은 하우징(100)과 핀(200)을 각각 제조하지 아니하고, 동시에 일체형으로 제조하는 장점이 있는 것으로서, 제조공정에서 하우징(100)과 핀(200) 사이에 일정이상의 이격 공간 형성이 중요하다. 즉, 측면 하우징(120)과 핀(200) 형성을 위한 개구부를 포토레지스트에 형성하면 상기 개구부 사이에 형성된 포토레지스트의 가로 길이가 5㎛이하인 부위는 포토레지스트가 제대로 형성되지 않아 상기 개구부에 상기 측벽 하우징(120)과 상기 핀(200)을 형성 시 상기 측벽 하우징(120)과 상기 핀(200)이 분리되어 형성되지 않는다.

따라서, 하우징(100)과 핀(200) 사이에 일정이상의 이격 공간이 있다면 문제가 없으나 이격 공간이 좁으면 하우징(100)과 핀(200)이 붙어버리게 되어 불량품이 발생될 수 있다.

이를 해결하기 위해 하우징(100)과 핀(200) 사이에 일정이상의 이격 공간을 만들면 되나, 상기 핀(200)이 이격 공간에서 좌우측으로 유동할 수 있어 미세 전극 회로 검사 시 접촉부(220)가 접점을 벗어나는 불량이 발생할 수도 있다. 따라서, 하우징(100)과 핀(200) 사이에 이격 공간이 필요한 상기 핀(200)의 부위에 요철부(220a,230a)를 형성함으로써 상기 핀(200)의 좌우측 유동을 방지하면서도 상기 하우징(100)과 상기 핀(200) 사이에 일정이상의 이격 공간이 형성될 수 있도록 한다.

앞서 언급한 요철부(220a,230a)는 접촉부(220,230)에 형성되는 것으로 설명하였으나 측벽 하우징(120)에 형성하는 것도 가능하다.

이에 더하여, 도 8a를 참조 하면, 접촉부 및 보조접촉부(220,230)의 단부에, 돌출되는 접촉 단자(221,231)를 형성하는 경우, 상기 접촉 단자(221,231)의 단부를 직각 형상, 세모 형상, 다단의 직각 돌출 형상 중 어느 하나의 단면을 갖도록 형성할 수 있다.

여기서, 접촉부 및 보조접촉부(220,230)와 접촉 단자(221,231)의 높이는 서로 동일한 것이 좋고, 다만, 끝단을 이루는 접촉 단자(221,231)의 형상이 서로 상이하게 형성될 수 있다.

이에 더하여, 도 8b를 참조 하면, 상술한 접촉 단자(221,231)는 접촉부 및 보조접촉부(220,230)의 단부에 형성되되, 그 높이가 접촉부(220,230)의 높이에 비해 작게 형성될 수 있다.

즉, 핀 및 측벽 하우징 형성 단계를 여러번 반복하여 접촉부 및 보조접촉부(220,230)와, 상기 접촉부 및 보조접촉부(220,230) 끝단에 형성되는 접촉 단자(221,231)의 높이는 다르게 형성될 수도 있다.

또한, 접촉 단자(221,231)의 두께를 다르게 형성함으로써 접촉 단자(221,231)와 접촉부 및 보조접촉부(220,230)가 다른 금속으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 접촉부 및 보조접촉부(220,230)는 니켈(Ni), 니켈-코발트(Ni-Co)를 포함하도록 형성하고, 접촉 단자(221,231)는 접촉부 및 보조접촉부(220,230)보다 전기전도가 좋은 금속 또는 강도가 높은 금속으로 형성될 수 있다.

이에 더하여, 도 1을 참조 하면, 하우징(100)은 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)이 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하부 하우징(110)과 상부 하우징(130) 중 적어도 하나 이상에, 측벽 하우징(120)의 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)을 더 형성할 수 있다.

배출홀(150)은 핀(200)과 하우징(100) 사이에 형성된 희생부(SP1,SP2,SP3)를 제거하는 기능을 수행한다. 즉, 배출홀(150)에 핀(200)과 하우징(100) 사이에 형성된 희생부(SP1,SP2,SP3)를 제거하는 용액이 투입되고, 상기 배출홀(150)을 통해 상기 희생부(SP1,SP2,SP3)가 용해되어 배출된다.

도 9a는 본 발명에 따른 미세전극 회로 검사용 핀의 다른 실시예를 설명하는 도면이다. 앞서 설명된 바와 같이 하우징(100)과 그 내부의 핀(200)을 동시에 제조하는 방식을 적용하여 도 9a의 구조와 같이 하우징(100) 내부에 형성된 탄성부(211) 및 보조탄성부(212)의 일단이 측벽 하우징(120)에 연결되는 미세 전극 회로 검사용 핀도 제조될 수 있다. 이러한 제조방법은 앞서 설명된 바 있으므로 그 상세한 설명을 생략한다.

도 9b는 본 발명에 따른 미세전극 회로 검사용 핀의 다른 실시예를 설명하는 도면이다. 앞서 설명된 바와 같이 하우징(100)과 그 내부의 핀(200)을 동시에 제조하는 방식을 적용하여 도 9b의 구조와 같이 하우징(100) 내부에 형성된 탄성부(211) 일단이 측벽 하우징(120)에 연결되고 하우징(100) 외부에 형성된 보조탄성부(212) 일단이 측벽 하우징(120)에 연결되는 미세 전극 회로 검사용 핀도 제조될 수 있다. 이러한 제조방법은 앞서 설명된 바 있으므로 그 상세한 설명을 생략한다.

도 9c는 본 발명에 따른 미세전극 회로 검사용 핀의 다른 실시예를 설명하는 도면이다. 앞서 설명된 바와 같이 하우징(100)과 그 내부의 핀(200)을 동시에 제조하는 방식을 적용하여 도 9c의 구조와 같이 하우징(100) 내부에 형성된 제 1탄성부(211) 일단이 측벽 하우징(120)에 연결되고 하우징(100) 외부에 형성된 보조접촉부(230) 일단이 측벽 하우징(120)에 연결되는 미세 전극 회로 검사용 핀도 제조될 수 있다. 이러한 제조방법은 앞서 설명된 바 있으므로 그 상세한 설명을 생략한다.

다음은, 상기와 같은 반도체 멤스(MEMS) 공정을 통해 제조되는 핀의 구성을 설명한다. 그리고, 하기의 설명에서 상기 도 1 내지 도 9를 참조하기로 한다.

실시예 1에 따른 미세 전극 회로 검사용 핀(도 1 참조)

본 발명의 검사용 핀은 하우징(100) 및 핀(200)으로 구성된다.

여기서, 하우징(100) 및 핀(200)은 상술한 방법으로 동시에 형성되는 것이 특징이고, 제거되는 희생부(SP1,SP2,SP3)를 통해, 상기 하우징(100)의 내부면과 상기 핀(200)의 외부면이 이격되도록 형성된다. 또한, 하우징(100)의 하부는 상부가 평탄한 베이스(B) 상부에서 형성되고, 상기 하우징(100)의 상부는 화학적 기계적 연마를 이용하여 평탄하게 형성되므로 하우징(100)의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상의 면은 평탄하게 형성된다. 이때, 하우징의 외부 및 내부의 단면은 사각 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 핀(200)은 탄성부(210)를 형성하고, 상기 탄성부(210)의 양단에 한 쌍의 접촉부 및 보조접촉부(220,230)를 형성한다. 또한, 탄성부(210)는 탄성을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 탄성부(210)는 지그재그 형상으로 형성될 수 있다.

이에 더하여, 하우징(100)의 길이방향의 양단에는 한 쌍의 관통부 및 보조관통부(121,131)가 형성되고, 상기 한 쌍의 관통부 및 보조관통부(121,131)를 통해 한 쌍의 접촉부 및 보조접촉부(220,230) 각각이 외부로 노출된다. 또한, 한 쌍의 관통부 및 보조관통부(121,131)의 하부 및 상부는 화학적 기계적 연마를 이용하여 평탄하게 형성된 하부 하우징(110)의 상부 및 상부 하우징(130)의 하부가 측벽 하우징(120)으로 둘러싸이지 않은 부위에 형성된 것이므로 상기 한 쌍의 관통부 및 보조관통부(121,131)의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상의 면은 평탄하게 형성된다. 이때, 한 쌍의 관통부 및 보조관통부(121,131)의 단면은 사각 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 탄성부(210)는 상부 하우징(130), 하부 하우징(110) 및 측벽 하우징(120)으로 형성되는 하우징(100)의 내부 공간에 위치되고, 상기 탄성부(210)는 관통부 및 보조관통부(121,131)를 통해 상기 하우징(130)과 분리되지 않도록 가로 길이가 상기 관통부 및 보조관통부(121,131)의 가로 길이보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 접촉부 및 보조접촉부(220,230)의 단부에는 접촉 단자(221,231)가 돌출 형성되고, 상기 접촉 단자(221,231)의 형상은, 각 형상, 세모 형상, 다단의 직각 돌출 형상 중 어느 하나의 단면을 갖도록 형성된다.

이에 더하여, 하우징(100)은 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)이 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하부 하우징(110)과 상부 하우징(130) 중 적어도 하나 이상에, 측벽 하우징(120)의 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)을 더 형성할 수 있다.

실시예 2에 따른 미세 전극 회로 검사용 핀(도 9a 참조)

본 발명의 검사용 핀은 하우징(100) 및 핀(200)으로 구성된다.

여기서, 하우징(100) 및 핀(200)은 상술한 방법으로 동시에 형성되는 것이 특징이고, 제거되는 희생부(SP1,SP2,SP3)를 통해, 상기 하우징(100)의 내부면과 상기 핀(200)의 외부면이 이격되도록 형성된다. 또한, 하우징(100)의 하부는 상부가 평탄한 베이스(B) 상부에서 형성되고, 상기 하우징(100)의 상부는 화학적 기계적 연마를 이용하여 평탄하게 형성되므로 하우징(100)의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상의 면은 평탄하게 형성된다. 이때, 하우징의 외부 및 내부의 단면은 사각 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 핀(200)은 탄성부(211)와 보조탄성부(212)를 형성하고, 상기 탄성부(211) 및 상기 보조탄성부(212)의 일단은 측벽 하우징(120)에 연결되고, 상기 탄성부(211) 및 상기 보조탄성부(212)의 타단은 접촉부 및 보조접촉부(220,230)가 형성된다. 또한, 탄성부(211)와 보조탄성부(212)는 탄성을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 탄성부(211) 및 보조탄성부(212)는 지그재그 형상 또는 L 형상으로 형성될 수 있다.

이에 더하여, 하우징(100)의 길이방향의 양단에는 관통부 및 보조관통부(121,131)가 형성되고, 상기 관통부 및 보조관통부(121,131)를 통해, 접촉부 및 보조접촉부(220,230) 각각이 외부로 노출된다. 또한, 관통부 및 보조관통부(121,131)의 하부 및 상부는 화학적 기계적 연마를 이용하여 평탄하게 형성된 하부 하우징(110)의 상부 및 상부 하우징(130)의 하부가 측벽하우징(120)으로 둘러싸이지 않은 부위에 형성된 것이므로 상기 관통부 및 보조관통부(121,131)의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상의 면은 평탄하게 형성된다. 이때, 관통부 및 보조관통부(121,131)의 단면은 사각 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 탄성부(210)는 상부 하우징(130), 하부 하우징(110) 및 측벽 하우징(120)으로 형성되는 하우징(100)의 내부 공간에 위치되고, 상기 탄성부(210)는 관통부 및 보조관통부(121,131)를 통해 상기 하우징(130)과 분리되지 않도록 상기 관통부 및 보조관통부(121,131)의 가로 길이보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 접촉부 및 보조접촉부(220,230)의 단부에는 접촉 단자(221,231)가 돌출 형성되고, 상기 접촉 단자(221,231)의 형상은, 각 형상, 세모 형상, 다단의 직각 돌출 형상 중 어느 하나의 단면을 갖도록 형성된다.

이에 더하여, 하우징(100)은 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)이 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하부 하우징(110)과 상부 하우징(130) 중 적어도 하나 이상에, 측벽 하우징(120)의 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)을 더 형성할 수 있다.

실시예 3에 따른 미세 전극 회로 검사용 핀(도 9b 참조)

본 발명의 검사용 핀은 하우징(100) 및 핀(200)으로 구성된다.

여기서, 상기 하우징(100) 및 핀(200)은 상술한 방법으로 동시에 형성되는 것이 특징이고, 제거되는 희생부(SP1,SP2,SP3)를 통해, 상기 하우징(100)의 내부면과 상기 핀(200)의 외부면이 이격되도록 형성된다. 또한, 하우징(100)의 하부는 상부가 평탄한 베이스(B) 상부에서 형성되고, 상기 하우징(100)의 상부는 화학적 기계적 연마를 이용하여 평탄하게 형성되므로 하우징(100)의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상의 면은 평탄하게 형성된다. 이때, 하우징의 외부 및 내부의 단면은 사각 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 핀(200)은 탄성부(211)와 보조탄성부(212)를 형성하고, 상기 탄성부(211) 및 보조탄성부(212)의 일단은 하우징(100)에 연결되고 상기 탄성부(211) 및 보조탄성부(212)의 타단은 접촉부 및 보조접촉부(220,230)가 형성된다. 또한, 탄성부(211) 및 보조탄성부(212)는 탄성을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 탄성부(211) 및 보조탄성부(212)는 지그재그 형상 또는 L 형상으로 탄성을 가지도록 형성된다.

이에 더하여, 하우징(100)의 길이방향의 양단 중 어느 하나에는 관통부(121)가 형성되고, 상기 관통부(121)을 통해, 접촉부(220)가 외부로 노출된다. 또한, 관통부(121)의 하부 및 상부는 화학적 기계적 연마를 이용하여 평탄하게 형성된 하부 하우징(110)의 상부 및 상부 하우징(130)의 하부가 측벽 하우징(120)으로 둘러싸이지 않은 부위에 형성된 것이므로 상기 관통부(121)의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상의 면은 평탄하게 형성된다. 이때,관통부(121)의 단면은 사각형이 되도록 형성되는 것이 바람직하다.이에 더하여, 탄성부(211)는 상부 하우징(130), 하부 하우징(110) 및 하우징 측벽(120)으로 형성되는 하우징(100)의 내부 공간에 위치되고, 보조탄성부(212)는 하우징(100)의 외부 공간에 위치된다. 또한, 탄성부(211)는 관통부(121)를 통해 하우징(130)과 분리되지 않도록 가로 길이가 상기 관통부(121)의 가로 길이보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 접촉부 및 보조접촉부(220,230)의 단부에는 접촉 단자(221,231)가 돌출 형성되고, 상기 접촉 단자(221,231)의 형상은, 각 형상, 세모 형상, 다단의 직각 돌출 형상 중 어느 하나의 단면을 갖도록 형성된다.

이에 더하여, 하우징(100)은 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)이 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하부 하우징(110)과 상부 하우징(130) 중 적어도 하나 이상에, 측벽 하우징(120)의 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)을 더 형성할 수 있다.

실시예 4에 따른 미세 전극 회로 검사용 핀(도 9c 참조)

본 발명의 검사용 핀은 하우징(100) 및 핀(200)으로 구성된다.

여기서, 상기 하우징(100) 및 핀(200)은 상술한 방법으로 동시에 형성되는 것이 특징이고, 제거되는 희생부(SP1,SP2,SP3)를 통해, 상기 하우징(100)의 내부면과 상기 핀(200)의 외부면이 이격되도록 형성된다. 또한, 하우징(100)의 하부는 상부가 평탄한 베이스(B) 상부에서 형성되고, 상부는 화학적 기계적 연마를 이용하여 평탄하게 형성되므로 하우징(100)의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상의 면은 평탄하게 형성된다. 이때, 하우징의 외부 및 내부의 단면은 사각 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 핀(200)은 탄성부(211)를 형성하고, 상기 탄성부(211)의 일단은 측벽 하우징(120)에 연결되고, 상기 탄성부(211)의 타단은 접촉부(220)를 형성한다. 또한, 탄성부(211)는 탄성을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 탄성부(211)는 지그재그 형상으로 형성될 수 있다.

이에 더하여, 하우징(100)의 길이방향의 양단 중 어느 하나에는 관통부(121)가 형성되고, 상기 관통부(121)을 통해, 접촉부(220)가 외부로 노출된다. 또한, 관통부(121)의 하부 및 상부는 화학적 기계적 연마를 이용하여 평탄하게 형성된 하부 하우징(110)의 상부 및 상부 하우징(130)의 하부가 측벽하우징(120)으로 둘러싸이지 않은 부위에 형성된 것이므로 상기 관통부(121)의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상의 면은 평탄하게 형성된다. 이때, 관통부(121)의 단면은 사각 형상으로 형성되는 것이 바람직하다.

이에 더하여, 탄성부(211)는 상부 하우징(130), 하부 하우징(110) 및 측벽 하우징(120)으로 형성되는 하우징(100)의 내부 공간에 위치되고, 상기 탄성부(211)는 관통부(121)을 통해 상기 하우징(130)과 분리되지 않도록 가로 길이가 상기 관통부(121)의 가로 길이보다 크게 형성되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 하우징(100)은 관통부(121)가 형성된 면의 반대면에 보조접촉부(230)가 형성된다.

이에 더하여, 접촉부 및 보조접촉부(220,230)의 단부에는 접촉 단자(221,231)가 돌출 형성되고, 상기 접촉 단자(221,231)의 형상은, 각 형상, 세모 형상, 다단의 직각 돌출 형상 중 어느 하나의 단면을 갖도록 형성된다.

이에 더하여, 하우징(100)은 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)이 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 하부 하우징(110)과 상부 하우징(130) 중 적어도 하나 이상에, 측벽 하우징(120)의 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀(150)을 더 형성할 수 있다.

이상, 본 발명의 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법 및 이의 방법으로 제조된 미세 전극 회로 검사용 핀에 관한 구체적인 실시예들에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 실시 변형이 가능함은 자명하다.

그러므로 본 발명의 범위에는 설명된 실시예에 국한되어 전해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

즉, 전술된 실시예는 모든 면에서 예시적인 것이며, 한정적인 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술될 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 그 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

100 : 하우징 110 : 하부 하우징
120 : 측벽 하우징 121 : 관통부
131 : 보조관통부 130 : 상부 하우징
150 : 배출홀 200 : 핀
210, 211 : 탄성부 212 : 보조탄성부
220 : 접촉부 230 : 보조접촉부
220a, 230a : 요철부 221, 231 : 접촉 단자
SP1 : 제 1희생부 SP2 : 제 2희생부
SP3 : 제 3희생부

Claims (25)

1. 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀; 및
   상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고, 상기 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고,
   상기 핀과 상기 하우징은 반도체 멤스 공정에 의해 동시에 형성되어 상기 핀 및 상기 하우징의 하부와 상부 중 적어도 하나 이상 면은 평탄하게 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
2. 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀; 및
   상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고, 상기 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고,
   상기 접촉부는 가로 길이가 상기 탄성부의 가로 길이보다 작게 형성되고, 상기 관통부는 가로 길이가 상기 탄성부의 가로 길이보다 작고 상기 접촉부의 가로 길이보다 크게 형성되어 상기 핀이 하우징으로부터 분리되지 않도록 하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
3. 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고, 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀; 및
   상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고, 상기 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고,
   상기 관통부의 단면의 넓이는 상기 하우징의 단면의 넓이보다 작고,
   상기 하우징 및 관통부의 단면은 사각 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
4. 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고, 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀; 및
   상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고, 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고,
   상기 관통부와 밀접하는 상기 접촉부의 측면에는 상기 관통부를 향해 오목 또는 볼록한 다수의 요철부가 더 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
5. 양단 중 적어도 하나 이상에 접촉부가 형성되고, 상기 양단 사이를 탄성 복원력을 갖는 탄성부가 연결하는 핀; 및
   상기 접촉부를 외부로 노출하는 관통부가 형성되고, 탄성부를 커버하는 하우징을 포함하고,
   상기 하우징에는,
   상기 하우징의 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
6. 청구항 1 내지 5항 중 어느 하나에 있어서,
   상기 핀의 일단은 상기 접촉부가 형성되고 타단은 상기 하우징과 연결되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
7. 청구항 6항에 있어서,
   상기 관통부가 형성된 상기 하우징의 반대면에는 탄성 복원력을 갖는 보조탄성부가 연결되고 상기 보조탄성부의 일단에 보조접촉부가 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
8. 청구항 7항에 있어서,
   상기 하우징은 상기 보조탄성부를 커버하도록 연장되어 형성되고, 상기 보조접촉부를 외부로 노출하는 보조관통부가 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
9. 청구항 8항에 있어서,
   상기 보조관통부의 단면의 넓이는 상기 하우징의 단면의 넓이보다 작고,
   상기 하우징 및 보조관통부의 단면은 사각 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
10. 청구항 6항에 있어서,
    상기 관통부가 형성된 상기 하우징의 반대면에는 보조접촉부가 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
11. 청구항 1 내지 5항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 탄성부는 지그재그 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
12. 청구항 1 내지 5항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 접촉부는 접촉 단자가 더 형성되되,
    상기 접촉 단자의 단부는 직각 형상, 세모 형상, 다단의 직각 돌출 형상 중 어느 하나의 단면으로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
13. 제 12항에 있어서,
    상기 접촉부와 상기 접촉 단자의 높이는 서로 상이하게 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
14. 제 13항에 있어서,
    상기 접촉부와 상기 접촉 단자는 다른 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀.
15. 하부 하우징을 형성하는 하부 하우징 형성 단계;
    상기 하부 하우징의 테두리를 따라 상방으로 직립되는 측벽 하우징과, 상기 측벽 하우징으로 에워싸이는 공간에 핀을 형성하는 핀 및 측벽 하우징 형성 단계; 및
    상기 핀 및 측벽 하우징의 상부에 상부 하우징을 형성하는 상부 하우징 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
16. 하부 하우징을 형성하는 하부 하우징 형성 단계;
    상기 하부 하우징의 상부에 핀을 형성하는 핀 형성 단계; 및
    상기 하부 하우징의 테두리를 따라 상방으로 직립되는 측벽 하우징 및 상기 핀의 상부에 상부 하우징을 형성하는 측벽하우징 및 상부 하우징 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
17. 제 15항 또는 제 16항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 핀과 상기 하부 하우징, 상기 측벽 하우징, 상기 상부 하우징 사이에는 희생부를 형성하고 상기 하부 하우징과 상기 상부 하우징 중 적어도 하나 이상에, 상기 하우징 측벽의 내부 공간과 연통되는 하나 이상의 배출홀을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
18. 제 15항에 있어서,
    상기 하부 하우징 형성 단계는,
    베이스를 준비하고,
    상기 베이스 상부에 상기 하부 하우징을 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
19. 제 18항에 있어서,
    상기 핀 및 측벽 하우징 형성 단계는,
    상기 하부 하우징의 상부에, 상기 하부 하우징의 가로 길이보다 작은 가로 길이를 갖는 제 1희생부를 형성하고,
    상기 하부 하우징의 테두리를 따라 상방으로 직립되는 측벽 하우징을 형성하고 상기 제 1희생부 상부에 상기 핀을 형성하고 상기 측벽 하우징과 상기 핀 사이의 상기 제 1희생부 상면에 제 2희생부를 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
20. 제 19항에 있어서,
    상기 측벽 하우징의 내측에 위치되는 상기 핀의 상부에 상기 측벽 하우징의 내측 공간의 가로길이와 동일한 제 3희생부를 형성하고,
    상기 측벽 하우징 및 상기 제 3희생부 상부에 상기 하부 하우징의 형상에 대응되는 상부 하우징을 형성하고,
    상기 하부 하우징, 상기 핀, 상기 측벽 하우징, 상기 상부 하우징을 제외한 부분을 제거하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
21. 제 20항에 있어서,
    상기 하부 하우징, 상기 핀, 상기 측벽 하우징, 상기 상부 하우징은 반도체 멤스 공정을 통해 니켈-코발트로 형성하고,
    상기 제 1희생부, 상기 제 2희생부, 상기 제 3희생부는 반도체 멤스 공정을 통해 구리로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
22. 제 16항에 있어서,
    상기 핀은 상기 측벽 하우징의 내부 공간에서 탄성을 가지도록 형성된 탄성부와,
    상기 탄성부의 양단 중 적어도 하나 이상에 상기 측벽 하우징의 외부로 돌출되는 접촉부를 갖도록 형성되고,
    상기 접촉부 측면에 상기 측벽 하우징의 내측벽을 향해 오목 또는 볼록한 다수의 요철부를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
23. 제 22항에 있어서,
    상기 접촉부의 단부에, 돌출되는 접촉 단자를 형성하되,
    상기 접촉 단자의 단부를 직각 형상, 세모 형상, 다단의 직각 돌출 형상 중 어느 하나의 단면을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
24. 제 23항에 있어서,
    상기 핀 및 측벽 하우징 형성단계를 반복하여 상기 접촉부와 상기 접촉 단자의 높이가 서로 상이하게 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.
25. 제 24항에 있어서,
    상기 접촉부와 상기 접촉 단자는 다른 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 전극 회로 검사용 핀 제조 방법.

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